JP3784976B2 - 半導体装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本願発明は、面実装型の半導体装置に関し、とくに携帯電話などの小型の電子機器において、プッシュボタンのバックライトなどとして使用される発光ダイオードに好適に採用できる技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光ダイオードとして構成された半導体装置の一例を図１７に示す。この種の発光ダイオードＹは、長矩形状の絶縁基材１ａの表面に、出力端子としての陰極２Ａと入力端子としての陽極２Ｂとがそれぞれ形成された基板１を有している。陰極２Ａおよび陽極２Ｂは、それぞれ絶縁基材１ａの上面１０から側面１１を介して下面１２につながり、互いに電気的に分離するように形成されている。これらの電極２Ａ，２Ｂは、たとえば絶縁基材１ａの表面に金属の導体層を形成した後に、これにエッチング処理を施し、さらに金メッキなどの金属メッキを施すなどして形成されている。陰極２Ａにおける上面側の部分（陰極上面部）２ａにはＬＥＤチップ３がグランド接続されており、このＬＥＤチップ３の上面３０と陽極２Ｂにおける上面側の部分（陽極上面部）２ｂとの間が金線などのワイヤ４を介して電気的に接続されている。そして、基板１の上面側の部分においては、ＬＥＤチップ３およびワイヤ４を封止するようにしてエポキシ樹脂などによって樹脂パッケージ５が形成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、陰極２Ａおよび陽極２Ｂが金属によって形成されていることから、これらの電極２Ａ，２Ｂとエポキシ樹脂などによって形成された樹脂パッケージ５との接着力が小さい。このため、基板１に対する樹脂パッケージ５の接着力は、実質的には絶縁基材１ａが露出した部分（陰極上面部２ａおよび陽極上面部２ｂが形成されていない部分）の面積に依存することとなる。
【０００４】
近年においては、発光ダイオードＹに限らず、半導体装置の小型化が益々進行しており、発光ダイオードＹにおいては、その平面視サイズが１．６×０．８ｍｍあるいは１．０×０．５ｍｍといった極めて小さいサイズのものが製品化されている。このサイズの発光ダイオードＹでは、基板１における上記した露出部分の面積を大きく確保するのが困難であるため、樹脂パッケージ５と基板１との間の接着性を良好に確保することができない。このため、発光ダイオードＹを使用している段階において、基板１から樹脂パッケージ５が剥がれてＬＥＤチップ３が露出してしまい、また樹脂パッケージ５が剥がれる際にワイヤ４が断線してしまうといった問題が生じる。このような樹脂パッケージ５の剥離やワイヤ４の断線は、発光ダイオードＹ以外の半導体装置についても同様に生じ得る。
【０００５】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、基板と樹脂パッケージとの間の接着性を向上させ、半導体装置の小型化に対応できるようにすることをその課題としている。
【０００６】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【０００７】
すなわち、本願発明により提供される半導体装置は、絶縁基材の表面に入力端子および出力端子がそれぞれ形成された基板の上面側に、上記入力端子および出力端子の双方に電気的に導通するようにして半導体チップが実装され、この半導体チップを封止するようにして樹脂パッケージが形成されている一方、上記絶縁基材には、その厚み方向に貫通するスルーホールが形成されており、上記樹脂パッケージには、上記スルーホール内に充填されたアンカー部が一体形成されている半導体装置において、上記入力端子および出力端子は、上記絶縁基材の上面から側面を介して下面につながっているとともに、これらの端子の少なくとも一方における上面側の部分には、貫通孔が形成されており、かつ、この貫通孔が上記スルーホールと連通しているとともに、上記貫通孔の径が、上記スルーホールの上部開口部の径よりも小さくなされていることを特徴としている。なお、半導体装置としては、発光ダイオード、レザーダイオードあるいはトランジスタなどが挙げられるが、その他の半導体装置についても本願発明を適用できる。
【０００８】
上記構成では、絶縁基材に形成されたスルーホール内に、樹脂パッケージの一部であるアンカー部が充填形成されている。このようなアンカー部を樹脂パッケージに形成すれば、そのアンカー効果によって、基板に対して強固に樹脂パッケージが接着されることとなる。したがって、たとえ半導体装置が小型化して、樹脂パッケージと基板との間において有効に接着面積を確保することができず、また絶縁基材が露出した部分の面積を有効に確保することができなかったとしても、樹脂パッケージにアンカー部を設けた本願発明では、基板から樹脂パッケージが剥がれてしまうといった不具合を適切に回避することができるようになる。
【０００９】
また、樹脂パッケージのアンカー部は、樹脂パッケージを金型成形する際に、スルーホール内に樹脂を充填することによって、従来より形成されていた樹脂パッケージ部分（アンカー部を除いた部分）と同時に形成することができる。このため、アンカー部を有する樹脂パッケージを形成するにあたって、新たな金型を別途準備する必要はなく、従来より用いられている金型を使用することができるといった利点が得られる。
【００１１】
上記構成ではまた、少なくとも一方の端子の上面側の部分に、スルーホールに連通するようにして貫通孔が形成されており、この貫通孔の径がスルーホールの上部開口部の径よりも小さくなされている。そして、スルーホール内には樹脂が充填され、樹脂パッケージのアンカー部が形成されるのは上述の通りである。したがって、樹脂パッケージにおける基板の上面側に形成された部分とアンカー部との境界部の径（貫通孔の径）は、アンカー部の径よりも小さくなされており、アンカー部が基板から抜けにくくなされている。これによっても、基板から樹脂パッケージが剥がれてしまうことが適切に回避されている。
