JPH03234044A - パッケージの組立方法とパッケージ - Google Patents
パッケージの組立方法とパッケージInfo
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- JPH03234044A JPH03234044A JP2018797A JP1879790A JPH03234044A JP H03234044 A JPH03234044 A JP H03234044A JP 2018797 A JP2018797 A JP 2018797A JP 1879790 A JP1879790 A JP 1879790A JP H03234044 A JPH03234044 A JP H03234044A
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明＆エレクトロニック装置の収納のためのパッケー
ジをｌ造する方法とそれにより作られるパッケージに係
わる。パッケージ（工、熱劣化に対する抵抗性の改良な
らびに密閉エレク）（７二ツク装置からの熱放散率の改
良をその特徴としている。
ジをｌ造する方法とそれにより作られるパッケージに係
わる。パッケージ（工、熱劣化に対する抵抗性の改良な
らびに密閉エレク）（７二ツク装置からの熱放散率の改
良をその特徴としている。
数種の基本的パツケーゾデデインが集積回路の収納にエ
レク）エレクトロニック産業において用いられている。
レク）エレクトロニック産業において用いられている。
通常、半導体材料典型的にはシリコンから作られる集積
回路は外部環境より保護されねばならず又外部部品に電
気的に接続する必要がある。
回路は外部環境より保護されねばならず又外部部品に電
気的に接続する必要がある。
これら諸条件と同様に層迄コストとパッケージ組立コス
トを最小におさえる必要がある。エレクトロニック産業
の場合、一般的に２つの傾向の内の１つに従っている。
トを最小におさえる必要がある。エレクトロニック産業
の場合、一般的に２つの傾向の内の１つに従っている。
即ち、例えばセラミック二重並列パッケージによるエレ
クトロニック装置の最大保護若しくはカプセル化プラス
チックパッケージなどによる最小コストのいづれかであ
る。この両者の考え方には顕著な欠点が伴っている。
クトロニック装置の最大保護若しくはカプセル化プラス
チックパッケージなどによる最小コストのいづれかであ
る。この両者の考え方には顕著な欠点が伴っている。
上記のセラミック二重並列パッケージ形態（Ｃ！１ｉＲ
Ｉ）ＩＰ） は、適宜はんだ硝子でリードフレームに接
着され気密封正体を形成する２個のアルミナ又はその他
セラミック硝子工つ構成されている。
Ｉ）ＩＰ） は、適宜はんだ硝子でリードフレームに接
着され気密封正体を形成する２個のアルミナ又はその他
セラミック硝子工つ構成されている。
ＣＦ、ＲＤＩＰに係わる問題点に７：劣悪な熱放散率に
ある。
ある。
ＯＦ！ＲＤ工Ｐの熱放散性能を最大にするために、ベリ
ラム酸化物が時折りアルミニウム酸化物にとって替わる
。パッケージの熱性能が改善する一方コストが顕著に上
昇する。このＯＴ第２ＲＤ工Ｐｆ工高価なエレクトロニ
ック需要分野例えば最新科学技術によるコンピュータ又
は軍事応用分野に広く用いられている。
ラム酸化物が時折りアルミニウム酸化物にとって替わる
。パッケージの熱性能が改善する一方コストが顕著に上
昇する。このＯＴ第２ＲＤ工Ｐｆ工高価なエレクトロニ
ック需要分野例えば最新科学技術によるコンピュータ又
は軍事応用分野に広く用いられている。
通常、プラスチックパッケージにはエレクトロニック装
置がプラスチック樹脂一般罠エボキシ樹脂でカプセル化
を施したリードフレーム上に取付けられて設けられる。
置がプラスチック樹脂一般罠エボキシ樹脂でカプセル化
を施したリードフレーム上に取付けられて設けられる。
プラスチックパッケージは上記の（１０）！ｆＲＤＩＰ
より贈作上安価につきかつ又オートメ化された生産によ
り適応している。プラスチックパッケージは一般に密封
型ではなく高価なエレクトロニック関係の需要には適し
ていない。更に、プラスチックパッケージの熱放散率は
低い。
より贈作上安価につきかつ又オートメ化された生産によ
り適応している。プラスチックパッケージは一般に密封
型ではなく高価なエレクトロニック関係の需要には適し
ていない。更に、プラスチックパッケージの熱放散率は
低い。
本出願を通じて用いられる用語「密封型」（エミル規格
８８６Ｂに準拠してかり、ヘリウムトレーサガスを使用
して測定した時における５ｘ１υ−８ｒｘ”／１ｌＢ６
未満のパッケージ空胴洩れ率として定義される。
８８６Ｂに準拠してかり、ヘリウムトレーサガスを使用
して測定した時における５ｘ１υ−８ｒｘ”／１ｌＢ６
未満のパッケージ空胴洩れ率として定義される。
このＣＥＲＤ工Ｐ及びプラスチックパッケージの欠点を
除くことを目的にしたパッケージは金属パッケージであ
る。金属パッケージは、金属部は金属合金カバーとベー
ス部材との間におかれるリードフレームより構成されて
いる。リードフレームは、普通はんだ硝子やポリマー接
着剤などの電気的絶縁材の接着剤を用いてベース及びカ
バー部材に接着される。一般に、密封パッケージが望ま
しい場合はんだ硝子が用いられる６はんだ硝子を用いる
金属パッケージの例は米国特許！ ４，５２４．２３８
号、第４．５３２．２２２号、４，５４２．２５９号、
Ａ、６０７．７２６号及び第４．６５６．４９９号に記
載されており、これら（工丁べてバラ） （Ｂｕｔｔ）
に付与されている。
除くことを目的にしたパッケージは金属パッケージであ
る。金属パッケージは、金属部は金属合金カバーとベー
ス部材との間におかれるリードフレームより構成されて
いる。リードフレームは、普通はんだ硝子やポリマー接
着剤などの電気的絶縁材の接着剤を用いてベース及びカ
バー部材に接着される。一般に、密封パッケージが望ま
しい場合はんだ硝子が用いられる６はんだ硝子を用いる
金属パッケージの例は米国特許！ ４，５２４．２３８
号、第４．５３２．２２２号、４，５４２．２５９号、
Ａ、６０７．７２６号及び第４．６５６．４９９号に記
載されており、これら（工丁べてバラ） （Ｂｕｔｔ）
に付与されている。
金属パッケージに伴う問題は、金属部材と普通のＣＥＲ
Ｄ工Ｐはんだ硝子との間における熱膨張係数の不釣合い
にある。金属部材は普通鋼又は銅ベース合金であり、約
１６０〜１７０Ｘ１０−７℃の熱膨張係数を有し、一方
低温はんだ硝子は元来アルミニウム酸化物Ｃ！Ｒ１！：
Ｄ工Ｐパッケージの熱膨張率に見合うよう約４９Ｘ１０
−７℃の熱膨張率をもつ工ラブデインされている。若し
熱膨張率の不釣合が１０優以上だと熱サイクル中導入さ
れる応力のため硝子が破損し密封性が損われる。
Ｄ工Ｐはんだ硝子との間における熱膨張係数の不釣合い
にある。金属部材は普通鋼又は銅ベース合金であり、約
１６０〜１７０Ｘ１０−７℃の熱膨張係数を有し、一方
