JP2000012756A - 半導体装置およびその製造方法並びにそれを使用した実装構造体 - Google Patents

半導体装置およびその製造方法並びにそれを使用した実装構造体

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JP2000012756A
JP2000012756A JP19236198A JP19236198A JP2000012756A JP 2000012756 A JP2000012756 A JP 2000012756A JP 19236198 A JP19236198 A JP 19236198A JP 19236198 A JP19236198 A JP 19236198A JP 2000012756 A JP2000012756 A JP 2000012756A
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Japan
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tab
lead
sealing body
semiconductor device
resin sealing
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JP19236198A
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Toshinori Hirashima
利宣 平島
Akira Higuchi
顕 樋口
Kazuo Shimizu
一男 清水
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱伝導によって放熱性能を高める。 【解決手段】 チップが搭載されたタブ16と、各アウ
タリード19に連結されてチップのパッドにワイヤで接
続された複数本のインナリードと、チップ、タブおよび
各インナリードを樹脂封止した樹脂封止体25とを備え
ているSOP・IC29において、タブ16が樹脂封止
体25の下面で露出され、樹脂封止体25には貫通孔2
6が形成され、タブ吊りリード15に形成されたリード
片20bが貫通孔26内で突出されてタブ16の露出面
と一致されている。 【効果】 リード片への半田付け部は貫通孔を通して観
察できる。リード片はタブと同一条件で配線基板に半田
付けされるため、タブの半田付け状態を実質的に検査で
きる。タブ下面の配線基板のランドへの半田付けでペレ
ットの発熱をタブ、ランドを介し配線基板に熱伝導で放
出できるため、放熱性能を向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置、特
に、樹脂封止パッケージの放熱性能を向上させる技術に
関し、例えば、表面実装形樹脂封止パッケージを備えて
いる半導体集積回路装置(以下、ICという。)に利用
して有効な技術に関する。
【0002】
【従来の技術】表面実装形樹脂封止パッケージを備えて
いるICは、半導体素子を含む集積回路が作り込まれた
半導体チップ(以下、チップという。)と、チップが搭
載されたタブと、チップの各ボンディングパッドにボン
ディングワイヤを介して電気的に接続された複数本のイ
ンナリードと、各インナリードにそれぞれ連結されたア
ウタリードと、チップ、タブおよび各インナリードを樹
脂封止した樹脂封止体とを備えている。このICの表面
実装形樹脂封止パッケージにおいて放熱性能を高める手
段としては、タブのチップが搭載される側の主面と反対
側の主面(以下、下面とする。)を樹脂封止体の下面か
ら露出させることが、一般的に考えられる。
【0003】樹脂封止体の下面にタブが露出されたパッ
ケージを述べてある例として、日本国特許庁公開特許公
報特開平5−291459号がある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】樹脂封止体の下面にタ
ブが露出されたパッケージにおいては、露出されたタブ
をプリント配線基板のランドに半田付けすることによ
り、チップの発熱をタブおよび半田付け部を介してプリ
ント配線基板に熱伝導によって放出させることができ
る。しかし、タブとランドとの半田付け部は樹脂封止体
の真下に隠れてしまうため、半田付け部が適正に形成さ
れているか否かを外観検査することができない。その結
果、樹脂封止体の下面にタブが露出されたパッケージ
は、タブをプリント配線基板のランドに半田付けするこ
とにより放熱性能を高めるという技術を実用化すること
が困難である。
【0005】本発明の目的は、熱伝導によって放熱性能
を高めることができる半導体装置を提供することにあ
る。
【0006】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
【0008】すなわち、半導体チップと、半導体チップ
が搭載されたタブと、各アウタリードにそれぞれ連結さ
れて半導体チップに電気的に接続された複数本のインナ
リードと、半導体チップ、タブおよび各インナリードを
樹脂封止した樹脂封止体とを備えている半導体装置にお
