JP2002076183A

JP2002076183A - 半導体素子収納用パッケージ

Info

Publication number: JP2002076183A
Application number: JP2000261745A
Authority: JP
Inventors: Masahiko Azuma; 昌彦東; Yoshiteru Tokumitsu; 良照徳満; Yoshihiro Nakao; 吉宏中尾; Masaya Kokubu; 正也國分
Original assignee: Kyocera Corp
Current assignee: Kyocera Corp
Priority date: 2000-08-30
Filing date: 2000-08-30
Publication date: 2002-03-15

Abstract

(57)【要約】【課題】半導体素子の作動／停止による熱サイクルの印
加に対しても、絶縁基板へのクラックの発生を防止する
とともに、半導体素子の放熱板との接続性およびパッケ
ージの外部回路基板との接続性において、長期にわたり
安定した状態を維持する。【解決手段】中央部に開口部Ｃを有するセラミックスか
らなる絶縁基板１と、絶縁基板１の表面あるいは内部に
形成されたメタライズ配線層２と、絶縁基板２の開口部
Ｃを塞ぐように絶縁基板１に熱硬化性樹脂を含有する接
着剤６によって接合されたＣｕを含有する金属製放熱板
５を具備し、放熱板５の絶縁基板１と取着面側に半導体
素子７が取着されており、放熱板５の接合部における厚
みを中央部よりも薄くする、接合部に複数の孔１２を開
ける、接合部付近に溝１３を形成するなどによって、放
熱板５の絶縁基板１との接合部における剛性を放熱板５
の中央部よりも低くする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミック絶縁基
板に対してメタライズ配線層を具備し、半導体素子が接
着固定される放熱板を接合してなる半導体素子収納用パ
ッケージの改良に関するものである。

【０００２】

【従来技術】従来より、半導体素子などを搭載する配線
基板は、セラミックスや有機樹脂からなる絶縁基板の表
面や内部にメタライズなどの配線層が形成された構造か
らなる。また、この配線基板の代表的な例として、半導
体素子、特にＬＳＩ（大規模集積回路素子）などの半導
体集積回路素子を載置するための半導体素子収納用パッ
ケージは、従来より、アルミナセラミックスからなる絶
縁基板の表面および内部に、タングステン、モリブデン
などの高融点金属粉末からなる複数個のメタライズ配線
層が形成される。

【０００３】また、前記半導体素子は、その作動中に発
熱するために、例えば、前記絶縁基板の中央部に開口部
を形成し、その開口部を塞ぐように放熱板を熱硬化性樹
脂によって接合するとともに、その放熱板に半導体素子
を接着固定することによって、半導体素子から発生した
熱を放熱板によって放散する構造のパッケージが用いら
れている。なお、半導体素子と配線基板とはワイヤーを
介して電気的に接続され、この放熱板に接着固定された
半導体素子は、その周りを熱硬化性封止樹脂で覆われ保
護されるか、または蓋体によって気密に封止される（特
開平１０−１５０１３１号参照）。

【０００４】また、上記半導体素子が装着されたパッケ
ージ（配線基板）は、その底面に半導体素子とメタライ
ズ配線層を介して電気的に接続されたを接続端子が設け
られており、マザーボードなどの外部回路基板表面に形
成された配線導体とロウ材などの導電性接着剤によって
電気的に接続して実装される。一般に、この外部回路基
板は、プリント基板などの樹脂成分を含有する有機質材
料、あるいは有機質材料と無機質材料との複合材で構成
される。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】これまで、半導体素
子を搭載する配線基板の大きさは、せいぜい３０ｍｍ角
程度であったが、最近では、複数の半導体素子を機能的
にまとめた半導体素子（システムＬＳＩ）が開発され、
これに伴い、この半導体素子自体のサイズも１辺が１０
ｍｍ以上と大きくなるとともに、発熱量も多く、放熱板
および配線基板自体の大きさも大きくなる傾向にある。

