CN109216527B - 发光装置 - Google Patents

发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN109216527B
CN109216527B CN201810728832.3A CN201810728832A CN109216527B CN 109216527 B CN109216527 B CN 109216527B CN 201810728832 A CN201810728832 A CN 201810728832A CN 109216527 B CN109216527 B CN 109216527B
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
wiring
emitting device
substrate
base material
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201810728832.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN109216527A (zh
Inventor
中林拓也
池田忠昭
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nichia Corp
Original Assignee
Nichia Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2018099124A external-priority patent/JP7189413B2/ja
Application filed by Nichia Corp filed Critical Nichia Corp
Publication of CN109216527A publication Critical patent/CN109216527A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN109216527B publication Critical patent/CN109216527B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483Containers
    • H01L33/486Containers adapted for surface mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/501Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502Wavelength conversion materials
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58Optical field-shaping elements
    • H01L33/60Reflective elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50Wavelength conversion elements
    • H01L33/507Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光装置,具有:基板,其具有基材、第一布线和第二布线,基材具有大致长方形的上表面、位于上表面的相反侧的下表面、与上表面的长边邻接且与上表面正交的第一长侧面、位于第一长侧面的相反侧的第二长侧面、与上表面的短边邻接且与上表面正交的第一短侧面和位于第一短侧面的相反侧的第二短侧面,第一布线配置于上表面,第二布线配置于下表面且与第一布线电连接;至少一个发光元件,其与第一布线电连接且载置于第一布线上;反光性的覆盖部件,其覆盖发光元件的侧面及基材的上表面;基材具有在上表面及第一长侧面开口的至少一个第一凹部,第一凹部的表面被覆盖部件覆盖。由此,能够提高基板与覆盖部件的接合强度。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及一种发光装置。
背景技术
例如,专利文献1中记载了一种具有基板、搭载在基板上的LED芯片、LED芯片的上方的荧光体层和包围LED芯片的隔壁部件(覆盖部件)的发光装置。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2014-072213号公报
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的目的在于,提供一种能够提高基板与覆盖部件的接合强度的发光装置。
用于解决技术问题的手段
本发明一方式的发光装置具有:基板,其具有基材、第一布线和第二布线,所述基材具有大致长方形的上表面、位于所述上表面的相反侧的下表面、与所述上表面的长边邻接且与所述上表面正交的第一长侧面、位于所述第一长侧面的相反侧的第二长侧面、与所述上表面的短边邻接且与所述上表面正交的第一短侧面和位于所述第一短侧面的相反侧的第二短侧面,所述第一布线配置于所述上表面,所述第二布线配置于所述下表面,且与所述第一布线电连接;至少一个发光元件,其与所述第一布线电连接,并载置在所述第一布线上;反光性的覆盖部件,其覆盖所述发光元件的侧面及所述基材的上表面;其中,所述基材具有在所述上表面及所述第一长侧面开口的至少一个第一凹部,所述凹部的表面被所述覆盖部件覆盖。
另外,本发明一方式的发光装置具有:基板,其具有基材、第一布线和第二布线,所述基材具有大致长方形的上表面、位于所述上表面的相反侧的下表面、与所述上表面的长边邻接且与所述上表面正交的第一长侧面、位于所述第一长侧面的相反侧的第二长侧面、与所述上表面的短边邻接且与所述上表面正交的第一短侧面和位于所述第一短侧面的相反侧的第二短侧面,所述第一布线配置于所述上表面,所述第二布线配置于所述下表面,且与所述第一布线电连接;至少一个发光元件,其与所述第一布线电连接,并载置于所述第一布线上;反光性的覆盖部件,其覆盖所述发光元件的侧面及所述基材的上表面;其中,所述基材具有在所述上表面及所述第一短侧面开口的第二凹部,所述第二凹部的表面被所述覆盖部件覆盖。
另外,本发明一方式的发光装置具有:基板,其具有基材、第一布线和第二布线,所述基材具有大致长方形的上表面、位于所述上表面的相反侧的下表面和位于所述上表面与所述下表面之间的侧面,所述第一布线配置于所述上表面,所述第二布线配置于所述下表面且与所述第一布线电连接;至少一个发光元件,其与所述第一布线电连接并载置在所述第一布线上;反光性的覆盖部件,其覆盖所述发光元件的侧面及所述基材的上表面;其中,所述侧面具有与所述上表面的长边邻接且与所述上表面正交的第一长侧面、位于所述第一长侧面的相反侧的第二长侧面、与所述上表面的短边邻接且与所述上表面正交的第一短侧面和位于所述第一短侧面的相反侧的第二短侧面,所述基材具有多个贯通孔,所述多个贯通孔与所述侧面分离且从所述上表面到达所述下表面,所述多个贯通孔的表面被所述覆盖部件覆盖。
发明的效果
根据本发明的发光装置,可提供一种能够提高基板与覆盖部件的接合强度的发光装置。
附图说明
图1是实施方式1的发光装置的俯视示意图。
图2是图1的2A-2A线处的端面示意图。
图3是从第一长侧面观察的实施方式1的发光装置的侧视示意图。
图4A是实施方式1的发光装置的仰视示意图。
图4B是实施方式1的发光装置的变形例的仰视示意图。
图4C是实施方式1的发光装置的变形例的仰视示意图。
图4D是实施方式1的发光装置的变形例的仰视示意图。
图4E是实施方式1的发光装置的变形例的仰视示意图。
图4F是实施方式1的发光装置的变形例的仰视示意图。
图5是从第二短侧面观察的实施方式1的发光装置的侧视示意图。
图6是实施方式1的基板的俯视示意图。
图7是实施方式1的基板的变形例的俯视示意图。
图8A是实施方式1的发光装置的变形例的端面示意图。
图8B是实施方式1的基板的变形例的俯视示意图。
图8C是从第一长侧面观察的实施方式1的发光装置的变形例的侧视示意图。
