JPS59188947A - 樹脂封止形半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止形半導体装置の製造方法Info
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- JPS59188947A JPS59188947A JP6341383A JP6341383A JPS59188947A JP S59188947 A JPS59188947 A JP S59188947A JP 6341383 A JP6341383 A JP 6341383A JP 6341383 A JP6341383 A JP 6341383A JP S59188947 A JPS59188947 A JP S59188947A
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- resin
- hardened
- supporter
- semiconductor element
- insulator
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/24—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device solid or gel at the normal operating temperature of the device
-
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、組立作業に要する時間を大幅に短縮すること
ができるとともに、併せて組立の自動化をはかることが
でき、さらに、完成した樹脂封止形半導体装置の信頼性
の向上をはかることもできる樹脂封止形半導体装置の製
造方法に関する。
ができるとともに、併せて組立の自動化をはかることが
でき、さらに、完成した樹脂封止形半導体装置の信頼性
の向上をはかることもできる樹脂封止形半導体装置の製
造方法に関する。
従来例の構成とその問題点
樹脂封止形半導体装置、例えば、樹脂封止形パワートラ
ンジスタの組み立ては、通常、第１図で示すように銅な
どの熱伝導が良好な金属材料からなる半導体基板支持体
１の凹所に、パワートランジスタ素子２を鑞材３を用い
て接着固定し、さらに、パワートランジスタ素子上の電
極と外部リードとの間を金属細線により電気的に接続（
図示せず）したのち、パワートランジスタ素子２の周囲
を表面保護用樹脂（ジャンクションコーティングレジン
とも称される）４で被覆し、最後に、成形用樹脂５によ
って封止することによってなされていた。そして、上記
の表面保護樹脂４は、成形用樹脂５が硬化する甘での重
合反応において、水分あるいは有害イオン、例えば、Ｈ
ａ＋、 ）ｒ＋、 ｃ４などが遊離し、これらがパワー
トランジスタ素子２０表面に付着すると、電気的特性が
損われること、あるいは成形用樹脂５が有する吸水性あ
るいは透湿性などにより電気的特性が損われることなど
の不都合を排除するために不可欠なものである。
ンジスタの組み立ては、通常、第１図で示すように銅な
どの熱伝導が良好な金属材料からなる半導体基板支持体
１の凹所に、パワートランジスタ素子２を鑞材３を用い
て接着固定し、さらに、パワートランジスタ素子上の電
極と外部リードとの間を金属細線により電気的に接続（
図示せず）したのち、パワートランジスタ素子２の周囲
を表面保護用樹脂（ジャンクションコーティングレジン
とも称される）４で被覆し、最後に、成形用樹脂５によ
って封止することによってなされていた。そして、上記
の表面保護樹脂４は、成形用樹脂５が硬化する甘での重
合反応において、水分あるいは有害イオン、例えば、Ｈ
ａ＋、 ）ｒ＋、 ｃ４などが遊離し、これらがパワー
トランジスタ素子２０表面に付着すると、電気的特性が
損われること、あるいは成形用樹脂５が有する吸水性あ
るいは透湿性などにより電気的特性が損われることなど
の不都合を排除するために不可欠なものである。
ところで、この表面保護樹脂４による・ζワートランジ
スタ素子２の被覆は、オイル状あるいはグリース状の表
面保護樹脂を凹所内へ充填してパワー１−ランジスタ素
子２の表面を覆ったのち、１６０°Ｃ〜２３０’Ｃ程度
の加熱炉内で数時間に及ぶ加熱処理を施すことによって
表面保護樹脂を硬化させるとともに、併せて脱水するこ
とによってなされている。このため、組立作業能率が著
るしく損われるところとなり、このことが製品コストを
低下させる面での大きな障害となっていた。捷た、この
ように長い時間を要する作業工程を含む組立作業は、こ
れをライン化することが困難であった。さらに、表面保
護樹脂を硬化させた場合、これにピンホールあるいはマ
イクロクランクの発生することがあり、このことによっ
て、形成された樹脂封止形パワーＩ−ランジスタの特性
劣化あるいは信頼性の低下をきたすおそれもあった。
スタ素子２の被覆は、オイル状あるいはグリース状の表
面保護樹脂を凹所内へ充填してパワー１−ランジスタ素