いて、前記タブが前記樹脂封止体の一主面にて露出され
ており、前記樹脂封止体には厚さ方向に貫通した貫通部
が形成されており、前記タブと一体に形成されたリード
片が前記貫通部に突出され、前記樹脂封止体の厚さ方向
において前記タブの露出面と一致されていることを特徴
とする。
【0009】前記した手段によれば、タブが樹脂封止体
の一主面において露出されているため、タブをプリント
配線基板のランドに半田付けすることができる。ここ
で、タブに連結された連結部の一部が樹脂封止体に形成
された貫通部において突出されてタブの露出面と一致さ
れているため、連結部はタブと同一条件でプリント配線
基板のランドに半田付けさせることができる。しかも、
この連結部に形成された半田付け部は樹脂封止体の上方
から貫通部を通して観察することができるため、半田付
け部が適正に形成されている否かを外観検査することが
できる。そして、連結部はタブと同一条件でプリント配
線基板に半田付けされるため、連結部の半田付け部を外
観検査することにより、タブに形成された半田付け部を
実質的に外観検査することができる。その結果、タブ下
面のプリント配線基板のランドへの半田付け技術を実用
化することができる。タブ下面のプリント配線基板のラ
ンドへの半田付けにより、半導体チップの発熱をタブお
よびランドを介してプリント配線基板に熱伝導によって
直接的に放出させることができるため、表面実装形パッ
ケージの放熱性能を飛躍的に高めることができる。
【0010】
【発明の実施の形態】図1は本発明の一実施形態である
半導体装置を示しており、図2以降はその製造方法にお
ける各工程を示している。
【0011】本実施形態において、本発明に係る半導体
装置は、表面実装形樹脂封止パッケージを備えているI
Cの一例であるスモール・アウトライン・パッケージ
(以下、SOPという。)を備えているIC(以下、S
OP・ICという。)として構成されている。図1に示
されているSOP・IC29は、チップ22と、チップ
22が搭載されているタブ16と、タブ16に連結され
た連結部としてのタブ吊りリード15と、チップ22の
各ボンディングパッドにボンディングワイヤ23を介し
て電気的に接続された複数本のインナリード18と、各
インナリード18にそれぞれ連結されたアウタリード1
9と、チップ22、タブ16、タブ吊りリード15の一
部および各インナリード18を封止した樹脂封止体25
とを備えている。SOPは樹脂封止体25とアウタリー
ド19群によって構成されており、SOPの樹脂封止体
25は平面視が長方形の平盤形状に形成されている。S
OPのアウタリード19群は樹脂封止体25の両長辺の
側面から外部に突出されてガル・ウイング形状に成形さ
れている。
【0012】樹脂封止体25の互いに対向する一対の主
面(以下、上面および下面とする。)のうち下面には、
タブ16の下面が露出されている。樹脂封止体25にお
いて、タブ16の両側に位置する部分には、2つの貫通
孔26が樹脂封止体25の厚さ方向に貫通するようにそ
れぞれ形成されている。樹脂封止体25の長辺方向に延
在した各タブ吊りリード15において、貫通孔26に対
応する位置にはスリット20aが形成されており、スリ
ット20aの形状によってリード片20bが形成されて
いる。各リード片20bは各貫通孔26内においてガル
ウイング形状に屈曲されている。
【0013】以下、本発明の一実施形態である前記構成
に係るSOP・ICの製造方法を説明する。この説明に
より、SOP・ICについての前記した構成の詳細が共
に明らかにされる。
【0014】SOP・ICの製造方法には、図2に示さ
れている多連リードフレーム11が使用される。多連リ
ードフレーム11は多連リードフレーム成形工程によっ
て製作されて準備される。図2に示されている多連リー
ドフレーム11は鉄−ニッケル合金や燐青銅等の比較的
大きい機械的強度を有するばね材料からなる薄板が用い
られて、打ち抜きプレス加工またはエッチング加工によ
り一体成形されている。多連リードフレーム11の表面
には銀(Ag)等を用いためっき被膜(図示せず)が、
ワイヤボンディングが適正に実施されるように部分的ま
たは全体的に施されている。多連リードフレーム11は
複数の単位リードフレーム12が一方向に一列に並べら
れている。但し、便宜上、一単位のみが図示されてい
る。
【0015】単位リードフレーム12は位置決め孔13
aが形成された一対の外枠13を備えている。一対の外
枠13は所定の間隔で平行にそれぞれ形成されている。
隣り合う単位リードフレーム12間には一対のセクショ
ン枠14が両外枠13、13間に互いに平行に形成され
ている。これら外枠とセクション枠により形成された長
方形の枠体および枠体内に形成された各要素によって単
位リードフレーム12が構成されている。
【0016】一対の外枠13の各中央部には連結部とし
てのタブ吊りリード15がそれぞれ一体的に形成されて
おり、両タブ吊りリード15は略長方形の板形状に形成
されている。両タブ吊りリード15の先端には長方形形
状のタブ16が一体的に形成されている。両タブ吊りリ
ード15はタブ16の付近においてそれぞれ屈曲されて
