JPH11195680A - 半導体装置接続構造及び接続方法 - Google Patents

半導体装置接続構造及び接続方法

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JPH11195680A
JPH11195680A JP10012014A JP1201498A JPH11195680A JP H11195680 A JPH11195680 A JP H11195680A JP 10012014 A JP10012014 A JP 10012014A JP 1201498 A JP1201498 A JP 1201498A JP H11195680 A JPH11195680 A JP H11195680A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 接続状態を確実にして、構造安定性の向上、
信頼性の向上、並びに放熱性能の向上等を併せて図るこ
とができる半導体装置接続構造及び接続方法を提供す
る。 【解決手段】 半導体チップ４は金属等からなる接続用
治具１に熱伝導性に優れた金属等の接合材料９を用いて
あらかじめ固定される。そして接続用治具は端部が基板
５上の治具固定用パッド２に接合され、接続用治具１が
基板５に固定される。またこの際、半導体チップ４の電
極６上には金属製バンプ７が形成されており、接続用治
具１を基板５に固定することにより金属製バンプ７が基
板上の接続用パッド８に圧接されて接続される。

Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置接続構
造に関し、特に半導体チップをベアチップで基板にフェ
イスダウン実装する半導体装置接続構造及び接続方法に
関する。 【０００２】 【従来の技術】従来、半導体チップをべアチップで基板
にフェイスダウン接続する半導体装置接続構造として
は、あらかじめ基板のパッドにＳｎ／Ｐｂ等のはんだ材
料を供給し、半導体チップの電極上に形成した金属製バ
ンプをはんだ材料の溶融により基板のパッドと接続する
構造がある。 【０００３】しかし、この構造では基板のパッドにはん
だ材料を供給しなければならずコストが高くなるため、
はんだ材料を必要としない低コストの半導体装置接続構
造の開発が行われている。 【０００４】はんだ材料を使用しない接続構造として
は、例えば特開平５−３６７６１号公報に示されるよう
に、半導体チップに形成された電極と基板に形成された
接続用パッドを金属製バンプを介して熱硬化性樹脂の硬
化収縮力を用いて接続する構造がある。 【０００５】以下に従来の半導体装置接続構造について
図を用いて説明する。図１７は特開平５−３６７６１に
示される従来の半導体装置接続構造の断面図である。こ
の半導体装置接続構造では、半導体チップ４上に形成さ
れた電極６と基板５の接続用パッド８を接続するため
に、電極６上に弾性変形が可能なソフトメタルからなる
金属製バンプ７が形成されている。また、半導体チップ
４と基板５との間には熱硬化型の樹脂１０が塗布され
る。 【０００６】次に、電極６上の金属製バンプ７と接続用
パッド８を向き合わせて半導体チップ４を基板５上に載
せ、金属製バンプ７と接続用パッド８を密着させる。さ
らに荷重を加えて半導体チップ４を圧下し加熱する。そ
れによって樹脂１０を硬化させるとともに金属製バンプ
７を弾性変形させ、その反発力により金属製バンプ７と
接続用パブド８を密着させて接続を行う。 【０００７】また、特開平５−３４３４７３に他の従来
例が示されている。この場合、基板上に形成した金属製
バンプと半導体チップの電極を位置合わせして、あらか
じめ基板または半導体チップに付着させておいたフィル
ム状の絶縁性接着剤を半導体チップと基板の間で排出す
るまで加圧し、同時に絶縁性接着剤を硬化し、半導体チ
ップを基板に固着するとともに接続する方法を用いてい
る。 【０００８】 【発明が解決しようとする課題】前述した従来技術にお
ける第一の問題点は、経時変化状態もしくは高温状態に
