JPH0964080A

JPH0964080A - 半導体装置及びその製造方法

Info

Publication number: JPH0964080A
Application number: JP21844795A
Authority: JP
Inventors: Akihiro Yaguchi; 昭弘矢口; Makoto Kitano; 誠北野; Tatsuya Nagata; 達也永田; Tetsuo Kumazawa; 鉄雄熊沢; Akira Haruta; 亮春田; Masahiro Ichitani; 昌弘一谷
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1995-08-28
Filing date: 1995-08-28
Publication date: 1997-03-07

Abstract

(57)【要約】【目的】従来の半導体装置と同様に、トランスファーモ
ールドによる封止ができ、一回のモールドで複数個の半
導体装置が製造できる高信頼で低コストのチップサイズ
に略等しい半導体装置を提供する。【構成】同一の部品が複数連続したリードフレームを半
導体素子１に固定し、半導体素子１の電極２とリード３
を電気的に接続し、リード３の半導体素子１への固定面
とは反対側の面に外部端子を格納する貫通穴９が形成さ
れた樹脂板８を接着することによってパッケージ表面に
凹部を形成し、リードフレームによって金型内に半導体
素子を保持し、樹脂板がパッケージ表面より露出するよ
うに樹脂封止してパッケージを形成し、凹部に外部端子
６を設ける【効果】従来の製造設備を利用した半導体装置の大量生
産が可能となり、半導体素子表面の露出面がなくなるの
で半導体装置の耐湿性が向上し、製造コストの増加を防
ぐことができるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ）を提
供できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体装置、特に樹脂封
止型の半導体装置に係り、外部端子を半導体素子の電極
形成面の面内に設け、かつ外部接続用端子を格納する凹
部をパッケージ表面に形成した構造の半導体装置及びそ
の製造方法に関する。また本発明は、パッケージの外形
寸法が半導体素子の外形寸法に極めて近い小型の半導体
装置及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置の高集積化が進むなかで、半
導体装置のパッケージサイズを半導体素子のサイズに近
づけようとする技術が開示されている。この方法には２
種類あり、一つはベアチップ実装と呼ばれるものであ
る。これは、半導体素子をプリント回路基板にバンプな
どによって直接接合し、樹脂で封止した構造になってい
る。

【０００３】もう一方の方法は、従来と同様に樹脂封止
したパッケージを極力半導体素子のサイズまで小さくす
る方法である。これは、一般にＣＳＰ（チップサイズパ
ッケージまたはチップスケールパッケージの略称）と呼
ばれている。ＣＳＰについては、例えば日経マイクロデ
バイス１９９５年６２６号「チップ・サイズ・パッケー
ジＣＳＰがユーザーの手元に」に紹介されている。

【０００４】ＣＳＰの構造の公知例としては、特開平６
−２２４２５９号公報において、スルーホールを設けた
セラミック基板に半導体素子を搭載し、セラミック基板
の反対側の面に電極を設け、プリント回路基板に実装す
る構造が記載されている。特開平６−５０４４０８号公
報では、半導体素子の電極形成面に柔軟材を介して外部
端子付きのテープを設け、外部端子と半導体素子の電極
を電気的に接続した構造が記載されている。更に、特開
平６−３０２６０４号公報では、半導体素子の電極形成
面に金属配線パターンを形成し、これに外部端子を設け
た構造のＣＳＰが記載されている。また、特開平６−１
３２４５３号公報では、半導体素子表面の電極形成面に
接着されたリードを電極と接続し、リードの一部をパッ
ケージの表面から露出させてプリント回路基板に実装す
る構造が記載されている。

【０００５】また、パッケージ表面に外部接続端子格納
用の凹部を形成した半導体装置の例が、特開平６−２６
８１０１号公報に記載されている。本公知例では、突起
を設けた樹脂封止用金型でリードフレームを挟んだ状態
で樹脂封止することによりパッケージ表面に凹部を形成
する技術が述べられている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術のうち、
特開平６−２２４２５９号公報、特開平６−５０４４０
８号公報、及び特開平６−３０２６０４号公報に記載さ
れている技術によると、パッケージ外形サイズが半導体
素子のサイズに殆ど等しいパッケージを得ることができ
る。しかしながら、いずれの場合も半導体装置の構造が
従来のリードフレームを用いたパッケージの構造に比べ
て複雑になり、更に半導体素子の電極と外部端子の接続
及び外部端子の形成などに従来用いていなかった技術の
開発が必要になる。このため、これらのパッケージは一
般的に製造コストが高くなる。

【０００７】特開平６−２２４２５９号公報及び特開平
６−５０４４０８号公報に記載されている技術では、半
導体素子の表面すべてが樹脂などにより覆われておら
ず、半導体素子がパッケージから露出しているので、半
導体装置内部に容易に水分が浸入し、半導体装置の耐湿
性を低下させる問題がある。また、これらの従来技術で
は、半導体素子を従来の半導体装置で広く用いられてい
るトランスファーモールド法による樹脂封止が困難であ
り、半導体装置の大量生産に対応できない問題がある。

【０００８】特開平６−２２４２５９号公報、特開平６
−５０４４０８号公報、及び特開平６−１３２４５３号
公報に記載されている半導体装置では、半導体素子の電
極形成面は樹脂材料で覆われており、電極形成面の反対
側の面はパッケージより露出しているため、温度変化が
加えられた際に内部に温度分布の不均一が生じ、パッケ
ージに反りが発生する問題がある。

【０００９】特開平６−１３２４５３号公報に記載され
ている技術では、パッケージ表面に複数のリードが極短
い間隔で横列に配置されているため、リードとプリント
回路基板をはんだにより接合する際に、横列したリード
同士がはんだにより接合される不良（はんだブリッジ不
良）が発生する問題がある。また、ＣＳＰの場合内部リ
ードが半導体素子の面内で引き回されるため、リード長
さが短くなり、リードを折り曲げ加工するのに必要な直
線部を形成することができない。このため、本公報に記
載されている技術では、実質的に、半導体素子の面内で
リードを折り曲げることが困難となり、パッケージサイ
ズを半導体素子のサイズに近づけることが困難になる。

【００１０】更に特開平６−２６８１０１号公報に記載
の技術では、金型に突起を設けてパッケージ表面に凹部
を形成するため、外部接続端子の配置が変わった場合
に、それに併せて突起の位置を変える必要があり、封止
金型の共通化を図ることができない。また、本公報に記
載の技術では、半導体素子の面内に外部接続端子格納用
の凹部を設けることが困難である。

【００１１】本発明は、従来の半導体装置製造技術によ
る生産することが可能で、トランスファーモールド法に
よる樹脂封止によって半導体素子の電極形成面の面内に
外部端子を形成することができ、一回の樹脂封止で複数
個のパッケージを製造することができるＣＳＰ型の半導
体装置及びその製造方法の提供を目的とする。更に本発
明は、外部端子の配置が樹脂封止用金型に制約されず、
自由に設定でき、パッケージの反り発生を低減する半導
体装置及びその製造方法の提供を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明における半導体装
置の製造方法では、上記目的を達成するため、以下のい
ずれかの方法を特徴とする。◆ （１）：表面に電極が形成された半導体素子と、電極と
電気的に接続する導電部材とを備え、これらを樹脂封止
してパッケージを構成し、パッケージ（半導体装置）表
面から導電部材に達する凹部を形成する工程を備える。

【００１３】（２）：（１）において、導電部材に接す
る貫通穴を有する部材によって前記凹部を形成する。
尚、貫通穴を有する部材は導電部材に接着するのが望ま
しい。（３）：（１）において、凹部へ樹脂を流入させずに樹
脂封止する工程を備える。◆ （４）：（１）から（３）において、凹部内部で導電部
材と外部接続用端子を接合する工程を備える。尚、外部
接続用端子ははんだで形成するのが望ましい。

【００１４】（５）：（１）から（４）において、半導
体素子を樹脂封止用治具内に吊る手段を設けて樹脂封止
を行う。◆ （６）：表面に電極が形成された半導体素子と、外部端
子と、電極と外部端子とを接続する導電部材とを備え、
これらを樹脂封止してパッケージを構成し、外部端子を
格納する凹部を形成する工程を備える。

【００１５】（７）：（６）において、導電部材に接す
る貫通穴を有する部材によって凹部を形成する。◆ （８）：（６）または（７）において、凹部へ樹脂を流
入させずに樹脂封止する工程を備える。◆ （９）：（６）から（８）において、半導体素子を樹脂
封止用治具内に吊る手段を設けて樹脂封止を行う。

【００１６】（１０）：表面に電極が形成された半導体
素子と、複数の外部端子と、電極と外部端子とを電気的
に接続する導電部材とを備え、これらを樹脂封止してパ
ッケージを構成し、貫通穴を有する部材を前記導電部材
に接着することによって前記外部端子を格納する凹部を
形成する工程と、前記凹部形成部材の一部分を金型表面
に接触させて樹脂封止する工程と、凹部内部で前記外部
端子と前記導電部材を接合する工程とを備える。

【００１７】（１１）：（１０）において、凹部形成部
材の厚さを、該部材が金型表面に接触する側のへこみ量
より大きくする。◆ （１２）：（１０）または（１１）において、半導体素
子を樹脂封止用治具内に吊る手段を設けて樹脂封止を行
う。

【００１８】（１３）：表面に電極が形成された半導体
素子と、複数の外部端子と、電極と外部端子とを電気的
に接続する導電部材とを備え、これらを樹脂封止してパ
ッケージを構成し、貫通穴が形成され、かつ貫通穴の少
なくとも一方の開口部を覆う膜状部材が形成された部材
を前記導電部材に接着する工程と、前記貫通穴を有する
部材の一部分を金型表面に接触させて樹脂封止する工程
と、樹脂封止後に前記膜状部材を除去することによって
外部端子を格納する凹部を形成する工程と、凹部内部で
前記外部端子と前記導電部材を接合する工程とを、備え
る。