【００１２】
好ましい実施の形態においては、上記スルーホールは、上部開口部から下部開口部に向かうほど拡開している。
【００１３】
上記構成においては、スルーホールが上部開口部から下部開口部に向かうほど拡開しており、スルーホール内に形成されるアンカー部は上部（基端部）に向かうほど径が小さくなるようになされている。すなわち、先に説明した構成と同様に、アンカー部がスルーホールから抜けにくくなされ、基板からの樹脂パッケージの剥離が適切に回避される。
【００１４】
また、上記樹脂パッケージを、上記基板の上面側および下面側の双方に形成し、上面側に形成された部分と下面側に形成された部分とが上記アンカー部によってつなげられた構成としてもよい。このような構成においても、基板の下面側に形成された樹脂部分の存在によってアンカー部が抜けにくくなされており、これによって樹脂パッケージの剥離が適切に回避される。
【００１５】
好ましい実施の形態においてはまた、上記スルーホールは、下部開口部から上部開口部に向かうほど拡開している。
【００１６】
上記半導体装置では、基板の上面側に半導体チップが実装され、同じく基板の上面側に樹脂パッケージが形成される。このため、金型成形において樹脂パッケージを形成する際には、スルーホール内へは通常上部開口部側から樹脂が注入されることになる。したがって、上部開口部側の径が大きくなされている場合には、スルーホールへの樹脂の注入が容易かつ確実に行われるといった利点が得られる。
【００１９】
好ましい実施の形態においてはさらに、上記スルーホールは、平面視において点対称あるいは線対称となるような位置関係に複数個形成されている。
【００２０】
この構成では、平面視において点対象あるいは線対称となるような位置関係にスルーホールが複数個形成されていることから、アンカー部もまた平面視において点対称あるいは線対称となるような位置関係に複数形成されることになる。樹脂パッケージにおけるアンカー部が形成された部分の周りは、他の部分に比べて基板に対して比較的強固に接着されることから、アンカー部を対称的な配置とすれば、樹脂パッケージが基板に対して部分的に強固に接着されることなく、全体的にバランス良く接着されることとなる。
【００２１】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【００２２】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。図１は、本願発明の第１の実施形態に係る発光ダイオードの一例を表す全体斜視図、図２は、図１のII−II線に沿う断面図である。なお、これらの図においては、従来の発光ダイオードＹを説明するために参照した図面に表されていた部材および要素などと同等なものには同一の符号を付してある。
【００２３】
図１および図２に示した発光ダイオードＸ１は、たとえば携帯電話などの小型の電子機器において、プッシュボタン用のバックライトなどとして使用されるものである。この種の発光ダイオードＸ１は、基板１、ＬＥＤチップ３、および樹脂パッケージ５を備えて構成されている。
【００２４】
基板１は、絶縁性および耐熱性に優れる、たとえばＢＴレジンなどのポリイミド樹脂やガラス布などによって全体として長矩形状に形成された絶縁基材１ａの表面に、出力端子としての陰極２Ａおよび入力端子としての陽極２Ｂが形成された構成とされている。
【００２５】
絶縁基材１ａには、平面視における対称な位置関係に、２つのスルーホール１３，１３が形成されている。これらのスルーホール１３，１３は、たとえばレーザ、ドリルあるいはウオータージェットなどを利用して形成されている。
【００２６】
陰極２Ａおよび陽極２Ｂは、絶縁基材１ａの端部を包み込むようにして、絶縁基材１ａの上面１０から側面１１を介して下面１２まで一連にそれぞれ形成されている。陰極２Ａにおける基板１の上面側の部分（陰極上面部）２ａには、陽極２Ｂ側に向かって延びるダイボンディング領域２１ａが形成されており、このダイボンディング領域２１ａに、銀ペーストなどを介してＬＥＤチップ３がグランド接続されている。一方、陽極２Ｂにおける基板１の上面側の部分（陽極上面部）２ｂには、陰極２Ａ側に向かって延びるワイヤボンディング領域２１ｂが形成されており、このワイヤボンディング領域２１ｂとＬＥＤチップ３の上面３０との間が金線などのワイヤ４を介して電気的に接続されている。
【００２７】
また、図２に良く表れているように、ダイボンディング領域２１ａおよびワイヤボンディング領域２１ａの基端部ないしその近傍には、絶縁基材１ａに形成された各スルーホール１３に対応して、当該スルーホール１３よりも小径の貫通孔２０ａ，２０ｂがそれぞれ形成されている。すなわち、各貫通孔２０ａ（２０ｂ）とこれに対応するスルーホール１３とは互いに連通し、各スルーホールの上部開口面の一部が陰極上面部２ａ（陽極上面部２ｂ）によって覆われた恰好とされている。
【００２８】
なお、上記したような各電極２Ａ，２Ｂは、絶縁基材１ａの表面に銅やニッケルなどの金属導体層を形成した後に、これをエッチング処理することによって互いに分離して形成されている。そして、エッチング処理の際に、各貫通孔２０ａ，２０ｂも同時に形成される。通常、各電極２Ａ，２Ｂの表面には、電解メッキなどの手法によってニッケルメッキや金メッキなどの金属メッキが施され、これによって酸化しにくくワイヤ４との接続力の大きなボンディング仕様の電極とされる。
【００２９】
樹脂パッケージ５は、基板１の上面側に形成された樹脂パッケージ本体部５１と、絶縁基材１ａのスルーホール１３内に充填形成されたアンカー部５０と、を有している。樹脂パッケージ本体部５１は、その内部にＬＥＤチップ３およびワイヤ４を封入するようにして基板１の長手方向の中央部に集中して設けられており、各電極２Ａ，２Ｂにおける基板１を包み込んでいる部分が露出するようになされている。このような樹脂パッケージ５は、エポキシ樹脂など熱硬化性樹脂を材料とし、これを溶融状態で金型内に注入する、いわゆるトランスファーモールド法などによって形成されている。このとき、絶縁基材１ａのスルーホール１３，１３内にも樹脂が充填されて、樹脂パッケージ本体部５１とともにアンカー部５０，５０も同時に形成される。
