JPH0521640A - Icチツプ搭載用基板およびicチツプの搭載方法 - Google Patents
Icチツプ搭載用基板およびicチツプの搭載方法Info
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- JPH0521640A JPH0521640A JP19577491A JP19577491A JPH0521640A JP H0521640 A JPH0521640 A JP H0521640A JP 19577491 A JP19577491 A JP 19577491A JP 19577491 A JP19577491 A JP 19577491A JP H0521640 A JPH0521640 A JP H0521640A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/73204—Bump and layer connectors the bump connector being embedded into the layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
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- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 小面積でICチップを実装でき、適用できる
ICチップに制限がなく汎用性があり、コスト的に有利
なICチップ搭載用基板とICチップの搭載方法を提供
する。 【構成】 第1の発明のICチップ搭載用基板は、搭載
するICチップ4の接続パッド5に対向する位置に、電
気絶縁性高分子フィルム11を貫通して突起電極12が
設けられ、突起電極12は接続パッド5側に突出し、反
対側は電気絶縁性高分子フィルム11の面上に形成した
配線回路13に接続されており、第2の発明のICチッ
プの搭載方法は、上記突起電極12と接続パッド5とを
圧接して電気的に接続し、該ICチップ搭載用基板とI
Cチップ4とを接着剤16で固定するものである。
ICチップに制限がなく汎用性があり、コスト的に有利
なICチップ搭載用基板とICチップの搭載方法を提供
する。 【構成】 第1の発明のICチップ搭載用基板は、搭載
するICチップ4の接続パッド5に対向する位置に、電
気絶縁性高分子フィルム11を貫通して突起電極12が
設けられ、突起電極12は接続パッド5側に突出し、反
対側は電気絶縁性高分子フィルム11の面上に形成した
配線回路13に接続されており、第2の発明のICチッ
プの搭載方法は、上記突起電極12と接続パッド5とを
圧接して電気的に接続し、該ICチップ搭載用基板とI
Cチップ4とを接着剤16で固定するものである。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、ICチップをプリント
回路基板上に直接搭載して接続するICチップ搭載用基
板およびICチップの搭載方法に関し、特にフレキシブ
ルプリント回路基板(FPC)の上にICチップを直接
搭載接続し、液晶表示装置(LCD)とプリント配線板
(PCB)の電気的接続等に有用なICチップ搭載用基
板に係る。
回路基板上に直接搭載して接続するICチップ搭載用基
板およびICチップの搭載方法に関し、特にフレキシブ
ルプリント回路基板(FPC)の上にICチップを直接
搭載接続し、液晶表示装置(LCD)とプリント配線板
(PCB)の電気的接続等に有用なICチップ搭載用基
板に係る。
【0002】
【従来の技術】半導体および半導体関連技術の進歩によ
リ、各種電子機器、例えばワープロ、パソコン、メモリ
ーカードなどがコンパクト化し、多数のICチップがこ
れらの電子機器に使用されている。ICチップを高密度
に回路基板上に搭載できるようになった実装技術の進歩
が今日の電子機器の高集積化、軽量化、コンパクト化に
貢献しているのは周知のとおりである。ICチップを回
路基板等に搭載する方法としては、ワイヤボンディン
グ方式、フリップチップ方式、テープ・オートメー
テッド・ボンディング(TAB)方式が、従来から使用
されている。
リ、各種電子機器、例えばワープロ、パソコン、メモリ
ーカードなどがコンパクト化し、多数のICチップがこ
れらの電子機器に使用されている。ICチップを高密度
に回路基板上に搭載できるようになった実装技術の進歩
が今日の電子機器の高集積化、軽量化、コンパクト化に
