JPS5963736A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS5963736A JPS5963736A JP17504082A JP17504082A JPS5963736A JP S5963736 A JPS5963736 A JP S5963736A JP 17504082 A JP17504082 A JP 17504082A JP 17504082 A JP17504082 A JP 17504082A JP S5963736 A JPS5963736 A JP S5963736A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- semiconductor device
- cut part
- resin material
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は比較的大電力を取り扱うことのできる半導体装
置、すなわち、パワー半導体装置の製造方法で、とくに
、半導体テップ載置用の径大な支持体の全面を外囲構体
樹脂で被覆した構造の樹脂封止型半導体装置の製造方法
に関する。
置、すなわち、パワー半導体装置の製造方法で、とくに
、半導体テップ載置用の径大な支持体の全面を外囲構体
樹脂で被覆した構造の樹脂封止型半導体装置の製造方法
に関する。
従来例の構成とその問題点
パワー半導体装置は、半導体チップからの発熱を効果的
に放熱することが不可欠であるため、半導体チップが径
大な金属支持体に接着固定されており、また、この径大
な金属支持体は、その裏面側を露出させた状態で外囲構
体樹脂で封止されている。これは、所望の電子機器内に
組み込むとき、その放熱をさらに良くするためであシ、
電子機器の所定放熱器体に対して、その露出面をよく接
触させ、その熱伝導性を高めるのに有効である。しかし
、このパワー半導体装置を放熱器体に電気的絶縁を保っ
て固定したいときには、たとえばマイ力板のような薄い
絶縁板を介在させなければならないから、その取付は作
業がはなはだ面倒である。
に放熱することが不可欠であるため、半導体チップが径
大な金属支持体に接着固定されており、また、この径大
な金属支持体は、その裏面側を露出させた状態で外囲構
体樹脂で封止されている。これは、所望の電子機器内に
組み込むとき、その放熱をさらに良くするためであシ、
電子機器の所定放熱器体に対して、その露出面をよく接
触させ、その熱伝導性を高めるのに有効である。しかし
、このパワー半導体装置を放熱器体に電気的絶縁を保っ
て固定したいときには、たとえばマイ力板のような薄い
絶縁板を介在させなければならないから、その取付は作
業がはなはだ面倒である。
そこで、金属支持体の裏面側をも薄い樹脂層で覆った封
止構造が提案されている。この構造の半導体装置は、第
１図にその断面構造を示すように、金属支持体１の主面
に半導体チップ２を載置し、これらの全表部を外囲樹脂
体３で封止成形する際に、金属支持体１から外方に延び
る外部電極用リード４および同支持体固定用細条５を成
型用金型で支承して固持し、成型用樹脂注入の圧力で金
属支持体１が浮動しないようにしているが、成型後は前
記固定用細条５を切断除去している。
止構造が提案されている。この構造の半導体装置は、第
１図にその断面構造を示すように、金属支持体１の主面
に半導体チップ２を載置し、これらの全表部を外囲樹脂
体３で封止成形する際に、金属支持体１から外方に延び
る外部電極用リード４および同支持体固定用細条５を成
型用金型で支承して固持し、成型用樹脂注入の圧力で金
属支持体１が浮動しないようにしているが、成型後は前
記固定用細条５を切断除去している。
しかし、その切断部が露出した′１ま放置されると、こ
の半導体装置を電子機器壁ないしは所定放熱器体に取り
付けた場合、その切断部での絶縁不良が危惧されるため
、第２図示のように、その切断部を樹脂シーリング材料
６で被覆している。ところが、樹脂シーリング材料は、
通常、硬化処理の際の加熱で流動化するため、その流動
変形を起こさせないようなシーリング成型手段を用いる
ことが必要であシ、工程上も煩雑化することが不可避で
ある。
の半導体装置を電子機器壁ないしは所定放熱器体に取り
付けた場合、その切断部での絶縁不良が危惧されるため
、第２図示のように、その切断部を樹脂シーリング材料
６で被覆している。ところが、樹脂シーリング材料は、
通常、硬化処理の際の加熱で流動化するため、その流動
変形を起こさせないようなシーリング成型手段を用いる
ことが必要であシ、工程上も煩雑化することが不可避で
ある。
発明の目的
本発明は、金属支持体の全面を外囲樹脂で封止成形した
構造の半導体装置の製造にあたり、上述の金属支持体固
定用細条の切断部被覆工程の改善をはかることを目的と
した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
構造の半導体装置の製造にあたり、上述の金属支持体固
定用細条の切断部被覆工程の改善をはかることを目的と
した樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供するもので
ある。
発明の構成
本発明は、要約すると、半導体チップを載置した支持体
から延びる外部電極用リードおよび同支持体固定用細条
を用いて、前記支持体を外囲構体樹脂で成形封止したの
ち、前記支持体固定用細条を前記外囲構体樹脂近傍で切
断し、その切断部に液状まだはペレット状の樹脂素材を
付着して、同樹脂素材をゲル化させる工程と、次いで加
熱して熱硬化させる工程とをそなえた樹脂封止型半導体
装置の製造方法である。本発明によると、樹脂素材を二
段階に分けて硬化させることにより、流動変形を極力抑
えることができ、製造工程が簡素化かつ安定化される。
から延びる外部電極用リードおよび同支持体固定用細条
を用いて、前記支持体を外囲構体樹脂で成形封止したの
ち、前記支持体固定用細条を前記外囲構体樹脂近傍で切