いる。このタブ吊りリード15の屈曲により、タブ16
はインナリード18群の面よりもチップ22の厚さ分以
上下げられており、このタブ下げによってタブ16は樹
脂封止体25の下面に露出されるようになっている。
【0017】一対の外枠13の間には一対のダムバー1
7が、タブ16の両脇においてそれぞれ平行に形成され
ている。ダムバー17の内側にはインナリード18が複
数本、長手方向に等間隔に配されてダムバー17と直交
するように突設されている。各インナリード18の内側
端部はタブ16を取り囲むように配置されている。ダム
バー17の外側にはインナリード18と同数本のアウタ
リード19がインナリード18と一連になるように突設
されている。ダムバー17における隣合うアウタリード
19間の部分は、樹脂封止体25の成形時にレジンの流
れをせき止めるダム17aを構成している。
【0018】タブ吊りリード15の中間部には貫通孔2
6の内部に突出される長方形状のリード片20bがそれ
ぞれ形成されている。すなわち、タブ吊りリード15に
は前記リード片20bを供給するように、長方形の3辺
に沿うスリット20aが形成されており、スリット20
aにその形状を規定されたリード片20bを有するリー
ド片20bの基端は、タブ16を下げるための屈曲部よ
りも外枠13側に位置されている。リード片の基端から
先端までの長さは、タブ下げの高さよりも長くなるよう
に設定されている。
【0019】多連リードフレーム成形工程において準備
された以上の構成に係る多連リードフレーム11には、
チップをリードフレームに搭載する工程(ダイボンディ
ング工程とも言う。)およびワイヤ・ボンディング工程
において、ダイ・ボンディング作業、続いて、ワイヤ・
ボンディング作業が実施される。これらボンディング作
業は多連リードフレームが一方向にピッチ送りされるこ
とにより、各単位リードフレーム毎に順次実施される。
【0020】まず、ダイ・ボンディング作業により、半
導体装置の製造工程におけるウエハプロセスにおいて半
導体素子を含む集積回路が作り込まれたチップ22が、
図3に示されているように、各単位リードフレーム12
におけるタブ16上の略中央部に配されて、タブ16と
チップ22との間に形成された接着層21によって機械
的に固着される。接着層21としては、金−シリコン共
晶層、はんだ付け層および銀ペースト接着層を用いるこ
とが可能である。
【0021】続いて、ワイヤ・ボンディング作業によ
り、図3に示されているように、タブ16の上に配置さ
れたチップ22の各ボンディングパッド22aと各イン
ナリード18との間にはボンディングワイヤ23が、超
音波熱圧着式ワイヤボンディング装置等のワイヤボンデ
ィング装置(図示せず)が使用されることにより形成さ
れる。これにより、チップ22に作り込まれている集積
回路の電気的信号、電源はボンディングパッド22a、
ボンディングワイヤ23、インナリード18およびアウ
タリード19を介して外部に引き出されることになる。
【0022】以上のようにしてダイおよびワイヤ・ボン
ディングされた図3に示されている組立体24には、各
単位リードフレーム毎に樹脂封止体25が、図4および
図5に示されているトランスファ成形装置30が使用さ
れて各単位リードフレーム12について図6に示されて
いるように成形される。
【0023】図4および図5に示されているトランスフ
ァ成形装置30は、シリンダ装置等(図示せず)によっ
て互いに型締めされる一対の上型31と下型32とを備
えており、上型31と下型32との合わせ面には上型キ
ャビティー凹部33aと下型キャビティー凹部33bと
によって、その形状が規定されるキャビティー33を形
成するようにそれぞれ複数組形成されている。上型キャ
ビティー凹部33aおよび下型キャビティー凹部33b
は平面的に見て略長方形であり、断面的には一定深さの
穴形状である。
【0024】上型31の合わせ面にはポット34が形成
されており、ポット34にはシリンダ装置(図示せず)
により進退されるプランジャ35が成形材料としての樹
脂(以下、レジンという。)を各ランナ37に供給する
ように挿入されている。下型32の合わせ面にはカル3
6がポット34との対向位置に配置されているととも
に、複数本のランナ37がカル36にそれぞれ接続する
ように放射状に配置されている。各ランナ37の他端部
は下側キャビティー凹部33bにそれぞれ接続されてお
り、その接続部にはゲート38がレジンをキャビティー
33内に注入し得るように形成されている。また、下型
32の合わせ面には逃げ溝39がリードフレームの厚み
を吸収するように、多連リードフレーム11の外形より
も若干大きめの長方形で、その厚さと略等しい寸法の一
定深さに形成されている。
【0025】本実施形態において、図4および図5
(b)に示されているように、上型キャビティー凹部3
3aおよび下型キャビティー凹部33bの天井面および
底面には貫通孔を成形するための上側凸部40aおよび
下側凸部40bが一対ずつ、互いに対向するようにそれ
ぞれ形成されている。図5(c)に詳しく示されている
ように、各上側凸部40aおよび各下側凸部40bは各
タブ吊りリード15のスリット20aに対向するように