おいて電気的な接続が保持できなくなる場合があること
である。 【０００９】その理由は、半導体チップと基板との接続
に樹脂を用いており、半導体チップの電極上に形成され
た金属製バンプと基板の接続用パッドを接続するために
樹脂の収縮力を使用していることにある。 【００１０】半導体装置が長期間この状態におかれると
樹脂の塑性変形等により収縮力が小さくなり接続が保持
されなくなる場合がある。また、半導体装置が高温状態
にさらされた場合に樹脂の熱膨張により半導体チップと
基板が離れる方向に力が働き、金属製バンプと接続用パ
ッドとの接続部が離れてしまい、電気的な接続を保持で
きなくなる場合がある。 【００１１】また、温度サイクル試験等の熱衝撃試験を
行った場合には電気的な接続の確認を常温状態で行う
と、実際には高温状態で接続部が離れてしまい電気的接
続状態が保持されていない状態でも常温に戻したときに
接続状態が保持されているようにみえることがあり、接
続状態に問題がないような結果となることがある。 【００１２】第２の問題点は、発熱量が大きい半導体チ
ップを使用するときなど放熱装置が必要な場合、放熱装
置を取り付けた際に半導体チップに無理な力が加わる場
合があることである。 【００１３】それは以下のような理由による。放熱性を
高めるために半導体装置からヒートシンクなどの放熱装
置までの伝熱距離はできるだけ短くすることが望まれ
る。そのため半導体チップに直接放熱装置を接着する構
造が好ましいが、直接接着した場合、放熱装置の重さを
半導体チップが支えることになり接続不良や半導体チッ
プの損傷を招く恐れがある。 【００１４】そこで、放熱装置を基板等の他の部材に固
定して半導体チップに無理な力が掛からないようにする
必要が生じる。しかし、この場合、放熱装置を固定する
ためのスペース等が必要になり、半導体チップをベアチ
ップで接続することによる高密度実装化のメリットが損
なわれてしまう。 【００１５】よって、本発明では、接続状態を確実にし
て、構造安定性の向上、信頼性の向上、並びに放熱性能
の向上等を併せて図ることができる半導体装置接続構造
及び接続方法を提供することを目的とする。 【００１６】 【課題を解決するための手段】前記課題を解決するた
め、本発明の半導体装置接続構造では、半導体チップは
金属等からなる接続用治具に熱伝導性に優れた金属等の
接合材料を用いてあらかじめ固定される。そして接続用
治具は端部が基板上の治具固定用パッドに接合され、接
続用治具が基板に固定される。またこの際、半導体チッ
プの電極上には金属製バンプが形成されており、接続用
治具を基板に固定することにより金属製バンプが基板上
の接続用パッドに圧接されて接続される。すなわち、半
導体チップをあらかじめ接続用冶具に固定し、その接続
用治具を基板に接合することにより半導体チップ上に形
成した金属バンプと基板の接続用パッドを圧接して接続
する構造とした。その場合、接続用治具と基板との接合
にはんだ材料を用いることもできる。また、接続用治具
と基板との接合に電気溶接を用いることもできる。半導
体チップと基板との間に樹脂を充填することもできる。
さらに、半導体チップを接続用治具で完全に覆うことも
できる。また、接続用冶具を金属又は金属を含む高熱伝
導性材料で構成することもできる。一方、本発明では、
半導体チップを基板に接続する際に接続用冶具を用いて
行う半導体装置の接続方法であって、半導体チップの電
極に予め金属バンプを設けておく工程と、半導体チップ
を接続用冶具にあらかじめ固定する工程と、その接続用
治具を基板に接合することにより半導体チップ上に形成
した金属バンプと基板の接続用パッドを圧接して接続す
る工程とを含む方法とした。その場合、接続用治具と基
板との接合にはんだ材料を用いることもできる。また、
接続用治具と基板との接合に電気溶接を用いることもで
きる。半導体チップと基板との間に樹脂を充填すること
もできる。さらに、半導体チップを接続用治具で完全に
覆うこともできる。 【００１７】本発明によれば、半導体チップを接続用治
具に固定し、接続用治具を基板に固定する力を用いて半
