JP6553143B2 - 半導体発光装置 - Google Patents

Description

本発明は、光源としてＬＥＤチップを備える半導体発光装置に関する。

従来から、ＬＥＤチップを光源とする種々の半導体発光装置が知られている。半導体発光装置の一例としては、リードと、ＬＥＤチップと、樹脂パッケージと、を備え、いわゆる砲弾型のＬＥＤランプとして構成されたものがある。リードには、ＬＥＤチップが搭載されている。樹脂パッケージは、ＬＥＤチップからの光を透過させる材質からなり、ＬＥＤチップとリードの一部とを覆っている。樹脂パッケージには、レンズが形成されている。このような半導体発光装置は、たとえば特許文献１に記載されている。

特許文献１に記載された半導体発光装置は、同文献の図１〜５に示されるように、１対のリードと、ＬＥＤチップと、樹脂パッケージとを備える。１対のリードのうち樹脂パッケージから露出した部分は、面実装用の実装部、および連結部とされている。より詳細には、実装部は、光軸方向と垂直方向に延びる部分（実装部１１Ａ，１１Ｂ）と、光軸方向に延びる部分（実装部１２Ａ，１２Ｂ）と、を有している。光軸方向と垂直方向に延びる実装部（実装部１１Ａ，１１Ｂ）を回路基板に実装する場合には、回路基板が向く方向に光を出射するトップビュー型の光源として用いられる。一方、光軸方向に延びる実装部（実装部１２Ａ，１２Ｂ）を用いて実装する場合、回路基板が広がる方向に光を出射するサイドビュー型の光源として用いられる。上記の実装部および連結部は、リードのうち樹脂パッケージから露出した部分を折り曲げることによって形成される。

しかしながら、上記のような実装部や連結部を形成する際には、リードを複数回折り曲げる必要がある。また、リードを折り曲げることによって形成される実装部によると、回路基板への実装時に半導体発光装置が所望の姿勢をとるためには、リードの折り曲げを精度よく行うことが必要とされる。このようなことから、リードの折り曲げによって形成された実装部を備えた半導体発光装置は、比較的に製造し難いものとなっており、製造コストが高くつく傾向にある。さらに、リードの折り曲げによって形成された実装部は、樹脂パッケージから離れた位置にある。このことは、半導体発光装置の小型化の妨げとなる。

特開２００９−２１４７２号公報

本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、トップビュー型およびサイドビュー型のいずれの光源として用いる場合にも所望の姿勢での面実装を可能とし、かつ、小型化を図るのに適した半導体発光装置を提供することをその主たる課題とする。