低温はんだ硝子は元来アルミニウム酸化物Ｃ！Ｒ１！：
Ｄ工Ｐパッケージの熱膨張率に見合うよう約４９Ｘ１０
−７℃の熱膨張率をもつ工ラブデインされている。若し
熱膨張率の不釣合が１０優以上だと熱サイクル中導入さ
れる応力のため硝子が破損し密封性が損われる。
熱膨張率の正確な釣合いを得る方法としては、ミューリ
ッカー（Ｍｕｈｌ土ｋａｒ）その他の米国特許軍４．７
０４，６２６号に記載の如き等級シールの使用と、米国
特許第４．７５２．５２１号及び第４，８（１０），４
８８号に記載の如き塩化カルシウムなどの適宜フィラー
材の使用による硝子の熱膨張率を変える方法があけられ
る。
ッカー（Ｍｕｈｌ土ｋａｒ）その他の米国特許軍４．７
０４，６２６号に記載の如き等級シールの使用と、米国
特許第４．７５２．５２１号及び第４，８（１０），４
８８号に記載の如き塩化カルシウムなどの適宜フィラー
材の使用による硝子の熱膨張率を変える方法があけられ
る。
密封型金属パッケージに（工作動中エレクトエレクトロ
ニック装置により発生する熱を放散させる優れた利点が
具わっている。金属パッケージは空胴部を含有するので
エレクトロニック装置の表面は熱サイクル実施中型成形
プラスチックパッケージに伴うような応力を受けること
がない。
ニック装置により発生する熱を放散させる優れた利点が
具わっている。金属パッケージは空胴部を含有するので
エレクトロニック装置の表面は熱サイクル実施中型成形
プラスチックパッケージに伴うような応力を受けること
がない。
金属パンターフ１丁又プラスチックりッグーゾにおける
部材の取替えにも使用される。硝子シールのパッケージ
の場合における如く、金属リードフレームが金属又は金
属合金ベースとカバー部材との間におかれる。パッケー
ジはポリマー接着剤典型的にはエポキシでシールを施さ
れる。ポリマー接着剤シーラントによる金属パッケージ
の例には、Ｂｕｔｔの米国特許＠ ４．Ａ ６１，９２
４号、第４．４８０．２６２号及び簗４．５９４．７７
０号ならびにハス：ｒ ｒ７ （Ｈａｅｃｏｅ）の米国
特許ｉ！４，１０５．８６１号があげられる。
部材の取替えにも使用される。硝子シールのパッケージ
の場合における如く、金属リードフレームが金属又は金
属合金ベースとカバー部材との間におかれる。パッケー
ジはポリマー接着剤典型的にはエポキシでシールを施さ
れる。ポリマー接着剤シーラントによる金属パッケージ
の例には、Ｂｕｔｔの米国特許＠ ４．Ａ ６１，９２
４号、第４．４８０．２６２号及び簗４．５９４．７７
０号ならびにハス：ｒ ｒ７ （Ｈａｅｃｏｅ）の米国
特許ｉ！４，１０５．８６１号があげられる。
一般に、ポリマー接着剤はシーリングガラスより柔かで
ある。パッケージ部品の熱膨張率を接着剤に適合させる
必要はない。熱的に誘起された応力は吸収されポリマー
接着剤により弱められる。
ある。パッケージ部品の熱膨張率を接着剤に適合させる
必要はない。熱的に誘起された応力は吸収されポリマー
接着剤により弱められる。
ポリマー接着剤を利用する金属パッケージに伴う困難は
それがミル規格８８３ＢＫよれば密封性ではないという
点にある。
それがミル規格８８３ＢＫよれば密封性ではないという
点にある。
更に、ポリマーは熱的に安定ではなく、硬化後における
加熱サイクル中劣化する傾向がある。パッケージシーラ
ントを評価千る一つの方法が一般に圧力クツカーテスト
と呼ばれている。テストには、シールを施したパッケー
ジを１２１℃、相対湿度１００％、圧力２ 、’Ｉ Ｏ
Ｏｇｍ／ｃｍ２（３０ｐｓりで圧力クツカー内に浸丁段
階が含まれる。ポリマー接着剤でシールされた金属パッ
ケージの場合このテスト中比較的短時間に層が分れる点
判明している。このテスト加速環境テストであり、いか
にパッケージにより電子装置が空気及び湿度から保護さ
れるかを示でものである。
加熱サイクル中劣化する傾向がある。パッケージシーラ
ントを評価千る一つの方法が一般に圧力クツカーテスト
と呼ばれている。テストには、シールを施したパッケー
ジを１２１℃、相対湿度１００％、圧力２ 、’Ｉ Ｏ
Ｏｇｍ／ｃｍ２（３０ｐｓりで圧力クツカー内に浸丁段
階が含まれる。ポリマー接着剤でシールされた金属パッ
ケージの場合このテスト中比較的短時間に層が分れる点
判明している。このテスト加速環境テストであり、いか
にパッケージにより電子装置が空気及び湿度から保護さ
れるかを示でものである。
本発明によれば、中央位置のダイ装着パッドを含有する
リードフレームが設けられる。エレクトロニック装置、
典型的にはシリコン半導体チップがダイ装着バンドに接
着される。ダイ装着パッドｆｓパッケージベース及びベ
ースに接着され、カバー部材がリードフレームにシール
されている。パッケージは在米技術によるパッケージよ
り少なくとも１つ少ない回数のシーリングサイクルに通
しシーラントの機能寿命のかなりの改善をも１こら丁。
リードフレームが設けられる。エレクトロニック装置、
典型的にはシリコン半導体チップがダイ装着バンドに接
着される。ダイ装着パッドｆｓパッケージベース及びベ
ースに接着され、カバー部材がリードフレームにシール
されている。パッケージは在米技術によるパッケージよ
り少なくとも１つ少ない回数のシーリングサイクルに通
しシーラントの機能寿命のかなりの改善をも１こら丁。
本発明のもう１つの実施例においてＥ工、ベース部材に
開口が設けられる。この開口上にわたりダイ装着パッド
がシールを施される。この実施例によりエレク）ｃｒニ
ック装置からの熱の除去の改良が可能になる。
開口が設けられる。この開口上にわたりダイ装着パッド
がシールを施される。この実施例によりエレク）ｃｒニ
ック装置からの熱の除去の改良が可能になる。
従って、本発明の目的とする所は、熱的劣化に対しより
一層抵抗性のあるポリマーでシールを施した金属パッケ
ージの提供にある。
一層抵抗性のあるポリマーでシールを施した金属パッケ
ージの提供にある。
本発明のも５１つの目的に、現在の金属パッケージより
少ない組立ステップで済むポリマーシーラントを備えた
金属パッケージの提供である。
少ない組立ステップで済むポリマーシーラントを備えた
金属パッケージの提供である。
更に別の目的は、熱放散特性の改善された金属パッケー
ジの提供にある。
ジの提供にある。
上記及びそれ以外の目的ならびに利点については同−参
照番号が同一部材に付けられた図面の簡単説明 〔好適実施例〕 第１図はエレクトロニック装置２２をカプセル化構成に
するための従来技術によるハウジング１０を示す横断面
図である。この典型的な裏作方法はリードフレーム１６
を第１シーラント２８を用いてベース部材１２に固着さ
せる点にある。第１シーラントｆ１一般に低融点のはん
だが２ス又はポリマー接着剤である。エレクトロニツク
パツケ−ジのシーリングに用いられる典型的なはんだガ
ラスは１種又はそれ以上のガラス成分を通常含有する鉛
硼酸塩ガラス母体である。はんだガラスの一例は７５％
−８５％がｐｂｏ、 ０．５％−１６ｑｂがｚｎｏ、８
％−１５％がＢ２Ｏ３である混合物である。
