JPH0685133A - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH0685133A JPH0685133A JP23177692A JP23177692A JPH0685133A JP H0685133 A JPH0685133 A JP H0685133A JP 23177692 A JP23177692 A JP 23177692A JP 23177692 A JP23177692 A JP 23177692A JP H0685133 A JPH0685133 A JP H0685133A
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- semiconductor integrated
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本発明は、パッケージ内部への水分の侵入を
抑制し、これにより界面剥離の発生をより確実に防止し
て、装置全体の信頼性を向上させることを目的とするも
のである。 【構成】 リード４のモールド樹脂１に覆われた部分に
複数のディンプル７を設け、リード４とモールド樹脂１
との界面密着性を向上させるようにした。
抑制し、これにより界面剥離の発生をより確実に防止し
て、装置全体の信頼性を向上させることを目的とするも
のである。 【構成】 リード４のモールド樹脂１に覆われた部分に
複数のディンプル７を設け、リード４とモールド樹脂１
との界面密着性を向上させるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ダイパッド上に搭載
された半導体チップがモールド樹脂により封止されてい
る半導体集積回路装置に関し、特にパッケージの吸湿性
の改善に関するものである。
された半導体チップがモールド樹脂により封止されてい
る半導体集積回路装置に関し、特にパッケージの吸湿性
の改善に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来のＳＯＰ（Ｓmall Ｏutline
Ｐackage）型の半導体集積回路装置の一例を示す断面図
である。図において、パッケージを形成するモールド樹
脂１内に、半導体チップ２、この半導体チップ２をマウ
ントするためのダイパッド３が埋設されている。また、
外部接続端子としてのリード４は、モールド樹脂１内に
埋設された部分（内部リード）の端部がボンディングワ
イヤ５を介して半導体チップ２の電極に接続されてい
る。ダイパッド３の下面には、モールド樹脂１との密着
性を上げるために複数のディンプル６が形成されてい
る。
Ｐackage）型の半導体集積回路装置の一例を示す断面図
である。図において、パッケージを形成するモールド樹
脂１内に、半導体チップ２、この半導体チップ２をマウ
ントするためのダイパッド３が埋設されている。また、
外部接続端子としてのリード４は、モールド樹脂１内に
埋設された部分（内部リード）の端部がボンディングワ
イヤ５を介して半導体チップ２の電極に接続されてい
る。ダイパッド３の下面には、モールド樹脂１との密着
性を上げるために複数のディンプル６が形成されてい
る。
【０００３】上記のような半導体チップ２を封止した半
導体集積回路装置、とりわけプラスチックのモールド樹
脂１を使用するものでは、パッケージの回りの雰囲気中
の水分がモールド樹脂１中に入り易いが、このように吸
湿した状態で実装等の熱ストレスが与えられると、モー
ルド樹脂１と他の材料との界面に侵入した水分が気化す
ることにより、界面が剥離することがある。このような
界面剥離が発生すると、半導体集積回路装置全体の信頼
性が著しく低下する。
導体集積回路装置、とりわけプラスチックのモールド樹
脂１を使用するものでは、パッケージの回りの雰囲気中
の水分がモールド樹脂１中に入り易いが、このように吸
湿した状態で実装等の熱ストレスが与えられると、モー
ルド樹脂１と他の材料との界面に侵入した水分が気化す
ることにより、界面が剥離することがある。このような
界面剥離が発生すると、半導体集積回路装置全体の信頼
性が著しく低下する。
【０００４】そこで、ダイパッド３にディンプル６を形
成することで、ダイパッド３とモールド樹脂１との界面
の密着性を上げ、界面への水分の侵入を妨げるようにし
ていた。また、半導体チップ２とモールド樹脂１との界
面に対しても、半導体チップ２の表面上にモールド樹脂
１との密着性を上げる物質、例えばポリイミドなどをコ
ーティングし、界面密着性を上げるようにしていた。
成することで、ダイパッド３とモールド樹脂１との界面
