JPS62202544A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS62202544A JPS62202544A JP4465486A JP4465486A JPS62202544A JP S62202544 A JPS62202544 A JP S62202544A JP 4465486 A JP4465486 A JP 4465486A JP 4465486 A JP4465486 A JP 4465486A JP S62202544 A JPS62202544 A JP S62202544A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置、特に電力用半導体装置の電極の
取付構造に関するものである。
取付構造に関するものである。
従来のこの種半導体装置は、第２図〜第４図に示すよう
に構成されていた。即ち第２図〜第４図において、１は
放熱板、２は放熱板１上に形成された絶縁層、３は絶縁
層２上に形成され必要に応じパターニングされている金
属電極層である。ここで放熱板１、絶縁層２および金属
電極層３は通常絶縁基板と呼ばれる一体部品として供給
される。
に構成されていた。即ち第２図〜第４図において、１は
放熱板、２は放熱板１上に形成された絶縁層、３は絶縁
層２上に形成され必要に応じパターニングされている金
属電極層である。ここで放熱板１、絶縁層２および金属
電極層３は通常絶縁基板と呼ばれる一体部品として供給
される。
４は開口部５１を有するケース５に挿入された外部取出
し電極でケース５と一体成形され通常インサートケース
と呼ばれろ部品として供給される。６は金属電極層３上
に融着されたシリコンチップ、７はシリコンチップ６の
外周を覆う保護用の樹脂層、８は封止用のエポキシ樹脂
層である。
し電極でケース５と一体成形され通常インサートケース
と呼ばれろ部品として供給される。６は金属電極層３上
に融着されたシリコンチップ、７はシリコンチップ６の
外周を覆う保護用の樹脂層、８は封止用のエポキシ樹脂
層である。
この従来のものでは、金属電極層３の上にシリコンチッ
プ６１！！融着した後、シリコンチップ６の上部電極配
線を行うが、ここでは直接関係ないので説明を省略する
。
プ６１！！融着した後、シリコンチップ６の上部電極配
線を行うが、ここでは直接関係ないので説明を省略する
。
次にインサートケースの電極４の下面に半田を塗布し、
ケース５に接着剤を塗布し、絶縁基板上に載せ温度を上
げろことによって電極金属ｒｆ４３とＴｉ電極およびケ
ース５と絶縁層２を同時に接合する。さらにケース５上
部の１府口部５１からゲル状ＶＪｆ脂を注入し、昇温硬
化させ樹脂層７を形成し、さらにエポキシ樹脂層８によ
り封止することによって電力用半導体装置を完成する。
ケース５に接着剤を塗布し、絶縁基板上に載せ温度を上
げろことによって電極金属ｒｆ４３とＴｉ電極およびケ
ース５と絶縁層２を同時に接合する。さらにケース５上
部の１府口部５１からゲル状ＶＪｆ脂を注入し、昇温硬
化させ樹脂層７を形成し、さらにエポキシ樹脂層８によ
り封止することによって電力用半導体装置を完成する。
この従来のものでは、電極４とパターニングされた金属
電極層３の間が半田層により融着されているが、電極４
がケース５に挿入されていることと、内部を樹脂封止す
ることによ−】て生じる電極４と金属電極層３間のスト
レスによって電極４には次のような力が加わる。
電極層３の間が半田層により融着されているが、電極４
がケース５に挿入されていることと、内部を樹脂封止す
ることによ−】て生じる電極４と金属電極層３間のスト
レスによって電極４には次のような力が加わる。
即ち電極４はケース５に挿入されているため、ケースの
接着、電極の半田融着時等に温度が上昇するとケースに
そりが発生する。従って電極４の下面の平面度が保てな
いために一部電極に上方へ引張る力が働く。またエポキ
シ樹脂層８の硬化が進むと電極４がエポキシ樹脂層に固
定されてくる。
接着、電極の半田融着時等に温度が上昇するとケースに
そりが発生する。従って電極４の下面の平面度が保てな
いために一部電極に上方へ引張る力が働く。またエポキ
シ樹脂層８の硬化が進むと電極４がエポキシ樹脂層に固
定されてくる。
この状態でさらにエポキシ！ ＩＩＩ 層の硬化収縮が
進むと電極４に横方向の力が加わる。
進むと電極４に横方向の力が加わる。
また、樹１１１９層７にゲル状部が残っている場合、エ
ポキシ樹脂層が硬化した後温度が上昇すると、このゲル
状部が膨張し、エポキシ樹脂層が上に押し上げられ電極
４が上方向に引張られる。通常金属電１！ｉｉ層３の厚
みは０１閣以下であり、非常に薄いため外部ｒｉ極４の
下面に加わった力は、はとんどそのまま絶縁層に加わり
絶縁層２の劣化が引き起こされる。
ポキシ樹脂層が硬化した後温度が上昇すると、このゲル
状部が膨張し、エポキシ樹脂層が上に押し上げられ電極
４が上方向に引張られる。通常金属電１！ｉｉ層３の厚
みは０１閣以下であり、非常に薄いため外部ｒｉ極４の
下面に加わった力は、はとんどそのまま絶縁層に加わり
絶縁層２の劣化が引き起こされる。
この発明はこのような従来のものの問題点を解消するた
めになされたもので、金属電極層３と電極４との間に生
じていたストレスを軽減して絶縁層２の劣化を防ごうと
するものである。
めになされたもので、金属電極層３と電極４との間に生
じていたストレスを軽減して絶縁層２の劣化を防ごうと
するものである。
この発明による半導体装置は、絶縁層上に配置された金
属電極層に半導体素子を装着すると共に、金属板を介し
て外部引出し電極を装架したものである。
属電極層に半導体素子を装着すると共に、金属板を介し
て外部引出し電極を装架したものである。
この発明に係る外部引出し電極は、金属板を介して金属
電極層に装架されているので、外部引出し電極から加え
られる力が金属電極層および絶縁層に均等になり、装置
の信頼性が向上する。
電極層に装架されているので、外部引出し電極から加え
られる力が金属電極層および絶縁層に均等になり、装置
の信頼性が向上する。
以下第１図にもとづいてこの発明の一実施例を説明する
。即ち第１図において、９は外部電極４と金属電極Ｎ３
との間に挿入された電極板である。
。即ち第１図において、９は外部電極４と金属電極Ｎ３
との間に挿入された電極板である。
なおその他の構成は第２図〜第４図に示す従来のものと
同様であるので説明を省略する。
同様であるので説明を省略する。
このように構成されたものでは、電極４と金属電極Ｈ３