【００３０】
上記発光ダイオードＸ１では、絶縁基材１ａに形成されたスルーホール１３内に、樹脂パッケージの一部であるアンカー部５０が充填形成されている。このようなアンカー部５０を樹脂パッケージ５に形成すれば、そのアンカー効果によって、基板１に対して強固に樹脂パッケージ５が接着されることとなる。したがって、たとえ発光ダイオードＸ１が小型化して、樹脂パッケージ５と基板１との間において有効に接着面積を確保することができず、また絶縁基材１ａが露出した部分の面積を有効に確保することができなかったとしても、樹脂パッケージ５にアンカー部５１を設けた本実施形態では、基板１から樹脂パッケージ５が剥がれてしまうといった不具合を適切に回避することができるようになる。
【００３１】
次に、上記した発光ダイオードＸ１の製造方法を、図３ないし図７を参照して説明する。なお、図３は、発光ダイオードを製造するために使用するマザー基板の要部を表す斜視図、図４は、図３のIV−IV線に沿う断面図、図５は、図４のマザー基板にＬＥＤチップを実装し、さらにワイヤボンディングを行った状態を表す要部斜視図、図６は、図５の状態のマザー基板の上面側に、樹脂パッケージングを施した状態を表す要部斜視図、図７は、図６のVII −VII 線に沿う断面図である。
【００３２】
上記マザー基板１Ａは、たとえばＢＴレジンなどのポリイミド樹脂やガラス布によって全体として平板状とされた基材１ｂに、金属導体部２が形成された構成とされている。基材１ｂには、図３に示したように同方向に平行に延びる複数のスリット１４が、一定間隔毎に形成されているとともに、図４に示したように複数のスルーホール１３が適所に形成されている。また、金属導体部２は、図３および図４に示したようにスリット１４の周りにおいて、基材１ｂの上面からスリット１４の内面を介して下面側に連続しており、図４に良く表れているように銅層２５、ニッケル層２６、および金メッキ層２７の３層とされている。この金属導体部２は、上記した発光ダイオードＸ１において陰極２Ａおよび陽極２Ｂとなるべきものが、スリット１４の延びる方向に連続して形成された恰好とされており、ダイボンディング領域２１ａやワイヤボンディング領域２１ｂ、あるいは貫通孔２０ａ，２０ｂも形成されている。
【００３３】
このようなマザー基板１Ａは、次のようにして得られる。すなわち、まず、複数のスリット１４が形成された基材１ｂの表面に、スパッタリングや蒸着などの手段によって銅層２５を形成した後に、不用な部分をエッチングなどにより処理する。このとき、貫通孔２０ａ，２０ｂを同時に形成する。次に、エッチング処理よって除去されずに残された導体の表面（銅表面）に、電解メッキによりニッケルメッキおよび金メッキをそれぞれ施してボンディング仕様とする。なお、銅層２５、ニッケル層２６および金メッキ層２７の厚みは、たとえば１８〜３３μｍ、５μｍ程度、および０．３μｍ程度とされる。さらに、基材１ｂにおける各貫通孔２０ａ，２０ｂに対応する部位（直下領域）を、基材１ｂの下面側からレーザ加工によって除去して、各貫通孔２０ａ（２０ｂ）に連通するスルーホール１３を形成する。このとき、レーザの照射エネルギを適宜選択すれば、金属導体部２を除去せずに、基材１ｂの所望部位のみを選択的に除去してスルーホール１３を形成することができる。
【００３４】
上記した構成のマザー基板１Ａでは、図５に示したように金属導体部２に設けられた各ダイボンディング領域２１ａに、たとえば銀ペーストを介してＬＥＤチップ３がそれぞれ実装され、各ＬＥＤチップ３の上面と、これに対応するワイヤボンディング領域２１ｂとの間が金線などのワイヤ４を介して電気的に接続される。
【００３５】
次いで、ＬＥＤチップ３およびワイヤ４を封止するようにしてマザー基板１Ａの上面側に、トランスファーモールド法などの金型成形によって、上記した発光ダイオードＸ１において樹脂パッケージ５となるべき樹脂部５Ａを形成して図６および図７に示したような状態とする。本実施形態においては、マザー基板１Ａにおいて隣合うスリット１４，１４によって挟まれる部分に、スリット１４の延びる方向に連続して複数のＬＥＤチップ３が実装されていることから、これらのＬＥＤチップ３に一括して樹脂パッケージ５が形成された恰好とされている。そして、基材１ｂに形成された各スルーホール１３が、金属導体部２に形成された適宜の貫通孔２０ａ（２０ｂ）と連通していることから、図７に良く表れているように上記した樹脂部５Ａを形成する際に、各スルーホール１３内に樹脂が充填されてアンカー部５０が同時に形成される。このように、アンカー部５０を形成するにあたって、別途金型を設計する必要はなく、従来より用いられている金型をそのまま使用することができる。
【００３６】
次に、図６に２点鎖線で示したカットラインＣに沿って切断することによって、発光ダイオードＸ１となるべきものが複数個連なった中間体が得られ、この中間体を、隣合うＬＥＤチップ３，３の間で切断することによって図１および図２に示したような個々の発光ダイオードＸ１が得られる。
【００３７】
なお、本実施形態の発光ダイオードＸ１では、絶縁基材１ａに形成されたスルーホール１３の径よりも、陰極２Ａおよび陽極２Ｂに形成された貫通孔２０ａ，２０ｂの径のほうが小さくなされていたが、図８に示した発光ダイオードＸ２のように、各スルーホール１３の径とこれに対応する貫通孔２０ａ，２０ｂの径を同等程度に構成してもよい。
【００３８】
次に、本願発明の第２の実施形態に係る発光ダイオードを図９を参照しつつ簡単に説明する。
【００３９】