照番号が同一部材に付けられた図面の簡単説明 〔好適実施例〕 第１図はエレクトロニック装置２２をカプセル化構成に
するための従来技術によるハウジング１０を示す横断面
図である。この典型的な裏作方法はリードフレーム１６
を第１シーラント２８を用いてベース部材１２に固着さ
せる点にある。第１シーラントｆ１一般に低融点のはん
だが２ス又はポリマー接着剤である。エレクトロニツク
パツケ−ジのシーリングに用いられる典型的なはんだガ
ラスは１種又はそれ以上のガラス成分を通常含有する鉛
硼酸塩ガラス母体である。はんだガラスの一例は７５％
−８５％がｐｂｏ、 ０．５％−１６ｑｂがｚｎｏ、８
％−１５％がＢ２Ｏ３である混合物である。
適宜の熱膨張率をもつどんなはんだガラスも使用しても
良い。典型的なポリマーシーラントは熱硬化性エポキシ
例えばツバ２ツク（Ｎｏｖａｌａｃ）である。
良い。典型的なポリマーシーラントは熱硬化性エポキシ
例えばツバ２ツク（Ｎｏｖａｌａｃ）である。
はＸ７だガラスのための典型的シーリングプロフィール
１丁１０分間的４１０℃から４３０℃であり、エポキシ
に対する典型的硬化サイクルｆ丁約６０分から１２０分
にわたり約１５０℃から１７０℃である。
１丁１０分間的４１０℃から４３０℃であり、エポキシ
に対する典型的硬化サイクルｆ丁約６０分から１２０分
にわたり約１５０℃から１７０℃である。
第１のシーラントが硬化しリードフレームが定位置に装
着された後、シリコンベースの半導体チップの形態をし
ばしばとるエレクトロニック装置２２が取付けられる。
着された後、シリコンベースの半導体チップの形態をし
ばしばとるエレクトロニック装置２２が取付けられる。
エレクトロニック装置は直接ベース部１）ｌ ２にダイ
装着３２により取付けられるか若しくはバッファー（図
示省略）に取付は更にこれをベース部材に取付ける。こ
のバッファー装置ｔＸ １９ Ｂ ６年９月１７日公告
のヨーロッパ特許出願第８６，１０２，０５９．２号に
記載されている。
装着３２により取付けられるか若しくはバッファー（図
示省略）に取付は更にこれをベース部材に取付ける。こ
のバッファー装置ｔＸ １９ Ｂ ６年９月１７日公告
のヨーロッパ特許出願第８６，１０２，０５９．２号に
記載されている。
ベース部材又はバッファーの熱膨張係数により使用する
ダイ装着６ｔ３２の選択が決められる。若しベース部材
又ハバツファーのＣＴＫが４９Ｘ１０−７℃のエレクト
ロニック装置のＣＴＥの約１０％以内だと、９８％Ａｕ
／２％Ｓｉなどの硬質はんだを使用できる。若しベース
部材又はパン７丁−のＣ！Ｔｌ！！がエレク）エレクト
ロニック装置のそれに近づかない場合にｉ工、もつと寛
大な型装着が用いられる。例えば、９５％ｐｂ１５％８
ｎ又を１銀充填エポキシなどの電導性ポリマー接着剤が
用いられる。
ダイ装着６ｔ３２の選択が決められる。若しベース部材
又ハバツファーのＣＴＫが４９Ｘ１０−７℃のエレクト
ロニック装置のＣＴＥの約１０％以内だと、９８％Ａｕ
／２％Ｓｉなどの硬質はんだを使用できる。若しベース
部材又はパン７丁−のＣ！Ｔｌ！！がエレク）エレクト
ロニック装置のそれに近づかない場合にｉ工、もつと寛
大な型装着が用いられる。例えば、９５％ｐｂ１５％８
ｎ又を１銀充填エポキシなどの電導性ポリマー接着剤が
用いられる。
ダイ装着を活性化するのに熱的処理が必要とされる。若
しＡｕ／８１ｔＸんだが用いられると、この熱処理１ニ
一般に約５秒間にわたり約４２０℃で行われる。ｐｂ／
８ｎｔＸんだに対しては約２０秒にわたる約２００℃の
＠度が用いられ、充填ポリマーに対しては約６０分にわ
たり約１５０℃の温度が用いられる。選ばれるダイ装着
のいかんに係わりなく第１シーラント２８ｔＸ第２７７
０熱及び冷却サイクルを受ける。
しＡｕ／８１ｔＸんだが用いられると、この熱処理１ニ
一般に約５秒間にわたり約４２０℃で行われる。ｐｂ／
８ｎｔＸんだに対しては約２０秒にわたる約２００℃の
＠度が用いられ、充填ポリマーに対しては約６０分にわ
たり約１５０℃の温度が用いられる。選ばれるダイ装着
のいかんに係わりなく第１シーラント２８ｔＸ第２７７
０熱及び冷却サイクルを受ける。
リードワイヤ２０が次いでエレクトロニック装置２２と
内部リード部分１Ｂに接着されエレクトロニック装置を
リードフレーム１６を通じて外界に電気的に接続させる
。リードワイヤを１典型的には銀又はアルミニウムワイ
ヤ若しくはいわゆるテープオートメ接着（ＴＡＢ）の工
程を用いた場合薄手の銅箔の細片である。接着は超音波
溶接、熱接着若しくを１熱圧縮接着で良い。若干の接着
熱はリードを通じ送られｓｇ１シーラント２８をもう１
つの熱サイクルにかける。典型的な接着温度（１約５分
間にわたる約２４０℃の温度である。
内部リード部分１Ｂに接着されエレクトロニック装置を
リードフレーム１６を通じて外界に電気的に接続させる
。リードワイヤを１典型的には銀又はアルミニウムワイ
ヤ若しくはいわゆるテープオートメ接着（ＴＡＢ）の工
程を用いた場合薄手の銅箔の細片である。接着は超音波
溶接、熱接着若しくを１熱圧縮接着で良い。若干の接着
熱はリードを通じ送られｓｇ１シーラント２８をもう１
つの熱サイクルにかける。典型的な接着温度（１約５分
間にわたる約２４０℃の温度である。
次に、第２シーラント２６がカバー部材１４にかけられ
る。第２シーラン）ｆ工普通第１シー２／トと同じ組数
のものが選ばれ化学的適合性が確保されるも此は前述の
引用に係わる米国特許第４．７０４．６２６号に記載の
如く必ずしも必要で會工ない。次に、カバー部＄ｔ１４
がリードフレーム１６近くに位置ぎめされ、ベース部材
とを１反対のリードフレームの側に接着される。第２シ
ー２ント２６を硬化させるのに適したシーリングプロヒ
ールが必要とされる。第１シーラント２ｇ）！もう１度
熱サイクルを受ける。
る。第２シーラン）ｆ工普通第１シー２／トと同じ組数
のものが選ばれ化学的適合性が確保されるも此は前述の
引用に係わる米国特許第４．７０４．６２６号に記載の
如く必ずしも必要で會工ない。次に、カバー部＄ｔ１４
がリードフレーム１６近くに位置ぎめされ、ベース部材
とを１反対のリードフレームの側に接着される。第２シ
ー２ント２６を硬化させるのに適したシーリングプロヒ
ールが必要とされる。第１シーラント２ｇ）！もう１度
熱サイクルを受ける。
先行技術によるパッケージはここで完了する。
若し第１及び第２のシーラン）２８．２６がはんだガラ
スであるとするとパッケージは密封性でエポキシの場合
に１エバツケージは多分密封性ではない。第１シーラン
ト２８の多重熱サイクリング罠よりパッケージの統合性
に対し有害な影響が出る点が判明している。本発明の一
実施例の場合、第１シーラントを先行技術の多重熱サイ
クルにかけないようなエレクトロニック装置のためのハ
ウジングの層迄を目的としている。
スであるとするとパッケージは密封性でエポキシの場合
に１エバツケージは多分密封性ではない。第１シーラン
ト２８の多重熱サイクリング罠よりパッケージの統合性
