KR20190005802A - 발광 장치 - Google Patents

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니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 기판과 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있는 발광 장치를 제공한다.
[해결 수단] 대략 장방형의 상면과, 상면의 반대 측에 위치하는 하면과, 상면의 장변과 인접하고, 상면과 직교하는 제1 장측면과, 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면과, 상면의 단변과 인접하고, 상면과 직교하는 제1 단측면과, 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면을 가지는 기재와, 상면에 배치되는 제1 배선과, 하면에 배치되고, 제1 배선과 전기적으로 접속되는 제2 배선을 구비하는 기판과, 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 제1 배선 상에 재치되는 적어도 하나의 발광 소자와, 발광 소자의 측면 및 기재의 상면을 피복하는 광반사성의 피복 부재를 구비하는 발광 장치로서, 기재는, 상면 및 제1 장측면으로 개구하는 적어도 하나의 제1 오목부를 구비하고, 제1 오목부의 표면이 피복 부재에 피복되는 발광 장치.

Description

발광 장치{LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은, 발광 장치에 관한 것이다.
예를 들어 특허문헌 1에는, 기판과, 기판 상에 탑재된 LED 칩과, LED 칩 상방의 형광체층과, LED 칩을 둘러싸는 댐재(피복 부재)를 갖는 발광 장치가 기재되어 있다.
일본특허공개 제2014-072213호 공보
본 발명은, 기판과 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있는 발광 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 태양에 관한 발광 장치는, 대략 장방형의 상면과, 상기 상면의 반대 측에 위치하는 하면과, 상기 상면의 장변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 장(長)측면과, 상기 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면과, 상기 상면의 단변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 단(短)측면과, 상기 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면을 갖는 기재와, 상기 상면에 배치되는 제1 배선과, 상기 하면에 배치되고 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되는 제2 배선을 구비하는 기판과, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 배선 상에 재치되는 적어도 하나의 발광 소자와, 상기 발광 소자의 측면 및 상기 기재의 상면을 피복하는 광반사성의 피복 부재를 구비하는 발광 장치로서, 상기 기재는, 상기 상면 및 상기 제1 장측면으로 개구하는 적어도 하나의 제1 오목부를 구비하고, 상기 오목부의 표면이 상기 피복 부재에 피복된다.
또한, 본 발명의 일 태양에 관한 발광 장치는, 대략 장방형의 상면과, 상기 상면의 반대 측에 위치하는 하면과, 상기 상면의 장변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 장측면과, 상기 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면과, 상기 상면의 단변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 단측면과, 상기 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면을 가지는 기재와, 상기 상면에 배치되는 제1 배선과, 상기 하면에 배치되고, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되는 제2 배선을 구비하는 기판과, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 배선 상에 재치되는 적어도 하나의 발광 소자와, 상기 발광 소자의 측면 및 상기 기재의 상면을 피복하는 광반사성의 피복 부재를 구비하는 발광 장치로서, 상기 기재는, 상기 상면 및 상기 제1 단측면으로 개구하는 상기 제2 오목부를 구비하고, 상기 제2 오목부의 표면이 상기 피복 부재에 피복되는 발광 장치.
또한, 본 발명의 일 태양에 관한 발광 장치는, 대략 장방형의 상면과, 상기 상면의 반대 측에 위치하는 하면과, 상기 상면과 상기 하면의 사이에 위치하는 측면을 가지는 기재와, 상기 상면에 배치되는 제1 배선과, 상기 하면에 배치되고, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되는 제2 배선을 구비하는 기판과, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 배선 상에 재치되는 적어도 하나의 발광 소자와, 상기 발광 소자의 측면 및 상기 기재의 상면을 피복하는 광반사성의 피복 부재를 구비하는 발광 장치로서, 상기 측면은, 상기 상면의 장변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 장측면과, 상기 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면과, 상기 상면의 단변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 단측면과, 상기 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면을 갖고, 상기 기재는, 상기 측면으로부터 이간하고, 상기 상면으로부터 상기 하면에 이르는 복수의 관통 구멍을 구비하고, 상기 복수의 관통 구멍의 표면이 상기 피복 부재에 피복된다.
본 발명의 발광 장치에 의하면, 기판과 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있는 발광 장치를 제공할 수 있다.
도 1은, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 개략 상면도이다.
도 2는, 도 1의 2A-2A선에 있어서의 개략 단면도이다.
도 3은, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 개략 측면도이다.
도 4a는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 개략 하면도이다.
도 4b는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 하면도이다.
도 4c는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 하면도이다.
도 4d는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 하면도이다.
도 4e는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 하면도이다.
도 4f는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 하면도이다.
도 5는, 제2 단측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 개략 측면도이다.
도 6은, 실시형태 1에 관한 기판의 개략 상면도이다.
도 7은, 실시형태 1에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 8a는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
도 8b는, 실시형태 1에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 8c는, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 9a는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
도 9b는, 실시형태 1에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 10a는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
도 10b는, 실시형태 1에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 10c는, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 10d는, 실시형태 1에 관한 기판 및 발광 소자의 변형예의 개략 상면도이다.
도 10e는, 실시형태 1에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 10f는, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 11a는, 실시형태 1에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 11b는, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 11c는, 제2 단측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 11d는, 실시형태 1에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 11e는, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 12a는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
도 12b는, 실시형태 1에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 12c는, 제1 단측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 12d는, 제2 단측면으로부터 본 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 13a는, 실시형태 1에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 단면도이다.
도 13b는, 실시형태 1에 관한 기판 및 발광 소자의 변형예의 개략 상면도이다.
도 14는, 실시형태 2에 관한 발광 장치의 개략 상면도이다.
도 15는, 도 14의 12A-12A선에 있어서의 개략 단면도이다.
도 16은, 실시형태 2에 관한 기판의 개략 상면도이다.
도 17a는, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 2에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 17b는, 실시형태 2에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 18a는, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 2에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
도 18b는, 실시형태 2에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 19는, 실시형태 2에 관한 기판 및 발광 소자의 개략 상면도이다.
도 20은, 실시형태 3에 관한 발광 장치의 개략 상면도이다.
도 21은, 도 20의 18A-18A선에 있어서의 개략 단면도이다.
도 22는, 실시형태 3에 관한 기판의 개략 상면도이다.
도 23은, 실시형태 3에 관한 기판 및 발광 소자의 개략 상면도이다.
도 24는, 실시형태 4에 관한 발광 장치의 개략 상면도이다.
도 25는, 도 24의 22A-22A선에 있어서의 개략 단면도이다.
도 26은, 실시형태 4에 관한 발광 장치의 개략 하면도이다.
도 27은, 실시형태 4에 관한 기판의 개략 상면도이다.
도 28은, 실시형태 4에 관한 기판 및 발광 소자의 개략 상면도이다.
도 29는, 실시형태 5에 관한 발광 장치의 개략 상면도이다.
도 30은, 도 29의 31A-31A선에 있어서의 개략 단면도이다.
도 31은, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 5에 관한 발광 장치의 개략 측면도이다.
도 32는, 제2 단측면으로부터 본 실시형태 5에 관한 발광 장치의 개략 측면도이다.
도 33은, 실시형태 5에 관한 기판의 개략 상면도이다.
도 34a는, 실시형태 5에 관한 기판의 변형예의 개략 상면도이다.
도 34b는, 제1 장측면으로부터 본 실시형태 5에 관한 발광 장치의 변형예의 개략 측면도이다.
이하, 발명의 실시형태에 대해 적절히 도면을 참조하여 설명한다. 단, 이하에 설명하는 발광 장치는, 본 발명의 기술 사상을 구체화하기 위한 것으로서, 특정적인 기재가 없는 한, 본 발명을 이하의 것으로 한정하지 않는다. 또한, 도면이 도시하는 부재의 크기나 위치 관계 등은, 설명을 명확하게 하기 위해, 과장하고 있는 경우가 있다.
＜실시형태 1＞
본 발명의 실시형태와 관련되는 발광 장치(1000)를 도 1 내지 도 13b에 기초하여 설명한다. 발광 장치(1000)는, 기판(10)과, 적어도 하나의 발광 소자(20)와, 피복 부재(40)를 구비한다. 기판(10)은, 기재(11)와, 제1 배선(12)과, 제2 배선(13)을 구비한다. 기재(11)는, 대략 장방형의 상면(111)과, 상면의 반대 측에 위치하는 하면(112)과, 상면(111)의 장변(101)과 인접하고, 상면(111)과 직교하는 제1 장측면(113)과, 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면(114)과, 상면(111)의 단변(102)과 인접하고, 상면과 직교하는 제1 단측면(115)과, 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면(116)을 갖는다. 기재(11)는, 상면(111) 및 제1 장측면(113)으로 개구하는 적어도 하나의 제1 오목부(111R)를 더 갖는다. 제1 배선(12)은, 기재(11)의 상면(111)에 배치된다. 제2 배선(13)은, 기재(11)의 하면(112)에 배치되고, 제1 배선(12)과 전기적으로 접속된다. 적어도 하나의 발광 소자는, 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 제1 배선 상에 재치된다. 피복 부재(40)는, 광반사성을 갖고, 발광 소자(20)의 측면(202) 및 기재의 상면(111)을 피복한다. 또한, 피복 부재(40)는, 제1 오목부(111R)의 표면을 피복한다. 또한, 본 명세서에 있어 직교란, 90±5°를 의미한다.