本実施形態の発光ダイオードＸ３の基本的な構成は、上述した第１の実施形態の発光ダイオードＸ１と略同様であるが、基板１の下面側も樹脂によってパッケージングされて樹脂パッケージ５Ｂが形成されている点で異なっている。基板１の下面側の樹脂部分（第２樹脂部）５１ｂは、各電極２Ａ，２Ｂの基板１の下面側の部分と略面一とされているとともに、絶縁基材１ａのスルーホール１３に充填された樹脂（アンカー部）５０を介して、上面側の樹脂部分（第１樹脂部）５１ａと一体化している。この構成では、第１樹脂部５１ａおよび第２樹脂部５１ｂの双方ともに基板１から剥離しにくいといった利点があり、単にアンカー部５０を設ける場合と比較しても、第１樹脂部５１ａや第２樹脂部５１ｂが剥離しにくくなされている。なお、第２樹脂部５１ｂは、トランスファーモールド法などの金型成形によって、第１樹脂部５１ａやアンカー部５０と同時に形成することができる。
【００４０】
もちろん、図１０に示した発光ダイオードＸ４のように、基板１の下面側から大きく突出するようにして第２樹脂部５１ｃを形成してもよい。この場合にも、第１樹脂部５１ａおよび第２樹脂部５１ｃともに基板１から剥がれにくいといった利点を享受することができる。
【００４１】
次に、本願発明の第３の実施形態に係る発光ダイオードを図１１を参照しつつ簡単に説明する。
【００４２】
本実施形態の発光ダイオードＸ５の基本的な構成も、上述した第１の実施形態の発光ダイオードＸ１と略同様であるが、絶縁基材１ａに形成されたスルーホール１３ａが異径状とされている点において異なっている。本実施形態では、スルーホール１３ａの形状が、上部開口部側から下部開口部側に向かうほど径が大きくなるような形状、すなわち下方に向かうほど拡開するような形状とされている。これにともにない、スルーホール１３ａに充填された樹脂によって構成されるアンカー部５０ａの形状も、下方に向かうほど径が大きくなるような形状とされている。この構成では、アンカー部５０ａの基端部側のほうが径が小さくなっていることから、アンカー部５０ａがスルーホール１３ａから抜けにくくなっており、結局、樹脂パッケージ５が剥がれにくくなされている。なお、陰極２Ａおよび陽極２Ｂに形成された貫通孔２０ａ，２０ｂの径は、図１１に示したようにスルーホール１３ａの上部開口の径と同等としてもよいし、当該上部開口部の径よりも小さくしてもよい。
【００４３】
もちろん、図１２に示した発光ダイオードＸ６のように、スルーホール１３ｂの形状を、下部開口部側から上部開口部側に向かうほど径が大きくなるような形状、すなわち上方に向かうほど拡開するような形状としてもよい。これに応じて、樹脂パッケージ５のアンカー部５０ｂの形状は、先細状とされる。
【００４４】
樹脂パッケージ５を形成する際には、基板１を上下の金型内に収容した状態で型締めし、金型内に溶融樹脂などを注入することによって行われる。そして、基板１の上面側に樹脂パッケージ５を形成する場合には、通常、基板１の上面側から金型内に樹脂を注入することによって行われる。このため、スルーホール１３ｂの上部開口側の径が大きく確保されていれば、スルーホール１３ｂ内に樹脂を充填しやすいといった利点がある。
【００４５】
また、図９や図１０に示した発光ダイオードＸ３，Ｘ４のように、基板の下面側にも樹脂をパッケージングする構成において、スルーホールの形状を上方に向かうほど拡開するような形状とすることもできる。
【００４６】
基板の上面および下面のそれぞれに一括して樹脂をパッケージングする場合には、基板の上面側および下面側の双方に空間が形成されるようにして金型内に基板を収容し、この状態で金型内に樹脂を注入することによって行われる。基板には、上下に貫通するスルーホールおよび貫通孔が形成されていることから、基板を金型内に収容した状態では、基板の上方側の空間と下方側の空間とがスルーホールおよび貫通孔を介して連通している。したがって、樹脂が充填されやすくなされたスルーホールを有する基板では、基板の上方側の空間から下方側の空間に、樹脂が流れ込みやすいといった利点がある。
【００４７】
次に、本願発明の第４の実施形態に係る発光ダイオードを図１３を参照しつつ簡単に説明する。
【００４８】
本実施形態の発光ダイオードＸ７は、今までに説明した発光ダイオードＸ１〜Ｘ６のように、基板１の長手方向の両端部がはみ出すようにして樹脂パッケージ５が形成された構成でなく、樹脂パッケージ５の平面視面積と基板１の平面視面積が同等とされている。このような構成においても、本願発明の技術思想を適用することができる。
【００４９】
また、図１４および図１５に示したように、図１３の発光ダイオードＸ７において、基板１にハンダ付け用の凹部１４を設けた構成の発光ダイオードＸ８も本願発明の適用範囲である。
【００５０】
もちろん、基板１の平面視面積が、樹脂パッケージ５のそれよりも大きくなされ、基板１の長手方向の両端部がはみ出した構成の発光ダイオードＸ１〜Ｘ６において、基板１のはみ出した部分にハンダ付け用の凹部を設けた構成を採用することもできる。
【００５２】
さらに、上述した各実施形態においては、１つのＬＥＤチップ３を有する発光ダイオードＸ１〜８について説明したが、図１６に示した発光ダイオードＸ１０のように、２つのＬＥＤチップ３，３を有するものについても、また３つ以上のＬＥＤチップを有する発光ダイオードについても本願発明を適用できる。
【００５３】
その他、上述した各実施形態においては、発光ダイオードＸ１〜Ｘ８およびＸ１０として構成された半導体装置について説明したが、本願発明の技術思想は、発光ダイオード以外の半導体装置、たとえばレザーダイオードやトランジスタにも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本願発明の第１の実施形態に係る発光ダイオードを表す全体斜視図である。
【図２】 図１のII−II線に沿う断面図である。
【図３】 図１および図２に示した発光ダイオードを製造するために使用するマザー基板の要部を表す斜視図である。
【図４】 図３のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】 図４のマザー基板にＬＥＤチップを実装し、さらにワイヤボンディングを行った状態を表す要部斜視図である。
【図６】 図５の状態のマザー基板の上面側に、樹脂パッケージングを施した状態を表す要部斜視図である。