に対し有害な影響が出る点が判明している。本発明の一
実施例の場合、第１シーラントを先行技術の多重熱サイ
クルにかけないようなエレクトロニック装置のためのハ
ウジングの層迄を目的としている。
Ｗ２図及び第３図は本発明によるエレクトロニック装置
２２のためのハウジング１０の組立体を示す。
２２のためのハウジング１０の組立体を示す。
第２図には先行技術によるリードフレーム１６の概略図
が示されている。リードフレーム１６は電導体の材料工
９作られている。リードフレームは典型的には合金４２
（５８％Ｆｅと４２％Ｎｉ含有の鉄・ニッケル合金）、
コバー（ＫＯＶＡＲ） （５４’％Ｆθ、２９％Ｎｉ及
び１７％ＣＯ含有の鉄・ニッケル・コバルト合金）、銅
又は銅ベース合金より作られる。リードフレームは第２
材料でめっき又は被覆しシーラントへの接着を容易なら
しめ耐食性を改良し若しくは外観を改良することができ
る。
が示されている。リードフレーム１６は電導体の材料工
９作られている。リードフレームは典型的には合金４２
（５８％Ｆｅと４２％Ｎｉ含有の鉄・ニッケル合金）、
コバー（ＫＯＶＡＲ） （５４’％Ｆθ、２９％Ｎｉ及
び１７％ＣＯ含有の鉄・ニッケル・コバルト合金）、銅
又は銅ベース合金より作られる。リードフレームは第２
材料でめっき又は被覆しシーラントへの接着を容易なら
しめ耐食性を改良し若しくは外観を改良することができ
る。
典型的には金属パツケージのためのリードフレーム１エ
カウレ（Ｑａｕｌθ）その他の米国特許第３．３ 、！
１１，３６９号及び第３，４７５．２２７号に記載のＣ
６３８又はキャａン（Ｃａｒｏｎ ）その他の特許第４
．５９４，２２１号に記載の如きＣ７２４の如き銅ベー
ス合金である。合金Ｃ６６８、Ｃ７２４、Ｃ７Ｄ２５及
び同様の銅ベースの合金によりはんだガラスに対する合
金の接着を容易ならしめる耐火性の酸化物層が形成され
る。又、これとは別に微奮の添加剤を含んだほぼ純粋の
銅である所の希薄鋼合金も他の銅合金に比べて大きな篭
導度を出し又純粋な銅に比べ増〃口強Ｋが得られるので
同様にリードフレームとして使用される。リードフレー
ムに便用する典型的な希薄銅合金はＣ１９４（２，３５
％１Ｐ８，０．（１３）％Ｐ、 ０．１２４ Ｚｌ’
ｌ及び残がＣｕ）である。
カウレ（Ｑａｕｌθ）その他の米国特許第３．３ 、！
１１，３６９号及び第３，４７５．２２７号に記載のＣ
６３８又はキャａン（Ｃａｒｏｎ ）その他の特許第４
．５９４，２２１号に記載の如きＣ７２４の如き銅ベー
ス合金である。合金Ｃ６６８、Ｃ７２４、Ｃ７Ｄ２５及
び同様の銅ベースの合金によりはんだガラスに対する合
金の接着を容易ならしめる耐火性の酸化物層が形成され
る。又、これとは別に微奮の添加剤を含んだほぼ純粋の
銅である所の希薄鋼合金も他の銅合金に比べて大きな篭
導度を出し又純粋な銅に比べ増〃口強Ｋが得られるので
同様にリードフレームとして使用される。リードフレー
ムに便用する典型的な希薄銅合金はＣ１９４（２，３５
％１Ｐ８，０．（１３）％Ｐ、 ０．１２４ Ｚｌ’
ｌ及び残がＣｕ）である。
リードフレームは、エレクトロニック装［２２へ接着す
るための内部リード部分１８とエレクトロニック装置を
電気的に外部装置に例えばプリント回路盤への挿入など
により接続するための外部リード部分１９とより構成さ
れたリードフィンガ１７を有している。リードフレーム
にｆ１又タイバー３４が形成され組立作業中リードフィ
ンガ１１を支持てる。このタイバー３４をエリートフレ
ームがいったん定位置におかれると全体的に切断され各
リードを互いに電気的に絶縁させる。若干のリードフレ
ームには又ダイ装着パッド支持３８によりタイバーに接
続されたダイ取付はバンド３６が中心に位置して設けら
れている。ダイ取付はパッドを有するリードフレームは
通常プラスチックカプセル化のパッケージに用いられチ
ップ取付けの位置を提供しチップの裏側に対する電気的
接触を提供する。プラスチックカプセル化パッケージに
おけるダイ取付はバンドの使用＆エサカイその他の米国
特許第４．６９７，２（１３）号に記載されている。
るための内部リード部分１８とエレクトロニック装置を
電気的に外部装置に例えばプリント回路盤への挿入など
により接続するための外部リード部分１９とより構成さ
れたリードフィンガ１７を有している。リードフレーム
にｆ１又タイバー３４が形成され組立作業中リードフィ
ンガ１１を支持てる。このタイバー３４をエリートフレ
ームがいったん定位置におかれると全体的に切断され各
リードを互いに電気的に絶縁させる。若干のリードフレ
ームには又ダイ装着パッド支持３８によりタイバーに接
続されたダイ取付はバンド３６が中心に位置して設けら
れている。ダイ取付はパッドを有するリードフレームは
通常プラスチックカプセル化のパッケージに用いられチ
ップ取付けの位置を提供しチップの裏側に対する電気的
接触を提供する。プラスチックカプセル化パッケージに
おけるダイ取付はバンドの使用＆エサカイその他の米国
特許第４．６９７，２（１３）号に記載されている。
金属パッケージのダイ取付はバンドの使用については米
国特許ＩＧｉ、６５６．４９９号に記載されている。
国特許ＩＧｉ、６５６．４９９号に記載されている。
本発明によれば、シリコン製の半導体チップが典型的な
るもゲルマニウム又はガリウムと化物などその他の半導
体材料も使用できるエレクトロニック装置２２がダイ取
付げ材料３２にＪ：、９ダイ取付はパッド３６に取付け
られる。リードフレーム１６の組成ならびにリードフレ
ームの対応する熱膨張率いかんに、ｃ９ダイ装着は、金
ベースのＡｕ／８１又は９５％ｐｂ ／ ５％５ｎｒｚ
ど鉛ヘース又ａ鉛ベース６０％Ｐｂ／４０％８ｎ ５１
は９２．５％ｐｂ ／ ５％ｓｎ ／ ２．５優、ｆｋ
ｇ又は熱硬化性エポキシなどのポリマー接着剤などの如
き共融合金はんだで良い。ダイ取付材のリストハ例示と
してあげたものであり、丁べてを包含するもので＆工な
く、いかなる適宜ダイ取付は材も本発明の範囲内で便用
できるものである。若しエポキシダイ取付けが用いられ
る場合、裏面の電気的接触の要不要に従って導体又は絶
縁材のいづれでも良い。エポキシヲ了電導金属（例えば
銀粉）の装填により電気的に電導性にすることができる
。
るもゲルマニウム又はガリウムと化物などその他の半導
体材料も使用できるエレクトロニック装置２２がダイ取
付げ材料３２にＪ：、９ダイ取付はパッド３６に取付け
られる。リードフレーム１６の組成ならびにリードフレ
ームの対応する熱膨張率いかんに、ｃ９ダイ装着は、金
ベースのＡｕ／８１又は９５％ｐｂ ／ ５％５ｎｒｚ
ど鉛ヘース又ａ鉛ベース６０％Ｐｂ／４０％８ｎ ５１
は９２．５％ｐｂ ／ ５％ｓｎ ／ ２．５優、ｆｋ
ｇ又は熱硬化性エポキシなどのポリマー接着剤などの如
き共融合金はんだで良い。ダイ取付材のリストハ例示と
してあげたものであり、丁べてを包含するもので＆工な
く、いかなる適宜ダイ取付は材も本発明の範囲内で便用
できるものである。若しエポキシダイ取付けが用いられ
