JP2958380B2 - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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隆夫 大場
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邦夫 宮崎
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    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance
    • H01L2924/30111—Impedance matching

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明はPPGA（プラスチック・ピン・グリッド・アレ
イ）構造のLSIなどの封止技術、特に、信号伝播特性を
損なうことなく空冷放熱を行うために用いて効果のある
技術に関するものである。
〔従来の技術〕
半導体装置は、実装密度の向上と共に外部回路との接
続のためのピン（或いはリード）数が多くなる。多ピン
化を可能にし、かつ従来からのプリント基板に実装でき
るパッケージ構造を有するものにPGA（ピン・グリッド
・アレイ）がある。
PGAのパッケージには、従来よりセラミックが用いら
れ、また配線材料には焼結金属が用いられている。しか
し、セラミックはコストが高くかつ誘電率が高いために
配線に対しては線間の静電容量となる。また、焼結金属
は電気抵抗が高いため、電源や信号配線に直列の抵抗分
を含ませる。このため、電源系にあっては抵抗分により
損失が生じ、一方、信号系にあっては、セラミックによ
る静電容量と配線の電気抵抗とにより信号遅延を生じ
る。
そこで、日経エレクトロニクス「別冊No.2マイクロデ
バイセズ」1984.6.11、P160〜P168に記載のように、セ
ラミックに代えて低コスト化が可能なプラスチックPGA
が注目され、ASIC（Apllication Specific IC:特定用途
向けIC）LSIなどに用途が広がりつつある。そのパッケ
ージベースは、プリント基板材料でもあるガラス繊維入
りエポキシ、トリアジン、ポリイミドなどの誘電率の低
い材料が用いられ、また、配線には電気抵抗の低い銅が
用いられる。
なお、このようなPPGAに関連する技術は、例えば、特
開昭60-38841号及び特開昭60-38842号がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
ところが、前記の如くプラスチックを用いたパッケー
ジ技術においては、プラスチックの熱伝導度がセラミッ
クに比べて悪く、高集積に伴う半導体チップの高発熱に
対する冷却、及び信号の高速伝播を満足することができ
ない。
半導体装置の高発熱の冷却に対処するものとして、特
開昭60-136348号がある。すなわち、有機プリン板材料
のLSI取付部に穴を開け、熱伝導度の良い板をプリント
板の裏面に張り付け、その表面の穴部を通してLSIを良
熱伝導板に付ける構造としている。しかし、この構造で
は、各部材の熱膨張差はセラミックを用いる場合に比べ
て大きく、接合に何らかの対策を講じないと破壊につな
がる。
また、ガラスエポキシ樹脂からなる基板上にLSIを取
り付けるプラスチック・ピン・グリッド・アレイ・パッ
ケージにおいて、各接合部間の接着剤に熱膨張差を解消
するためにエラストマを用いることが、特開昭60-13634
5号に示されている。しかし、エラストマは熱伝導性が
悪く、放熱対策に問題がある。
また、エラストマは気泡の多い構造であるため、エポ
キシ系の接着剤に比べて水分が侵入し易く、キャビティ
内の配線が腐蝕する等の問題がある。
さらに、放熱を容易にするためには、自然空冷、ある
いは数m/Sの風速で行えることが望ましいが、従来、半
導体装置が数十ワットになると十分に放熱が期待できな
くなる。
そこで、本発明の目的は、高速信号伝播特性を保証し
ながら数十ワット級の半導体装置の冷却を可能にする封
止技術を提供することにある。
本発明の他の目的は、通常のプリント基板で作られた
パッケージと安い材料で作られた熱拡散板を組合せ、低