【図７】 図６のVII −VII 線に沿う断面図である。
【図８】 図１の発光ダイオードの変形例を表す縦断面図である。
【図９】 本願発明の第２の実施形態に係る発光ダイオードを表す縦断面図である。
【図１０】 図９の発光ダイオードの変形例を表す縦断面図である。
【図１１】 本願発明の第３の実施形態に係る発光ダイオードを表す縦断面図である。
【図１２】 図１１の発光ダイオードの変形例を表す縦断面図である。
【図１３】 本願発明の第４の実施形態に係る発光ダイオードを表す縦断面図である。
【図１４】 図１３の発光ダイオードの変形例を表す縦断面図である。
【図１５】 図１４のXV−XV線に沿う断面図である。
【図１６】 本願発明に係る発光ダイオードの変形例を表す縦断面図である。
【図１７】 従来の発光ダイオードの一例を表す全体斜視図である。
【符号の説明】
Ｘ１〜Ｘ１０ 発光ダイオード（半導体装置としての）
１ 基板
１ａ 絶縁基材
１０ 上面（絶縁基材の）
１１ 側面（絶縁基材の）
１２ 下面（絶縁基材の）
１３，１３ａ〜１３ｃ スルーホール（絶縁基材の）
２Ａ 陰極（出力端子として基板に形成された）
２ａ 陰極上面部（陰極の）
２０ａ，２０Ａ 貫通孔（陰極上面部の）
２Ｂ 陽極（入力端子として基板に形成された）
２ｂ 陽極上面部（陽極の）
２０ｂ，２０Ｂ 貫通孔（陽極上面部の）
３ ＬＥＤチップ（半導体チップとしての）
４ ワイヤ
５，５Ｂ 樹脂パッケージ
５０，５０ａ，５０ｂ アンカー部（樹脂パッケージの）

Claims (5)

  1. 絶縁基材の表面に入力端子および出力端子がそれぞれ形成された基板の上面側に、上記入力端子および出力端子の双方に電気的に導通するようにして半導体チップが実装され、この半導体チップを封止するようにして樹脂パッケージが形成されている一方、上記絶縁基材には、その厚み方向に貫通するスルーホールが形成されており、上記樹脂パッケージには、上記スルーホール内に充填されたアンカー部が一体形成されている半導体装置において、
    上記入力端子および出力端子は、上記絶縁基材の上面から側面を介して下面につながっているとともに、これらの端子の少なくとも一方における上面側の部分には、貫通孔が形成されており、かつ、
    この貫通孔が上記スルーホールと連通しているとともに、上記貫通孔の径が、上記スルーホールの上部開口部の径よりも小さくなされていることを特徴とする、半導体装置。
  2. 上記スルーホールは、上部開口部から下部開口部に向かうほど拡開している、請求項１に記載の半導体装置。
  3. 上記樹脂パッケージは、上記基板の上面側および下面側の双方に形成されているとともに、上面側に形成された部分と下面側に形成された部分とが上記アンカー部によってつなげられている、請求項１または２に記載の半導体装置。
  4. 上記スルーホールは、下部開口部から上部開口部に向かうほど拡開している、請求項１に記載の半導体装置。
  5. 上記スルーホールは、平面視において点対称あるいは線対称となるような位置関係に複数個形成されている、請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体装置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008129120A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Nikon Corp カメラ

Families Citing this family (84)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6949822B2 (en) * 2000-03-17 2005-09-27 International Rectifier Corporation Semiconductor multichip module package with improved thermal performance; reduced size and improved moisture resistance
US20030075724A1 (en) * 2001-10-19 2003-04-24 Bily Wang Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes
US6903270B1 (en) * 2000-08-11 2005-06-07 Skyworks Solutions, Inc. Method and structure for securing a mold compound to a printed circuit board
JP2002176184A (ja) * 2000-12-11 2002-06-21 Rohm Co Ltd 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法
JP4904623B2 (ja) * 2001-01-29 2012-03-28 日亜化学工業株式会社 光半導体素子
US6833566B2 (en) * 2001-03-28 2004-12-21 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode with heat sink
JP4264648B2 (ja) * 2001-08-22 2009-05-20 ソニー株式会社 モジュール電子部品の成形方法及び成形装置並びにモジュール電子部品
SG115406A1 (en) * 2001-09-17 2005-10-28 Inst Of Microelectronics An optical device carrier
US6833563B2 (en) * 2001-09-25 2004-12-21 Intel Corporation Multi-stack surface mount light emitting diodes