導体チップの電極に形成された金属製バンプと基板の接
続用パッドを圧接するため、樹脂の収縮力による接続と
異なり温度が上昇しても半導体チップの電極に形成され
た金属製バンプと基板の接続用パッドとの接続が離れな
いため信頼性の高い接続が得られる。 【００１８】また、半導体チァプを接続用治具に接合し
ているため、ヒートシンク等の放熱装置を取り付ける際
に半導体チップに直接放熱装置を取り付ける必要がなく
放熱装置は接続用治具に接着することができる。そのた
め放熱装置の重さは接続用治具が支えることになり半導
体チップに無理な力が加わることがない。 【００１９】さらに半導体チップを金属等からなる接続
用治具に金属合金等の熱伝導性に優れた材料を用いて接
合できるため、接続用治具を用いることによる放熱性の
低下は認められず、放熱性に優れた半導体装置を提供す
ることが可能である。 【００２０】 【発明の実施の形態】次に、本発明の第１の実施の形優
について図面を参照して説明する。図１は第１の実施の
形態を示す断面図である。半導体チップ４は熱伝導性に
優れた金属からなる接合材料９を用いて接続用治具１に
固着されている。接続用治具１は端部をはんだ材料３を
用いて基板５上に形成された治具固定用パッド２に接合
されている。また半導体チップ４上の電極６には金属製
バンプ７が形成されており、金属製バンプ７が基板５上
の接続用パッド８に圧按されることにより電気的接続を
得ている。 【００２１】ここで、金属製バンプ７と基板５上の接続
用パッド８との間には、はんだ材料や導電樹脂等の材料
を用いておらず、接続用治具１を基板５に固定するとき
の押圧力によって接続されている。また、接続用冶具１
は図１５に示すように半導体チップ４を覆う構造になっ
ており、接続用治具１の外周部が基板５に接合されてい
る。そのため、接続用治具の内部を不活性ガスで気密封
止を行うことにより樹脂封止の必要がなくなる。 【００２２】また、気密封止する必要が無い場合には、
図１６に示すように接続用治具１は半導体チップ４が完
全に覆われる構造ではなく一部を基板５に固定する構造
でもかまわない。 【００２３】次に第１の実施の形態の接続工程を説明す
る。図４は第１の実施の形態をあらわす工程図である。
まず図４に示すように半導体チップ４の接続用パッド６
上に図５に示すように金属製バンプ７を形成する。次
に、金属からなる接続材料９または金属を含有した樹脂
等の熱伝導性に優れた接合材料９を図６に示すように接
続用冶具１に塗布等により配置する。 【００２４】次に、図５でバンプ７を形成した半導体チ
ップ４を図７に示すように接続治具１の接合材料９上に
配置し、加熱しながら加圧し半導体チップ４の裏面と接
続用冶具１を接着する。 【００２５】さらに、図８のように半導体チップ４を接
着した接続用治具１を半導体チップ４上の金属製バンプ
７が下向きになるように吸着治具１１を用いて接続用治
具１を吸着固定して基板上の接続用パッド８と金属製バ
ンプ７の位置を合わせて配置する。 【００２６】このとき、接続治具１の端部と基板５上の
治具固定用パッド２の位置も同時に一致する構造にして
おく。さらに、はんだ材料３を接続治具１の端部または
基板５上の治具固定用パッド２に供給しておく。 【００２７】次に、図９に示すように吸着治具１１を用
いて接続用治具１を吸着固定したまま接続用治具１の端
部を基板５上の接続用パッド２と接触させ加圧を行いな
がら加熱治具１２を用いて加熱し、はんだ材料３を溶融
して接続治具１と基板５を接合する。このとき同時に加
圧を行っているため金属製バンプ７と基板５上の接続用
パッド８が圧按された状態で接続治具１と基板５が接合
し固着される（図１０）。 【００２８】次に、本発明の第１の実施の形態の効果に
ついて説明する。本発明の第１の実施の形態では半導体
チップと基板との接続を接続治具を用いてはんだ材料に
より行っているため、樹脂で封止を行った場合と比較し
て温度が上昇したとき樹脂の熱膨張がなく電気的な接続
不良が発生する心配がない。 【００２９】また、他の効果としてはあらかじめ半導体