コストで高信頼度かつ高性能を有するパッケージ構造を
提供することにある。
本発明のさらに他の目的は、構造材料の特性からくる
諸々の不整合を軟らかい材料で接合または覆うことによ
り、材料特性関係を独立させることにより自由な材料の
組合せが可能となり、低コストで信頼度、性能を犠牲に
することのない技術を提供するものである。
本発明の前記目的と新規な特徴は、本明細書の記述お
よび添付図面から明らかになるであろう。
〔問題を解決するための手段〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものの
概要を簡単に説明すれば、以下の通りである。
（１）．半導体チップ及びこれを搭載する放熱部と、少
なくとも１層の配線層を備え、その端部を前記半導体チ
ップの近傍に配置したプラスチック基板からなる半導体
装置において、前記半導体チップと放熱部間及び半導体
チップ全面が、弾性率0.001〜100kg/mm2の軟らかい材料
で覆われている構造としたものである。
また、（２）．前記放熱部を、半導体チップが接合さ
れる熱拡散板と、前記軟らかい材料からなる接着剤を介
して熱拡散板と接合されるヒートシンクとで構成した前
記（１）記載の半導体装置の構造とするものである。
〔作用〕
上記した手段（１）によれば、半導体チップを軟らか
い材料で接合することにより、パッケージを構成する材
料の膨張率の違いから生じる不整合を防止できる。ま
た、チップ全面をコーティングすることにより、チップ
への水分の侵入を防止するとともに、上述した接合剤と
同様に、不整合を防止できる。したがって、プラスチッ
ク・ピン・グリッド・アレイ・パッケージの信頼性を向
上できる。
上記した手段（２）によれば、半導体チップが熱拡散
板に塔載され、その反対面にヒートシンクを装着すると
共に、半導体チップを露出させた状態でその周辺にプラ
スチック基板を配設し、これを熱拡散板に接合してい
る。この結果、半導体チップで発生した熱は熱拡散板を
介して速やかにヒートシンクに伝達され、一方、各配線
層を内蔵したプラスチック基板は線間容量、配線上のイ
ンダクタンス及び抵抗を最小にし、信号伝播特性の劣化
を防止する。したがって、信号伝播特性を損なうことな
く、プラスチックパッケージを用いながら十分な放熱を
行うことができる。
〔実施例１〕 第１図は本発明による半導体装置の一例を示す断面図
である。
LSIのチップ１は、熱拡散板２の中央部に形成された
台座部に熱伝導度のよいフィラーの入ったゴム状弾性を
有するエラストマ３を介して接合されている。熱拡散板
２は銅材などを用いて方形もしくは長方形に加工され、
また台座部が他の部分より肉厚にされ、反対側の面は平
面にされている。
チップ１の周辺には、プラスチック、ガラスエポキシ
などが用いられ、かつ配線が多層にされている配線基板
４が、軟らかい材料、例えばその熱伝導度のよいフィラ
ーの入ったエラストマ５を介して熱拡散板２に接合され
ている。配線基板４はその中央部分に開口を有し、その
開口部にチップ１及び熱拡散板２の台座部が位置する。
この熱拡散板２は、配線基板４とほぼ等しい外形寸法を
有し、チップ１の放熱面積を大きくしている。この配線
基板４には、一定間隔に多数のピン６（電極）が埋設さ
れ、各々配線基板４内の配線に接続されている。このピ
ン６は、はんだ付け或いはかしめにより立設加工され、
その材料には弾性変形限界の高いBe-Cuなどを用いる。
因みに、従来は42合金、リン青銅などが用いられてい
た。
配線基板４の内側端は階段状になっており、各段の表
面には配線が露出し、チップ１上のその配線との間は、
金、銅またはアルミニウム材によるボンディングワイヤ
７で接続されている（ボンディングワイヤ７に代えてTA
B（テープ・オートメイテッド・ボンディング）を使用
してもよい）。
熱拡散板２の上面（チップ１の設けられていない面）
には、軟らかい材料、例えばエラストマ８を介してフィ
ン９（ヒートシンク）が接合されている。フィン９は、
熱伝導性に優れるアルミニウム材が用いられ、さらに複
数の深溝が形成され、放熱面積が広くなるようにされて
いる。エラストマ８は後述する熱伝導度の良いフィラー
を含んだものにすれば、放熱効果がさらに向上する。
さらに、チップ１の露出面及び隣接する配線基板４の
