JP2002100722A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

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JP2002100722A JP2000286890A JP2000286890A JP2002100722A JP 2002100722 A JP2002100722 A JP 2002100722A JP 2000286890 A JP2000286890 A JP 2000286890A JP 2000286890 A JP2000286890 A JP 2000286890A JP 2002100722 A JP2002100722 A JP 2002100722A
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pellet
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semiconductor pellet
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Yukihiro Sato
幸弘 佐藤
Kazuo Shimizu
一男 清水
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 タブが樹脂封止体下面で露出したＱＦＰの放
熱性の低下を防ぐ。 【解決手段】 タブ１８が樹脂封止体３５の下面で露出
したＱＦＰ３７において、タブ１８の周辺部にペレット
３２と反対側（上面側）が薄くなる段差部２１が形成さ
れ、段差部２１には周方向に連続する凹凸部２２が形成
されている。段差部２１および凹凸部２２が樹脂封止体
３５の内部に埋設した状態で、タブ１８の下面が樹脂封
止体３５の下面で露出されている。 【効果】 万一、タブが露出した樹脂封止体の下面でタ
ブと樹脂との界面で剥離が発生しても、その剥離の樹脂
封止体の内部への進行を段差部で遮断できるため、外部
の水分が接着層に達するのを防止でき、所謂水蒸気爆発
による接着層の剥離の発生を防止でき、剥離に伴う接着
層の熱抵抗の増加によるタブが樹脂封止体下面で露出し
たＱＦＰの放熱性能の低下を未然に防止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、樹脂封止パッケージの放熱性を向上させる技術に関
し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備えた半
導体集積回路装置（以下、表面実装形パッケージＩＣと
いう。）に利用して有効な技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】表面実装形パッケージＩＣは、半導体素
子を含む集積回路が作り込まれた半導体ペレット（以
下、ペレットという。）と、ペレットが銀ペースト等に
よって接着されたタブと、ペレットの各電極パッドにワ
イヤを介して電気的に接続された複数本のインナリード
と、各インナリードにそれぞれ連結された複数本のアウ
タリードと、ペレット、タブおよびインナリード群を樹
脂封止した樹脂封止体とを備えている。このＩＣの表面
実装形パッケージにおいて放熱性能を高める手段として
タブのペレットと反対側の主面（以下、下面とする。）
を樹脂封止体の下面から露出させることが、一般的に考
えられる。
【０００３】なお、樹脂封止体の下面にタブが露出され
た表面実装形パッケージを述べている例としては、特開
平５−２９１４５９号公報がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、樹脂封
止体の下面にタブが露出された表面実装形パッケージに
おいては、樹脂封止体の下面におけるタブの外周に剥離
ないしは隙間が発生すると、ペレットとタブとの接着層
に剥離ないしはクラックが発生するため、放熱性能が低
下してしまう場合があることが本発明者によって明らか
にされた。
【０００５】本発明の目的は、ペレットとタブとの間の