チップを接続治具に固定しているため、ヒートシンクな
どの放熱装置を取り付ける際に半導体チップではなく、
接続用冶具に取り付ければよい。この場合に、接続用冶
具は既に基板に固定されているため、放熱装置の重さ等
で半導体チップに無理な力が加わることがない。 【００３０】また、放熱性についても高温で接合するこ
とが必要な熱伝導性に優れた金属材料等で半導体チップ
を接続用治具と接合できるため熱伝導にも優れ、さらに
接続用治具自体をフインやピンのついた構造にすること
で放熱性に優れた半導体装置を提供することができる。 【００３１】また、接続用冶具自体が小型の放熱板の役
割をするため、接続治具無しで半導体チップを基板と接
続した場合よりも放熱性に優れた構造となる。 【００３２】さらに、接続用治具１が半導体チップ４を
完全に覆う構造とした場合には、電磁波のシールド効果
も得ることができる。 【００３３】次に本発明の第２の実施の形態を図面を参
照して説明する。図２は第２の実施の形態を示す断面図
である。図１の第１の実施の形態と異なり接続用治具１
の端部と基板５の治具固定用パッド２の接続部にはんだ
材料３を用いておらず、電気溶接によって接続治具１の
端部と基板５の治具固定用パッド２が直接接合された構
造である。 【００３４】次に、第２の実施の形態の接続工程を説明
する。図１１は図４において接続用治具１と基板５とを
加熱治具１２を用いて接続する工程（図９）の代替工程
である。 【００３５】この第２の実施の形態では、はんだ材料３
を使用しないため加熱治具１２による加熱の代わりに電
極ツール１３による電気溶接を行う。この場合、図１１
に示したように電極ツール１３を用いて接続用治具１の
端部と基板５上の治具固定用パッド２を電気溶接する。
そのため第１の実施の形態で示したようなはんだ材料３
は必要なく、接続後は図２に示したように接続用治具１
の端部と治具固定用パッド２が直接に接合される。 【００３６】次に、第３の実施の形態を図面を参照して
説明する。図３は第３の実施の形態をあらわす断面図で
ある。接続用治具１を用いて半導体チップ４を基板５と
接続している点は第１及び第２の実施の形態と基本的に
同様である。 【００３７】しかし、第３の実施の形態においては半導
体チップ４と基板５の間が樹脂で封止されている。ま
た、図３では接続用治具１と基板５との挨合にはんだ材
料３を用いているが、第２の実施の形態のようにはんだ
材料３を使用せず電気溶接で接続を行う構造を用いても
良い。さらに第３の実施の形態で使用される接続用治具
１の形状は図１５に示すような半導体チップ４全体を覆
う形状でも、図１６に示すような接続用治具１の側面な
どが露出した形状でもかまわない。 【００３８】次に、第３の実施の形態の接続工程を図面
を参照してを用いて説明する。図１２、図１３、図１４
は、第１の実施の形態の接続工程をあらわす図８、図９
図１０の代替となる工程を示す。 【００３９】この第３の実施の形態では半導体チップ４
を接着した接続用治具１を基板５に接合する際に、図１
２に示すようにあらかじめ基板５上に封止用の樹脂１０
を供給する。また接続用治具１と基板５が接合され半導
体チップ４上の電極６に形成された金属製バンプ７と基
板５の接続用パッド８が接続される際に半導体チップ４
と基板５の間が樹脂１０で充填されるために十分な樹脂
量を供給しておく。 【００４０】次に、図１３に示されるように接続用治具
１を吸着治具１１を用いて固定し加圧しながら加熱治具
１２で接続用治具１の端部を基板５上の治具固定用パッ
ドに加熱接合することにより、図１４に示されるように
半導体チップ４が接続用治具１を用いて基板に固定され
る。 【００４１】ここで、接続用治具１を基板５に固定する
方法としては図１１の第２の実施の形態のような電気溶
接を用いても良い。また、接続用治具１の形状が半導体
チップ４を完全に覆う構造では無い場合、樹脂１０の供
給は図１２〜１４に示したように接続用治具１を基板５
に接合するときではなく、接続用治具１を基板５に接続
した後で樹脂１０を流し込んでもかまわない。 【００４２】 【実施例】次に、本発明の第１の実施例について図面を