一部、すなわち配線基板４の内側端から露出する電極を
保護するためにキャップ10が軟らかい材料、例えばエラ
ストマ12を介して配線基板４に接合されている。このエ
ラストマ12を含めて、前記いずれのエラストマも接合さ
れる部材相互の熱膨張差を吸収するために設けられてい
る。
また、前記チップ１、配線基板４の側端から露出する
電極およびボンディングワイヤ７を、配線基板４とキャ
ップ10とを接合するエラストマ12から侵入する水分によ
る影響を防ぐため、コーティングゲル11によって保護し
ている。このコーティングゲル11は、ワイヤ断線や水分
の侵入を防ぐ材料が好ましい。熱拡散板２と配線基板４
間または配線基板４とキャップ10間をエラストマで接合
した場合、チップ１表面だけでなくチップ１側面まで耐
湿性のシリコーンゲルで被っておくと、水分の侵入によ
るボンディングパッドのAl腐蝕を防止できる。これはエ
ラストマのキュア時に気泡がエラストマ内に残って、そ
こが水分の侵入経路となることがあるからである。
コーティングゲル11には、例えば、弾性率が100kg f/
mm2以下の材料で、シリコーン，ポリウレタン，他のゲ
ル状の物質で、熱膨張係数20×10-6／℃以下の溶融シリ
カやアルミナの充填を行った物や、シリコン変成フェノ
ール硬化型エポキシ樹脂を用いることができる。
なお、以上の各部に用いた材料の熱膨張係数及び熱伝
導度を示せば第１表の如くである。
第１表から明らかなように、シリコンに比べ熱拡散板
２として考えられる材料である銅は、熱膨張係数が大き
い。また、フィン９の主要構造材であるアルミニウムは
更に大きい。また、誘電率の低い材料と見なされるガラ
ス繊維入りエポキシ、ガラス繊維入りポリイミド、ガラ
ス繊維入りビスマレイドトリアジンなどは、同様にシリ
コンに比べ熱膨張係数が大きい。仮に、熱拡散板２にAl
NやCu/Mo/Cuクラッド材を用いた場合、シリコンとの整
合は良好であるものの、他の構成材料との整合に問題が
残る。
しかし、本発明では、不整合な材料間の相互接合に、
変形し易いエラストマを用いているので、上記した整合
の問題は解消する。ただし、軟らかい材料、たとえばエ
ラストマは熱伝導度が悪いので、できるだけ薄い層にな
るように形成するか、あるいは第１表に示したように熱
伝導度の良いフィラーを混入させるのが望ましい。
エラストマとして、アルミナフィラー入りメチールフ
ェニールシロキサンゴム（例えば、商品名「東レSE-440
0」）を用いた場合、引っ張り破壊限界値の伸びは100％
であり、安全率50％を見積もると設計歪量として50％が
得られる。更に、大きな破壊限界伸びを有するものにメ
チールフェニールシロキサンゲル（例えば、商品名「東
レJCR6110」）があり、その破壊限界伸びは200％である
ため、設計歪量として100％が得られる。この前提のも
とに設計した好ましいパッケージ材として得られたのが
第２表及び第３表に示すものである。ここでは共に第１
図に示した構成を用い、チップサイズ14.5mm角のパッケ
ージとし、フィンサイズが60mm角で熱拡散板２の厚みを
1mmにした。フィン形状は、高さ18mm、フィン間隔4mmと
し、風速1m/秒の風冷にした。また、変位は、−55℃〜1
50℃（ΔＴ＝205℃）のときの値である。
第２表は銅の熱拡散板２を用いた場合であり、14.5mm
角のシリコンチップとの間の温度サイクル時の最大温度
差205℃における変位は21μｍである。設計歪量をゲル
の100％と見て、接着材厚みは21μｍ以上とし、実施例
では25μｍに設定した。一方、60mm角の銅熱拡散板とア
ルミニウムフィンの205℃における変位は40μｍとな
り、ゴムの50％設計歪み量からゴム厚みは100μｍにな
る。このような条件下で、夫々の熱抵抗を計算すると、
第２表に示すように合計は2.24℃/Wとなり、良好な値が
得られる。
第３表は熱拡散板２として窒化アルミニウム（AlN）
を用いた場合であり、シリコンチップとAlNの変位は小
さく２μｍであり、25μｍの金−シリコン合金（重量８
％）が使用できる。これにより、第１表のゲル部熱抵抗
の1/1000以下の値とすることができるが、AlNとアルミ
ニウムフィンの接合に250μｍの厚いゴム材の挿入を必
要とし、20倍の熱抵抗になる。しかし、総合的には、1.
