JPS615530A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPS615530A
JPS615530A JP59125171A JP12517184A JPS615530A JP S615530 A JPS615530 A JP S615530A JP 59125171 A JP59125171 A JP 59125171A JP 12517184 A JP12517184 A JP 12517184A JP S615530 A JPS615530 A JP S615530A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pellet
semiconductor device
elastic material
silicone rubber
tab
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP59125171A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Iwata
豊 岩田
Yoshiaki Wakashima
若島 喜昭
Kunihiro Tsubosaki
邦宏 坪崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP59125171A priority Critical patent/JPS615530A/ja
Publication of JPS615530A publication Critical patent/JPS615530A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/49513Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad having bonding material between chip and die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔技術分野〕 本発明は、半導体装置の信頼性向上、特町大型ペレット
を塔載してなる半導体装置の信頼性向上に適用して有効
な技術に関するものである。
〔背景技術〕
半導体装置の高集積化、多機能化が進むに伴ない、塔載
するペレットは一段と大型化して行くと考えられる。
通常、半導体装置のペレットの塔載は、金属等のペレッ
ト取付部に金−シリコン共晶等のろう材でシリコン等の
ペレットを接着することにより行なわれる。
ところが、ペレットおよびその取付部は素材が異なるた
め、それぞれの熱膨張率に差があり、かつ金−シリコン
共晶等で接着しであるためにペレットはその取付部表面
に強固に取り付けられた状態になっている。それ故、製
造工程等において半導体装置が加熱または冷却により温
度変化を受けた場合、ペレットに大きな応力が生じると
いう問題がある。
そして、塔載するペレットの大型化の傾向は、前記のペ
レットに生じる応力が原因であるペレットの電気特性の
変動を一段と大きくし、さらには該応力が原因でペレッ
トに生じるクラック等の発生を助長する等の問題を伴な
うことが本発明者等により明らかにされた◇ さらに、半導体装置が樹脂封止型である場合は、ペレッ
トの大型化がペレットに生じる前記応力を増大せしめ、
その応力によるペレットの歪みがパッケージに加わるス
トレスを増大させるため、該パッケージにクラック等が
発生し易くなることが考えられる。そして、このクラッ
ク等の発生は、小型高密度実装用半導体装置では十分な
樹脂厚を確保しにくいため、大きな問題であることが本
発明者等により見い出された。
〔発明、の目的〕
本発明の目的は、大型ペレットを塔載した信頼性の高い
半導体装置を提供することに今る。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本
明細書の記述および添付図面から明らかKなるであろう
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、ペレット取付部にペレットを弾性材料を介し
て取り付けることにより、半導体装置が温度変化を受け
た場合、該弾性材料でペレットに生じる応力を吸収せし
め、応力を緩和することにより、大型ペレットを塔載し
た半導体装置であっても、その信頼性の向上を達成する
ものである。
〔実施例〕
図は、本発明の一実施例である半導体装置の断面図であ
る。
本実施例の半導体装置は、いわゆる樹脂封止型半導体装
置であって、ペレット取付部であるタブ1に取り付けら
れたペレット2および該ペレット2のポンディングパッ
ド3とリード4の接続端子とをボンディングして電気的
に接続しているワイヤ5等を樹脂6で一体成型した後、
外部リード7を切断、折り曲げ成形することにより製造
されるものである。
本実施例における本発明の特徴は、ペレット2をタブI
K取り付けるに弾性材料であるシリコ−ンゴム8を用い
ているところにある。すなわち、       、」 接着性能を有し、かつ耐熱性を有する弾性材料であるシ
リコーンゴム8を用いて、ペレット2をタブIK接着し
てペレット2の取付を行なうことにより、半導体装置が
温度サイクル等による温度変□化を受けた場合でも、シ
リコン(Si)等からなるペレット2とコバール等から
なるタブ1との熱膨張率の差を前記シリコーンゴム8が
吸収するので、該熱膨張率の差が原因で生じるペレット
2に生じる応力の発生を低減することができる。
ツレ故、ペレット2の取付にシリコーンゴム8を用いれ
ば、大型ペレットを塔載して、かつ信頼性の高い半導体
装置を提供することができる。
なお、前記半導体装置の製造は、ペレット2とタブ1と
の間に架橋前の状態のシリコーン生ゴムを挾んだ状態で
加熱処理を行なうことによりペレット2を取り付ける工
程以外は、通常の方法で行なうことができる。    
  − 前記の加熱処理は、シリコーンゴムとタブ1およびペレ
ット2との接着と同時にシリコ゛−′ン生ゴムの架橋反
応を行なうための工程であり、その結果:+’ム弾性を
有するシリコーンゴムでペレット2を確実にタブ1に取
り付けることができるものである。
なお、シリコーンゴムによるペレット2の取付をより完
全なものにするため、シリコーン生ゴムに接着性向上剤
を添加することもでき、また接着性向上のためにタブ1
またはペレット2の接着面を表面処理をしておいてもよ
い。
さらに、半導体装置の信頼性を向上させるため、前記シ
リコーンゴムにフィラー(シリコーンゴムの他の物質か
らなる充填材料又は混入材料)としてカーボンまたはア
ルミニウム等の金属粉末等を使用することにより、熱伝
導性を向上することができ、半導体装置の放熱特性の確
保をも図ることができる。また、ペレット2の裏面とタ
ブ1との導通なとることも、同様のフィラーを使用する
ことで達成できる。
〔効果〕
(11ペレットを接着性を備えた弾性材料でペレット取
付部に坂り付けることにより、ペレットとペレット取付
部との熱膨張率の差を該弾性材料が吸収できするので、
半導体装置が温度変化を受けても該ペレットに応力が生
じることを低減または防止することができる。
(2)前記filにより、ペレットのクラック等の発生
を防止することができる。
(3)前記(1)により、ペレットに応力による歪みが
生じることを低減または防止できるので、該歪みが原因
で生じるペレットの電気撃性の変動を緩和することがで
きる。
(41樹脂封止型半導体装置において、前記il+によ
り、ペレットに応力による歪みが生じることを低減また
は防止できるので、該歪みが原因でパッケージにクラッ
ク等が発生することを防止することができる。
(5)前記(1)〜(41により、より大型ペレットを
塔載した信頼性の高い高密度実装可能な樹脂封止型半導
体装置を提供することができる。
(6)接着材である弾性材料にフィラーとしてカーボン
または金属粉末等の熱電導性の良い物質を用いることに
より、ペレットに発生する熱を効率よく放散することが
できるので、さらに半導体装置の信頼性向上を達成する
ことができる。
(7)前記(1)に記載した弾性材料としてシリコーン
ゴムな使用することにより、ペレット付けを容易に行な
うことができる。
(8)前記fl)に記載した弾性材料としてシリコーン
ゴムを使用することにより、半導体装置のコスト低減を
達成することができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
たとえば、ペレットの取り付けにシリコーンゴムを使用
した場合について説明したが、これに限るものでなく、
接着性能を有する弾性材料であれば如何なる物でもよく
、耐熱性能を備えた物であれば更に好ましい。
また、性能上許容される範囲内で他の性能向上剤をシリ
コーンゴムに混合使用することもできる。
〔利用分野〕
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である樹脂封止型半導体装
置に適用した場合について説明したが、それに限定され
るものではなく、種々の形式の半導体装置について適用
しても有効な発明である。
【図面の簡単な説明】
図は、本発明の一実施例である半導体装置の概略断面図
である。 1・・・タブ、2・・・ペレット、3・・・ポンプイン
グツくラド、4・・・リード、5・・・ワイヤ、6・・
・樹脂、7・・・外11J−ド、8・・・シリコーンゴ
ム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、ペレットがペレット取付部に弾性材料を介して取り
    付けられている半導体装置。 2、樹脂封止型パッケージからなることを特徴とする特
    許請求の範囲第1項記載の半導体装置。 3、弾性材料がシリコーンゴムまたはシリコーンゴムを
    主成分とする混合材料であることを特徴とする特許請求
    の範囲第1項または第2項記載の半導体装置。 4、弾性材料が熱伝導性の良い他の物質を含有している
    ことを特徴とする特許請求の範囲第1項または第2項記
    載の半導体装置。
JP59125171A 1984-06-20 1984-06-20 半導体装置 Pending JPS615530A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59125171A JPS615530A (ja) 1984-06-20 1984-06-20 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP59125171A JPS615530A (ja) 1984-06-20 1984-06-20 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS615530A true JPS615530A (ja) 1986-01-11

