JP2542274Y2 - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JP2542274Y2 JP2542274Y2 JP1991112030U JP11203091U JP2542274Y2 JP 2542274 Y2 JP2542274 Y2 JP 2542274Y2 JP 1991112030 U JP1991112030 U JP 1991112030U JP 11203091 U JP11203091 U JP 11203091U JP 2542274 Y2 JP2542274 Y2 JP 2542274Y2
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- JP
- Japan
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- resin layer
- resin
- lead frame
- lead
- semiconductor device
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本考案は少なくとも２層構造に樹
脂封止した半導体装置に関する。
脂封止した半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来のこの種の半導体装置の一例
を示す。図において１はリードフレーム、２は熱可塑性
樹脂を射出成型して形成した外側樹脂層、３はリードフ
レーム１のタブ表面上に搭載した半導体チップ、４は半
導体チップ３の電極とリードを接続する金線、５はエポ
キシ樹脂を外側樹脂層２内にポッティングして形成した
内側樹脂層、１１はリードフレームのタブとタブリード
部表面に設けた溝である。リードフレーム１に熱可塑性
樹脂を射出成型して外側樹脂層２を形成し、リードフレ
ーム１のタブ表面上に半導体チップ３を搭載し、半導体
チップ３の電極とリードフレームのリードを金線４で接
続し、外側樹脂層２内にエポキシ樹脂をポッティングし
て内側樹脂層５を形成し、２層構造に樹脂封止したもの
である。
を示す。図において１はリードフレーム、２は熱可塑性
樹脂を射出成型して形成した外側樹脂層、３はリードフ
レーム１のタブ表面上に搭載した半導体チップ、４は半
導体チップ３の電極とリードを接続する金線、５はエポ
キシ樹脂を外側樹脂層２内にポッティングして形成した
内側樹脂層、１１はリードフレームのタブとタブリード
部表面に設けた溝である。リードフレーム１に熱可塑性
樹脂を射出成型して外側樹脂層２を形成し、リードフレ
ーム１のタブ表面上に半導体チップ３を搭載し、半導体
チップ３の電極とリードフレームのリードを金線４で接
続し、外側樹脂層２内にエポキシ樹脂をポッティングし
て内側樹脂層５を形成し、２層構造に樹脂封止したもの
である。
【０００３】従来のこの種の半導体装置では、図に示す
ようにリードフレーム１のタブとタブリード部表面に溝
を設けたり、溝の代りに突起を設けたり、タブリード部
側面に段差ができるように切り欠きを設け、リードフレ
ーム１と封止樹脂の密着性を上げるとともに、リードフ
レーム１と封止樹脂の界面にそって侵入する水分を阻止
する構造が採られてきた。
ようにリードフレーム１のタブとタブリード部表面に溝
を設けたり、溝の代りに突起を設けたり、タブリード部
側面に段差ができるように切り欠きを設け、リードフレ
ーム１と封止樹脂の密着性を上げるとともに、リードフ
レーム１と封止樹脂の界面にそって侵入する水分を阻止
する構造が採られてきた。
【０００４】
【考案が解決しようとする課題】従来のこの種の半導体
装置では、リードフレーム１のタブリード部等に設けた
溝、突起、切り欠き等はリードフレーム１と封止樹脂の
密着性を上げるのには有効であるが、水分の侵入の阻止
には余り有効ではなく、耐湿性の低下による不良の発生
が減少しない。また、リードフレーム１の細い部分に加
工するのが難しく、細い部分に溝、切り欠き等を設ける
と、強度が弱くなり、組立て時に変形し易くなるという
問題があった。さらに、従来、実装の際の半田付け時
に、熱がリード部を経て半導体チップに伝わり易いとい
う問題があった。本考案は上記の問題を解決することを
目的とする。
装置では、リードフレーム１のタブリード部等に設けた
溝、突起、切り欠き等はリードフレーム１と封止樹脂の
密着性を上げるのには有効であるが、水分の侵入の阻止
には余り有効ではなく、耐湿性の低下による不良の発生
が減少しない。また、リードフレーム１の細い部分に加
工するのが難しく、細い部分に溝、切り欠き等を設ける
と、強度が弱くなり、組立て時に変形し易くなるという
問題があった。さらに、従来、実装の際の半田付け時
に、熱がリード部を経て半導体チップに伝わり易いとい
う問題があった。本考案は上記の問題を解決することを
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本考案の半導体装置は、
リードフレームに熱可塑性樹脂を射出成型して外側樹脂
層を形成し、タブ表面上に半導体チップを搭載し、該半
導体チップの電極とリードを金線で接続し、上記外側の
樹脂層内にエポキシ樹脂をポッティングして内側樹脂層
を形成し、少なくとも２層の樹脂で封止した半導体装置
において、リードフレームのリード部分の一部が樹脂層
内でＶ字状に折り曲げられ、該Ｖ字状に折り曲げられた
リード部分は、外側樹脂層と内側樹脂層の２層の樹脂層
内にわたるように構成し、リードフレームと接着性の良
いエポキシ樹脂と接触するリードの長さを長くしたもの
である。
リードフレームに熱可塑性樹脂を射出成型して外側樹脂
層を形成し、タブ表面上に半導体チップを搭載し、該半
導体チップの電極とリードを金線で接続し、上記外側の
樹脂層内にエポキシ樹脂をポッティングして内側樹脂層
を形成し、少なくとも２層の樹脂で封止した半導体装置