剥離等による放熱性能の低下を防止することができる半
導体装置を提供することにある。
【０００６】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【０００８】すなわち、半導体ペレットと、半導体ペレ
ットが接着層によってボンディングされたタブと、半導
体ペレットの各電極に電気的に接続された複数本のイン
ナリードと、各インナリードにそれぞれ一連に連設され
た複数本のアウタリードと、半導体ペレット、タブおよ
びインナリード群を樹脂封止した樹脂封止体とを備えて
いる半導体装置において、前記タブの周辺部に前記半導
体ペレットと反対側が薄くなる段差部が形成されている
とともに、この段差部には周方向に連続する凹凸部が形
成されており、この凹凸部が前記樹脂封止体の内部に埋
設した状態で、前記タブの前記半導体ペレットと反対側
の主面が前記樹脂封止体の前記半導体ペレットと反対側
の主面で露出されていることを特徴とする。
【０００９】前記した手段によれば、半導体ペレットが
接着層によってボンディングされたタブが樹脂封止体の
主面において露出されているため、半導体装置の放熱性
能を向上することができる。万一、タブが露出した樹脂
封止体の主面においてタブと樹脂との界面で剥離ないし
は隙間が形成されたとしても、その隙間の樹脂封止体の
内部への進行を段差部によって遮断することができるた
め、外部の水分が接着層に達するのを防止することがで
きる。その結果、樹脂封止体の温度上昇に伴って引き起
こされる所謂水蒸気爆発による接着層の剥離ないしはク
ラックの発生を防止することができるため、その剥離な
いしはクラックに伴う接着層における熱抵抗の増加によ
る放熱性能の低下現象の発生を未然に防止することがで
きる。
【００１０】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態であ
る半導体装置を示しており、（ａ）は正面断面図、
（ｂ）は一部切断底面図である。図２以降はその製造方
法を示す各説明図である。
【００１１】本実施の形態において、本発明に係る半導
体装置は図１に示されているように、表面実装形パッケ
ージの一例であるクワット・フラット・パッケージ（以
下、ＱＦＰという。）３７を備えた半導体集積回路装置
３８として構成されている。このＱＦＰを備えた半導体
集積回路装置（以下、ＱＦＰ・ＩＣという。）３８のＱ
ＦＰ３７は、絶縁性を有する樹脂が用いられて略正方形
の平盤形状に形成された樹脂封止体３５と、樹脂封止体
３５の四枚の側面からそれぞれ一列に揃えられて突出さ
れガル・ウイング形状に屈曲された複数本のアウタリー
ド２０とを備えている。樹脂封止体３５の内部には、半
導体素子を含む集積回路が作り込まれたペレット３２
と、ペレット３２が接着層３１によって接着されたタブ
１８と、ペレット３２の各電極パッド３２ａにワイヤ３
３を介して電気的に接続された複数本のインナリード１
９とが樹脂封止されており、各インナリード１９は各ア
ウタリード２０にそれぞれ一体的に連設されている。ま
た、アウタリード２０群は樹脂封止体３５の四辺から水
平面内で直角にそれぞれ突出されてガル・ウイング形状
に屈曲されているとともに、樹脂封止体３５の下側主面
の高さ位置に略揃えられている。
【００１２】本実施の形態において、タブ１８の周辺部
にはペレットと反対側が薄くなる段差部２１が形成され
ているとともに、段差部２１には周方向に連続する凹凸
部２２が形成されており、凹凸部２２が樹脂封止体３５
の内部に埋設した状態で、タブ１８のペレット３２と反
対側の主面が樹脂封止体３５のペレット３２と反対側の
主面で露出されている。
【００１３】以下、本発明の一実施の形態であるＱＦＰ
・ＩＣの製造方法を説明する。この説明によって、前記
ＱＦＰ・ＩＣの構成の詳細が共に明らかにされる。
【００１４】本実施の形態において、ＱＦＰ・ＩＣの製
造方法には、図２に示された多連リードフレーム１１が
使用されており、この多連リードフレーム１１は多連リ
ードフレーム成形工程によって製作されて準備される。
この多連リードフレーム１１は、鉄−ニッケル合金や燐