本発明によって提供される半導体発光装置は、基材およびこの基材上に形成された配線パターンを有する基板と、上記基板に搭載されたＬＥＤチップと、上記ＬＥＤチップを覆い、上記ＬＥＤチップの正面に位置するレンズを有する樹脂パッケージと、を備え、上記基材は、第１方向の一方側を向き、上記ＬＥＤチップが搭載される面である第１主面と、上記第１方向の他方側を向き、上記第１主面と平行である第２主面と、上記第１および第２主面のいずれにもつながり、上記第１方向に垂直である第２方向の一方側を向く第１側面と、を有し、上記配線パターンは、上記第２主面に形成され、上記第１および第２方向のいずれにも垂直である第３方向において離間する１対の第１実装部と、上記第２方向一方側を向き、かつ上記第１側面よりも上記第２方向一方側に位置し、上記第３方向において離間する１対の第２実装部と、を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記樹脂パッケージは、上記レンズよりも上記基板寄りに位置する土台部を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２主面から上記土台部の上記第１方向一方端までの長さは、上記第２主面から上記レンズの中心までの長さの１／２以上である。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記土台部は、上記基材における上記第１側面と面一状とされた土台部第１側面を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記土台部の上記第１方向の厚さは、上記基材の上記第１方向の厚さよりも大きい。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板、上記ＬＥＤチップ、および上記樹脂パッケージを含めた全体の重心が、上記第２主面から上記レンズの頂点までの間の中心よりも上記基板側に位置している。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、上記第２方向の他方側を向き、上記第１側面と平行な第２側面を有し、上記第１方向から見て、上記レンズの中心は、上記第１側面と上記第２側面との間の中心よりも上記第２方向における片側に寄っている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、上記第２方向の他方側を向き、上記第１側面と平行な第２側面を有し、上記土台部は、上記土台部第１側面と平行な土台部第２側面を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記土台部第２側面は、上記基材における上記第２側面と面一状である。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記配線パターンは、いずれか一方に上記ＬＥＤチップが搭載され、上記第１主面に形成された１対のボンディング部を有し、上記１対のボンディング部は、各々が上記１対の第１実装部のうちのいずれかと導通している。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記基材は、第３方向の一方側および他方側を向き、互いに平行な第３側面および第４側面を有し、上記配線パターンは、上記第１実装部および上記ボンディング部のいずれにもつながり、上記第３および第４側面にそれぞれ形成された１対の迂回部を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記１対の迂回部は、上記第３および第４側面における上記第２方向の一方側である上記第１側面寄りの端部を覆っており、上記１対の第１実装部は、上記第２主面における上記第２方向一方側の端部を覆う。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記１対の迂回部は、上記第３および第４側面における上記第２方向一方側の端部から上記第２方向他方側の端部に至る範囲を覆っており、上記１対の第１実装部は、上記第２主面における上記第２方向一方側の端部から上記第２方向他方側の端部に至る範囲を覆う。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記配線パターンは、上記基材上に形成される導電層と、上記導電層の少なくとも一部を覆うメッキ層と、を含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記迂回部および第１実装部の各々は、上記導電層に上記メッキ層が積層された構成とされている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記迂回部を構成する上記導電層における上記第２方向一方側の端面である第１端面、および上記第１実装部を構成する上記導電層における上記第２方向一方側の端面である第２端面は、上記メッキ層によって覆われている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１および第２端面は、上記第１側面と面一状とされており、上記第２実装部は、上記第１および第２端面を覆う上記メッキ層を含んで構成される。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１および第２端面を覆う上記メッキ層の端縁は、上記第１側面を覆う。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記導電層は、Ｃｕを含む。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記１対のボンディング部は、上記第３方向の一方側から他方側に延びる第１延出部を有する第１ボンディング部と、上記第３方向の他方側から一方側に延びる第２延出部を有する第２ボンディング部と、を含み、上記ＬＥＤチップは、上記第１延出部に搭載される。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部の上記第２方向における長さは、上記基材の上記第２方向における長さの１／２以上である。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部には、上記ＬＥＤチップよりも上記第３方向一方側に位置し、上記第１方向に貫通する第１開口が形成されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、上記第３方向視において上記ＬＥＤチップと重なり、かつ上記第３方向の他方側に突き出る第１突出部を有し、上記ＬＥＤチップから上記第１突出部の上記第３方向における他方側の先端縁までの長さは、上記ＬＥＤチップの上記第２方向における長さの１倍以上である。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１延出部は、上記第２方向における両側端寄りにおいて上記第３方向の他方側に突き出る第２突出部を有する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２突出部の上記第３方向における他方側の先端縁は、上記第１突出部の上記先端縁よりも上記第３方向の他方側に位置する。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記ＬＥＤチップには、上記第２延出部に一端がボンディングされたワイヤの他端がボンディングされている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２延出部は、上記第３方向視において上記ＬＥＤチップと重ならない位置にある。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１および第２ボンディング部と上記樹脂パッケージとの間に介在し、かつ上記第１ボンディング部の一部を露出させる第２開口を有するレジスト膜を備え、上記ＬＥＤチップは、上記第１延出部のうち上記レジスト膜の上記第２開口から露出する部位に搭載されている。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記レンズは、その光軸が上記第１方向に沿い、かつ中心から周部に向かうほど曲率が小さくなる非球面である。

本発明の好ましい実施の形態においては、上記レンズの直径は、上記ＬＥＤチップの上記第１方向視における一辺の長さの６倍以上である。

本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。

本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置を示す斜視図である。 図１の半導体発光装置を示す平面図である。 図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図３の部分拡大図である。 図２のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。 図５の部分拡大図である。 図２のＶＩＩ−ＶＩＩ線に沿う断面図である。 図７の部分拡大図である。 図３のＩＸ−ＩＸ線に沿う断面図である。 図９の部分拡大図である。 図１の半導体発光装置の製造方法の一工程を示す斜視図である。 図１１に続く工程を示す斜視図である。 図１２に続く工程を示す斜視図である。 図１３に続く工程を示す斜視図である。 図１の半導体発光装置を回路基板に実装した状態の一例を示す側面図である。 図１の半導体発光装置を回路基板に実装した状態の一例を示す側面図である。 本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 図１７のＸＶＩＩＩ−ＸＶＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１７の半導体発光装置の製造方法の一工程を示す平面図である。 図１７の半導体発光装置を回路基板に実装した状態の一例を示す側面図である。 本発明の第３実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 本発明の第４実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 本発明の第５実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 本発明の第６実施形態に係る半導体発光装置を示す平面図である。 図２４のＸＸＶ−ＸＸＶ線に沿う断面図である。 半導体発光装置の放熱性に関して行ったシミュレーション解析の結果を表すグラフである。

以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。

図１〜図１０は、本発明の第１実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０１は、基板２００、ＬＥＤチップ３００、ワイヤ４００、および樹脂パッケージ５００を備えている。なお、説明の便宜上、図１を基準として上下の方向を特定することにする。

図１〜図３に示すように、基板２００は、基材２１０および基材２１０に形成された配線パターン２２０からなる。

基材２１０は、直方体状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。基材２１０は、互いに平行な上面２１０ａおよび下面２１０ｂと、互いに平行な側面２１０ｃおよび側面２１０ｄと、互いに平行な側面２１０ｅおよび側面２１０ｆとを有する。上面２１０ａは方向ｘの一方側を向く平面であり、下面２１０ｂは方向ｘの他方側を向く平面である。側面２１０ｃは、方向ｘに垂直である方向ｙの一方側を向く平面であり、側面２１０ｄは方向ｙの他方側を向く平面である。側面２１０ｅは、方向ｘおよび方向ｙのいずれにも垂直である方向ｚの一方側を向く平面であり、側面２１０ｆは方向ｚの他方側を向く平面である。側面２１０ｃ，２１０ｄは、方向ｚを長手方向とする長矩形状である。側面２１０ｅ，２１０ｆは、方向ｙを長手方向とする長矩形状である。本実施形態においては、基材２１０における方向ｚの長さは、基材２１０における方向ｙの長さよりも大とされている。基材２１０の寸法の一例を挙げると、方向ｚの長さが２．９ｍｍ程度、方向ｙの長さが２．５ｍｍ程度、厚さが０．７ｍｍ程度である。

