JP2001085591A - チップパッドが放熱通路として用いられるリードフレーム及びこれを含む半導体パッケージ - Google Patents

チップパッドが放熱通路として用いられるリードフレーム及びこれを含む半導体パッケージ

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lead frame
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体パッケージの内部への湿気侵入を効率
良く抑え、成形工程中のフラッシュの発生を防止するほ
か、チップパッドに対する熱応力を低減できるリードフ
レーム及びこれを含む半導体パッケージを提供する。 【解決手段】 チップパッド１００に少なくとも２以上
のスエージ処理部１１６があり、チップパッド１００の
第１面及び第２面に“Ｖ”形状あるいは“Ｕ”形状の四
角形に形成された細長い溝１０８，１１２を有し、チッ
プパッド１００でチップが搭載される部分の端部に形成
されたスロット１１０と、スロット１１０の一端に羽根
部１２２を具備する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はリードフレーム及び
これを含む半導体パッケージに係り、より詳細には、チ
ップで発生する熱をリードフレームのチップパッドに放
出させるチップパッドを具備するリードフレーム及びこ
れを含む半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子は情報や信号の処理だけでな
く、電気回路や電子回路などの電流や電力の制御にも用
いられる。このような電流や電力の制御に用いられる半
導体素子は、情報や信号処理用素子に比べてより大きな
電流や電圧を消耗するため、これを通常の半導体素子と
区別してパワー素子と呼ぶ。
【０００３】このようなパワー素子が組み込まれた半導
体パッケージは、その内部に高電流が流れ、かつ、高電
圧下で動作するため、大量の熱が発生することになる。
したがって、半導体パッケージ内部のチップで発生する
熱を外部に放出するために、ダイ搭載パッド、すなわ
ち、チップパッドの下面にヒートスプレッダを挿入した
り、スラッグを取り付けることになる。しかし、最近、
半導体パッケージの製造コストを節減するために、チッ
プパッドの下面を半導体パッケージの外部に直接露出さ
せる方法が試みられている。
【０００４】このような技術に関する特許が既に出願さ
れ、登録され、米国特許第５、５９４、２３４号公報
（Ｔｅｘａｓ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ Ｃｏｒｐ．，
“Ｄｏｗｎｓｅｔ ｅｘｐｏｓｅｄ ｄｉｅ ｍｏｕｎｔ
ｐａｄ ｌｅａｄｆｒａｍｅ ａｎｄ ｐａｃｋａｇ
ｅ”，１９９７．０６．１４）及び第５、４４０、１６
９号公報（Ｍｉｔｓｕｂｉｓｈｉ ｄｅｎｋｉ“Ｒｅｓ
ｉｎ ｐａｃｋａｇｅｄ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ
ｄｅｖｉｃｅ ｗｉｔｈ ｆｌｏｗ ｐｒｅｖｅｎｔｉｏ
ｎｄｅｍｐｌｅｓ”， １９９５．８．８）に記載され
ている。
【０００５】図１は、テキサスインスツルメント社（Ｔ
Ｉ Ｃｏｒｐ．）によって特許出願され、登録された半
導体パッケージの断面図である。図１を参照すれば、リ
ードフレームのチップパッド３１にチップ３９を貼り付
け、これをエポキシモールドコンパウンド（ＥＭＣ：Ｅ
ｐｏｘｙ Ｍｏｌｄ Ｃｏｍｐｏｕｎｄ）である封止剤４
０を使って半導体パッケージの形態に成形する。図中、
参照符号３６はリードを表わし、３１ａはチップパッド
の底面を表わし、３４及び３５は湿気浸透経路を長くす
るために、チップパッド３１の端部を曲げ上げた羽根部
を表わす。
【０００６】しかし、前記羽根部をもった半導体パッケ
ージは、封止剤による成形工程中に、半導体パッケージ
の底面にフラッシュ（Ｆｌａｓｈ）が生じる問題があっ
た。すなわち、チップパッドの下部で露出される部分
と、封止剤（ＥＭＣ）で包まれる境界部とで封止剤が正
常に成形できず、露出されたチップパッドの下面に流れ
