JPH0457104B2 - - Google Patents
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- JPH0457104B2 JPH0457104B2 JP59245929A JP24592984A JPH0457104B2 JP H0457104 B2 JPH0457104 B2 JP H0457104B2 JP 59245929 A JP59245929 A JP 59245929A JP 24592984 A JP24592984 A JP 24592984A JP H0457104 B2 JPH0457104 B2 JP H0457104B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明は、半導体装置、特にそのペレツトおよ
び配線等の保護に適用して有効な技術に関するも
のである。
び配線等の保護に適用して有効な技術に関するも
のである。
半導体装置の耐温性向上またはα線対策等を目
的にペレツト、該ペレツトの電気的接続に使用さ
れる金ワイヤ等の配線を、たとえばコーテイング
材として、いわゆるシリコーンゲルを用いて被覆
することにより、ペレツト等を保護することが考
えられる。
的にペレツト、該ペレツトの電気的接続に使用さ
れる金ワイヤ等の配線を、たとえばコーテイング
材として、いわゆるシリコーンゲルを用いて被覆
することにより、ペレツト等を保護することが考
えられる。
ところが、前記シリコーンゲルは、通常ゼリー
状であるため、非常に大きな振動を伴う機械等に
前記半導体装置が使用される場合は、振動時にシ
リコーンゲルが揺動変形を起こし、ひいては被着
面から剥がれることになるため、該シリコーンゲ
ル内に埋設されているワイヤの切断が生じ易く、
さらにはペレツトの剥がれが生じる等の問題があ
る。
状であるため、非常に大きな振動を伴う機械等に
前記半導体装置が使用される場合は、振動時にシ
リコーンゲルが揺動変形を起こし、ひいては被着
面から剥がれることになるため、該シリコーンゲ
ル内に埋設されているワイヤの切断が生じ易く、
さらにはペレツトの剥がれが生じる等の問題があ
る。
また、ペレツトの高集積化、高速演算の要請等
により、演算時におけるペレツトの発熱が大きく
なる傾向にある。このペレツトに発生する熱を速
やかに外部へ逃すための放熱媒体としても前記シ
リコーンゲルを利用することができる。
により、演算時におけるペレツトの発熱が大きく
なる傾向にある。このペレツトに発生する熱を速
やかに外部へ逃すための放熱媒体としても前記シ
リコーンゲルを利用することができる。
たとえば、パツケージがキヤビテイ上方でアル
ミニウム等のキヤツプで封止されてなる半導体装
置においては、熱を該キヤツプから外部へ放熱す
るために、前記シリコーンゲルをキヤツプ裏面に
接触させる必要がある。
ミニウム等のキヤツプで封止されてなる半導体装
置においては、熱を該キヤツプから外部へ放熱す
るために、前記シリコーンゲルをキヤツプ裏面に
接触させる必要がある。
ところが、キヤツプの取付がキヤビテイ底部に
ペレツトを取り付け、電気的接続等を行い、次い
でシリコーンゲルをキヤビテイ内に充填する等の
一連の工程が終了した後に行われるため、該シリ
コーンゲルとキヤツプ裏面との十分な接触を図る
ことが技術的に難しいという問題もあることが本
発明者により見い出された。
ペレツトを取り付け、電気的接続等を行い、次い
でシリコーンゲルをキヤビテイ内に充填する等の
一連の工程が終了した後に行われるため、該シリ
コーンゲルとキヤツプ裏面との十分な接触を図る
ことが技術的に難しいという問題もあることが本
発明者により見い出された。
なお、キヤビテイのペレツト等を所定厚のシリ
コーンゲル等で被覆して保護してなる半導体装置
については、特願昭58−16051号に記載がある。
コーンゲル等で被覆して保護してなる半導体装置
については、特願昭58−16051号に記載がある。
本発明の目的は、パツケージのキヤビテイ内に
ペレツトおよび配線等を覆う所定厚でコーテイン
グ材が装填されてなる半導体装置について、該半
導体装置の強振時においてもワイヤの切断、ペレ
ツトの剥がれ等を防止する技術を提供することに
ある。
ペレツトおよび配線等を覆う所定厚でコーテイン
グ材が装填されてなる半導体装置について、該半
導体装置の強振時においてもワイヤの切断、ペレ
ツトの剥がれ等を防止する技術を提供することに
ある。
本発明の他の目的は、前記半導体装置につい