【０００６】この場合、半導体素子の作動時に発する大
きな熱によって、前記放熱板と前記セラミック絶縁基
板、放熱板と半導体素子、さらにはパッケージと外部回
路基板との接合部に繰り返し印加されると双方の熱膨張
係数の差より発生する応力により、放熱板と絶縁基板と
を接合している熱硬化性樹脂からなる接着層やセラミッ
ク絶縁基板にクラックが発生したり、半導体素子が放熱
板から剥離したり、パッケージの外部回路基板との接続
部の抵抗が変化するなど、半導体素子収納用パッケー
ジ、ならびにパッケージと外部回路基板との接続におけ
る長期信頼性が損なわれるという問題があった。

【０００７】従って、本発明は、半導体素子の作動／停
止による熱サイクルの印加に対しても、絶縁基板へのク
ラックの発生を防止するとともに、半導体素子の放熱板
との接続性およびパッケージの外部回路基板との接続性
において、長期にわたり安定した状態を維持できる半導
体素子収納用パッケージを提供することを目的とするも
のである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記問題
点に対して検討を重ねた結果、放熱板のセラミック絶縁
基板との接合部付近に種々の加工を施し、接合部を撓み
やすして剛性を放熱板の中央部よりも低くすることによ
って、放熱板とセラミック絶縁基板間に発生する応力を
低減し、セラミック絶縁基板や接着層へのクラックの発
生を防ぐことができること見いだした。

【０００９】すなわち、本発明の半導体素子収納用パッ
ケージは、中央部に開口部を有するセラミックスからな
る絶縁基板と、該絶縁基板の表面あるいは内部に形成さ
れたメタライズ配線層と、前記絶縁基板の開口部を塞ぐ
ように前記絶縁基板に熱硬化性樹脂を含有する接着剤に
よって接合された外形形状が四角形状の放熱板を具備
し、前記放熱板の絶縁基板と取着面側に半導体素子が取
着されており、前記放熱板の絶縁基板との接合部におけ
る剛性が放熱板の中央部よりも低いことを特徴とするも
のである。

【００１０】また、放熱板の接合部の剛性を低くするた
めには、接合部における厚みを中央部の領域よりも薄く
したり、前記放熱板の絶縁基板との接合部に複数の孔を
開けたり、さらには前記放熱板の絶縁基板との接合部付
近に溝を形成し、その溝によって放熱板を撓みやすくす
ることができる。

【００１１】また、放熱板を絶縁基板に接合している熱
硬化性樹脂の−４０℃〜５０℃におけるヤング率が０．
０１ＧＰａ〜２０ＧＰａである熱硬化性樹脂を用いるこ
とによって、この熱硬化性樹脂によって熱膨張差に起因
する応力を低減するとともに、半導体素子と放熱板との
接続信頼性を高めることができる。

【００１２】さらに、本発明によれば、前記放熱板が、
少なくともＣｕを含有する金属からなることが放熱性の
点で望ましく、また、前記絶縁基板が、ガラス、または
ガラスとセラミックフィラーとの混合物を成形、焼成し
て作製されたガラスセラミックスなどの比較低強度の低
温焼成セラミックスからなり、前記メタライズ配線層が
ＣｕまたはＡｇを主体とする金属からなる場合、さらに
は半導体素子の最大内径が１０ｍｍ以上の大型半導体素
子を実装する場合において特に有効である。

【００１３】通常の放熱板は放熱性が優れていること、
安価であることより一般にＣｕ等を含有する金属材料に
用いられている。このＣｕの熱膨張係数は１７ｐｐｍ／
℃と高く、一方、セラミック絶縁基板の熱膨張係数は、
４〜１３ｐｐｍ／℃である。この放熱板を熱硬化性樹脂
からなる接着剤を用いてセラミック絶縁基板に接合する
と、放熱板表面に接着固定された半導体素子から発生す
る熱と、放熱板とセラミック絶縁基板との熱膨張差によ
って、使用時もしくは熱サイクル試験時に高い応力が発
生する。これにより配線基板にクラックが発生し、配線
基板内の配線を切断したり、基板の反りなどが発生して
外部回路基板との接続部で断線などが発生するなどの不
具合を生じさせてしまう。

【００１４】これに対して、前記放熱板の前記配線基板
との接合部及びその付近に加工を加え、接合部の放熱板
を剛性を低くし、撓みやすくすることで、発生する応力
が低減され、クラックの発生、接続端子の破壊が無く、
確実に強固な電気的接続が保持され、長期使用に対して
も高い信頼性が担保される。