子２の表面を覆ったのち、１６０°Ｃ〜２３０’Ｃ程度
の加熱炉内で数時間に及ぶ加熱処理を施すことによって
表面保護樹脂を硬化させるとともに、併せて脱水するこ
とによってなされている。このため、組立作業能率が著
るしく損われるところとなり、このことが製品コストを
低下させる面での大きな障害となっていた。捷た、この
ように長い時間を要する作業工程を含む組立作業は、こ
れをライン化することが困難であった。さらに、表面保
護樹脂を硬化させた場合、これにピンホールあるいはマ
イクロクランクの発生することがあり、このことによっ
て、形成された樹脂封止形パワーＩ−ランジスタの特性
劣化あるいは信頼性の低下をきたすおそれもあった。
発明の目的
本発明の目的は、上述した表面保湿樹脂の被覆にかえて
、短時間で表面保護層を形成することができ、しかも、
表面保護樹脂による被覆を行った場合に不可避であった
ピンホールあるいはマイクロクラックの発生に起因する
問題を排除することのできる樹脂封止形半導体装置の製
造方法を提供することにある。
、短時間で表面保護層を形成することができ、しかも、
表面保護樹脂による被覆を行った場合に不可避であった
ピンホールあるいはマイクロクラックの発生に起因する
問題を排除することのできる樹脂封止形半導体装置の製
造方法を提供することにある。
発明の構成
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法は、半導体基
板支持体上へ半導体素子基板が接着さ江さらに、同半導
体素子基板上の電極と外部リードとの間か電気的に接続
された半導体素子組立構体の、前記半導体素子基板の周
囲を、オイル状もしくはグリース状の絶縁物で被覆しだ
のち、同絶縁物上を短時間硬化形の樹脂で被覆し、次い
で、同樹脂を硬化させ、こののち、成形樹脂による封止
を行なう方法である。
板支持体上へ半導体素子基板が接着さ江さらに、同半導
体素子基板上の電極と外部リードとの間か電気的に接続
された半導体素子組立構体の、前記半導体素子基板の周
囲を、オイル状もしくはグリース状の絶縁物で被覆しだ
のち、同絶縁物上を短時間硬化形の樹脂で被覆し、次い
で、同樹脂を硬化させ、こののち、成形樹脂による封止
を行なう方法である。
本発明の製造方法によれば、半導体素子基板の表面保護
が、オイル状もしくはグリース状の絶縁物層と、この周
囲を包囲する樹脂層とによってなされた樹脂封止形半導
体装置を得ることができる。
が、オイル状もしくはグリース状の絶縁物層と、この周
囲を包囲する樹脂層とによってなされた樹脂封止形半導
体装置を得ることができる。
そして、表面保護層の形成には、絶縁物による被覆、樹
脂による被覆ならびにこの樹脂の硬化の３工程が必要と
されるものの、樹脂の硬化時間は極めて短いだめ、全体
としての作業時間は極めて短いものとなる。また、半導
体素子基板の周囲を覆う表面保護層の内側層がオイル状
もしくはグリース状の絶縁物層であるため、ピンホール
あるいはマイクロクラック等に起因する問題が生じるこ
ともない。
脂による被覆ならびにこの樹脂の硬化の３工程が必要と
されるものの、樹脂の硬化時間は極めて短いだめ、全体
としての作業時間は極めて短いものとなる。また、半導
体素子基板の周囲を覆う表面保護層の内側層がオイル状
もしくはグリース状の絶縁物層であるため、ピンホール
あるいはマイクロクラック等に起因する問題が生じるこ
ともない。
実施例の説明
本発明の樹脂封止形半導体装置の製造方法について、第
２図を参照して詳しく説明する。
２図を参照して詳しく説明する。
第６図は本発明の製造方法により形成された樹脂封止形
パワートランジスタの要部の断面構造を示す図である。
パワートランジスタの要部の断面構造を示す図である。
この樹脂封止形パワートランジスタは、以下のような組
立作業工程を経て形成される。
立作業工程を経て形成される。
従来と同様、先ず、凹所をもつ半導体基板支持体１にパ
ワートランジスタ素子２を鑞材３を用いて接着固定し、
さらに、パワートランジスタ素子上の電極と外部リード
との間を金属細線を用いて電気的に接続し、パワートラ
ンジスタ素子組立構体を形成する。
ワートランジスタ素子２を鑞材３を用いて接着固定し、
さらに、パワートランジスタ素子上の電極と外部リード
との間を金属細線を用いて電気的に接続し、パワートラ
ンジスタ素子組立構体を形成する。
次いで、半導体基板支持体１の凹所の中に、オイル状も
しくはグリース状の絶縁物、例えば、シリコングリース
６を充填する。なお、このときには、絶縁物の充填量は
、これが多すぎて、凹所から溢れることがない程度の量
に選定されることが望ましい・こののち、シリコングリ
ース６の上部を完全に覆い、しかも、半導体基板支持体
１の上表面の少くとも一部をも覆うように短時間硬化形
の樹脂たとえは光硬化樹脂７を設け、さらに、この光硬
化樹脂γを紫外線により約１分間程度照射して硬化させ
る。以上の処理を経ることにより、パワートランジスタ
素子の表面保護層が形成される。そして、最後に、成形
用樹脂５による刺止を行なうことによって、本発明の製