図１、図３に示すように、配線パターン２２０は、たとえばＣｕ、Ｎｉ、ＡｇまたはＡｕなどの金属からなり、ボンディング部２２１，２２２、迂回部２２３，２２４、および実装部２２５，２２６，２２７，２２８を有する。ボンディング部２２１，２２２は、基材２１０の上面２１０ａに形成されている。一方のボンディング部２２１には、ＬＥＤチップ３００がボンディングされている。迂回部２２３，２２４は、ボンディング部２２１，２２２につながっており、基材２１０の側面２１０ｅ，２１０ｆに形成されている。実装部２２５，２２６は、基材２１０の下面２１０ｂに形成されており、方向ｚにおいて互いに離間している。実装部２２５，２２６は、迂回部２２３，２２４につながっている。実装部２２７，２２８は、方向ｙ一方側を向いている。実装部２２５，２２６および実装部２２７，２２８は、半導体発光装置１０１をたとえば回路基板に実装するために用いられる。実装部２２５，２２６を用いると、下面２１０ｂを回路基板に向けて面実装することができる。配線パターン２２０のより詳細な構成については後述する。

図３に示すＬＥＤチップ３００は、たとえばＡｌＧａＩｎＰからなるｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層が積層された４元系の半導体層を有する構造とされており、たとえばオレンジ色の光を発する。ＬＥＤチップ３００には、２つの電極（図示略）が形成されている。一方の電極は、ボンディング部２２１に搭載される面（図面を基準として下面）に設けられており、図示しない導電性ペーストを介してボンディング部２２１に接合されている。他方の電極は、ボンディング部２２１に搭載される面とは反対側の面（図面を基準として上面）に設けられている。他方の電極には、ワイヤ４００の一端がボンディングされている。ワイヤ４００の他端は、ボンディング部２２２にボンディングされている。本実施形態においては、ＬＥＤチップ３００には１つのワイヤ４００のみがボンディングされており、いわゆる１ワイヤタイプとして構成されている。ＬＥＤチップ３００の寸法の一例を挙げると、方向ｘ視において一辺が２６０μｍ程度の正方形状であり、厚さが１７０μｍ程度である。なお、ＬＥＤチップ３００は、たとえばＩｎＧａＮなどから構成された半導体層を有する緑色の光を発するものでもよいし、青色発光タイプでもよい。

図１〜図３に示すように、樹脂パッケージ５００は、ＬＥＤチップ３００と基材２１０の上面２１０ａとを覆っており、ＬＥＤチップ３００からの光を透過させることが可能なたとえばエポキシ樹脂またはシリコーン樹脂からなる。樹脂パッケージ５００は、土台部５１０と、ドーム状部５２０とを有する。ドーム状部５２０は、方向ｘ一方側に膨出しており、ドーム状部５２０の先端寄りの部分には、レンズ５２０ａが形成されている。レンズ５２０ａは、ＬＥＤチップ３００の正面に位置しており、その光軸Ｌａが方向ｘに沿って延びるものとされている。レンズ５２０ａは、ＬＥＤチップ３００からの光の指向性を高めるためのものである。本実施形態において、レンズ５２０ａは、非球面状とされており、中心から周部に向かうほど曲率が小さくなっている。

土台部５１０は、レンズ５２０ａよりも基板２００寄りに位置しており、方向ｙにおける両側からドーム状部５２０を挟んでいる。土台部５１０は、側面５１０ａ，５１０ｂ，５１０ｃ，５１０ｄを有する。側面５１０ａは、方向ｙの一方側を向く平面であり、図２に示すように、基材２１０の側面２１０ｃと面一状とされている。側面５１０ｂは、方向ｙの他方側を向く平面であり、基材２１０の側面２１０ｄと面一状である。側面５１０ｃ，５１０ｄは、側面５１０ａ，５１０ｂの両方につながっており、ｘｙ平面に対して傾斜している。本実施形態においては、側面５１０ｃ，５１０ｄは、基材２１０に近づく（方向ｘの他方側に向かう）につれて、方向ｘ視においてＬＥＤチップ３００から遠ざかるように傾斜している。また、土台部５１０の基板２００（配線パターン２２０）との接触界面部分における方向ｚの幅Ｗ１は、基板２００の方向ｚの幅Ｗ２よりも小さくなっている。これにより、基材２１０の上面２１０ａに形成され配線パターン２２０（ボンディング部２２１，２２２）については、方向ｚの端部において土台部５１０から露出している。