の間に電極板９を入れているので、電極４に加わった外
力はまず電極板９に伝わる。この電極板９の厚みを１−
程度とすると電極４からの力は電極板下面にほぼ均等に
加わる。
の間に電極板９を入れているので、電極４に加わった外
力はまず電極板９に伝わる。この電極板９の厚みを１−
程度とすると電極４からの力は電極板下面にほぼ均等に
加わる。
従来のものと比べると電極４に加わる力は、ケース５の
そりおよび端子の形状により決まるため同じであるが、
金属電極ｊＦ！３および絶縁ＷＩ２に加わる力は電極板
９が入ることによってほぼ全面にわたって均等になり、
従来構造のものと比較し単位面積当たり加わる最大荷重
は充分小さくなる。
そりおよび端子の形状により決まるため同じであるが、
金属電極ｊＦ！３および絶縁ＷＩ２に加わる力は電極板
９が入ることによってほぼ全面にわたって均等になり、
従来構造のものと比較し単位面積当たり加わる最大荷重
は充分小さくなる。
従って絶、＄［２に加わる最大荷重が小さくなるために
絶縁劣化を防ぐことができる。
絶縁劣化を防ぐことができる。
なおこの発明は、絶縁層を持つメタライズ基板について
は種々のタイプに適用可能である。その場合絶５ｉＨ１
金属電極層の厚みの違いに応じて電極板の厚みを変えて
対応すればよい。
は種々のタイプに適用可能である。その場合絶５ｉＨ１
金属電極層の厚みの違いに応じて電極板の厚みを変えて
対応すればよい。
上記のようにこの発明による半導体装置は、金属板を介
して外部引出し電極が絶縁層上の金属電極層に装架され
るので、外部引出し電極からの力が金属Ｓ極層および絶
縁層に均等に加えられ、ストレスによる劣化が防止され
装置の信頼性が向上する。
して外部引出し電極が絶縁層上の金属電極層に装架され
るので、外部引出し電極からの力が金属Ｓ極層および絶
縁層に均等に加えられ、ストレスによる劣化が防止され
装置の信頼性が向上する。
第１図はこの発明の一実施例を示す要部正面断面図、第
２図〜第４図はいずれも従来のこの種半導体装置を示す
図で、第２図は正面断面図、第３図は平面図、第４図は
第１図■部拡大正面断面図である。 図中、１は放熱板、２は絶縁層、３は金属電極層、４は
外部引出し電極、５はケース、６はシリコンチップ、７
は樹脂層、８はエポキシ樹脂層、９は電極板である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
２図〜第４図はいずれも従来のこの種半導体装置を示す
図で、第２図は正面断面図、第３図は平面図、第４図は
第１図■部拡大正面断面図である。 図中、１は放熱板、２は絶縁層、３は金属電極層、４は
外部引出し電極、５はケース、６はシリコンチップ、７
は樹脂層、８はエポキシ樹脂層、９は電極板である。 尚、図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (2)
- （１）絶縁層上に配置されると共に半導体素子が装着さ
れる金属電極層、この金属電極層上に配置され外部引出
し電極が装架される金属板を備えた半導体装置。 - （２）半導体素子の外周は樹脂で覆われている特許請求
の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4465486A JPS62202544A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4465486A JPS62202544A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62202544A true JPS62202544A (ja) | 1987-09-07 |
Family
ID=12697432
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4465486A Pending JPS62202544A (ja) | 1986-02-28 | 1986-02-28 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62202544A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2622741A1 (fr) * | 1987-11-04 | 1989-05-05 | Nec Corp | Structure pour connexion de substrats a coefficients de dilatation thermique differents |
| US5475261A (en) * | 1990-09-19 | 1995-12-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having many lead pins |
| EP2685492A1 (de) * | 2012-07-09 | 2014-01-15 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit mindestens einem stressreduzierenden Anpasselement |
-
1986
- 1986-02-28 JP JP4465486A patent/JPS62202544A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2622741A1 (fr) * | 1987-11-04 | 1989-05-05 | Nec Corp | Structure pour connexion de substrats a coefficients de dilatation thermique differents |
| US5475261A (en) * | 1990-09-19 | 1995-12-12 | Fujitsu Limited | Semiconductor device having many lead pins |
| EP2685492A1 (de) * | 2012-07-09 | 2014-01-15 | SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG | Leistungshalbleitermodul mit mindestens einem stressreduzierenden Anpasselement |
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