【００１５】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の一例の半導体素
子収納用パッケージＡを外部回路基板に実装した時の概
略断面図である。（パッケージ概要）本発明におけるパッケージＡによれ
ば、中央部に開口部Ｃを有するセラミック絶縁基板（以
下、絶縁基板１と略す。）１の表面および内部にメタラ
イズ配線層（以下、配線層と略す。）２が被着形成さ
れ、また、パッケージＡの裏面には複数の接続パッド３
が配設され、さらには接続パッド３表面には、それぞれ
半田からなる接続端子４が取着されている。

【００１６】また、絶縁基板１の表面側には、開口部Ｃ
を塞ぐように、外形形状が四角形状の放熱板５が、熱硬
化性樹脂を含む接着剤６によって絶縁基板１の開口部Ｃ
の周囲にて接合されている。

【００１７】さらに、この放熱板５の裏面、即ち、絶縁
基板１と接合される面側の中央部には、Ｓｉからなる半
導体素子７がエポキシ樹脂などからなるダイ付剤８によ
って接着固定されている。さらに、半導体素子７と絶縁
基板１とは金属からなるワイヤー９にて配線層２と電気
的に接続されている。半導体素子７は、これらは封止樹
脂１０により、完全に被覆されている。

【００１８】なお、上記パッケージＡの接続端子４を半
田などの導電性接着剤によって外部電気回路基板Ｂの表
面に形成されている配線層１１に接着固定することによ
って、パッケージＡは、外部回路基板Ｂの表面に実装さ
れる。

【００１９】（放熱板）上記のパッケージにおける放熱
板５は、Ｃｕ、ＣｕＷ、ＡｌＳｉＣ、ＣｕＳｉＣ、Ａｌ
Ｃの群から選ばれる少なくとも１種の放熱性の高い金属
材料によって形成され、特に、ＣｕまたはＣｕ−Ｗなど
のＣｕを含有する金属によって形成することが望まし
い。また、この放熱板の厚みは、その放熱特性に応じて
適宜決定されるが、パッケージの軽量化および放熱性と
の兼ね合いから、通常、０．３〜１．５ｍｍであること
が好適である。また、このパッケージＡに放熱板５を接
着させるには、絶縁基板１の表面にフィルム状もしくは
液状の熱硬化性樹脂の接着剤６を塗布した後、放熱板５
を載置して、５０〜５００ｇの荷重をかけながら約１０
０乃至２００℃の温度に加熱することにより前記接着剤
６が完全に硬化して固定される。

【００２０】本発明によれば、放熱板５のセラミック絶
縁基板１との接合部付近における剛性を放熱板５の中央
部よりも低くすることが重要である。放熱板５のセラミ
ック絶縁基板１との接合部付近における剛性を放熱板５
の中央部よりも低くするには、例えば、図２に示すよう
に、上記放熱板５のセラミック絶縁基板１との接合部付
近に複数の孔１２を空ける。この場合、孔１２の大きさ
は大きいほど効果があり、数も多いほど効果が表われ
る。また孔１２は貫通孔が望ましいが、貫通せず、凹状
でもその効果は表われる。

【００２１】また、他の手法として図３に示すように、
上記放熱板５の接合部が中央部よりも薄くする。この場
合、板厚みが薄ければ薄いほど良く、かつ、その部分の
面積が広いほど効果は表われる。

【００２２】さらには、図4に示すように、上記放熱板
５の接合部付近に溝１３を形成するなどして、接合部に
おいて放熱板５を撓みやすくする。このように接合部付
近に溝１３を形成する場合、図４に示すように、溝１３
がつながっているときが効果が最もよく表われるが、つ
ながっていない短い溝が複数合っても良い。また溝の深
さは深いほど良く効果が表われる。

【００２３】このように上記放熱板５を加工することで
上記絶縁基板１が撓みやすくなり、前記接合部に発生す
る応力を緩和し、接着剤による接合部、セラミック絶縁
基板のクラックの発生、外部回路基板との接続部である
接続端子の破壊およびクラックの発生、進展等を防ぐこ
とができる。