参照して説明する。図１は第１の実施例を示す断面図で
ある。半導体チップ１はＡｕ／Ｓｉ合金等の金属材料か
らなる接合材料９、またはＡｇ等の金属やＢＮ等のセラ
ミックス等の熱伝導性に優れた材料を多量に含有するこ
とで熱膨張を抑えた樹脂からなる接合材料９を加熱溶融
することにより、Ｃｕ、Ａｌ等の金属からなる接続用治
具１に固着されている。 【００４３】また基板５の治具固定用パッド２に接合さ
れる接続用治具１の端部以外の部分はアルミナ、窒化ア
ルミ等のセラミックス材料を用いても良い。さらに接続
用治具１は端部をＳｎ／Ｐｂ等のはんだ材料３を用いて
基板５上に形成されたＣｕ、Ａｕ等の金属からなる治具
固定用パッド２に固定されている。 【００４４】また半導体チップ４上の電極６にはＡｕあ
るいはＡｕの合金やはんだ材料からなる金属製バンプ７
が形成されており、金属製バンプ７が基板５上の接続用
パッド８に接触して電気的接続を得ている。 【００４５】ここで金属製バンプ７と基板５上のＡｕ、
Ｃｕ等の金属からなる接続用パッド８との接続には金属
製バンプ７以外のはんだ材料や導電性樹脂等の材料を用
いておらず、接続用治具１を基板５に固定するときの押
圧力によって圧接により接続された構造となる。 【００４６】また、接綬用治具１は図７に示すように半
導体チップ４が覆われる構造になっており、その外周部
が基板５に接合されている。そのため接続用治具の内部
を窒素等の不活性ガスで気密封止を行うことにより樹脂
封止の必要がなくなる。 【００４７】また、気密封止する必要が無い場合には図
１６に示すように接続用治具１は半導体チップ４が完全
に覆われる構造ではなく一部を基板５に固定する構造で
もかまわない。 【００４８】次に第１の実施例の接続工程を図４〜図１
０を参照して説明する。まず、図４に示す半導体チップ
４の接続用パッド８上に図５に示すようにＡｕの合金や
Ｓｎ／Ｐｂ等のはんだ材料からなる金属製バンプ７を形
成する。 【００４９】次に、Ａｕ／Ｓｉ合金等の金属からなる接
合材料９またはＡｇ等の金属やＢＮ等の熱伝導性に優れ
たセラミックスを多量に含有した樹脂からなる接合材料
９を図６に示すように接続用治具１に塗布あるいは配置
する。またこのとき接合材料９として使用される樹脂は
金属あるいはセラミックスを含有するため通常の樹脂単
体よりも熱伝導率が低い樹脂を使用する。 【００５０】次に、図５でバンプ７を形成した半導体チ
ップ４を図７に示すように接続用治具１の接合材料９上
に配置し、接合材料の溶融温度まで加熱しながら加圧し
半導体チップ４の裏面と接続用治具１を接着する。 【００５１】さらに、図８のように半導体チップ４を接
着した接続用治具１を半導体チップ４上のＡｕあるいは
Ａｕの合金またははんだ材料からなる金属製バンプ７が
下向きになるように吸着治具１１を用いて接続用漁具１
を吸着固定して基板５上のＡｕ、Ｃｕ等の金属からなる
接続用パッド８と金属製バンプ７の位置を合わせて配置
する。 【００５２】このとき接続用治具１の端部と基板５上の
Ａｕ、Ｃｕ等の金属からなる治具固定用パッド２の位置
も一致する構造にしておく。さらにＳｎ／Ｐｂ等のはん
だ材料３を、接続治具１の端部、または基板５上の治具
固定用パッド２に供給しておく。 【００５３】次に、図９に示すように吸着治具１１を用
いて接続用治具１を吸着固定したまま接続用治具１の端
部を基板５上の接続用パッド２と接触させ加圧を行いな
がら加熱冶具１２を用いてはんだ材料３を加熱溶融して
接続治具１と基板５を接合する。この場合、他の加熱装
置（図示せず）を用いて基板５を加熱し、はんだ材料３
を溶融しても良い。また、このとき加圧を同時に行って
いるため金属製バンプ７と基板５上の接続用パッド８が
圧接されたまま接続冶具１と基板５が接合し固着される
（図１０）。 【００５４】次に本発明の第２の実施例を図面を参照し
て説明する。図２は第２の実施例を示す断面図である。
図１の第１の実施例と異なり接続用治具１の端部と基板
５の治具固定用パッド２の接続部にはんだ材料３を用い