貢献しているのは周知のとおりである。ICチップを回
路基板等に搭載する方法としては、ワイヤボンディン
グ方式、フリップチップ方式、テープ・オートメー
テッド・ボンディング(TAB)方式が、従来から使用
されている。
【0003】ワイヤボンディング方式はICチップの
接続パッドと回路基板の配線電極とをAu、Al等のワ
イヤで接続する方法であり、フリップチップ方式はI
Cチップをフェースダウンで回路基板に搭載する方法で
あり、TAB方式は高分子フィルム上に銅箔で配線回
路を形成し、このリード部分とICチップの接続パッド
とをバンプを介して電気的に接続するものである。例え
ば図3に示すように、高分子フィルム1上に配線回路2
を形成したTABテープ3の配線回路2のリード部分
に、ICチップ4の接続パッド5をバンプ6を介して接
続し、この配線回路2を7のLCDと8のPCBのそれ
ぞれの外部電極9、10に接続する。
接続パッドと回路基板の配線電極とをAu、Al等のワ
イヤで接続する方法であり、フリップチップ方式はI
Cチップをフェースダウンで回路基板に搭載する方法で
あり、TAB方式は高分子フィルム上に銅箔で配線回
路を形成し、このリード部分とICチップの接続パッド
とをバンプを介して電気的に接続するものである。例え
ば図3に示すように、高分子フィルム1上に配線回路2
を形成したTABテープ3の配線回路2のリード部分
に、ICチップ4の接続パッド5をバンプ6を介して接
続し、この配線回路2を7のLCDと8のPCBのそれ
ぞれの外部電極9、10に接続する。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】これらの方法はそれぞ
れの利点や用途に応じて使用されているが、以下のよう
な問題がある。すなわち、ワイヤボンディング方式で
は電極間をワイヤで1本づつ接続するために煩雑で時間
と費用がかかり、搭載部分の面積や体積が大きく大型で
多ピンのICチップに対応しきれない。
れの利点や用途に応じて使用されているが、以下のよう
な問題がある。すなわち、ワイヤボンディング方式で
は電極間をワイヤで1本づつ接続するために煩雑で時間
と費用がかかり、搭載部分の面積や体積が大きく大型で
多ピンのICチップに対応しきれない。
【0005】TAB方式ではICチップ上にバリヤメ
タルを介してバンプを形成するのでICチップに汎用性
がなく、バンプ付きICチップの入手が困難で、バンプ
形成コストが高価であり、ICチップメーカーがバンプ
形成技術および装置をもっていれば容易にバンプ形成し
たICチップを入手できるが、自社でこれらの技術と装
置を導入するには膨大な時間や費用が必要、という問題
があった。
タルを介してバンプを形成するのでICチップに汎用性
がなく、バンプ付きICチップの入手が困難で、バンプ
形成コストが高価であり、ICチップメーカーがバンプ
形成技術および装置をもっていれば容易にバンプ形成し
たICチップを入手できるが、自社でこれらの技術と装
置を導入するには膨大な時間や費用が必要、という問題
があった。
【0006】またフリップチップ方式は、実装面積が
一番小さくできる利点があるものの、ICチップにバン
プを形成する必要があるのでTAB方式と同様の問題が
あり、さらにウエハ状態でICチップの電気検査を行っ
たのみでチップを回路基板に搭載するために、不良チッ
プの検出とこのリペア性が問題になっている。
一番小さくできる利点があるものの、ICチップにバン
プを形成する必要があるのでTAB方式と同様の問題が
あり、さらにウエハ状態でICチップの電気検査を行っ
たのみでチップを回路基板に搭載するために、不良チッ
プの検出とこのリペア性が問題になっている。
【0007】これらの方式の中ではフリップチップ方
式とTAB方式が主流となりつつあるが、その理由
は、高密度実装化や低コスト化という技術動向に起因す
るICチップサイズの大型化、接続パッド数の増加、接
続パッドの面積とピッチの縮小化等にワイヤボンディ
ング方式は対応しきれなくなりつつあるためである。
式とTAB方式が主流となりつつあるが、その理由
は、高密度実装化や低コスト化という技術動向に起因す
るICチップサイズの大型化、接続パッド数の増加、接
続パッドの面積とピッチの縮小化等にワイヤボンディ
ング方式は対応しきれなくなりつつあるためである。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は上記欠点に鑑
み、小面積でICチップを実装でき、適用できるICチ