피복 부재가 제1 오목부의 표면을 피복함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 의해, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제1 오목부가 제1 장측면(113)으로 개구함으로써, 제1 장측면(113) 측에 있어서, 특히, 기판과 피복 부재의 접합 강도가 향상된다. 이에 의해, 제1 장측면(113) 측으로부터 피복 부재에 외력이 가해져도, 제1 장측면(113) 측의 기판과 피복 부재의 접합 강도가 향상되어 있으므로 기재와 피복 부재가 박리되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제1 오목부는 하면으로 개구하고 있어도 좋고, 하면으로부터 이간하여 있어도 좋다. 또한, 단면도로 보았을 때에 있어서의 제1 오목부의 형상은 특히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 대략 직사각형 형상이나, 대략 V자형 형상 등을 들 수 있다.
제1 오목부는, 하나이어도 좋고, 또한, 복수 있는 것이 바람직하다. 제1 오목부가 복수 있음으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킨다. 또한, 제1 오목부가 복수 있는 경우에는, 상면에서 보았을 때에 있어, 복수의 제1 오목부 사이에 발광 소자가 위치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 기재의 상면의 넓은 범위에서 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시키기 쉬워진다.
피복 부재의 선팽창율은, 기재의 선팽창율보다 높은 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 발광 장치의 구동 시에, 열이 발생하더라도 제1 오목부를 피복하는 피복 부재가 기재보다 선팽창율이 크므로 제1 오목부로부터 피복 부재가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다. 또한, 피복 부재의 선팽창율이, 기재의 선팽창율보다 높은 것으로부터 후술하는 제2 오목부, 제3 오목부 및/또는 관통 구멍으로부터 피복 부재가 벗겨지는 것을 억제할 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 피복 부재(40)는 발광 소자(20)와 접하며, 발광 소자(20)와 기판(10) 사이에 위치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 피복 부재(40)가 발광 소자와 기판 사이에 끼워져 있으므로 기재와 피복 부재가 박리되는 것을 억제할 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 발광 소자(20)는 적어도 반도체 적층체(23)를 포함하고, 반도체 적층체(23)에는 정부(正負) 전극(21, 22)이 설치되어 있다. 정부 전극(21, 22)은 발광 소자(20)의 같은 쪽의 면에 형성되어 있고, 발광 소자(20)가 기판(10)에 플립 칩 실장되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 발광 소자의 정부 전극에 전기를 공급하는 와이어가 불필요하게 되므로 발광 장치를 소형화할 수 있다. 또한 본 실시형태에서는 발광 소자(20)는 소자 기판(24)을 갖지만, 소자 기판(24)은 제거되어 있어도 좋다. 발광 소자(20)가 기판(10)에 플립 칩 실장되어 있는 경우는, 발광 소자의 정부 전극(21, 22)이 도전성 접착 부재(60)를 거쳐 제1 배선(12)에 접속되어 있다.
발광 장치(1000)는, 투광성 부재(30)를 구비하고 있어도 좋다. 투광성 부재(30)는, 발광 소자(20) 상에 위치하는 것이 바람직하다. 발광 소자 상에 투광성 부재가 위치함으로써, 발광 소자(20)를 외부 응력으로부터 보호할 수 있다. 피복 부재(40)는, 투광성 부재(30)의 측면을 피복하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 발광 영역과 비발광 영역의 콘트라스트가 높은, 「경계구분성」이 양호한 발광 장치로 할 수 있다.
발광 소자(20)는, 기판(10)과 대향하는 재치면(203)과, 재치면의 반대 측에 위치하는 광취출면(201)을 구비한다. 도 2에 나타내는 바와 같이, 발광 소자를 플립 칩 실장하는 경우는, 발광 소자의 정부 전극(21, 22)이 위치하는 면을 재치면(203)으로 하고, 반대 측의 면을 광취출면(201)으로 한다. 투광성 부재(30)는 도광 부재(50)를 거쳐, 발광 소자(20)에 접합되어도 좋다. 도광 부재(50)는 발광 소자의 광취출면(201)과, 투광성 부재(30) 사이에만 위치하여 발광 소자(20)와 피복 부재(40)를 접착해도 좋고, 발광 소자의 광취출면(201)으로부터 발광 소자의 측면(202)까지 피복하여 발광 소자(20)와 피복 부재(40)를 접착해도 좋다. 도광 부재(50)는, 피복 부재(40)보다 발광 소자(20)로부터의 광의 투과율이 높다. 이 때문에, 도광 부재(50)가 발광 소자의 측면(202)까지 피복함으로써, 발광 소자(20)의 측면으로부터 출사되는 광이 도광 부재(50)를 통해 발광 장치의 외측으로 취출하기 쉬워지므로 광 취출 효율을 높일 수 있다.
투광성 부재(30)는, 파장 변환 물질(32)을 함유하고 있어도 좋다. 파장 변환 물질(32)은, 발광 소자(20)가 발하는 1차광 중 적어도 일부를 흡수하여, 1차광과는 다른 파장의 2차광을 발하는 부재이다. 투광성 부재(30)에 파장 변환 물질(32)을 함유시킴으로써, 발광 소자(20)가 발하는 1차광과, 파장 변환 물질(32)이 발하는 2차광이 혼색된 혼색광을 출력할 수 있다. 예를 들어, 발광 소자(20)에 청색 LED를, 파장 변환 물질(32)에 YAG 등의 형광체를 이용하면, 청색 LED의 청색광과, 이 청색광으로 여기되어 형광체가 발하는 황색광을 혼합시켜 얻어지는 백색광을 출력하는 발광 장치를 구성할 수 있다.
파장 변환 물질(32)은, 투광성 부재(30)의 모재(31) 중에 균일하게 분산시켜도 좋고, 투광성 부재의 상면보다도 발광 소자의 근방에 파장 변환 물질을 편재시켜도 좋다. 투광성 부재의 상면보다도 발광 소자의 근방에 파장 변환 물질을 편재시킴으로써, 수분에 약한 파장 변환 물질(32)을 사용하더라도 투광성 부재(30)의 모재(31)가 보호층으로서도 기능을 하므로 파장 변환 물질(32)의 열화를 억제할 수 있다. 또한, 도 2에 나타내는 바와 같이, 투광성 부재(30)가 파장 변환 물질(32)을 함유하는 층과, 파장 변환 물질을 실질적으로 함유하지 않는 층(33)을 구비하고 있어도 좋다. 투광성 부재(30)가 파장 변환 물질(32)을 함유하는 층 위에, 파장 변환 물질을 실질적으로 함유하지 않는 층(33)이 위치함으로써, 파장 변환 물질을 실질적으로 함유하지 않는 층(33)이 보호층으로서도 기능을 하므로 파장 변환 물질(32)의 열화를 억제할 수 있다. 「파장 변환 물질을 실질적으로 함유하지 않는다」란, 불가피적으로 혼입되는 파장 변환 물질을 배제하지 않음을 의미하며, 파장 변환 물질의 함유율이 0.05중량% 이하인 것이 바람직하다. 수분에 약한 파장 변환 물질(32)로서는, 예를 들어 망간 활성 불화물 형광체를 들 수 있다. 망간 활성 불화물계 형광체의 발광 스펙트럼에 있어서의 반치폭은 비교적 좁다. 이 때문에, 망간 활성 불화물계 형광체를 이용함으로써, 예를 들어, 액정 디스플레이의 색 재현성을 높일 수 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 기재(11)는 비어(15)를 구비하고 있어도 좋다. 비어(15)는 기재(11)의 상면(111)으로부터 하면(112)으로 관통하는 구멍 내에 설치되고, 제1 배선과 제2 배선을 전기적으로 접속한다. 비어(15)는 기재의 관통 구멍의 표면을 피복하는 제3 배선(151)과 제3 배선(151) 내에 충전된 충전 부재(152)를 구비한다. 충전 부재(152)는, 도전성이어도 좋고 절연성이더라도 좋다. 충전 부재(152)에는, 수지 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 일반적으로 경화 전의 수지 재료는, 경화 전의 금속 재료보다도 유동성이 높기 때문에 제3 배선(151) 내가 좁은 경우에도 충전하기 쉽다. 이 때문에, 충전 부재에 수지 재료를 사용함으로써 기판의 제조가 용이하게 된다. 충전하기 쉬운 수지 재료로서는, 예를 들어 에폭시 수지를 들 수 있다. 충전 부재로서 수지 재료를 이용하는 경우는, 선팽창 계수를 낮추기 위해서 첨가 부재를 함유하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제3 배선과의 선팽창 계수의 차가 작아지므로, 발광 소자로부터의 열에 의해 제3 배선과 충전 부재 사이에 간극이 생기는 것을 억제할 수 있다. 첨가 부재로서는, 예를 들어 산화규소를 들 수 있다. 또한, 충전 부재(152)에 금속 재료를 사용한 경우에는, 방열성을 향상시킬 수 있다.