图9A是实施方式1的发光装置的变形例的端面示意图。
图9B是实施方式1的基板的变形例的俯视示意图。
图10A是实施方式1的发光装置的变形例的端面示意图。
图10B是实施方式1的基板的变形例的俯视示意图。
图10C是从第一长侧面观察的实施方式1的发光装置的变形例的侧视示意图。
图10D是实施方式1的基板及发光元件的变形例的俯视示意图。
图10E是实施方式1的基板的变形例的俯视示意图。
图10F是从第一长侧面观察的实施方式1的发光装置的变形例的侧视示意图。
图11A是实施方式1的基板的变形例的俯视示意图。
图11B是从第一长侧面观察的实施方式1的发光装置的变形例的侧视示意图。
图11C是从第二短侧面观察的实施方式1的发光装置的变形例的侧视示意图。
图11D是实施方式1的基板的变形例的俯视示意图。
图11E是从第一长侧面观察的实施方式1的发光装置的变形例的侧视示意图。
图12A是实施方式1的发光装置的变形例的端面示意图。
图12B是实施方式1的基板的变形例的俯视示意图。
图12C是从第一短侧面观察的实施方式1的发光装置的变形例的侧视示意图。
图12D是从第二短侧面观察的实施方式1的发光装置的变形例的侧视示意图。
图13A是实施方式1的发光装置的变形例的端面示意图。
图13B是实施方式1的基板及发光元件的变形例的俯视示意图。
图14是实施方式2的发光装置的俯视示意图。
图15是图14的12A-12A线处的端面示意图。
图16是实施方式2的基板的俯视示意图。
图17A是从第一长侧面观察的实施方式2的发光装置的变形例的侧视示意图。
图17B是实施方式2的基板的变形例的俯视示意图。
图18A是从第一长侧面观察的实施方式2的发光装置的变形例的侧视示意图。
图18B是实施方式2的基板的变形例的俯视示意图。
图19是实施方式2的基板及发光元件的俯视示意图。
图20是实施方式3的发光装置的俯视示意图。
图21是图20的18A-18A线处的端面示意图。
图22是实施方式3的基板的俯视示意图。
图23是实施方式3的基板及发光元件的俯视示意图。
图24是实施方式4的发光装置的俯视示意图。
图25是图24的22A-22A线处的端面示意图。
图26是实施方式4的发光装置的仰视示意图。
图27是实施方式4的基板的俯视示意图。
图28是实施方式4的基板及发光元件的俯视示意图。
图29是实施方式5的发光装置的俯视示意图。
图30是图29的31A-31A线处的端面示意图。
图31是从第一长侧面观察的实施方式5的发光装置的侧视示意图。
图32是从第二短侧面观察的实施方式5的发光装置的侧视示意图。
图33是实施方式5的基板的俯视示意图。
图34A是实施方式5的基板的变形例的俯视示意图。
图34B是从第一长侧面观察的实施方式5的发光装置的变形例的侧视示意图。
附图标记说明
1000、2000、3000、4000 发光装置
10 基板
11 基材
12 第一布线
13 第二布线
15 导通件
151 第三布线
152 填充部件
18 绝缘膜
20 发光元件
30 透光性部件
40 覆盖部件
50 导光部件
60 导光性粘接部件
具体实施方式
以下,参照附图适当地对发明的实施方式进行说明。不过,以下说明的发光装置是用于将本发明的技术思想具体化的发光装置,只要没有特别的记载,就不将本发明限定为以下内容。另外,附图表示的部件的大小和位置关系等有时为了使说明更为明确而进行了夸张。
<实施方式1>
基于图1至图13B说明本发明的实施方式的发光装置1000。发光装置1000具有基板10、至少一个发光元件20和覆盖部件40。基板10具有基材11、第一布线12和第二布线13。基材11具有大致长方形的上表面111、位于上表面的相反侧的下表面112、与上表面111的长边101邻接且与上表面111正交的第一长侧面113、位于第一长侧面的相反侧的第二长侧面114、与上表面111的短边102邻接且与上表面正交的第一短侧面115和位于第一短侧面的相反侧的第二短侧面116。基材11还具有在上表面111及第一长侧面113开口的至少一个第一凹部111R。第一布线12配置在基材11的上表面111。第二布线13配置在基材11的下表面112且与第一布线12电连接。至少一个发光元件与第一布线电连接并载置在第一布线上。覆盖部件40具有反光性,覆盖发光元件20的侧面202及基材的上表面111。另外,覆盖部件40覆盖第一凹部111R的表面。在本说明书中,正交是指90±5°。
通过使覆盖部件覆盖第一凹部的表面,能够增加基材与覆盖部件的接触面积。由此,能够提高基材与覆盖部件的接合强度。另外,通过使第一凹部在第一长侧面113开口,特别是在第一长侧面113侧提高了基板与覆盖部件的接合强度。由此,第一长侧面113侧的基板与覆盖部件的接合强度提高,因此即使从第一长侧面113侧向覆盖部件施加外力,也能够抑制基材与覆盖部件剥离。第一凹部可以在下表面开口,也可以与下表面分离。另外,第一凹部的剖面形状没有特别限定,例如可列举大致矩形和大致V形等。
第一凹部可以是一个,进一步地,第一凹部优选有多个。通过使第一凹部有多个,能够进一步增加基材与覆盖部件的接触面积,因此提高了基材与覆盖部件的接合强度。另外,在有多个第一凹部的情况下,优选的是,在俯视观察时,发光元件位于多个第一凹部之间。通过这样设置,容易在基材的上表面的大范围内提高基材与覆盖部件的接合强度。
覆盖部件的线膨胀率优选高于基材的线膨胀率。通过这样设置,因为覆盖第一凹部的覆盖部件的线膨胀率大于基材的线膨胀率,所以在驱动发光装置时,即使产生热量,也能够抑制覆盖部件从第一凹部剥离。另外,通过使覆盖部件的线膨胀率高于基材的线膨胀率,能够抑制覆盖部件从后述的第二凹部、第三凹部和/或贯通孔剥离。
如图2所示,覆盖部件40优选与发光元件20相接,且位于发光元件20与基板10之间。通过这样设置,因为覆盖部件40夹在发光元件与基板之间,所以能够抑制基材和覆盖部件剥离。
如图2所示,发光元件20至少包含半导体层积体23,在半导体层积体23设置有正负电极21、22。正负电极21、22优选形成在发光元件20的相同侧的面,发光元件20优选以倒装芯片方式安装于基板10。由此,不需要向发光元件的正负电极供给电力的电线,所以能够使发光装置小型化。在本实施方式中,发光元件20具有元件基板24,但也可以除去元件基板24。在发光元件20以倒装芯片方式安装于基板10的情况下,发光元件的正负电极21、22经由导光性粘接部件60与第一布线12连接。
发光装置1000也可以具有透光性部件30。透光性部件30优选位于发光元件20上。通过使透光性部件位于发光元件上,能够保护发光元件20不受外部应力影响。覆盖部件40优选覆盖透光性部件30的侧面。通过这样设置,发光区域与非发光区域的对比度高,能够获得“区分性”良好的发光装置。
发光元件20具有与基板10对置的载置面203和位于载置面的相反侧的光输出面201。如图2所示,在以倒装芯片方式安装发光元件的情况下,将发光元件的正负电极21、22所在的面设为载置面203,将相反侧的面设为光输出面201。透光性部件30也可以经由导光部件50与发光元件20接合。导光部件50既可以仅位于发光元件的光输出面201与透光性部件30之间并将发光元件20和覆盖部件40粘接,也可以从发光元件的光输出面201覆盖至发光元件的侧面202并将发光元件20和覆盖部件40粘接。来自发光元件20的光在导光部件50中的透射率高于来自发光元件20的光在覆盖部件40中的透射率。因此,通过使导光部件50覆盖至发光元件的侧面202,从发光元件20的侧面出射的光容易通过导光部件50向发光装置的外侧输出,因此能够提高光输出效率。
透光性部件30也可以含有波长转换物质32。波长转换物质32是吸收发光元件20所发出的一次光的至少一部分并发出与一次光不同波长的二次光的部件。通过使透光性部件30含有波长转换物质32,能够输出使发光元件20所发出的一次光与波长转换物质32所发出的二次光进行混色而得的混色光。例如,如果发光元件20使用蓝色LED并且波长转换物质32使用YAG等荧光体,则能够构成输出使蓝色LED的蓝色光与由该蓝色光激发而由荧光体发出的黄色光混合而得的白色光的发光装置。