なっている。また、各上側凸部40aおよび各下側凸部
40bは小径部がスリット20aよりも若干大きめの長
方形の角錐台形状にそれぞれ形成されている。
【0026】トランスファ成形に際して前記構成に係る
組立体24は、多連リードフレーム11が下型32に形
成されている逃げ溝39内に収容され、各単位リードフ
レーム12におけるチップ22が各キャビティー33内
にそれぞれ収容されるように配置される。この状態にお
いて、タブ16の下面は下側キャビティー凹部33bの
底面に接した状態になる。また、各タブ吊りリード15
の突出部20は各下側凸部40bにそれぞれ接した状態
になる。
【0027】次に、上型31と下型32とが型締めされ
る。これにより、図4および図5(a)に示されている
ように、ダムバー17群、両外枠13、13および両タ
ブ吊りリード15、15は上型31と下型32との合わ
せ面によって挟まれた状態になる。また、図4および図
5(b)に示されているように、各突出部20は各上側
凸部40aと各下側凸部40bとの合わせ面によって挟
まれた状態になる。上側凸部40aと下側凸部40bと
によって突出部20が挟まれた状態において、スリット
20aは上側凸部40aおよび下側凸部40bの合わせ
面によって塞がれた状態になっている。
【0028】その後、レジン41がポット34からプラ
ンジャ35によってランナ37およびゲート38を通じ
て各キャビティー33に注入される。この注入により、
キャビティー33にはレジン41が図4および図5
(a)、(b)に示されているように充填される。この
際、スリット20aは上側凸部40aおよび下側凸部4
0bの合わせ面によって塞がれた状態になっているた
め、スリット20aにはレジン41は侵入しない。
【0029】注入後、レジン41が熱硬化されて樹脂封
止体25が成形されると、上型31および下型32は型
開きされるとともに、樹脂封止体25群がエジェクタ・
ピンによって離型される。
【0030】以上のようにして組立体24に樹脂封止体
25群が成形されることによって、図6に示されている
成形体27が形成される。成形体27における各樹脂封
止体25の内部には、タブ16、チップ22、インナリ
ード18、ボンディングワイヤ23、タブ吊りリード1
5が樹脂封止された状態になっている。タブ16の下面
は樹脂封止体25の下面において面一の状態で露出して
いる。
【0031】樹脂封止体25には2つの貫通孔26が形
成されている。貫通孔26は上側凸部40a、下側凸部
40bによって樹脂封止体25と同時に形成された孔で
ある。上側凸部40aと下側凸部40bは突出部20を
挟み込んでいたため、貫通孔26の内部には突出部20
が突出した状態になっている。突出部20はスリット2
0aによって切り抜かれたリード片20bによって形成
されているため、タブ16側の端部を除いた三方は貫通
孔26の内部においてタブ吊りリード15から切り離さ
れた状態になっている。スリット20aは貫通孔26内
に露出した状態になっており、スリット20aの内部に
はレジン41は充填されていない状態になっている。
【0032】以上のようにして組立体24に樹脂封止体
25を成形された成形体27は、半田めっき処理工程に
おいてアウタリード19および突出部20に半田めっき
被膜を被着された後に、リード成形工程において、単位
リードフレーム毎に外枠13、セクション枠14および
ダム17aが切り落とされ、各アウタリード19および
リード片20bがガル・ウイング形状に屈曲される。
【0033】次に、図7および図8を参照にしてアウタ
リード19およびリード片20bの成形工程について説
明する。
【0034】図7および図8に示されている成形装置4
9は上側取付板50および下側取付板60を備えてお
り、上側取付板50はシリンダ装置(図示せず)によっ
て上下動されることにより、機台上に設置された下側取
付板60に対して接近離反するように構成されている。
上側取付板50および下側取付板60には上側ホルダ5
1および下側ホルダ61がそれぞれ取り付けられてお
り、両ホルダ51、61には上側押さえ型52および下
側押さえ型62が互いに心合わせされてそれぞれ保持さ
れている。
【0035】上側押さえ型52および下側押さえ型62
は互いに樹脂封止体25の外形に沿うキャビティーを供
給する形状に形成されており、上側押さえ型52と下側
押さえ型62とはアウタリード用押さえ部53a、53
bと、63a、63bとにより、アウタリード19にお
ける根元部を上下から押さえるように構成されている。
上側押さえ型52はガイド56およびスプリング57に
より独立懸架されるように構成されている。
【0036】図8に示されているように、上側ホルダ5
1にはアウタリード用パンチ54が一対、上側押さえ型
52の前後両脇においてアウタリード19群の全体幅に
対応するように配されて垂直下向きに固設されており、
アウタリード用パンチ54はアウタリード用ダイ64と
協働してアウタリード19をガル・ウイング形状に屈曲
成形し得るように構成されている。下側押さえ型62に
は一対のアウタリード用ダイ64が押さえ部63a、6
3bの両脇で隣接されて形成されている。アウタリード