제1 배선(12)은, 발광 소자와 접속되는 부위에 Z＋ 방향으로 돌출한 제1 볼록부(121)를 구비하고 있는 것이 바람직하다. Z축 상에 있어서의 Z＋ 방향은, 아래로부터 위로 향하는 방향으로 하고, Z＋ 방향의 반대 방향은 Z- 방향으로 한다. 제1 볼록부(121)는, Z 방향에 있어서, 기재의 상면(111)의 상측에 위치한다. 제1 배선이 제1 볼록부를 구비함으로써, 예를 들어, 발광 소자의 정부 전극과, 제1 배선의 제1 볼록부를 용해성 부재에 의해 접합하는 경우에, 용해 상태의 용해성 부재가 제1 볼록부 상으로부터 흘렀다고 하더라도, 제1 볼록부의 주위는 1단 내려가 있으므로, 용해 상태의 용해성 부재가 제1 볼록부의 주위에 모이기 쉬워진다. 이에 의해, 의도하지 않은 영역으로의 용해성 부재의 침입을 방지할 수 있으므로, 발광 소자의 단락 등을 억제할 수 있다. 또한, 상면에서 보았을 때의 제1 볼록부의 외형의 적어도 일부가 발광 소자의 전극의 외형과 일치하는 형상인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 발광 소자의 정부 전극과, 제1 배선의 제1 볼록부를 용해성 부재에 의해 접합할 때에, 셀프 얼라인먼트 효과가 작용하여, 발광 소자와 제1 배선과의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
제2 배선(13)은, 실장 기판과 접속되는 부위에 Z- 방향으로 돌출한 제2 볼록부(131)를 구비하고 있는 것이 바람직하다. 또한, 실장 기판이란, 발광 장치를 재치하는 기판이다. 제2 볼록부(131)는, Z 방향에 있어서, 기재의 하면(112)의 하측에 위치한다. 제2 배선이 제2 볼록부를 구비함으로써, 예를 들어, 제2 배선의 제2 볼록부와, 실장 기판의 전극을 용해성 부재에 의해 접합하는 경우에, 용해 상태의 용해성 부재가 제2 볼록부로부터 흘렀다고 하더라도, 제2 볼록부의 주위는 1단 올라가 있으므로, 용해 상태의 용해성 부재가 제2 볼록부의 주위에 모이기 쉬워진다. 이에 의해, 의도하지 않는 영역으로의 용해성 부재의 침입을 방지할 수 있으므로, 발광 장치의 단락 등을 억제할 수 있다. 또한, 하면도로 보았을 때에 있어서의 제2 볼록부의 외형의 적어도 일부가 실장 기판의 전극의 외형과 일치하는 형상인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제2 볼록부와, 실장 기판의 전극을 용해성 부재에 의해 접합할 때에, 셀프 얼라인먼트 효과가 작용하여, 발광 장치와 실장 기판과의 위치 어긋남을 억제할 수 있다.
상면에서 보았을 때에 있어, 제1 볼록부(121) 및/또는 제2 볼록부(131)는 비어(15)와 겹치는 것이 바람직하다. 비어(15)의 충전 부재(152)로서 절연성의 부재를 사용했을 경우에는, 기재로부터 노출되는 충전 부재를 피복하는 도전성 부재를 형성한다. 제1 볼록부(121) 및/또는 제2 볼록부(131)가 비어와 겹침으로써, 절연성의 충전 부재를 도전성의 제1 볼록부(121) 및/또는 제2 볼록부(131)로 피복할 수 있다. 이에 의해, 충전 부재를 피복하는 도전성 부재와, 제1 볼록부(121) 및/또는 제2 볼록부(131)를 따로따로 형성하는 경우보다 발광 장치를 박형화할 수 있다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 기재의 제1 단측면(115) 및 제2 단측면(116)과 인접하는 피복 부재(40)의 측면(404)이, 기판(10)의 제1 단측면(115) 및 제2 단측면(116)과 실질적으로 동일 평면상에 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, X 방향의 폭을 짧게 할 수 있으므로 발광 장치를 소형화할 수 있다.
도 4a에 나타내는 바와 같이, 발광 장치(1000)는, 제2 배선(13)의 일부를 피복하는 절연막(18)을 구비하여도 좋다. 절연막(18)을 구비함으로써, 하면에 있어서의 절연성의 확보 및 단락의 방지를 도모할 수 있다. 또한, 기재로부터 제2 배선이 벗겨지는 것을 방지할 수 있다.
도 4b에 나타내는 바와 같이, 제2 배선(13)의 일부를 피복하는 절연막(18)이 X 방향으로 우묵하게 들어가 있는 절연막 오목부(181)를 구비하고 있어도 좋다. 절연막(18)이 절연막 오목부(181)를 구비하고 있는 것에 의해, 절연막(18)의 형상을 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서 비선대칭으로 하기 쉬워진다. 절연막(18)의 형상을 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서 비선대칭으로 함으로써, 절연막 오목부(181)의 위치를 확인하는 것에 의해, 발광 장치의 극성을 인식할 수 있다. 또한, 발광 장치의 극성은, 절연막(18)으로부터 노출되는 제2 배선(13)의 형상의 상이함에 의해서도 인식할 수 있다. 도 4b에 나타내는 절연막 오목부(181)는, 기판의 Y 방향에 있어서의 대략 중앙에 위치하고 있었지만, 도 4c에 나타내는 바와 같이, 절연막 오목부(181)는 기판의 Y 방향 있어서의 단부에 위치하고 있어도 좋다.
도 4d에 나타내는 바와 같이, 제2 배선(13)의 일부를 피복하는 절연막(18)이 X 방향으로 연신하고 있는 절연막 볼록부(182)를 구비하고 있어도 좋다. 절연막(18)이 절연막 볼록부(182)를 구비하고 있는 것에 의해, 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서 절연막(18)의 형상을 비선대칭으로 하기 쉬워진다. 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서 절연막(18)의 형상을 비선대칭으로 함으로써, 절연막 볼록부(182)의 위치를 확인하는 것에 의해, 발광 장치의 극성을 인식할 수 있다.
도 4e에 나타내는 바와 같이, 제2 배선(13)이 X 방향으로 우묵하게 들어가 있는 배선 오목부(132)를 구비하고 있어도 좋다. 제2 배선(13)이 배선 오목부(132)를 구비하고 있는 것에 의해, 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서, 절연막(18)으로부터 노출되는 제2 배선(13)의 형상을 비선대칭으로 하기 쉬워진다. 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서, 절연막(18)으로부터 노출되는 제2 배선(13)의 형상을 비선대칭으로 함으로써, 배선 오목부(132)의 위치를 확인하는 것에 의해, 발광 장치의 극성을 인식할 수 있다. 도 4e에 나타내는 배선 오목부(132)는, 기판의 Y 방향에 있어서의 대략 중앙에 위치하고 있었지만, 도 4f에 나타내는 바와 같이, 배선 오목부(132)는 기판의 Y 방향에 있어서의 단부에 위치하고 있어도 좋다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 기재의 제1 장측면 및 제2 장측면과 인접하는 피복 부재(40)의 측면(403)은, Z 방향에 있어서 발광 장치(1000)의 내측으로 경사져 있는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 피복 부재(40)의 측면(403)과 흡착 노즐(콜릿)과의 접촉이 억제되어, 발광 장치(1000)의 흡착 시의 피복 부재(40)의 손상을 억제할 수 있다. 피복 부재(40)의 경사 각도 θ는, 적절히 선택할 수 있지만, 이와 같은 효과를 나타내기 쉬움 및 피복 부재(40)의 강도의 관점으로부터, 0.3° 이상 3° 이하인 것이 바람직하고, 0.5° 이상 2° 이하인 것이 보다 바람직하고, 0.7° 이상 1.5° 이하인 것이 보다 더 바람직하다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)는, 상면(111)의 단변(102)과 대략 평행 방향으로 연신하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제1 오목부의 형성이 용이하게 된다. 제1 오목부의 형성은, 공지의 방법을 이용할 수 있으며, 예를 들어, 레이저 또는 블레이드에 의한 하프 다이싱이나, 에칭을 들 수 있다. 후술하는 바와 같이, 제1 오목부(111R)가 하면(112)으로 개구하는 경우에는 다이싱도 들 수 있다. 예를 들어, 복수의 기판이 매트릭스 상에 위치하는 집합 기판에 레이저 및/또는 블레이드 등에 의해 제1 오목부를 형성하는 경우에는, 제1 오목부가 상면의 단변과 대략 평행 방향으로 연신함으로써, 레이저 및/또는 블레이드를 일 방향으로 이동시켜 하프 다이싱함으로써, 복수의 기판의 각각에 제1 오목부를 형성할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서 대략 평행이란, 평행으로부터 ±5° 정도의 변동이 허용되는 것을 의미한다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)는 제2 장측면(114)으로부터 이간하고 있어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 기재의 얇은 부분의 면적을 저감하기 쉬워지므로 기재의 강도가 올라간다. 또한, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)는 제2 장측면(114)으로 개구해도 좋다. 이와 같이 함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 보다 증가시킬 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
도 8a, 도 8b에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)는 하면(112)으로 개구하고 있어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 제1 오목부의 형성이 용이하게 된다. 또한, 도 2, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)는 하면(112)으로부터 이간하고 있어도 좋다. 제1 오목부가 하면으로부터 이간하고 있음으로써, 제1 오목부의 저면에서도 피복 부재와 접촉할 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 도 2, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)가 하면(112)으로부터 이간하고 있는 경우에는, Z 방향에 있어서의 제1 오목부의 저면으로부터 상면까지의 거리 H1은, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.3배 내지 0.7배가 바람직하다. Z 방향에 있어서의 제1 오목부의 저면으로부터 하면까지의 두께 H1이, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.3배보다 짧으면, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 증가시키기 어려워진다. Z 방향에 있어서의 제1 오목부의 저면으로부터 상면까지의 거리 H1이, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.7배보다 길면, 제1 오목부 부분에 있어 Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께가 얇아져, 기재(11)의 강도가 저하될 우려가 있다.