【００１９】（１４）：（１３）において、膜状部材を
貫通穴を有する部材と一体に形成する。◆ （１５）：（１３）または（１４）において、半導体素
子を樹脂封止用治具内に吊る手段を設けて樹脂封止を行
う。

【００２０】（１６）：（１）から（１５）において、
導電部材をフレームで繋がった複数のリードで形成す
る。◆ （１７）：（１６）において、フレームを金型に挟んで
樹脂封止する。

【００２１】（１８）：（１）から（１５）において、
貫通穴を有する部材の延長部分を金型に挟んで樹脂封止
する。◆ （１９）：（１）から（１８）において、半導体素子側
面の樹脂厚さを０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下として
樹脂封止する。

【００２２】また、本発明における半導体装置は、上記
目的を達成するため、以下のいずれかの構成を特徴とす
る。

【００２３】（２０）：表面に電極が形成された半導体
素子と、電極と接続される導電部材とを備え、これらを
樹脂封止してパッケージを構成し、パッケージ表面から
導電部材に達する凹部を形成する。◆ （２１）：（２０）において、導電部材に接する複数の
貫通穴を有する部材によって凹部を形成する。◆ （２２）：（２０）または（２１）において、凹部内部
で導電部材と外部接続用端子を接合する。

【００２４】（２３）：（２２）において、外部接続用
端子の厚さを前記凹部の深さの２倍以上とする。◆ （２４）：（２０）から（２３）において、導電部材の
一部がパッケージ側面から外部に露出している。◆ （２５）：（２４）において、導電部材の一部を半導体
素子検査用の端子にする。◆ （２６）：（２０）から（２５）において、半導体素子
側面の樹脂厚さを０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下とす
る。

【００２５】（２７）：表面に電極が形成された半導体
素子と、複数のリードと、電極とリードを電気的に接続
する導通部材と、複数の外部端子とを備え、これらを樹
脂封止してパッケージを構成した半導体装置であって、
リードは電極が形成された半導体素子の表面に接着剤を
介して接着され、かつリードの一部分はパッケージ側面
から外部に露出しており、リードの前記半導体素子接着
面の反対側の面に接する複数の貫通穴を設けた部材によ
ってパッケージ表面に開口部を有する凹部を形成し、凹
部の内部に外部端子を格納して外部端子を前記リードに
接合し、凹部形成部材と外部端子の少なくとも一部分は
パッケージの外部に露出している。

【００２６】（２８）：（２７）において、導通部材を
金属材料からなるワイヤで形成する。◆ （２９）：（２７）または（２８）において、半導体素
子側面の樹脂厚さを０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下と
する。

【００２７】（３０）：表面に電極が形成された半導体
素子と、複数のリードが形成されたフィルム状部材と、
複数の外部端子とを備え、これらを樹脂で封止してパッ
ケージを構成し、フィルム状部材は前記電極が形成され
た半導体素子の表面に接着剤を介して接着し、前記リー
ドの一端が前記電極と接合され、前記フィルム状部材の
前記半導体素子接着面の反対側の面に接する複数の貫通
穴を設けた部材によって、パッケージ表面に開口部を有
する凹部を形成し、前記凹部の内部に前記外部端子を格
納して外部端子を前記リードに接合し、前記凹部形成部
材と前記外部端子の少なくとも一部分は前記パッケージ
の外部に露出している。

【００２８】（３１）：（３０）において、半導体素子
側面の樹脂厚さを０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下とす
る。◆ （３２）：（２７）から（３１）において、接着剤の弾
性係数を１０ＭＰａ以上、６０００ＭＰａ以下とする。

【００２９】（３３）：表面に電極が形成された半導体
素子と、複数のリードと、複数の外部端子とを備え、こ
れらを樹脂で封止してパッケージを構成し、前記リード
の一端が前記電極と接合され、リードの他端は前記パッ
ケージ側面から外部に露出しており、前記リードの前記
電極との接合面の反対側の面に接する複数の貫通穴を設
けた部材によって、パッケージ表面に開口部を有する凹
部を形成し、前記凹部の内部に前記外部端子を格納して
前記外部端子を前記リードに接合し、前記凹部形成部材
と前記外部端子の少なくとも一部分は前記パッケージの
外部に露出している。

【００３０】（３４）：（３３）において、半導体素子
側面の樹脂厚さを０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下とす
る。◆ （３５）：（３３）において、凹部形成部材が樹脂フィ
ルムからなる。◆ （３６）：（２０）から（３５）において、パッケージ
の平面寸法が、半導体素子の平面寸法に０．２ｍｍ以
上、１．０ｍｍ以下を足した寸法であり、パッケージの
厚さが半導体素子の厚さの０．６ｍｍ以上、０．７ｍｍ
以下を足した寸法である。

【００３１】更に本発明の半導体実装モジュールは、次
のいずれかの態様を特徴とする。◆ （３７）：表面に電極が形成された半導体素子と、半導
体素子の電極形成面に接着され、その一部がパッケージ
側面から露出したリードと、パッケージ表面からリード
まで達する凹部とを有し、これらを樹脂で封止してパッ
ケージを構成した半導体装置を、前記凹部内に設けた接
合部材によってプリント回路基板に実装してなること。

【００３２】（３８）：表面に電極が形成された半導体
素子と、電極と電気的に接続される導電部材と、パッケ
ージ表面から導電部材まで達する凹部とを有し、これら
を樹脂で封止してパッケージを構成実した半導体装置
を、前記凹部内に設けた接合部材によって、プリント回
路基板に実装してなること。

【００３３】

【作用】上記（１）による半導体装置の製造方法では、
半導体素子の電極形成面の面内に外部接続用の端子を設
けることができる。そして上記（２）の方法では、半導
体素子の電極形成面の面内に外部接続用の端子を設ける
ことができ、外部端子を格納する凹部の形成を特殊なト
ランスファーモールド金型を用いることなく行うことが
できる。更に上記（３）では、従来のトランスファーモ
ールド法による樹脂封止が可能になり、上記（４）で
は、外部端子に球状のはんだを使用することができる。
また上記（５）では、トランスファーモールド法による
樹脂封止が可能で、一度の樹脂封止で複数個のパッケー
ジを製造可能である。

【００３４】上記（６）による製造方法では、半導体素
子の電極形成面の面内に外部接続用の端子を設けること
ができ、上記（７）によれば、半導体素子の電極形成面
の面内に外部接続用の端子を設けることができ、外部端
子を格納する凹部の形成を特殊なトランスファーモール
ド金型を用いることなく行うことができる。そして上記
（８）によれば、トランスファーモールド法による樹脂
封止が可能になる。更に上記（９）によれば、トランス
ファーモールド法による樹脂封止が可能で、一度の樹脂
封止で複数個のパッケージを製造できる。また、樹脂封
止後に半導体素子や導電部材のパッケージ表面からの露
出を防止できる。

【００３５】上記（１０）による製造方法では、外部端
子を格納する凹部の形成を特殊なトランスファーモール
ド金型を用いることなく行うことができ、上記（１１）
により、凹部形成部材と金型表面との密着をより強固に
でき、更に上記（１２）により、トランスファーモール
ド法による樹脂封止が可能で、一度の樹脂封止で複数個
のパッケージを製造できる。また、樹脂封止後に半導体
素子や導電部材のパッケージ表面からの露出を防止でき
る。

【００３６】上記（１３）の製造方法では、外部端子を
格納する凹部の形成を特殊なトランスファーモールド金
型を用いることなく行うことが可能であり、上記（１
４）では、半導体装置製造工程での部品点数を減らすこ
とができ、上記（１５）では、トランスファーモールド
法による樹脂封止が可能で、一度の樹脂封止で複数個の
パッケージを製造できる。また、樹脂封止後に半導体素
子や導電部材のパッケージ表面からの露出を防止でき
る。更に、上記（１６）では、従来構造の半導体装置と
同様に、同一部品が複数個連続して形成されたリードフ
レームを用いて樹脂封止することができる。また、上記
（１７）では、半導体素子などのパッケージ構成部材を
トランスファーモールド用金型内に所定の位置から動か
ないように固定することができ、樹脂封止後に半導体素
子や導電部材のパッケージ表面からの露出を防止でき
る。上記（１８）では、半導体素子などのパッケージ構
成部材をトランスファーモールド用金型内に所定の位置
から動かないように固定することができ、また、樹脂封
止後に半導体素子や導電部材のパッケージ表面からの露
出を防止できる。更に、上記（１９）では、半導体素子
側面のレジン厚を０．１ｍｍ以上として樹脂封止するこ
とで、半導体素子側面に樹脂を充填させることができ、
また、前記レジン厚を１．０ｍｍ以下にすることによっ
て、半導体素子などのパッケージ構成部材を金型内に固
定する十分な強度を確保することができる。

【００３７】上記（２０）では、トランスファーモール
ドによるパッケージ形成ができ、半導体素子の表面を実
質的に封止樹脂で覆うことができる。また、半導体素子
の電極形成面の面内に外部接続用の端子を設けることが
できる。上記（２１）では、外部端子を格納する凹部の
形成を特殊なトランスファーモールド金型を用いること
なく行うことができる。そして上記（２２）では、外部
端子に球状のはんだを使用することができ、上記（２
３）では、半導体装置を外部端子で外部のプリント基板
に実装した後に、温度変化によって外部端子に生じる熱
ひずみを低減することができる。また、上記（２４）で
は、導電部材の一部を放熱用部材、或いは第２の外部接
続端子として使用することができ、上記（２５）では、
半導体装置をプリント基板に実装した後でも半導体素子
の検査をすることができ、上記（２６）では、チップサ
イズに略等しいサイズのパッケージが得られる。

【００３８】上記（２７）による半導体装置では、トラ
ンスファーモールドによるパッケージ形成ができ、半導
体素子の表面を実質的に封止樹脂で覆うことができる。
また、半導体素子の電極形成面の面内に外部接続用の端
子を設けることができる。そして上記（２８）では、電
極とリードの電気的接続に従来の半導体装置の製造で広
く用いられているワイヤボンディング装置を利用でき
る。更に（２９）では、チップサイズに略等しいサイズ
のパッケージが得られる。