ップに制限がなくあらゆるICチップを使用できるので
汎用性があり、ICチップにバンプを形成しないのでコ
スト的にも有利なICチップの搭載方法と、該搭載方法
に使用されるICチップ搭載用基板を提供しようとして
なされたもので、第1の発明は、搭載するICチップの
接続パッドに対向する位置に、電気絶縁性高分子フィル
ムを貫通して突起電極が設けられ、突起電極は接続パッ
ド側に突出し、反対側は電気絶縁性高分子フィルム面上
に形成した配線回路に接続されていることを特徴とする
ICチップ搭載用基板、第2の発明は、上記突起電極と
接続パッドとを圧接して電気的に接続し、上記ICチッ
プ搭載用基板とICチップとを接着剤で固定することを
特徴とするICチップの搭載方法を要旨とするものであ
る。上記ICチップ搭載用基板にICチップを搭載し、
電気絶縁性の接着剤で固定し、基板の配線回路を外部回
路部品、例えばLCDのガラス基板に設けた外部電極に
圧接すれば確実な電気的接続を行うことができる。
み、小面積でICチップを実装でき、適用できるICチ
ップに制限がなくあらゆるICチップを使用できるので
汎用性があり、ICチップにバンプを形成しないのでコ
スト的にも有利なICチップの搭載方法と、該搭載方法
に使用されるICチップ搭載用基板を提供しようとして
なされたもので、第1の発明は、搭載するICチップの
接続パッドに対向する位置に、電気絶縁性高分子フィル
ムを貫通して突起電極が設けられ、突起電極は接続パッ
ド側に突出し、反対側は電気絶縁性高分子フィルム面上
に形成した配線回路に接続されていることを特徴とする
ICチップ搭載用基板、第2の発明は、上記突起電極と
接続パッドとを圧接して電気的に接続し、上記ICチッ
プ搭載用基板とICチップとを接着剤で固定することを
特徴とするICチップの搭載方法を要旨とするものであ
る。上記ICチップ搭載用基板にICチップを搭載し、
電気絶縁性の接着剤で固定し、基板の配線回路を外部回
路部品、例えばLCDのガラス基板に設けた外部電極に
圧接すれば確実な電気的接続を行うことができる。
【0009】以下、本発明を図によって詳しく説明す
る。図1(a)は本発明のICチップ搭載用基板のIC
チップ側よりみた斜視図で、搭載するICチップ4の接
続パッド5に対向する位置において、電気絶縁性高分子
フィルム11を貫通し突起電極12を設ける。この突起
電極12は、電気絶縁性高分子フィルム11のICチッ
プ4を搭載した側の表面より突出し、裏面では(b)に
示すように、突起電極12をリード部分として配線回路
13が形成されている。(c)は(a)のX−X線に沿
う縦断面図である。図2は本発明のICチップ搭載用基
板にICチップ4を搭載し、外部回路部品14、15に
接続するときの縦断面図を示すもので、ICチップ4の
各接続パッド5をこれらに対向する突起電極12に圧接
し、ICチップ4とICチップ搭載用基板を接着剤16
で固定する。この結果各突起電極12は外部回路部品1
4、15のそれぞれの外部電極17、18に確実に接続
される。
る。図1(a)は本発明のICチップ搭載用基板のIC
チップ側よりみた斜視図で、搭載するICチップ4の接
続パッド5に対向する位置において、電気絶縁性高分子
フィルム11を貫通し突起電極12を設ける。この突起
電極12は、電気絶縁性高分子フィルム11のICチッ
プ4を搭載した側の表面より突出し、裏面では(b)に
示すように、突起電極12をリード部分として配線回路
13が形成されている。(c)は(a)のX−X線に沿
う縦断面図である。図2は本発明のICチップ搭載用基
板にICチップ4を搭載し、外部回路部品14、15に
接続するときの縦断面図を示すもので、ICチップ4の
各接続パッド5をこれらに対向する突起電極12に圧接
し、ICチップ4とICチップ搭載用基板を接着剤16
で固定する。この結果各突起電極12は外部回路部品1
4、15のそれぞれの外部電極17、18に確実に接続
される。
【0010】このICチップ搭載用基板を構成する電気
絶縁性高分子フィルムとしては、表面に形成される金属
製の配線回路を支持できるだけの機械的強度を有し、I
Cチップを搭載する際の加熱あるいは加圧によって熱変
形などを生じないこと、さらには該基板を製造する際の
熱的、機械的、化学的負荷に耐えられる性質が要求され
る。
絶縁性高分子フィルムとしては、表面に形成される金属
製の配線回路を支持できるだけの機械的強度を有し、I
Cチップを搭載する際の加熱あるいは加圧によって熱変
形などを生じないこと、さらには該基板を製造する際の