青銅等の比較的大きい機械的強度を有するばね材料から
なる薄板が用いられて、打ち抜きプレス加工またはエッ
チング加工等の手段により一体成形されている。多連リ
ードフレーム１１の表面には銀（Ａｇ）等を用いためっ
き処理が、後述するワイヤボンディングが適正に実施さ
れるように部分的または全体的に施されている（図示せ
ず）。この多連リードフレーム１１には複数の単位リー
ドフレーム１２が横方向に一列に並設されている。但
し、説明および図示は一単位について行われる。
【００１５】単位リードフレーム１２は位置決め孔１３
ａが開設されている外枠１３を一対備えており、両外枠
１３、１３は所定の間隔で平行になるように配されて一
連にそれぞれ延設されている。隣り合う単位リードフレ
ーム１２、１２間には一対のセクション枠１４が両外枠
１３、１３間に互いに平行に配されて一体的に架設され
ており、これら外枠１３、１３、セクション枠１４、１
４により形成される略正方形の枠体（フレーム）内に単
位リードフレーム１２が構成されている。
【００１６】各単位リードフレーム１２において、外枠
１３およびセクション枠１４の接続部にはダム吊り部材
１５が略直角方向にそれぞれ配されて一体的に突設され
ており、ダム吊り部材１５には四本のダム部材１６が略
正方形の枠形状になるように配されて、一体的に吊持さ
れている。
【００１７】セクション枠１４側の各ダム部材１６には
タブ吊りリード１７がそれぞれの一端に配されて、略４
５度方向に対向して一体的に突設されており、各タブ吊
りリード１７の先端には略正方形の平板形状に形成され
たタブ１８が、ダム部材１６群の枠形状と略同心的に配
されて、これらタブ吊りリード１７により吊持されるよ
うに一体的に連設されている。各タブ吊りリード１７は
タブ１８の付近においてそれぞれ屈曲されており、この
タブ吊りリード１７の屈曲によって、タブ１８は後記す
るリード群の面よりも、後記するペレットの厚さ分程度
下げられている（所謂タブ下げ。）。
【００１８】各ダム部材１６の内側辺にはインナリード
１９が複数本、長手方向に等間隔に配されて互いに平行
でダム部材１６と直交するように一体的に突設されてお
り、各ダム部材１６における各インナリード１９の先端
部はタブ１８の外周に近接した状態で略一直線に揃うよ
うに敷設されている。他方、各ダム部材１６の外側辺に
はアウタリード２０が複数本、各インナリード１９に一
連に連続するように一体的に突設されており、各ダム部
材１６における各アウタリード２０の先端部は外枠１３
およびセクション枠１４にそれぞれ接続されている。各
ダム部材１６における隣り合うアウタリード２０、２０
間の部分は、後述する樹脂封止体成形時にレジンの流れ
をせき止めるダム１６ａをそれぞれ構成している。
【００１９】本実施の形態において、図１に示されてい
るように、また、図４（ｂ）で参照されるように、タブ
１８の四辺には上面側が薄くなる段差部２１が形成され
ているとともに、段差部２１には周方向に連続する凹凸
部２２が矩形波形状に形成されている。ちなみに、多連
リードフレーム１１がエッチング加工によって製造され
る場合には、段差部２１および凹凸部２２は所謂ハーフ
エッチング加工によって容易に形成することができる。
また、多連リードフレーム１１がプレス加工（塑性加
工）によって製造される場合には、圧印加工（coining
）および孔あけ加工（punching）または打抜き加工（b
lanking）によって加工することができる。この場合、
段差部２１を圧印加工によって成形した後に、凹凸部２
２をインナリード１９と共に孔あけ加工または打抜き加
工によって成形すると、圧印加工の歪みを孔あけ加工ま
たは打抜き加工によって除去することができる。
【００２０】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム１１には、
ペレット・ボンディング工程およびワイヤ・ボンディン
グ工程において、ペレット・ボンディング作業、続い
て、ワイヤ・ボンディング作業が実施される。これらボ
ンディング作業は多連リードフレームが横方向にピッチ
送りされることにより、各単位リードフレーム毎に順次