【００３９】上記（３０）では、トランスファーモール
ドによるパッケージ形成ができ、半導体素子の表面を実
質的に封止樹脂で覆うことができる。また、半導体素子
の電極形成面の面内に外部接続用の端子を設けることが
できる。そして上記（３１）では、チップサイズに略等
しいサイズのパッケージが得られる。更に上記（３２）
では、半導体装置を外部端子で外部のプリント基板に実
装した後に、温度変化によって外部端子に生じる熱ひず
みを低減することができる。

【００４０】上記（３３）による半導体装置では、トラ
ンスファーモールドによるパッケージ形成ができ、半導
体素子の表面を実質的に封止樹脂で覆うことができる。
また、半導体素子の電極形成面の面内に外部接続用の端
子を設けることができる。更に、導電部材の一部を放熱
用部材として使用することができる。そして上記（３
４）では、チップサイズに略等しいサイズのパッケージ
が得られ、上記（３５）では、半導体素子の電極とリー
ドとの接続に、従来の半導体装置の製造で用いられてい
るＴＡＢ（テープ・オートメイデッド・ボンディングの
略称）技術を利用することができる。更に上記（３６）
により、チップサイズに略等しいサイズのパッケージが
得られる。

【００４１】上記（３７）による半導体実装モジュール
では、はんだブリッジが生じにくく、プリント基板から
の半導体装置の取り外しが容易になる。また、温度変化
によって半導体装置とプリント基板の接合部に発生する
熱ひずみを低減することができる。また上記（３８）に
よる半導体実装モジュールでは、はんだブリッジが生じ
にくく、プリント基板からの半導体装置の取り外しが容
易になる。また、温度変化によって半導体装置とプリン
ト基板の接合部に発生する熱ひずみを低減することがで
きる。

【００４２】

【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。◆図１は、本発明による半導体装置の第１実施例を
示す断面図であり、図２は図１に示した半導体装置の一
部分の封止樹脂を取り除いた平面図である。

【００４３】図において、半導体素子１の電極２形成面
１ａには、リード３が絶縁性接着剤４によって接着され
ており、半導体素子１の電極２とはワイヤ５により電気
的に接続されている。リード３の電極形成面１ａとの接
着面３ａの反対側の面３ｂには、貫通穴９が設けられた
樹脂板８が接着剤７を介して接着されており、貫通穴９
の一方の開口部が存在する面８ａをパッケージ１１表面
に露出させることで外部端子６を格納する凹部１７を形
成している。また、リード３の電極形成面１ａとの接着
面３ａの反対側の面３ｂには、半導体素子と外部との電
気的接続手段となる金属製の外部端子６が接続されてい
る。これら外部端子６の一部分は、パッケージ１１表面
に形成された凹部１７内部に設けられている。本実施例
の外部端子６は、球状のはんだを凹部１７内部でリード
３に接合することにより形成されている。

【００４４】本実施例に示した半導体装置は、半導体素
子１、リード３、絶縁性接着剤４、ワイヤ５、及び樹脂
板８を封止樹脂１０によって封止してパッケージ１１を
形成しているが、リード３の一部分はパッケージ１１の
側面１１ａより露出している。外部端子６はパッケージ
の下面１１ｂ側であって、半導体素子１の電極形成面１
ａの面内に設けられており、パッケージ１１の長手方向
に沿って２列の縦列に配置されている。また、外部端子
６の一部分はパッケージ１１の外部に球面を呈して突出
しており、半導体装置を実装する回路基板と接続できる
ようになっている。

【００４５】凹部１７には、図１に例示するように、パ
ッケージ下面１１ｂ側の径がリード３に接触している側
の径より大きくなるようなテーパを付けるのが望まし
い。このようなテーパを付けることによって、球状のは
んだを凹部に入れ易くなり、外部端子６の形成作業が容
易になる。

【００４６】外部端子６の材料には、表面実装型半導体
装置の実装に広く用いられているはんだ（例えば、Ｐｂ
−Ｓｎ系共晶はんだ）を用いるのが望ましい。この場
合、リード３の外部端子６の接合部分に、はんだメッ
キ、Ｎｉ（ニッケル）メッキ或いはＳｎ（錫）メッキな
どの表面処理を施すことが望ましい。また、樹脂板８の
貫通穴９の内部にもはんだメッキ、Ｎｉ（ニッケル）メ
ッキあるいはＳｎ（錫）メッキなどの表面処理を施して
も良い。

【００４７】接着剤４及び７には、ポリイミド、エポキ
シ、シリコーンなどを主成分とする樹脂から選択した絶
縁性材料を使用する。特に半導体素子１にリード３を接
着する接着剤４には、弾性係数が１０ＭＰａ以上、６０
００ＭＰａ以下の材料を使用する。接着剤４の弾性係数
を前記の範囲に設定することによって、接着剤４がリー
ド３の接着時に接着剤の形状が安定する（接着剤の流れ
出しがない）とともに良好な接着性が得られ、また半導
体装置を回路基板に実装した後の温度変化の繰り返しに
よる外部端子と回路基板とのはんだ接合部の疲労破壊に
対する信頼性を向上することができる。これは、半導体
装置と、半導体装置を実装する回路基板との線膨張係数
差に起因してはんだ接合部に発生する熱ひずみを、接着
剤層が吸収して緩和するためである。接着剤４の厚さ
は、２０μｍ〜１００μｍの範囲に設定される。

【００４８】尚、接着剤４には、ポリイミド樹脂などか
らなるテープ状部材を基材とし、テープ状部材の両面に
上記の接着剤材料を塗布した部材を用いても良い。◆ま
た、樹脂板８は、電気的絶縁材料で、かつはんだの濡れ
ない材料から構成し、ポリイミド、エポキシ、シリコー
ン、ビスマレイミドトリアジンなどを主成分とする樹脂
から選択したフィルム状の部材を使用する。樹脂板８
は、ワイヤがパッケージ表面から露出しない厚さに選択
されるが、大体５０μｍから１５０μｍの厚さのものを
使用する。

【００４９】ワイヤには直径１０〜３０μｍのＡｕ
（金）、Ａｇ（銀）、Ｃｕ（銅）、あるいはＡｌ（アル
ミ）などの材料からなる細線を使用する。◆リード３
は、例えばＦｅ−Ｎｉ合金（鉄−ニッケル合金、Ｆｅ−
４２Ｎｉなど）、Ｃｕ（銅）合金などにより形成され、
その厚さは０．１ｍｍから０．２ｍｍ程度である。◆封
止樹脂１０には、例えばフェノール系硬化剤、シリコー
ンゴム及びフィラー（溶融石英、最大粒径７０μｍ程
度）などが添加されたエポキシ系樹脂を使用する。

【００５０】本実施例に示した半導体装置は、図３に示
すようにパッケージ１１の外部端子形成面（下面）１１
ｂ側を回路基板１２に対向させて実装される。外部端子
６を、それぞれの外部端子が対応する回路基板１２上の
電極１３の上に配置し、外部端子６と回路基板の電極１
３を接合することによって、半導体装置と回路基板との
電気的接続を行う。外部端子６がはんだ材料からなる場
合は、回路基板１２への載置後に外部端子６自体を溶融
させて回路基板１２の電極１３と接合させる。外部端子
６がはんだ以外の材料（例えばＣｕ、Ｎｉ）で形成され
ている場合は、はんだ材料を接合部に供給（印刷法など
により）し、はんだを溶融させて接合を行う。なお、外
部端子６と回路基板１２の電極１３を接合する場合は、
フラクッスを用いるなど、はんだの濡れ性を向上させる
ことが望ましい。

【００５１】図４は、凹部の深さ１７ａと外部端子６の
厚さ６ａの関係を示す本発明による半導体装置の第１実
施例の断面図である。図において、外部端子６の厚さ６
ａとは、リード３との接触部から外部端子６の先端まで
の半導体素子１の電極形成面１ａに垂直な方向の距離の
ことである。外部端子の厚さ６ａは、凹部１７ａの深さ
の２倍以上にすることが望ましい。このように設定する
ことによって、特に、外部端子６をはんだ材料で構成し
た場合、外部端子自体の高さをかせぐことができる。こ
れによって、半導体装置を回路基板に実装した後の温度
変化により、外部端子と回路基板とのはんだ接合部に生
じる熱ひずみを外部端子自体の変形により緩和すること
ができ、はんだ接合部の信頼性を向上することができ
る。

【００５２】図１及び図２に示した実施例では、半導体
素子１の電極２が電極形成面１ａの中央部に縦列に配置
された場合の半導体装置の例を示したが、電極２が電極
形成面１ａの周囲に配置された場合の半導体装置の例を
図５及び図６に示す。図５は、半導体装置の断面図であ
り、図６は図５に示した半導体装置の一部分の封止樹脂
を取り除いた平面図である。

【００５３】図５及び図６において、半導体素子１の電
極２は、半導体素子１の長辺側端部に形成されており、
半導体素子１の長辺側から中央部に延びたリード３とそ
れぞれワイヤ５によって接合されている。また、リード
３は電極形成面１ａの周囲に配置された電極２を覆わな
い位置に配置されている。電極２の形成場所及び電極２
とリード３の接合箇所が異なる以外、パッケージの構成
は図１に示した第１実施例による半導体装置と同じであ
る。

【００５４】また、図７は半導体素子１の電極が２が電
極形成面１ａの周囲に配置された場合の他の半導体装置
の例を示す一部分の封止樹脂を取り除いた平面図であ
る。◆図７において、半導体素子１の電極２は、半導体
素子１の長辺側端部に形成されており、半導体素子１の
短辺側からそれぞれ接続させる電極２の近傍まで延ばさ
れたリード３とワイヤ５によって接合されている。