Family

ID=14903642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59125171A Pending JPS615530A (ja) 1984-06-20 1984-06-20 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS615530A (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62211972A (ja) * 1986-03-13 1987-09-17 Oki Electric Ind Co Ltd 光プリントヘツドの製造方法
JPH02257667A (ja) * 1989-03-29 1990-10-18 Mitsubishi Electric Corp リードフレーム用のダイパツド
EP0432502A2 (en) * 1989-11-15 1991-06-19 Dow Corning Toray Silicone Company, Limited Semiconductor pellet adhesive and article made therewith
EP0843358A3 (de) * 1992-11-27 1998-05-27 Esec Sempac S.A. Elektronikmodul in Flachbauweise und Chipkarte

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62211972A (ja) * 1986-03-13 1987-09-17 Oki Electric Ind Co Ltd 光プリントヘツドの製造方法
JPH02257667A (ja) * 1989-03-29 1990-10-18 Mitsubishi Electric Corp リードフレーム用のダイパツド
EP0432502A2 (en) * 1989-11-15 1991-06-19 Dow Corning Toray Silicone Company, Limited Semiconductor pellet adhesive and article made therewith
US5145931A (en) * 1989-11-15 1992-09-08 Dow Corning Toray Silicone Company, Ltd. Semiconductor pellet adhesive and article made therewith
EP0843358A3 (de) * 1992-11-27 1998-05-27 Esec Sempac S.A. Elektronikmodul in Flachbauweise und Chipkarte

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4319591B2 (ja) 半導体パワーモジュール
JP4492448B2 (ja) 半導体パワーモジュール
US5483098A (en) Drop-in heat sink package with window frame flag
JP2000260918A (ja) ヒートシンク付半導体装置およびその製造方法
JP3542311B2 (ja) 半導体装置
JP2006179538A (ja) 半導体パワーモジュール
US7768107B2 (en) Semiconductor component including semiconductor chip and method for producing the same
US20110024895A1 (en) Semiconductor Package Thermal Performance Enhancement and Method
JPS615530A (ja) 半導体装置
JPS6149446A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPS60137041A (ja) 樹脂封止形半導体装置
JP2006179732A (ja) 半導体パワーモジュール
JPS60136348A (ja) 半導体装置
US5849607A (en) Process for attaching a lead frame to a semiconductor chip
JPS6129162A (ja) 半導体装置
JPH0345542B2 (ja)
JPH03265161A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH05152495A (ja) 半導体装置
JPS62194653A (ja) 半導体装置
JPS61125055A (ja) 半導体装置
JPH06204264A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH08264686A (ja) 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JPS60132350A (ja) 樹脂封止半導体装置
JPH0536864A (ja) 半導体素子パツケージ
JPS61125053A (ja) 半導体装置