る場合、裏面の電気的接触の要不要に従って導体又は絶
縁材のいづれでも良い。エポキシヲ了電導金属（例えば
銀粉）の装填により電気的に電導性にすることができる
。
次に、エレクトロニック装置２２は接着ワイヤ２０を介
し内部リード部分１８に接続される。これらワイヤはし
げしば薄手の約０．２５１１（０，０（１０）インチ）
径の金又はアルミニウムのより材より作られる。この代
りに、バーンズ（Ｂｕｒｎθ）の米国特許！ 、！！、
３３０，９７０号に記載の如く薄手の鋼箔片ヲＴＡＢ接
着に用いる。ワイヤ２０がエレクトロニック装置２２の
電気的に活性の面に普通のワイヤ接着技術を用いて接着
される。ワイヤの反対端はリードフレーム１６内部部分
１８に接着され、それによりエレク）ｃｒニック装置２
２と外部リード部分１９との間における電気的接続を生
成する。
し内部リード部分１８に接続される。これらワイヤはし
げしば薄手の約０．２５１１（０，０（１０）インチ）
径の金又はアルミニウムのより材より作られる。この代
りに、バーンズ（Ｂｕｒｎθ）の米国特許！ 、！！、
３３０，９７０号に記載の如く薄手の鋼箔片ヲＴＡＢ接
着に用いる。ワイヤ２０がエレクトロニック装置２２の
電気的に活性の面に普通のワイヤ接着技術を用いて接着
される。ワイヤの反対端はリードフレーム１６内部部分
１８に接着され、それによりエレク）ｃｒニック装置２
２と外部リード部分１９との間における電気的接続を生
成する。
取付はダイとワイヤ接着エレクトロニック装置２２を含
有するリードフレーム１６が今や本発明により更に組立
てられるべく用意が整っている。
有するリードフレーム１６が今や本発明により更に組立
てられるべく用意が整っている。
本発明による組立済みのパッケージを示すｗｃ６図が参
照される。
照される。
第１のゾロセス実施例において、第１シーラント２８及
び第３シーラント４０を含有するベース部材１２が設け
られる。第１シーラント２Ｂは非伝導性はんだガラス、
セラミック、熱硬化性ポリマー及び熱可塑性ポリマーの
群より選ばれる。チップの裏面をパッケージベースに電
気的に接続させるか若しくは電気的に絶縁させねばなら
ぬかどうかにより、第６シーラント４０を１誘ｗＬ性か
電気的導体のいづれかに選ばれる。第３シーラン）を丁
通常伝導性の金属粒の充填により電気的に導体にされる
。カーボン充填が利用できる。ＷＪ３シーラント４０も
父高い熱伝導性を特徴としている。本発明のための好適
な第３シーラント４０（工銀充填エポキシ又ｋｓ ｐｂ
／ ｓｎなどの柔軟はんだである。
び第３シーラント４０を含有するベース部材１２が設け
られる。第１シーラント２Ｂは非伝導性はんだガラス、
セラミック、熱硬化性ポリマー及び熱可塑性ポリマーの
群より選ばれる。チップの裏面をパッケージベースに電
気的に接続させるか若しくは電気的に絶縁させねばなら
ぬかどうかにより、第６シーラント４０を１誘ｗＬ性か
電気的導体のいづれかに選ばれる。第３シーラン）を丁
通常伝導性の金属粒の充填により電気的に導体にされる
。カーボン充填が利用できる。ＷＪ３シーラント４０も
父高い熱伝導性を特徴としている。本発明のための好適
な第３シーラント４０（工銀充填エポキシ又ｋｓ ｐｂ
／ ｓｎなどの柔軟はんだである。
リードフレーム１６を丁ベースｌ１ｌ（Ｓ材のシーラン
ト含有面近くに位置ぎめされる。しばしげ第１シーラン
ト２８の厚みを１第６シーラント４０の厚みより大きく
、その差にダイ装着パッド支持３８′のダウンセツチン
グにより補正される。ダウンセツチングにより又内部リ
ード部分とダイ取付はパッド支持との間における電気的
絶縁の維持が容易になる。
ト含有面近くに位置ぎめされる。しばしげ第１シーラン
ト２８の厚みを１第６シーラント４０の厚みより大きく
、その差にダイ装着パッド支持３８′のダウンセツチン
グにより補正される。ダウンセツチングにより又内部リ
ード部分とダイ取付はパッド支持との間における電気的
絶縁の維持が容易になる。
これとは別に、第１及び第３のシーテントの硬化後ダイ
取付はパッド支持３Ｂを切断しても良い。
取付はパッド支持３Ｂを切断しても良い。
リードフレームが篤１及び第３のシーラントのための適
宜硬化サイクルによりベース部材に接着される。木実施
例が下記の実施例に対し優れた点は、熱硬化時パッケー
ジが開放されており従って硬化の副産物例えばエポキシ
かもの塩化物イオンが大気中に逃げ出てことができる点
にある。
宜硬化サイクルによりベース部材に接着される。木実施
例が下記の実施例に対し優れた点は、熱硬化時パッケー
ジが開放されており従って硬化の副産物例えばエポキシ
かもの塩化物イオンが大気中に逃げ出てことができる点
にある。
第１シーラント２８と同じ群から選ばれしかもしげしげ
第１シーラントととは必ずしも同じものではない非伝導
性の＠２シー２ント２６を含有するカバー部Ｉｔ１４が
リードフレームの接着されてない側の近くに位置ぎめさ
れる。カバー部材は適宜熱サイクルによりリードフレー
ムにシールされ、それによりエレクトロニック装置のた
めのハウジングを形成する。
第１シーラントととは必ずしも同じものではない非伝導
性の＠２シー２ント２６を含有するカバー部Ｉｔ１４が
リードフレームの接着されてない側の近くに位置ぎめさ
れる。カバー部材は適宜熱サイクルによりリードフレー
ムにシールされ、それによりエレクトロニック装置のた
めのハウジングを形成する。
先行技術に優る本発明の改良点は第１シー２ントがたっ
た一回きりの余分の熱サイクルン受けそのため熱による
劣化を減少させる点にある。
た一回きりの余分の熱サイクルン受けそのため熱による
劣化を減少させる点にある。
本発明の８ｇ２実施例の場合、第１及び第２のシーラン
トが同時にシールされる。既にダイ装着されかつワイヤ
接着されたエレクトロニック装置２２と共にリードフレ
ーム１６がベース部材１２とカバー部材１４との間にお
かれる。第１シーラント２８がリードフレームの第１ｆ
ｌｌｌとベース部材との間におかれる。ｇ３シーラント
４０がダイ取付はバンドとベース部材との間におかれる
。第２シーラント２６がカバー部材とリードフレームの
＠２側面との間におかれる。適宜の熱サイクルが選ばれ
６つ全部のシーラントを同時に硬化させる。
トが同時にシールされる。既にダイ装着されかつワイヤ
接着されたエレクトロニック装置２２と共にリードフレ
ーム１６がベース部材１２とカバー部材１４との間にお
かれる。第１シーラント２８がリードフレームの第１ｆ
ｌｌｌとベース部材との間におかれる。ｇ３シーラント
４０がダイ取付はバンドとベース部材との間におかれる
。第２シーラント２６がカバー部材とリードフレームの
＠２側面との間におかれる。適宜の熱サイクルが選ばれ
６つ全部のシーラントを同時に硬化させる。
先行技術より勝れた本発明第２実施例の利点とする所は
、第１シーラント２Ｂがただ硬化サイクルのみを受は過
度の熱サイクルを受けない点にある。本発明により構成
せるエレクトロニックパッケージの構造は「密封シール
を施した半導体ケーシング」なる標題を付けたバットの