半導体発光装置１０１の方向ｘにおける寸法の一例を挙げると（図３参照）、基材２１０の下面２１０ｂからレンズ５２０ａの中心までの長さＬ１が３．３ｍｍ程度、下面２１０ｂから土台部５１０の方向ｘ一方端までの長さＬ２が１．７ｍｍ程度である。上記長さＬ２は、上記長さＬ１の１／２以上とされている。図３に示すように、土台部５１０の方向ｘにおける厚さＬ３は、基材２１０の方向ｘにおける厚さｔよりも大きくなっている。土台部５１０の厚さＬ３が大きいほうが、後述するサイドビュー型としての実装時における姿勢が安定するが、レンズ５２０ａの指向性との関係もある。したがって、ＬＥＤチップ３００の上面の中心から所定の角度αの光は土台部５１０に当たらないように土台部５１０の厚さＬ３を設定している。上記角度αはたとえば５５°であり、４５°〜６０°が好ましい範囲である。また、本実施形態においては、図３に示すように、基板２００、ＬＥＤチップ３００、および樹脂パッケージ５００を含めた全体の重心Ｇが、基材２１０の下面２１０ｂからレンズ５２０ａの頂点までの間の中心Ｃよりも基板２００側に位置している。

図１、図２、図９から理解されるように、本実施形態の配線パターン２２０において、迂回部２２３，２２４は、方向ｙの一方側（側面２１０ｃ寄り）の端部から他方側の端部に至る範囲を覆っている。また、図１、図５、図７から理解されるように、実装部２２５，２２６は方向ｙの一方側の端部から他方側の端部に至る範囲を覆っており、ボンディング部２２１，２２２は、方向ｙの一方側の端部から他方側の端部に至る範囲を覆う部分を有する。

配線パターン２２０は、導電層にメッキ層が積層された構成を有する。本実施形態において、配線パターン２２０は、図４、図６、図８、図１０に示すように、導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃおよびメッキ層２２０Ｄが積層された構成を有する。たとえば、導電層２２０ＡはＣｕからなり、導電層２２０ＢはＮｉからなり、導電層２２０ＣはＡｕからなり、メッキ層２２０ＤはＳｎからなる。メッキ層２２０Ｄは、上記導電層のうち樹脂パッケージ５００に覆われていない部分を覆っている。

より詳細には、図３、図４、図９、図１０から理解されるように、迂回部２２３，２２４は、導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃおよびメッキ層２２０Ｄが積層された構成である。図９、図１０から理解されるように、迂回部２２３，２２４を構成する導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃにおける方向ｙ一方側の端面２２３ａ，２２４ａは、基材２１０の側面２１０ｃと面一状である。端面２２３ａ，２２４ａはメッキ層２２０Ｄによって覆われており、端面２２３ａ，２２４ａを覆うメッキ層２２０Ｄは実装部２２７，２２８を構成している。図５〜図８から理解されるように、実装部２２５，２２６は、導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃおよびメッキ層２２０Ｄが積層された構成である。実装部２２５，２２６を構成する導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃにおける方向ｙ一方側の端面２２５ａ，２２６ａは、基材２１０の側面２１０ｃと面一状である。端面２２５ａ，２２６ａはメッキ層２２０Ｄによって覆われており、端面２２５ａ，２２６ａを覆うメッキ層２２０Ｄは実装部２２７，２２８を構成している。この端面２２５ａ，２２６ａを覆うメッキ層２２０Ｄの端縁は、側面２１０ｃ側に少しはみだすことにより側面２１０ｃの周縁の一部を覆っている。本実施形態において、実装部２２７，２２８を構成するメッキ層２２０Ｄは、側面２１０ｃを実質的に避けて形成される。これにより、実装部２２７，２２８は、側面２１０ｃの略すべてを露出させている。

配線パターン２２０の各層の厚さの一例を挙げると、導電層２２０Ａが２０μｍ程度、導電層２２０Ｂが１０μｍ程度、導電層２２０Ｃが０．２μｍ程度、メッキ層２２０Ｄが８μｍ程度である。なお、図２、図５、図７、図９においては、メッキ層２２０Ｄの厚さを強調して表している。

配線パターン２２０において、方向ｙの一方側（側面２１０ｃ寄り）の端部は、コの字状に露出しており、メッキ層２２０Ｄの厚さ分だけ側面２１０ｃよりも方向ｙ一方側に突出する。配線パターン２２０のうち、方向ｙ一方側を向き、かつ側面２１０ｃよりも方向ｙ一方側に位置する部分が、実装部２２７，２２８とされている。実装部２２７，２２８は、方向ｚにおいて互いに離間している。実装部２２７，２２８を用いると、側面２１０ｃを回路基板に向けて面実装することができる。