出る。したがって、半導体パッケージの裏面がきちんと
した四角形の形状に露出されず、流れ出た封止剤によっ
ていびつな形状に露出される。これにより、流れ出た封
止剤により熱放出通路となるチップパッドの下面が覆わ
れてしまい、熱放出効果を低下させる原因となる。この
ような問題を解決するために、成形済みの半導体パッケ
ージに対してデフラッシュ（Ｄｅｆｌａｓｈ）工程を追
加で行なう必要がある。デフラッシュ工程とは、流れ出
た封止剤を溶かして除去できる溶液の中に半導体パッケ
ージを所定時間浸した後に洗浄する工程をいう。また、
チップパッドの表面は外部に直接に露出されているた
め、熱応力に弱い。
【０００７】図２は、日本の三菱電機株式会社によって
特許出願され、登録された半導体パッケージの断面図で
あり、図３は図２の底面図である。図２及び図３を参照
すれば、成形工程中のフラッシュの発生を抑えるため
に、チップパッド２ａ、２ｂの裏面にディンプル２５を
形成している。また、湿気侵入の経路を延ばすために、
チップパッドの端部を封止剤で完全に包んでいる。しか
し、チップパッドの底面が窪んでおり、半導体パッケー
ジの底面と同じ平面に露出できないため、熱放出特性が
低下する場合がある。図中、参照符号３はチップパッド
２ａとチップ１とを貼り合わせるエポキシであり、参照
符号４は金属細線であり、参照符号５はインナーリード
であり、参照符号６は封止剤（ＥＭＣ）であり、参照符
号７はアウターリードである。また参照符号３０は半導
体パッケージが搭載されるプリント回路基板である。し
かし、ディンプル付き半導体パッケージは、無ディンプ
ル部分で発生するフラッシュを防止できないほか、チッ
プパッドが半導体パッケージの外部に露出されているた
め、熱応力に弱く、熱放出特性が低下するという問題が
あった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記事情に鑑
みて成されたものであり、その目的は、チップパッドを
熱放出通路として用いながら、湿気が半導体パッケージ
の内部に侵入することを効果的に防止し、封止剤による
半導体パッケージの成形中に、半導体パッケージの底面
でフラッシュが発生することを抑制し、チップパッドで
発生する熱応力を抑止できる半導体パッケージを提供す
ることにある。本発明の他の目的は、前記半導体パッケ
ージに用いられるリードフレームを提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明は、チップが搭載される第１面と、前記第１
面の反対面である第２面の一部が半導体パッケージの外
部に露出される形状のチップパッドを具備するリードフ
レームと、前記チップパッドの第１面に搭載され、チッ
プパッドとエポキシにより樹脂封止されたチップと、前
記チップに構成されたボンドパッドと対応する前記リー
ドフレームのインナーリードとを連結する金属細線と、
前記リードフレームチップパッドの第１面及びその上部
と、インナーリードの全体を包みながらチップパッドの
第２面の一部を露出させる形状で構成された封止剤（Ｅ
ＭＣ）と、前記リードフレームのインナーリードと互い
に対応するように連結されて前記封止剤の外部に露出さ
れたアウタリードを具備する半導体パッケージにおい
て、前記リードフレームのチップパッドの端部に構成さ
れた少なくとも２以上のスエージ処理部と、前記リード
フレームのチップパッドの第１面に形成された第１の細
長い溝と、前記リードフレームのチップパッドの第２面
で封合剤に包まらずに露出される領域の端部に形成され
た第２の細長い溝と、前記リードフレームのチップパッ
ドに形成された少なくとも１以上のスロットと、を具備
することを特徴とする半導体パッケージを提供する。
【００１０】本発明の好ましい実施形態によれば、前記
スエージ処理部は、前記チップパッドの第２面に形成さ
れることが好ましい。前記チップパッドの第２面に形成
された第２の細長い溝は、“Ｖ”字状あるいは“Ｕ”字
状であって、前記封止剤により包まらずに半導体パッケ
ージの外部に露出されたチップパッド領域で四角形に形
成されることが好ましい。また、前記リードフレームの
チップパッドは、第１面にも細長い“Ｖ”字状または
