JP2011146524A - リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】リードフレーム10は、半導体素子21を載置する載置面11aを有するダイパッド11と、ダイパッド11周囲に設けられたリード部12とを備えている。このうちダイパッド11の載置面11aに、深さが浅い第1凹部15と、第1凹部15の中央に位置するとともに深さが深い第2凹部16とからなる載置凹部14が形成されている。載置凹部14内に半導体素子21を載置することが可能なので、半導体装置20の厚みを薄くすることができる。
【選択図】図1
Description
以下、本発明の第1の実施の形態について、図1乃至図10を参照して説明する。
まず、図1および図2により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図1(a)は、本実施の形態によるリードフレームを示す平面図、図1(b)は図1(a)中のAA’線に沿った断面図であり、図2は、ダイパッドの載置凹部を示す部分拡大断面図である。図3は、本実施の形態によるリードフレームの変形例を示す断面図である。
次に図4により、本実施の形態による樹脂付リードフレームの概略について説明する。図4は、本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図である。
次に、図5により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図5は、本実施の形態による半導体装置(SONタイプ)を示す断面図である。以下において、半導体素子21がLED素子からなる場合について説明するが、半導体素子21としてLED素子以外の半導体素子を用いることも可能である。
次に、図1(a)(b)に示すリードフレーム10の製造方法について、図6(a)−(f)を用いて説明する。図6(a)−(f)は、本実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図である。なお図6(a)−(f)において、リードフレーム10が複数のダイパッド11および複数のリード部12を有する場合を例にとって説明する。
次に、図5に示す半導体装置20の製造方法について、図7(a)−(f)により説明する。図7(a)−(f)は、本実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図である。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用効果について、図8乃至図10を用いて説明する。図8は、本実施の形態による半導体装置の部分拡大断面図であり、図9は、本実施の形態による半導体装置と、比較例としての半導体装置(比較例1)とを比較して示す断面図である。図10(a)(b)は、それぞれ半導体装置の比較例2、3を示す部分拡大断面図である。
次に、本発明の第2の実施の形態による半導体装置について、図11を参照して説明する。図11は、本実施の形態による半導体装置を示す断面図である。図11に示す実施の形態は、外側樹脂部23が設けられていない点が異なるものであり、他の構成は上述した図1乃至図9に示す実施の形態と略同一である。図11において、図1乃至図9に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
次に、本発明の第3の実施の形態によるリードフレームおよび半導体装置について、図12を参照して説明する。図12は、本実施の形態によるリードフレームおよび半導体装置を示す断面図である。図12に示す実施の形態は、ダイパッド11の周囲に、リード部12が2つ設けられている点が異なるものであり、他の構成は上述した図1乃至図9に示す実施の形態と略同一である。図12において、図1乃至図9に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
11 ダイパッド
12 リード部
14 載置凹部
15 第1凹部
16 第2凹部
17 アンカー溝
18 補助接続部材
20、40、50 半導体装置
21 半導体素子
22 ボンディングワイヤ(導電部)
23 外側樹脂部
24 封止樹脂部
26 取付材料
30 樹脂付リードフレーム
Claims (10)
- 半導体素子を載置するリードフレームにおいて、
半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、
ダイパッド周囲に設けられたリード部とを備え、
ダイパッドの載置面に、深さが浅い第1凹部と、第1凹部中央に位置するとともに深さが深い第2凹部とからなる載置凹部を形成したことを特徴とするリードフレーム。 - 半導体素子はLED素子からなり、第1凹部の側壁は、ダイパッドの表面側から第2凹部側に向かう湾曲面を形成し、この湾曲面は、LED素子からの光を反射する反射面として機能することを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。
- 第1凹部はエッチングにより形成され、第2凹部はプレスにより形成されることを特徴とする請求項1または2記載のリードフレーム。
- 半導体装置において、
ダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有するリードフレームと、
リードフレームのダイパッドに載置された半導体素子と、
リードフレームのリード部と半導体素子とを電気的に接続する導電部と、
半導体素子と導電部とを封止する封止樹脂部とを備え、
リードフレームのダイパッドは、半導体素子を載置する載置面を有し、
ダイパッドの載置面に、深さが浅い第1凹部と、第1凹部中央に位置するとともに深さが深い第2凹部とからなる載置凹部を形成し、この載置凹部内に半導体素子を載置したことを特徴とする半導体装置。 - 半導体素子は、載置凹部の第2凹部内に収容された取付材料を介して載置凹部内に載置されていることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
- 半導体素子はLED素子からなり、このLED素子を取り囲む凹部を有する外側樹脂部が設けられ、封止樹脂部は、外側樹脂部の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置。
- 半導体素子はLED素子からなり、第1凹部の側壁は、ダイパッドの表面側から第2凹部側に向かう湾曲面を形成し、この湾曲面は、LED素子からの光を反射する反射面として機能することを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項記載の半導体装置。
- 第1凹部はエッチングにより形成され、第2凹部はプレスにより形成されることを特徴とする請求項4乃至7のいずれか一項記載の半導体装置。
- 半導体素子を載置する載置面を有するダイパッドと、ダイパッド周囲に設けられたリード部とを有するリードフレームの製造方法において、
金属基板を準備する工程と、
金属基板の表裏に、それぞれエッチング用レジスト層を形成する工程と、
エッチング用レジスト層を耐腐蝕膜として金属基板の表裏にエッチングを施すことにより、ダイパッドおよびリード部を形成するとともに、ダイパッドの載置面に、深さが浅い第1凹部を形成する工程と、
第1凹部の中央に、プレスにより、第1凹部より深さが深い第2凹部を形成する工程とを備えたことを特徴とするリードフレームの製造方法。 - 半導体装置の製造方法において、
請求項9記載のリードフレームの製造方法によりリードフレームを製造する工程と、
リードフレームのダイパッドの載置凹部内に半導体素子を載置する工程と、
半導体素子とリード部とを導電部により接続する工程と、
半導体素子と導電部とを封止樹脂部により封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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Cited By (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013008979A (ja) * | 2012-08-02 | 2013-01-10 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
KR20130013956A (ko) * | 2011-07-29 | 2013-02-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 표시장치 |
JP2013058739A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-03-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JP2013062490A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置 |
JP2013062493A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法 |
JP2013125776A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
KR20130098461A (ko) * | 2012-02-28 | 2013-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
JP2013179271A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-09-09 | Rohm Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP2013232506A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
JP2013232508A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