米国特許第４．６５６．４９９号に記載のｆ工んだガラ
スでシールされた金属パッケージに類似している。然し
ながら、バットの組立方法は完全に別のものであり、シ
ーラントの熱劣化を低減するのに要する改良を包含する
ものではない。
、第１シーラント２Ｂがただ硬化サイクルのみを受は過
度の熱サイクルを受けない点にある。本発明により構成
せるエレクトロニックパッケージの構造は「密封シール
を施した半導体ケーシング」なる標題を付けたバットの
米国特許第４．６５６．４９９号に記載のｆ工んだガラ
スでシールされた金属パッケージに類似している。然し
ながら、バットの組立方法は完全に別のものであり、シ
ーラントの熱劣化を低減するのに要する改良を包含する
ものではない。
本発明のもう１つの実施例が第４図に示されている。エ
レクトロニック装置１０のためのハウジングが上述実施
例のいづれかを用いて組立てられる。開口４２がベース
部Ｉｔ１２’に設けられている。
レクトロニック装置１０のためのハウジングが上述実施
例のいづれかを用いて組立てられる。開口４２がベース
部Ｉｔ１２’に設けられている。
この開口によりシーリングサイクル中発生丁反応副産物
の脱出が可能になる。第１シーラント２８と、第２シー
ラント２６とｌ！３シーラント４０の全部が同時に硬化
を施され、ハウジングの囲い３０内における残りものの
累積が前の実施例の場合よりも少ない。第３シーラント
４０は開口４２を包囲するリング状のシールである。シ
ール４（１０）エダイ取付はバンドをベース１２′に接
着させる。
の脱出が可能になる。第１シーラント２８と、第２シー
ラント２６とｌ！３シーラント４０の全部が同時に硬化
を施され、ハウジングの囲い３０内における残りものの
累積が前の実施例の場合よりも少ない。第３シーラント
４０は開口４２を包囲するリング状のシールである。シ
ール４（１０）エダイ取付はバンドをベース１２′に接
着させる。
ベース部６ｔ１２’内の開口４２により達成される第２
の改良はチップの外部影響に対する接近性である。エレ
ク）エレクトロニック装置２２の作動につれ電気が装置
を通る。この電気の内の一部が半導体回路の内部抵抗の
ため熱に変わる。この熱にＬつ半導体チップの作動寿命
が短縮され、この熱を取り去ることが望ましい。この発
生熱を除く一般の方法ｔエチツデ下方におかれた金属脱
熱器及び強制空気又は強制式流体冷却により行われる。
の改良はチップの外部影響に対する接近性である。エレ
ク）エレクトロニック装置２２の作動につれ電気が装置
を通る。この電気の内の一部が半導体回路の内部抵抗の
ため熱に変わる。この熱にＬつ半導体チップの作動寿命
が短縮され、この熱を取り去ることが望ましい。この発
生熱を除く一般の方法ｔエチツデ下方におかれた金属脱
熱器及び強制空気又は強制式流体冷却により行われる。
これら脱熱器１）のあらまし９工、１９８５年４月版σ
）「エレクトロニツクパツケーゾング及び生産」に載っ
たアーネル・アール・ウィンクラ（Ｅａｒｎθｌ Ｒ。
）「エレクトロニツクパツケーゾング及び生産」に載っ
たアーネル・アール・ウィンクラ（Ｅａｒｎθｌ Ｒ。
ＷｉｎｋｌＪｒ）による「今後のパッケージの熱伝導が
ＰＣＢデザインに与える影響」という標題の論文中に記
載さｎている。
ＰＣＢデザインに与える影響」という標題の論文中に記
載さｎている。
開口４２に工９強制送気式又ｆ工強制流体冷却装置なエ
レク）ｃ＋ニック装置２２のきわめて近くに配をするこ
とができる。熱容駿の大きな冷却剤例えばヘリウムガス
などの使用により冷却の改善が行わする。半導体装置上
におけるエレクトエレクトロニック回路の密度の増７１
０ Ｋよりチップの作動中より大量の熱が発生するので
上記の改善された冷却ｆ工いよいよ重曹な事柄となる。
レク）ｃ＋ニック装置２２のきわめて近くに配をするこ
とができる。熱容駿の大きな冷却剤例えばヘリウムガス
などの使用により冷却の改善が行わする。半導体装置上
におけるエレクトエレクトロニック回路の密度の増７１
０ Ｋよりチップの作動中より大量の熱が発生するので
上記の改善された冷却ｆ工いよいよ重曹な事柄となる。
流体でｆ工ｌ〈熱容歓の大きい固形材例えば銅又％工銀
を開口４２内に挿入し、エレクトロニック装置から熱を
移すための導管（ヒートシンク）として使用する。
を開口４２内に挿入し、エレクトロニック装置から熱を
移すための導管（ヒートシンク）として使用する。
本発明の更に別の実施例はカバー部材１４′内の８ｇ２
開口４４の設置を目的としている。開口４４１了硬化サ
イクル中発生する反応副産物のためのベント開口である
。硬化サイクル完了後、ヘリウムなどの不活性熱伝導性
ガス又は熱伝導性にして電気的に不導体の液体や粉末を
任意にパッケージ空胴部内に注入しエレクトロニック装
置２２に対する追加の熱放散装置を形放させる。次にこ
の開口はカバー部材の外面にはんだ４８を滴下させるな
どして当てもの？当ててこれをシールする。これトヲ工
別に、開口４４（ニブラスチックなどの任意好適の方法
によりシールすることもできる。開口４２及び４４はそ
れぞれ単独に若しくｆ１組合わせて使用ができる。
開口４４の設置を目的としている。開口４４１了硬化サ
イクル中発生する反応副産物のためのベント開口である
。硬化サイクル完了後、ヘリウムなどの不活性熱伝導性
ガス又は熱伝導性にして電気的に不導体の液体や粉末を
任意にパッケージ空胴部内に注入しエレクトロニック装
置２２に対する追加の熱放散装置を形放させる。次にこ
の開口はカバー部材の外面にはんだ４８を滴下させるな
どして当てもの？当ててこれをシールする。これトヲ工
別に、開口４４（ニブラスチックなどの任意好適の方法
によりシールすることもできる。開口４２及び４４はそ
れぞれ単独に若しくｆ１組合わせて使用ができる。
以上、金属パッケージについて本発明を説明したが、こ
σ）技術は０ＥＦＤ工Ｐやプラスチックパッケージなど
のセラミックパッケージにも適している。
σ）技術は０ＥＦＤ工Ｐやプラスチックパッケージなど
のセラミックパッケージにも適している。
本発明により、別途記載の目的・装置及び利点を全部溝
た丁エレクトロニックパッケージの組立て装置及びこれ
ら組立装置による表品が提供される。本発明をその特定
実施例に組合わせて説明せるも本文説明により多くの代
案、修正、変更が当業者にｔ’ｚ想到可能である点自明
の事柄である。従って、かかる代案や修正及び変更の丁
べてを付属の特許請求の範囲の主旨に含まれるものであ
る。
た丁エレクトロニックパッケージの組立て装置及びこれ
ら組立装置による表品が提供される。本発明をその特定
実施例に組合わせて説明せるも本文説明により多くの代
案、修正、変更が当業者にｔ’ｚ想到可能である点自明
の事柄である。従って、かかる代案や修正及び変更の丁
べてを付属の特許請求の範囲の主旨に含まれるものであ
る。
第１図は先行技術による金属パッケージな示す横断面図
、 第２図を１木発明によるエレクトロニック装置を取付け