“Ｕ”字状の溝をさらに具備することが好ましく、この
ような第１面の細長い溝は、前記チップが取り付けられ
る領域の外郭に沿って形成され、四角形であることが好
ましい。また、本発明の好ましい実施形態によれば、前
記チップパッドのスロットはチップが取り付けられる領
域の外郭に複数個形成され、複数個のスロット同士で互
いに繋がっていない構造であって、チップパッドの一部
が曲げ上げられた形状の羽根部が形成されたことが好ま
しく、このような羽根部は、チップパッドの上下を貫通
するスロットでチップが取り付けられる領域近傍に形成
されたことが好ましい。
【００１１】前記他の目的を達成するために、本発明
は、チップが搭載される第１面と、前記第１面の反対面
である第２面の一部が半導体パッケージの外部に露出さ
れる形態のチップパッドと、前記チップパッドの外郭に
構成されて一部はエポキシモールドコンパウンド（ＥＭ
Ｃ）により半導体パッケージの内部に挟み込まれ、一部
は外部に露出される複数個のリードを含んでなるリード
フレームにおいて、前記チップパッドは端部に少なくと
も２以上のスエージ処理部が形成され、前記露出される
チップパッドの第２面の端部に沿って細長い溝が形成さ
れ、前記チップパッドには少なくとも１以上のスロット
が形成されたことを特徴とするリードフレームを提供す
る。
【００１２】本発明の好ましい実施形態によれば、前記
スエージ処理部は、前記チップパッドの第２面に形成さ
れたことが好ましい。前記チップパッドの第２面に形成
された細長い溝は“Ｖ”字状または“Ｕ”字状であっ
て、四角形に形成されたことが好ましい。また、前記チ
ップパッドは、第１面に、細長い“Ｖ”字状または
“Ｕ”字状の溝をさらに具備することが好ましく、四角
形に形成されたことが好ましい。また、本発明の好まし
い実施形態によれば、前記チップパッドのスロットはチ
ップが取り付けられる領域の外郭に複数個形成され、複
数個のスロット同士で互いに繋がっていない構造であっ
て、チップパッドの一部が曲げ上げられた形状の羽根部
が形成されたことが好ましく、このような羽根部はチッ
プパッドの上下を貫通するスロットでチップが取り付け
られる領域近傍に形成されたことが好ましい。
【００１３】本発明によれば、リードフレームのチップ
パッドを熱放出通路として用いながら、湿気が半導体パ
ッケージの内部に侵入することを効果的に防止し、封止
剤による成形工程中に、半導体パッケージの底面でフラ
ッシュが発生されることを抑えると共に、チップパッド
で発生する熱応力を抑止できる半導体パッケージを実現
することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、添付した図面に基づき、本
発明の好ましい実施の形態について詳細に説明する。本
発明の特徴はリードフレームのチップパッドにあるの
で、リードフレームを含む半導体パッケージについて説
明しながら、リードフレームも併せて説明する。本明細
書において、チップパッドのスロットはチップパッドを
貫通するものであり、細長い溝はチップパッドを貫通し
ないものである。
【００１５】図４は、本発明による半導体パッケージの
平面図である。図４を参照すれば、一般的に、チップパ
ッドが熱放出通路として用いられる半導体パッケージ
は、チップパッド１００を具備するリードフレームと、
チップパッド１００の前面である第１面に搭載されてエ
ポキシにより樹脂封止されたチップ１０６と、チップ１
０６に構成されたボンドパッドと対応するリードフレー
ムのインナーリードとを連結する金属細線（図示せず）
と、チップパッド１００の第１面及びその上部と、イン
ナーリード全体を包みながらチップパッドの第２面の一
部を露出させる形態で構成された封止剤（ＥＭＣ）１０
４と、リードフレームのインナーリードと互いに対応す
るように連結されて封止剤の外部に露出されたアウタリ
ード１０２とで構成される。このとき、インナーリード
は封止剤１０４により包まれる部分であり、アウタリー
ドはそうでない部分である。図中、参照符号１１４はタ
イバであって、チップパッド１００をリードフレームの
本体に結ぶような役目をする。