【００２４】一般に金属製放熱板の熱膨張係数は、放熱
板に接着固定される半導体素子のそれよりも非常に大き
い。従来、半導体素子の大きさが小さい場合には、放熱
板と半導体素子との熱膨張差は大きな影響を及ぼすこと
はないが、半導体素子の大きさが大きくなるに従い、こ
の熱膨張差によって半導体素子のダイ付剤による接着部
に大きな応力が発生して半導体素子が放熱板から剥離す
るなどの問題が発生する。

【００２５】そこで、セラミック絶縁基板１の熱膨張係
数を放熱板５よりも小さくするとともに、この絶縁基板
１に放熱板５を接合固定すると、放熱板５の熱膨張を強
制的に抑制することができ、半導体素子７との熱膨張差
を小さくすることができる結果、半導体素子７の放熱板
５への接着固定を安定化することができる。

【００２６】また、この放熱板５を絶縁基板１に接合す
る熱硬化性樹脂の接着剤６の硬化後のヤング率は−４０
℃〜５０℃において０．０１ＧＰａ〜２０ＧＰａ、特に
０．０３ＧＰａ〜１５ＧＰａ、さらには０．０５ＧＰａ
〜１０ＧＰａ以上であることが望ましい。

【００２７】これは、ヤング率が０．０１ＧＰａ未満で
は、接着剤６によって放熱板５の膨張に対する拘束力が
なくなるため、放熱板５表面に接着固定された半導体素
子７との熱膨張係数差で発生する高応力が低減されず、
半導体素子７を接着固定するダイ付剤８、もしくは半導
体素子７の周りの封止樹脂１０にクラックが発生し、ワ
イヤ９の断線などを引き起こす場合がある。また、この
値が２０ＧＰａを超えると、熱膨張差により放熱板５と
絶縁基板１で発生する応力が大きく、絶縁基板１にクラ
ックが発生するおそれがあるためである。

【００２８】上記のようなヤング率を有する接着剤６
は、少なくとも熱硬化性樹脂を含む、特に熱硬化性樹脂
とフィラー成分との複合材料からなることが望ましい。
含有される熱硬化性樹脂としては、上記の特性を満足す
るものであれば特に限定するものではないが、例えば、
フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、エポキシ
樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フタル酸ジアリル樹
脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、ポリウレタン樹
脂の群から選ばれる少なくとも１種が好適である。

【００２９】一方、接着剤６中のフィラー成分は補強剤、
及びヤング率の調整剤として機能し、アルミナ、マイ
カ、ジルコニウムシリケート、リチウムシリケート等の
無機質や銀、銅、アルミニウム、鉛などの金属類、ゴム
粒子、プラスチック粒子等の有機物の群から選ばれる少
なくとも１種などが挙げられ、特にシリカ、ゴム粒子の群
から選ばれる少なくとも１種が好適である。また、フィ
ラー形状としては、粉末体のみならず、ウイスカー、ファ
イバーなどの繊維体、または織布、不職布であっても良
い。

【００３０】接着剤６中の熱硬化性樹脂中のフィラーの
含有量は、３０〜９０体積％が適当であって、用いる樹
脂のヤング率に応じて上記の範囲でフィラー量を調整し
て接着剤の硬化後のヤング率を上記の範囲に制御すれば
よい。

【００３１】この接着剤６はフィルム状または液状のい
ずれでもよいが、フィルム状の場合、フィラー成分とし
て補強剤に用いるガラス繊維層の含有率やシリカガラス
などのフィラー量を変化させるのが、安価に接着剤のヤ
ング率を制御できることから効果的である。また、液状
の接着剤でも同様に、シリカガラスなどのフィラー量を
変化させるのが効果的である。

【００３２】本発明の上記の構成は、放熱板と絶縁基板
との間の応力が高くなる絶縁基板のサイズが平面的に見
て、絶縁基板の一辺が３０ｍｍ以上の大型のパッケージ
からなる場合に特に有効である。

【００３３】本発明における絶縁基板１は、Ａｌ₂Ｏ₃、
ＡｌＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄を主体とするセラミックス、
あるいはガラス、あるいはガラスとセラミックフィラー
との混合物を焼成して作製される、いわゆるガラスセラ
ミックスが高密度配線及び高信頼性を確保する上で好適
である。特に、本発明の構成は、絶縁基板が強度が比較
的低いガラスセラミックスからなる場合において特に有
効である。