半導体発光装置１０１の製造方法の一例を図１１〜図１４を参照して説明する。まず、図１１に示すように、基材２１０の材料となる基材集合体２１０’を準備する。基材集合体２１０’は、ｘｚ平面に沿う横断面を有し、方向ｙに沿ってバー状に延びている。ついで、図１２に示すように、基材集合体２１０’に導体パターン２２０’を形成する。導体パターン２２０’は、導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃを構成する金属材料を順次積層したものであり、基材集合体２１０’の方向ｚにおける両側に形成されている。導体パターン２２０’は、上記したボンディング部２２１，２２２、迂回部２２３，２２４、実装部２２５，２２６となるべき部分が方向ｙに沿って連続する形状である。ついで、図１３に示すように、導体パターン２２０’の所定部位（ボンディング部２２１に対応する部分）にＬＥＤチップ３００を搭載する。ついで、ＬＥＤチップ３００にワイヤ４００をボンディングする。ついで、図１４に示すように、基材集合体２１０’上に樹脂モールド５００’を形成する。樹脂モールド５００’は、上記した樹脂パッケージ５００となるべき部分が方向ｙに沿って連続する形状である。このようにして半導体発光装置集合体１０１’（以下、集合体１０１’という）を得る。ついで、集合体１０１’を、方向ｙにおいて一定間隔を隔ててｘｚ平面に沿って切断することにより、分割体（図示略）を得る。当該分割体は、メッキ層２２０Ｄを備えていない点において、半導体発光装置１０１と異なる。当該分割体の一方の切断部端面は、基材２１０の端面（たとえば側面２１０ｃ）と、樹脂パッケージ５００の端面（たとえば土台部５１０の側面５１０ａ）と、導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃの端面とを含み、これら端面は、面一状である。また、上記分割体の他方の切断部端面は、基材２１０の端面（方向ｙにおいて側面２１０ｃと反対側に位置する側面２１０ｄ）と、樹脂パッケージ５００の端面（方向ｙにおいて側面５１０ａと反対側に位置する側面５１０ｂ）と、導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃの端面とを含み、これら端面は、面一状である。ついで、分割体における金属露出部にメッキ層２２０Ｄを形成することにより、半導体発光装置１０１が得られる。

なお、このような製造方法を経ることにより、配線パターン２２０のうち実装部２２７，２２８（第２実装部）と方向ｙにおいて反対側に位置する部分は、側面２１０ｄよりも上記方向ｙにおける反対側にメッキ層２２０Ｄの厚さ分だけ突出している。このようなことから理解されるように、配線パターン２２０のうち実装部２２７，２２８と方向ｙにおいて反対側に位置する部分は、実装部２２７，２２８と同様の構成となっている。したがって、側面２１０ｃと方向ｙにおいて反対側に位置する側面２１０ｄを回路基板に向けて実装することにより、配線パターン２２０のうち実装部２２７，２２８と方向ｙにおいて反対側に位置する部分も、第２実装部として機能させることができる。

次に、半導体発光装置１０１の作用について説明する。

本実施形態によれば、半導体発光装置１０１を、回路基板に対して面実装することができる。実装部２２５，２２６を用いて実装する場合、図１５に示すように、基材２１０の下面２１０ｂを回路基板Ｓに向けて実装することにより、半導体発光装置１０１は、回路基板Ｓが向く方向に光を出射するトップビュー型の光源として用いられる。一方、実装部２２７，２２８を用いて実装する場合、図１６に示すように、基材２１０の側面２１０ｃを回路基板Ｓに向けて実装することにより、半導体発光装置１０１は、回路基板Ｓが広がる方向に光を出射するサイドビュー型の光源として用いられる。本実施形態の半導体発光装置１０１は、たとえばデジタルカメラのオートフォーカスの補助光として用いられる。

実装部２２５，２２６および実装部２２７，２２８は、基材２１０に形成された薄膜状の配線パターン２２０によって構成されている。このため、ハンダを用いて面実装する場合、下面２１０ｂおよび側面２１０ｃのいずれの面についても、ハンダを介して回路基板Ｓとほぼ平行に密着状に実装することができる。したがって、トップビュー型およびサイドビュー型のいずれの光源として使用する場合においても、回路基板Ｓに対して所望の姿勢で実装するのに適する。

また、実装部２２５，２２６および実装部２２７，２２８を配線パターン２２０によって構成する半導体発光装置１０１は、たとえば金属リードを折り曲げて実装部を形成する場合に比べて、小型化を図るのに適する。

レンズ５２０ａは、中心から周部に向かうほど曲率が小さくなる非球面レンズである。このため、レンズ５２０ａの方向ｘ視におけるサイズを実質的に小さくすることができる。このことは、半導体発光装置１０１の小型化を図るうえで好ましい。また、上記形状を有する非球面のレンズ５２０ａによれば、図３を参照すると理解されるように、ＬＥＤチップ３００から発せされる光のうち、ＬＥＤチップ３００の正面方向（レンズ５２０ａの光軸Ｌａ方向）から所定角度範囲内（たとえば約１０°）に放射された、比較的に放射強度の強い光線束は、レンズ５２０ａの光軸Ｌａ方向にほぼ沿う方向に出射する。したがって、半導体発光装置１０１によれば、レンズ５２０ａの光軸Ｌａ方向に向けて光強度の強い光を出射することができる。