【００１６】ここで、本発明による半導体パッケージ
は、チップパッド１００の底面である第２面が外部に露
出され、これがチップで発生する熱の放出通路として用
いられるものであって、リードフレームのチップパッド
は、下記のような特徴を有する。先ず、チップパッドの
端部に少なくとも２以上のスエージ処理部１１６を有す
る。図から明らかなように、横方向にチップパッドの上
端及び下端の２個所にスエージ処理部１１６が形成され
ており、本発明では、スエージ処理は、チップパッド１
００の第２面で行われる。ここで、スエージ処理とは、
チップパッド１００の第２面の端部をスタンピングパン
チを使って押し付けることを言う。その結果、チップパ
ッド１００の端部の形状が一層複雑化した形状に変形さ
れるが、これについては後述する拡大図を参照して詳細
に述べることにする。
【００１７】したがって、湿気侵入経路がスエージ処理
を施していないときよりも一層複雑になって、湿気侵入
に関連した半導体パッケージの信頼性が改善される。ま
た、このようなスエージ処理部１１６は、封止剤（ＥＭ
Ｃ）１０４とリードフレームとの貼り合わせを一層堅固
にし、かつ、チップパッド１００の端部での熱応力を緩
和させる役目をする。 本発明では、チップパッド１０
０の端部の二つの面に対してスエージ処理を施したが、
これに限定されず、４つの面に対してスエージ処理を施
しても良い。一般的に、チップパッド１００での熱応力
は、チップパッド１００の端部に集中する傾向がある。
【００１８】次に、リードフレームのチップパッド１０
０には細長い溝が形成されている。この細長い溝は第１
面に構成１０８でき、第２面にも構成１１２できる。本
実施の形態では、第１面及び第２面の両面に構成した。
この細長い溝は“Ｕ”字状あるいは“Ｖ”字状に、全体
としての連結構造が平面からみて四角形を呈しているこ
とが好ましい。また、１つではなく、２つ以上で構成し
て、さらなる湿気侵入の防止及び封止剤の貼り合わせ力
の向上を図ることができる。
【００１９】従来は、外部からの湿気を遮断できる手段
がないか、ディンプルを使って湿気の侵入を防止してい
た。しかし、本発明では、チップの搭載された領域を中
心としてチップパッド１００の第１面に四角形に連結さ
れた細長い溝１０８により湿気の侵入を防止する。した
がって、全ての方向に対して細長い溝１０８、１１２を
使って湿気侵入経路を遮断する。この結果、既存の技術
に比べて湿気が侵入し易い悪環境下で半導体パッケージ
が用いられても、半導体パッケージの内部のチップが湿
気の侵入によって性能が低下することが防止できる。ま
た細長い溝１０８、１１２は、封止剤１０４をとチップ
パッド１００との貼り合わせを一層堅固にする。
【００２０】最後に、チップパッド１００には少なくと
も１個以上のスロット１１０が形成されている。しか
し、このスロット１１０はチップパッド１００の端部で
互いにつながっていない構造となっている。一般的に、
チップパッド１００にスロット１１０が形成された場合
の方が、そうでない場合より、チップパッド１００に対
する熱応力がさらに小である。このようなスロット１１
０は、本発明では“コ”字状を呈しているが、これに限
定されず、他の形状を有しても良い。そして、スロット
１１０に隣接してチップパッド１００の一部を曲げ上げ
た羽根部があるが、これはチップが搭載される部分近傍
に位置している。これについては図５の断面図を参照し
て後述する。
【００２１】図５は、図４のX-X'線断面図である。図５
を参照すれば、スロット１１０は、チップパッド１００
を完全に貫通する穴状に形成されている。また、スロッ
ト１１０でチップが搭載される部分近傍でチップパッド
１００の一部が曲げ上げられた羽根部１２２が形成され
ている。なお、チップパッド１００の第２面には“Ｖ”
形状の細長い溝１１２が形成されており、第１面には
“Ｕ”形状の細長い溝１０８が形成されている。これに
より、羽根部１２２でも湿気が侵入する経路を延ばすよ
うにでき、結果としてチップパッド１００の第１面の
“Ｕ”形状の細長い溝１０８で湿気の侵入が堅固に抑え
られる。したがって、本発明による半導体パッケージ
は、湿気侵入がされ易い悪環境下でもチップに湿気が侵