用ダイ64は成形後におけるアウタリード19のガル・
ウイング形状を規定するように形成されている。
【0037】図7に示されているように、上側ホルダ5
1にはリード片用パンチ55が一対、左右のリード片2
0bに対応するように上側押さえ型52を貫通して垂直
下向きに突出されている。リード片用パンチ55とリー
ド片用ダイ65は、リード片20bをガル・ウイング形
状に屈曲成形し得るように構成されている。下側押さえ
型62には一対のリード片用ダイ65がリード片用パン
チ55にそれぞれ対応するように配設されている。一対
のリード片用ダイ65は成形後におけるリード片20b
のガル・ウイング形状を規定するようにそれぞれ形成さ
れている。
【0038】以上の構成に係る成形装置49を使用して
アウタリード19および突出部20を成形するに際して
は、図7および図8に示されているように、外枠13や
セクション枠14、ダム17aが切り落とされた状態の
被成形物28が下側押さえ型62の凹部に樹脂封止体2
5を落とし込まれるようにしてセットされる。これによ
り、アウタリード19およびリード片20bにおける根
元部が下側押さえ型62の押さえ部63a、63bにそ
れぞれ接する。
【0039】次に、シリンダ装置により上側取付板50
が下降され、上側押さえ型52が下側押さえ型62にス
プリング57の力により合わせられる。これにより、上
側押さえ型52の押さえ部53a、53bと下側押さえ
型62の押さえ部63a、63bとの間において、被屈
曲部としてのアウタリード19およびリード片20bに
おける根元部がそれぞれ挟圧されて固定される。
【0040】上側取付板50がさらに下降されて行く
と、アウタリード用パンチ54およびリード片用パンチ
55が下降されて行く。このとき、上側押さえ型52は
スプリング57が圧縮変形されるため、下側押さえ型6
2に押圧される。
【0041】さらに、アウタリード用パンチ54および
リード片用パンチ55がアウタリード用ダイ64および
リード片用ダイ65に対して下降されると、アウタリー
ド19およびリード片20bはアウタリード用パンチ5
4およびリード片用パンチ55によってアウタリード用
ダイ64およびリード片用ダイ65に押し付けられるこ
とにより、アウタリード用ダイ64およびリード片用ダ
イ65に倣うように屈曲されて所望のガル・ウイング形
状に成形される。
【0042】アウタリード用パンチ54およびリード片
用パンチ55が所定のストロークを終了すると、上側取
付板50は上昇され、元の待機状態まで戻される。その
後、成形済の被成形物28は下側押さえ型62から取り
外される。
【0043】以上のようにして、図1に示されている前
記構成に係るSOP・IC29が製造されたことにな
る。そして、このSOP・IC29はプリント配線基板
70に図9に示されているように表面実装されることに
よって、このSOP・IC29が搭載された実装構造体
80が製造される。
【0044】図9に示されている実装構造体80のプリ
ント配線基板70はガラスエポキシ樹脂等の絶縁材料が
使用されて平板形状に形成された本体71を備えてい
る。本体71の上面には通電用ランド72が複数個、実
装対象物であるSOP・IC29におけるアウタリード
19に対応するように二列に配列されている。通電用ラ
ンド72の二列の内側にはタブ用ランド73が、タブ1
6よりも若干大きめの略長方形に形成されている。タブ
用ランド73の左右両脇には各リード片20b用ランド
74が、リード片20bの樹脂封止体25における露出
面よりも若干大きめの略長方形形状に形成されている。
【0045】SOP・IC29がプリント配線基板70
に表面実装されるに際しては、プリント配線基板70の
通電用ランド72、タブ用ランド73およびリード片用
ランド74には半田ペーストが予め塗布される。
【0046】次いで、SOP・IC29がプリント配線
基板70に搭載され、SOP・IC29におけるアウタ
リード19、タブ16およびリード片がプリント配線基
板70の通電用ランド72、タブ用ランド73およびリ
ード片用ランド74に整合されて半田ペーストによって
接着される。
【0047】この状態で、リフロー炉等を通されること
によって、SOP・IC29がプリント配線基板にリフ
ロー半田付けされる。この半田付けによって、SOP・
IC29のアウタリード19、タブ16およびリード片
20bと、プリント配線基板70の通電用ランド72、
タブ用ランド73およびリード片用ランド74との間に
は各半田付け部75がそれぞれ形成される。
【0048】ここで、タブ16とタブ用ランド73との
間に形成された半田付け部75は樹脂封止体25に隠れ
てしまうため、樹脂封止体25の上側から観察すること
ができない。しかし、リード片20bの先端部は樹脂封
止体25に形成された貫通孔26の内部に突出している
ため、リード片20bとリード片用ランド74との間に
形成された半田付け部75は樹脂封止体25の真上から
でも貫通孔26を通して観察することができる。リード
片20bはタブ16と同じに樹脂封止体25の下面に露
出されているため、半田付けの条件はタブ16と同一で
ある。したがって、リード片20bとリード片用ランド