の密着性を上げ、界面への水分の侵入を妨げるようにし
ていた。また、半導体チップ２とモールド樹脂１との界
面に対しても、半導体チップ２の表面上にモールド樹脂
１との密着性を上げる物質、例えばポリイミドなどをコ
ーティングし、界面密着性を上げるようにしていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上記のように構成され
た従来の半導体集積回路装置においては、モールド樹脂
１とダイパッド３および半導体チップ２との界面密着性
は向上させているが、根本的な水分侵入経路であるリー
ド４の界面からの水分侵入は抑えられていないため、少
なくともリード４からボンディグワイヤ５を通って半導
体チップ２までは水分が達し易い状態にあり、この部分
で界面剥離が発生する恐れがあるという問題点があっ
た。
た従来の半導体集積回路装置においては、モールド樹脂
１とダイパッド３および半導体チップ２との界面密着性
は向上させているが、根本的な水分侵入経路であるリー
ド４の界面からの水分侵入は抑えられていないため、少
なくともリード４からボンディグワイヤ５を通って半導
体チップ２までは水分が達し易い状態にあり、この部分
で界面剥離が発生する恐れがあるという問題点があっ
た。
【０００６】この発明は、上記のような問題点を解決す
ることを課題としてなされたものであり、パッケージ内
部への水分の侵入を抑制することができ、これにより界
面剥離の発生をより確実に防止して、装置全体の信頼性
を向上させることができる半導体集積回路装置を得るこ
とを目的とする。
ることを課題としてなされたものであり、パッケージ内
部への水分の侵入を抑制することができ、これにより界
面剥離の発生をより確実に防止して、装置全体の信頼性
を向上させることができる半導体集積回路装置を得るこ
とを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る半
導体集積回路装置は、リードのモールド樹脂に覆われた
部分の少なくとも一部に、リードとモールド樹脂との密
着性を向上させるための凹部を設けたものである。
導体集積回路装置は、リードのモールド樹脂に覆われた
部分の少なくとも一部に、リードとモールド樹脂との密
着性を向上させるための凹部を設けたものである。
【０００８】請求項２の発明に係る半導体集積回路装置
は、リードのモールド樹脂に覆われた部分の少なくとも
一部に、リードとモールド樹脂との密着性を向上させる
ための凸部を設けたものである。
は、リードのモールド樹脂に覆われた部分の少なくとも
一部に、リードとモールド樹脂との密着性を向上させる
ための凸部を設けたものである。
【０００９】請求項３の発明に係る半導体集積回路装置
は、リードのモールド樹脂に覆われた部分の少なくとも
一部に、ポリイミドコーティングを施したものである。
は、リードのモールド樹脂に覆われた部分の少なくとも
一部に、ポリイミドコーティングを施したものである。
【００１０】
【作用】この発明においては、リードとモールド樹脂と
の界面密着性を向上させることにより、パッケージ内部
への水分の侵入を抑制する。
の界面密着性を向上させることにより、パッケージ内部
への水分の侵入を抑制する。
【００１１】
【実施例】以下、この発明の実施例を図について説明す
る。 実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例によるプラ
スチック型ＳＯＰの断面図であり、図５と同一又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図にお
いて、リード４のモールド樹脂で覆われている部分（内
部リード）には、凹部である複数のディンプル７が例え
ばプレス加工等により形成されている。
る。 実施例１．図１は請求項１の発明の一実施例によるプラ
スチック型ＳＯＰの断面図であり、図５と同一又は相当
部分には同一符号を付し、その説明を省略する。図にお
いて、リード４のモールド樹脂で覆われている部分（内
部リード）には、凹部である複数のディンプル７が例え
ばプレス加工等により形成されている。
【００１２】上記のような半導体集積回路装置では、リ
ード４にディンプル７を形成したことにより、リード４
とモールド樹脂１との界面の面積が大きくなり、界面密
着性が向上する。従来例の説明でも述べたように、パッ
ケージ内に水分が侵入する最大の経路は、リード４とモ
ールド樹脂１との界面であるため、この部分の界面密着
性を上げたことにより、パッケージ内への水分侵入は効
果的に抑制される。即ち、リード４、ボンディングワイ