入されて半導体パッケージの性能が低下されることを、
従来よりも確実に防止することができる。図中、参照符
号１０２はアウタリードであり、１１８はチップ１０６
とチップパッド１００とを貼り合わせるエポキシ樹脂で
あり、１００'はスロット１１０により別々になってい
るかに見えるチップパッドの両端である。
【００２２】図６は、図４のY-Y'線断面図である。図６
を参照すれば、スエージ処理部１１６'の形状は、チッ
プパッド１００の第２面でチップパッド１００の端部を
スタンピングパンチを使って押し付けることにより、そ
の形状を変形させたものである。このとき、スエージさ
れる深さは、リードフレームの厚さが０．２５４ｍｍで
ある場合、約０．１７５ｍｍ以上にすることが好まし
い。これにより、チップパッド１００の端部は、スタン
ピングパンチで押す力により直角の形状から、各先端部
が少し延びた形状に変形される。ここで、参照符号１１
６'は実際にスエージ処理がなされた部分であり、１１
６（図４）はスエージ処理がなされた部分を反対側から
みた部分である。また、チップパッド１００の第２面及
び第１面の細長い溝１０８、１１２の寸法は、幅が約
０．２ｍｍで、凹んだ深さが約０．０５ｍｍである。
【００２３】図７は、図５中のＡ部分を拡大して示す部
分拡大図である。図７を参照すれば、スロット１１０に
ある羽根部１２２の曲げ上げ程度Ｗは、約０．１〜０．
３ｍｍにして、ワイヤーボンドに際して邪魔にならない
ようにする。また、チップパッド１００の第２面に形成
された“Ｖ”形状の細長い溝１１２は、封止剤１０４に
よる成形工程中に、フラッシュが発生することを防止す
る役目をする。これについては図８を参照して後述す
る。
【００２４】図８は、図６中のＢ部分を拡大して示す部
分拡大図である。図８を参照すれば、チップパッド１０
０にある細長い溝１０８、１１２は、スタンピングパン
チを使ってこのチップパッドの部分を押して形成する。
したがって、その押された部分の端部Ｃは、パンチの押
力による衝撃によって変形して僅かに突出することにな
る。成形工程中に、封止剤（ＥＭＣ）１０４は、図面の
Ｄ部分まで形成されるべきであって、“Ｖ”形状の溝１
１２がある部分にまで流れてはいけない。しかし、成形
工程の特性から、フラッシュ１２０の発生は避けられな
いものである。
【００２５】したがって、このようにフラッシュ１２０
が発生して“Ｖ”形状１１２がある部分を超えて流れる
ことになると、フラッシュが発生した部分が後続工程で
メッキ処理できないと共に、チップパッド１００での熱
放出効果が低下する。したがって、このような問題を避
けるために、従来は必ずデフラッシュ工程が追加で行わ
れてきた。もちろん、従来技術では、ディンプルを用い
てこれを抑えたが、無ディンプル部分ではフラッシュが
発生する可能性があった。しかし、本発明では、チップ
パッドの第２面にある“Ｖ”形状の溝１１２が、フラッ
シュの流れ止めの役目をする。したがって、フラッシュ
１２０が発生しても、図から明らかなように、“Ｖ”形
状の溝１１２のところを越えては流れることができな
い。すなわち、スエージ処理部１１６'で“Ｖ”形状の
溝１１２までの距離を調整すれば、フラッシュが発生す
る距離を制御ができるのである。
【００２６】
【発明の効果】したがって、本発明によれば、リードフ
レームのチップパッドを熱放出通路として用いながら、
下記の如き特有の効果を得ることができる。第一に、チ
ップパッドの第１面に形成された細長い溝、スロットの
羽根部及びチップパッドの端部のスエージ処理部により
湿気が半導体パッケージの内部に侵入することを効率よ
く防止できる。これにより、半導体パッケージの湿気侵
入に関連した信頼性を向上させる効果がある。第二に、
チップパッドの第２面に形成された細長い“Ｖ”形状の
溝により、成形工程中に半導体パッケージの底面でフラ
ッシュが発生することを抑止できる。これにより、デフ
ラッシュ工程の省略が可能になり、全体としての工程を
単純化させる効果がある。第三に、チップパッドに形成
されたスロット及びスエージ処理部によりチップパッド
が受ける筈の熱応力を効率良く分散できる半導体パッケ
ージを実現することができる。
【００２７】本発明はその必須的な特徴事項を離脱しな