【００５５】本実施例の半導体装置によれば、外部端子
が半導体素子の電極形成面の平面寸法内（面内）に位置
しているので、パッケージの外形サイズを半導体素子の
サイズに近づけることができ、ＣＳＰ型の半導体装置を
提供することができる。半導体素子１の側面の樹脂厚さ
１０ａを０．１ｍｍ以上とすれば、樹脂封止の際に樹脂
１０内に添加されているフィラーが詰まることなく充填
されるので樹脂封止が可能である。また樹脂厚さ１０ａ
を１．０ｍｍ以下とすることによって半導体素子１が樹
脂封止の際に金型内の所定の位置から動くことがなくな
り、半導体素子やワイヤがパッケージから露出すること
がなくなる。

【００５６】従って、半導体素子の平面寸法に１．０ｍ
ｍを足した寸法以下のパッケージを得ることができる。
また、本実施例の半導体装置は、従来の半導体装置と同
様に半導体素子の周囲を樹脂で覆うことができるので、
耐湿性などの信頼性を向上することができる。更に、半
導体素子の周囲がほぼ均等に封止樹脂で覆われているの
で、半導体装置の反りの発生を低減することができる。
更にまた、外部端子の周囲がはんだの濡れない（接合し
ない）材料で囲まれているので、半導体装置を回路基板
に実装する際に、はんだブリッジ不良が発生しずらくな
る。

【００５７】次に図１に示した第１実施例の半導体装置
の製造方法を図８（ａ）〜（ｆ）により説明する。◆図
８（ａ）は本実施例で用いる半導体素子１の断面図を示
す。半導体素子１の電極形成面１ａの中央には電極２が
形成されている。尚、半導体素子１の電極形成面１ａに
は、半導体素子１の回路を保護するための図示されてい
ない保護膜（パッシベーション）が、少なくとも電極２
のワイヤ接合部を除いて設けられている。

【００５８】図８（ｂ）に示すように、半導体素子１の
電極形成面１ａに絶縁性接着剤４を介してリード３を接
着する。リード３の半導体素子１との接着面の反対側の
面３ｂには、パッケージ形成後に外部端子を格納する凹
部となる貫通穴９が設けられた樹脂板８が接着剤７によ
り接着されている。リード３は図９に例示するように外
枠１５に接続され、一体のリードフレーム１４を形成し
ている。図８（ｂ）の工程においては、接着剤４及び樹
脂板８をリード３に搭載したリードフレーム１４を半導
体素子１の上に設置してリード３と半導体素子１を接着
するか、あるいはリードフレーム１４、樹脂板８、接着
剤４を個別に半導体素子１上に搭載しても良い。

【００５９】次に図８（ｃ）に示すようにリード３と半
導体素子１の電極２とをワイヤ５により電気的に接続す
る。ここまでの工程は、既に製造技術が完成しているＬ
ＯＣ（リード・オン・チップ）型半導体装置と全く同様
である。ＬＯＣ型半導体装置に関しては特開平２−２４
６１２５号公報などに開示されている。

【００６０】次いで図８（ｄ）のようにトランスファー
モールド金型１６内に設置し、樹脂封止を行う。この
際、樹脂板８の貫通穴９開口側の面８ａを金型１６の内
面１６ａに押しつけた状態でモールドする。樹脂板８の
面８ａを金型１６に押しつけることによって、樹脂板８
の面８ａの周囲から貫通穴９内部に樹脂が流入するのを
防止することができる。尚、樹脂板８の厚さを、樹脂板
８の面８ａが接触する側の金型１６のへこみ量Ａより大
きくすることが望ましい。このようにすることによっ
て、金型１６との接触によって樹脂板８が押し潰される
ようになり、樹脂板８と金型１６との密着力を大きくす
ることができる。また、リードフレーム１４の外枠１５
を金型１６で挟み、金型１６内で半導体素子１などが樹
脂の流入圧力により動かないようにする。

【００６１】樹脂封止後は図８（ｅ）のように樹脂板８
の貫通穴９開口側の面８ａが露出しており、パッケージ
１１の表面に外部端子を格納する凹部１７が形成され
る。この後、（ｆ）に示すように外部端子６となるはん
だボールを凹部１７に載置して加熱することにより、リ
ード３に外部端子６となるはんだバンプを接合する。は
んだバンプの形成においては、フラックスを用いたり、
不活性ガス或いは還元性ガス雰囲気中で加熱するなど、
はんだの濡れ性を向上させることが望ましい。最後に、
リードフレーム１４の外枠１５をパッケージ側面１１ａ
で切断して図１に示した半導体装置を得る。

【００６２】本実施例で用いる図９のようなリードフレ
ームは、通常の樹脂封止型半導体装置で用いるリードフ
レームのように同一の部品が複数繋がった多連型となっ
ており、一回のモールドで複数個のパッケージを形成す
ることができる。尚、図９に示したリードフレームは、
同一部品が複数個繋がったフレームの一部品を示してい
る。

【００６３】また、図１に示した第１実施例による半導
体装置の他の製造方法を図１０により説明する。◆図１
０（ａ）は本実施例で用いる半導体素子１の断面図を示
す。半導体素子１の電極形成面１ａの中央には電極２が
形成されている。尚、半導体素子１の電極形成面１ａに
は、半導体素子１の回路を保護するための図示されてい
ない保護膜（パッシベーション）が、少なくとも電極２
のワイヤ接合部を除いて設けられている。

【００６４】図１０（ｂ）に示すように、半導体素子１
の電極形成面１ａに絶縁性接着剤４を介してリード３を
接着する。リード３の半導体素子１との接着面の反対側
の面３ｂには、パッケージ形成後に外部端子を格納する
箇所となる凹部１８が設けられた樹脂板８が接着剤７に
より接着されている。前記樹脂板凹部１８は、樹脂板８
のリード３との接着面側が開口しており、反接着面側に
は膜状部材１９が設けられている。図１０に示す製造方
法では、膜状部材１９を樹脂板８と同じ材料で形成して
いる。リード３は図９に例示するように外枠１５に接続
され、一体のリードフレーム１４を形成している。図１
０（ｂ）の工程においては、接着剤４及び樹脂板８をリ
ード３に搭載したリードフレーム１４を半導体素子１の
上に設置してリード３と半導体素子１を接着するか、あ
るいはリードフレーム１４、樹脂板８、接着剤４を個別
に半導体素子１上に搭載しても良い。

【００６５】次に図１０（ｃ）に示すようにリード３と
半導体素子１の電極２とをワイヤ５により電気的に接続
する。◆次いで図１０（ｄ）のようにトランスファーモ
ールド金型１６内に設置し、樹脂封止を行う。この際、
樹脂板８の反開口側の面８ａを金型１６の内面１６ａに
押しつけた状態でモールドする。凹部１８の反開口側に
は、膜状部材１９が形成されているので、樹脂板凹部１
８内部に樹脂が流入するのを防止することができる。ま
た、リードフレーム１４の外枠１５を金型１６で挟み、
金型１６内で半導体素子１などが樹脂の流入圧力により
動かないようにする。

【００６６】樹脂封止後は図１０（ｅ）のように樹脂板
８の反開口側の面８ａが露出した状態になる。樹脂封止
後、図１０（ｅ）のように例えば針状部材２８で膜状部
材１９を破って除去し、パッケージ１１の表面に外部端
子を格納する凹部１７を形成する。この後、図１０
（ｆ）に示すように外部端子６となるはんだボールを凹
部１７に載置して加熱することにより、リード３に外部
端子６となるはんだバンプを接合する。最後に、リード
フレーム１４の外枠１５（図９参照）をパッケージ側面
１１ａで切断して図１に示した半導体装置を得る。

【００６７】膜状部材１９は、本実施例のように樹脂板
８と同一材料で形成しても良いし、樹脂板８とは異なる
材料で形成しても良い。また、膜状部材１９の樹脂封止
後の除去を薬品によるエッチングで行っても良いし、膜
状部材１９を樹脂板８や封止樹脂１０よりも融点の低い
材料で形成し、加熱して溶融除去しても差し支えない。

【００６８】以上述べたように本実施例による半導体装
置の製造方法によれば、トランスファーモールド法によ
ってパッケージを形成することが可能となり、高信頼性
の半導体装置を製造することができる。また、半導体素
子の電極形成面内に外部端子を形成できるので半導体素
子の寸法に略等しい寸法の半導体装置を得ることができ
る。更に、多連リードフレームの使用による量産や、ワ
イヤ接合、樹脂モールドの工程などに従来の製造装置使
用によって製造コストを低くすることが可能である。

【００６９】また、半導体素子１の側面の樹脂厚さを
０．１ｍｍ以上として樹脂封止を行えば、樹脂封止の際
に樹脂１０内に添加されているフィラーが詰まることな
く充填されるので、ボイドや未充填などの不良を起こさ
ずに樹脂封止ができる。また樹脂厚さを１．０ｍｍ以下
とすることによって、リードフレームの外枠を金型で挟
んだ際のリードフレームの変形が抑制でき、半導体素子
１が樹脂封止の際に金型内の所定の位置から動くことが
なくなる。その結果、樹脂封止後に、半導体素子やワイ
ヤがパッケージから露出する外観不良が発生しなくな
る。

【００７０】図１１は、図１に示した第１実施の半導体
装置の、他の態様を示す断面図である。図１１におい
て、リード３の一部分は、パッケージ１１の側面１１ａ
より外部に露出しており、突出部３ｃを形成している。
リードの突出部３ｃは、半導体素子１の動作検査用の端
子として用いることができ、半導体装置を回路基板に実
装した後でも、検査用のプローブなどを接触させて検査
することが可能になる。

【００７１】図１２は、図１に示した第１実施例の半導
体装置の、実装形態の一例を示す断面図である。図１２
において、リード３の一部分は、パッケージ１１の側面
１１ａより外部に露出しての延ばされており、放熱リー
ド３ｄとして回路基板１２とはんだ材料などにより接合
されている。リード３の一部を放熱リードとして回路基
板に接合することによって、半導体素子の発熱量が大き
いような場合に、パッケージの熱抵抗を低減することが
でき、半導体装置の放熱特性を向上できる効果が得られ
る。また、放熱リード３ｄは、図１２のように回路基板
１２に接合するだけでなく、回路基板１２とは逆の方向
に折り曲げて、半導体装置周囲の雰囲気中に放熱する構
造としてもよい。