DE102013000911A1 (de) | 2012-01-20 | 2014-04-30 | Nichia Corporation | Formgehäuse für lichtemittierende Vorrichtung und lichtemittierende Vorrichtung, die dieses verwendet |
KR20150030114A (ko) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지와 이를 이용한 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치 |
US9117806B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Nichia Corporation | Light emitting device mount, light emitting apparatus including the same, and leadframe |
JP2015181203A (ja) * | 2015-07-07 | 2015-10-15 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、半導体装置および照明装置 |
JP2016143814A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | Shマテリアル株式会社 | リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2017073568A (ja) * | 2017-01-06 | 2017-04-13 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
JP2017076809A (ja) * | 2016-12-05 | 2017-04-20 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置 |
KR101810494B1 (ko) * | 2017-06-07 | 2017-12-20 | 주식회사 정진넥스텍 | 발광다이오드 패키지용 리드 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 발광다이오드 패키지 |
KR20190005802A (ko) * | 2017-07-06 | 2019-01-16 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
JP2019110204A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置、汎用実装基板、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 |
JP2019161238A (ja) * | 2019-06-17 | 2019-09-19 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 |
JP2019208043A (ja) * | 2019-07-16 | 2019-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
JP2020077888A (ja) * | 2013-03-05 | 2020-05-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020174203A (ja) * | 2020-07-10 | 2020-10-22 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置 |
CN113359248A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-09-07 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
EP4095933A1 (en) * | 2021-05-26 | 2022-11-30 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085591A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-30 | Fairchild Korea Semiconductor Kk | チップパッドが放熱通路として用いられるリードフレーム及びこれを含む半導体パッケージ |
JP2001185651A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2004214265A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2005353914A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
JP2008042158A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Itswell Co Ltd | Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 |
JP2008177496A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム、パッケージ部品、半導体装置およびそれらの製造方法 |
JP2009212542A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-09-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
-
2010
- 2010-01-14 JP JP2010006035A patent/JP5573176B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001085591A (ja) * | 1999-08-24 | 2001-03-30 | Fairchild Korea Semiconductor Kk | チップパッドが放熱通路として用いられるリードフレーム及びこれを含む半導体パッケージ |
JP2001185651A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Matsushita Electronics Industry Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009212542A (ja) * | 2000-12-28 | 2009-09-17 | Renesas Technology Corp | 半導体装置 |
JP2004214265A (ja) * | 2002-12-27 | 2004-07-29 | Kyushu Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP2005353914A (ja) * | 2004-06-11 | 2005-12-22 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
JP2008042158A (ja) * | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Itswell Co Ltd | Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 |
JP2008177496A (ja) * | 2007-01-22 | 2008-07-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リードフレーム、パッケージ部品、半導体装置およびそれらの製造方法 |
Cited By (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20130013956A (ko) * | 2011-07-29 | 2013-02-06 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 표시장치 |
KR101888603B1 (ko) * | 2011-07-29 | 2018-08-14 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 표시장치 |
JP2014212347A (ja) * | 2011-08-17 | 2014-11-13 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JP2013058739A (ja) * | 2011-08-17 | 2013-03-28 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JP2015213198A (ja) * | 2011-08-17 | 2015-11-26 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、光半導体装置用リードフレームの製造方法 |
JP2013062490A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置 |
JP2013062493A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-04-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法 |
JP2017220684A (ja) * | 2011-08-23 | 2017-12-14 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置、および、樹脂付き光半導体装置用リードフレームの製造方法、ならびに光半導体装置の製造方法 |
JP2016149579A (ja) * | 2011-08-23 | 2016-08-18 | 大日本印刷株式会社 | 光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置 |
JP2013125776A (ja) * | 2011-12-13 | 2013-06-24 | Dainippon Printing Co Ltd | リードフレーム、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
US10522731B2 (en) | 2012-01-20 | 2019-12-31 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device and light emitting device |
DE102013000911A1 (de) | 2012-01-20 | 2014-04-30 | Nichia Corporation | Formgehäuse für lichtemittierende Vorrichtung und lichtemittierende Vorrichtung, die dieses verwendet |
US10050186B2 (en) | 2012-01-20 | 2018-08-14 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9893255B2 (en) | 2012-01-20 | 2018-02-13 | Nichia Corporation | Molded package and light emitting device |
US11018286B2 (en) | 2012-01-20 | 2021-05-25 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device and light emitting device |
US9357641B2 (en) | 2012-01-20 | 2016-05-31 | Nichia Corporation | Molded package and light emitting device |
JP2013179271A (ja) * | 2012-01-31 | 2013-09-09 | Rohm Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
KR101888444B1 (ko) * | 2012-02-28 | 2018-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
KR20130098461A (ko) * | 2012-02-28 | 2013-09-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 및 그 제조 방법 |
JP2013232506A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
JP2013232508A (ja) * | 2012-04-27 | 2013-11-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
JP2013008979A (ja) * | 2012-08-02 | 2013-01-10 | Toshiba Corp | 半導体パッケージ |
JP7100275B2 (ja) | 2013-03-05 | 2022-07-13 | 日亜化学工業株式会社 | リードフレーム及び半導体装置 |
JP2020077888A (ja) * | 2013-03-05 | 2020-05-21 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10115876B2 (en) | 2013-03-14 | 2018-10-30 | Nichia Corporation | Light emitting device mount, leadframe, and light emitting apparatus |
US9117806B2 (en) | 2013-03-14 | 2015-08-25 | Nichia Corporation | Light emitting device mount, light emitting apparatus including the same, and leadframe |
US9287480B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-03-15 | Nichia Corporation | Light emitting device mount and light emitting apparatus |
US9583688B2 (en) | 2013-03-14 | 2017-02-28 | Nichia Corporation | Light emitting device mount, leadframe, and light emitting apparatus |
US10374136B2 (en) | 2013-03-14 | 2019-08-06 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus |
KR20150030114A (ko) * | 2013-09-11 | 2015-03-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지와 이를 이용한 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치 |
KR102066093B1 (ko) * | 2013-09-11 | 2020-01-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 다이오드 패키지와 이를 이용한 백라이트 유닛 및 액정 표시 장치 |
JP2016143814A (ja) * | 2015-02-04 | 2016-08-08 | Shマテリアル株式会社 | リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 |
JP2015181203A (ja) * | 2015-07-07 | 2015-10-15 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、半導体装置および照明装置 |
JP2017076809A (ja) * | 2016-12-05 | 2017-04-20 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレーム、半導体装置、照明装置 |
JP2017073568A (ja) * | 2017-01-06 | 2017-04-13 | 大日本印刷株式会社 | Led素子搭載用リードフレーム、樹脂付リードフレーム、多面付ledパッケージ、ledパッケージの製造方法および半導体素子搭載用リードフレーム |
KR101810494B1 (ko) * | 2017-06-07 | 2017-12-20 | 주식회사 정진넥스텍 | 발광다이오드 패키지용 리드 프레임 조립체, 그 제조 방법 및 발광다이오드 패키지 |
KR20190005802A (ko) * | 2017-07-06 | 2019-01-16 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
KR102553755B1 (ko) | 2017-07-06 | 2023-07-07 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
JP2019110204A (ja) * | 2017-12-18 | 2019-07-04 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置、汎用実装基板、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 |
JP7064325B2 (ja) | 2017-12-18 | 2022-05-10 | スタンレー電気株式会社 | 半導体発光装置、および、それを用いた半導体発光装置の製造方法 |
JP2019161238A (ja) * | 2019-06-17 | 2019-09-19 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 |
JP2019208043A (ja) * | 2019-07-16 | 2019-12-05 | 日亜化学工業株式会社 | パッケージ、発光装置及びそれらの製造方法 |
JP2020174203A (ja) * | 2020-07-10 | 2020-10-22 | マクセルホールディングス株式会社 | 半導体装置 |
JP7011685B2 (ja) | 2020-07-10 | 2022-01-27 | マクセル株式会社 | 半導体装置 |
EP4095933A1 (en) * | 2021-05-26 | 2022-11-30 | Nichia Corporation | Light emitting device |
CN113359248A (zh) * | 2021-06-02 | 2021-09-07 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
CN113359248B (zh) * | 2021-06-02 | 2022-11-15 | 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 | 一种光模块 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5573176B2 (ja) | 2014-08-20 |
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