迂回部２２３，２２４および実装部２２５，２２６は、側面２１０ｅ，２１０ｆおよび下面２１０ｂの方向ｙの一方端から他方端に至る範囲に形成されている。迂回部２２３，２２４の表面および実装部２２５，２２６の表面部はメッキ層２２０Ｄで覆われている。また、ボンディング部２２１，２２２は、方向ｚの端部において、上面２１０ａの方向ｙにおける一方端から他方端に至る範囲に形成されている。これらボンディング部２２１，２２２の方向ｚにおける端部は、土台部５１０から露出しており、メッキ層２２０Ｄで覆われている（図４参照）。メッキ層２２０Ｄはハンダに対する濡れ性がよい。このため、実装部２２５，２２６を用いて実装する場合、図１５を参照すると理解されるように、迂回部２２３，２２４を覆うように、仮想線で示すハンダフィレットＨｆが形成される。実装部２２７，２２８を用いて実装する場合、図１６を参照すると理解されるように、実装部２２５，２２６、迂回部２２３，２２４およびボンディング部２２１，２２２を覆うように、仮想線で示すハンダフィレットＨｆが形成される。したがって、トップビュー型およびサイドビュー型のいずれの光源として使用する場合においても、半導体発光装置１０１の接合強度を高めることができる。このことは、回路基板Ｓに対する所望姿勢での実装状態を維持するのに適する。特に、図１６に示す場合には、基材２１０の上面２１０ａに形成されたボンディング部２２１，２２２にまでハンダフィレットＨｆを付着させることができる。このことは、半導体発光装置１０１と回路基板Ｓとの電気的な接続をより確実にするのに適する。

配線パターン２２０に含まれるＣｕ（導電層２２０Ａ）は、配線パターン２２０の構成材料として好適に用いられるが、比較的に酸化しやすい。Ｃｕが酸化すると、ハンダの濡れ性が悪くなり、ハンダを用いて実装する場合においてＣｕとハンダとの接合強度が低下する。これに対し、本実施形態において、導電層２２０Ａの端面は、メッキ層２２０Ｄによって覆われている。したがって、ハンダを用いて実装する場合における接合強度の低下を回避することができる。

実装部２２７，２２８が実装に用いられる場合、半導体発光装置１０１は、横倒しの姿勢とされる（図１６参照）。この姿勢は、レンズ５２０ａが実装部２２７，２２８から大きくオーバーハングする、比較的不安定なものである。これに対し、樹脂パッケージ５００の土台部５１０の側面５１０ａは、基材２１０の側面２１０ｃと面一状である。これにより、基材２１０の側面２１０ｃと土台部５１０の側面５１０ａとを合わせた広い面積をもって半導体発光装置１０１を回路基板Ｓ上に支持させることができ、実装時の姿勢が安定する。このことは、回路基板Ｓに対して半導体発光装置１０１を所望の姿勢で実装するうえで好ましい。

また、図３を参照して説明したように、基板２００、ＬＥＤチップ３００、および樹脂パッケージ５００を含めた全体の重心Ｇが、基材２１０の下面２１０ｂからレンズ５２０ａの頂点までの間の中心Ｃよりも基板２００側に位置している。これにより、図１６に示すように半導体発光装置１０１を横倒しの姿勢で実装したとき、基材２１０の側面２１０ｃおよび土台部５１０の側面５１０ａが回路基板Ｓの表面により平行な状態で実装することができる。なお、土台部５１０の側面５１０ａの高さ（土台部５１０の方向ｘにおける厚さｔ）を大きくすることにより重心Ｇが中心Ｃよりもレンズ５２０ａ側にある構成とした場合に、側面２１０ｃを下にしたサイドビュー型での回路基板Ｓへの実装は可能であるが、図１５に示すトップビュー型での実装も考慮した実装安定性の観点から、重心Ｇが中心Ｃよりも基板２００側にあることが好ましい。

図３を参照して説明したように、基材２１０の下面２１０ｂから土台部５１０の方向ｘ一方端までの長さＬ２は、下面２１０ｂからレンズ５２０ａの中心までの長さＬ１の１／２以上である。これにより、図１６に示すように半導体発光装置１０１を横倒しの姿勢で実装したとき、実装部２２７，２２８からオーバーハングするレンズ５２０ａの割合は、実質的に小さい。このことは、半導体発光装置１０１の実装時の姿勢を安定させるうえで好ましい。

方向ｙにおいて基材２１０の側面２１０ｃとは反対側にある側面２１０ｄと、土台部５１０の側面５１０ｂとは、面一状である。実装部２２７，２２８が実装に用いられる場合、たとえばチップマウンタを使用して実装する際に、基材２１０の側面２１０ｄと土台部５１０の側面５１０ｂとを合わせた比較的広い範囲を吸着面として利用することができる。これにより、半導体発光装置１０１の実装作業が安定し、回路基板Ｓに対して半導体発光装置１０１を所望の姿勢で実装するのに適する。

図１７および図１８は、本発明の第２実施形態に係る半導体発光装置を示している。なお、図１７以降の図において、上記実施形態と同一または類似の要素には上記実施形態と同一の符号を付しており、適宜説明を省略する。

本実施形態の半導体発光装置１０２は、図１７に示すように、方向ｘからみて、レンズ５２０ａの中心が、基材２１０の側面２１０ｃと側面２１０ｄとの間の中心よりも方向ｙにおける片側（側面２１０ｃ側）に寄っている。本実施形態ではまた、図１７および図１８に示すように、ドーム状部５２０およびレンズ５２０ａのサイズが上記第１実施形態と比べて小とされている。なお、ドーム状部５２０およびレンズ５２０ａのサイズが上記第１実施形態と同一または第１実施形態よりも大きい場合でも、レンズ５２０ａの中心が方向ｙにおける片側に寄っていればよい。