熱的、機械的、化学的負荷に耐えられる性質が要求され
る。
【0011】よって、本発明に好適な高分子フィルムと
しては、ポリエステルフィルム、ポリメチルメタクリレ
ートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアリレ
ートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィル
ム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルイミドフ
ィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエ
ーテルスルフォンフィルム、ポリパラバン酸フィルム等
が例示され、その厚さは、薄すぎるとハンドリング性が
低下して、本基板を作製する際の熱的負荷などに耐えら
れず、厚すぎると高分子フィルムを貫通する穴を作製し
たり、該穴に突起電極を形成するのに長時間を要するの
で5〜500μmの範囲、好ましくは10〜100μm
の範囲とするとよい。
しては、ポリエステルフィルム、ポリメチルメタクリレ
ートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリアリレ
ートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィル
ム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルイミドフ
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ーテルスルフォンフィルム、ポリパラバン酸フィルム等
が例示され、その厚さは、薄すぎるとハンドリング性が
低下して、本基板を作製する際の熱的負荷などに耐えら
れず、厚すぎると高分子フィルムを貫通する穴を作製し
たり、該穴に突起電極を形成するのに長時間を要するの
で5〜500μmの範囲、好ましくは10〜100μm
の範囲とするとよい。
【0012】上記高分子フィルムの表面に形成される配
線回路は、該基板に搭載されるICチップの接続パッド
に対向して配置される突起電極を介して、ICチップと
PCBやLCDのガラス基板等の外部回路部品を接続さ
れる回路であるから、良導電性の材料にする必要があ
り、配線用の金属材料としては一般にCuが多用されて
いるが、他の金属、例えばAu、Ag、Sn等でもよ
く、またCu表面にAu、Sn、ハンダなどのメッキを
施してもよい。この厚さは薄すぎると導電性の低下や断
線が生じ、逆に厚すぎると剛直になり取扱いが困難とな
ったり高コストになるので、5〜500μm、好ましく
は10〜200μmとすればよい。この配線回路の配線
パターンとしては、ICチップを接続する位置に近い端
部(以下インナーリードという)にはICチップの接続
パッドの配置パターンと同等のパターンを形成し、他方
の端部(以下アウターリードという)には本発明の基板
が接続される外部回路部品の外部電極パターンに合致す
る形状とする必要がある。
線回路は、該基板に搭載されるICチップの接続パッド
に対向して配置される突起電極を介して、ICチップと
PCBやLCDのガラス基板等の外部回路部品を接続さ
れる回路であるから、良導電性の材料にする必要があ
り、配線用の金属材料としては一般にCuが多用されて
いるが、他の金属、例えばAu、Ag、Sn等でもよ
く、またCu表面にAu、Sn、ハンダなどのメッキを
施してもよい。この厚さは薄すぎると導電性の低下や断
線が生じ、逆に厚すぎると剛直になり取扱いが困難とな
ったり高コストになるので、5〜500μm、好ましく
は10〜200μmとすればよい。この配線回路の配線
パターンとしては、ICチップを接続する位置に近い端
部(以下インナーリードという)にはICチップの接続
パッドの配置パターンと同等のパターンを形成し、他方
の端部(以下アウターリードという)には本発明の基板
が接続される外部回路部品の外部電極パターンに合致す
る形状とする必要がある。
【0013】突起電極は搭載するICチップの接続パッ
ドに対向する位置に配置し、かつ、配線回路のインナー
リードと電気的に接続させるものである。ICチップ搭
載用基板に突起電極を形成するには、高分子フィルムに
微小直径の穴を形成し、得られた穴に導電性の突起電極
を形成する。穴の直径はICチップの接続パッド間の距
離や接続パッドの面積により適宜選択するが、従来のI
Cチップの接続パッドの寸法は50〜100μm角以