또한, 도 8c에 나타낸 바와 같이, 기재의 두께가 두꺼운 경우에는, Z 방향에 있어서의 제1 오목부의 저면으로부터 하면까지의 두께 H1이, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.2배 내지 0.8배이여도 좋다. 기재의 두께가 두꺼운 경우에는, Z 방향에 있어서의 제1 오목부의 저면으로부터 하면까지의 두께 H1이, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.2배 이상인 것으로, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 증가시키기 쉬워 진다. 또한, 기재의 두께가 두꺼운 경우에는 Z 방향에 있어서의 제1 오목부의 저면으로부터 하면까지의 두께 H1이, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.8배 이하인 것으로, 기재(11)의 강도 저하를 억제할 수 있다. 또한 본 명세서에 있어 기판의 두께가 두껍다는 것은, 기판의 두께가 0.2㎜ 이상인 경우로 한다.
도 9a, 도 9b에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)는 제1 단측면(115)으로 개구하고 있어도 좋다. 이와 같이 함으로써, X 방향에 있어서의 기재의 길이를 짧게하기 쉬워져, 발광 장치를 소형화하기 쉬워진다. 또한, 후술하는 제2 오목부는, 기재의 상면 및 제1 단측면으로 개구하고 있는 오목부이다. 이 때문에, 도 9b에 나타내는, 상면, 제1 장측면 및 제1 단측면으로 개구하는 오목부는, 제1 오목부이기도 하고 제2 오목부이기도 하다. 또한, 후술하는 제4 오목부는, 기재의 상면 및 제2 장측면으로 개구하고 있는 오목부이다. 이 때문에, 도 9b에 나타내는, 상면, 제1 장측면 및 제2 장측면으로 개구하는 오목부는, 제1 오목부이기도 하고 제4 오목부이기도 하다. 상면, 제1 장측면, 제2 장측면 및 제1 단측면으로 개구하는 오목부는, 제1 오목부이기도 하고, 제2 오목부이기도 하고, 제4 오목부이기도 하다. 또한, 도 2, 도 6에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)는 제1 단측면(115)으로부터 이간하고 있어도 좋다. 제1 오목부(111R)는 제1 단측면(115)으로부터 이간함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 증가시킨다. 이에 의해, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
상면에서 보았을 때에 있어, 제1 오목부가 발광 소자로부터 이간하는 것이 바람직하다. 제1 오목부가 위치하는 개소는, 기재의 두께(Z 방향)가 얇아지거나, 상면으로부터 하면으로까지 개구하고 있거나 하기 때문에, 피복 수지의 열팽창 등에 의해 기재가 변형하기 쉽다. 제1 오목부가 발광 소자로부터 이간함으로써, 기재의 변형에 의해 발광 소자에 걸리는 힘을 저감할 수 있다.
도 10a 내지 도 10d에 나타내는 바와 같이, 제1 오목부(111R)는 제2 장측면(114) 및 제1 단측면(115)으로 개구하며, 또한, 제1 오목부(111R)의 X 방향에 있어서의 폭이 다른 영역, 예를 들어, 폭이 넓은 영역, 또는, 폭이 좁은 영역을 구비하고 있어도 좋다. 또한, 서서히 폭이 달라지는 영역을 구비하고 있어도 좋다. 예를 들어, 기판의 Y 방향에 있어 대략 중앙에 위치하는 제1 오목부(111R)의 X 방향의 폭 W1보다도, 기재의 제1 장측면(113)으로 개구하는 위치에 있어서의 제1 오목부(111R)의 X 방향의 폭 W2가 긴 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킨다.
도 10b, 도 10d에 나타내는 바와 같이, 상면에서 보았을 때에 있어 제1 배선(12)이 X 방향으로 연신하는 배선 연신부(123)를 구비하고 있는 것이 바람직하다. 도 10d에 나타내는 바와 같이, 상면에서 보았을 때에 있어, 배선 연신부(123)가 발광 소자를 재치할 예정인 위치로부터 X＋ 방향 및/또는 X- 방향으로 연신하여 형성되어 있는 것으로, 기판에 발광 소자를 재치할 때에 배선 연신부(123)를 안표(眼標)로 하여 재치할 수 있다. X축 상에 있어서의 X＋ 방향은, 상면에서 보았을 때에 있어 왼쪽에서 오른쪽을 향하는 방향으로 하고, X＋ 방향의 반대 방향은 X- 방향으로 한다. 이에 의해, 기판에 발광 소자를 재치하는 것이 용이하게 된다. 제1 배선(12)은, 배선 연신부(123)는 1개만 구비하고 있어도 좋고, 나아가서는, 배선 연신부(123)를 복수 구비하는 것이 바람직하다. 또한, 배선 연신부(123)를 복수 구비하는 경우에는, X 방향에 있어서, 발광 소자(20)의 양측에 배선 연신부(123)가 위치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 발광 소자(20)의 양측에 위치하는 배선 연신부(123)를 안표로 할 수 있으므로, 기판에 발광 소자를 재치하는 위치 정밀도가 향상된다. 또한, 발광 소자 상에 투광성 부재를 재치하는 경우도, 상면에서 보았을 때에 있어, 배선 연신부가 투광성 부재를 재치할 예정인 위치로부터 연신하여 형성되어 있으므로, 발광 소자 상에 투광성 부재를 재치할 때에 배선 연신부를 안표로 재치할 수 있다. 이에 의해, 발광 소자 상에 투광성 부재를 재치하는 것이 용이하게 된다. 또한, 기판의 Y 방향에 있어서 대략 중앙에 위치하는 제1 오목부(111R)의 X 방향의 폭 W1보다도, 기재의 제1 장측면(113)으로 개구하는 위치에 있어서의 제1 오목부(111R)의 X 방향의 폭 W2가 긴 것으로, 기판의 Y 방향에 있어서의 중앙에 위치하여, X 방향으로 연신하는 배선 연신부(123)를 형성하는 스페이스를 확보하기 쉬워진다.
또한, 도 10e에 나타내는 바와 같이, 제1 배선(12)이 기재의 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114)까지 연신하는 배선 연신부(123)를 구비하고 있어도 좋다. 제1 배선(12)이 기재의 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114)까지 연신하는 배선 연신부(123)를 구비하고 있는 경우에는, 도 10f에 나타내는 바와 같이, 제1 장측면 및/또는 제2 장측면으로부터 본 발광 장치의 측면에 있어서, 피복 부재로부터 노출되는 배선 연신부(123)가 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서 비선대칭인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 피복 부재로부터 노출되는 배선 연신부(123)의 위치 및/또는 크기 등을 확인함으로써 발광 장치의 극성을 인식할 수 있다.
도 11a 내지 도 11c에 나타내는 바와 같이, 기재(11)가 상면(111) 및 제2 장측면(114)으로 개구하는 제4 오목부(115R)를 적어도 하나 가지고 있어도 좋다. 또한, 제4 오목부(115R)는, 제1 오목부(111R)와 마찬가지로 제1 단측면(115)으로 개구하고 있어도 좋다. 기재가 제4 오목부(115R)를 구비함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킨다. 제1 오목부(111R)와 제4 오목부(115R)는 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 선대칭인 것이 바람직하다. 복수의 기판이 매트릭스 상에 위치하는 집합 기판에 레이저 및/또는 블레이드 등에 의해 제1 오목부 및 제4 오목부를 형성하는 경우에는, 서로 이웃하는 기판의 제1 오목부와 제4 오목부를 동시에 형성할 수도 있으므로 제조가 용이하게 된다. 또한, 제1 오목부(111R) 및/또는 제4 오목부(115R)의 X 방향에 있어서의 폭은 일정이더라도 좋고, 또는, 변화하고 있어도 좋다. 제1 오목부(111R) 및/또는 제4 오목부(115R)가 X 방향에 있어서의 폭이 다른 영역을 구비함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킨다.
또한, 도 11d에 나타내는 바와 같이, 제1 배선(12)이 기재의 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114)까지 연신하는 배선 연신부(123)를 구비하고 있어도 좋다. 제1 배선(12)이 기재의 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114)까지 연신하는 배선 연신부(123)를 구비하고 있는 경우에는, 도 11e에 나타내는 바와 같이, 제1 장측면 및/또는 제2 장측면으로부터 본 발광 장치의 측면에 있어서, 피복 부재로부터 노출되는 배선 연신부(123)가 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서 비선대칭인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 피복 부재로부터 노출되는 배선 연신부(123)의 위치 및/또는 크기 등을 확인함으로써 발광 장치의 극성을 인식할 수 있다.