造方法による樹脂封止形パワートランジスタが完成する
。
しくはグリース状の絶縁物、例えば、シリコングリース
６を充填する。なお、このときには、絶縁物の充填量は
、これが多すぎて、凹所から溢れることがない程度の量
に選定されることが望ましい・こののち、シリコングリ
ース６の上部を完全に覆い、しかも、半導体基板支持体
１の上表面の少くとも一部をも覆うように短時間硬化形
の樹脂たとえは光硬化樹脂７を設け、さらに、この光硬
化樹脂γを紫外線により約１分間程度照射して硬化させ
る。以上の処理を経ることにより、パワートランジスタ
素子の表面保護層が形成される。そして、最後に、成形
用樹脂５による刺止を行なうことによって、本発明の製
造方法による樹脂封止形パワートランジスタが完成する
。
なお、以上説明した実施例では、凹所に充填する絶縁物
としてシリコングリースを示しだが、たとえば、シリコ
ンオイルなどのオイル状絶縁物を用いてもよい。
としてシリコングリースを示しだが、たとえば、シリコ
ンオイルなどのオイル状絶縁物を用いてもよい。
ところで、シリコングリースを使用する場合には、かな
りの粘性があるだめ、半導体基板支持体に凹所を設けな
くてもよいが、オイル状の絶縁物のようにグリース状の
ものにくらべて粘性が低く、このだめ、流動性のあるも
のを用いる場合には、凹所あるいは流動防止壁などを半
導体基板支持体に形成しておく方がよい。さらに、実施
例でｄ：、パワー１〜ランジスタを例示したが、他の樹
脂封止形半導体装置の製造にも、本発明の製造方法は適
用できるものである。
りの粘性があるだめ、半導体基板支持体に凹所を設けな
くてもよいが、オイル状の絶縁物のようにグリース状の
ものにくらべて粘性が低く、このだめ、流動性のあるも
のを用いる場合には、凹所あるいは流動防止壁などを半
導体基板支持体に形成しておく方がよい。さらに、実施
例でｄ：、パワー１〜ランジスタを例示したが、他の樹
脂封止形半導体装置の製造にも、本発明の製造方法は適
用できるものである。
発明の効果
本発明の製造方法では、表面保護層を極めて短い時間で
形成することができるため、組立作業工程の中に時間待
ちをもだらず工程が存在せず、しだがって、全ての組立
作業工程のライン化を実現 ４することができ、作業
能率の飛躍的な向上ならひに製品コス１−の低減をはか
る効果が奏される。
形成することができるため、組立作業工程の中に時間待
ちをもだらず工程が存在せず、しだがって、全ての組立
作業工程のライン化を実現 ４することができ、作業
能率の飛躍的な向上ならひに製品コス１−の低減をはか
る効果が奏される。
さらに、表面保護層の上側層を形成する樹脂は、封止成
形時に内側の絶縁物の流出を防ぐ作用効果を有するばか
りでなく、絶縁物と成形樹脂との間に介在して、成形樹
脂６の吸水性、透湿性により浸入する水分をしゃ断する
膜としても作用する・このため、特性の劣化を防き一信
頼性の高い樹脂封止形半導体装置か実現される。
形時に内側の絶縁物の流出を防ぐ作用効果を有するばか
りでなく、絶縁物と成形樹脂との間に介在して、成形樹
脂６の吸水性、透湿性により浸入する水分をしゃ断する
膜としても作用する・このため、特性の劣化を防き一信
頼性の高い樹脂封止形半導体装置か実現される。
なお、上記の樹脂にピンホールやマイクロクラックが発
生していても、封止成形時に絶縁物が流出する不都合は
なく、捷だ、一度封止成形がなされたのちには、この外
側には成形樹脂が存在するためピンホールあるいはマイ
クロクラックがあってもここをｉｍシて絶縁物が流出す
ることはない。
生していても、封止成形時に絶縁物が流出する不都合は
なく、捷だ、一度封止成形がなされたのちには、この外
側には成形樹脂が存在するためピンホールあるいはマイ
クロクラックがあってもここをｉｍシて絶縁物が流出す
ることはない。
そして、このピンホールあるいはマイクロクラック部を
水分が透過したとしても、内側にはさらに絶縁物が存在
するため、これ以上の浸入は確実に防止される。
水分が透過したとしても、内側にはさらに絶縁物が存在
するため、これ以上の浸入は確実に防止される。
第１図は従来の樹脂封止形パワートランジスタの要部の
断面図、第２図は本発明の製造方法で形成した樹脂封止
形パワートランジスタの要部の構造を示す断面図である
。 １・・・・半導体基板支持体、２・・・・・・半導体素
子基板、３・・・・・・鑞材、４・・・・・・表面保護
樹脂、５・・・・成形樹脂、６・・・・・絶縁物（プリ
コングリース）、７・・・・・短時間硬化形の樹脂（光
硬化樹脂）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ２ ３ ／ 第２図
断面図、第２図は本発明の製造方法で形成した樹脂封止
形パワートランジスタの要部の構造を示す断面図である
。 １・・・・半導体基板支持体、２・・・・・・半導体素
子基板、３・・・・・・鑞材、４・・・・・・表面保護
樹脂、５・・・・成形樹脂、６・・・・・絶縁物（プリ
コングリース）、７・・・・・短時間硬化形の樹脂（光