【００７２】また、図１に示した実施例では、リード３
を半導体素子１の電極形成面１ａに接着するための接着
剤４を、電極形成面１ａ上にあるリード３とほぼ等しい
長さに設ける例を示した。しかしながら、接着剤４は、
リード３を半導体素子１の電極形成面１ａに固定さえで
きれば、必要以上に広い範囲に設ける必要はなく、図１
３に示すようにリード３のワイヤ５の接合部分にのみ設
けるだけでよい。接着剤４の塗布範囲を小さくすること
により、半導体装置を回路基板に実装する際の加熱によ
って、パッケージ内部に発生する応力（パッケージの吸
湿した水分が水蒸気化する際に発生する多大な圧力によ
る）を低減できる効果が得られる。これによって、パッ
ケージ内部の界面はく離や、樹脂割れなどの不良発生を
防ぐことができる。

【００７３】外部端子６は、半導体装置とを外部（回路
基板など）に接合するとともに、電気的接続を図るため
に用いるものであり、半導体装置を回路基板に実装する
際に、パッケージ１１表面の凹部１７、もしくは回路基
板側の外部端子接合箇所に供給されていれば良い。した
がって、半導体装置としては、図１のように外部端子６
を組み込んだ構成だけでなく、外部端子が設けられてい
ない構成でも差し支えない。外部端子が設けられていな
い本発明による半導体装置の例を図１４に示す。図１４
においては、パッケージ１１の表面に外部端子が格納さ
れる凹部１７が形成されており、回路基板への実装時に
はんだ材料などが供給されて、半導体装置と回路基板を
接続する外部端子６が形成される。なお、図１４に示し
た半導体装置を回路基板に実装した後の状態は図３に示
したものと同様になる。

【００７４】図１５は、本発明による半導体装置の第２
実施例を示す断面図であり、図１６は図１５に示した半
導体装置の一部分の封止樹脂及び樹脂テープを取り除い
た平面図である。

【００７５】図において、半導体素子１の電極２の形成
面１ａには、箔リード２０が形成された樹脂テープ２１
が接着剤４によって接着されており、箔リード２０の一
端２０ａと電極２は熱圧着等によって電気的に導通でき
るように接合されている。樹脂テープ２１には、複数の
貫通穴２２が設けられている。箔リード２０は、その一
方の端部２０ｂが貫通穴２２の電極形成面１ａ側の開口
部２２ａを覆うように延ばされている。

【００７６】樹脂テープ２１の電極形成面１ａとの接着
面２１ａの反対側の面２１ｂには、複数の貫通穴９を有
する樹脂板８が接着剤７を介して接着されており、樹脂
板８の貫通穴９と樹脂テープ２１の貫通穴２２とは互い
に重なるように配置されている。本実施例では、貫通穴
９が設けられた樹脂板８を樹脂テープ２１に接着し、貫
通穴９の一方の開口部が存在する面８ａをパッケージ１
１表面に露出させることで外部端子６を格納する凹部１
７をパッケージ表面に形成している。凹部１７（樹脂テ
ープ２１の貫通穴２２と樹脂板８の貫通穴９よりなる）
の内部には、半導体素子と外部との電気的接続手段とな
る金属製の外部端子６が格納されており、箔リード２０
の端部２０ｂと接合されている。

【００７７】本実施例に示した半導体装置は、半導体素
子１、樹脂テープ２１、接着剤４、箔リード２０、及び
樹脂板８を封止樹脂１０によって封止してパッケージ１
１を形成している。外部端子６はパッケージの下面１１
ｂ側であって、半導体素子１の電極形成面１ａの面内に
設けられており、アレイ状に配置されている。また、外
部端子６の一部分はパッケージ１１の外部に球面を呈し
て突出しており、半導体装置を実装する回路基板と接続
できるようになっている。樹脂板８の面８ａが露出して
いるパッケージ下面１１ｂには、樹脂板８からパッケー
ジ１１の４カ所の角部に延びる吊り部材２３ａが形成さ
れている。吊り部材２３ａは、封止樹脂の際に半導体素
子１などのパッケージ構成部材を金型内に固定するため
の部材である。

【００７８】箔リード２０が形成された樹脂テープ２１
には、従来のＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージの
略称）で用いられているようなテープキャリアを使用す
る。箔リード２０と半導体素子１の電極２との接合はＴ
ＡＢ技術によって行うことができる。箔リード２０はＣ
ｕ（銅）、Ａｕ（金）などにより形成し、樹脂テープ２
１は、ポリイミド樹脂などから形成される。

【００７９】外部端子６の材料には、表面実装型半導体
装置の実装に広く用いられているはんだ（例えば、Ｐｂ
−Ｓｎ系共晶はんだ）を用いるのが望ましい。この場
合、箔リード２０の外部端子６の接合部分に、はんだメ
ッキ、Ｎｉ（ニッケル）メッキ或いはＳｎ（錫）メッキ
などの表面処理を施すことが望ましい。

【００８０】接着剤４及び７には、ポリイミド、エポキ
シ、シリコーンなどを主成分とする樹脂から選択した絶
縁性材料を使用する。特に半導体素子１に樹脂テープ２
１を接着する接着剤４には、弾性係数が１０ＭＰａ以上
６０００ＭＰａ以下の材料を使用する。接着剤４の弾性
係数を前記の範囲に設定することによって、接着剤４が
樹脂テープ２１の接着時に接着剤の形状が安定するとと
もに良好な接着性が得られ、また半導体装置を回路基板
に実装した後の温度変化の繰り返しによる外部端子と回
路基板とのはんだ接合部の疲労破壊に対する信頼性を向
上することができる。

【００８１】本実施例の半導体装置によれば、外部端子
が半導体素子の電極形成面の平面寸法内（面内）に位置
しているので、パッケージの外形サイズを半導体素子の
サイズに近づけることができ、ＣＳＰ型の半導体装置を
提供することができる。半導体素子１の樹脂厚さ１０ａ
を０．１ｍｍ以上とすれば、樹脂封止の際に樹脂１０内
に添加されているフィラーが詰まることなく充填される
ので樹脂封止が可能である。

【００８２】また樹脂厚さ１０ａを１．０ｍｍ以下とす
ることによって半導体素子１が所定の位置から動くこと
がなくなる。従って、半導体素子の平面寸法に１．０ｍ
ｍを足した寸法以下のパッケージを得ることができる。
更に、本実施例の半導体装置は、従来の半導体装置と同
様に半導体素子の周囲を樹脂で覆うことができるので、
耐湿性などの信頼性を向上することができる。更にま
た、外部端子６をパッケージの下面にアレイ状に配置す
ることができるので、半導体装置の多端子化（多ピン
化）に対応することが可能になる。

【００８３】尚、図１５に示した第２実施例による半導
体装置では、外部端子６をパッケージの下面にアレイ状
に配置する例を示したが、外部端子６の配置はアレイ状
に限定されるものではなく、図２のような２列の縦列配
置でも良いし、１列或いは３列以上の縦列配置でも良
い。◆次に、図１５に示した第２実施例による半導体装
置の製造方法の例を図１７（ａ）〜（ｆ）により説明す
る。

【００８４】図１７（ａ）は本実施例で用いる半導体素
子１の断面図を示す。半導体素子１の電極形成面１ａの
周辺部には電極２が形成されている。尚、半導体素子１
の電極形成面１ａには、半導体素子１の回路を保護する
ための図示されていない保護膜（パッシベーション）
が、少なくとも電極２の箔リード接合部を除いて設けら
れている。

【００８５】図１７（ｂ）に示すように、半導体素子１
の電極形成面１ａに絶縁性接着剤４を介して箔リード２
０が形成された樹脂テープ２１を、箔リード２０の形成
面２１ａ側を電極形成面１ａに対向させて接着する。樹
脂テープ２１には、外部端子を箔リード２０に接合する
ための貫通穴２２が設けられている。樹脂テープ２１の
半導体素子１との接着面の反対側の面２１ｂには、パッ
ケージ形成後に外部端子を格納する凹部となる貫通穴９
が設けられた樹脂板８が、樹脂テープ２１の貫通穴２２
と樹脂板８の貫通穴９が重なるように接着剤７により接
着されている。樹脂板８は吊り部材２３ａによって、図
１８に示すような外枠２３ｂに接続されており、同一部
品が複数個繋がったフレーム状部材２３になっている。

【００８６】図１７（ｂ）の工程においては、接着剤４
及び樹脂テープ２１を接着剤７で接着固定した樹脂板８
を半導体素子１の上に設置して接着剤４によって樹脂テ
ープ２１と半導体素子１を接着するか、あるいは樹脂テ
ープ２１を接着剤４で半導体素子１に接着した後、樹脂
板８を接着剤７によって樹脂テープ２１上に接着しても
良い。

【００８７】次に図１７（ｃ）に示すように箔リード２
０と半導体素子１の電極２とを熱圧着などにより接合す
る。箔リード２０と半導体素子１の電極２との接合は、
従来のＴＡＢ（テープ・オートメイテッド・ボンディン
グの略称）技術により実施することができる。

【００８８】次いで図１７（ｄ）のようにトランスファ
ーモールド金型１６内に設置し、樹脂封止を行う。この
際、樹脂板８の貫通穴９開口側の面８ａを金型１６の内
面１６ａに押しつけた状態でモールドする。樹脂板８の
面８ａを金型１６に押しつけることによって、樹脂板８
の面８ａの周囲から貫通穴９内部に樹脂が流入するのを
防止することができる。また、吊り部材２３ａの一部分
を金型１６で挟み、金型１６内で半導体素子１などが樹
脂の流入圧力により動かないようにする。