下、接続パッド間のピッチは100〜200μmであ
る。このサイズに対応する穴を得るにはドリルなどで機
械的に穴明け加工するのは困難なので、高分子フィルム
にフォトレジストを使用してアルカリ水溶液や有機溶剤
によって穴部分をエッチング除去する方法や、レーザを
使用する方法で形成するのが好ましい。
ドに対向する位置に配置し、かつ、配線回路のインナー
リードと電気的に接続させるものである。ICチップ搭
載用基板に突起電極を形成するには、高分子フィルムに
微小直径の穴を形成し、得られた穴に導電性の突起電極
を形成する。穴の直径はICチップの接続パッド間の距
離や接続パッドの面積により適宜選択するが、従来のI
Cチップの接続パッドの寸法は50〜100μm角以
下、接続パッド間のピッチは100〜200μmであ
る。このサイズに対応する穴を得るにはドリルなどで機
械的に穴明け加工するのは困難なので、高分子フィルム
にフォトレジストを使用してアルカリ水溶液や有機溶剤
によって穴部分をエッチング除去する方法や、レーザを
使用する方法で形成するのが好ましい。
【0014】得られた穴に形成する突起電極は、配線用
回路とICチップの接続パッドとを電気的に接続するた
めのものであるから、良導電性であることが要求される
ので金属を使用するのが好ましく、使用できる金属材料
としてはAu、Ag、Cu、Ni、ハンダなどが例示で
き、メッキ法でこれらの金属を所望の突起電極の形状に
し、さらに必要に応じてICチップの接続パッドとの電
気的接続性を向上させるために、該突起電極の表面にハ
ンダなどの合金や導電性接着剤などを被覆させてもよ
い。該突起電極は高分子フィルムの表面から突出する必
要があるが、その理由は、ICチップの接続パッドとの
接続性を確実にするためで、突出寸法としては2μm以
上が必要である。突出寸法の上限は特に制限はないが5
0μm以下が好ましく、その理由は、突起寸法を大きく
すると、高分子フィルムに穴明け加工を施したり突起電
極を作製したりする際の時間やコストが増すためであ
る。
回路とICチップの接続パッドとを電気的に接続するた
めのものであるから、良導電性であることが要求される
ので金属を使用するのが好ましく、使用できる金属材料
としてはAu、Ag、Cu、Ni、ハンダなどが例示で
き、メッキ法でこれらの金属を所望の突起電極の形状に
し、さらに必要に応じてICチップの接続パッドとの電
気的接続性を向上させるために、該突起電極の表面にハ
ンダなどの合金や導電性接着剤などを被覆させてもよ
い。該突起電極は高分子フィルムの表面から突出する必
要があるが、その理由は、ICチップの接続パッドとの
接続性を確実にするためで、突出寸法としては2μm以
上が必要である。突出寸法の上限は特に制限はないが5
0μm以下が好ましく、その理由は、突起寸法を大きく
すると、高分子フィルムに穴明け加工を施したり突起電
極を作製したりする際の時間やコストが増すためであ
る。
【0015】ICチップ搭載用基板にICチップを接続
し固定するための電気絶縁性の接着剤は特に制限はな
く、熱可塑性でも熱硬化性でもよく、あるいは紫外線硬
化性の接着剤であっても、さらにこれらの接着剤の混合
体であってもよい。該接着剤は高分子樹脂を主成分とす
るもので、熱可塑性樹脂としてはスチレン−エチレン−
スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−ス
チレンブロック共重合体、熱可塑性ポリエステルエラス
トマーなど、熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂、ポリ
ウレタン樹脂など、紫外線硬化性樹脂としてはアクリル
樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの樹脂には
硬化性能、熱劣化、流動性などを向上させる目的で、必
要に応じて硬化剤、安定剤、可塑剤、フィラーなどを添
加してもよい。ただし、該接着剤はICチップの接続パ
ッドやICチップ表面のフォトレジストや絶縁皮膜と接
するので、これらの材料を劣化させたり、変質させるよ
うな成分の混入は極力抑える必要があるのは言うまでも
ない。
し固定するための電気絶縁性の接着剤は特に制限はな
く、熱可塑性でも熱硬化性でもよく、あるいは紫外線硬
化性の接着剤であっても、さらにこれらの接着剤の混合
体であってもよい。該接着剤は高分子樹脂を主成分とす
るもので、熱可塑性樹脂としてはスチレン−エチレン−
スチレンブロック共重合体、スチレン−ブタジエン−ス