実施される。これらボンディング作業に際して、多連リ
ードフレームは加熱されるが、タブ１８にはプレス加工
時の応力が残留していないため、タブ１８が熱によって
反ったり変形されたりすることはない。また、段差部２
１および段差部２１に形成された凹凸部２２はタブ１８
の厚さ内に収まっているため、多連リードフレーム１１
の送りを妨害することはない。
【００２１】まず、ペレット・ボンディング作業によ
り、ＩＣの製造工程における所謂前工程において半導体
素子を含む集積回路を作り込まれた半導体集積回路構造
物としてのペレット３２が、図３および図４に示されて
いるように、各単位リードフレーム１２におけるタブ１
８上の略中央部に配されて、タブ１８とペレット３２と
の間に形成された接着層３１によって機械的に固着され
ることによりボンディングされる。接着層３１の形成手
段としては、銀ペースト接着層によるボンディング法が
使用される。
【００２２】続いて、ワイヤボンディング作業により、
図３および図４に示されているように、タブ１８の上に
ボンディングされたペレット３２の電極パッド３２ａ
と、各単位リードフレーム１２におけるインナリード１
９との間には、ワイヤ３３が超音波熱圧着式ワイヤボン
ディング装置等のワイヤボンディング装置（図示せず）
が使用されることにより、その両端部をそれぞれボンデ
ィングされて橋絡される。これにより、ペレット３２に
作り込まれた集積回路は電極パッド３２ａ、ワイヤ３
３、インナリード１９およびアウタリード２０を介して
電気的に外部に引き出された状態になる。
【００２３】以上のようにしてペレットおよびワイヤ・
ボンディングされた組立体３４には各単位リードフレー
ム毎に樹脂封止体が、図５に示されているトランスファ
成形装置４０が使用されて、各単位リードフレームにつ
いて同時成形される。
【００２４】図５に示されたトランスファ成形装置４０
はシリンダ装置（図示せず）によって互いに型締めされ
る一対の上型４１と下型４２とを備えており、上型４１
と下型４２との合わせ面には上型キャビティー凹部４３
ａと下型キャビティー凹部４３ｂとが互いに協働してキ
ャビティー４３を形成するようにそれぞれ複数組没設さ
れている。
【００２５】上型４１の合わせ面にはポット４４が開設
されており、ポット４４にはシリンダ装置（図示せず）
により進退されるプランジャ４５が成形材料としての樹
脂（以下、レジンという。）を送給し得るように挿入さ
れている。下型４２の合わせ面にはカル４６がポット４
４との対向位置に配されて没設されているとともに、複
数条のランナ４７がカル４６にそれぞれ接続するように
放射状に配されて没設されている。各ランナ４７の他端
部は下側キャビティー凹部４３ｂにそれぞれ接続されて
おり、その接続部にはゲート４８がレジンをキャビティ
ー４３内に注入し得るように形成されている。また、下
型４２の合わせ面には逃げ凹所４９がリードフレームの
厚みを逃げ得るように、多連リードフレーム１１の外形
よりも若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法
の一定深さに没設されている。
【００２６】トランスファ成形に際して、図３および図
４に示された組立体３４は多連リードフレーム１１が下
型４２に没設された逃げ凹所４９内に収容され、各単位
リードフレーム１２におけるペレット３２が各キャビテ
ィー４３内にそれぞれ収容されるように配されてセット
される。続いて、上型４１と下型４２とが型締めされ
る。この状態において、タブ１８の下面は下型キャビテ
ィー凹部４３ｂの上面に押接された状態になる。
【００２７】次いで、レジン５０がポット４４からプラ
ンジャ４５によりランナ４７およびゲート４８を通じて
各キャビティー４３に送給されて圧入される。キャビテ
ィー４３に圧入されたレジン５０はキャビティー４３に
隙間なく充填されるため、レジン５０はタブ１８に形成
された段差部２１および凹凸部２２にも隙間なく充填さ
れる。
【００２８】充填後、レジンが熱硬化されて樹脂封止体
３５が成形されると、上型４１および下型４２は型開き
されるとともに、エジェクタ・ピン（図示せず）により