【００８９】樹脂封止後は図１７（ｅ）のように樹脂板
８の貫通穴９開口側の面８ａが露出しており、パッケー
ジ１１の表面に外部端子を格納する凹部１７が形成され
る。この後、（ｆ）に示すように外部端子６となるはん
だボールを凹部１７に載置して加熱することにより、箔
リード２０に外部端子６となるはんだバンプを接合す
る。はんだバンプの形成においては、フラックスを用い
たり、不活性ガスあるいは還元性ガス雰囲気中で加熱す
るなど、はんだの濡れ性を向上させることが望ましい。
最後に、吊り部材２３ａをパッケージ側面１１ａで切断
して図１５に示した半導体装置を得る。

【００９０】以上述べたように本実施例による半導体装
置の製造方法によれば、トランスファーモールド法によ
ってパッケージを形成することが可能となり、半導体装
置の信頼性を向上することができる。また、半導体素子
の電極形成面内に外部端子を形成できるので半導体素子
の寸法に略等しい寸法の半導体装置を得ることができ
る。更に、多連フレームの使用による量産効果や、箔リ
ードの接合、樹脂モールドの工程などに従来の製造装置
が使用できることから製造コストを低くすることができ
る。

【００９１】また、半導体素子１の側面の樹脂厚さを
０．１ｍｍ以上とすれば、樹脂封止の際に樹脂１０内に
添加されているフィラーが詰まることなく充填されるの
で樹脂封止が可能である。また樹脂厚さを１．０ｍｍ以
下とすることによって半導体素子１が樹脂封止の際に金
型内の所定の位置から動くことがなくなり、半導体素子
やワイヤがパッケージから露出することがなくなる。

【００９２】図１９は、本発明による半導体装置の第３
実施例を示す断面図であり、図２０は図１９に示した半
導体装置の一部分の封止樹脂を取り除いた平面図であ
る。◆図において、半導体素子１の電極２の形成面１ａ
には、電極２が半導体素子１の周辺部に配置されてお
り、リード２４が電極２に接合されている。リード２４
の電極２との接合面２４ａの反対側の面２４ｂには、半
導体素子と外部との電気的接続手段となる金属製の外部
端子６が接続されている。外部端子６は半導体素子１の
電極２と同芯上に位置しており、平面的位置が一致して
いる。リード２４の表面２４ｂには、接着剤７を介して
接着された貫通穴９を有する樹脂板８が接着されてお
り、樹脂板８の貫通穴９の一方の開口部をパッケージ表
面に露出させることによって、外部端子６を格納する凹
部１７をパッケージ表面に形成している。

【００９３】本実施例に示した半導体装置は、半導体素
子１、リード２４、及び樹脂板８を封止樹脂１０により
封止してパッケージ１１を形成しているが、リード２４
の一部分はパッケージ１１側面１１ａより露出してい
る。また、外部端子６の一部分もパッケージ１１の外部
にボール状表面を呈して突出している。

【００９４】外部端子６の材料には、表面実装型半導体
装置の実装に広く用いられているはんだ（例えば、Ｐｂ
−Ｓｎ系共晶はんだ）を用いるのが望ましい。この場
合、リード２４の外部端子６の接合部分に、はんだメッ
キ、Ｎｉ（ニッケル）メッキあるいはＳｎ（錫）メッキ
などの表面処理を施すことが望ましい。

【００９５】本実施例に用いるリード２４は、Ｃｕ
（銅）合金により形成され、その厚さは０．０５ｍｍか
ら０．２ｍｍ程度である。◆一般に半導体素子１の電極
２はＡｌ（アルミ）で形成されており、リード２４にＣ
ｕを用いることによって電極２とリード２４を熱圧着に
より直接接合することができる。更に、リード２４の電
極２との接合部分にＡｕ（金）メッキなどの表面処理を
施すことにより、より確実に接合することができる。

【００９６】接着剤７には、ポリイミド、エポキシ、シ
リコーンなどを主成分とする樹脂から選択した絶縁性材
料を使用する。◆また、樹脂板８は、電気的絶縁材料
で、かつはんだの濡れない材料から構成し、ポリイミ
ド、エポキシ、シリコーン、ビスマレイミドトリアジン
などを主成分とする樹脂から選択したフィルム状の部材
を使用する。◆封止樹脂１０には、例えばフェノール系
硬化剤、シリコーンゴム及びフィラー（溶融石英、最大
粒径７０μｍ程度）などが添加されたエポキシ系樹脂を
使用する。

【００９７】本実施例の半導体装置によれば、外部端子
が半導体素子の電極形成面の平面寸法内（面内）に位置
しているので、パッケージの外形サイズを半導体素子の
サイズに近づけることができ、ＣＳＰ型の半導体装置を
提供することができる。半導体素子１の側面の樹脂厚さ
を０．１ｍｍ以上とすれば、樹脂封止の際に樹脂１０内
に添加されているフィラーが詰まることなく充填される
ので樹脂封止が可能である。また樹脂厚さを１．０ｍｍ
以下とすることによって半導体素子１が樹脂封止の際に
金型内の所定の位置から動くことがなくなり、半導体素
子やワイヤがパッケージから露出することがなくなる。

【００９８】従って、半導体素子の平面寸法に１．０ｍ
ｍを足した寸法以下のパッケージを得ることができる。
また、本実施例の半導体装置は、従来の半導体装置と同
様に半導体素子の周囲を樹脂で覆うことができるので、
耐湿性などの信頼性を向上することができる。更に、半
導体素子の周囲がほぼ均等に封止樹脂で覆われているの
で、半導体装置の反りの発生を低減することができる。
更にまた、外部端子の周囲がはんだの濡れない（接合し
ない）材料で囲まれているので、半導体装置を回路基板
に実装する際に、はんだブリッジ不良が発生しずらくな
る。

【００９９】図２１は、本発明による半導体装置の第４
実施例を示す断面図であり、図２２は図２１に示した半
導体装置の平面図である。◆図において、半導体素子１
の電極２の形成面１ａには、箔リード２０が形成された
樹脂板８が接着剤４によって接着されており、箔リード
２０の一端２０ａと電極２は熱圧着等によって電気的に
導通できるように接合されている。箔リード２０は、接
着剤７によって樹脂板８に接着されている。樹脂板８に
は複数の貫通穴９が設けられており、貫通穴９の一方の
開口部が存在する面８ａをパッケージ１１表面に露出さ
せることで外部端子６を格納する凹部１７をパッケージ
表面に形成している。凹部１７の内部には、半導体素子
と外部との電気的接続手段となる金属製の外部端子６が
格納されており、箔リード２０と接合されている。

【０１００】本実施例に示した半導体装置は、半導体素
子１、接着剤４及び７、箔リード２０、及び樹脂板８を
封止樹脂１０によって封止してパッケージ１１を形成し
ている。外部端子６はパッケージ下面１１ｂ側であっ
て、半導体素子１の電極形成面１ａの面内に設けられて
いる。外部端子６の一部分はパッケージ１１の外部に球
面を呈して突出しており、半導体装置を実装する回路基
板と接続できるようになっている。樹脂板８の面８ａが
露出しているパッケージ下面１１ｂには、樹脂板８から
パッケージ側面側へ延びる吊り部材２５が形成されてい
る。吊り部材２５の端部はパッケージ側面１１と面一の
位置で切断されている。尚、吊り部材２５は、樹脂封止
の際に半導体素子１などのパッケージ構成部材を金型内
に固定するための部材である。

【０１０１】吊り部材２５が設けられていることによ
り、従来の半導体装置で行われているトランスファーモ
ールド法による樹脂封止が可能となり、半導体装置の量
産に対応することができる。◆本実施例の半導体装置に
よれば、外部端子が半導体素子の電極形成面の平面寸法
内（面内）に位置しているので、パッケージの外形サイ
ズを半導体素子のサイズに近づけることができ、ＣＳＰ
型の半導体装置を提供することができる。半導体素子１
の側面の樹脂厚さを０．１ｍｍ以上とすれば、樹脂封止
の際に樹脂１０内に添加されているフィラーが詰まるこ
となく充填されるので樹脂封止が可能である。また樹脂
厚さを１．０ｍｍ以下とすることによって半導体素子１
が樹脂封止の際に金型内の所定の位置から動くことがな
くなり、半導体素子やワイヤがパッケージから露出する
ことがなくなる。従って、半導体素子の平面寸法に１．
０ｍｍを足した寸法以下のパッケージを得ることができ
る。

【０１０２】また、本実施例の半導体装置は、従来の半
導体装置と同様に半導体素子の周囲を樹脂で覆うことが
できるので、耐湿性などの信頼性を向上することができ
る。更に、半導体素子の周囲がほぼ均等に封止樹脂で覆
われているので、半導体装置の反りの発生を低減するこ
とができる。更にまた、外部端子の周囲がはんだの濡れ
ない（接合しない）材料で囲まれているので、半導体装
置を回路基板に実装する際に、はんだブリッジ不良が発
生しずらくなる。

【０１０３】図２１に示した実施例では、箔リード２０
を接着剤７によって樹脂板８に接着する例を示している
が、樹脂板８にメッキ法または蒸着法などによって箔リ
ード２０を形成し、図２３に示すように接着剤７を用い
ない構成としてもよい。図２３に示す構成によれば、従
来のＴＣＰ（テープ・キャリア・パッケージの略称）用
のテープ材料を用いることができ、従来の半導体装置製
造技術を利用することができる。◆図２４は、本発明の
第５実施例である半導体実装モジュールの斜視図であ
り、図２５は図２４に示した半導体実装モジュールの側
面図である。

【０１０４】図において、第１実施例から第４実施例の
いずれかに示した本発明による複数の半導体装置２６
が、回路基板１２に実装されており、半導体実装モジュ
ールを構成している。回路基板１２にはさらに外部の装
置と接続するためのソケット２７が設けられている。半
導体装置２６は、回路基板１２の表面１２ａに対向する
パッケージ下面１１ｂ（回路基板１２に対向する側の
面）の面内に設けられている外部端子６により、回路基
板１２の表面１２ａに実装されている。また、本発明に
使用する半導体装置２６では、外部端子６を格納する凹
部の周囲をはんだが濡れない材料で構成する。