て、放熱性向上に適用して有効な技術を提供する
ことにある。
て、放熱性向上に適用して有効な技術を提供する
ことにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特
徴は、本明細書の記述および添付図面から明らか
になるであろう。
徴は、本明細書の記述および添付図面から明らか
になるであろう。
本願において開示される発明のうち代表的なも
のの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
のの概要を簡単に説明すれば、次の通りである。
すなわち、前記半導体装置において、所定形状
の保持部材をコーテイング材に載設または埋設す
ることにより、また、必要に応じて該保持部材を
パツケージの一部で固定することにより、該コー
テイング材の揺動または剥がれを防止することが
できることより、該揺動または剥がれに起因する
ワイヤ等の配線の切断、さらにはペレツトの剥が
れ等が防止されるものである。
の保持部材をコーテイング材に載設または埋設す
ることにより、また、必要に応じて該保持部材を
パツケージの一部で固定することにより、該コー
テイング材の揺動または剥がれを防止することが
できることより、該揺動または剥がれに起因する
ワイヤ等の配線の切断、さらにはペレツトの剥が
れ等が防止されるものである。
また、前記保持部材を熱伝導性材料で形成し、
その一部をキヤツプ等の放熱部に接触せしめるこ
とにより、コーテイング材がキヤツプ裏面等に接
触しない状態においても、十分な放熱性を確保で
きるものである。
その一部をキヤツプ等の放熱部に接触せしめるこ
とにより、コーテイング材がキヤツプ裏面等に接
触しない状態においても、十分な放熱性を確保で
きるものである。
実施例 １
第１図は本発明による実施例１である半導体装
置を、そのほぼ中心を切る面における断面図で示
すものである。
置を、そのほぼ中心を切る面における断面図で示
すものである。
本実施例１の半導体装置は、基板１がエポキシ
樹脂等の樹脂で形成されてなる、いわゆるピング
リツドアレイ型のパツケージからなるものであつ
て、該基板１上面周囲にはアルミニウム製の枠体
であるダム２がシリコーン樹脂系接着剤３で接合
されており、該ダム２の上面にはアルミニウム製
のキヤツプ４が熱伝導性を有する接着剤５で取り
付けられ、キヤビテイ６が封止されてなるもので
ある。
樹脂等の樹脂で形成されてなる、いわゆるピング
リツドアレイ型のパツケージからなるものであつ
て、該基板１上面周囲にはアルミニウム製の枠体
であるダム２がシリコーン樹脂系接着剤３で接合
されており、該ダム２の上面にはアルミニウム製
のキヤツプ４が熱伝導性を有する接着剤５で取り
付けられ、キヤビテイ６が封止されてなるもので
ある。
また、キヤビテイ６内である前記基板１上面の
ほぼ中央部にはシリコン単結晶からなるペレツト
７が、いわゆる銀ペースト８で取り付けられてお
り、該ペレツト７は基板１上面に形成されている
メタライズ９と金等のワイヤ１０を介して電気的
に接続されており、さらに該メタライズ９は基板
１に植設されているピン１１と電気的に接続され
てなるものであり、その上、前記ペレツト７およ
びワイヤ１０等は、該ペレツト等を腐食等より保
護するために所定厚のコーテイング材である、い
わゆるシリコーンゲル１２で被覆されてなるもの
である。
ほぼ中央部にはシリコン単結晶からなるペレツト
７が、いわゆる銀ペースト８で取り付けられてお
り、該ペレツト７は基板１上面に形成されている
メタライズ９と金等のワイヤ１０を介して電気的
に接続されており、さらに該メタライズ９は基板
１に植設されているピン１１と電気的に接続され
てなるものであり、その上、前記ペレツト７およ
びワイヤ１０等は、該ペレツト等を腐食等より保
護するために所定厚のコーテイング材である、い
わゆるシリコーンゲル１２で被覆されてなるもの
である。
本実施例１の特徴は、前記シリコーンゲル１２
に保持部材である所定形状に折り曲げて成形した
金属製、たとえば42アロイからなる網１３が埋設
され、該網１３はその周囲で前記接着剤５により
キヤツプ４を取り付けると同時に固定されてなる
ものである。
に保持部材である所定形状に折り曲げて成形した
金属製、たとえば42アロイからなる網１３が埋設
され、該網１３はその周囲で前記接着剤５により
キヤツプ４を取り付けると同時に固定されてなる
ものである。
このように、保持部材である網１３をその周囲