74との間に形成された半田付け部75に対して外観検
査を実施することにより、タブ16とタブ用ランド73
との間に形成された半田付け部75に対して外観検査を
実施したことと同じになる。つまり、リード片20bと
リード片用ランド74との間に形成された半田付け部7
5に対する外観検査が良好である場合には、タブ16と
タブ用ランド73との間に形成された半田付け部75は
良好であると、判定することができる。
【0049】以上のようにして半田付けされ、タブ16
とタブ用ランド73との間の半田付け部75が良好であ
ると判定された場合には、チップ22の発熱はボンディ
ング層21、タブ16、半田付け部75およびタブ用ラ
ンド73を通じてプリント配線基板70に熱伝導によっ
て直接的に放出されるため、SOP・IC29の放熱性
能は飛躍的に向上される。
【0050】タブ16とタブ用ランド73との間の半田
付け部75が不適性である場合には、チップ22の発熱
の熱伝導が半田付け部75において遮断されるため、所
期の放熱性能が確保されない状態になるので、再度、半
田付けする等のリペアの措置が取られる。
【0051】以上説明した前記実施の形態によれば、次
の効果が得られる。
【0052】 タブに連結したタブ吊りリードの一部
を樹脂封止体に形成した貫通孔の内部に突出させること
により、SOP・ICのプリント配線基板への表面実装
によってタブ吊りリードの一部に形成された半田付け部
を観察することができる。したがって、タブの近傍の半
田付け部の外観検査を実施することによって、実質的に
タブ下面の半田付け状態を確認することができるので、
タブ下面のプリント配線基板のランドへの半田付け技術
を実用化することができる。
【0053】 樹脂封止体の下面に露出させたタブを
プリント配線基板のランドに半田付けすることにより、
チップの発熱をタブおよびランドを介してプリント配線
基板に熱伝導によって直接的に放出させることができる
ため、実装構造体においてSOP・ICの放熱性能を高
めることができる。
【0054】 前記およびにより、SOP・IC
のプリント配線基板への表面実装後の放熱性能を外観検
査によって保証することができるため、SOP・ICの
所期の性能を確保することができる。
【0055】図10は本発明の他の実施形態であるSO
P・ICを示している。
【0056】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
貫通孔が樹脂封止体25の外周辺部に形成された切欠部
26Aによって構成されている点である。
【0057】本実施形態においても、リード片20bが
タブ16と同一条件で露出されているため、リード片2
0bに形成された半田付け部を外観検査することによ
り、タブ16に対する半田付け部の状態を確認すること
ができるため、前記実施形態と同様の作用効果が得られ
る。
【0058】図11は本発明の別の他の実施形態である
SOP・ICを示している。
【0059】本実施形態が前記実施形態と異なる点は、
貫通孔26内にリード片20bがなく、タブ16が延長
された部分20cがタブ16の露出面と一致されている
点である。
【0060】本実施形態においても、露出部分20cが
タブ16と同一条件で露出されているため、露出部分2
0cに形成された半田付け部を外観検査することによ
り、タブ16に対する半田付け部の状態を確認すること
ができるため、前記実施形態と同様の作用効果が得られ
る。
【0061】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【0062】例えば、クワッド・フラット・パッケージ
(QFP)を備えているIC(QFP・IC)において
は、貫通孔や切欠部、リード片および露出部分は一対設
けるに限らず、四つの辺の中央部や四隅にそれぞれ設け
てもよい。
【0063】貫通部および突出部は一対以上設けるに限
らず、一つだけ設けてもよい。
【0064】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるSOP
およびQFPに適用した場合について主に説明したが、
それに限定されるものではなく、SOJ(スモール・ア
ウトライン・Jリーリッド・パッケージ)、その他の表
面実装形樹脂封止パッケージおよびそれらを備えている
半導体装置全般に適用することができる。
【0065】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
【0066】タブに連結した連結部の一部を樹脂封止体
に開設させた貫通部に突出させることにより、表面実装
形樹脂封止パッケージを備えている半導体装置のプリン
ト配線基板への表面実装によって連結部の一部に形成さ
れた半田付け部を観察することによってタブに対する半
田付け部の実質的な外観検査を実施することができるた
め、タブ下面のプリント配線基板のランドへの半田付け
技術を実用化することができる。
【0067】樹脂封止体の下面に露出させたタブをプリ
ント配線基板のランドに半田付けすることにより、チッ
プの発熱をタブおよびランドを介してプリント配線基板
に熱伝導によって直接的に放出させることができるた