DE10148120B4 (de) * 2001-09-28 2007-02-01 Infineon Technologies Ag Elektronische Bauteile mit Halbleiterchips und ein Systemträger mit Bauteilpositionen sowie Verfahren zur Herstellung eines Systemträgers
EP1313214B1 (en) 2001-11-16 2020-02-26 SnapTrack, Inc. Packaging substrate and manufacturing method thereof, integrated circuit device and manufacturing method thereof, and saw device
JP4288931B2 (ja) * 2002-11-11 2009-07-01 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE10255932A1 (de) * 2002-11-29 2004-06-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
JP3748849B2 (ja) * 2002-12-06 2006-02-22 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置
CA2515314A1 (en) * 2003-02-05 2004-08-19 Acol Technologies S.A. Light emitting apparatus comprising semiconductor light emitting devices
JP2004342870A (ja) * 2003-05-16 2004-12-02 Stanley Electric Co Ltd 大電流駆動用発光ダイオード
US7919787B2 (en) * 2003-06-27 2011-04-05 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Semiconductor device with a light emitting semiconductor die
JP2005079329A (ja) * 2003-08-29 2005-03-24 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型発光ダイオード
JP4166136B2 (ja) 2003-09-24 2008-10-15 ローム株式会社 チップ型ｌｅｄ
JP4654670B2 (ja) * 2003-12-16 2011-03-23 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP2006093295A (ja) * 2004-09-22 2006-04-06 Nichia Chem Ind Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP4438601B2 (ja) * 2004-10-28 2010-03-24 株式会社ヨコオ 検査ユニットの製法
JP2006128501A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Sanyo Electric Co Ltd 回路装置およびその製造方法
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US8669572B2 (en) 2005-06-10 2014-03-11 Cree, Inc. Power lamp package
CN100538421C (zh) * 2005-06-14 2009-09-09 罗姆股份有限公司 发光装置
KR100784057B1 (ko) 2005-06-24 2007-12-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 발광소자 패키지 제조 방법
JP4417906B2 (ja) * 2005-12-16 2010-02-17 株式会社東芝 発光装置及びその製造方法
JP2007184414A (ja) * 2006-01-06 2007-07-19 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子実装用基板、半導体装置及び電子機器
US7675145B2 (en) 2006-03-28 2010-03-09 Cree Hong Kong Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
US7635915B2 (en) * 2006-04-26 2009-12-22 Cree Hong Kong Limited Apparatus and method for use in mounting electronic elements
US7655957B2 (en) * 2006-04-27 2010-02-02 Cree, Inc. Submounts for semiconductor light emitting device packages and semiconductor light emitting device packages including the same
US7906794B2 (en) * 2006-07-05 2011-03-15 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light emitting device package with frame and optically transmissive element
JP5315607B2 (ja) * 2006-12-07 2013-10-16 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