【０１０５】図２４に示した半導体実装モジュールは、
主に内部にメモリとして動作する半導体素子を搭載した
半導体装置２６を実装し、メモリカードあるいはメモリ
モジュールとして使用される。

【０１０６】図２４に示した半導体実装モジュールによ
れば、外部端子が半導体装置下面の面内に設けられてい
るので、半導体装置どうしの間隔を小さくすることがで
き、従来と同一サイズの回路基板により多くの半導体装
置を実装することができ、高実装密度が可能になる。或
いは、従来と同等の機能を有する半導体実装モジュール
であっても、より小型化した半導体実装モジュールを得
ることができる。また、本発明の半導体装置は、外部端
子同士の間がはんだが濡れない材料で構成されているの
で、半導体装置の実装時に、複数の外部端子間に亘って
はんだが接合する不良（はんだブリッジ不良）が発生せ
ず、実装歩留まりを向上させた半導体実装モジュールを
得られる。更にまた、ベアチップ実装のようにはんだ接
合部が樹脂により覆われていないので、不良が発生した
半導体装置の交換を容易に行うことができる。

【０１０７】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、次に
述べる効果が得られる。◆上記（１）の発明によれば、
半導体素子の外形サイズにほぼ等しいパッケージサイズ
の半導体装置を製造することができる。上記（２）の発
明によれば、半導体素子の外形サイズにほぼ等しいパッ
ケージサイズの半導体装置を製造することができととも
に、従来の半導体装置と同じトランスファーモールド金
型が使用でき、金型に制約されずに、外部端子の配置を
自由に設定可能な半導体装置を製造することができる。
上記（３）の発明によれば、半導体装置の量産に対応で
き、製造コストの増加を抑止することができる。上記
（４）の発明によれば、外部端子の形成に安価な球状は
んだを使用できるので、製造コストの増加を抑止するこ
とができる。上記（５）の発明によれば、半導体装置の
量産に対応でき、製造コストの増加を抑止することがで
きる。

【０１０８】上記（６）の発明によれば、半導体素子の
外形サイズにほぼ等しいパッケージサイズの半導体装置
を製造することができる。上記（７）の発明によれば、
半導体素子の外形サイズにほぼ等しいパッケージサイズ
の半導体装置を製造することができとともに、従来の半
導体装置と同じトランスファーモールド金型が使用で
き、外部端子の配置を自由に設定できる半導体装置を製
造することができる。そして上記（８）の発明によれ
ば、半導体装置の量産に対応でき、製造コストの増加を
抑止することができる。更に上記（９）の発明によれ
ば、半導体装置の量産に対応でき、製造コストの増加を
抑止することができる。そして半導体素子が露出するな
どの外観不良を発生させずに半導体装置を製造すること
ができる。

【０１０９】上記（１０）の発明によれば、従来の半導
体装置と同じトランスファーモールド金型が使用でき、
外部端子の配置を自由に設定できる半導体装置を製造す
ることができる。上記（１１）の発明によれば、凹部へ
の樹脂流入を確実に防止することができ、外部端子を格
納する凹部を半導体素子の面内に形成することができ
る。そして上記（１２）の発明によれば、半導体装置の
量産に対応でき、製造コストの増加を抑止することがで
きる。そして半導体素子が露出するなどの外観不良を発
生させずに半導体装置を製造することができる。

【０１１０】上記（１３）の発明によれば、従来の半導
体装置と同じトランスファーモールド金型が使用でき、
外部端子の配置を自由に設定することができる。上記
（１４）の発明によれば、製造コストの増加を抑止する
ことができる。そして上記（１５）の発明によれば、半
導体装置の量産に対応でき、製造コストの増加を抑止す
ることができる。また、半導体素子が露出するなどの外
観不良を発生させずに半導体装置を製造することができ
る。上記（１６）の発明によれば、半導体装置の量産に
対応でき、製造コストの増加を抑止することができる。
また上記（１７）の発明によれば、従来の半導体装置と
同様にトランスファーモールド法による樹脂封止が行
え、量産に対応できるとともに、製造コストの増加を抑
止することができる。また、半導体素子が露出するなど
の外観不良を発生させずに半導体装置を製造することが
できる。更に上記（１８）の発明によれば、従来の半導
体装置と同様にトランスファーモールド法による樹脂封
止が行え、量産に対応できるとともに、製造コストの増
加を抑止することができる。そして半導体素子が露出す
るなどの外観不良を発生させずに半導体装置を製造する
ことができる。更に上記（１９）の発明によれば、半導
体素子の外形サイズにほぼ等しいパッケージサイズの半
導体装置を製造することができる。

【０１１１】上記（２０）の発明によれば、半導体素子
の周囲を封止樹脂などによって覆うことができるので、
耐湿性などの信頼性が向上し、半導体素子の外形サイズ
にほぼ等しいパッケージサイズの半導体装置を得られ
る。また、上記（２１）の発明によれば、従来の半導体
装置と同じ設備で外部端子を格納する凹部を形成でき、
外部端子の配置を、金型に制約されず自由に配置できる
半導体装置を得られる。上記（２２）の発明によれば、
外部端子の形成に安価な球状はんだを使用できるので、
製造コストの増加を抑止することができる。上記（２
３）の発明によれば、はんだ接合部の実装後の破断発生
寿命を増加することができる。上記（２４）の発明によ
れば、導電部材の一部を放熱用部材として用いることに
より、半導体装置の熱抵抗を低減することができる。上
記（２５）の発明によれば、半導体装置の実装後でも半
導体素子の動作を確認することができ、不良が発生した
半導体装置を容易に特定することができる。上記（２
６）の発明によれば、半導体装置の小型化を達成でき
る。

【０１１２】上記（２７）の発明によれば、半導体素子
の周囲を封止樹脂などによって覆うことができるので、
耐湿性などの信頼性が向上し、半導体素子の外形サイズ
にほぼ等しいパッケージサイズの半導体装置を得られ
る。また、半導体装置の反りを低減することができる。
上記（２８）の発明によれば、製造コストの増加を抑止
できるとともに、接続部の信頼性を確保することができ
る。上記（２９）の発明によれば、半導体装置の小型化
を達成できる。

【０１１３】上記（３０）の発明によれば、半導体素子
の周囲を封止樹脂などによって覆うことができるので、
耐湿性などの信頼性が向上し、半導体素子の外形サイズ
にほぼ等しいパッケージサイズの半導体装置を得られ
る。また、半導体装置の反りを低減することができる。
上記（３１）の発明によれば、半導体装置の小型化を達
成できる。上記（３２）の発明によれば、はんだ接合部
の実装後の破断発生寿命を増加することができる。

【０１１４】上記（３３）の発明によれば、半導体素子
の周囲を封止樹脂などによって覆うことができるので、
耐湿性などの信頼性が向上し、半導体素子の外形サイズ
にほぼ等しいパッケージサイズの半導体装置を得られ
る。また、半導体装置の熱抵抗を低減することができ
る。また、半導体装置の反りを低減することができる。
上記（３４）の発明によれば、半導体装置の小型化を達
成できる。そして上記（３５）の発明によれば、製造コ
ストの増加を抑止することができ、接続部の信頼性の低
下を防止できる。また、上記（３６）の発明によっても
半導体装置の小型化を達成できる。

【０１１５】上記（３７）の発明によれば、はんだ接合
部の信頼性およびリペア性が向上し、高密度実装の半導
体実装モジュールを得ることができる。また、上記（３
８）の発明によれば、はんだ接合部の信頼性およびリペ
ア性が向上し、高密度実装の半導体実装モジュールを得
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例による半導体装置の断面図
である。