ヤ５、半導体チップ２という水分侵入経路は、リード４
のディンプル７の領域で遮断されることになる。この結
果、吸湿による界面剥離がより確実に防止され、装置全
体の信頼性が向上する。
ード４にディンプル７を形成したことにより、リード４
とモールド樹脂１との界面の面積が大きくなり、界面密
着性が向上する。従来例の説明でも述べたように、パッ
ケージ内に水分が侵入する最大の経路は、リード４とモ
ールド樹脂１との界面であるため、この部分の界面密着
性を上げたことにより、パッケージ内への水分侵入は効
果的に抑制される。即ち、リード４、ボンディングワイ
ヤ５、半導体チップ２という水分侵入経路は、リード４
のディンプル７の領域で遮断されることになる。この結
果、吸湿による界面剥離がより確実に防止され、装置全
体の信頼性が向上する。
【００１３】実施例２．なお、上記実施例１では凹部と
してディンプル７を示したが、凹部の平面形状や断面形
状は特に限定されるものではなく、例えば図２に示すよ
うに、リード４の幅方向に延びる断面Ｖ字状の溝８など
であってもよい。ここで、凹部の部分のリード４の厚さ
ｔ2は、リード４の他の部分の厚さｔ1よりも薄く（ｔ1
＞ｔ2）なければならない。
してディンプル７を示したが、凹部の平面形状や断面形
状は特に限定されるものではなく、例えば図２に示すよ
うに、リード４の幅方向に延びる断面Ｖ字状の溝８など
であってもよい。ここで、凹部の部分のリード４の厚さ
ｔ2は、リード４の他の部分の厚さｔ1よりも薄く（ｔ1
＞ｔ2）なければならない。
【００１４】実施例３．次に、図３は請求項２の発明の
一実施例によるプラスチック型ＳＯＰの断面図である。
図において、リード４の内部リードには、凸部である複
数の隆起部９が形成されている。この隆起部９は、例え
ばこの部分を除いたリード４の全体をプレス加工するこ
となどにより形成される。
一実施例によるプラスチック型ＳＯＰの断面図である。
図において、リード４の内部リードには、凸部である複
数の隆起部９が形成されている。この隆起部９は、例え
ばこの部分を除いたリード４の全体をプレス加工するこ
となどにより形成される。
【００１５】このような半導体集積回路装置では、内部
リードに隆起部９を設けたので、リード４とモールド樹
脂１との界面の面積が大きくなる等の理由により、モー
ルド樹脂１とリード４との界面密着性が向上する。従っ
て、外部からの水分侵入経路がリード４の隆起部９の領
域で遮断され、パッケージ内部への水分の侵入が抑制さ
れる。この結果、界面剥離がより確実に防止され、装置
全体の信頼性が向上する。
リードに隆起部９を設けたので、リード４とモールド樹
脂１との界面の面積が大きくなる等の理由により、モー
ルド樹脂１とリード４との界面密着性が向上する。従っ
て、外部からの水分侵入経路がリード４の隆起部９の領
域で遮断され、パッケージ内部への水分の侵入が抑制さ
れる。この結果、界面剥離がより確実に防止され、装置
全体の信頼性が向上する。
【００１６】なお、上記実施例３では凸部として隆起部
９を示したが、これに限定されるものではなく、例えば
リード４の幅方向に延びる突条などであってもよい。こ
こで、凸部の部分のリード４の厚さｔ4は、リード４の
他の部分の厚さｔ3よりも厚く（ｔ3＞ｔ4）なければな
らない。
９を示したが、これに限定されるものではなく、例えば
リード４の幅方向に延びる突条などであってもよい。こ
こで、凸部の部分のリード４の厚さｔ4は、リード４の
他の部分の厚さｔ3よりも厚く（ｔ3＞ｔ4）なければな
らない。
【００１７】実施例４．図４は請求項３の発明の一実施
例によるプラスチック型ＳＯＰの断面図である。図にお
いて、リード４の内部リードの表面には、ポリイミドコ
ーティング部１０が形成されている。
例によるプラスチック型ＳＯＰの断面図である。図にお
いて、リード４の内部リードの表面には、ポリイミドコ
ーティング部１０が形成されている。
【００１８】一般に、モールド樹脂材とポリイミドとの
密着性およびリード材とポリイミドとの密着性は、モー
ルド樹脂材とリード材との密着性よりも高い。従って、
この実施例４のように、ポリイミドコーティングが施さ
れたリード４は、モールド樹脂１との間に高い密着性を
得ることができる。このため、外部からの水分侵入経路
は、リード４のポリイミドコーティング部１０で遮断さ
れ、パッケージ内部への水分の侵入が抑制される。この
結果、界面剥離がより確実に防止され、装置全体の信頼
性が向上する。
密着性およびリード材とポリイミドとの密着性は、モー
ルド樹脂材とリード材との密着性よりも高い。従って、
この実施例４のように、ポリイミドコーティングが施さ