硬化樹脂）。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ２ ３ ／ 第２図
Claims (1)
- 半導体基板支持体上へ半導体素子基板が接着され、さら
に、同半導体素子基板上の電極と外部リードとの間が電
気的に接続された半導体素子組立構体の、前記半導体素
子基板の周囲を、オイル状もしくはグリース状の絶縁物
で被覆したのち、同絶縁物上を短時間硬化形の樹脂で被
覆し、次いで、同樹脂を硬化させ、こののち、成形樹脂
による封止を行なうことを特徴とする樹脂封止形半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6341383A JPS59188947A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6341383A JPS59188947A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59188947A true JPS59188947A (ja) | 1984-10-26 |
Family
ID=13228575
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6341383A Pending JPS59188947A (ja) | 1983-04-11 | 1983-04-11 | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59188947A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61125055A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Hitachi Comput Eng Corp Ltd | 半導体装置 |
| US4974057A (en) * | 1986-10-31 | 1990-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device package with circuit board and resin |
| US5036024A (en) * | 1987-07-22 | 1991-07-30 | Toray Silicone Company, Inc. | Method of treating a hardened semiconductor resin encapsulated layer with ultraviolet radiation |
| US20100047567A1 (en) * | 2008-07-21 | 2010-02-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Multi-component device integrated into a matrix |
-
1983
- 1983-04-11 JP JP6341383A patent/JPS59188947A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61125055A (ja) * | 1984-11-22 | 1986-06-12 | Hitachi Comput Eng Corp Ltd | 半導体装置 |
| JPH0457104B2 (ja) * | 1984-11-22 | 1992-09-10 | Hitachi Computer Eng | |
| US4974057A (en) * | 1986-10-31 | 1990-11-27 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor device package with circuit board and resin |
| US5036024A (en) * | 1987-07-22 | 1991-07-30 | Toray Silicone Company, Inc. | Method of treating a hardened semiconductor resin encapsulated layer with ultraviolet radiation |
| US20100047567A1 (en) * | 2008-07-21 | 2010-02-25 | Commissariat A L'energie Atomique | Multi-component device integrated into a matrix |
| US8466568B2 (en) * | 2008-07-21 | 2013-06-18 | Commissariat A L'energie Atomique | Multi-component device integrated into a matrix |
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