【図２】図１に示した半導体装置の封止樹脂の一部を取
り除いた平面図である。

【図３】図１に示した本発明の第１実施例による半導体
装置を回路基板に実装した状態を説明する断面図であ
る。

【図４】図１に示した本発明の第１実施例による半導体
装置の、外部端子の厚さと凹部深さとの関係を説明する
断面図である。

【図５】図１に示した本発明の第１実施例による半導体
装置の他の態様を示す断面図である。

【図６】図５に示した半導体装置の封止樹脂の一部を取
り除いた平面図である。

【図７】図１に示した本発明の第１実施例による半導体
装置の他の態様を示す封止樹脂の一部を取り除いた平面
図である。

【図８】図１に示した第１実施例による半導体装置の製
造方法を説明する断面図である。

【図９】図１に示した第１実施例による半導体装置の製
造に使用するリードフレームの例を示す斜視図である。

【図１０】図１に示した第１実施例による半導体装置の
他の製造方法を説明する断面図である。

【図１１】パッケージ外部に露出したリードの一部を検
査用端子として用いる例を説明する半導体装置の断面図
である。

【図１２】パッケージ外部に露出したリードの一部を放
熱用リードとして用いる例を説明する半導体装置の断面
図である。

【図１３】図１に示した本発明の第１実施例による半導
体装置のさらに他の態様を示す断面図である。

【図１４】外部端子が接合されていない例を説明する半
導体装置の断面図である。

【図１５】本発明の第２実施例による半導体装置の断面
図である。

【図１６】図１５に示した半導体装置の封止樹脂の一部
を取り除いた平面図である。

【図１７】図１５に示した第２実施例による半導体装置
の製造方法を説明する断面図である。

【図１８】図１５に示した第２実施例による半導体装置
の製造に使用する樹脂板の例を示す平面図である。

【図１９】本発明の第３実施例による半導体装置の断面
図である。

【図２０】図１９に示した半導体装置の封止樹脂の一部
を取り除いた平面図である。

【図２１】本発明の第４実施例による半導体装置の断面
図である。

【図２２】図２１半導体装置の封止樹脂の一部を取り除
いた平面図である。

【図２３】図２１に示した第４実施例による半導体装置
の他の態様を示す断面図である。

【図２４】本発明の第５実施例による半導体実装モジュ
ールの斜視図である。

【図２５】図２４に示した第５実施例による半導体実装
モジュールの側面図である。

【符号の説明】

１…半導体素子、１ａ…電極形成面、２…電極、３…リ
ード、４…接着剤、５…ワイヤ、６…外部端子、７…接
着剤、８…樹脂板、９…貫通穴、１０…封止樹脂、１１
…パッケージ、１１ａ…パッケージ側面、１１ｂ…パッ
ケージ下面、１２…回路基板、１３…回路基板の電極、
１４…リードフレーム、１５…リードフレームの外枠、
１６…トランスファーモールド金型、１７…パッケージ
表面の凹部、１８…樹脂板凹部、１９…膜状部材、２０
…箔リード、２１…樹脂テープ、２２…樹脂テープの貫
通穴、２３…フレーム状部材、２３ａ…吊り部材、２４
…リード、２５…吊り部材、２６…本発明による半導体
装置、２７…ソケット、２８…針状部材。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者熊沢鉄雄茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立製作所機械研究所内 (72)発明者春田亮東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者一谷昌弘東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式会社日立製作所半導体事業部内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面に電極が形成された半導体素子と、電
極と電気的に接続される導電部材とを備え、これらの部
材を樹脂で封止してパッケージとする半導体装置の製造
方法において、半導体装置表面から前記導電部材まで達
する凹部を形成する工程を備えることを特徴とする半導
体装置の製造方法。
【請求項２】請求項１において、前記導電部材に接する
貫通穴を有する部材によって前記凹部を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項３】請求項１において、前記凹部へ樹脂を流入
させずに前記半導体素子の周囲を樹脂封止する工程を備
えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項４】請求項１乃至３のいずれかにおいて、前記
凹部内部で前記導電部材と外部接続用の端子を接合する
工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項５】請求項１乃至４のいずれかにおいて、前記
半導体素子を樹脂封止用の治具内に吊る手段を設けて樹
脂封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項６】表面に電極が形成された半導体素子と、複
数の外部端子と、電極と外部端子とを電気的に接続する
導電部材とを備え、これらの部材を樹脂で封止してパッ
ケージを構成した半導体装置の製造方法において、前記
外部端子を格納する凹部を形成する工程を備えることを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】請求項６において、前記導電部材に接する
貫通穴を有する部材によって前記凹部を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項８】請求項６または７において、前記凹部へ樹
脂を流入させずに前記半導体素子の周囲を樹脂封止する
工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項９】請求項６乃至８のいずれかにおいて、前記
半導体素子を樹脂封止用の治具内に吊る手段を設けて樹
脂封止を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１０】表面に電極が形成された半導体素子と、
複数の外部端子と、電極と外部端子とを電気的に接続す
る導電部材とを備え、これらの部材を樹脂で封止してパ
ッケージを構成した半導体装置の製造方法において、貫
通穴を有する部材を前記導電部材に接着することによっ
て前記外部端子を格納する凹部を形成する工程と、前記
凹部形成用部材の一部分を金型表面に接触させて樹脂封
止する工程と、凹部内部で前記外部端子と前記導電部材
を接合する工程とを、備えることを特徴とする半導体装
置の製造方法。
【請求項１１】請求項１０において、前記凹部形成部材
の厚さを、凹部形成部材が金型表面に接触する側の金型
へこみ量より大きくすることを特徴とする半導体装置の
製造方法。
【請求項１２】請求項１０または１１において、前記半
導体素子を金型内に吊る手段を設けて樹脂封止を行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１３】表面に電極が形成された半導体素子と、
複数の外部端子と、電極と外部端子とを電気的に接続す
る導電部材とを備え、これらの部材を樹脂で封止してパ
ッケージを構成した半導体装置の製造方法において、貫
通穴が形成され、かつ貫通穴の少なくとも一方の開口部
を覆う膜状部材が形成された部材を前記導電部材に接着
する工程と、前記膜状部材を金型表面に接触させて樹脂
封止する工程と、樹脂封止後に前記膜状部材を除去する
ことによって外部端子を格納する凹部を形成する工程
と、凹部内部で前記外部端子と前記導電部材を接合する
工程とを、備えることを特徴とする半導体装置の製造方
法。
【請求項１４】請求項１３において、前記膜状部材を前
記貫通穴を有する部材と一体に形成することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
【請求項１５】請求項１３または１４において、前記半
導体素子を金型内に吊る手段を設けて樹脂封止を行うこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１６】請求項１乃至１５のいずれかにおいて、
前記導電部材をフレームで繋がった複数のリードで形成
することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１７】請求項１６において、前記フレームを金
型に挟んで樹脂封止することを特徴とする半導体装置の
製造方法。
【請求項１８】請求項１乃至１５のいずれかにおいて、
前記貫通穴を有する部材の延長部分を金型に挟んで樹脂
封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】請求項１乃至１８のいずれかにおいて、
前記半導体素子側面の樹脂厚さを０．１ｍｍ以上、１．
０ｍｍ以下として樹脂封止することを特徴とする半導体
装置の製造方法。
【請求項２０】表面に電極が形成された半導体素子と、
前記電極と電気的に接続される導電部材とを備え、これ
らを樹脂で封止してパッケージを構成した半導体装置に
おいて、パッケージ表面から導電部材に達する凹部を形
成することを特徴とする半導体装置。
【請求項２１】請求項２０において、前記導電部材に接
する複数の貫通穴を有する部材により前記凹部を形成す
ることを特徴とする半導体装置。
【請求項２２】請求項２０または２１において、前記凹
部内部で前記導電部材と外部接続用の端子を接合するこ
とを特徴とする半導体装置。
【請求項２３】請求項２２において、前記外部接続用端
子の厚さを、前記凹部深さの２倍以上とすることを特徴
とする半導体装置。
【請求項２４】請求項２０乃至２３のいずれかにおい
て、前記導電部材の一部が前記パッケージ側面から外部
に露出していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２５】請求項２４において、前記導電部材の一
部を半導体素子検査用の端子とすることを特徴とする半
導体装置。
【請求項２６】請求項２０乃至２５のいずれかにおい
て、前記半導体素子側面の樹脂厚さが０．１ｍｍ以上、
１．０ｍｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２７】表面に電極が形成された半導体素子と、
複数のリードと、電極とリードを電気的に接続する導通
部材と、複数の外部端子とを備え、これらの部材を樹脂
で封止してパッケージを構成した半導体装置において、
前記リードは電極が形成された半導体素子の表面に接着
剤を介して接着され、かつ前記リードの一部分はパッケ
ージ側面から外部に露出しており、前記リードの前記半
導体素子接着面の反対側の面に接する複数の貫通穴を設
けた部材によって、パッケージ表面に開口部を有する凹
部を形成し、前記凹部の内部に前記外部端子を格納して
外部端子を前記リードに接合し、前記凹部形成部材と前
記外部端子の一部分は前記パッケージの外部に露出して
いることを特徴とする半導体装置。
【請求項２８】請求項２７において、前記導通部材を金
属材料からなるワイヤで構成してなることを特徴とする
半導体装置。
【請求項２９】請求項２７または２８において、前記半
導体素子側面の樹脂厚さが０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ
以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３０】表面に電極が形成された半導体素子と、
複数のリードが形成されたフィルム状部材と、複数の外
部端子とを備え、これらの部材を樹脂で封止してパッケ
ージを構成した半導体装置において、前記フィルム状部
材を前記電極が形成された半導体素子の表面に接着剤を
介して接着し、前記リードの一端は前記電極と接合さ
れ、前記フィルム状部材の前記半導体素子接着面の反対
側の面に接する複数の貫通穴を設けた部材によって、パ
ッケージ表面に開口部を有する凹部を形成し、前記凹部
の内部に前記外部端子を格納して外部端子を前記リード
に接合し、前記凹部形成部材と前記外部端子の一部分は
前記パッケージの外部に露出していることを特徴とする
半導体装置。
【請求項３１】請求項３０において、前記半導体素子側
面の樹脂厚さが０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３２】請求項２７乃至３１のいずれかにおい
て、前記接着剤の弾性係数が１０ＭＰａ以上、６０００
ＭＰａ以下であることを特徴とする半導体装置。
【請求項３３】表面に電極が形成された半導体素子と、
複数のリードと、複数の外部端子とを備え、これらの部
材を樹脂で封止してパッケージを構成した半導体装置に
おいて、前記リードの一端が前記電極と接合され、リー
ドの他端は前記パッケージ側面から外部に露出してお
り、前記リードの前記電極との接合面の反対側の面に接
する複数の貫通穴を設けた部材によって、パッケージ表
面に開口部を有する凹部を形成し、前記凹部の内部に前
記外部端子を格納して前記外部端子を前記リードに接合
し、前記凹部形成部材と前記外部端子の一部分は前記パ
ッケージの外部に露出していることを特徴とする半導体
装置。
【請求項３４】請求項３３において、前記半導体素子側
面の樹脂厚さが０．１ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３５】請求項３３において、前記凹部形成部材
が樹脂フィルムからなることを特徴とする半導体装置。
【請求項３６】請求項２０乃至３５のいずれかにおい
て、前記パッケージの平面寸法が、前記半導体素子の平
面寸法に０．２ｍｍ以上、１．０ｍｍ以下を足した寸法
であり、前記パッケージの厚さが前記半導体素子の厚さ
の０．６ｍｍ以上、０．７ｍｍ以下を足した寸法である
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３７】表面に電極が形成された半導体素子と、
電極が形成された半導体素子表面に接着され、その一部
がパッケージ側面から露出したリードと、パッケージ表
面からリードまで達する凹部とを有し、半導体素子の周
囲を樹脂で封止してパッケージを構成した半導体装置
を、前記凹部内に設けた接合部材によって、プリント回
路基板に実装することを特徴とする半導体実装モジュー
ル。
【請求項３８】表面に電極が形成された半導体素子と、
電極と電気的に接続される導電部材と、パッケージ表面
から導電部材まで達する凹部とを有し、半導体素子の周
囲を樹脂で封止してパッケージを構成実した半導体装置
を、前記凹部内に設けた接合部材によって、プリント回
路基板に実装することを特徴とする半導体実装モジュー
ル。