X 방향에 있어서의 기재의 양단에 각각 제1 오목부를 구비하여, X＋ 측에 위치하는 제1 오목부와, X- 측에 위치하는 제1 오목부의 형상이 다르게 되어 있어도 좋다. 또한, 상면에서 보았을 때에 있어서, 발광 장치의 중심으로부터 X축 상에 있어서의 우측을 X＋ 측으로 하고, 좌측을 X- 측으로 한다. 예를 들어, 도 12a 내지 도 12d에 나타내는 바와 같이, X- 측에 위치하는 제1 오목부(111R)는, 제1 단측면(115)으로 개구하고, 또한, 제2 장측면(114)으로 개구하고 있다. X＋ 측에 위치하는 제1 오목부(111R＇)는, 제2 단측면(116)으로 개구하고 있지만, 제2 장측면(114)으로부터 이간하고 있다. 이와 같이 함으로써, 기재의 제1 단측면(115) 및 제2 단측면(116)과 인접하는 피복 부재(40)의 측면(404)이, 기판(10)의 제1 단측면(115) 및 제2 단측면(116)과 실질적으로 동일 평면상에 있는 경우에, 도 12c, 도 12d에 나타내는 바와 같이, 제1 단측면으로부터 본 발광 장치의 측면의 형상과, 제2 단측면으로부터 본 발광 장치의 측면의 형상이 다르다. 이에 의해, 제1 단측면으로부터 본 발광 장치의 측면 및/또는 제2 단측면으로부터 본 발광 장치의 측면을 확인함으로써 발광 장치의 극성을 인식할 수 있다.
도 13a, 도 13b에 나타낸 바와 같이 발광 장치는, 발광 소자(20)를 복수 구비하고 있어도 좋다. 발광 장치가 복수의 발광 소자를 구비하고 있는 경우에는, 복수의 발광 소자는 X 방향으로 나란히 설치되는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 발광 장치의 Y 방향의 폭을 짧게 할 수 있으므로 발광 장치를 박형화할 수 있다. 또한, 발광 소자의 수는, 3개 이상이어도 좋고, 1개여도 좋다. 제1 오목부(111R)는 복수의 발광 소자(20) 사이에 설치되어 있어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 발광 소자 사이에 있어서의 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
＜실시형태 2＞
도 14~도 19에 나타내는 본 발명의 실시형태 2에 관한 발광 장치(2000)는, 실시형태 1에 관한 발광 장치(1000)와 비교하여, 기재가 제2 오목부를 구비하는 점에서 서로 다르다. 그 외의 점에 대해서는 발광 장치(1000)와 마찬가지이다.
발광 장치(2000)는, 기판(10)과, 적어도 하나의 발광 소자(20)와, 피복 부재(40)를 구비한다. 기판(10)은, 기재(11)와, 제1 배선(12)과, 제2 배선(13)을 구비한다. 기재(11)는, 대략 장방형의 상면(111)과, 상면의 반대 측에 위치하는 하면(112)과, 상면(111)의 장변(101)과 인접하고, 상면과 직교하는 제1 장측면(113)과, 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면(114)과, 상면(111)의 단변(102)과 인접하고, 상면과 직교하는 제1 단측면(115)과, 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면(116)을 갖는다. 기재(11)는, 상면(111) 및 제1 단측면(115)으로 개구하는 적어도 하나의 제2 오목부(112R)를 더 갖는다. 제1 배선(12)은, 기재(11)의 상면(111)에 배치된다. 제2 배선(13)은, 기재(11)의 하면(112)에 배치되고, 제1 배선(12)과 전기적으로 접속된다. 적어도 하나의 발광 소자는, 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 제1 배선 상에 재치된다. 피복 부재(40)는, 광반사성을 갖고, 발광 소자(20)의 측면(202) 및 기재의 상면(111)을 피복한다. 또한, 피복 부재(40)는, 제2 오목부(112R)의 표면을 피복한다.
피복 부재가 제2 오목부의 표면을 피복함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 의해, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 제2 오목부가 제1 단측면(115)으로 개구함으로써, 제1 단측면(115) 측에 있어서, 특히, 기판과 피복 부재의 접합 강도가 향상된다. 이에 의해, 제1 단측면(115) 측으로부터 피복 부재에 외력이 가해져도, 제1 단측면(115) 측의 기판과 피복 부재의 접합 강도가 향상되어 있으므로, 기재와 피복 부재가 박리되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 제2 오목부는 하면으로 개구하고 있어도, 하면으로부터 이간하고 있어도 좋다. 또한, 단면도로 보았을 때에 있어서의 제2 오목부의 형상은 특히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 대략 직사각형 형상이나, 대략 V자형 형상 등을 들 수 있다.
제2 오목부는, 1개이어도 좋고, 나아가서는, 복수 있는 것이 바람직하다. 제2 오목부가 복수 있음으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킨다. 또한, 제2 오목부가 복수 있는 경우에는, 상면에서 보았을 때, 복수의 제2 오목부 사이에 발광 소자가 위치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 기재의 상면의 넓은 범위에서 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시키기 쉬워진다.
도 16에 나타내는 바와 같이, 제2 오목부(112R)는, 상면(111)의 장변(101)과 대략 평행 방향으로 연신하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제2 오목부의 형성이 용이하게 된다. 제2 오목부의 형성은, 제1 오목부와 마찬가지로 공지의 방법을 이용할 수 있다. 예를 들어, 복수의 기판이 매트릭스 상에 위치하는 집합 기판에 레이저 등에 의해 제2 오목부를 형성하는 경우에는, 제2 오목부가 상면의 장변과 대략 평행 방향으로 연신함으로써, 레이저를 일 방향으로 이동시켜 하프 다이싱함으로써, 서로 이웃하는 기판의 각각에 제2 오목부를 형성할 수 있다.
도 17a, 도 17b에 나타내는 바와 같이, 제2 오목부(112R)는 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114)으로 개구하고 있어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114) 측에 있어서, 특히, 기판과 피복 부재의 접합 강도가 향상된다. 이에 의해, 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114) 측으로부터 피복 부재에 외력이 가해져도, 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114) 측의 기판과 피복 부재의 접합 강도가 향상되어 있으므로 기재와 피복 부재가 박리되는 것을 억제할 수 있다. 또한, 도 16에 나타내는 바와 같이, 제2 오목부(112R)는 제1 장측면(113) 및 제2 장측면(114)으로부터 이간하고 있어도 좋다. 제2 오목부(112R)가 제1 장측면(113) 및 제2 장측면(114)으로부터 이간함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 의해, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
도 18a, 도 18b에 나타내는 바와 같이, 제2 오목부(112R)는 하면(112)으로 개구하고 있어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 제2 오목부의 형성이 용이하게 된다. 또한, 도 15에 나타내는 바와 같이, 제2 오목부(112R)는 하면(112)으로부터 이간하고 있어도 좋다. 제2 오목부가 하면으로부터 이간하고 있는 것으로, 제2 오목부의 저면에서도 피복 부재와 접촉할 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 도 15에 나타내는 바와 같이, 제2 오목부(112R)가 하면(112)으로부터 이간하고 있는 경우에는, Z 방향에 있어서의 제2 오목부의 저면으로부터 상면까지의 거리 H3는, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.3배 내지 0.7배가 바람직하다. Z 방향에 있어서의 제2 오목부의 저면으로부터 상면까지의 거리 H3가, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.3배보다 짧으면, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 증가시키기 어려워진다. Z 방향에 있어서의 제2 오목부의 저면으로부터 상면까지의 거리 H3가, Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께 H2의 0.7배보다 길면, 제2 오목부 부분에 있어 Z 방향에 있어서의 기재(11)의 두께가 얇아져, 기재(11)의 강도가 저하될 우려가 있다.
도 19에 나타내는 바와 같이, 상면에서 보았을 때, 제2 오목부(112R)가 발광 소자(20)로부터 이간하는 것이 바람직하다. 제2 오목부가 위치하는 개소는, 기재의 두께(Z 방향)가 얇아지거나, 상면으로부터 하면으로까지 개구하고 있거나 하므로, 피복 수지의 열팽창 등에 의해 기재가 변형하기 쉽다. 상면에서 보았을 때, 제2 오목부가 발광 소자로부터 이간함으로써, 기재의 변형에 의해 발광 소자에 걸리는 힘을 저감시킬 수 있다.
＜실시형태 3＞
도 20~도 23에 나타내는 본 발명의 실시형태 3에 관한 발광 장치(3000)는, 실시형태 1에 관한 발광 장치(1000)와 비교하여, 기재가 복수의 관통 구멍을 구비하고, 복수의 관통 구멍의 표면을 피복 부재가 피복하는 점에서 서로 다르다. 그 외의 점에 관해서는 발광 장치(1000)와 마찬가지이다.
발광 장치(3000)는, 기판(10)과, 적어도 하나의 발광 소자(20)와, 피복 부재(40)를 구비한다. 기판(10)은, 기재(11)와, 제1 배선(12)과, 제2 배선(13)을 구비한다. 기재(11)는, 대략 장방형의 상면(111)과, 상면(111)의 반대 측에 위치하는 하면(112)과, 상면(111)과 상기 하면(112) 사이에 위치하는 측면을 갖는다. 기재는, 기재의 측면으로부터 이간하고, 기재의 상면으로부터 하면에 이르는 복수의 관통 구멍(113R)을 더 구비한다. 제1 배선(12)은, 기재(11)의 상면(111)에 배치된다. 제2 배선(13)은, 기재(11)의 하면(112)에 배치되고, 제1 배선(12)과 전기적으로 접속된다. 적어도 하나의 발광 소자는, 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 제1 배선 상에 재치된다. 피복 부재(40)는, 광반사성을 갖고, 발광 소자(20)의 측면(202) 및 기재의 상면(111)을 피복한다. 또한, 피복 부재(40)는, 복수의 관통 구멍의 표면을 피복한다. 또한, 기재(11)의 측면은, 상면(111)의 장변(101)과 인접하고, 상면(111)과 직교하는 제1 장측면(113)과, 제1 장측면(113)의 반대 측에 위치하는 제2 장측면(114)과, 상면(111)의 단변(102)과 인접하고, 상면과 직교하는 제1 단측면(115)과, 제1 단측면(115)의 반대 측에 위치하는 제2 단측면(116)을 갖는다.