US9711703B2 (en) 2007-02-12 2017-07-18 Cree Huizhou Opto Limited Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements
JP5135835B2 (ja) * 2007-03-16 2013-02-06 富士通セミコンダクター株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR101409839B1 (ko) * 2007-05-23 2014-06-26 삼성전자주식회사 반도체 패키지
TWI337783B (en) * 2007-07-06 2011-02-21 Harvatek Corp Through hole type led chip package structure using ceramic material as a substrate and method of the same
US10256385B2 (en) 2007-10-31 2019-04-09 Cree, Inc. Light emitting die (LED) packages and related methods
JP2009123823A (ja) * 2007-11-13 2009-06-04 Denki Kagaku Kogyo Kk 発光素子パッケージおよびそれを実装した発光装置
JP5340583B2 (ja) * 2007-11-26 2013-11-13 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
JP5536980B2 (ja) * 2007-11-27 2014-07-02 パナソニック株式会社 実装方法
JP5628475B2 (ja) * 2008-07-22 2014-11-19 日亜化学工業株式会社 表面実装型発光装置の製造方法
JP4544361B2 (ja) * 2008-11-26 2010-09-15 日亜化学工業株式会社 発光装置
US8368112B2 (en) 2009-01-14 2013-02-05 Cree Huizhou Opto Limited Aligned multiple emitter package
US8405115B2 (en) * 2009-01-28 2013-03-26 Maxim Integrated Products, Inc. Light sensor using wafer-level packaging
JP2010182884A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Sanesu:Kk 半導体発光装置、および、発光チップ搭載用配線基板
DE102009012517A1 (de) * 2009-03-10 2010-09-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement
JP2011044593A (ja) * 2009-08-21 2011-03-03 Hitachi Chem Co Ltd Ｌｅｄ基板及びｌｅｄパッケージ
JP5659519B2 (ja) 2009-11-19 2015-01-28 豊田合成株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、発光装置の実装方法及び光源装置
JP5388128B2 (ja) * 2010-01-27 2014-01-15 新電元工業株式会社 樹脂封止型モジュールの製造方法および樹脂封止型モジュール
JP2011176234A (ja) * 2010-02-25 2011-09-08 Citizen Electronics Co Ltd 半導体発光装置
JP5370238B2 (ja) * 2010-03-30 2013-12-18 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
US9012938B2 (en) 2010-04-09 2015-04-21 Cree, Inc. High reflective substrate of light emitting devices with improved light output
JP5781741B2 (ja) * 2010-04-16 2015-09-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
EP2448028B1 (en) 2010-10-29 2017-05-31 Nichia Corporation Light emitting apparatus and production method thereof
JP5748496B2 (ja) * 2011-02-10 2015-07-15 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
KR101865272B1 (ko) * 2011-07-26 2018-06-07 삼성전자주식회사 발광소자 모듈 및 이의 제조방법
US8564004B2 (en) 2011-11-29 2013-10-22 Cree, Inc. Complex primary optics with intermediate elements
CN102544324A (zh) * 2012-01-19 2012-07-04 日月光半导体制造股份有限公司 半导体光源模块
JP6219586B2 (ja) * 2012-05-09 2017-10-25 ローム株式会社 半導体発光装置
USD735683S1 (en) 2013-05-03 2015-08-04 Cree, Inc. LED package