波长转换物质32既可以均匀地分散在透光性部件30的母材31中,也可以使波长转换物质相比于透光性部件的上表面更多地分布在发光元件的附近。因为透光性部件30的母材31还作为保护层而发挥作用,所以通过使波长转换物质相比于透光性部件的上表面更多地分布在发光元件的附近,即使使用了不耐水的波长转换物质32,也能够抑制波长转换物质32劣化。另外,如图2所示,透光性部件30也可以具有含有波长转换物质32的层和实质上不含有波长转换物质的层33。因为实质上不含有波长转换物质的层33还作为保护层而发挥作用,所以通过使透光性部件30的实质上不含有波长转换物质的层33位于含有波长转换物质32的层上,能够抑制波长转换物质32劣化。所谓“实质上不含有波长转换物质”,表示不排除不可避免地混入的波长转换物质的情况,优选波长转换物质的含有率为0.05重量%以下。作为不耐水的波长转换物质32,例如可列举锰激活氟化物荧光体。锰激活氟化物系荧光体的发光光谱中的半值宽度比较窄。因此,通过使用锰激活氟化物系荧光体,例如能够提高液晶显示器的色彩再现性。
如图2所示,基材11也可以具有导通件15。导通件15设置在从基材11的上表面111贯通到下表面112的孔内,将第一布线与第二布线电连接。导通件15具有覆盖基材的贯通孔的表面的第三布线151和填充到第三布线151内的填充部件152。填充部件152可以为导电性或也可以为绝缘性。填充部件152优选使用树脂材料。通常,固化前的树脂材料的流动性比固化前的金属材料的流动性高,所以即使在第三布线151内狭窄的情况下,也容易填充。因此,通过使填充部件使用树脂材料,容易制造基板。作为容易填充的树脂材料,例如可列举环氧树脂。在使用树脂材料作为填充部件的情况下,为了降低线膨胀系数,优选含有添加部件。通过这样设置,与第三布线的线膨胀系数之差变小,所以能够抑制因来自发光元件的热量而在第三布线与填充部件之间产生间隙。作为添加部件,例如可列举氧化硅。另外,在填充部件152使用金属材料的情况下,能够提高散热性。
第一布线12优选在与发光元件连接的部位具有向Z+方向突出的第一凸部121。Z轴上的Z+方向被设为从下向上的方向,Z+方向的相反方向被设为Z-方向。第一凸部121在Z方向上位于基材的上表面111的上侧。通过使第一布线具有第一凸部,第一凸部的周围下降一级,所以例如在通过熔融性部件将发光元件的正负电极与第一布线的第一凸部接合的情况下,即使熔融状态的熔融性部件从第一凸部上流出,熔融状态的熔融性部件也容易积存于第一凸部的周围。由此,能够防止熔融性部件浸入计划以外的区域,所以能够抑制发光元件短路等。另外,俯视下的第一凸部的外形的至少一部分优选是与发光元件的电极的外形一致的形状。通过这样设置,在通过熔融性部件将发光元件的正负电极与第一布线的第一凸部接合时,能够产生自对位效果,从而抑制发光元件与第一布线之间错位。
第二布线13优选在与安装基板连接的部位具有向Z-方向突出的第二凸部131。安装基板是指载置发光装置的基板。第二凸部131在Z方向上位于基材的下表面112的下侧。通过使第二布线具有第二凸部,第二凸部的周围上升一级,所以例如在通过熔融性部件将第二布线的第二凸部与安装基板的电极接合的情况下,即使熔融状态的熔融性部件从第二凸部流出,熔融状态的熔融性部件也容易积存于第二凸部的周围。由此,能够防止熔融性部件浸入计划以外的区域,所以能够抑制发光装置短路等。另外,仰视下的第二凸部的外形的至少一部分优选是与安装基板的电极的外形一致的形状。通过这样设置,在通过熔融性部件将第二凸部与安装基板的电极接合时,能够产生自对位效果,从而抑制发光装置与安装基板之间错位。
在俯视下,第一凸部121和/或第二凸部131优选与导通件15重叠。在使用绝缘性的部件作为导通件15的填充部件152的情况下,形成对从基材露出的填充部件进行覆盖的导电性部件。通过使第一凸部121和/或第二凸部131与导通件重叠,能够利用导电性的第一凸部121和/或第二凸部131覆盖绝缘性的填充部件。由此,与覆盖填充部件的导电性部件与第一凸部121和/或第二凸部131分别形成的情况相比,能够使发光装置薄型化。
如图3所示,与基材的第一短侧面115及第二短侧面116邻接的覆盖部件40的侧面404优选处于与基板10的第一短侧面115及第二短侧面116实质相同的平面上。通过这样设置,能够缩短X方向的宽度,所以能够使发光装置小型化。
如图4A所示,发光装置1000也可以具有覆盖第二布线13的一部分的绝缘膜18。通过具有绝缘膜18,能够在下表面确保绝缘性并且防止短路。另外,能够防止第二布线从基材剥离。
如图4B所示,覆盖第二布线13的一部分的绝缘膜18也可以具有沿X方向凹陷的绝缘膜凹部181。通过使绝缘膜18具有绝缘膜凹部181,容易使绝缘膜18的形状相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称。通过使绝缘膜18的形状相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称,能够通过确认绝缘膜凹部181的位置来识别发光装置的极性。此外,也能够通过从绝缘膜18露出的第二布线13的形状的不同来识别发光装置的极性。图4B所示的绝缘膜凹部181位于基板的Y方向上的大致中央,但如图4C所示,绝缘膜凹部181也可以位于基板的Y方向上的端部。
如图4D所示,覆盖第二布线13的一部分的绝缘膜18也可以具有沿X方向延伸的绝缘膜凸部182。通过使绝缘膜18具有绝缘膜凸部182,容易使绝缘膜18的形状相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称。通过使绝缘膜18的形状相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称,能够通过确认绝缘膜凸部182的位置来识别发光装置的极性。
如图4E所示,第二布线13也可以具有沿X方向凹陷的布线凹部132。通过使第二布线13具有布线凹部132,容易使从绝缘膜18露出的第二布线13的形状相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称。通过使从绝缘膜18露出的第二布线13的形状相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称,能够通过确认布线凹部132的位置来识别发光装置的极性。图4E所示的布线凹部132位于基板的Y方向上的大致中央,但如图4F所示,布线凹部132也可以位于基板的Y方向上的端部。
如图5所示,与基材的第一长侧面及第二长侧面邻接的覆盖部件40的侧面403优选在Z方向上向发光装置1000的内侧倾斜。通过这样设置,能够抑制覆盖部件40的侧面403与吸嘴(夹头)接触,抑制吸附发光装置1000时覆盖部件40损伤。覆盖部件40的倾斜角度θ可以适当选择,但从起到这种效果的难易度及覆盖部件40的强度的角度来看,优选为0.3°以上3°以下,更优选为0.5°以上2°以下,进一步优选为0.7°以上1.5°以下。
如图6所示,第一凹部111R优选沿与上表面111的短边102大致平行的方向延伸。通过这样设置,容易形成第一凹部。能够利用公知的方法来形成第一凹部,例如可以列举利用激光或刀片进行的半切割或蚀刻。如后所述,在第一凹部111R在下表面112开口的情况下,也可以列举切割。例如,在利用激光和/或刀片等向多个基板位于矩阵上的集合基板形成第一凹部的情况下,通过使第一凹部沿与上表面的短边大致平行的方向延伸,通过使激光和/或刀片沿一个方向移动并进行半切割,能够在多个基板上分别形成第一凹部。在本说明书中,大致平行是指相对于平行允许±5°左右的变动。
如图7所示,第一凹部111R可以与第二长侧面114分离。通过这样设置,容易减少基材的较薄部分的面积,所以提高了基材的强度。另外,如图6所示,第一凹部111R也可以在第二长侧面114开口。通过这样设置,能够进一步增加基材与覆盖部件的接触面积,所以能够提高基材与覆盖部件的接合强度。