を固定し、内側をシリコーンゲル１２に埋設する
ことにより、該シリコーンゲルの所定位置に保持
できるので、本実施例１の半導体装置が強い振動
状態に置かれる場合であつても、該シリコーンゲ
ルの揺動や剥がれに起因するワイヤ１０の切断等
の発生を防止できるものである。
を固定し、内側をシリコーンゲル１２に埋設する
ことにより、該シリコーンゲルの所定位置に保持
できるので、本実施例１の半導体装置が強い振動
状態に置かれる場合であつても、該シリコーンゲ
ルの揺動や剥がれに起因するワイヤ１０の切断等
の発生を防止できるものである。
また、熱伝導性を有する接着剤５に網１３の周
囲が接触しているため、動作時にペレツトに発生
する熱を該網１３を通してキヤツプ４に伝えるこ
とができ、効率の良い放熱が達成されるものであ
る。もし、前記網１３が存在しない場合は、たと
えばシリコーンゲル１２の一部をキヤツプ裏面に
接触させて該シリコーンゲル１２を通して熱をキ
ヤツプ４に伝えることにより放熱を行うことがで
きるが、シリコーンゲルは金属に比べ熱伝導性が
低いため必ずしも十分な信頼性が得られない。
囲が接触しているため、動作時にペレツトに発生
する熱を該網１３を通してキヤツプ４に伝えるこ
とができ、効率の良い放熱が達成されるものであ
る。もし、前記網１３が存在しない場合は、たと
えばシリコーンゲル１２の一部をキヤツプ裏面に
接触させて該シリコーンゲル１２を通して熱をキ
ヤツプ４に伝えることにより放熱を行うことがで
きるが、シリコーンゲルは金属に比べ熱伝導性が
低いため必ずしも十分な信頼性が得られない。
ところが、本実施例１の如くシリコーンゲル１
２に金属性の網１３を埋設することにより、シリ
コーンゲル１２における放熱経路を短くして、熱
伝導性の大きい金属で熱伝導が可能となるため、
放熱性向上をも達成できるものである。
２に金属性の網１３を埋設することにより、シリ
コーンゲル１２における放熱経路を短くして、熱
伝導性の大きい金属で熱伝導が可能となるため、
放熱性向上をも達成できるものである。
実施例 ２
第２図は本発明による実施例２である半導体装
置を、そのほぼ中心を切る面における断面図で示
すものである。
置を、そのほぼ中心を切る面における断面図で示
すものである。
本実施例２の半導体装置は、搭載されているペ
レツトが、複数ペレツト７がフエースダウンボン
デイングされている、いわゆるマザーチツプ７ａ
である点で異なるのみで、他は概ね前記実施例１
と同様のものである。
レツトが、複数ペレツト７がフエースダウンボン
デイングされている、いわゆるマザーチツプ７ａ
である点で異なるのみで、他は概ね前記実施例１
と同様のものである。
本実施例２においては、ペレツト７がフエース
ダウンボンデイングされているため、第２図に示
す如く図中ペレツト上面に金属性の網１３を直に
接触させることができるため、シリコーンゲル１
２を介することなく直接該網１３を通して放熱が
可能となるので、前記実施例１の半導体装置に比
べさらに放熱性の向上を達成できるものである。
ダウンボンデイングされているため、第２図に示
す如く図中ペレツト上面に金属性の網１３を直に
接触させることができるため、シリコーンゲル１
２を介することなく直接該網１３を通して放熱が
可能となるので、前記実施例１の半導体装置に比
べさらに放熱性の向上を達成できるものである。
実施例 ３
第３図は本発明による実施例３である半導体装
置を、そのほぼ中心を切る面における断面図で示
すものである。
置を、そのほぼ中心を切る面における断面図で示
すものである。
本実施例３の半導体装置は、前記実施例１とほ
ぼ同様であるが、保持部材が所定形状に成形され
た金属板１４で形成され、かつ該金属板１４がシ
リコーンゲル１２上面に載設されていることに違
いがあるものである。
ぼ同様であるが、保持部材が所定形状に成形され
た金属板１４で形成され、かつ該金属板１４がシ
リコーンゲル１２上面に載設されていることに違
いがあるものである。
本実施例３の如く保持部材を板状にすることに
より、網状に比べシリコーンゲル１２を十分に保
持することが可能となる。
より、網状に比べシリコーンゲル１２を十分に保
持することが可能となる。
第４図は参考例である半導体装置を、そのほぼ
中心を切る面における断面図で示すものである。
中心を切る面における断面図で示すものである。
本参考例の特徴は、保持部材として断面コ字状
のプラスチツク板１５であつて、その上面にスル
ーホール１５ａを有するものを用いたことにあ
る。