れたリード４は、モールド樹脂１との間に高い密着性を
得ることができる。このため、外部からの水分侵入経路
は、リード４のポリイミドコーティング部１０で遮断さ
れ、パッケージ内部への水分の侵入が抑制される。この
結果、界面剥離がより確実に防止され、装置全体の信頼
性が向上する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明の
半導体集積回路装置は、リードのモールド樹脂に覆われ
た部分に凹部を設け、リードとモールド樹脂との密着性
を向上させるようにしたので、パッケージ内部への水分
の侵入を抑制することができ、これにより界面剥離の発
生をより確実に防止して、装置全体の信頼性を向上させ
ることができるという効果を奏する。
半導体集積回路装置は、リードのモールド樹脂に覆われ
た部分に凹部を設け、リードとモールド樹脂との密着性
を向上させるようにしたので、パッケージ内部への水分
の侵入を抑制することができ、これにより界面剥離の発
生をより確実に防止して、装置全体の信頼性を向上させ
ることができるという効果を奏する。
【００２０】また、請求項２の発明の半導体集積回路装
置は、リードのモールド樹脂に覆われた部分に凸部を設
け、リードとモールド樹脂との密着性を向上させるよう
にしたので、上記請求項１の発明と同様の効果を奏す
る。
置は、リードのモールド樹脂に覆われた部分に凸部を設
け、リードとモールド樹脂との密着性を向上させるよう
にしたので、上記請求項１の発明と同様の効果を奏す
る。
【００２１】さらに、請求項３の発明の半導体集積回路
装置は、リードのモールド樹脂に覆われた部分にポリイ
ミドコーティングを施したので、上記請求項１の発明と
同様の効果を奏する。
装置は、リードのモールド樹脂に覆われた部分にポリイ
ミドコーティングを施したので、上記請求項１の発明と
同様の効果を奏する。
【図１】請求項１の発明の一実施例による半導体集積回
路装置の断面図である。
路装置の断面図である。
【図２】請求項１の発明の他の実施例による半導体集積
回路装置の断面図である。
回路装置の断面図である。
【図３】請求項２の発明の一実施例による半導体集積回
路装置の断面図である。
路装置の断面図である。
【図４】請求項３の発明の一実施例による半導体集積回
路装置の断面図である。
路装置の断面図である。
【図５】従来の半導体集積回路装置の一例を示す断面図
である。
である。
１ モールド樹脂 ２ 半導体チップ ３ ダイパッド ４ リード ５ ボンディングワイヤ ７ ディンプル（凹部） ８ 溝（凹部） ９ 隆起部（凸部） １０ ポリイミドコーティング部
Claims (3)
- 【請求項１】 ダイパッド上に固定された半導体チップ
と、ボンディングワイヤを介して上記半導体チップに接
続され、外部と電気的入出力を行うためのリードとを有
し、さらにこれらをモールド樹脂で封止した半導体集積
回路装置において、上記リードの上記モールド樹脂に覆
われた部分に、上記リードと上記モールド樹脂との密着
性を向上させるための凹部が設けられていることを特徴
とする半導体集積回路装置。 - 【請求項２】 ダイパッド上に固定された半導体チップ
と、ボンディングワイヤを介して上記半導体チップに接
続され、外部と電気的入出力を行うためのリードとを有
し、さらにこれらをモールド樹脂で封止した半導体集積
回路装置において、上記リードの上記モールド樹脂に覆
われた部分に、上記リードと上記モールド樹脂との密着
性を向上させるための凸部が設けられていることを特徴
とする半導体集積回路装置。 - 【請求項３】 ダイパッド上に固定された半導体チップ
と、ボンディングワイヤを介して上記半導体チップに接
続され、外部と電気的入出力を行うためのリードとを有
し、さらにこれらをモールド樹脂で封止した半導体集積
回路装置において、上記リードの上記モールド樹脂に覆
われた部分に、ポリイミドコーティングが施されている
ことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23177692A JPH0685133A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体集積回路装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23177692A JPH0685133A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体集積回路装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0685133A true JPH0685133A (ja) | 1994-03-25 |
Family
ID=16928859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23177692A Pending JPH0685133A (ja) | 1992-08-31 | 1992-08-31 | 半導体集積回路装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0685133A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100230515B1 (ko) * | 1997-04-04 | 1999-11-15 | 윤종용 | 요철이 형성된 리드 프레임의 제조방법 |
| US6849930B2 (en) | 2000-08-31 | 2005-02-01 | Nec Corporation | Semiconductor device with uneven metal plate to improve adhesion to molding compound |
| JP2008098500A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂外囲器付きリードフレームとその製造方法 |
| CN102201525A (zh) * | 2010-03-25 | 2011-09-28 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装及具有该发光器件封装的照明系统 |
| WO2021215140A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | Ｊｘ金属株式会社 | 金属板、金属樹脂複合体、および半導体ディバイス |
-
1992
- 1992-08-31 JP JP23177692A patent/JPH0685133A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100230515B1 (ko) * | 1997-04-04 | 1999-11-15 | 윤종용 | 요철이 형성된 리드 프레임의 제조방법 |
| US6197615B1 (en) | 1997-04-04 | 2001-03-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of producing lead frame having uneven surfaces |
| US6849930B2 (en) | 2000-08-31 | 2005-02-01 | Nec Corporation | Semiconductor device with uneven metal plate to improve adhesion to molding compound |
| JP2008098500A (ja) * | 2006-10-13 | 2008-04-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 樹脂外囲器付きリードフレームとその製造方法 |
| CN102201525A (zh) * | 2010-03-25 | 2011-09-28 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装及具有该发光器件封装的照明系统 |
| JP2011205100A (ja) * | 2010-03-25 | 2011-10-13 | Lg Innotek Co Ltd | 発光素子パッケージ及びこれを備えた照明システム |
| US8309983B2 (en) | 2010-03-25 | 2012-11-13 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package and lighting system having the same |
| WO2021215140A1 (ja) * | 2020-04-24 | 2021-10-28 | Ｊｘ金属株式会社 | 金属板、金属樹脂複合体、および半導体ディバイス |
| JP2021174883A (ja) * | 2020-04-24 | 2021-11-01 | Ｊｘ金属株式会社 | 金属板、金属樹脂複合体、および半導体ディバイス |
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