如图8A、图8B所示,第一凹部111R可以在下表面112开口。通过这样设置,容易形成第一凹部。另外,如图2、图6所示,第一凹部111R也可以与下表面112分离。通过使第一凹部与下表面分离,第一凹部的底面也能够与覆盖部件接触,所以能够提高基材与覆盖部件的接合强度。如图2、图6所示,在第一凹部111R与下表面112分离的情况下,第一凹部在Z方向上从底面到上表面的距离H1优选为基材11在Z方向上的厚度H2的0.3倍到0.7倍。如果第一凹部在Z方向上从底面到下表面的厚度H1小于基材11在Z方向上的厚度H2的0.3倍,则很难增加基材与覆盖部件的接触面积。如果第一凹部在Z方向上从底面到上表面的距离H1大于基材11在Z方向上的厚度H2的0.7倍,则在第一凹部部分,基材11在Z方向上的厚度变薄,有可能降低基材11的强度。
另外,如图8C所示,在基材的厚度较厚的情况下,第一凹部在Z方向上从底面到上表面的距离H1可以为基材11在Z方向上的厚度H2的0.2倍到0.8倍。在基材的厚度较厚的情况下,通过使第一凹部在Z方向上从底面到上表面的距离H1为基材11在Z方向上的厚度H2的0.2倍以上,容易增加基材与覆盖部件的接触面积。另外,在基材的厚度较厚的情况下,通过使第一凹部在Z方向上从底面到上表面的距离H1为基材11在Z方向上的厚度H2的0.8倍以下,能够抑制基材11的强度下降。在本说明书中,所谓基材的厚度较厚,是指基材的厚度为0.2mm以上的情况。
如图9A、图9B所示,第一凹部111R可以在第一短侧面115开口。通过这样设置,容易缩短基材在X方向上的长度,容易使发光装置小型化。此外,后述的第二凹部是在基材的上表面及第一短侧面开口的凹部。因此,图9B所示的、在上表面、第一长侧面及第一短侧面开口的凹部既是第一凹部,又是第二凹部。另外,后述的第四凹部是在基材的上表面及第二长侧面开口的凹部。因此,图9B所示的、在上表面、第一长侧面及第二长侧面开口的凹部既是第一凹部,又是第四凹部。在上表面、第一长侧面、第二长侧面及第一短侧面开口的凹部既是第一凹部,又是第二凹部,还是第四凹部。另外,如图2、图6所示,第一凹部111R可以与第一短侧面115分离。通过使第一凹部111R与第一短侧面115分离,增加基材与覆盖部件的接触面积。由此,能够提高基材与覆盖部件的接合强度。
在俯视下,第一凹部优选与发光元件分离。在第一凹部所处的部位,基材的厚度(Z方向)变薄,或者从上表面开口至下表面,所以基材容易因覆盖树脂的热膨胀等而变形。通过使第一凹部与发光元件分离,能够减小因基材的变形而施加于发光元件的力。
如图10A至图10D所示,也可以是第一凹部111R在第二长侧面114及第一短侧面115开口,并且具有第一凹部111R的X方向上的宽度不同的区域,例如具有宽度宽的区域或宽度窄的区域。并且,还可以具有宽度逐渐不同的区域。例如,第一凹部111R的在基材的第一长侧面113开口的位置处的部位的沿X方向的宽度W2优选比第一凹部111R的位于基板的Y方向的大致中央的部位的沿X方向的宽度W1长。通过这样设置,能够进一步增加基材与覆盖部件的接触面积,所以提高了基材与覆盖部件的接合强度。
如图10B、图10D所示,优选的是,在俯视下,第一布线12具有沿X方向延伸的布线延伸部123。如图10D所示,在俯视下,布线延伸部123从载置发光元件的预定位置向X+方向和/或X-方向延伸形成,由此在向基板上载置发光元件时,能够将布线延伸部123作为标记而进行载置。X轴上的X+方向被设为俯视下从左向右的方向,X+方向的相反方向被设为X-方向。由此,容易向基板上载置发光元件。第一布线12可以仅具有一个布线延伸部123,还优选具有多个布线延伸部123。另外,在具有多个布线延伸部123的情况下,在X方向上,布线延伸部123优选位于发光元件20的两侧。通过这样设置,能够将位于发光元件20的两侧的布线延伸部123作为标记,所以提高了将发光元件载置于基板的位置精度。另外,在向发光元件上载置透光性部件的情况下,由于在俯视下,布线延伸部从载置透光性部件的预定位置延伸形成,所以在向发光元件上载置透光性部件时,也能够将布线延伸部作为标记而进行载置。由此,容易向发光元件上载置透光性部件。另外,通过使第一凹部111R的在基材的第一长侧面113开口的位置处的部位的沿X方向的宽度W2比第一凹部111R的位于基板的Y方向的大致中央的部位的沿X方向的宽度W1长,容易确保用于形成位于基板的Y方向上的中央且沿X方向延伸的布线延伸部123的空间。
另外,如图10E所示,第一布线12可以具有延伸至基材的第一长侧面113和/或第二长侧面114的布线延伸部123。在第一布线12具有延伸至基材的第一长侧面113和/或第二长侧面114的布线延伸部123的情况下,如图10F所示,优选的是,在从第一长侧面和/或第二长侧面观察到的发光装置的侧面,从覆盖部件露出的布线延伸部123相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称。通过这样设置,能够通过确认从覆盖部件露出的布线延伸部123的位置和/或大小等,来识别发光装置的极性。
如图11A至图11C所示,基材11可以具有至少一个在上表面111及第二长侧面114开口的第四凹部115R。另外,第四凹部115R可以与第一凹部111R相同,在第一短侧面115开口。通过使基材具有第四凹部115R,能够进一步增加基材与覆盖部件的接触面积,因此提高了基材与覆盖部件的接合强度。第一凹部111R与第四凹部115R优选相对于基板的X方向上的中心线呈线对称。在利用激光和/或刀片等向多个基板位于矩阵上的集合基板形成第一凹部及第四凹部的情况下,也能够同时形成相邻的基板的第一凹部和第四凹部,所以容易制造。另外,第一凹部111R和/或第四凹部115R的X方向上的宽度可以恒定,或者也可以变化。通过使第一凹部111R和/或第四凹部115R具有X方向上的宽度不同的区域,能够进一步增加基材与覆盖部件的接触面积,因此提高了基材与覆盖部件的接合强度。
另外,如图11D所示,第一布线12可以具有延伸至基材的第一长侧面113和/或第二长侧面114的布线延伸部123。在第一布线12具有延伸至基材的第一长侧面113和/或第二长侧面114的布线延伸部123的情况下,如图11E所示,在从第一长侧面和/或第二长侧面观察到的发光装置的侧面,从覆盖部件露出的布线延伸部123优选相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称。通过这样设置,能够通过确认从覆盖部件露出的布线延伸部123的位置和/或大小等,来识别发光装置的极性。
可以在基材的X方向上的两端分别具有第一凹部,位于X+侧的第一凹部与位于X-侧的第一凹部的形状不同。在俯视下,将从发光装置的中心起的X轴上的右侧作为X+侧,将左侧作为X-侧。例如,如图12A至图12D所示,位于X-侧的第一凹部111R在第一短侧面115开口且在第二长侧面114开口。位于X+侧的第一凹部111R’在第二短侧面116开口,但与第二长侧面114分离。通过这样设置,在与基材的第一短侧面115及第二短侧面116邻接的覆盖部件40的侧面404处于与基板10的第一短侧面115及第二短侧面116实质相同的平面上的情况下,如图12C、图12D所示,从第一短侧面观察的发光装置的侧面的形状与从第二短侧面观察的发光装置的侧面的形状不同。由此,通过确认从第一短侧面观察的发光装置的侧面和/或从第二短侧面观察的发光装置的侧面,能够识别发光装置的极性。
如图13A、图13B所示,发光装置可以具有多个发光元件20。在发光装置具有多个发光元件的情况下,多个发光元件优选沿X方向并列地设置。通过这样设置,能够缩短发光装置在Y方向上的宽度,所以能够使发光装置薄型化。此外,发光元件的数量也可以是三个以上,还可以是一个。第一凹部111R可以设置在多个发光元件20之间。通过这样设置,能够提高发光元件间的基材与覆盖部件的接合强度。
<实施方式2>
图14~图19所示的本发明的实施方式2的发光装置2000与实施方式1的发光装置1000相比在基材具有第二凹部的方面不同。其他方面与发光装置1000相同。
发光装置2000具有基板10、至少一个发光元件20和覆盖部件40。基板10具有基材11、第一布线12和第二布线13。基材11具有大致长方形的上表面111、位于上表面的相反侧的下表面112、与上表面111的长边101邻接且与上表面正交的第一长侧面113、位于第一长侧面的相反侧的第二长侧面114、与上表面111的短边102邻接且与上表面正交的第一短侧面115和位于第一短侧面的相反侧的第二短侧面116。基材11还具有在上表面111及第一短侧面115开口的至少一个第二凹部112R。第一布线12配置于基材11的上表面111。第二布线13配置于基材11的下表面112且与第一布线12电连接。至少一个发光元件与第一布线电连接,并配置在第一布线上。覆盖部件40具有反光性,覆盖发光元件20的侧面202及基材的上表面111。另外,覆盖部件40覆盖第二凹部112R的表面。