のプラスチツク板１５であつて、その上面にスル
ーホール１５ａを有するものを用いたことにあ
る。
このような保持部材を用いることにより、単に
キヤビテイ６内にセツトするのみでシリコーンゲ
ル１２を確実に保持することができ、かつプラス
チツクで形成されているため、図示するようなメ
タライズ９と接触する形状にしても、さらには該
プラスチツク板１５がワイヤ１０と接触する場合
であつても、電気的トラブルの発生を避けること
ができるものである。
キヤビテイ６内にセツトするのみでシリコーンゲ
ル１２を確実に保持することができ、かつプラス
チツクで形成されているため、図示するようなメ
タライズ９と接触する形状にしても、さらには該
プラスチツク板１５がワイヤ１０と接触する場合
であつても、電気的トラブルの発生を避けること
ができるものである。
以上、実施例で取り上げた半導体装置では、キ
ヤツプ取付前の工程において、キヤビテイ内に所
定厚でゲル形成前のシリコーンゲル原料を注入し
た後、所定温度で処理してゲル化させることによ
りシリコーンゲル１２の装填が達成されるもので
ある。
ヤツプ取付前の工程において、キヤビテイ内に所
定厚でゲル形成前のシリコーンゲル原料を注入し
た後、所定温度で処理してゲル化させることによ
りシリコーンゲル１２の装填が達成されるもので
ある。
なかでも、前記実施例１および２の場合は、キ
ヤツプ４を取り付けるための接着剤５で保持部材
である網１３の周囲を挟持する状態で該保持部材
をセツトした後、上方より前記シリコーンゲル原
料を注入し、次いでキヤツプ４を載置して熱処理
を行うことによりパツケージの封止とシリコーン
ゲル１２の形成とを同時に達成できるものであ
る。
ヤツプ４を取り付けるための接着剤５で保持部材
である網１３の周囲を挟持する状態で該保持部材
をセツトした後、上方より前記シリコーンゲル原
料を注入し、次いでキヤツプ４を載置して熱処理
を行うことによりパツケージの封止とシリコーン
ゲル１２の形成とを同時に達成できるものであ
る。
そして、前記実施例３の場合は、初めにシリコ
ーンゲル原料を注入し、その後該原料上面に接触
するように保持部材をセツトして同様に行うこと
ができる。
ーンゲル原料を注入し、その後該原料上面に接触
するように保持部材をセツトして同様に行うこと
ができる。
また、前記参考例の場合は、保持部材をキヤビ
テイ内にセツトした後シリコーンゲル原料を上方
より該部材のスルーホール１５ａを通して注入
し、その後同様にキヤツプ取付と同時にゲル化す
ることにより目的が達成される。
テイ内にセツトした後シリコーンゲル原料を上方
より該部材のスルーホール１５ａを通して注入
し、その後同様にキヤツプ取付と同時にゲル化す
ることにより目的が達成される。
(1) パツケージのキヤビテイ内に、ペレツトおよ
び配線等を覆う所定厚でコーテイング材が装填
されてなる半導体装置について、所定形状の保
持部材を前記コーテイング材に載設または埋設
することにより、該半導体装置が強振動を受け
るような場合等であつても該コーテイング材の
揺動、ひいては剥がれ防止することができるの
で、該振動または剥がれに起因するワイヤを切
断さらにはペレツトの剥がれ等の発生を防止で
きるものである。
び配線等を覆う所定厚でコーテイング材が装填
されてなる半導体装置について、所定形状の保
持部材を前記コーテイング材に載設または埋設
することにより、該半導体装置が強振動を受け
るような場合等であつても該コーテイング材の
揺動、ひいては剥がれ防止することができるの
で、該振動または剥がれに起因するワイヤを切
断さらにはペレツトの剥がれ等の発生を防止で
きるものである。
(2) 保持部材をその一部でパツケージにより固定
することによつて、前記(1)に記載する効果をさ
らに向上させることができる。
することによつて、前記(1)に記載する効果をさ
らに向上させることができる。
(3) 前記保持部材を熱伝導性材料で形成すること
により、半導体装置の放熱性向上を達成でき
る。
により、半導体装置の放熱性向上を達成でき
る。
(4) 前記(3)に記載する保持部材を、その周囲をパ
ツケージのダムとキヤツプの間に挟持する状態
で熱伝導性接着剤で固定することにより、キヤ
ツプから効率よく放熱を行うことができる。
ツケージのダムとキヤツプの間に挟持する状態
で熱伝導性接着剤で固定することにより、キヤ
ツプから効率よく放熱を行うことができる。
(5) 保持部材を金属製の網を所定形状にプレス等
で成形して形成することにより、十分な放熱性