チレンブロック共重合体、熱可塑性ポリエステルエラス
トマーなど、熱硬化性樹脂としてはエポキシ樹脂、ポリ
ウレタン樹脂など、紫外線硬化性樹脂としてはアクリル
樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられ、これらの樹脂には
硬化性能、熱劣化、流動性などを向上させる目的で、必
要に応じて硬化剤、安定剤、可塑剤、フィラーなどを添
加してもよい。ただし、該接着剤はICチップの接続パ
ッドやICチップ表面のフォトレジストや絶縁皮膜と接
するので、これらの材料を劣化させたり、変質させるよ
うな成分の混入は極力抑える必要があるのは言うまでも
ない。
【0016】本発明のICチップ搭載用基板にICチッ
プを搭載し固定する方法は、ICチップの接続パッドと
ICチップ搭載用基板の突起電極とを電気的に接続させ
た状態で、接着剤を加熱あるいは紫外線を照射して固定
するのであるが、接着剤層を予め付与しておいたICチ
ップ搭載用基板上にICチップを配置し、加圧して接続
パッドと突起電極を電気的に接続すると同時に加熱また
は紫外線を照射し固定してもよく、逆にICチップ側に
予め接着剤層を形成しておいてもよい。あるいはICチ
ップの接続パッドと突起電極とを加圧接続した後、その
間隙に液体状の接着剤を浸入させて固定してもよい。
プを搭載し固定する方法は、ICチップの接続パッドと
ICチップ搭載用基板の突起電極とを電気的に接続させ
た状態で、接着剤を加熱あるいは紫外線を照射して固定
するのであるが、接着剤層を予め付与しておいたICチ
ップ搭載用基板上にICチップを配置し、加圧して接続
パッドと突起電極を電気的に接続すると同時に加熱また
は紫外線を照射し固定してもよく、逆にICチップ側に
予め接着剤層を形成しておいてもよい。あるいはICチ
ップの接続パッドと突起電極とを加圧接続した後、その
間隙に液体状の接着剤を浸入させて固定してもよい。
【0017】
【実施例】(実施例1)厚さ25μmの銅箔からなる配
線回路を所望のパターンで一方の面に形成した厚さ50
μmのポリパラバン酸フィルムに、他方の面からYAG
レーザから発振されるレーザ光を光学レンズで集光して
照射し、搭載するICチップの接続パッドと対向する位
置に直径50μmの微細な穴を150個作製した後、ア
ルコールで穴明け時に生じたカスなどを除去しアルコー
ルを蒸発乾燥した。乾燥後、Niメッキ浴中に浸漬して
穴内部にNiを析出させ、さらにポリパラバン酸フィル
ム表面から20μm突出するまで突起電極を形成した
後、Niメッキ浴から取り出し、水洗および乾燥を行い
ICチップ搭載用基板を作製した。得られたICチップ
搭載用基板の突起電極とICチップの接続パッドとを対
向させて加圧接続した状態で、液状の紫外線硬化性樹脂
をICチップとICチップ搭載用基板の間隙に注入し紫
外線を照射して該紫外線硬化性樹脂を硬化し、ICチッ
プをICチップ搭載用基板に固定した。このようにして
得たICチップ搭載済み基板の電気的特性を評価するた
めに、150個の突起電極の接続抵抗を測定したところ
すべて100mΩ以下、隣接する突起電極間の絶縁抵抗
は1010Ω以上で、良好な電気的特性が得られた。
線回路を所望のパターンで一方の面に形成した厚さ50
μmのポリパラバン酸フィルムに、他方の面からYAG
レーザから発振されるレーザ光を光学レンズで集光して
照射し、搭載するICチップの接続パッドと対向する位
置に直径50μmの微細な穴を150個作製した後、ア
ルコールで穴明け時に生じたカスなどを除去しアルコー
ルを蒸発乾燥した。乾燥後、Niメッキ浴中に浸漬して
穴内部にNiを析出させ、さらにポリパラバン酸フィル
ム表面から20μm突出するまで突起電極を形成した
後、Niメッキ浴から取り出し、水洗および乾燥を行い
ICチップ搭載用基板を作製した。得られたICチップ
搭載用基板の突起電極とICチップの接続パッドとを対
向させて加圧接続した状態で、液状の紫外線硬化性樹脂
をICチップとICチップ搭載用基板の間隙に注入し紫
外線を照射して該紫外線硬化性樹脂を硬化し、ICチッ
プをICチップ搭載用基板に固定した。このようにして
得たICチップ搭載済み基板の電気的特性を評価するた
めに、150個の突起電極の接続抵抗を測定したところ
すべて100mΩ以下、隣接する突起電極間の絶縁抵抗
は1010Ω以上で、良好な電気的特性が得られた。
【0018】(実施例2)厚さ13μmの銅箔からなる
配線回路を所望のパターンで一方の面に形成した厚さ2