ずに電気溶接によって接続用治具１の端部と基板５の治
具固定用パッド２が接合された構造となっている。この
とき接続用治具１および基板５の治具固定用パッド２は
コバール等の電気溶接での溶融接合に適した金属で形成
されている。その他の構成については第１の実施例と同
様である。 【００５５】次に第２の実施例の接続工程を説明する。
この第２の実施例では、はんだ材料３を使用しないため
加熱拾具１２による加熱の代わりに電極ツール１３を用
いて電気溶接を行う。この場合、図１１に示したように
電極ツール１３を用いてコバール等からなる接続用治具
１の端部と基板５上のコバール等の金属からなる治具固
定用パッド２に電気を流し電気溶接を行う。そのため、
第１の実施例のようなはんだ材料３は必要なく、接続後
は図２に示したように接続用治具１の端部と治具固定用
パッド２が直接に溶融接合されることになる。 【００５６】次に、第３の実施例を図面を参照して説明
する。図３は第３の実施例をあらわす断面図である。接
続用治具１を用いて半導体チップ４を基板５と接続して
いる点は第１及び第２の実施例と同様である。しかし第
３の実施例においては半導体チップ４と基板５の間を熱
硬化型の樹脂１０で封止されている点が第１及び第２の
実施例と異なる。 【００５７】また、図３では接続用治具１と基板５との
接合にはんだ材料３を用いているが、策２の実施例のよ
うにはんだ材料を使用せず電気溶接で接続を行う構造で
も良い。このとき使用される接続用治具１の形状は図１
５に示すような半導体チップ４全体を覆う形状でも、図
１６に示すような接続用治具１の側面などが露出した形
状でもかまわない。 【００５８】次に第３の実施例の接続工程を図１２〜図
１３を用いて説明する。図１２、１３、１４は第１の実
施例の接続工程をあらわす図８、９、１０の代替となる
工程を示す。第３の実施例では半導体チップ４を接着し
た接続用治具１を基板５に接合する際に、図１２に示す
ようにあらかじめ基板５上にエポキシ系、シリコーン系
等の熱硬化型の樹脂１０を供給する。 【００５９】また接続用冶具１と基板５が接合され半導
体チップ４上の電極６に形成された金属製バンプ７と基
板５の接続用パッド８が接続された際に、半導体チップ
４と基板５の間が樹脂１０で充填されるために十分な樹
脂量を供給しておく。 【００６０】次に、図１３に示されるように、接続用冶
具１を吸着治具１１を用いて固定、加圧しながら加熱治
具１２で接続用治具１の端部を基板５上の治具固定用パ
ッドに接合する。それにより図１４に示されるように半
導体チップ４が接続用治具を用いて基板に固定される。 【００６１】ここで、接続用治具１を基板５に固定する
方法としては第２の実施例のように電気溶接を用いても
良い。また、接続用治具１の形状が半導体チップ４を完
全に覆う構造では無い場合、樹脂１０の供給は接続用治
具１を基板５に接合するときではなく、接続用治具１を
基板５に接続した後で樹脂１０を流し込んでもかまわな
い。 【００６２】 【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
半導体チップを接続用治具に固定し、接続用治具を基板
に固定する力を用いて半導体チップの電極に形成された
金属製バンプと基板の接続用パッドが圧接される。その
ため温度が上昇しても半導体チップの電極に形成された
金属製バンプと基板の接続用パッドとの接続が離れない
ため電気的な接続不良が発生することがなく、信頼性の
高い接続が得られる。 【００６３】また、半導体チップを接続用治具に接合し
ているため、ヒートシンク等の放熱装置を取り付ける際
に半導体チップに直接放熱装置を取り付ける必要がなく
半導体チップに直接無理な力が加わることがない。 【００６４】さらに、半導体チップを金属等からなる接
続用治具に金属合金等の熱伝導性に優れた材料を用いて
接合できるため、放熱性に優れた半導体装置を提供する
ことが可能である。 【００６５】また接続用治具で半導体チップを完全に覆
う形状にすることで、電磁波のシールド効果を得ること
もできる。