たリードフレームの概略図、 第３図は本発明の一実施例による金属パッケージの横断
面図、 第４図は水発明の第２実施例による金属パッケージの横
断面図である。 １０・・・・・・ハウジング、 １２・・・・・・ベー
ス部材、１４・・・・・・カバー部Ｋ、 １６・・・
・・・リードフレーム、１Ｔ・・・・・・リードフィン
ガ、 ２２・・・・・・エレクトロニック装置、 ２
０・・・・・・接着ワイヤ、 １８・・・・・・内部リ
ード部分、 １９・・・・・・外部リード部分、３４・
・・・・・タイバー ３６．３８・・・・・・ダイ取
付はパッド、 ２８・・・・・・第１シーラント、
４０・・・・・・ｗｃ３シーラント、 ２６・・・
・・・ＷＪ２シーラント、４２・・・・・・開口。
、 第２図を１木発明によるエレクトロニック装置を取付け
たリードフレームの概略図、 第３図は本発明の一実施例による金属パッケージの横断
面図、 第４図は水発明の第２実施例による金属パッケージの横
断面図である。 １０・・・・・・ハウジング、 １２・・・・・・ベー
ス部材、１４・・・・・・カバー部Ｋ、 １６・・・
・・・リードフレーム、１Ｔ・・・・・・リードフィン
ガ、 ２２・・・・・・エレクトロニック装置、 ２
０・・・・・・接着ワイヤ、 １８・・・・・・内部リ
ード部分、 １９・・・・・・外部リード部分、３４・
・・・・・タイバー ３６．３８・・・・・・ダイ取
付はパッド、 ２８・・・・・・第１シーラント、
４０・・・・・・ｗｃ３シーラント、 ２６・・・
・・・ＷＪ２シーラント、４２・・・・・・開口。
Claims (37)
- （１）エレクトロニック装置（２２）を収納するための
囲い込み域（３０）を含有するパッケージ（１０）を組
立てる方法にして、 第１及び第２の表面を有しかつ中心に位置ぎめされたダ
イ取付けパッド（３６）の周りに配置された複数個のリ
ードフィンガ（１８）よりなる電気的に伝導性のリード
フレーム（１６）にして、前記エレクトロニック装置（
２２）が前記ダイ取付けパッド（３６）に接着されかつ
前記リード（１８）に電気的に接続される前記リードフ
レーム（１６）を提供し、 第１（２８）と第２（２６）と第３（４０）の接着装置
を提供し、 ベース部材（１２）を提供し、 カバー部材（１４）を提供し、 前記第１接着装置（２８）により前記ベース部材（１２
）を 前記リードフレーム（１６）の前記第１の表面に接着せ
しめ同時に前記ベース部材（１２）を前記第３接着装置
（４０）により前記ダイ取付けパッド（３６）に接着せ
しめ、 前記カバー部材（１４）を前記第２接着装置（２６）に
より前記リードフレーム（１６）の前記第２の表面に接
着せしめる諸段階を有することを特徴とするパッケージ
（１０）の組立方法。 - （２）前記カバー部材（１４）を前記リードフレーム（
１６）に接着する段階以前に前記ダイ取付けパッド（３
６）が前記リードフレーム（１６）から切断されること
を特徴とする特許請求の範囲第１項による組立方法。 - （３）前記第３接着装置（４０）が熱的に伝導性である
特許請求の範囲第２項による組立方法。 - （４）前記第３接着装置（４０）が銀充填エポキシであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第３項による組立方
法。 - （５）前記第１及び第２のシーリング装置がシーリング
ガラス又はポリマー接着剤のいづれかである特許請求の
範囲第１項による組立方法。 - （６）前記第１及び第２のシーリング装置が本質的に同
一である特許請求の範囲第５項による組立方法。 - （７）前記第１及び第２のシーリング装置が熱硬化性の
エポキシである特許請求の範囲第６項による組立方法。 - （８）前記ベース部材が前記リードフレームの前記第１
の表面及び前記ダイ取付けパッドに接着されるのとほぼ
同時に前記カバー部材が前記第２接着装置により前記リ
ードフレームの前記第２の表面に接着される特許請求の
範囲第７項による組立方法。 - （９）前記ダイ取付けパッドを接着する以前に前記ベー
ス部材内に第１開口を形成する段階を更に有し、該第１
開口が前記ダイ取付けパッドより小さいサイズを有し該
ダイ取付けパッドが前記第１開口をシールする特許請求
の範囲第８項による組立方法。 - （１０）前記第３シーリング装置がリング形状を具え、
前記第１開口の縁部の周りに位置ぎめされかつ前記ベー
ス部材と前記ダイ取付けパッドとの間におかれる特許請
求の範囲第９項による組立方法。 - （１１）前記カバー部材内に第２開口を設け、前記カバ
ー部材を前記リードフレームの前記第２の表面にシール
するのに続いて前記第２開口をシールする特許請求の範
囲第１項による組立方法。 - （１２）前記第２開口をシールする以前に該第２開口を
通じて熱的に伝導性の媒体を前記囲み込み域に導入する
特許請求の範囲第１１項による組立方法。 - （１３）前記熱的に伝導性の媒体が電気的に非伝導性の
ガス、液体又は粉末であるように選ぶ特許請求の範囲第
１２項による組立方法。 - （１４）前記第２開口をエポキシ又ははんだのプラッグ
でシールする特許請求の範囲第１１項による組立方法。 - （１５）前記第２開口をはんだプラツグでシールし、該
はんだは鉛と錫との合金よりなる特許請求の範囲第１４
項による組立方法。 - （１６）エレクトロニック装置を収納するための囲み込
み域を含有するパッケージにして、 第１開口を含有するベース部材と、 カバー部材と、 前記ベース部材と前記カバー部材との間におかれた第１
及び第２の対向側面を有するリードフレームとを有し、
該リードフレームは中心に位置ぎめされたダイ取付けパ
ッドの周りにおかれた複数本のリードを含有し、前記ダ
イ取付けパッドは前記第１開口をシールするように位置
ぎめされかつ前記エレクトロニツク装置を支持するよう
になつており、前記エレクトロニック装置は前記リード
に電気的に接続され、 更に、前記ベース部材を前記リードフレームの前記第１
側面にシールするための第１接着装置と、前記リードフ
レームの前記第２側面に前記カバー部材をシールするた
めの第２接着装置と、前記ベース部材にダイ取付けパッ
ドをシールするための第３接着装置とを有するパッケー
ジ。 - （１７）前記第３接着装置が前記第１開口の縁部を囲み
、前記ベース部材と前記ダイ取付けパッドとの間におか
れる特許請求の範囲第１６項によるパッケージ。 - （１８）前記第３接着装置が熱的に伝導性を有しをはん
だガラス、熱硬化性ポリマー接着剤及び熱可塑性ポリマ
ー接着剤よりなる群から選ばれる特許請求の範囲第１７
項によるパッケージ。 - （１９）前記第３接着装置が銀充填エポキシである特許
請求の範囲第１８項によるパッケージ。 - （２０）前記第１及び第２の接着装置が電気的に非伝導
性であり、はんだガラス、熱硬化性ポリマー接着剤及び
熱可塑性ポリマー接着剤よりなる群から選ばれる特許請
求の範囲第１９項によるパッケージ。 - （２１）前記第１及び第２の接着装置が本質的に同一で
ある特許請求の範囲第２０項による組立方法。 - （２２）前記第１及び第２の接着装置が熱硬化性エポキ