US9461024B2 (en) 2013-08-01 2016-10-04 Cree, Inc. Light emitter devices and methods for light emitting diode (LED) chips
USD758976S1 (en) 2013-08-08 2016-06-14 Cree, Inc. LED package
JP6221864B2 (ja) * 2014-03-17 2017-11-01 豊田合成株式会社 発光装置
US9601670B2 (en) 2014-07-11 2017-03-21 Cree, Inc. Method to form primary optic with variable shapes and/or geometries without a substrate
DE102014112540A1 (de) * 2014-09-01 2016-03-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
US10622522B2 (en) 2014-09-05 2020-04-14 Theodore Lowes LED packages with chips having insulated surfaces
USD790486S1 (en) 2014-09-30 2017-06-27 Cree, Inc. LED package with truncated encapsulant
US10429509B2 (en) * 2014-12-24 2019-10-01 Stmicroelectronics Pte Ltd. Molded proximity sensor
USD777122S1 (en) 2015-02-27 2017-01-24 Cree, Inc. LED package
USD783547S1 (en) 2015-06-04 2017-04-11 Cree, Inc. LED package
JP6110528B2 (ja) * 2016-02-03 2017-04-05 京セラコネクタプロダクツ株式会社 半導体発光素子用ホルダ、及び、半導体発光素子モジュール
JP6667331B2 (ja) * 2016-03-24 2020-03-18 古河電気工業株式会社 金属部材と樹脂モールドとの複合体
JP7189413B2 (ja) * 2017-07-06 2022-12-14 日亜化学工業株式会社 発光装置
US10707384B2 (en) * 2017-07-06 2020-07-07 Nichia Corporation Light-emitting device
JP7053249B2 (ja) * 2017-12-22 2022-04-12 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
CN110197867A (zh) 2018-02-26 2019-09-03 世迈克琉明有限公司 半导体发光器件及其制造方法
DE102018116327A1 (de) * 2018-07-05 2020-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils
KR102654494B1 (ko) * 2018-09-03 2024-04-04 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자 패키지
JP7211784B2 (ja) * 2018-12-04 2023-01-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JP7211783B2 (ja) * 2018-12-04 2023-01-24 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置及びその製造方法
JPWO2022114086A1 (ja) * 2020-11-27 2022-06-02
CN114824040B (zh) * 2022-07-01 2022-11-08 广东中科半导体微纳制造技术研究院 半导体封装器件

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5136366A (en) * 1990-11-05 1992-08-04 Motorola, Inc. Overmolded semiconductor package with anchoring means
FR2722915B1 (fr) * 1994-07-21 1997-01-24 Sgs Thomson Microelectronics Boitier bga a moulage par injection
JPH08148608A (ja) * 1994-09-20 1996-06-07 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法及び半導体装置用基板
JP3302203B2 (ja) 1994-10-21 2002-07-15 株式会社シチズン電子 発光ダイオード
JPH08316364A (ja) * 1995-05-16 1996-11-29 Toshiba Corp 半導体装置
JP3311914B2 (ja) 1995-12-27 2002-08-05 株式会社シチズン電子 チップ型発光ダイオード

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008129120A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Nikon Corp カメラ

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Publication number Publication date
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