98℃/Wとなって第１表の例より小さく、30W程度の半導
体チップを十分に冷却しうるものとなる。なお、Cu/Mo/
Cuクラッド板（例えば、CLYMAX:クライマックス社
製）、Cu含浸焼結タングステン、Fe-Niメッシュ入り銅
板（例えば、住友特殊金属社製）アルミニウムなども熱
拡散板として同様に扱うことができる。
第２図（ａ）及び第３図は配線基板４及びピン６の詳
細を示す拡大断面図である。第２図はTTL（トランジス
タ・トランジスタ・ロジック）インターフェースに対応
するものである。第２図（ｂ）は第２図（ａ）のピン配
置を示す斜視図、第２図（ｃ），（ｄ）は第２図（ａ）
の一部拡大斜視図である。第３図はECL（エミッタ・カ
ップルド・ロジック）インターフェースに対応するもの
である。第３図は、インピーダンス整合を行うために接
地層4aを電源層4bと信号層4cの間に設けたところに特徴
がある。本実施例では、例えば、層間隔を100μｍにし
て50Ωが得られた。
配線基板４は、プラスチック材の中に複数の配線層
（接地層4a、電源層4b、信号層4c）が一定間隔に積層さ
れている。第２図（ａ）及び第３図では、ピン６に接地
層4aが接続される例を示しており、ピン６は配線基板４
に形成されたスルーホール4dに嵌入され、はんだ4eによ
って固定されている。この場合、ピン６に接続しない配
線層はスルーホール4dに接触しないように絶縁されてい
る。また、ピン６は、曲げに対し剛性を備えた材料を用
いる。さらに、第２図（ｂ）に示すように、ピン６は配
線基板４のほぼ全面に多数形成されている。
配線基板４のチップ１との接続部は、段差形状にさ
れ、各段に配線層が露出している。接地層4aの一部は第
２図（ｃ）に示すように、基板側端および電源層4bが形
成されている面に側面導通部4fとして延長され、電源層
4bの面でチップとボンディングワイヤで接続されてい
る。また、側面導通部4fは、第２図（ｄ）に示すよう
に、配線基板４の側端全面に形成され、その一部は電源
層4bが形成されている面に延長してもよい。チップ１と
配線層との接続は、各部材の相互接続に軟らかい材料、
例えばエラストマが用いられているため、各剛体の変位
を吸収可能なように、ループ形状をしたボンディングワ
イヤ７を用いて行う。
また、封止は同様な理由から剛性の強いエポキシポッ
ティングを使用できないので、近年高信頼の封止材とし
て注目されているシリコーンゲル（例えば、信越シリコ
ン社製のKJR9010又は東レダウコーニングシリコーン社
製のJCR6110）をコーティングゲル11として用い、ポッ
ティングを行っている。
さらに、機械的保護としてキャップ10がエラストマ12
で封止されるが、キュア時の加熱で内圧が上昇してブロ
ーホールが発生し、内外圧が同じとなり、エラストマが
硬化しないうちにそのブローホールが再び閉じた後、エ
ラストマ12が硬化するような硬化の時間温度の制御が可
能なエラストマを使用することにより高信頼度が得られ
る。
第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）は第２図の信号層4c、
電源層4b及び接地層4aの各々の詳細を示すもので、装置
全体の約1/4を示している。ここでは、従来からPGAパッ
ケージで採用しているめっき導通線を廃止し、配線の寄
生容量が30〜40％を低減した構造になっている。この実
現は、チップ１の取付部を貫通穴としたことが一助にな
っている。また、配線層のいずれもが、銅配線を用いて
いるため、電気抵抗を低くできる。したがって、従来と
同一抵抗レベルとした場合には、配線、特に信号配線の
微細幅設計が可能になる。
第４図（ｂ）には、その端部が配線基板４の内側端ま
で延在している接地用（Gnd）配線4b′と、その他の電
源電圧用配線4b″とがある。この接地用配線4b′は第２
図（ｃ）又は（ｄ）に示すように、配線基板４の内側端
の側面導通部4fを介して接地層4aに接続されている。こ
のような構造にすることにより、電源用、接地用の配線
層を同一面にすることができるので、ボンディングが簡
単になり、かつ接地用電位の安定化を図ることができ
る。
さらに、第４図（ｂ）に示すように、電源層4bは多く
の本数を並行状態に設けているが、これは合体して幅広
の配線にしてもよい。最近のLSIは、安定な多数の異種
電圧の電源ラインを必要とする傾向にある。そこで、そ
の要求に応じられるように中間に電源層4bを配設する構
造にしている。そして、チップ１の搭載部13に対し最短
距離となるように対向電極が設置され、接続点間をボン
ディングワイヤで接続している。なお、１つの電源に対
し、複数本のラインを用意することによって、インダク
タンスを最小にすることができる。チップ１からの導通
は、第２図及び第３図に示す側面導通部4fを介してボン
ディングワイヤ７で電源層4bに接続する。
周辺にリードが放射状に突出しているQFP（クワッド
・フラット・パッケージ）型であれば、すべての配線が
パッケージの最外周まで導出させる必要があるが、ピン