樹脂封止体３５群が離型される。このようにして、図６
に示されているように、樹脂封止体３５群が成形された
組立体３６はトランスファ成形装置４０から脱装され
る。
【００２９】図６に示されているように、以上のように
して成形された樹脂封止体３５の内部にはタブ１８の下
面が樹脂封止体３５の下面において露出された状態にお
いて、タブ１８、ペレット３２、インナリード１９およ
びワイヤ３３が樹脂封止された状態になる。そして、タ
ブ１８の段差部２１は樹脂封止体３５の内部に埋め込ま
れた状態になっており、凹凸部２２の各凹部２３には樹
脂封止体３５の樹脂がそれぞれ充填された状態になって
おり、凹凸部２２の各凸部２４は樹脂封止体３５の樹脂
に投錨した状態になっている。
【００３０】樹脂封止体３５を成形された半完成品とし
ての組立体３６は、リード切断成形工程（図示せず）に
おいて、外枠１３、セクション枠１４およびダム１６ａ
を各単位リードフレーム１２毎に切り落とされるととも
に、アウタリード２０群をガル・ウイング形状に屈曲さ
れる。その結果、複数本のアウタリード２０が略正方形
の平盤形状の樹脂封止体３５の四枚の側面からそれぞれ
一列に揃えられて突出されてガル・ウイング形状に屈曲
され、かつ、タブ１８の下面が樹脂封止体３５の下面に
おいて露出されたＱＦＰ３７が形成された状態になり、
図１に示された前記構成に係るＱＦＰ・ＩＣ３８が製造
されたことになる。
【００３１】以上のようにして製造された接続構成に係
るＱＦＰ・ＩＣ３８は、図１（ａ）に想像線で示されて
いるようにプリント配線基板５１に実装される。すなわ
ち、プリント配線基板５１にはランド５２が複数個、実
装対象物となるＱＦＰ・ＩＣ３８における各アウタリー
ド２０にそれぞれ対応するように配されて長方形の薄板
形状に形成されているとともに、樹脂封止体３５の下面
から露出したタブ１８に対応するタブ用ランド５３が同
様に形成されている。そして、ＱＦＰ・ＩＣ３８の各ア
ウタリード２０が各ランド５２にそれぞれ当接されると
ともに、タブ１８がタブ用ランド５３に当接された状態
で、リフロー半田付け処理されると、ＱＦＰ・ＩＣ３８
はプリント配線基板５１に半田付け部５４によって機械
的かつ電気的に接続される。
【００３２】このＱＦＰ・ＩＣ３８のプリント配線基板
５１での実装状態において、ペレット３２の発熱はタブ
１８へ接着層３１を経由して熱伝導され、さらに、タブ
１８からタブ用ランド５３へ半田付け部５４を経由して
熱伝導されることにより、放熱される。このようにペレ
ット３２の発熱はプリント配線基板５１へ熱伝導によっ
て直接放熱されるため、放熱効率はきわめて良好にな
る。
【００３３】次に、ＱＦＰ・ＩＣ３８の段差部２１およ
び凹凸部２２の作用を説明する。
【００３４】半導体装置の製造工場で製造されたＱＦＰ
・ＩＣ３８は出荷前に抜き取り検査を実施される。抜き
取り検査としては温度サイクル試験や熱衝撃試験を含む
環境試験が実施される。このような環境試験に際して、
熱ストレスが前記構成に係るＱＦＰ・ＩＣに加わった場
合には、ペレット、樹脂封止体およびタブの構成材料の
熱膨張係数差に起因して樹脂封止体の内部に応力が発生
する。このような度重なる熱ストレスによる繰り返しの
応力により、樹脂封止体３５の下面においてタブ１８の
外周の樹脂との界面に剥離ないしは隙間が発生すること
がある。
【００３５】万一、樹脂封止体３５の下面においてタブ
１８の外周の樹脂との界面に剥離ないしは隙間が発生す
ると、樹脂封止体３５の外部の水分がその隙間を通って
ペレット３２とタブ１８を接着している接着層３１に達
して接着層３１に吸湿される。接着層３１に吸湿された
水分はＱＦＰ・ＩＣ３８の加熱時に膨張することによっ
て所謂水蒸気爆発を引き起こすため、接着層３１の剥離
ないしはクラックが発生する場合がある。
【００３６】前述した通り、ペレット３２の発熱はペレ
ット３２とタブ１８との接着層３１を経由して熱伝導に
よって放熱されるため、接着層３１に剥離ないしはクラ
ックが発生すると、ペレット３２の発熱のタブ１８への
熱伝導が妨げられ、タブ１８が樹脂封止体３５の下面で
露出されたＱＦＰ・ＩＣ３８の放熱が低下してしまう。
しかし、本実施の形態に係るＱＦＰ・ＩＣ３８において
は、タブ１８の外周辺部に段差部２１および凹凸部２２
が形成されていることにより、接着層３１の剥離ないし
はクラックの発生を防止することができるため、タブ１
８が樹脂封止体３５の下面で露出されたＱＦＰ・ＩＣ３
８の放熱性能が低下するのを防止することができる。
【００３７】すなわち、温度サイクル試験や熱衝撃試験
を含む環境試験等の熱ストレスによる繰り返し応力によ
って、万一、タブ１８が露出した樹脂封止体３５の下面
においてタブ１８と樹脂との界面で剥離ないしは隙間が
形成されたとしても、その剥離ないしは隙間の樹脂封止
体３５の内部への進行は樹脂封止体３５の内部に埋設さ
れた段差部２１によって遮断される。したがって、樹脂
封止体３５の外部の水分が樹脂封止体３５の下面におい
てタブ１８の外周辺に形成された剥離ないしは隙間を通
って接着層３１に達する現象は、段差部２１によって防
止されることになる。
【００３８】そして、段差部２１の樹脂封止体３５の樹
脂に対する剥離は段差部２１に形成された凹凸部２２の
樹脂封止体３５の樹脂への投錨効果によって防止される
ため、段差部２１に剥離ないしは隙間が形成されること
はない。
【００３９】以上のようにして、本実施の形態において
は、樹脂封止体３５の外部の水分の接着層３１への侵入
が段差部２１および凹凸部２２によって遮断されること
により、樹脂封止体３５の温度上昇に伴って引き起こさ
れる所謂水蒸気爆発による接着層３１の剥離ないしはク
ラックの発生は防止することができるため、接着層３１
における熱抵抗の増加による放熱性能の低下現象の発生
を未然に防止することができる。
【００４０】前記実施の形態によれば、次の効果が得ら
れる。
【００４１】1) タブが樹脂封止体の下面で露出したＱ
ＦＰ・ＩＣの樹脂封止体下面におけるタブ外周の剥離な
いしは隙間からの樹脂封止体の外部の水分の接着層への
侵入をタブの外周辺部に形成された段差部によって防止
することにより、接着層における水蒸気爆発による接着
層の剥離ないしはクラックの発生を防止することができ
るため、タブが樹脂封止体の下面で露出したＱＦＰ・Ｉ
Ｃの放熱性能の低下を未然に防止することができる。
【００４２】2) 前記1)により、タブが樹脂封止体の下
面で露出した放熱性能の良好なＱＦＰ・ＩＣの市場への
提供を実現することができる。
【００４３】3) 段差部に周方向に連続する凹凸部を形
成することにより、段差部の樹脂との界面に剥離ないし
は隙間が発生するのを防止することができるため、樹脂
封止体の外部の水分が接着層に達するのを確実に阻止す
ることができる。
【００４４】4) 段差部および凹凸部はタブの厚さ内に
収まるため、樹脂封止体の厚さが増加するのを回避する
ことができ、ＱＦＰ・ＩＣの厚さの増加を防止すること
ができる。
【００４５】5) 段差部および凹凸部は多連リードフレ
ームの成形時にタブと同時に成形することができるた
め、生産性の低下を抑制することができる。
【００４６】図７は本発明の他の実施の形態であるＱＦ
Ｐ・ＩＣの主要部を示しており、（ａ）は正面断面図、
（ｂ）はタブの外周部分を示す樹脂部を省略した斜視図
である。
【００４７】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、ペレット３２の周辺部がタブ１８の凹凸部２２に対
してオーバハング状態に配置されている点である。
【００４８】本実施の形態においては、タブ１８の外周
辺部に段差部２１および凹凸部２２が形成されているた
め、前記実施の形態と同様の作用効果が奏される。
【００４９】なお、タブ１８の段差部２１に形成される
凹凸部２２は平面視が矩形波形状に形成するに限らず、
例えば、図８（ａ）および（ｂ）に示されているように
形成してもよい。図８（ａ）の凹凸部２２Ａは平面視が
三角形波形状に形成されている。図８（ｂ）の凹凸部２
２Ｂは凹部２３ＢがＵ字形状に形成されている。
【００５０】図９は本発明の別の他の実施の形態である
ＱＦＰ・ＩＣの主要部を示しており、（ａ）は正面断面
図、（ｂ）はタブの外周部分を示す樹脂部を省略した斜
視図である。
【００５１】本実施の形態が前記実施の形態と異なる点
は、タブ１８の周辺部に凹凸部の無い段差部２５が形成
されており、この段差部２５の先端側が上方に近づくよ
うに屈曲されている点である。この段差部２５の傾斜角
度は２０度〜４５度が好ましい。
【００５２】本実施の形態においては、タブ１８の外周
辺部に段差部２５が形成されているため、前記実施の形
態と同様の作用効果が奏される。また、凹凸部の無い段
差部２５は上向きに屈曲されることによって樹脂封止体
３５の樹脂に厚さ方向に投錨された状態になっているた
め、タブ１８の径方向についての変位を固定することが
でき、その結果、凹凸部の無い段差部２５における剥離
ないしは隙間の発生を防止することができる。
【００５３】以上本発明者によってなされた発明を実施
の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施
の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しな
い範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５４】例えば、段差部に形成される凹凸部の形状
は、矩形波形状や三角形波形状および凹部がＵ字形状の
矩形波形状に形成するに限らず、多角形や半円形あるい
は直線と曲線の組合せ等であってもよく、特に、その形
状は問わない。
【００５５】段差部は一段に形成するに限らず、二段や
三段等の多段に形成してもよい。また、凹凸部の無い段
差部２５を屈曲させるのに限らず、図１０に示されてい
るように、凹凸部の有る段差部２１を屈曲させてもよ
い。
【００５６】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるＱＦＰ
・ＩＣに適用した場合について主に説明したが、それに
限定されるものではなく、樹脂封止パッケージを備えて
いる半導体装置全般に適用することができる。特に、本
発明は、低熱抵抗が要求される厚さが薄い表面実装形樹
脂封止パッケージを備えている半導体装置の製造技術に
利用して優れた効果が得られる。
【００５７】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【００５８】タブが樹脂封止体の下面で露出した表面実
装形樹脂封止パッケージの樹脂封止体下面におけるタブ
外周の剥離ないしは隙間からの樹脂封止体の外部の水分
の接着層への侵入をタブの外周辺部に形成された段差部
によって防止することにより、接着層における水蒸気爆
発による接着層の剥離を防止することができるため、タ
ブが樹脂封止体の下面で露出した表面実装形樹脂封止パ
ッケージの放熱性能の低下を未然に防止することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態であるＱＦＰ・ＩＣを示
しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は一部切断底面
図である。
【図２】そのＱＦＰ・ＩＣの製造方法に使用される多連
リードフレームを示しており、（ａ）は一部省略平面
図、（ｂ）は正面断面図である。
【図３】ペレットおよびワイヤ・ボンディング工程後を
示す一部省略平面図である。
【図４】（ａ）は図３のIV−IV線に沿う正面断面図、
（ｂ）はタブの外周部分を示す斜視図である。
【図５】樹脂封止体の成形工程を示しており、（ａ）は
一部省略縦断面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線に沿う断
面図である。
【図６】樹脂封止体成形後の組立体を示しており、
（ａ）は一部切断平面図、（ｂ）は正面断面図である。
【図７】本発明の他の実施の形態であるＱＦＰ・ＩＣの
主要部を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）はタ
ブの外周部分を示す樹脂部を省略した斜視図である。
【図８】凹凸部の変形例をそれぞれ示すタブの各底面図
であり、（ａ）は三角形波形状の凹凸部を示し、（ｂ）
は凹部がＵ字形状の凹凸部を示している。