断し、その切断部に液状まだはペレット状の樹脂素材を
付着して、同樹脂素材をゲル化させる工程と、次いで加
熱して熱硬化させる工程とをそなえた樹脂封止型半導体
装置の製造方法である。本発明によると、樹脂素材を二
段階に分けて硬化させることにより、流動変形を極力抑
えることができ、製造工程が簡素化かつ安定化される。
実施例の説明
第３図は本発明の実施例工程を要約して示す工程流れ図
である。
である。
第３図ｆ＝）では、エポキシ系の外囲樹脂体３の内部に
、第１図の従来例にも示したように、半導体チップ２を
載置固定した金属支持体１を有し、この金属支持体１か
ら外部電極用リード４のうちの１本ならびに他方の側に
固定用金属細条５がそれぞれ延び出ている。そして、外
部電極用リード４および固定用金属細条５はそれぞれ他
の各片多数とともに金属枠体７および８に一体的にりな
がっている。そして、これをＸおよびＹの破線に沿って
切断すると、第３図（ｂ）に示されるように、樹脂封止
型半導体装置単体が得られる。そこで、この半導体装置
の固定用金属細条６の切断部に、外囲樹脂体３と同組成
でなる固体状のエポキシ樹脂ペレット６を配し、この半
導体装置を、第３図（０）に示すように、適当な架台９
に立て兼べて、前記エポキシ樹脂ペレット６を、たとえ
ば赤外線ランプによシ加熱する。このエポキシ樹脂ペレ
ットは、予め接着性を有する適当な大きさに細分化され
たシーリング材料を用いれば、所要部分に配置すること
も便利であり、工程の自動化もできる。赤外線ラングで
の加熱は５０℃〜１００℃の範囲が適当で、この加熱工
程で、エポキシ樹脂ペレット６は切断部６の全面をおお
うようにゲル化、状態で付着する。次いで、この半導体
装置を、１２０℃〜２００’Ｃに保たれた加熱炉内を通
過させると、樹脂硬化が促進され、第３図（ｄ）のよう
に、切断部を覆って確実に固体化される。
、第１図の従来例にも示したように、半導体チップ２を
載置固定した金属支持体１を有し、この金属支持体１か
ら外部電極用リード４のうちの１本ならびに他方の側に
固定用金属細条５がそれぞれ延び出ている。そして、外
部電極用リード４および固定用金属細条５はそれぞれ他
の各片多数とともに金属枠体７および８に一体的にりな
がっている。そして、これをＸおよびＹの破線に沿って
切断すると、第３図（ｂ）に示されるように、樹脂封止
型半導体装置単体が得られる。そこで、この半導体装置
の固定用金属細条６の切断部に、外囲樹脂体３と同組成
でなる固体状のエポキシ樹脂ペレット６を配し、この半
導体装置を、第３図（０）に示すように、適当な架台９
に立て兼べて、前記エポキシ樹脂ペレット６を、たとえ
ば赤外線ランプによシ加熱する。このエポキシ樹脂ペレ
ットは、予め接着性を有する適当な大きさに細分化され
たシーリング材料を用いれば、所要部分に配置すること
も便利であり、工程の自動化もできる。赤外線ラングで
の加熱は５０℃〜１００℃の範囲が適当で、この加熱工
程で、エポキシ樹脂ペレット６は切断部６の全面をおお
うようにゲル化、状態で付着する。次いで、この半導体
装置を、１２０℃〜２００’Ｃに保たれた加熱炉内を通
過させると、樹脂硬化が促進され、第３図（ｄ）のよう
に、切断部を覆って確実に固体化される。
また、樹脂シーリング材料として液状エポキシ樹脂を用
いる場合には、予め、半導体装置の切断部を６０℃〜１
００℃に加熱しながら、液状エポキシ樹脂シーリング材
料を適量滴下させて、前記切断部をゲル状樹脂でおおい
、ついで、これを１２０℃〜２００℃に保温された加熱
炉を通過させることによって、その切断部を確実に被覆
することができる。さらに、樹脂シーリング材料が外囲
樹脂体と同組成物であれば、相互樹脂間の硬化歪も生じ
ないので好適である。
いる場合には、予め、半導体装置の切断部を６０℃〜１
００℃に加熱しながら、液状エポキシ樹脂シーリング材
料を適量滴下させて、前記切断部をゲル状樹脂でおおい
、ついで、これを１２０℃〜２００℃に保温された加熱
炉を通過させることによって、その切断部を確実に被覆
することができる。さらに、樹脂シーリング材料が外囲
樹脂体と同組成物であれば、相互樹脂間の硬化歪も生じ
ないので好適である。
発明の効果
以上に詳記したように、本発明によれば支持体固定用細
条の切断部を樹脂シーリング拐料によって被覆する工程
で、樹脂素材をゲル化させる工程と、次いで加熱して熱
硬化させる工程との二段階で加熱硬化させるから、樹脂
累月の流動変形がほとんど起こらず、切断部を確実に被
覆することができる。また、その作業過程において、樹
脂素材の流動性をゲル化処理の段階で十分に制御するこ
とにより、シーリング成型手段を用いなくても、所定形
状に樹脂素材を配置できるから、その作業性にもすぐれ
、安定な品質を実現することが可能である。
条の切断部を樹脂シーリング拐料によって被覆する工程
で、樹脂素材をゲル化させる工程と、次いで加熱して熱
硬化させる工程との二段階で加熱硬化させるから、樹脂
累月の流動変形がほとんど起こらず、切断部を確実に被
覆することができる。また、その作業過程において、樹
脂素材の流動性をゲル化処理の段階で十分に制御するこ
とにより、シーリング成型手段を用いなくても、所定形
状に樹脂素材を配置できるから、その作業性にもすぐれ
、安定な品質を実現することが可能である。
第１図および第２図はそれぞれ従来例樹脂封止型半導体
装置の断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例
工程を要約して示す工程図である。 １・・・・・・金属支持体、２・・・・・・半導体テッ
プ、３・・・・・・外囲樹脂体、４・・・・・・外部電
極用リード、６・・・・・・金属支持体固定用細条、６
・・・・・・樹脂シーリング材料、７，８・・・・・・
金属枠体、９・・・・・・架台。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ？ ３ 図
装置の断面図、第３図（ａ）〜（ｄ）は本発明の実施例
工程を要約して示す工程図である。 １・・・・・・金属支持体、２・・・・・・半導体テッ