通过使覆盖部件覆盖第二凹部的表面,能够增加基材与覆盖部件的接触面积。由此,能够提高基材与覆盖部件的接合强度。另外,通过使第二凹部在第一短侧面115开口,特别是在第一短侧面115侧提高了基板与覆盖部件的接合强度。由此,第一短侧面115侧的基板与覆盖部件的接合强度提高,所以即使从第一短侧面115侧向覆盖部件施加外力,也能够抑制基材与覆盖部件剥离。第二凹部可以在下表面开口,也可以与下表面分离。另外,第二凹部的剖面形状不特别限定,例如可列举大致矩形和大致V形等。
第二凹部可以是一个,进一步地,第二凹部优选有多个。通过使第二凹部有多个,能够进一步增加基材与覆盖部件的接触面积,因此提高了基材与覆盖部件的接合强度。另外,在有多个第二凹部的情况下,优选的是,在俯视下,发光元件位于多个第二凹部之间。通过这样设置,容易在基材的上表面的大范围内提高基材与覆盖部件的接合强度。
如图16所示,第二凹部112R优选沿与上表面111的长边101大致平行的方向延伸。通过这样设置,容易形成第二凹部。与第一凹部相同,能够使用公知的方法形成第二凹部。例如,在利用激光等向多个基板位于矩阵上的集合基板形成第二凹部的情况下,通过使第二凹部沿与上表面的长边大致平行的方向延伸,通过使激光沿一个方向移动并进行半切割,能够在相邻的基板上分别形成第二凹部。
如图17A、图17B所示,第二凹部112R可以在第一长侧面113和/或第二长侧面114开口。通过这样设置,在第一长侧面113和/或第二长侧面114侧,特别提高了基板与覆盖部件的接合强度。由此,第一长侧面113和/或第二长侧面114侧的基板与覆盖部件的接合强度提高,所以即使从第一长侧面113和/或第二长侧面114侧向覆盖部件施加外力,也能够抑制基材与覆盖部件剥离。另外,如图16所示,第二凹部112R也可以与第一长侧面113及第二长侧面114分离。通过使第二凹部112R与第一长侧面113及第二长侧面114分离,能够增加基材与覆盖部件的接触面积。由此,能够提高基材与覆盖部件的接合强度。
如图18A、图18B所示,第二凹部112R可以在下表面112开口。通过这样设置,容易形成第二凹部。另外,如图15所示,第二凹部112R也可以与下表面112分离。通过使第二凹部与下表面分离,第二凹部的底面也能够与覆盖部件接触,所以能够提高基材与覆盖部件的接合强度。如图15所示,在第二凹部112R与下表面112分离的情况下,第二凹部在Z方向上从底面到上表面的距离H3优选为基材11在Z方向上的厚度H2的0.3倍到0.7倍。如果第二凹部在Z方向上从底面到上表面的距离H3小于基材11在Z方向上的厚度H2的0.3倍,则很难增加基材与覆盖部件的接触面积。如果第二凹部在Z方向上从底面到上表面的距离H3大于基材11在Z方向上的厚度H2的0.7倍,则在第二凹部部分,基材11在Z方向上的厚度变薄,有可能降低基材11的强度。
如图19所示,在俯视下,第二凹部112R优选与发光元件20分离。在第二凹部所处的部位,基材的厚度(Z方向)变薄,或者从上表面开口至下表面,所以基材容易因覆盖树脂的热膨胀等而变形。在俯视下,通过使第二凹部与发光元件分离,能够减小因基材的变形而施加于发光元件的力。
<实施方式3>
图20~图23所示的本发明的实施方式3的发光装置3000与实施方式1的发光装置1000相比在基材具有多个贯通孔且覆盖部件覆盖多个贯通孔的表面的方面不同。其他方面与发光装置1000相同。
发光装置3000具有基板10、至少一个发光元件20和覆盖部件40。基板10具有基材11、第一布线12和第二布线13。基材11具有大致长方形的上表面111、位于上表面111的相反侧的下表面112和位于上表面111与所述下表面112之间的侧面。基材还具有与基材的侧面分离且从基材的上表面到达下表面的多个贯通孔113R。第一布线12配置于基材11的上表面111。第二布线13配置于基材11的下表面112且与第一布线12电连接。至少一个发光元件与第一布线电连接并配置于第一布线上。覆盖部件40具有反光性,覆盖发光元件20的侧面202及基材的上表面111。另外,覆盖部件40覆盖多个贯通孔的表面。另外,基材11的侧面具有与上表面111的长边101邻接且与上表面111正交的第一长侧面113、位于第一长侧面113的相反侧的第二长侧面114、与上表面111的短边102邻接且与上表面正交的第一短侧面115和位于第一短侧面115的相反侧的第二短侧面116。
通过使覆盖部件覆盖贯通孔的表面,能够增加基材与覆盖部件的接触面积。由此,能够提高基材与覆盖部件的接合强度。另外,贯通孔的俯视形状没有特别限定,例如可列举圆形、三角形、四边形等多边形形状等。
贯通孔113R优选位于基材的Y方向上的大致中央。通过这样设置,不论是从第一长侧面113侧向覆盖部件施加外力,还是从第二长侧面114侧向覆盖部件施加外力,都容易抑制基材与覆盖部件剥离。能够使用公知的方法形成贯通孔,例如能够利用激光、钻头形成。
如图23所示,在俯视下,贯通孔113R优选与发光元件20分离。贯通孔所处的部位容易因覆盖树脂的热膨胀等而变形。通过使贯通孔与发光元件分离,能够减小因基材的变形而施加于发光元件的力。另外,在俯视下,发光元件优选位于多个贯通孔之间。通过这样设置,能够在发光元件的X方向上的两侧提高基材与覆盖部件的接合强度。
在发光装置3000具有多个发光元件的情况下,贯通孔可以位于发光元件与发光元件之间。通过这样设置,能够提高位于发光元件与发光元件之间的覆盖部件与基材的接合强度。
<实施方式4>
图24~图28所示的本发明的实施方式4的发光装置4000与实施方式3的发光装置3000相比在基材具有第三凹部的方面不同。其他方面与发光装置3000相同。
发光装置4000的基材11具有在下表面112开口的第三凹部114R。在俯视下,第三凹部114R与贯通孔113R重叠,覆盖部件40覆盖第三凹部114R的表面。通过这样设置,第三凹部114R的内侧面与覆盖部件接触,所以能够进一步提高基材与覆盖部件的接合强度。另外,第三凹部的剖面形状没有特别限定,例如可列举大致矩形、大致V形等。
在俯视下,第三凹部114R的面积优选大于贯通孔113R的面积。通过这样设置,在俯视下,能够使位于第三凹部114R内的覆盖部件40大于位于贯通孔113R内的覆盖部件40,所以覆盖部件很难从基材剥离。因此,进一步提高了基材与覆盖部件的接合强度。
在俯视下,第三凹部114R优选与发光元件分离。在第三凹部114R所处的部位,基材的厚度(Z方向)变薄,或者从上表面开口至下表面,所以容易因覆盖树脂的热膨胀等而变形。通过使第三凹部与发光元件分离,能够减小因基材的变形而施加于发光元件的力。
第三凹部114R可以在第一长侧面113和/或第二长侧面114开口。通过这样设置,能够进一步增加基材与覆盖部件的接触面积,所以提高了基材与覆盖部件的接合强度。此外,第三凹部也可以在第一短侧面及第二短侧面开口。
第三凹部114R优选沿与上表面111的短边102大致平行的方向延伸。通过这样设置,例如容易利用激光等向多个基板位于矩阵上的集合基板形成第三凹部114R。
<实施方式5>
图29~图33所示的本发明的实施方式5的发光装置5000与实施方式1的发光装置1000相比在基材具有第二凹部及第四凹部的方面不同。其他方面与发光装置1000相同。
通过使基材11具有第一凹部111R、第二凹部112R及第四凹部115R,能够进一步增加基材与覆盖部件的接触面积,因此提高了基材与覆盖部件的接合强度。
发光装置的基材可以具有多个第一凹部、第二凹部、第三凹部、第四凹部和/或贯通孔。通过使发光装置的基材具有第一凹部、第二凹部、第三凹部、第四凹部和/或贯通孔,提高了基材与覆盖部件的接合强度。
另外,如图34A所示,第一布线12可以具有延伸至基材的第一长侧面113和/或第二长侧面114的布线延伸部123。在第一布线12具有延伸至基材的第一长侧面113和/或第二长侧面114的布线延伸部123的情况下,如图34B所示,在从第一长侧面和/或第二长侧面观察到的发光装置的侧面,从覆盖部件露出的布线延伸部123优选相对于基板的X方向上的中心线呈非线对称。通过这样设置,能够通过确认从覆盖部件露出的布线延伸部123的位置和/或大小等,来识别发光装置的极性。