피복 부재가 관통 구멍의 표면을 피복함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 이에 의해, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 상면에서 보았을 때에 있어서의 관통 구멍의 형상은 특히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 원형 형상이나, 삼각 형상, 4각 형상 등의 다각형 형상 등을 들 수 있다.
관통 구멍(113R)은, Y 방향에 있어서의 기재의 대략 중앙에 위치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 제1 장측면(113) 측으로부터 피복 부재에 외력이 가해져도, 제2 장측면(114) 측으로부터 피복 부재에 외력이 가해져도, 기재와 피복 부재가 박리되는 것을 억제하기 쉬워진다. 관통 구멍의 형성에는, 공지의 방법을 이용할 수 있으며, 예를 들어, 레이저나 드릴로 형성할 수 있다.
도 23에 나타내는 바와 같이, 상면에서 보았을 때, 관통 구멍(113R)이 발광 소자(20)로부터 이간하는 것이 바람직하다. 관통 구멍이 위치하는 개소는, 피복 수지의 열팽창 등에 의해 변형하기 쉽다. 관통 구멍이 발광 소자로부터 이간함으로써, 기재의 변형에 의해 발광 소자에 걸리는 힘을 저감시킬 수 있다. 또한, 상면에서 보았을 때, 복수의 관통 구멍 사이에 발광 소자가 위치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, X 방향에 있어서의 발광 소자의 양측에 있어서 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
발광 장치(3000)가 복수의 발광 소자를 구비하고 있는 경우에는, 발광 소자와 발광 소자 사이에 관통 구멍이 위치하고 있어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 발광 소자와 발광 소자의 사이에 위치하는 피복 부재와 기재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다.
＜실시형태 4＞
도 24~도 28에 나타내는 본 발명의 실시형태 4에 관한 발광 장치(4000)는, 실시형태 3에 관한 발광 장치(3000)와 비교하여, 기재가 제3 오목부를 구비하는 점에서 서로 다르다. 그 외의 점에 관해서는 발광 장치(3000)와 마찬가지이다.
발광 장치(4000)는, 기재(11)는 하면(112)으로 개구하는 제3 오목부(114R)를 구비한다. 상면에서 보았을 때, 제3 오목부(114R)는 관통 구멍(113R)과 겹치고, 제3 오목부(114R)의 표면이 피복 부재(40)에 피복된다. 이와 같이 함으로써, 제3 오목부(114R)의 내측면과 피복 부재가 접촉하므로 더욱 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킬 수 있다. 또한, 단면도로 보았을 때 제3 오목부의 형상은 특히 한정되는 것이 아니고, 예를 들어 대략 직사각형 형상이나, 대략 V자형 형상 등을 들 수 있다.
상면에서 보았을 때, 제3 오목부(114R)가 관통 구멍(113R)보다 면적이 큰 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 상면에서 보았을 때, 관통 구멍(113R) 내에 위치하는 피복 부재(40)보다 제3 오목부(114R) 내에 위치하는 피복 부재(40)를 크게 할 수 있으므로, 피복 부재가 기재로부터 박리되기 어려워진다. 이 때문에, 더욱 기재와 피복 부재의 접합 강도가 향상된다.
상면에서 보았을 때, 제3 오목부(114R)가 발광 소자로부터 이간하는 것이 바람직하다. 제3 오목부(114R)가 위치하는 개소는, 기재의 두께(Z 방향)가 얇아지거나, 상면으로부터 하면으로까지 개구하고 있거나 하므로, 피복 수지의 열팽창 등에 의해 변형하기 쉽다. 제3 오목부가 발광 소자로부터 이간함으로써, 기재의 변형에 의해 발광 소자에 걸리는 힘을 저감할 수 있다.
제3 오목부(114R)는 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114)으로 개구하고 있어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킨다. 또한, 제3 오목부는 제1 단측면 및 제2 단측면으로 개구하고 있어도 좋다.
제3 오목부(114R)는, 상면(111)의 단변(102)과 대략 평행 방향으로 연신하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 예를 들어, 복수의 기판이 매트릭스 상에 위치하는 집합 기판에 레이저 등에 의해 제3 오목부(114R)를 형성하는 것이 용이하게 된다.
＜실시형태 5＞
도 29 내지 도 33에 나타내는 본 발명의 실시형태 5에 관한 발광 장치(5000)는, 실시형태 1에 관한 발광 장치(1000)와 비교하여, 기재가 제2 오목부 및 제4 오목부를 구비하는 점에서 서로 다르다. 그 외의 점에 대해서는 발광 장치(1000)와 마찬가지이다.
기재(11)가 제1 오목부(111R), 제2 오목부(112R) 및 제4 오목부(115R)를 구비함으로써 기재와 피복 부재와의 접촉 면적을 더욱 증가시킬 수 있으므로, 기재와 피복 부재의 접합 강도를 향상시킨다.
또한, 발광 장치의 기재는 제1 오목부, 제2 오목부, 제3 오목부, 제4 오목부 및/또는 관통 구멍을 복수 구비하고 있어도 좋다. 발광 장치의 기재는 제1 오목부, 제2 오목부, 제3 오목부, 제4 오목부 및/또는 관통 구멍을 구비함으로써, 기재와 피복 부재의 접합 강도가 향상된다.
또한, 도 34a에 나타내는 바와 같이, 제1 배선(12)이 기재의 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114)까지 연신하는 배선 연신부(123)를 구비하고 있어도 좋다. 제1 배선(12)이 기재의 제1 장측면(113) 및/또는 제2 장측면(114)까지 연신하는 배선 연신부(123)를 구비하고 있는 경우에는, 도 34b에 나타내는 바와 같이, 제1 장측면 및/또는 제2 장측면으로부터 본 발광 장치의 측면에 있어서, 피복 부재로부터 노출되는 배선 연신부(123)가 기판의 X 방향에 있어서의 중심선에 있어서 비선대칭인 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 피복 부재로부터 노출되는 배선 연신부(123)의 위치 및/또는 크기 등을 확인함으로써 발광 장치의 극성을 인식할 수 있다.
이하, 본 발명의 일 실시형태에 관한 발광 장치에 있어서의 각 구성요소에 대해 설명한다.
(기판(10))
기판(10)은, 발광 소자를 재치하는 부재이다. 기판(10)은, 적어도, 기재(11)와, 제1 배선(12)과, 제2 배선(13)에 의해 구성된다. 또한, 기판(10)은, 제1 배선(12)과, 제2 배선(13)을 전기적으로 접속하는 비어(15)를 구비하고 있어도 좋다.
(기재(11))
기재(11)는, 수지 또는 섬유 강화 수지, 세라믹스, 글라스 등의 절연성 부재를 이용하여 구성할 수 있다. 수지 또는 섬유 강화 수지로서는, 에폭시, 글라스 에폭시, 비스말레이미드 트리아진(BT), 폴리이미드 등을 들 수 있다. 세라믹스로서는, 산화알루미늄, 질화알루미늄, 산화지르코늄, 질화지르코늄, 산화티탄, 질화티탄, 또는 이들의 혼합물 등을 들 수 있다. 이들 기재 중, 특히 제1 발광 소자의 선팽창 계수에 가까운 물성을 가지는 기재를 사용하는 것이 바람직하다. 기재의 두께의 하한값은, 적절히 선택할 수 있지만, 기재의 강도의 관점으로부터, 0.05㎜ 이상인 것이 바람직하고, 0.1㎜ 이상인 것이 보다 바람직하다. 또한, 기재의 두께의 상한값은, 발광 장치의 두께의 관점으로부터, 0.5㎜ 이하인 것이 바람직하고, 0.4㎜ 이하인 것이 보다 바람직하다.
(제1 배선(12), 제2 배선(13))
제1 배선은, 기재의 상면에 배치되며, 발광 소자와 전기적으로 접속된다. 제2 배선은, 기재의 하면에 배치되고 제1 배선과 전기적으로 접속된다. 제1 배선 및 제2 배선은, 구리, 철, 니켈, 텅스텐, 크롬, 알루미늄, 은, 금, 티탄, 팔라듐, 로듐, 또는 이들의 합금으로 형성할 수 있다. 이들 금속 또는 합금의 단층이어도 좋고 다층이어도 좋다. 특히, 방열성의 관점에서는 구리 또는 구리 합금이 바람직하다. 또한, 제1 배선 및/또는 제2 배선의 표층에는, 도전성 접착 부재의 젖음성 및/또는 광반사성 등의 관점에서, 은, 백금, 알루미늄, 로듐, 금 또는 이들의 합금 등의 층이 설치되어 있어도 좋다.