【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の第１の実施の形態を示した断面図であ
る。 【図２】本発明の第２の実施の形態を示した断面図であ
る。 【図３】本発明の第３の実施の形態を示した断面図であ
る。 【図４】本発明の第１の実施の形態の接続工程を示した
工程図である。 【図５】本発明の第１の実施の形態の接続工程を示した
工程図である。 【図６】本発明の第１の実施の形態の接続工程を示した
工程図である。 【図７】本発明の第１の実施の形態の接続工程を示した
工程図である。 【図８】本発明の第１の実施の形態の接続工程を示した
工程図である。 【図９】本発明の第１の実施の形態の接続工程を示した
工程図である。 【図１０】本発明の第１の実施の形態の接続工程を示し
た工程図である。 【図１１】本発明の第２の実施の形態の接続工程を示し
た工程図である。 【図１２】本発明の算３の実施の形態の接続工程を示し
た工程図である。 【図１３】本発明の算３の実施の形態の接続工程を示し
た工程図である。 【図１４】本発明の算３の実施の形態の接続工程を示し
た工程図である。 【図１５】本発明の接続用治具を示した斜視図である。 【図１６】本発明の他の接続用治具を示した斜視図であ
る。 【図１７】従来の接続構造を示した断面図である。 【符号の説明】 １ 接続用治具 ２ 治具固定用パッド ３ はんだ材料 ４ 半導体チップ ５ 基板 ６ 電極 ７ 金属製バンプ ８ 接続用パッド ９ 接合材料 １０ 樹脂 １１ 吸着治具 １２ 加熱治具 １３ 電極ツール

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 【請求項１】 半導体チップをあらかじめ接続用冶具に
    固定し、その接続用治具を基板に接合することにより半
    導体チップ上に形成した金属バンプと基板の接続用パッ
    ドを圧接して接続したことを特徴とする半導体装置接続
    構造。 【護求項２】 接続用治具と基板との接合にはんだ材料
    を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置接
    続構造。 【請求項３】 接続用治具と基板との接合に電気溶接を
    用いることを特徴とする請求項１記載の半導体装置接続
    構造。 【請求項４】 半導体チップと基板との間に樹脂を充填
    することを特徴とする請求項１から３記載の半導体装置
    接続構造。 【請求項５】 半導体チップを接続用治具で完全に覆う
    ことを特徴とする請求項１記載の半導体装置接続構造。 【請求項６】 接続用冶具を金属又は金属を含む高熱伝
    導性材料で構成してあることを特徴とする、請求項１〜
    ５記載の半導体装置接続構造。 【請求項７】 半導体チップを基板に接続する際に接続
    用冶具を用いて行う半導体装置の接続方法であって、半
    導体チップの電極に予め金属バンプを設けておく工程
    と、半導体チップを接続用冶具にあらかじめ固定する工
    程と、その接続用治具を基板に接合することにより半導
    体チップ上に形成した金属バンプと基板の接続用パッド
    を圧接して接続する工程とを含む、半導体装置の接続方
    法。 【護求項８】 接続用治具と基板との接合にはんだ材料
    を用いることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の
    接続方法。 【請求項９】 接続用治具と基板との接合に電気溶接を
    用いることを特徴とする請求項７記載の半導体装置の接
    続方法。 【請求項１０】 半導体チップと基板との間に樹脂を充
    填することを特徴とする請求項７〜９に記載の半導体装
    置の接続方法。 【請求項１１】 半導体チップを接続用治具で完全に覆
    うことを特徴とする請求項７記載の半導体装置の接続方
    法。
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