JP6219586B2 - 半導体発光装置 - Google Patents
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Description
y (第2)方向
z (第3)方向
101,102 半導体発光装置
200 基板
210 基材
210a 上面(第1主面)
210b 下面(第2主面)
210c 側面(第1側面)
210d 側面(第2側面)
210e 側面(第3側面)
210f 側面(第4側面)
220 配線パターン
220A,220B,220C 導電層
220D メッキ層
221,222 ボンディング部
221A 延出部(第1延出部)
222A 延出部(第2延出部)
221b 開口(第1開口)
221c 突出部(第1突出部)
221d 突出部(第2突出部)
221e 先端縁
221f 先端縁
221g 切欠き
223,224 迂回部
223a,224a 端面(第1端面)
225,226 実装部(第1実装部)
225a,226a 端面(第2端面)
227,228 実装部(第2実装部)
231,232 レジスト膜
231a 開口(第2開口)
300 LEDチップ
400 ワイヤ
500 樹脂パッケージ
510 土台部
510a 側面(土台部第1側面)
510b 側面(土台部第2側面)
510c,510d 側面
520a レンズ
Claims (23)
- 基材およびこの基材上に形成された配線パターンを有する基板と、
上記基板に搭載されたLEDチップと、
上記LEDチップを覆い、上記LEDチップの正面に位置するレンズを有する樹脂パッケージと、を備え、
上記基材は、第1方向の一方側を向き、上記LEDチップが搭載される面である第1主面と、上記第1方向の他方側を向き、上記第1主面と平行である第2主面と、上記第1および第2主面のいずれにもつながり、上記第1方向に垂直である第2方向の一方側および他方側を向き、互いに平行な第1側面および第2側面と、上記第1および第2方向のいずれにも垂直である第3方向の一方側および他方側を向き、互いに平行な第3側面および第4側面と、を有し、
上記配線パターンは、上記第2主面に形成され、上記第3方向において離間し、上記第2主面における上記第2方向一方側の端部を覆う1対の第1実装部と、上記第1実装部につながり、かつ上記第3および第4側面にそれぞれ形成され、上記第3および第4側面における上記第2方向の一方側である上記第1側面寄りの端部を覆う1対の迂回部と、上記第2方向一方側を向き、かつ上記第1側面よりも上記第2方向一方側に位置し、上記第3方向において離間する1対の第2実装部と、を有し、
上記配線パターンは、上記基材上に形成される導電層と、上記導電層の少なくとも一部を覆うメッキ層と、を含み、
上記迂回部および第1実装部の各々は、上記導電層に上記メッキ層が積層された構成とされており、
上記迂回部を構成する上記導電層における上記第2方向一方側の端面である第1端面、および上記第1実装部を構成する上記導電層における上記第2方向一方側の端面である第2端面は、上記第1側面と面一状とされ、かつ上記メッキ層によって覆われており、
上記第2実装部は、上記第1および第2端面を覆う上記メッキ層を含んで構成される、半導体発光装置。 - 上記樹脂パッケージは、上記レンズよりも上記基板寄りに位置する土台部を有する、請求項1に記載の半導体発光装置。
- 上記土台部は、上記基材における上記第1側面と面一状とされた土台部第1側面を有する、請求項2に記載の半導体発光装置。
- 上記土台部の上記第1方向の厚さは、上記基材の上記第1方向の厚さよりも大きい、請求項2または3に記載の半導体発光装置。
- 上記基板、上記LEDチップ、および上記樹脂パッケージを含めた全体の重心が、上記第2主面から上記レンズの頂点までの間の中心よりも上記基板側に位置している、請求項2ないし4のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 上記基材は、上記第2方向の他方側を向き、上記第1側面と平行な第2側面を有し、
上記第1方向から見て、上記レンズの中心は、上記第1側面と上記第2側面との間の中心よりも上記第2方向における片側に寄っている、請求項5に記載の半導体発光装置。 - 上記土台部は、上記土台部第1側面と平行な土台部第2側面を有する、請求項3に記載の半導体発光装置。
- 上記土台部第2側面は、上記基材における上記第2側面と面一状である、請求項7に記載の半導体発光装置。
- 上記配線パターンは、いずれか一方に上記LEDチップが搭載され、上記第1主面に形成された1対のボンディング部を有し、
上記1対のボンディング部は、各々が上記1対の第1実装部のうちのいずれかと導通している、請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 上記1対の迂回部は、上記第3および第4側面における上記第2方向一方側の端部から上記第2方向他方側の端部に至る範囲を覆っており、
上記1対の第1実装部は、上記第2主面における上記第2方向一方側の端部から上記第2方向他方側の端部に至る範囲を覆う、請求項1ないし9のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 上記第1および第2端面を覆う上記メッキ層の端縁は、上記第1側面を覆う、請求項1ないし10のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 上記導電層は、Cuを含む、請求項1ないし11のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 上記1対のボンディング部は、上記第3方向の一方側から他方側に延びる第1延出部を有する第1ボンディング部と、
上記第3方向の他方側から一方側に延びる第2延出部を有する第2ボンディング部と、を含み、
上記LEDチップは、上記第1延出部に搭載される、請求項9に記載の半導体発光装置。 - 上記第1延出部の上記第2方向における長さは、上記基材の上記第2方向における長さの1/2以上である、請求項13に記載の半導体発光装置。
- 上記第1延出部には、上記LEDチップよりも上記第3方向一方側に位置し、上記第1方向に貫通する第1開口が形成されている、請求項13または14に記載の半導体発光装置。
- 上記第1延出部は、上記第3方向視において上記LEDチップと重なり、かつ上記第3方向の他方側に突き出る第1突出部を有し、