を備えて、かつコーテイング材の保持力の強い
ものを提供できる。
で成形して形成することにより、十分な放熱性
を備えて、かつコーテイング材の保持力の強い
ものを提供できる。
(6) 保持部材を金属製の板を所定形状に成形して
形成することにより、放熱性を備え、かつコー
テイング材をその上面で保持するに適したもの
を提供できる。
形成することにより、放熱性を備え、かつコー
テイング材をその上面で保持するに適したもの
を提供できる。
(7) スルーホールを有する板状で、または網材で
保持部材を形成することにより、原料注入が該
部材をセツトした後、その上方より行うことが
できるとともに、保持部材をコーテイング材に
埋設した場合は、コーテイング材が該部材の上
方と下方で連続されて装填されるため、保持強
度を増大させることができる。
保持部材を形成することにより、原料注入が該
部材をセツトした後、その上方より行うことが
できるとともに、保持部材をコーテイング材に
埋設した場合は、コーテイング材が該部材の上
方と下方で連続されて装填されるため、保持強
度を増大させることができる。
(8) コーテイング材としてシリコーンゲルが用い
ることにより、装填を容易に行うことができる
と同時にペレツト等の耐湿性向上およびペレツ
トのα線エラーの防止対策等を達成できる。
ることにより、装填を容易に行うことができる
と同時にペレツト等の耐湿性向上およびペレツ
トのα線エラーの防止対策等を達成できる。
以上本発明者によつてなされた発明を実施例に
基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例
に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもな
い。
たとえば、保持部材としては、その形状が前記
実施例に示したものに限るものでなく、同目的達
成に適するものであれば如何なるものでもよい。
また、必ずしもその一部をパツケージで固定する
ものに限るものでもなく、単にコーテイング材上
面に載置したものであつても、単にコーテイング
材内に埋設したものであつてもよい。
実施例に示したものに限るものでなく、同目的達
成に適するものであれば如何なるものでもよい。
また、必ずしもその一部をパツケージで固定する
ものに限るものでもなく、単にコーテイング材上
面に載置したものであつても、単にコーテイング
材内に埋設したものであつてもよい。
保持部材の金属材料として42アロイを示した
が、銅等のいかなるものであつてもよいことはい
うまでもない。
が、銅等のいかなるものであつてもよいことはい
うまでもない。
また、コーテイング材としてはシリコーンゲル
に限らず、ペレツト等の保護を目的に使用される
他のゲル材料または樹脂等の如何なるものについ
ても適用できる。
に限らず、ペレツト等の保護を目的に使用される
他のゲル材料または樹脂等の如何なるものについ
ても適用できる。
以上の説明では主として本発明者によつてなさ
れた発明をその背景となつた利用分野である、基
板が樹脂で形成されてなる、いわゆるピングリツ
ドアレイ型半導体装置に適用した場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、たと
えば、キヤビテイを有するパツケージで形成され
てなる半導体装置であつて、ペレツト等をコーテ
イング材で被覆して形成されてなる半導体装置で
あれば、パツケージの材料および型式等に関係な
く如何なるものにも適用して有効な技術である。
れた発明をその背景となつた利用分野である、基
板が樹脂で形成されてなる、いわゆるピングリツ
ドアレイ型半導体装置に適用した場合について説
明したが、それに限定されるものではなく、たと
えば、キヤビテイを有するパツケージで形成され
てなる半導体装置であつて、ペレツト等をコーテ
イング材で被覆して形成されてなる半導体装置で
あれば、パツケージの材料および型式等に関係な
く如何なるものにも適用して有効な技術である。
第１図は、本発明による実施例１である半導体
装置を示す断面図、第２図は、本発明による実施
例２である半導体装置を示す断面図、第３図は、
本発明による実施例３である半導体装置を示す断
面図、第４図は、参考例である半導体装置を示す
断面図である。 １……基板、２……ダム、３……接着剤、４…
…キヤツプ、５……接着材、６……キヤビテイ、
７……ペレツト、７ａ……マザーチツプ、８……
銀ペースト、９……メタライズ、１０……ワイ
ヤ、１１……ピン、１２……シリコーンゲル、１