において、リードフレームのリード部分の一部が樹脂層
内でＶ字状に折り曲げられ、該Ｖ字状に折り曲げられた
リード部分は、外側樹脂層と内側樹脂層の２層の樹脂層
内にわたるように構成し、リードフレームと接着性の良
いエポキシ樹脂と接触するリードの長さを長くしたもの
である。
【０００６】
【実施例】図１は本考案の一実施例を示す。図において
１ａは外側樹脂層２と内側樹脂層５の２層の樹脂層内に
わたって埋まるリード部分の一部をＶ字状に折り曲げた
リードフレームで、２、３、４、５は図２の同一符号と
同一又は相当するものを示す。帯状のリードフレーム材
料を銀めっき後スタンピングにより打ち抜き、リード部
分の一部をＶ字状に形成し、Ｖ字状部分の一部が熱可塑
性樹脂内に形成されるようにリードフレーム１ａに熱可
塑性樹脂を射出形成して外側樹脂層２を形成し、続いて
タブ表面上に半導体チップ３を搭載し、金線４でボンデ
ィングし、外側樹脂２内にエポキシ樹脂をポッティング
して内側樹脂層５を形成したものである。上記のような
構造にすると、外側樹脂層２内に埋まっているリード部
分が従来のものより長くなるとともに、リードの一部を
リードと接着性に良いエポキシ樹脂からなる内側樹脂層
５内に埋まる構造にすることができる。そのため、リー
ドと樹脂の界面にそって侵入する水分の経路が長くな
り、半導体チップ３や金線４のボンディング部分まで達
する水分が殆んどなくなる。また、実装の際の半田付け
時の熱は、Ｖ字状に曲げたリード部分を伝わる間に外側
の樹脂層２に放射されて、半導体チップ３まで伝わる熱
量が抑えられる。
１ａは外側樹脂層２と内側樹脂層５の２層の樹脂層内に
わたって埋まるリード部分の一部をＶ字状に折り曲げた
リードフレームで、２、３、４、５は図２の同一符号と
同一又は相当するものを示す。帯状のリードフレーム材
料を銀めっき後スタンピングにより打ち抜き、リード部
分の一部をＶ字状に形成し、Ｖ字状部分の一部が熱可塑
性樹脂内に形成されるようにリードフレーム１ａに熱可
塑性樹脂を射出形成して外側樹脂層２を形成し、続いて
タブ表面上に半導体チップ３を搭載し、金線４でボンデ
ィングし、外側樹脂２内にエポキシ樹脂をポッティング
して内側樹脂層５を形成したものである。上記のような
構造にすると、外側樹脂層２内に埋まっているリード部
分が従来のものより長くなるとともに、リードの一部を
リードと接着性に良いエポキシ樹脂からなる内側樹脂層
５内に埋まる構造にすることができる。そのため、リー
ドと樹脂の界面にそって侵入する水分の経路が長くな
り、半導体チップ３や金線４のボンディング部分まで達
する水分が殆んどなくなる。また、実装の際の半田付け
時の熱は、Ｖ字状に曲げたリード部分を伝わる間に外側
の樹脂層２に放射されて、半導体チップ３まで伝わる熱
量が抑えられる。
【０００７】
【０００８】
【考案の効果】以上説明したように、本考案によれば、
耐湿性の劣化により発生する不良が減るとともに、実装
の際の半田付け時に半導体チップに達する熱量が抑えら
れ、信頼性が向上する。
耐湿性の劣化により発生する不良が減るとともに、実装
の際の半田付け時に半導体チップに達する熱量が抑えら
れ、信頼性が向上する。
【図１】 本考案の一実施例を示す断面図である。
【図２】 従来のこの種の半導体装置の一例の構造を示
す断面図である。
す断面図である。
１ａ リードフレーム ２ 外側樹脂層 ３ 半導体チップ ４ 金線 ５ 内側樹脂層
Claims (1)
- 【請求項１】 リードフレームに熱可塑性樹脂を射出成
型して外側樹脂層を形成し、タブ表面上に半導体チップ
を搭載し、該半導体チップの電極とリードを金線で接続
し、上記外側の樹脂層内にエポキシ樹脂をポッティング
して内側樹脂層を形成し、少なくとも２層の樹脂で封止
した半導体装置において、リードフレームのリード部分
の一部が樹脂層内でＶ字状に折り曲げられ、該Ｖ字状に
折り曲げられたリード部分は、外側樹脂層と内側樹脂層
の２層の樹脂層内にわたることを特徴とする半導体装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991112030U JP2542274Y2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1991112030U JP2542274Y2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0555559U JPH0555559U (ja) | 1993-07-23 |
| JP2542274Y2 true JP2542274Y2 (ja) | 1997-07-23 |
Family
ID=14576250
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1991112030U Expired - Lifetime JP2542274Y2 (ja) | 1991-12-25 | 1991-12-25 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2542274Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016156056A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社神戸製鋼所 | Ｌｅｄのリードフレーム用銅合金板条 |
-
1991
- 1991-12-25 JP JP1991112030U patent/JP2542274Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0555559U (ja) | 1993-07-23 |
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