上記LEDチップから上記第1突出部の上記第3方向における他方側の先端縁までの長さは、上記LEDチップの上記第2方向における長さの1倍以上である、請求項13ないし15のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 上記第1延出部は、上記第2方向における両側端寄りにおいて上記第3方向の他方側に突き出る第2突出部を有する、請求項16に記載の半導体発光装置。
- 上記第2突出部の上記第3方向における他方側の先端縁は、上記第1突出部の上記先端縁よりも上記第3方向の他方側に位置する、請求項17に記載の半導体発光装置。
- 上記LEDチップには、上記第2延出部に一端がボンディングされたワイヤの他端がボンディングされている、請求項13ないし18のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 上記第2延出部は、上記第3方向視において上記LEDチップと重ならない位置にある、請求項13ないし19のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 上記第1および第2ボンディング部と上記樹脂パッケージとの間に介在し、かつ上記第1ボンディング部の一部を露出させる第2開口を有するレジスト膜を備え、
上記LEDチップは、上記第1延出部のうち上記レジスト膜の上記第2開口から露出する部位に搭載されている、請求項13ないし20のいずれかに記載の半導体発光装置。 - 上記レンズは、その光軸が上記第1方向に沿い、かつ中心から周部に向かうほど曲率が小さくなる非球面である、請求項1ないし21のいずれかに記載の半導体発光装置。
- 上記レンズの直径は、上記LEDチップの上記第1方向視における一辺の長さの6倍以上である、請求項1ないし22のいずれかに記載の半導体発光装置。
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JP2014135471A (ja) * | 2012-12-10 | 2014-07-24 | Nitto Denko Corp | 発光装置、発光装置集合体および電極付基板 |
US20140264419A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | University-Industry Foundation (Uif) | Phosphor film, and light emitting device and system using the same |
DE102013114345A1 (de) * | 2013-12-18 | 2015-06-18 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
JP6318844B2 (ja) * | 2014-05-20 | 2018-05-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN107113881B (zh) * | 2014-09-26 | 2021-01-15 | 韩国电子通信研究院 | 无线电信道接入方法和设备 |
US10411173B2 (en) | 2015-03-31 | 2019-09-10 | Nichia Corporation | Light emitting device and light emitting module using the same |
JP6183487B2 (ja) * | 2015-03-31 | 2017-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とそれを用いた発光モジュール |
JP6327232B2 (ja) | 2015-10-30 | 2018-05-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュールの製造方法 |
JP6447580B2 (ja) * | 2016-06-15 | 2019-01-09 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2018014410A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | ミネベアミツミ株式会社 | 面状照明装置 |
JP7010547B2 (ja) * | 2017-11-17 | 2022-01-26 | ローム株式会社 | 電子装置 |
KR101971436B1 (ko) * | 2017-12-22 | 2019-04-23 | 주식회사 에이유이 | 탑뷰 및 사이드뷰 실장이 가능한 cob 타입 엘이디 패키지 및 그 제조 방법 |
CN112567741A (zh) * | 2018-07-13 | 2021-03-26 | Lg电子株式会社 | 图像编码系统中使用帧内预测信息的图像解码方法和装置 |
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Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2514414B2 (ja) | 1988-11-14 | 1996-07-10 | ローム株式会社 | プリント基板に対する発光素子の樹脂封止構造 |
JPH0617259U (ja) | 1992-08-04 | 1994-03-04 | 株式会社小糸製作所 | モジュールタイプledのモールド構造 |
JPH1050734A (ja) | 1996-07-31 | 1998-02-20 | Shichizun Denshi:Kk | チップ型半導体 |
JPH10144963A (ja) | 1996-11-05 | 1998-05-29 | Sanyo Electric Co Ltd | Led光源及びその製造方法 |
JP3784976B2 (ja) * | 1998-12-22 | 2006-06-14 | ローム株式会社 | 半導体装置 |
JP2000196153A (ja) * | 1998-12-25 | 2000-07-14 | Rohm Co Ltd | チップ電子部品およびその製造方法 |
JP2000294833A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Matsushita Electronics Industry Corp | 表面実装型半導体発光装置及びその吸着実装方法 |