・グリッド・アレイ・パッケージでは内部配線より延在
するめっき線を廃止した構造にしたので、ピン設置部で
の配線は終端のみとなり、相対的に短い配線でピン６を
介して外部の回路基板へ接続が可能となり、平均的な寄
生容量、インダクタンス、及び抵抗を小さくすることが
できる。
また、電源層4bと接地層4a間に接続するバイパスコン
デンサをパッケージに内蔵させたい場合がある。これに
対しては、第５図に示すように、チップ型のバイパスコ
ンデンサ14の搭載スペース19を電源層4bあるいは信号層
4c上に確保する。そして、チップ１のコーナ部に対向す
る電源層4bあるいは信号層4cを無配線領域にしてバイパ
スコンデンサ14を配設し、その両脇にボンディングワイ
ヤ７を接続するための配線層を平行集中させる。各配線
の先端はチップ１のパッド1aに対向させ、バイパスコン
デンサ14によってボンディング処理が妨害されないよう
にする。無配線領域に設置したバイパスコンデンサ14
は、その両端子を電源層4bと接地層4a間に接続する。ま
た、ボンディングワイヤ７は、配線層の端部とチップ１
のパッド1aとの間に接続される。
第３表は第２図に示したTTLインターフェース構造と
従来のパッケージ構造とを比較したものである。
第４表から明らかなように、静電容量は約1/2、抵抗
は約1/10に改善されていることがわかる。この改善によ
り、信号の高速伝送が可能になる。具体的には、150MHz
程度のクロック周波数を有するLSIにも適用可能にな
る。これは、チップ搭載部を貫通穴構造とし、その周辺
に多層構造で銅配線及び低誘電率有機物による配線基板
を配設し、その層構造がLSI活性面から見て信号／電源
／接地、信号／接地／電源、接地／信号／接地／信号／
接地／電源／電源／接地などの組合せにしていることに
よるもので、パルス高速伝播を可能にしている。
本願において用いる軟らかい材料、すなわちエラスト
マ及びコーティングゲルは、いずれも弾性率が0.001〜1
00kg/mm2の範囲、好ましくは0.01〜10kg/mm2にある材料
を用いる。更に、パッケージを構成する材料間の熱膨張
の不整合を吸収できる厚み、すなわち歪量として５〜10
00％、好ましくは50〜200％に制御された厚さにするの
がよい。ここで、弾性率0.001〜100kg/mm2の軟らかい材
料とは、0.05〜0.5kg f/mm2の弾性係数を有するシリコ
ーンゴム、例えばメチールフェニールシロキサン等（白
金触媒附加反応形）にAl2O3等の充填剤（入れなくても
よい）が入ったもの、例えばTSE322RTV（東芝シリコー
ン社）、信越化学社のKJR9022、ダウ東レシリコーン社
のCY52-223等がある。さらに、シリコーンゴムも同様の
基材（メチールフェニールシロキサン等）でKE110（信
越化学社）やKJR9010、ダウ東レシリコーン社のJCR6110
等がある。
50〜100kg f/mm2の弾性係数を持つゴム変性エポキシX
NR3508（カーボンフィラー入りジシアンジアミド硬化
形）（チバガイギー社製）等がある。また、0.1〜50kg
f/mm2の弾性率を有するポリウレタンゴム、UE539やポリ
ウレタンゲル等がある。要は、ゴム系、ゲル系材料であ
ればよく、必要ならばフィラーを入れることができる。
また、歪量５〜1000％を実現するパッケージの大きさ
と接合部のゴム厚の関係を第７図に示す。
第７図におけるパッケージサイズは、熱拡散板（Cu）
あるいはガラス繊維入りエポキシ樹脂基板の大きさであ
る。また、ゴム厚はシリコーンゴム（商品名「東レSE44
00」）を接合剤として用いた場合を示す。
〔実施例２〕 第６図は本発明の他の実施例を示す部分拡大断面図で
ある。
本実施例は、配線基板４にフレキシブル多層板15を用
いたところに特徴がある。このフレキシブル多層板15
は、ポリイミド、マレイミドなどのフィルム上に薄膜配
線層を多層化して得ることができる。この実施例では、
配線層の最上部に接地層4aを配し、この接地層4aをピン
16にはんだ接続している。
さらに、この実施例では配線基板４がフレキシブルで
あるため、第１図の実施例のようにピンを配線基板４に
よって保持させることができない。そこで、ピン16の付
け根部に鍔を設け、この鍔を熱拡散板２に埋設し、はん
だ17によって固定し、取付強度を確保している。ここで
は、ピンに鍔を設けるものとしたが、鍔を有しない第１
図に示したピン６を熱拡散板２に埋設するものとしても
よい。
また、配線基板４がチップ１よりも薄厚になるため、
平板状のキャップ10では配線基板４上に隙間が生じる。
そこで、周辺部に膨出部を設けて皿状にしたキャップ18
を用い、その周縁表面をエラストマ12によってフレキシ
ブル多層板15に接合するようにしている。
さらに、この実施例では、前記実施例の側面導通部4f
と同様に、フレキシブル多層板15の必要箇所に層間導通
部4gが設けられている。
以上本発明によってなされた発明を実施例に基づき具
体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能