【００３４】なお、この絶縁基板１は、特性上では有機
樹脂を含有する外部回路基板に実装する場合の実装信頼
性を高める上で、４０〜４００℃の熱膨張係数が７×１
０^-6／℃以上、特に８×１０^-6／℃であることが望まし
い。またヤング率が２００ＭＰａ以下、特に１５０ＭＰ
ａ以下であることが使用時に発生する応力を低減するこ
とができる。

【００３５】また、メタライズ配線層２は、絶縁基板１
の材質によって、タングステン、モリブデン、銅、銀の
群から選ばれる少なくとも１種の導体を選択して用いる
ことができ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮ、ＡｌＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄を主
体とするセラミックスに対しては、タングステンまたは
モリブデンを主として含有する導体が、また、ガラスセ
ラミックスなどの１０５０℃以下で焼成可能な低温焼成
セラミックスの場合には、銅（Ｃｕ）または銀（Ａｇ）
を主体とする導体を選択して用いることができる。

【００３６】

【実施例】パッケージの絶縁基板材料として、ＢａＯ系
ガラス５０体積％とクォーツ５０体積％からなる組成物
を成形し、９５０℃で焼成して作成したガラスセラミッ
ク焼結体を絶縁基板とし、その表面および内部に、ガラ
スセラミック焼結体と同時焼成によって銅メタライズか
らなる半導体素子と接続される接続パッド、接続端子用
パッド、スルーホール導体、メタライズ配線層を有する
１辺のサイズが４５ｍｍのパッケージ基板を作成した。

【００３７】また、１辺３２ｍｍ、厚み０．５ｍｍのＣ
ｕ（−４０℃〜５０℃熱膨張係数１７×１０^-6／℃）か
らなる放熱板を用意し、表１に示す形状に加工をした。
Ｎｏ．２〜Ｎｏ．８は接合部に表１に示す大きさの孔を
表１の数だけ形成したものである。Ｎｏ．９、Ｎｏ．１
０は、接着部をそれぞれ０．１ｍｍ、０．３ｍｍと薄く
したものである。Ｎｏ．１１、Ｎｏ．１２は表に示す幅
と深さの溝を形成したものである。Ｎｏ．１３は、表１
に示す孔と溝を形成し、厚みを制御したものである。

【００３８】上記のパッケージにエポキシ樹脂（ノボラ
ック型エポキシ樹脂）８０体積％、シリカフィラー２０
体積％からなる接着剤（ヤング率０．３ＧＰａ）を塗布
した後、放熱板を載置し、１５０℃、２時間の条件で接
着剤を硬化接着させた。

【００３９】一方、Ｓｉからなる一辺２３ｍｍの半導体
素子を準備し、放熱板上にエポキシ樹脂からなる熱硬化
性のダイ付剤にて１５０℃、１時間の条件のもとで接着
固定させた。その後、半導体素子の接続パッドと絶縁基
板の接続パッドとを金によるワイヤボンディングにより
電気的に接続し、さらにこの半導体素子とワイヤボンデ
ィング部をエポキシ樹脂からなる封止用樹脂を注入して
１５０℃、３時間にて加熱硬化させた。

【００４０】上記のようにして半導体素子をパッケージ
用配線基板に実装したものをガラスエポキシ基板からな
り表面に銅箔からなる配線導体が形成されたプリント基
板上に接続端子が接続されるように位置合わせして低融
点半田を用いて窒素雰囲気中で２２０℃、３分間熱処理
して実装した。（熱サイクル試験）このようにしてパッケージをプリン
ト基板に実装したものを大気の雰囲気にて−４０℃と１
２５℃の各温度に制御した恒温槽に試験サンプルを３０
分／３０分の保持を１サイクルとして最高２０００サイ
クル繰り返した。

【００４１】そして、１００サイクル毎にパッケージと
外部回路基板の配線導体との電気抵抗の測定、および外
観観察によるクラックの発生の確認、超音波探傷装置に
よるダイ付剤等の剥離の確認を行い変化が表われるまで
のサイクル数をカウントした。結果は表１に示す。