め、表面実装形樹脂封止パッケージを備えている半導体
装置の放熱性能を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態であるSOP・ICを示し
ており、実装面側から見た斜視図である。
【図2】本発明の一実施形態であるSOP・ICの製造
方法に使用される多連リードフレームを示しており、
(a)は一部省略平面図、(b)は(a)のb−b線に
沿う正面断面図である。
【図3】本発明の一実施形態であるSOP・ICの製造
方法のダイおよびワイヤ・ボンディング工程後を示して
おり、(a)は一部省略平面図、(b)は(a)のb−
b線に沿う正面断面図である。
【図4】同じく樹脂封止体の成形工程を示す一部省略正
面断面図である。
【図5】(a)は図4のa−a線に沿う側面断面図、
(b)は図4のb−b線に沿う側面断面図、(c)は上
側凸部および下側凸部の部分の分解斜視図である。
【図6】樹脂封止体成形後の組立体を示しており、
(a)は一部省略一部切断平面図、(b)は(a)の一
部切断正面図である。
【図7】アウタリードの成形工程を示しており(a)は
成形前の正面断面図、(b)は成形時の正面断面図であ
る。
【図8】アウタリードの成形工程を示しており(a)は
成形前の側面断面図、(b)は成形時の側面断面図であ
る。
【図9】実装状態を示しており、(a)は平面図、
(b)は正面断面図、(c)は(a)のc−c矢視断面
図である。
【図10】本発明の他の実施形態であるSOP・ICを
示しており、実装面側から見た斜視図である。
【図11】本発明の別の他の実施形態であるSOP・I
Cを示しており、実装面側から見た斜視図である。
【符号の説明】
11…多連リードフレーム、12…単位リードフレー
ム、13…外枠、14…セクション枠、15…タブ吊り
リード(連結部)、16…タブ、17…ダムバー、17
a…ダム、18…インナリード、19…アウタリード、
20a…スリット、20b…リード片、20c…露出部
分、21…ボンディング層、22…チップ、22a…ボ
ンディングパッド、23…ボンディングワイヤ、24…
組立体、25…樹脂封止体、26…貫通孔(貫通部)、
26A…切欠部(貫通部)、27…樹脂封止体成形後の
成形体、28…被成形物、29…SOP・IC(半導体
装置)、30…トランスファ成形装置、31…上型、3
2…下型、33…キャビティー、33a…上型キャビテ
ィー凹部、33b…下側キャビティー凹部、34…ポッ
ト、35…プランジャ、36…カル、37…ランナ、3
8…ゲート、39…逃げ溝、40a…上側凸部、40b
…下側凸部、41…レジン、49…成形装置、50…上
側取付板、51…上側ホルダ、52…上側押さえ型、5
3a、53b、63a、63b…アウタリード用押さえ
部、54…アウタリード用パンチ、55…リード片用パ
ンチ、56…ガイド、57…スプリング、60…下側取
付板、61…下側ホルダ、62…下側押さえ型、64…
アウタリード用ダイ、65…リード片用ダイ、70…プ
リント配線基板、71…本体、72…通電用ランド、7
3…タブ用ランド、74…リード片用ランド、75…半
田付け部、80…実装構造体。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/56 H01L 21/56 T 5F067 23/28 23/28 A J 23/36 23/36 C // B29L 31:34 (72)発明者 清水 一男 東京都小平市上水本町五丁目20番1号 株 式会社日立製作所半導体事業部内 Fターム(参考) 4F202 AD03 AD19 AD20 AH33 CB01 CB12 CK12 CQ01 CQ05 4F206 AD03 AD19 AD20 AH37 JA02 JB17 JF05 JL02 JM02 JN25 JQ06 JQ81 4M109 AA01 BA01 CA21 DA04 DA09 DA10 DB02 GA05 5F036 BB03 BB16 BC06 BC33 BE01 5F061 AA01 BA01 CA21 DD12 FA05 5F067 AA03 AA13 AB02 BA04 BB10 BC07 BC13 BD02 BD10 CA07 DB01 DC12 DC15 DC16 DC17 DF17 EA02 EA04

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体チップと、半導体チップが搭載さ
    れたタブと、各アウタリードにそれぞれ連結されて半導
    体チップに電気的に接続された複数本のインナリード
    と、半導体チップ、タブおよび各インナリードを樹脂封
    止した樹脂封止体とを備えている半導体装置において、 前記タブが前記樹脂封止体の一主面にて露出されてお
    り、前記樹脂封止体には厚さ方向に貫通した貫通部が形
    成されており、前記タブと一体に形成されたリード片が
    前記貫通部に突出され、前記樹脂封止体の厚さ方向にお
    いて前記タブの露出面と一致されていることを特徴とす
    る半導体装置。
  2. 【請求項2】 前記リード片が屈曲されて前記タブの露