３……網、１４……金属板、１５……プラスチツ
ク板、１５ａ……スルーホール。
装置を示す断面図、第２図は、本発明による実施
例２である半導体装置を示す断面図、第３図は、
本発明による実施例３である半導体装置を示す断
面図、第４図は、参考例である半導体装置を示す
断面図である。 １……基板、２……ダム、３……接着剤、４…
…キヤツプ、５……接着材、６……キヤビテイ、
７……ペレツト、７ａ……マザーチツプ、８……
銀ペースト、９……メタライズ、１０……ワイ
ヤ、１１……ピン、１２……シリコーンゲル、１
３……網、１４……金属板、１５……プラスチツ
ク板、１５ａ……スルーホール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ パツケージのキヤビテイ内に、ペレツト及び
配線等を覆う所定厚でコーテング材が装填されて
なり、かつその周囲が上記パツケージのダムとキ
ヤツプの間に挟持されてなる保持部材に、上記コ
ーテング材が接触保持されてなることを特徴とす
る半導体装置。 ２ 上記保持部材が、金属で構成されていること
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置。 ３ 上記保持部材の少なくともコーテング材との
接触部が、網目構造であることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の半導体装置。 ４ 上記保持部材の少なくともコーテング材との
接触部が、１又は２以上のスルーホールを有する
板状体で形成されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245929A JPS61125055A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59245929A JPS61125055A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61125055A JPS61125055A (ja) | 1986-06-12 |
| JPH0457104B2 true JPH0457104B2 (ja) | 1992-09-10 |
Family
ID=17140949
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59245929A Granted JPS61125055A (ja) | 1984-11-22 | 1984-11-22 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61125055A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4432319B2 (ja) * | 2001-01-23 | 2010-03-17 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| US6782745B1 (en) * | 2003-02-21 | 2004-08-31 | Visteon Global Technologies, Inc. | Slosh supressor and heat sink |
| JP6292017B2 (ja) * | 2014-05-14 | 2018-03-14 | 日産自動車株式会社 | パワー半導体モジュール及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188947A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
-
1984
- 1984-11-22 JP JP59245929A patent/JPS61125055A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59188947A (ja) * | 1983-04-11 | 1984-10-26 | Matsushita Electronics Corp | 樹脂封止形半導体装置の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61125055A (ja) | 1986-06-12 |
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