であることは言うまでもない。
例えば、前記実施例の構成において、各部材の組合せ
を第５表のようにすることが可能である。
第５表において、タイプ３−１の水まくらは、商品名
「フロリナート」を冷却媒体とした液体ヒートシンクで
あり、袋状部材内に前記冷却媒体を封入し、これを第１
図に示したフィン９に代えて用いるものである。
〔発明の効果〕
本願において開示される発明のうち、代表的なものに
よって得られる効果を簡単に説明すれば下記の通りであ
る。
すなわち、半導体チップと、片面に前記半導体チップ
が接合される熱拡散板と、前記半導体チップを露出する
ようにして前記半導体チップど同一面の前記熱拡散板に
接合されるとともに少なくとも１個の配線層を備え、そ
の端部を前記半導体チップの近傍に露出させたプラスチ
ック配線基板と、前記半導体チップのパッドと前記配線
基板の端部とを接続するボンディング手段とを設けるよ
うにしたので、信号伝播特性を損なうことなく、十分な
拡散を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明による半導体装置の一例を示す断面図、 第２図（ａ）はTTLインターフェースに対応する配線基
板及びピンの詳細を示す拡大断面図、 第２図（ｂ）は第２図（ａ）のピン配置を示す斜視図、 第２図（ｃ），第２図（ｄ）はそれぞれ第２図（ａ）の
一部拡大斜視図、 第３図はECLインターフェースに対応する配線基板及び
ピンの詳細を示す拡大断面図、 第４図（ａ），（ｂ），（ｃ）は第２図（ａ）の信号
層、電源層及び接地層の各々の詳細を示す平面図、 第５図はバイパスコンデンサの設置部の詳細を示す平面
図、 第６図は本発明の他の実施例を示す部分拡大断面図、 第７図は歪量５〜1000％を実現するパッケージサイズと
厚みの関係を示すものである。 １……チップ、1a……パッド、２……熱拡散板、3,5,8,
12……エラストマ、４……配線基板、4a……接地層、4b
……電源層、4c……信号層、4d……スルーホール、4e,1
7……はんだ、4f……側面導通部、4g……層間導通部、
6,16……ピン、７……ボンディングワイヤ、９……フィ
ン、10,18……キャップ、11……コーティングゲル、13
……搭載部、14……バイパスコンデンサ、15……フレキ
シブル多層板。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中野 哲夫 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 小出 一夫 東京都青梅市今井2326番地 株式会社日 立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 山際 明 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社 日立製作所神奈川工場内 (72)発明者 大場 隆夫 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社 日立製作所神奈川工場内 (72)発明者 畑田 敏夫 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 松島 均 茨城県土浦市神立町502番地 株式会社 日立製作所機械研究所内 (72)発明者 宮崎 邦夫 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社 日立製作所日立研究所内

Claims (4)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】半導体チップ及び、これを搭載する放熱部
    と、少なくとも１層の配線層を備え、その端部を前記半
    導体チップの近傍に配置したプラスチック基板からなる
    半導体装置であって、前記半導体チップと放熱部間及び
    半導体チップ全面が、弾性率が0.001〜100kg/mm2の軟ら
    かい材料で覆われていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】前記放熱部は、半導体チップが接合される
    熱拡散板と、前記軟らかい材料からなる接着剤を介して
    前記熱拡散板と接合されるヒートシンクからなることを
    特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】前記ヒートシンクをアルミニウム材による
    風冷フィン構造にしたことを特徴とする請求項２記載の
    半導体装置。
  4. 【請求項４】前記配線層の何れかに接続されるように立
    設されるピン状の電極を有するピン・グリッド・アレイ
    型パッケージで形成されていることを特徴とする請求項
    １記載の半導体装置。
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