本実施形態の半導体発光装置１０２の製造は、上記した半導体発光装置１０１の製造方法と同様の手順で行うことができる。図１９は、基材集合体２１０’、導体パターン２２０’、ＬＥＤチップ３００、ワイヤ４００、および樹脂モールド５００’を具備する半導体発光装置集合体１０２’（以下、集合体１０２’という。図１４に示す集合体１０１’に相当するものである。）を示している。この集合体１０２’を方向ｙにおいて一定間隔を隔ててｘｚ平面に沿って切断するが、本実施形態では、この切断位置を図１９に切断ラインＣＬで示される位置とすればよい。

図２０に示すように、半導体発光装置１０２をサイドビュー型の光源として用いる場合、レンズ５２０ａが片寄った側面２１０ｃを回路基板Ｓに向けて実装する。これにより、実装時における重心が上記第１実施形態の場合（図１６参照）よりも下側（回路基板Ｓ側）に位置することとなる。したがって、半導体発光装置１０２によれば、サイドビュー型での実装時において、実装姿勢をより安定させることができる。

図２１は、本発明の第３の実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０３は、ボンディング部２２１，２２２の形状が上記実施形態と異なっている。本実施形態では、ボンディング部２２１は、方向ｚの一方側（図中右側）から他方側（図中左側）に延びる延出部２２１Ａ（第１延出部）を有し、この延出部２２１ＡにＬＥＤチップ３００が搭載されている。なお、図２１において、理解のためにボンディング部２２１，２２２の形成領域には左上がりのハッチングを施している。後述の図２２〜図２４についても同様に、ボンディング部２２１，２２２の形成領域には左上がりのハッチングを施している。

延出部２２１Ａは、方向ｙにおける長さＬ４が比較的に大きくされている。延出部２２１Ａの長さＬ４は、基材２１０の方向ｙにおける長さの１／２以上、好ましくは３／４以上とされる。

延出部２２１Ａには、厚さ方向（方向ｘ）に貫通する開口２２１ｂが形成されている。本実施形態では、複数（２つ）の開口２２１ｂが延出部２２１Ａに分散して形成される。これら開口２２１ｂは、ＬＥＤチップ３００よりも方向ｚの一方側に位置する。図３等を参照すると理解されるように、基材２１０の上面を覆う樹脂パッケージ５００は、延出部２２１Ａの形成部位において当該延出部２２１Ａの表面に密着している。一方、開口２２１ｂ部分において、樹脂パッケージ５００は基材２１０の表面に密着している。

延出部２２１Ａは、突出部２２１ｃおよび１対の突出部２２１ｄを有する。突出部２２１ｃは、方向ｙにおける中央において方向ｚの他方側に突き出しており、方向ｚ視においてＬＥＤチップ３００と重なる位置にある。突出部２２１ｃにおいて、ＬＥＤチップ３００から方向ｚにおける他方側の先端縁２２１ｅまでの長さＬ５は比較的に大きくされている。上記長さＬ５は、たとえば０．２〜０．６ｍｍ程度であり、好ましくは０．３〜０．６ｍｍ程度である。また、上記長さＬ５は、ＬＥＤチップ３００の大きさとの関係でいうと、たとえばＬＥＤチップ３００の方向ｙにおける長さの１倍以上とされ、好ましくは１〜２．５倍程度であり、より好ましくは１．５〜２．５倍程度である。

突出部２２１ｄは、方向ｙにおける両側端寄りにおいて方向ｚの他方側に突き出している。突出部２２１ｄの方向ｚにおける他方側の先端縁２２１ｆは、上記突出部２２１ｃの先端縁２２１ｅよりも方向ｚにおける他方側（図中左側）に位置する。

ボンディング部２２２は、方向ｚの他方側（図中左側）から一方側（図中右側）に延びる延出部２２２Ａ（第２延出部）を有する。延出部２２２Ａは、方向ｙにおける中央に位置し、方向ｙにおける長さが比較的に小さくされている。延出部２２２Ａには、ＬＥＤチップ３００に一端がボンディングされたワイヤ４００の他端がボンディングされている。

本実施形態において、レンズ５２０ａの直径Ｄ１（土台部５１０の上端面とレンズ５２０ａの交差部の直径）は、比較的に大きくされており、たとえばＬＥＤチップ３００の方向ｘ視における一辺（ＬＥＤチップ３００が長方形の場合は、長辺）の長さの６倍以上、好ましくは８倍以上とされる。

本実施形態の半導体発光装置１０３は、第１実施形態に関して上述した作用に加え、以下の作用を奏する。本実施形態において、ＬＥＤチップ３００は延出部２２１Ａに搭載されており、ＬＥＤチップ３００の発光時に当該ＬＥＤチップ３００から発せされる熱は、金属層からなる延出部２２１Ａを通じて迂回部２２３、実装部２２５に伝わり、たとえば実装部２２５が実装された回路基板側に放熱される。ここで、延出部２２１Ａは、方向ｙにおける長さＬ４が比較的に大きくされており、ＬＥＤチップ３００からの熱の伝達経路が大きく確保されている。このような構成によれば、ＬＥＤチップ３００からの熱を効率よく外部に放出することが可能であり、放熱性に優れる。