5μmのポリイミドフィルムの他方の面に、ポジタイプ
のレジスト膜を作製し、その上面に所定のパターン状に
直径80μmの貫通穴を形成した金属製のマスクを密着
させて紫外線を照射、露光した後、紫外線が照射された
穴部分のレジスト膜を除去し、さらに水酸化ナトリウム
水溶液中に浸漬し、穴部分のポリイミドフィルムを溶解
除去して直径80μmの穴を99個作製した。その後、
残部のポジタイプのレジスト膜を除去し、水洗洗浄し、
実施例1と同様にNiメッキ浴中でフィルム表面から1
0μm突出するまで突起電極を形成した後、Niメッキ
浴から取り出し、水洗および乾燥を行いICチップ搭載
用基板を作製した。得られたICチップ搭載用基板のI
Cチップ搭載面に、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤
層を設け、突起電極とICチップの接続パッドとを対向
させて加熱加圧して、ICチップをICチップ搭載用基
板に固定した。こうして得たICチップ搭載済み基板の
99個の突起電極の接続抵抗を測定したところ、すべて
100mΩ以下で、隣接する突起電極間の絶縁抵抗は1
010Ω以上であった。
配線回路を所望のパターンで一方の面に形成した厚さ2
5μmのポリイミドフィルムの他方の面に、ポジタイプ
のレジスト膜を作製し、その上面に所定のパターン状に
直径80μmの貫通穴を形成した金属製のマスクを密着
させて紫外線を照射、露光した後、紫外線が照射された
穴部分のレジスト膜を除去し、さらに水酸化ナトリウム
水溶液中に浸漬し、穴部分のポリイミドフィルムを溶解
除去して直径80μmの穴を99個作製した。その後、
残部のポジタイプのレジスト膜を除去し、水洗洗浄し、
実施例1と同様にNiメッキ浴中でフィルム表面から1
0μm突出するまで突起電極を形成した後、Niメッキ
浴から取り出し、水洗および乾燥を行いICチップ搭載
用基板を作製した。得られたICチップ搭載用基板のI
Cチップ搭載面に、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤
層を設け、突起電極とICチップの接続パッドとを対向
させて加熱加圧して、ICチップをICチップ搭載用基
板に固定した。こうして得たICチップ搭載済み基板の
99個の突起電極の接続抵抗を測定したところ、すべて
100mΩ以下で、隣接する突起電極間の絶縁抵抗は1
010Ω以上であった。
【0019】
【発明の効果】本発明は、ICチップをフェースダウン
で直接基板に搭載するため、搭載部分の面積や体積が小
さくてすみ、高密度実装化や低コスト化という技術動向
に起因するICチップサイズの大型化、接続パッド数の
増加、接続パッド間ピッチの縮小化、接続パッド面積の
縮小化などに対応可能である。さらにICチップ上にバ
ンプを形成する必要がないので適用できるICチップに
制限がなく、ICチップに汎用性があり、バンプつきI
Cチップの入手が困難という問題を解決し、ICチップ
にバンプを形成することによって生じるICチップの歩
留り低下およびそれに関連するコストアップがないとい
う有利性が得られる。
で直接基板に搭載するため、搭載部分の面積や体積が小
さくてすみ、高密度実装化や低コスト化という技術動向
に起因するICチップサイズの大型化、接続パッド数の
増加、接続パッド間ピッチの縮小化、接続パッド面積の
縮小化などに対応可能である。さらにICチップ上にバ
ンプを形成する必要がないので適用できるICチップに
制限がなく、ICチップに汎用性があり、バンプつきI
Cチップの入手が困難という問題を解決し、ICチップ
にバンプを形成することによって生じるICチップの歩
留り低下およびそれに関連するコストアップがないとい
う有利性が得られる。
【0020】また、本発明におけるICチップ搭載用基
板とICチップとは電気絶縁性の接着剤で固定するの
で、ICチップを搭載することが容易であり、押圧治具
やかしめ機構などの必要がないので薄型で小型な構造に
することができる。このようにしてICチップを搭載し
たICチップ搭載用基板のアウターリードを外部の回路
部品、例えばLCDのガラス基板やPCBなどに接続す
れば、ICチップとガラス基板上の外部電極とをコンパ
クトで確実に電気的に接続できるという優位性が得られ
る。
板とICチップとは電気絶縁性の接着剤で固定するの
で、ICチップを搭載することが容易であり、押圧治具
やかしめ機構などの必要がないので薄型で小型な構造に
することができる。このようにしてICチップを搭載し