い範囲内であれば、別の実施形態が可能である。例え
ば、前述した好ましい実施形態においてはスエージ処理
部が第２面に形成されているが、第１面に形成しても構
わない。また、スロットの形状も各種の形状に変形でき
る。細長い溝も、前述した実施の形態ではチップパッド
の第１及び第２面にそれぞれ１個ずつ形成したが、２個
あるいはそれ以上に形成しても良い。さらに、４本のタ
イバを有するリードフレームを２本のタイバを有するリ
ードフレームに代えても良く、タイバの形状及び半導体
パッケージの外部形状もやはり自由に変形可能である。
よって、以上の好ましい実施形態に記載された内容は例
示的なものに過ぎず、本発明を限定するものではない。
本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、
本発明の属する技術的な思想内であれば、当分野におけ
る通常の知識を有した者にとって各種の変形が可能であ
るのは言うまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】チップパッドの底面が外部に露出される従来の
半導体パッケージの断面図。
【図２】チップパッドの底面が外部に露出される従来の
半導体パッケージの他の断面図。
【図３】図２の半導体パッケージの底面図。
【図４】本発明によるリードフレームを具備する半導体
パッケージの平面図。
【図５】図４のX-X'線断面図。
【図６】図４のY-Y'線断面図。
【図７】図５のＡ部分を拡大して示す部分拡大図。
【図８】図６のＢ部分を拡大して示す部分拡大図。
【符号の説明】
１００ チップパッド １０２ アウタリード １０４ 封止剤 １０６ チップ １０８、１１２ 細長い溝 １１０ スロット １１４ タイバ １１６ スエージ処理部

Claims (19)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 チップが搭載される第１面と、前記第１
    面の反対面である第２面の一部が半導体パッケージの外
    部に露出される形状のチップパッドを具備するリードフ
    レームと、前記チップパッドの第１面に搭載され、チッ
    プパッドにエポキシにより樹脂封止されるチップと、前
    記チップに構成されたボンドパッドと対応する前記リー
    ドフレームのインナーリードとを連結する金属細線と、
    前記リードフレームチップパッドの第１面及びその上部
    と、インナーリードの全体を包みながらチップパッドの
    第２面の一部を露出させる形状で構成された封止剤と、
    前記リードフレームのインナーリードと互いに対応する
    ように連結されて前記封止剤の外部に露出されたアウタ
    リードとを具備する半導体パッケージにおいて、 前記リードフレームのチップパッドは、 前記リードフレームのチップパッドの端部に形成された
    少なくとも２以上のスエージ処理部と、 前記リードフレームのチップパッドの第１面に形成され
    た第１の細長い溝と、 前記リードフレームのチップパッドの第２面で前記封止
    剤により包まれずに露出される領域の端部に形成された
    第２の細長い溝と、 前記リードフレームのチップパッドに形成された少なく
    とも１以上のスロットと、を具備することを特徴とする
    半導体パッケージ。
  2. 【請求項２】 前記スエージ処理部は、前記チップパッ
    ドの第２面に形成されたことを特徴とする請求項１に記
    載の半導体パッケージ。
  3. 【請求項３】 前記チップパッドの第２面に形成された
    第２の細長い溝は、“Ｖ”字状、或いは“Ｕ”字状であ
    ることを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケー
    ジ。
  4. 【請求項４】 前記チップパッドの第２面に形成された
    第２の細長い溝は、半導体パッケージの外部に露出され
    たチップパッドの端部領域で四角形に形成されることを
    特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