【図９】本発明の別の他の実施の形態であるＱＦＰ・Ｉ
Ｃの主要部を示しており、（ａ）は正面断面図、（ｂ）
はタブの外周部分を示す樹脂部を省略した斜視図であ
る。
【図１０】凹凸部の有る段差部を屈曲させた実施の形態
を示すタブの外周部分を示す樹脂部を省略した斜視図で
ある。
【符号の説明】
１１…多連リードフレーム、１２…単位リードフレー
ム、１３…外枠、１３ａ…位置決め孔、１４…セクショ
ン枠、１５…ダム吊り部材、１６…ダム部材、１６ａ…
ダム、１７…タブ吊りリード、１８…タブ、１９…イン
ナリード、２０…アウタリード、２１…段差部、２２、
２２Ａ、２２Ｂ…凹凸部、２３、２３Ｂ…凹部、２４…
凸部、２５…凹凸部の無い段差部、３１…接着層、３２
…ペレット、３２ａ…電極パッド、３３…ワイヤ、３４
…組立体、３５…樹脂封止体、３６…樹脂封止体成形後
の組立体、３７…ＱＦＰ（表面実装形樹脂封止パッケー
ジ）、３８…ＱＦＰ・ＩＣ（表面実装形樹脂封止パッケ
ージを備えている半導体装置）、４０…トランスファ成
形装置、４１…上型、４２…下型、４３…キャビティ
ー、４３ａ…上型キャビティー凹部、４３ｂ…下型キャ
ビティー凹部、４４…ポット、４５…プランジャ、４６
…カル、４７…ランナ、４８…ゲート、４９…逃げ凹
所、５０…レジン、５１…プリント配線基板、５２…ラ
ンド、５３…タブ用ランド、５４…半田付け部。

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体ペレットと、半導体ペレットが接
    着層によってボンディングされたタブと、半導体ペレッ
    トの各電極に電気的に接続された複数本のインナリード
    と、各インナリードにそれぞれ一連に連設された複数本
    のアウタリードと、半導体ペレット、タブおよびインナ
    リード群を樹脂封止した樹脂封止体とを備えている半導
    体装置において、前記タブの周辺部に前記半導体ペレッ
    トと反対側が薄くなる段差部が形成されているととも
    に、この段差部には周方向に連続する凹凸部が形成され
    ており、この凹凸部が前記樹脂封止体の内部に埋設した
    状態で、前記タブの前記半導体ペレットと反対側の主面
    が前記樹脂封止体の前記半導体ペレットと反対側の主面
    で露出されていることを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 前記凹凸部の形状が矩形波形状または三
    角形波形状に形成されていることを特徴とする請求項１
    に記載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 前記半導体ペレットの周辺部が前記タブ
    に前記凹凸部に対してオーバハング状態に配置されてい
    ることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装
    置。
  4. 【請求項４】 半導体ペレットと、半導体ペレットがボ
    ンディングされているタブと、半導体ペレットの各電極
    に電気的に接続されている複数本のインナリードと、各
    インナリードにそれぞれ一連に連設されている複数本の
    アウタリードと、半導体ペレット、タブおよびインナリ
    ード群を樹脂封止する樹脂封止体とを備えている半導体
    装置において、前記タブの周辺部に前記半導体ペレット
    と反対側が薄くなる段差部が形成されており、この段差
    部が前記樹脂封止体の内部に埋設した状態で、前記タブ
    の前記半導体ペレットと反対側の主面が前記樹脂封止体
    の前記半導体ペレットと反対側の主面で露出されている
    ことを特徴とする半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記段差部の先端側が前記半導体ペレッ
    ト側に近づくように屈曲されていることを特徴とする請
    求項１、２または４に記載の半導体装置。
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