シである特許請求の範囲第２１項による組立方法。 - （２３）エレクトロニック装置を収納するための囲み込
み域を含有するパッケージにして、 ベース部材と、 プラッグでシールされた第２開口を含有するカバー部材
と、 前記ベース部材と前記カバー部材との間におかれた第１
及び第２の対向側面を有するリードフレームを有し、該
リードフレームは中心に位置ぎめされたダイ取付けパッ
ドの周りにおかれかつ前記エレクトロニック装置を支持
するようになつた複数本のリードを含有し、前記エレク
トロニック装置は前記リードに電気的に接続され、更に
、前記ベース部材を前記リードフレームの前記第１側面
にシールするための第１接着装置と、前記カバー部材を
前記リードフレームの前記第２側面にシールするための
第２接着装置と、前記ダイ取付けパッドを前記ベース部
材にシールするための第３接着装置とを有するパツケー
ジ。 - （２４）前記第３接着装置が熱的に伝導性を有し、はん
だガラス、熱硬化性ポリマー接着剤及び熱硬化性ポリマ
ー接着剤よりなる群から選ばれる特許請求の範囲第２３
項によるパッケージ。 - （２５）前記第１及び第２の接着装置が電気的に非伝導
性であり、はんだガラス、熱硬化性ポリマー接着剤及び
熱硬化性ポリマー接着剤よりなる群から選ばれる特許請
求の範囲第２４項によるパッケージ。 - （２６）前記第１（２８）及び第２（２６）の接着装置
が本質上同一であることを特徴とする特許請求の範囲第
２５項によるパッケージ（１０）。 - （２７）前記囲い込み域（３０）が熱的に伝導性の媒体
で充填されていることを特徴とする特許請求の範囲第２
６項によるパッケージ（１０）。 - （２８）前記熱的に伝導性の媒体が電気的に非伝導性で
あり、ガス、液体及び粉末よりなる群から選ばれること
を特徴とする特許請求の範囲第２７項によるパッケージ
（１０）。 - （２９）前記熱的に伝導性の媒体がヘリウムである特許
請求の範囲第２８項によるパッケージ（１０）。 - （３０）エレクトロニック装置（２２）を収納するため
の囲い込み域（３０）を含有するパッケージ（１０）に
して、 第１開口（４２）を含有するベース部材（１２′）と、 プラッグ（４８）でシールされた第２開口（４４）を含
有するカバー部材（１４′）と、 前記ベース部材（１２′）と前記カバー部材（１４′）
との間におかれた第１及び第２の対向側面を有するリー
ドフレーム（１６）を有し、該リードフレーム（１６）
は中心に位置ぎめされたダイ取付けパッド（３６）の周
りにおかれた複数本のリード（１７）を含有し、前記ダ
イ取付けパッド（３６）は前記第１開口（４２）をシー
ルするよう位置ぎめされかつ前記エレクトロニック装置
（２２）を支持するようになつており、前記エレクトロ
ニック装置（２２）は前記リード（１７）に電気的に接
続され、更に、 前記ベース部材（１２′）を前記リードフレーム（１６
）の前記第１側面にシールするための第１接着装置（２
８）と、 前記カバー部材（１４′）を前記リードフレーム（１６
）の前記第２側面にシールするための第２接着装置（２
６）と、 前記第１開口（４２）の縁部の周りに位置ぎめされ前記
ベース部材（１２′）と前記ダイ取付け部材（３６）と
の間におかれた第３接着装置（４０）とを有するパッケ
ージ（１０）。 - （３１）前記第３接着装置（４０）が熱的に伝導性を有
し、はんだガラス、熱硬化ポリマー接着剤及び熱可塑性
ポリマー接着剤よりなる群から選ばれることを特徴とす
る特許請求の範囲第３０項によるパッケージ（１０）。 - （３２）前記第１（２８）及び第２（２６）の接着装置
は電気的に非伝導性であり、はんだガラス、熱硬化性ポ
リマー接着剤よりなる群から選ばれることを特徴とする
特許請求の範囲第３１項によるパッケージ（１０）。 - （３３）前記第１（２８）及び第２（２６）の接着装着
が本質的に同一であることを特徴とする特許請求の範囲
第６２項によるパッケージ（１０）。 - （３４）前記第２開口（４４）をシールする前記プラッ
グ（４８）がはんだ又はポリマー接着剤である特許請求
の範囲第３０項によるパッケージ（１０）。 - （３５）前記プラッグ（４８）が鉛と錫とよりなるはん
だであることを特徴とする特許請求の範囲第３４項によ
るパッケージ（１０）。 - （３６）前記囲み込み域（３０）が熱的に伝導性にして
電気的に絶縁性の媒体で充填されることを特徴とする特
許請求の範囲第３０項によるパッケージ（１０）。 - （３７）前記囲み込み域にヘリウムが充填されることを
特徴とする特許請求の範囲第３６項によるパッケージ（
１０）。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018797A JP3070929B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | パッケージの組立方法とパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2018797A JP3070929B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | パッケージの組立方法とパッケージ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03234044A true JPH03234044A (ja) | 1991-10-18 |
| JP3070929B2 JP3070929B2 (ja) | 2000-07-31 |
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ID=11981584
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| JP2018797A Expired - Fee Related JP3070929B2 (ja) | 1990-01-29 | 1990-01-29 | パッケージの組立方法とパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3070929B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7387120B2 (en) | 1998-11-02 | 2008-06-17 | Black & Decker Inc. | Tile saw |
| US7823575B2 (en) | 1998-11-02 | 2010-11-02 | Black & Decker Inc. | Tile saw |
-
1990
- 1990-01-29 JP JP2018797A patent/JP3070929B2/ja not_active Expired - Fee Related
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