プ、３・・・・・・外囲樹脂体、４・・・・・・外部電
極用リード、６・・・・・・金属支持体固定用細条、６
・・・・・・樹脂シーリング材料、７，８・・・・・・
金属枠体、９・・・・・・架台。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第１
図 ？ ３ 図
Claims (4)
- （１）半導体チップを載置した支持体から延びる外部電
極用リードおよび同支持体固定用細条を用いて、前記支
持体を外囲構体樹脂で成形封止したのち、前記支持体固
定用細条を前記外囲構体樹脂近傍で切断し、その切断部
に液状またはペレット状の樹脂素材を付着して、同樹脂
素材をゲル化させる工程と、次いで加熱して熱硬化させ
る工程とをそなえた樹脂封止型半導体装置の製造方法。 - （２）樹脂素材のゲル化工程が６０℃〜１００℃の範囲
に選定される特許請求の範囲第１項に記載の樹脂封止型
半導体装置の製造方法。 - （３）樹脂素材の熱硬化工程が１２０℃〜２２０℃の範
囲に選定される特許請求の範囲第１項に記載の樹脂封止
形半導体装置の製造方法。 - （４）樹脂素材が外囲構体樹脂と同組成でなる特許請求
の範囲第１項、第２項又は第３項に記載の樹脂封止形半
導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17504082A JPS5963736A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17504082A JPS5963736A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5963736A true JPS5963736A (ja) | 1984-04-11 |
Family
ID=15989159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17504082A Pending JPS5963736A (ja) | 1982-10-04 | 1982-10-04 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5963736A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4637130A (en) * | 1981-03-05 | 1987-01-20 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
| JPS63110759A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂絶縁形半導体装置 |
| WO1997002596A1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composant electronique et son procede de fabrication |
| WO2018003402A1 (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-04 | Koa株式会社 | 表面実装形薄膜抵抗ネットワーク |
-
1982
- 1982-10-04 JP JP17504082A patent/JPS5963736A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4637130A (en) * | 1981-03-05 | 1987-01-20 | Matsushita Electronics Corporation | Method for manufacturing a plastic encapsulated semiconductor device and a lead frame therefor |
| JPS63110759A (ja) * | 1986-10-29 | 1988-05-16 | Mitsubishi Electric Corp | 樹脂絶縁形半導体装置 |
| WO1997002596A1 (fr) * | 1995-06-30 | 1997-01-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Composant electronique et son procede de fabrication |
| US6262513B1 (en) | 1995-06-30 | 2001-07-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component and method of production thereof |
| US6628043B2 (en) | 1995-06-30 | 2003-09-30 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component and method of production thereof |
| US6754950B2 (en) | 1995-06-30 | 2004-06-29 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Electronic component and method of production thereof |
| WO2018003402A1 (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-04 | Koa株式会社 | 表面実装形薄膜抵抗ネットワーク |
| JP2018006376A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | Koa株式会社 | 表面実装形薄膜抵抗ネットワーク |
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