たICチップ搭載用基板のアウターリードを外部の回路
部品、例えばLCDのガラス基板やPCBなどに接続す
れば、ICチップとガラス基板上の外部電極とをコンパ
クトで確実に電気的に接続できるという優位性が得られ
る。
【図1】(a)は本発明のICチップ搭載用基板のIC
チップ側よりみた斜視図、(b)は(a)の反対側より
みた斜視図、(c)は(a)のX−X線に沿う縦断面図
である。
チップ側よりみた斜視図、(b)は(a)の反対側より
みた斜視図、(c)は(a)のX−X線に沿う縦断面図
である。
【図2】本発明のICチップ搭載用基板にICチップを
搭載して接着剤で固定した状態の縦断面図である。
搭載して接着剤で固定した状態の縦断面図である。
【図3】従来のICチップの搭載方法の一例を示す縦断
面図である。
面図である。
1 高分子フィルム
2 配線回路
3 TABテープ
4 ICチップ
5 接続パッド
6 バンプ
7 LCD
8 PCB
9、10 外部電極
11 電気絶縁性高分子フィルム
12 突起電極
13 配線回路
14、15 外部回路部品
16 接着剤
17、18 外部電極
Claims (2)
- 【請求項1】 搭載するICチップの接続パッドに対向
する位置に、電気絶縁性高分子フィルムを貫通して突起
電極が設けられ、突起電極は接続パッド側に突出し、反
対側は電気絶縁性高分子フィルム面上に形成した配線回
路に接続されていることを特徴とするICチップ搭載用
基板。 - 【請求項2】 上記突起電極と接続パッドとを圧接して
電気的に接続し、上記ICチップ搭載用基板とICチッ
プとを接着剤で固定することを特徴とするICチップの
搭載方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19577491A JPH0521640A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Icチツプ搭載用基板およびicチツプの搭載方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP19577491A JPH0521640A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Icチツプ搭載用基板およびicチツプの搭載方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0521640A true JPH0521640A (ja) | 1993-01-29 |
Family
ID=16346747
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP19577491A Pending JPH0521640A (ja) | 1991-07-10 | 1991-07-10 | Icチツプ搭載用基板およびicチツプの搭載方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0521640A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288424A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
US6271058B1 (en) | 1998-01-06 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device in which semiconductor chip is mounted facedown on board |
-
1991
- 1991-07-10 JP JP19577491A patent/JPH0521640A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08288424A (ja) * | 1995-04-18 | 1996-11-01 | Nec Corp | 半導体装置 |
US6271058B1 (en) | 1998-01-06 | 2001-08-07 | Nec Corporation | Method of manufacturing semiconductor device in which semiconductor chip is mounted facedown on board |
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