以下,对本发明一实施方式的发光装置中的各构成要素进行说明。
(基板10)
基板10是载置发光元件的部件。基板10至少由基材11、第一布线12和第二布线13构成。另外,基板10可以具有将第一布线12与第二布线13电连接的导通件15。
(基材11)
基材11能够利用树脂或纤维强化树脂、陶瓷、玻璃等绝缘性部件构成。作为树脂或纤维强化树脂,可列举环氧树脂、玻璃环氧树脂、双马来酰亚胺三嗪(BT)树脂、聚酰亚胺树脂等。作为陶瓷,可列举氧化铝、氮化铝、氧化锆、氮化锆、氧化钛、氮化钛或它们的混合物等。在这些基材中,特别优选使用具有接近第一发光元件的线膨胀系数的物性的基材。基材厚度的下限值可以适当选择,但从基材强度的角度来看,优选为0.05mm以上,更优选为0.1mm以上。另外,从发光装置厚度的角度来看,基材厚度的上限值优选为0.5mm以下,更优选为0.4mm以下。
(第一布线12、第二布线13)
第一布线配置在基材的上表面且与发光元件电连接。第二布线配置在基材的下表面且与第一布线电连接。第一布线及第二布线能够由铜、铁、镍、钨、铬、铝、银、金、钛、钯、铑或它们的合金形成。可以是这些金属或合金的单层结构,也可以是这些金属或合金的多层结构。特别是,从散热性的角度来看,优选为铜或铜合金。另外,从导光性粘接部件的润湿性和/或反光性等角度来看,可以在第一布线和/或第二布线的表层设置银、铂、铝、铑、金或它们的合金等的层。
(导通件15)
导通件15是设置在贯通基材11的上表面与下表面的孔内,并将第一布线与所述第二布线电连接的部件。导通件15由覆盖基材的贯通孔的表面的第三布线151和填充在第三布线151内的填充部件152构成。第三布线151能够使用与第一布线及第二布线相同的导电性部件。填充部件152可以使用导电性的部件,也可以使用绝缘性的部件。
(绝缘膜18)
绝缘膜18是在下表面确保绝缘性并且防止短路的部件。绝缘膜可以由本领域中使用的绝缘膜中的任意绝缘膜形成。例如,可列举热固化性树脂或热塑性树脂等。
(发光元件20)
发光元件20是通过施加电压而自主发光的半导体元件,能够应用由氮化物半导体等构成的已知的半导体元件。作为发光元件20,例如可以列举LED芯片。发光元件20至少具有半导体层积体23,在多数情况下还具有元件基板24。发光元件的俯视形状优选为矩形,特别优选为正方形或一个方向长的长方形,但也可以是其他形状,例如如果是六边形,则还能够提高发光效率。发光元件的侧面相对于上表面既可以是垂直的,也可以向内侧或外侧倾斜。另外,发光元件具有正负电极。正负电极能够由金、银、锡、铂、铑、钛、铝、钨、钯、镍或它们的合金构成。发光元件的发光峰值波长能够根据半导体材料和其混晶比而在从紫外区域至红外区域的范围中选择。作为半导体材料,优选使用氮化物半导体这种可发出能够高效地激发波长转换物质的短波长的光的材料。氮化物半导体主要由通式InxAlyGa1-X-yN(0≤x、0≤y、x+y≤1)来表示。从发光效率、波长转换物质的激发及与其发光的混色关系等角度来看,发光元件的发光峰值波长优选为400nm以上530nm以下,更优选为420nm以上490nm以下,进一步优选为450nm以上475nm以下。此外,也能够使用InAlGaAs类半导体、InAlGaP系类导体、硫化锌、硒化锌、碳化硅等。发光元件的元件基板主要是能够使构成半导体层积体的半导体的结晶生长的结晶生长用基板,但也可以是接合于与结晶生长用基板分离的半导体元件构造的接合用基板。通过使元件基板具有透光性,容易采用倒装芯片的安装方式,另外,容易提高光的输出效率。作为元件基板的母材,可列举蓝宝石、氮化镓、氮化铝、硅、碳化硅、砷化镓、镓磷、铟磷、硫化锌、氧化锌、硒化锌、钻石等。其中,特别优选蓝宝石。元件基板的厚度能够适当选择,例如为0.02mm以上1mm以下,从元件基板强度和/或发光装置厚度的角度来看,优选为0.05mm以上0.3mm以下。
(透光性部件30)
透光性部件是设置在发光元件上且保护发光元件的部件。透光性部件至少由以下的母材构成。另外,透光性部件通过在母材中含有以下的波长转换物质32,能够作为波长转换物质起作用。在透光性部件具有含有波长转换物质的层和实质上不含有波长转换物质的层的情况下,各层的母材也如以下所述地构成。各层的母材可以相同,也可以不同。不过,透光性部件不必须具有波长转换物质。另外,透光性部件也能够使用波长转换物质与例如氧化铝等无机物的烧结体、或波长转换物质的板状结晶等。
(透光性部件的母材31)
透光性部件的母材31只要是对从发光元件发出的光具有透光性的材料即可。所谓“透光性”,是指发光元件的发光峰值波长中的透射率优选为60%以上,更优选为70%以上,进一步优选为80%以上。透光性部件的母材能够使用硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸类树脂或它们的改性树脂。也可以是玻璃。其中,特别是硅酮树脂及改性硅酮树脂在耐热性及耐光性方面优异,是优选的。作为具体的硅酮树脂,可列举二甲基硅酮树脂、苯基-甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。透光性部件能够通过将这些母材中的一种设为单层而构成,或者通过将这些母材中的两种以上层积而构成。本说明书中的“改性树脂”包含混合树脂。
透光性部件的母材可以在上述树脂或玻璃中含有各种填充剂。作为该填充剂,可列举氧化硅、氧化铝、氧化锆、氧化锌等。填充剂能够单独使用这些填充剂中的一种填充剂,或者能够组合使用这些填充剂中的两种以上的填充剂。特别是,优选热膨胀系数小的氧化硅。另外,作为填充剂,通过使用纳米颗粒,还能够增大发光元件所发出的光的散射,降低波长转换物质的使用量。所谓纳米颗粒,是指粒径为1nm以上100nm以下的粒子。另外,本说明书中的“粒径”例如以D50来定义。
(波长转换物质32)
波长转换物质吸收发光元件所发出的一次光的至少一部分,并发出与一次光不同波长的二次光。波长转换物质能够单独使用以下所示的具体例中的一种,或者能够将以下所示的具体例中的两种以上组合使用。
作为发绿色光的波长转换物质,可列举钇·铝·石榴石类荧光体(例如,Y3(Al,Ga)5O12:Ce)、镥·铝·石榴石类荧光体(例如,Lu3(Al,Ga)5O12:Ce)、铽·铝·石榴石类荧光体(例如,Tb3(Al,Ga)5O12:Ce)类荧光体、硅酸盐类荧光体(例如,(Ba,Sr)2SiO4:Eu)、氯硅酸盐类荧光体(例如,Ca8Mg(SiO4)4Cl2:Eu)、β塞隆类荧光体(例如,Si6-zAlzOzN8-z:Eu(0<z<4.2))、SGS类荧光体(例如,SrGa2S4:Eu)等。作为发黄色光的波长转换物质,可列举α塞隆类荧光体(例如,Mz(Si,Al)12(O,N)16(其中,0<z≤2,M是Li、Mg、Ca、Y以及除La和Ce以外的镧族元素)等。此外,在上述发绿色光的波长转换物质中也有发黄光的波长转换物质。另外,例如,钇·铝·石榴石类荧光体能够通过利用Gd置换Y的一部分而使发光峰值波长向长波长侧移动,能够发黄色光。另外,其中也有能够发橙色光的波长转换物质。作为发红色光的波长转换物质,可列举含氮铝硅酸盐(CASN或SCASN)类荧光体(例如,(Sr,Ca)AlSiN3:Eu)等。此外,可列举锰激活氟化物类荧光体(由通式(I)A2[M1-aMnaF6]表示的荧光体(其中,在上述通式(I)中,A是从由K、Li、Na、Rb、Cs及NH4组成的组中选择的至少一种,M是从由第四族元素及第十四族元素组成的组中选择的至少一种元素,a满足0<a<0.2))。作为该锰激活氟化物类荧光体的代表例,有锰激活氟化硅酸钙的荧光体(例如,K2SiF6:Mn)。
(覆盖部件40)
就反光性的覆盖部件而言,从向上方的光输出效率的角度来看,发光元件的发光峰值波长处的光反射率优选为70%以上,更优选为80%以上,进一步优选为90%以上。而且,覆盖部件优选是白色。因此,覆盖部件优选在母材中含有白色颜料。覆盖部件在固化前经历液态状态。覆盖部件能够通过传递模塑成形、射出成形、压缩成形、浇注成形等形成。
(覆盖部件的母材)