JP2001196641A (ja) * | 2000-01-14 | 2001-07-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 表面実装型の半導体装置 |
JP3930710B2 (ja) * | 2000-09-13 | 2007-06-13 | シチズン電子株式会社 | チップ型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP3736679B2 (ja) | 2001-07-18 | 2006-01-18 | 日立エーアイシー株式会社 | プリント配線板 |
JP3905343B2 (ja) * | 2001-10-09 | 2007-04-18 | シチズン電子株式会社 | 発光ダイオード |
JP3939145B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2007-07-04 | シャープ株式会社 | 側面発光型の表面実装型発光ダイオード |
JP3716252B2 (ja) * | 2002-12-26 | 2005-11-16 | ローム株式会社 | 発光装置及び照明装置 |
JP4030463B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2008-01-09 | 三洋電機株式会社 | Led光源及びその製造方法 |
JP4953578B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2006245032A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-09-14 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置およびledランプ |
JP4771135B2 (ja) * | 2006-01-12 | 2011-09-14 | 日立化成工業株式会社 | プリント配線板、それを使用したled装置及びプリント配線板の製造方法 |
JP4049186B2 (ja) * | 2006-01-26 | 2008-02-20 | ソニー株式会社 | 光源装置 |
JP2008041811A (ja) | 2006-08-03 | 2008-02-21 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 配線基板および多数個取り配線基板ならびにその製造方法 |
JP2008042064A (ja) * | 2006-08-09 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | セラミック配線基板とそれを用いた光学デバイス装置、パッケージおよびセラミック配線基板の製造方法 |
JP2008053290A (ja) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Rohm Co Ltd | 光半導体装置およびその製造方法 |
US7808013B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
JP5115038B2 (ja) * | 2007-06-06 | 2013-01-09 | ソニー株式会社 | 発光装置、面光源装置及び画像表示装置 |
JP5179106B2 (ja) | 2007-07-13 | 2013-04-10 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP2009032746A (ja) * | 2007-07-24 | 2009-02-12 | Harison Toshiba Lighting Corp | 発光装置及び発光ユニット |
JP2009158660A (ja) * | 2007-12-26 | 2009-07-16 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型発光ダイオードおよび発光装置 |
JP2009164176A (ja) * | 2007-12-28 | 2009-07-23 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置 |
US10008637B2 (en) * | 2011-12-06 | 2018-06-26 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods with reduced dimensions and improved light output |
US8431951B2 (en) * | 2009-10-01 | 2013-04-30 | Excelitas Canada, Inc. | Optoelectronic devices with laminate leadless carrier packaging in side-looker or top-looker device orientation |
WO2011109442A2 (en) * | 2010-03-02 | 2011-09-09 | Oliver Steven D | Led packaging with integrated optics and methods of manufacturing the same |
MY170920A (en) * | 2010-11-02 | 2019-09-17 | Carsem M Sdn Bhd | Leadframe package with recessed cavity for led |
JP2012186450A (ja) * | 2011-02-16 | 2012-09-27 | Rohm Co Ltd | Ledモジュール |
JP2011146735A (ja) * | 2011-03-22 | 2011-07-28 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置の製造方法 |
US9496466B2 (en) * | 2011-12-06 | 2016-11-15 | Cree, Inc. | Light emitter devices and methods, utilizing light emitting diodes (LEDs), for improved light extraction |
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