    出面と一致されていることを特徴とする請求項1に記載
    の半導体装置。
  3. 【請求項3】 前記リード片は前記タブをリードフレー
    ムに連結するためのタブ吊りリードの一部であり、この
    タブ吊りリードの中に形成されたスリットによって前記
    リード片が形成され、このリード片の先端部が前記タブ
    の露出面と同じ高さになっていることを特徴とする請求
    項1または2に記載の半導体装置。
  4. 【請求項4】 前記貫通部が前記樹脂封止体の中間部に
    形成された貫通孔によって構成されていることを特徴と
    する請求項1、2または3に記載の半導体装置。
  5. 【請求項5】 前記貫通部が前記樹脂封止体の外周辺部
    に形成された切欠部によって構成されていることを特徴
    とする請求項1、2または3に記載の半導体装置。
  6. 【請求項6】 前記アウタリード群が前記樹脂封止体の
    一方の対辺にそれぞれ配列されており、前記貫通部が他
    方の対辺の少なくとも一方に配置されていることを特徴
    とする請求項1、2、3、4または5に記載の半導体装
    置。
  7. 【請求項7】 前記アウタリード群が前記樹脂封止体の
    四辺にそれぞれ配列されており、前記貫通部がその樹脂
    封止体の少なくとも一辺の中央に配置されていることを
    特徴とする請求項1、2、3、4または5に記載の半導
    体装置。
  8. 【請求項8】 前記アウタリード群が前記樹脂封止体の
    四辺にそれぞれ配列されており、前記貫通部がその樹脂
    封止体の少なくとも一隅に配置されていることを特徴と
    する請求項1、2、3、4または5に記載の半導体装
    置。
  9. 【請求項9】 前記請求項1に記載の半導体装置の製造
    方法であって、 前記樹脂封止体の成形に際して、前記タブの一主面が樹
    脂封止体を成形するための成形型のキャビティーの底面
    に押し付けられて前記タブが樹脂封止体の一主面に露出
    され、前記貫通部が前記キャビティーに隆起された凸部
    によって樹脂封止体の成形と同時に成形されることを特
    徴とする半導体装置の製造方法。
  10. 【請求項10】 前記貫通部におけるリード片が、前記
    樹脂封止体が成形された後に屈曲されて前記タブの露出
    面と一致されることを特徴とする請求項9に記載の半導
    体装置の製造方法。
  11. 【請求項11】 前記リード片が前記タブをリードフレ
    ームに連結するためのタブ吊りリードの一部によって形
    成され、このタブ吊りリードの中に形成されたスリット
    によってリード片が形成され、このリード片の先端部が
    前記タブの露出面と同じ高さになっていることを特徴と
    する請求項9または10に記載の半導体装置の製造方
    法。
  12. 【請求項12】 前記請求項1に記載の半導体装置がプ
    リント配線基板に表面実装された実装構造体であって、 前記タブおよび前記リード片の樹脂封止体からの露出面
    が前記プリント配線基板に形成されたランドにそれぞれ
    半田付けされていることを特徴とする実装構造体。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771233B1 (ko) * 2000-08-21 2007-10-29 페어차일드코리아반도체 주식회사 고전력용 반도체 패키지
JP2008181983A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
CN100437993C (zh) * 2006-05-23 2008-11-26 台达电子工业股份有限公司 电子封装元件
JP2009283478A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
JP2012151511A (ja) * 2012-05-15 2012-08-09 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100771233B1 (ko) * 2000-08-21 2007-10-29 페어차일드코리아반도체 주식회사 고전력용 반도체 패키지
CN100437993C (zh) * 2006-05-23 2008-11-26 台达电子工业股份有限公司 电子封装元件
JP2008181983A (ja) * 2007-01-24 2008-08-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置用リードフレームおよびそれを用いた半導体装置の製造方法
JP2009283478A (ja) * 2008-05-19 2009-12-03 Mitsubishi Electric Corp 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
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