覆盖部件的母材能够使用树脂,例如可列举硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸类树脂或者它们的改性树脂。其中,硅酮树脂及改性硅酮树脂在耐热性及耐光性方面优异,是优选的。作为具体的硅酮树脂,可列举二甲基硅酮树脂、苯基-甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。另外,覆盖部件的母材可以含有与上述透光性部件相同的填充剂。
(白色颜料)
白色颜料能够单独使用氧化钛、氧化锌、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、钛酸钡、硫酸钡、氢氧化铝、氧化铝、氧化锆、氧化硅中的一种,或者能够将它们中的两种以上组合使用。白色颜料的形状能够适当选择,可以是不定形或破碎状,并且,从流动性的角度来看,优选球状。另外,白色颜料的粒径可列举例如0.1μm以上0.5μm以下的程度,但为了提高光反射和覆盖效果,越小越优选。反光性的覆盖部件中的白色颜料的含有量能够适当选择,但从反光性及液状时的粘度等角度来看,例如,优选10wt%以上80wt%以下,更优选20wt%以上70wt%以下,进一步优选30wt%以上60wt%以下。“wt%”是重量百分比,表示该材料的重量相对于反光性的覆盖部件的全部重量所占的比率。
(导光部件50)
导光部件是将发光元件和透光性部件粘接,并将来自发光元件的光导向透光性部件的部件。导光部件的母材可列举硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸类树脂或它们的改性树脂。其中,硅酮树脂及改性硅酮树脂在耐热性及耐光性方面优异,是优选的。作为具体的硅酮树脂,可列举二甲基硅酮树脂、苯基-甲基硅酮树脂、二苯基硅酮树脂。另外,导光部件的母材可以含有与上述透光性部件相同的填充剂。另外,能够省略导光部件。
(导光性粘接部件60)
导光性粘接部件是指将发光元件的电极与第一布线电连接的部件。作为导光性粘接部件,能够使用含有金、银、铜等的凸点、银、金、铜、铂、铝、钯等金属粉末和树脂粘接剂的金属膏、锡-铋类、锡-铜类、锡-银类、金-锡类等焊料、低熔点金属等钎料中的任一者。
工业实用性
本发明一实施方式的发光装置能够用于液晶显示器的背光装置、各种照明器具、大型显示器、广告牌或指路牌等各种显示装置、投影装置、以及数码照相机、传真机、复印机、扫描仪等的图像读取装置等。

Claims (11)

1.一种发光装置,具有:
基板,其具有基材、第一布线和第二布线,所述基材具有大致长方形的上表面、位于所述上表面的相反侧的下表面、与所述上表面的长边邻接且与所述上表面正交的第一长侧面、位于所述第一长侧面的相反侧的第二长侧面、与所述上表面的短边邻接且与所述上表面正交的第一短侧面和位于所述第一短侧面的相反侧的第二短侧面,所述第一布线配置于所述上表面,所述第二布线配置于所述下表面,且与所述第一布线电连接;
至少一个发光元件,其与所述第一布线电连接,并载置在所述第一布线上;
反光性的覆盖部件,其覆盖所述发光元件的侧面及所述基材的上表面;
所述发光装置的特征在于,
所述基材具有在所述上表面、所述第一长侧面、所述第二长侧面及所述第一短侧面开口的至少一个第一凹部,
所述第一凹部包括:
在所述第一长侧面侧开口的第一部分,
在所述第二长侧面侧开口的第二部分,
在所述第一短侧面侧开口的第三部分,
在与所述大致长方形的长边平行的第一方向上,所述第一部分的宽度和所述第二部分的宽度比所述第三部分的宽度大,
所述第一布线具有在所述第一方向上朝向所述第一凹部延伸的布线延伸部,
在俯视时,所述布线延伸部包括与所述发光元件不重叠的部分,并且包括在与所述第一方向正交的第二方向上位于所述第一部分与所述第二部分之间的部分,
所述第一凹部的表面被所述覆盖部件覆盖。
2.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
所述第一凹部在所述下表面开口。
3.如权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
在俯视下,所述第一凹部与所述发光元件分离。
4.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
有多个所述第一凹部,在俯视下,所述发光元件位于多个所述第一凹部之间。
5.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第一凹部的所述第三部分在所述第二方向上延伸,具有将所述第一部分与所述第二部分连接的形状。
6.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述覆盖部件的线膨胀率比所述基材的线膨胀率高。
7.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
在所述发光元件上具有透光性部件。
8.如权利要求7所述的发光装置,其特征在于,
所述覆盖部件覆盖所述透光性部件的侧面。
9.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第一布线具有凸部。
10.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述第二布线具有凸部。
11.如权利要求1至3中任一项所述的发光装置,其特征在于,
所述覆盖部件与所述发光元件相接,且位于所述发光元件与所述基板之间。
CN201810728832.3A 2017-07-06 2018-07-05 发光装置 Active CN109216527B (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017132660 2017-07-06
JP2017-132660 2017-07-06
JP2017-166354 2017-08-31
JP2017166354 2017-08-31
JP2018-099124 2018-05-23
JP2018099124A JP7189413B2 (ja) 2017-07-06 2018-05-23 発光装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN109216527A CN109216527A (zh) 2019-01-15
CN109216527B true CN109216527B (zh) 2023-08-15

Family

ID=64902903

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810728832.3A Active CN109216527B (zh) 2017-07-06 2018-07-05 发光装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10707384B2 (zh)
KR (1) KR102553755B1 (zh)
CN (1) CN109216527B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7053249B2 (ja) * 2017-12-22 2022-04-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP7007923B2 (ja) * 2018-01-16 2022-01-25 日機装株式会社 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法
CN115700916A (zh) * 2019-01-15 2023-02-07 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管封装器件及发光装置
KR20220060007A (ko) * 2020-11-02 2022-05-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 소자 잉크, 표시 장치 및 그 제조 방법