  5. 【請求項５】 前記第１面に形成された第１の細長い溝
    は、“Ｖ”字状または“Ｕ”字状であることを特徴とす
    る請求項１に記載の半導体パッケージ。
  6. 【請求項６】 前記第１面の第１の細長い溝は、前記チ
    ップが取り付けられる領域の外郭に沿って形成されたこ
    とを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
  7. 【請求項７】 前記第１面に形成された第１の細長い溝
    は、四角形であることを特徴とする請求項１に記載の半
    導体パッケージ。
  8. 【請求項８】 前記リードフレームチップパッドのスロ
    ットは、チップが取り付けられる領域の外郭に複数個形
    成され、複数個のスロット同士は互いにつながっていな
    い構造であることを特徴とする請求項１に記載の半導体
    パッケージ。
  9. 【請求項９】 前記リードフレームチップパッドのスロ
    ットには、チップパッドの一部が曲げ上げられた形状の
    羽根部が形成されたことを特徴とする請求項１に記載の
    半導体パッケージ。
  10. 【請求項１０】 前記羽根部は、チップパッドの上下を
    貫通するスロットでチップが取り付けられる領域近傍に
    形成されたことを特徴とする請求項９に記載の半導体パ
    ッケージ。
  11. 【請求項１１】 チップが搭載される第１面と、前記第
    １面の反対面である第２面の一部が半導体パッケージの
    外部に露出される形態のチップパッドと、前記チップパ
    ッドの外郭に形成されて一部はエポキシモールドコンパ
    ウンド（ＥＭＣ）によって半導体パッケージの内部に挟
    み込まれ、一部は外部に露出される複数個のリードを具
    備するリードフレームにおいて、 前記チップパッドは、 端部に少なくとも２以上のスエージ処理部が形成され、 前記露出されるチップパッドの第２面の端部に沿って細
    長い溝が形成され、 前記チップパッドには少なくとも１以上のスロットが形
    成されたことを特徴とするリードフレーム。
  12. 【請求項１２】 前記スエージ処理部は、前記チップパ
    ッドの第２面に形成されたことを特徴とする請求項１１
    に記載の半導体パッケージ。
  13. 【請求項１３】 前記チップパッドの第２面に形成され
    た第２の細長い溝は、“Ｖ”字状または“Ｕ”字状であ
    ることを特徴とする請求項１１に記載のリードフレー
    ム。
  14. 【請求項１４】 前記チップパッドの第２面に形成され
    た第２の細長い溝は、四角形であることを特徴とする請
    求項１１に記載のリードフレーム。
  15. 【請求項１５】 前記チップパッドは、第１面に細長い
    “Ｖ”形状または“Ｕ”形状の溝をさらに具備すること
    を特徴とする請求項１１に記載のリードフレーム。
  16. 【請求項１６】 前記チップパッドの第１面に形成され
    た細長い溝は、四角形であることを特徴とする請求項１
    ５に記載のリードフレーム。
  17. 【請求項１７】 前記チップパッドのスロットはチップ
    が取り付けられる領域の外郭に複数個形成され、互いに
    つながっていない構造であることを特徴とする請求項１
    １に記載のリードフレーム。
  18. 【請求項１８】 前記チップパッドのスロットには、チ
    ップパッドの一部が曲げ上げられた形状の羽根部が形成
    されたことを特徴とする請求項１１に記載のリードフレ
    ーム。
  19. 【請求項１９】 前記羽根部は、チップパッドでチップ
    が取り付けられる領域近傍に形成されたことを特徴とす
    る請求項１８に記載のリードフレーム。
JP2000251119A 1999-08-24 2000-08-22 チップパッドが放熱通路として用いられるリードフレーム及びこれを含む半導体パッケージ Pending JP2001085591A (ja)

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