(비어(15))
비어(15)는 기재(11)의 상면과 하면을 관통하는 구멍 내에 설치되어, 제1 배선과 상기 제2 배선을 전기적으로 접속하는 부재이다. 비어(15)는 기재의 관통 구멍의 표면을 피복하는 제3 배선(151)과, 제3 배선(151) 내에 충전된 충전 부재(152)에 의해 구성된다. 제3 배선(151)에는, 제1 배선 및 제2 배선과 마찬가지의 도전성 부재를 이용할 수 있다. 충전 부재(152)에는, 도전성의 부재를 이용해도 좋고, 절연성의 부재를 이용해도 좋다.
(절연막(18))
절연막(18)은, 하면에 있어서의 절연성의 확보 및 단락의 방지를 도모하는 부재이다. 절연막은, 당해 분야에서 사용되는 것 중 어느 것으로 형성되어 있어도 좋다. 예를 들어, 열경화성 수지 또는 열가소성 수지 등을 들 수 있다.
(발광 소자(20))
발광 소자(20)는, 전압을 인가함으로써 스스로 발광하는 반도체 소자로서, 질화물 반도체 등으로 구성되는 기존의 반도체 소자를 적용할 수 있다. 발광 소자(20)로서는, 예를 들어 LED 칩을 들 수 있다. 발광 소자(20)는, 적어도 반도체 적층체(23)를 구비하고, 많은 경우에 소자 기판(24)을 더 구비한다. 발광 소자의 상면에서 보았을 때의 형상은, 직사각형, 특히 정방형 또는 일 방향으로 긴 장방형인 것이 바람직하지만, 그 외의 형상이어도 좋고, 예를 들어 육각 형상이면 발광 효율을 높일 수도 있다. 발광 소자의 측면은, 상면에 대해, 수직이어도 좋고, 내측 또는 외측으로 경사져 있어도 좋다. 또한, 발광 소자는, 정부 전극을 갖는다. 정부 전극은, 금, 은, 주석, 백금, 로듐, 티탄, 알루미늄, 텅스텐, 팔라듐, 니켈 또는 이들의 합금으로 구성할 수 있다. 발광 소자의 발광 피크 파장은, 반도체 재료나 그 혼정비에 따라, 자외역으로부터 적외역까지 선택할 수 있다. 반도체 재료로서는, 파장 변환 물질을 효율 좋게 여기할 수 있는 단파장의 광을 발광 가능한 재료인, 질화물 반도체를 이용하는 것이 바람직하다. 질화물 반도체는, 주로 일반식 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x, 0≤y, x＋y≤1)로 나타내진다. 발광 소자의 발광 피크 파장은, 발광 효율, 및 파장 변환 물질의 여기 및 그 발광과의 혼색 관계 등의 관점으로부터, 400㎚ 이상 530㎚ 이하가 바람직하고, 420㎚ 이상 490㎚ 이하가 보다 바람직하고, 450㎚ 이상 475㎚ 이하가 보다 더 바람직하다. 이 외, InAlGaAs계 반도체, InAlGaP계 반도체, 황화아연, 셀렌화아연, 탄화규소 등을 이용할 수도 있다. 발광 소자의 소자 기판은, 주로 반도체 적층체를 구성하는 반도체의 결정을 성장 가능한 결정 성장용 기판이지만, 결정 성장용 기판으로부터 분리한 반도체 소자 구조에 접합시키는 접합용 기판이어도 좋다. 소자 기판이 투광성을 가짐으로써, 플립 칩 실장을 채용하기 쉽고, 또한 광 취출 효율을 높이기 쉽다. 소자 기판의 모재로서는, 사파이어, 질화갈륨, 질화알루미늄, 실리콘, 탄화규소, 갈륨비소, 갈륨인, 인듐인, 황화아연, 산화아연, 셀렌화아연, 다이아몬드 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 사파이어가 바람직하다. 소자 기판의 두께는, 적절히 선택할 수 있으며, 예를 들어 0.02㎜ 이상 1㎜ 이하이며, 소자 기판의 강도 및/또는 발광 장치의 두께의 관점에서, 0.05㎜ 이상 0.3㎜ 이하인 것이 바람직하다.
(투광성 부재(30))
투광성 부재는 발광 소자 상에 설치되어, 발광 소자를 보호하는 부재이다. 투광성 부재는, 적어도 이하와 같은 모재로 구성된다. 또한, 투광성 부재는, 이하와 같은 파장 변환 물질(32)을 모재 중에 함유함으로써, 파장 변환 물질로서 기능시킬 수 있다. 투광성 부재가, 파장 변환 물질을 함유하는 층과, 파장 변환 물질을 실질적으로 함유하지 않는 층을 구비하고 있는 경우도, 각 층의 모재가 이하와 같이 구성된다. 또한, 각 층의 모재는 같아도 좋고 다르게 되어 있어도 좋다. 단, 투광성 부재가 파장 변환 물질을 가지는 것은 필수는 아니다. 또한, 투광성 부재는, 파장 변환 물질과, 예를 들어 알루미나 등의 무기물과의 소결체, 또는 파장 변환 물질의 판상 결정 등을 이용할 수도 있다.
(투광성 부재의 모재(31))
투광성 부재의 모재(31)는, 발광 소자로부터 발하여지는 광에 대해 투광성을 가지는 것이면 좋다. 또한, 「투광성」이란, 발광 소자의 발광 피크 파장에 있어서의 광투과율이, 바람직하게는 60% 이상인 것, 보다 바람직하게는 70% 이상인 것, 보다 더 바람직하게는 80% 이상인 것을 말한다. 투광성 부재의 모재는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지를 이용할 수 있다. 글라스여도 좋다. 그 중에서도, 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성이 우수하여 바람직하다. 구체적인 실리콘 수지로서는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지를 들 수 있다. 투광성 부재는, 이들 모재 중 1종을 단층으로, 또는 이들 모재 중 2종 이상을 적층하여 구성할 수 있다. 또한, 본 명세서에서의 「변성 수지」는, 하이브리드 수지를 포함하는 것으로 한다.
투광성 부재의 모재는, 상기 수지 또는 글라스 중에 각종의 필러를 함유하여도 좋다. 이 필러로서는, 산화규소, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화아연 등을 들 수 있다. 필러는, 이들 중 1종을 단독으로, 또는 이들 중 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 특히, 열팽창 계수가 작은 산화규소가 바람직하다. 또한, 필러로서, 나노 입자를 이용함으로써, 발광 소자가 발하는 광의 산란을 증대시켜, 파장 변환 물질의 사용량을 저감할 수도 있다. 또한, 나노 입자란, 입경이 1㎚ 이상 100㎚ 이하의 입자로 한다. 또한, 본 명세서에 있어서의 「입경」은, 예를 들어, D50으로 정의된다.
(파장 변환 물질(32))
파장 변환 물질은, 발광 소자가 발하는 1차광 중 적어도 일부를 흡수하여, 1차광과는 다른 파장의 2차광을 발한다. 파장 변환 물질은, 이하에 나타내는 구체예 중 1종을 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.
녹색 발광하는 파장 변환 물질로서는, 이트륨·알루미늄·가넷계 형광체(예를 들어 Y3(Al, Ga)5O12：Ce), 루테튬·알루미늄·가넷계 형광체(예를 들어, Lu3(Al, Ga)5O12：Ce), 테르븀·알루미늄·가넷계 형광체(예를 들어, Tb3(Al, Ga)5O12：Ce)계 형광체, 실리케이트계 형광체(예를 들어, (Ba, Sr)2SiO4：Eu), 클로로 실리케이트계 형광체(예를 들어, Ca8Mg(SiO4)4Cl2：Eu), β사이알론계 형광체(예를 들어, Si6 -zAlzOzN8-z：Eu(0＜z＜4.2)), SGS계 형광체(예를 들어, SrGa2S4：Eu) 등을 들 수 있다. 황색 발광의 파장 변환 물질로서는, α사이알론계 형광체(예를 들어, Mz(Si, Al)12(O, N)16(단, 0＜z≤2이며, M은 Li, Mg, Ca, Y 및 La 와 Ce를 제외한 란탄족 원소) 등을 들 수 있다. 이 외, 상기 녹색 발광하는 파장 변환 물질 중에는 황색 발광의 파장 변환 물질도 있다. 또한 예를 들어, 이트륨·알루미늄·가넷계 형광체는, Y의 일부를 Gd로 치환함으로써 발광 피크 파장을 장파장 측으로 쉬프트 시킬 수 있어서, 황색 발광이 가능하다. 또한, 이들 중에는, 등색 발광이 가능한 파장 변환 물질도 있다. 적색 발광하는 파장 변환 물질로서는, 질소 함유 알루미노 규산 칼슘(CASN 또는 SCASN)계 형광체(예를 들어(Sr, Ca)AlSiN3：Eu) 등을 들 수 있다. 이 외, 망간 활성 불화물계 형광체(일반식(I) A2[M1- aMnaF6］로 나타내지는 형광체(단, 상기 일반식(I) 중, A는, K, Li, Na, Rb, Cs 및 NH4로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종이며, M은, 제4족 원소 및 제14족 원소로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 원소이며, a는 0<a<0.2를 만족한다))를 들 수 있다. 이 망간 활성 불화물계 형광체의 대표예로서는, 망간 활성 불화 규산 칼륨의 형광체(예를 들어 K2SiF6：Mn)가 있다.