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080088827A (ko) * 2007-03-30 2008-10-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
CN101329472A (zh) * 2007-06-18 2008-12-24 奇菱科技股份有限公司 发光装置、具有该发光装置的背光模块、灯箱模块或数字电子设备及其制造方法
JP2014160616A (ja) * 2013-02-20 2014-09-04 Panasonic Corp 照明装置
JP2014187122A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toppan Printing Co Ltd Ledパッケージとその製造方法
CN105221954A (zh) * 2014-06-27 2016-01-06 日亚化学工业株式会社 发光装置
WO2016034540A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenbauteil
JP2016072435A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017118082A (ja) * 2015-12-26 2017-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3784976B2 (ja) * 1998-12-22 2006-06-14 ローム株式会社 半導体装置
JP2002335020A (ja) 2001-05-10 2002-11-22 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置
JP5692952B2 (ja) 2007-12-11 2015-04-01 シチズン電子株式会社 発光ダイオード
JP2010027974A (ja) * 2008-07-23 2010-02-04 Sharp Corp 発光装置の製造方法
JP5573176B2 (ja) 2010-01-14 2014-08-20 大日本印刷株式会社 リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法
JP2012182357A (ja) 2011-03-02 2012-09-20 Toppan Printing Co Ltd Led発光素子用リードフレーム基板、led発光素子装置、およびled発光素子用リードフレーム
JP2013008826A (ja) 2011-06-24 2013-01-10 Ngk Spark Plug Co Ltd 発光素子実装用配線基板およびその製造方法
JP5720496B2 (ja) 2011-08-24 2015-05-20 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2013120821A (ja) 2011-12-07 2013-06-17 Citizen Holdings Co Ltd 発光デバイス
JP5915483B2 (ja) 2012-09-27 2016-05-11 豊田合成株式会社 発光装置及びその製造方法
US9673364B2 (en) 2013-07-19 2017-06-06 Nichia Corporation Light emitting device and method of manufacturing the same
JP6175952B2 (ja) 2013-07-19 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6277860B2 (ja) 2013-07-19 2018-02-14 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6179555B2 (ja) * 2015-06-01 2017-08-16 日亜化学工業株式会社 発光装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080088827A (ko) * 2007-03-30 2008-10-06 서울반도체 주식회사 발광 다이오드
CN101329472A (zh) * 2007-06-18 2008-12-24 奇菱科技股份有限公司 发光装置、具有该发光装置的背光模块、灯箱模块或数字电子设备及其制造方法
JP2014160616A (ja) * 2013-02-20 2014-09-04 Panasonic Corp 照明装置
JP2014187122A (ja) * 2013-03-22 2014-10-02 Toppan Printing Co Ltd Ledパッケージとその製造方法
CN105221954A (zh) * 2014-06-27 2016-01-06 日亚化学工业株式会社 发光装置
WO2016034540A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtdiodenbauteil
JP2016072435A (ja) * 2014-09-30 2016-05-09 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2017118082A (ja) * 2015-12-26 2017-06-29 日亜化学工業株式会社 発光装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20190005802A (ko) 2019-01-16
KR102553755B1 (ko) 2023-07-07
CN109216527A (zh) 2019-01-15
US20190013443A1 (en) 2019-01-10
US11201266B2 (en) 2021-12-14
US20200287095A1 (en) 2020-09-10
US10707384B2 (en) 2020-07-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11038089B2 (en) Light emitting device
CN107275457B (zh) 发光装置的制造方法
CN109980071B (zh) 发光装置
US10014449B1 (en) Light emitting device
US20120193665A1 (en) Light emitting device
CN108807652B (zh) 发光装置
CN109216527B (zh) 发光装置
US20180226549A1 (en) Light emitting device
KR102246855B1 (ko) 발광모듈
CN108807639B (zh) 发光装置
CN108417686B (zh) 发光装置
KR20210011044A (ko) 광원 장치의 제조 방법
JP7189413B2 (ja) 発光装置
CN110957410A (zh) 发光装置以及发光装置的制造方法
JP2018191015A (ja) 発光装置の製造方法
CN215988826U (zh) 发光装置
US11605617B2 (en) Light emitting device
TWI793234B (zh) 發光裝置
JP6528872B2 (ja) 発光装置の製造方法
JP2022007882A (ja) 発光装置
JP7421056B2 (ja) 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2020072144A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant