KR0119759Y1 - 버텀 리드형 반도체 패키지 - Google Patents

버텀 리드형 반도체 패키지

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KR0119759Y1
KR0119759Y1 KR2019940036810U KR19940036810U KR0119759Y1 KR 0119759 Y1 KR0119759 Y1 KR 0119759Y1 KR 2019940036810 U KR2019940036810 U KR 2019940036810U KR 19940036810 U KR19940036810 U KR 19940036810U KR 0119759 Y1 KR0119759 Y1 KR 0119759Y1
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KR
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lead
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semiconductor package
encapsulation
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KR2019940036810U
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Inventor
이내정
임남진
Original Assignee
문정환
금성일렉트론주식회사
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  • Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

본 고안은 버텀 리드형 반도체 패키지에 관한 것으로, 종래에는 봉지체(4)의 하면에 노출되어 있는 아웃 리드(2b)와 봉지체(4)인 몰드 수지가 평면형상으로 면접촉되어 있기 때문에 각각의 재료에 있어서 열팽창율의 차이 및 물리적인 성질이 상이하여 디래머네이션(delamination)이 발생됨으로써 리드(2b)가 몰드 수지(4)에 밀착되지 못하여 외력에 의해 리드(2b)가 패키지 몸체에서 이탈되는 불량이 발생되는 문제가 있었는바, 봉지체(4)의 하면에 노출되는 아웃 리드(2b)에 단차부(2c)를 형성하여 봉지체인 몰드 수지와의 접촉면적을 증대하도록 한 본 고안을 제공하여 봉지체인 몰드 수지와의 접촉면적이 증대됨으로써 아웃 리드가 봉지체에서 이탈되는 것을 방지하도록 한 것이다.

Description

버텀 리드형 반도체 패키지
제1도는 일반적인 버텀 리드형 반도체 패키지의 구성을 보인 단면도.
제2도는 제1도의 A부 확대도.
제3도는 본 고안에 의한 버텀 리드형 반도체 패키지의 특징적인 구성을 보이기 위한 제1도의 A부에 해당되는 확대도.
제4도는 제3도의 B-B선 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1: 반도체 칩2: 리드 프레임
2b: 아웃 리드2c: 단차부
3: 금속 와이어4: 봉지체
본 고안은 버텀 리드(Bottom Lead)형 반도체 패키지에 관한 것으로, 특히 패키지 몸체의 하면으로 노출되는 아웃 리드에 단차부를 두어 봉지체인 몰드 수지와의 접촉면적이 증대됨으로써 아웃 리드가 봉지체에서 이탈되는 것을 방지하도록 한 버텀 리드형 반도체 패키지에 관한 것이다.
일반적인 버텀형 반도체 패키지는 제1도의 도시한 바와 같이, 반도체 칩(1)과, 상기 반도체 칩(1)을 지지함과 아울러 칩의 외부로의 전기적인 접속경로를 이루는 리드 프레임(2)과, 상기 칩(1)을 리드 프레임(2)에 전기적으로 연결시키는 금속 와이어(3)와, 상기 칩(1)과 리드 프레임(2) 및 금속 와이어(3)를 봉하여 막는 봉지체(4)를 포함하여 구성되어 있다.
상기 봉지체(4)의 하면에는 기판과 접속하기 위한 다수 개의 아웃 리드(2b)가 노출되어 있으며, 상기 반도체 칩(1)은 리드 프레임(2)의 인너 리드(2a) 위에 절연필름(5)의 개재하에 부착고정되어 있고, 상기 인너 리드(2a)의 내측으로는 봉지체(4)의 하면으로 노출되는 아웃 리드가 절곡형성되어 있다.
이와 같은 버텀 리드형 반도체 패키지는 반도체 칩(1)을 리드 프레임(2)의 패들 위에 부착고정하는 다이 본딩 공정과, 상기 반도체 칩(1)과 리드 프레임(2)의 인너 리드(2a)를 전기적으로 연결하는 와이어 본딩 공정과, 와이어 본딩된 반도체 칩(1)과 인너 리드(2a) 및 금속 와이어(3)를 봉하여 막는 봉지체(4)를 형성하는 몰딩 공정과, 상기 리드 프레임(2)의 각 리드를 지지하고 있는 댐바 등을 절단하여 각각의 독립된 패키지로 분리함과 아울러 봉지체(4)의 양측으로 돌출된 아웃 리드(2b)를 소정 형태로 절곡형성하는 트림/포밍 공정의 순서로 진행하여 제조된다.
이와 같이 제조된 반도체 패키지는 그의 아웃 리드(2b)를 기판의 패턴에 일치시켜 리플로워 솔더링하는 것에 의하여 실장되어 전기적인 신호를 입, 출력하는 작용을 하게 된다.
그러나, 상기한 바와 같은 버텀 리드형 반도체 패키지는 제2도에서 보는 바와 같이, 봉지체(4)의 하면에 노출되어 있는 아웃 리드(2b)와 봉지체(4)인 몰드 수지가 평면형상으로 면접촉되어 있기 때문에 각각의 재료에 있어서 열팽창율의 차이 및 물리적인 성질이 상이하여 디래머네이션(delamination)이 발생됨으로써 리드(2b)가 몰드 수지(4)에 밀착되지 못하여 외력에 의해 리드(2b)가 패키지 몸체에서 이탈되는 불량이 발생되는 문제가 있었다.
이와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 고안의 목적은 아웃 리드가 몰드 수지와의 접촉면적을 증대시켜 결합력을 양호하게 함으로써 리드의 이탈을 방지하려는 데 있다.
이러한 본 고안의 목적을 달성하기 위하여, 반도체 칩과, 상기 칩을 지지함과 아울러 칩의 외부로의 전기적 접속경로를 이루는 리드 프레임과, 상기 칩을 리드 프레임에 전기적으로 연결시키는 금속 와이어와, 상기 칩, 리드 프레임 및 금속 와이어를 봉하여 막는 봉지체를 포함하며, 상기 봉지체의 하면에 노출되는 아웃 리드에 단차부를 형성하여 봉지체인 몰드 수지와의 접촉면적을 증대하도록 구성한 것을 특징으로 하는 버텀 리드형 반도체 패키지가 제공된다.
이하, 상기한 바와 같은 본 고안을 첨부도면에 도시한 일실시예에 의거하여 보다 상세하게 설명한다.
첨부도면 제3도는 본 고안에 의한 버텀 리드형 반도체 패키지의 특징적인 구성을 보이기 위한 제1도의 A부에 해당되는 확대도이고, 제4도는 제3도의 B-B선 단면도로서, 이에 도시한 바와 같이, 본 고안에 의한 버텀 리드형 반도체 패키지는 반도체 칩(1)과, 상기 칩(1)을 지지함과 아울러 칩의 외부로의 전기적 접속경로를 이루는 리드 프레임(2)과, 상기 칩(1)을 리드 프레임(2)에 전기적으로 연결시키는 금속 와이어(3)와, 상기 칩(1), 리드 프레임(2) 및 금속 와이어(3)를 봉하여 막는 봉지체(4)를 포함하여, 상기 봉지체(4)의 하면에 노출되는 아웃 리드(2b)에 단차부(2c)를 형성하여 봉지체인 몰드 수지와의 접촉면적을 증대하도록 구성한 것이다.
상기 단차부(2c)는 아웃 리드(2b)의 단부에만 형성할 수도 있고, 도면에 도시한 바와 같이 아웃 리드(2b)와 몰드 수지(4)가 접촉되는 전면적에 걸쳐 형성할 수도 있다.
이와 같이 아웃 리드에 단차부가 형성되어 있기 때문에 아웃 리드와 몰드 수지와의 결합력이 향상되어 아웃 리드가 이탈되지 않도록 한 것이다.
상기한 바와 같이 구성되는 본 고안에 의한 버텀 리드형 반도체 패키지의 제조과정은 종래와 동일하며, 다만 아웃 리드를 단차부를 에칭(etching) 또는 스탬핑(stamping)에 의해 곡면 또는 직각방향으로 단차지게 형성하게 된다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 고안에 의한 버텀 리드형 반도체 패키지는 패키지 몸체의 하면으로 노출되는 아웃 리드에 단차부를 두어 봉지체인 몰드 수지와의 접촉면적이 증대됨으로써 아웃 리드가 봉지체에서 이탈되는 것을 방지하도록 한 것이다.

Claims (1)

  1. 반도체 칩과, 상기 칩을 지지함과 아울러 칩의 외부로의 전기적 접속경로를 이루는 리드 프레임과, 상기 칩을 리드 프레임에 전기적으로 연결시키는 금속 와이어와, 상기 칩, 리드 프레임 및 금속 와이어를 봉하여 막는 봉지체를 포함하며, 상기 봉지체의 하면에 노출되는 아웃 리드에 단차부를 형성하여 봉지체인 몰드 수지와의 접촉면적을 증대하도록 구성한 것을 특징으로 하는 버텀 리드형 반도체 패키지.
KR2019940036810U 1994-12-28 1994-12-28 버텀 리드형 반도체 패키지 KR0119759Y1 (ko)

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KR960025468U KR960025468U (ko) 1996-07-22
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