(피복 부재(40))
광반사성의 피복 부재는, 상방으로의 광취출 효율의 관점으로부터, 발광 소자의 발광 피크 파장에 있어서의 광반사율이, 70% 이상인 것이 바람직하고, 80% 이상인 것이 보다 바람직하고, 90% 이상인 것이 보다 더 바람직하다. 또한 피복 부재는, 백색인 것이 바람직하다. 따라서, 피복 부재는, 모재 중에 백색 안료를 함유하여 이루어지는 것이 바람직하다. 피복 부재는, 경화 전에는 액상 상태를 거친다. 피복 부재는, 트랜스퍼 성형, 사출 성형, 압축 성형, 포팅(potting) 등에 의해 형성할 수 있다.
(피복 부재의 모재)
피복 부재의 모재는, 수지를 이용할 수 있으며, 예를 들어 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성이 우수하여 바람직하다. 구체적인 실리콘 수지로서는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지를 들 수 있다. 또한, 피복 부재의 모재는, 상술한 투광성 부재와 같은 필러를 함유해도 좋다.
(백색 안료)
백색 안료는, 산화티탄, 산화아연, 산화마그네슘, 탄산마그네슘, 수산화마그네슘, 탄산칼슘, 수산화칼슘, 규산칼슘, 규산마그네슘, 티탄산바륨, 황산바륨, 수산화알루미늄, 산화알루미늄, 산화지르코늄, 산화규소 중 1종을 단독으로, 또는 이들 중 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 백색 안료의 형상은, 적절히 선택할 수 있으며 부정형 또는 파쇄상이어도 좋지만, 유동성의 관점에서는 구 형상이 바람직하다. 또한, 백색 안료의 입경은, 예를 들어 0.1㎛ 이상 0.5㎛ 이하 정도를 들 수 있지만, 광반사나 피복의 효과를 높이기 위해서는 작을수록 바람직하다. 광반사성의 피복 부재 중의 백색 안료의 함유량은, 적절히 선택할 수 있지만, 광반사성 및 액상일 때에 있어서의 점도 등의 관점으로부터, 예를 들어 10wt% 이상 80wt% 이하가 바람직하고, 20wt% 이상 70wt% 이하가 보다 바람직하고, 30wt% 이상 60wt% 이하가 보다 더 바람직하다. 또한, 「wt%」는, 중량 퍼센트로서, 광반사성의 피복 부재의 전 중량에 대한 해당 재료의 중량의 비율을 나타낸다.
(도광 부재(50))
도광 부재는, 발광 소자와 투광성 부재를 접착하고, 발광 소자로부터의 광을 투광성 부재로 도광하는 부재이다. 도광 부재의 모재는, 실리콘 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 폴리카보네이트 수지, 아크릴 수지, 또는 이들의 변성 수지를 들 수 있다. 그 중에서도, 실리콘 수지 및 변성 실리콘 수지는, 내열성 및 내광성이 우수하여 바람직하다. 구체적인 실리콘 수지로서는, 디메틸 실리콘 수지, 페닐-메틸 실리콘 수지, 디페닐 실리콘 수지를 들 수 있다. 또한, 도광 부재의 모재는, 상술한 투광성 부재와 같은 필러를 함유해도 좋다. 또한, 도광 부재는, 생략할 수 있다.
(도전성 접착 부재(60))
도전성 접착 부재란, 발광 소자의 전극과 제1 배선을 전기적으로 접속하는 부재이다. 도전성 접착 부재로서는, 금, 은, 동 등의 범프, 은, 금, 동, 백금, 알루미늄, 팔라듐 등의 금속 분말과 수지 바인더를 포함한 금속 페이스트, 주석-비스무트계, 주석-구리계, 주석-은계, 금-주석계 등의 땜납, 저융점 금속 등의 경납 중 어느 하나를 이용할 수 있다.
본 발명의 일 실시형태에 관한 발광 장치는, 액정 디스플레이의 백라이트 장치, 각종 조명기구, 대형 디스플레이, 광고나 행선지 안내 등의 각종 표시 장치, 프로젝터 장치, 나아가서는, 디지털 비디오 카메라, 팩시밀리, 복사기, 스캐너 등에 있어서의 화상 판독 장치 등에 이용할 수 있다.
1000, 2000, 3000, 4000: 발광 장치
10: 기판
11: 기재
12: 제1 배선
13: 제2 배선
15: 비어
151: 제3 배선
152: 충전 부재
18: 절연막
20: 발광 소자
30: 투광성 부재
40: 피복 부재
50: 도광 부재
60: 도전성 접착 부재

Claims (18)

  1. 대략 장방형의 상면과, 상기 상면의 반대 측에 위치하는 하면과, 상기 상면의 장변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 장측면과, 상기 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면과, 상기 상면의 단변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 단측면과, 상기 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면을 갖는 기재와, 상기 상면에 배치되는 제1 배선과, 상기 하면에 배치되고, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되는 제2 배선을 구비하는 기판과,
    상기 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 배선 상에 재치되는 적어도 하나의 발광 소자와,
    상기 발광 소자의 측면 및 상기 기재의 상면을 피복하는 광반사성의 피복 부재
    를 구비하는 발광 장치로서,
    상기 기재는, 상기 상면 및 상기 제1 장측면으로 개구하는 적어도 하나의 제1 오목부를 구비하고,
    상기 제1 오목부의 표면이 상기 피복 부재에 피복되는, 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 오목부가 상기 제2 장측면으로 개구하는, 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 오목부가 상기 하면으로 개구하는, 발광 장치.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상면에서 보았을 때 상기 제1 오목부가 상기 발광 소자로부터 이간하는, 발광 장치.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 오목부는 복수이며, 상면에서 보았을 때, 복수의 상기 제1 오목부 사이에 상기 발광 소자가 위치하는, 발광 장치.
  6. 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 오목부가 상기 상면의 단변과 대략 평행 방향으로 연신하는, 발광 장치.
  7. 대략 장방형의 상면과, 상기 상면의 반대 측에 위치하는 하면과, 상기 상면의 장변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 장측면과, 상기 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면과, 상기 상면의 단변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 단측면과, 상기 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면을 가지는 기재와, 상기 상면에 배치되는 제1 배선과, 상기 하면에 배치되고, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되는 제2 배선을 구비하는 기판과,
    상기 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 배선 상에 재치되는 적어도 하나의 발광 소자와,
    상기 발광 소자의 측면 및 상기 기재의 상면을 피복하는 광반사성의 피복 부재를 구비하는 발광 장치로서,
    상기 기재는, 상기 상면 및 상기 제1 단측면으로 개구하는 상기 제2 오목부를 구비하고,
    상기 제2 오목부의 표면이 상기 피복 부재에 피복되는, 발광 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제2 오목부가 상기 하면으로 개구하는, 발광 장치.
  9. 제7항 또는 제8항에 있어서,
    상면에서 보았을 때, 상기 제2 오목부가 상기 발광 소자로부터 이간하는, 발광 장치.
  10. 제7항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 오목부가 상기 상면의 장변과 대략 평행 방향으로 연신하는, 발광 장치.
  11. 대략 장방형의 상면과, 상기 상면의 반대 측에 위치하는 하면과, 상기 상면과 상기 하면 사이에 위치하는 측면을 갖는 기재와, 상기 상면에 배치되는 제1 배선과, 상기 하면에 배치되고, 상기 제1 배선과 전기적으로 접속되는 제2 배선을 구비하는 기판과,
    상기 제1 배선과 전기적으로 접속되고, 상기 제1 배선 상에 재치되는 적어도 하나의 발광 소자와,
    상기 발광 소자의 측면 및 상기 기재의 상면을 피복하는 광반사성의 피복 부재를 구비하는 발광 장치로서,
    상기 측면은, 상기 상면의 장변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 장측면과, 상기 제1 장측면의 반대 측에 위치하는 제2 장측면과, 상기 상면의 단변과 인접하고, 상기 상면과 직교하는 제1 단측면과, 상기 제1 단측면의 반대 측에 위치하는 제2 단측면을 갖고,
    상기 기재는, 상기 측면으로부터 이간하고, 상기 상면으로부터 상기 하면에 이르는 복수의 관통 구멍을 구비하고,
    상기 복수의 관통 구멍의 표면이 상기 피복 부재에 피복되는, 발광 장치.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 하면에 제3 오목부를 구비하고, 상면에서 보았을 때 상기 복수의 관통 구멍 중 적어도 하나와 상기 제3 오목부가 겹치고, 상기 제3 오목부의 표면이 상기 피복 부재에 피복되는, 발광 장치.
  13. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피복 부재의 선팽창율이 상기 기재의 선팽창율보다 높은, 발광 장치.
  14. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광 소자 상에 투광성 부재가 위치하는, 발광 장치.
  15. 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피복 부재가, 상기 투광성 부재의 측면을 피복하는, 발광 장치.
  16. 제1항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제1 배선이 볼록부를 구비하는, 발광 장치.
  17. 제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 배선이 볼록부를 구비하는, 발광 장치.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 피복 부재가 상기 발광 소자와 접하고, 상기 발광 소자와 상기 기판 사이에 위치하는, 발광 장치.
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