【００４２】

【表１】

【００４３】表１より明らかなように、本発明である放
熱板に孔をあけた試料Ｎｏ．２〜８、放熱板の周囲部を
薄くした試料Ｎｏ．９、１０、放熱板に溝切を行った試
料Ｎｏ．１１、１２、およびそれらを組み合わせた試料
Ｎｏ．１３は、いずれもセラミック絶縁基板にクラック
が発生することなく、接続端子の破壊による電気抵抗の
変化などの不具合は熱サイクル１０００回まで発生せ
ず、極めて安定で良好な電気的接続状態を維持できた。

【００４４】これに対して、比較例として何ら施さなか
った従来の試料Ｎｏ．１では３００サイクルの低サイク
ルでセラミック絶縁基板にクラックが発生し、実装後の
信頼性に欠けることがわかった。

【００４５】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明の半導体素
子収納用パッケージによれば、放熱板に孔をあける、放
熱板の周辺部を薄くする、放熱板に溝切を入れるなどの
加工を施すことによって接合部における放熱板が撓みや
すくなり、絶縁基板との熱膨張係数差で発生する応力を
低減し、長期にわたり正確かつ強固に電気的接続させる
ことが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一例を示す半導体素子収納用パッケー
ジＡを外部回路基板に実装した時の概略断面図である。

【図２】本発明における放熱板の構造を説明するための
図であり、（ａ）は概略平面図と、（ｂ）概略断面図で
ある。

【図３】本発明における放熱板の他の構造を説明するた
めの図であり、（ａ）は概略平面図と、（ｂ）概略断面
図である。

【図４】本発明における放熱板のさらに他の構造を説明
するための図であり、（ａ）は概略平面図と、（ｂ）概
略断面図である。

【符号の説明】１・・・絶縁基板２・・・メタライズ配線層３・・・電極パッド４・・・接続端子５・・・放熱板６・・・接着剤７・・・半導体素子８・・・ダイ付剤９・・・ワイヤー１０・・封止樹脂１１・・接続パッド１２・・孔１３・・溝Ａ・・・パッケージＢ・・・外部回路基板Ｃ・・・開口部

フロントページの続き (72)発明者國分正也鹿児島県国分市山下町１番４号京セラ株式会社総合研究所内Ｆターム(参考） 5F036 AA01 BA23 BB01 BB08 BE01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】中央部に開口部を有するセラミック絶縁基
板と、該絶縁基板の表面あるいは内部に形成されたメタ
ライズ配線層と、前記絶縁基板の開口部を塞ぐように前
記絶縁基板に熱硬化性樹脂を含有する接着剤によって接
合された外形形状が四角形状の放熱板を具備し、前記放
熱板の絶縁基板と取着面側に半導体素子が取着されてお
り、前記放熱板の絶縁基板との接合部における剛性が前
記放熱板の中央部よりも低いことを特徴とする半導体素
子収納用パッケージ。
【請求項２】前記放熱板の絶縁基板との接合部における
厚みが中央部の領域よりも薄いことを特徴とする請求項
１記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】前記放熱板の絶縁基板との接合部に複数の
孔を開けたことを特徴とする請求項１記載の半導体素子
収納用パッケージ
【請求項４】前記放熱板の絶縁基板との接合部付近に溝
を形成し、その溝によって放熱板を撓みやすくしたこと
を特徴とする請求項１記載の半導体素子収納用パッケー
ジ。
【請求項５】前記放熱板を絶縁基板に接合している熱硬
化性樹脂の−４０℃〜５０℃におけるヤング率が０．０
１ＧＰａ〜２０ＧＰａであることを特徴とする請求項１
乃至請求項４のいずれか記載の半導体素子収納用パッケ
ージ。
【請求項６】前記放熱板が、少なくともＣｕを含有する
金属からなることを特徴とする請求項１乃至請求項５の
いずれか記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項７】前記絶縁基板が、低温焼成セラミックスか
らなり、前記メタライズ配線層がＣｕまたはＡｇを主体
とする金属からなることを特徴とする請求項１乃至請求
項６のいずれか記載の半導体素子収納用パッケージ。
【請求項８】前記低温焼成セラミックスが、ガラス、ま
たはガラスとセラミックフィラーとの混合物を成形、焼
成して作製されたものである請求項７記載の半導体素子
収納用パッケージ。