樹脂パッケージ５００を構成するエポキシ樹脂やシリコーン樹脂の密着性については、延出部２２１Ａの表面（図４等に示した導電槽２２０ＣであるＡｕ）に対する密着性よりも、基材２１０を構成するガラスエポキシ樹脂に対する密着性の方が優れている。本実施形態において、延出部２２１Ａには厚さ方向に貫通する開口２２１ｂが分散して形成されており、この開口２２１ｂ部分において樹脂パッケージ５００は基材２１０の表面に密着している。このように開口２２１ｂを有する構成によれば、樹脂パッケージ５００と基材２１０との密着領域が適度に確保されており、たとえばＬＥＤチップ３００の発光時の発熱の影響による樹脂パッケージ５００の剥がれなどの不具合を回避するのに適している。

延出部２２１Ａにおいて、ＬＥＤチップ３００から方向ｚにおける他方側の先端縁２２１ｅまでの長さＬ５は比較的に大きくされている。また、開口２２１ｂは、ＬＥＤチップ３００よりも方向ｚの一方側に形成されている。これにより、ＬＥＤチップ３００の周囲において比較的広い領域に延出部２２１Ａが設けられているので、ＬＥＤチップ３００から発せられた熱は、延出部２２１ＡにおけるＬＥＤチップ３００の周囲の領域を通じて迂回部２２３側へスムーズに伝達される。このような構成は、放熱性を高めるうえで好ましい。

図２２は、本発明の第４の実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０４において、ボンディング部２２１，２２２の形状が上記実施形態と異なっている。本実施形態では、上記第３の実施形態と同様にボンディング部２２１，２２２は延出部２２１Ａ，２２２Ａを有するが、延出部２２１Ａ，２２２Ａの形状が第３の実施形態と異なっている。

本実施形態では、延出部２２１Ａは、上記第３の実施形態と同様に方向ｙにおける長さＬ４が比較的に大とされている。一方、延出部２２１Ａには、複数の開口２２１ｂがＬＥＤチップ３００を中心とする同心円に沿うように分散して形成されている。また、延出部２２１Ａの適所には切欠き２２１ｇが形成されている。このように開口２２１ｂおよび切欠き２２１ｇが分散して形成された構成は、樹脂パッケージ５００の密着性を高めるうえで好ましい。

延出部２２１Ａの方向ｙにおける両側端寄りには、方向ｚの他方側に突き出る突出部２２１ｄが設けられている。突出部２２１ｄは、ＬＥＤチップ３００を中心とする円に沿うように形成されている。

本実施形態の半導体発光装置１０４は、方向ｙにおける長さＬ４が大である延出部２２１Ａを備えることにより、第３の実施形態と同様に放熱性に優れる。また、開口２２１ｂ、切欠き２２１ｇ等を有する構成よって樹脂パッケージ５００と基材２１０との密着領域が適度に確保されているため、樹脂パッケージ５００の剥がれなどの不具合を回避するのに適している。

図２３は、本発明の第５の実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０５において、ボンディング部２２１，２２２の形状が上記実施形態と異なっている。本実施形態では、上記第３の実施形態と同様にボンディング部２２１，２２２は延出部２２１Ａ，２２２Ａを有するが、延出部２２１Ａ，２２２Ａの形状が第３の実施形態と異なっている。

本実施形態では、延出部２２１Ａは、上記第３の実施形態と同様に方向ｙにおける長さＬ４が比較的に大とされている。開口２２１ｂの形成箇所は上記第３の実施形態と同様であるが、ＬＥＤチップ３００から突出部２２１ｃの先端縁２２１ｅまでの長さＬ５がより大とされている。延出部２２２Ａについては、上記長さＬ５が大であることに伴い、方向ｚ視においてＬＥＤチップ３００と重ならないように方向ｙの一方に片寄った位置に設けられている。

本実施形態の半導体発光装置１０５は、方向ｙにおける長さＬ４が大である延出部２２１Ａを備えることにより、第３の実施形態と同様に放熱性に優れる。また、開口２２１ｂを有する構成よって樹脂パッケージ５００と基材２１０との密着領域が適度に確保されているため、樹脂パッケージ５００の剥がれなどの不具合を回避するのに適している。

図２４は、本発明の第６の実施形態に係る半導体発光装置を示している。本実施形態の半導体発光装置１０６は、ボンディング部２２１，２２２の形状は上記第５の実施形態の半導体発光装置１０５と同様であるが、レジスト膜２３１，２３２を備える点において半導体発光装置１０５と異なっている。

レジスト膜２３１，２３２は、図２５に表れているように、ボンディング部２２１，２２２と、樹脂パッケージ５００との間に介在している。レジスト膜２３１は、ボンディング部２２１を覆っており、レジスト膜２３２は、ボンディング部２２２を覆っている。レジスト膜２３１には、ボンディング部２３１の一部を露出させるための開口２３１ａが形成されている。開口２３１ａは、基材２１０の上面中央に位置する。なお、図２４において、理解のためにレジスト膜２３１，２３２の形成領域には右上がりのハッチングを施している。

図４等を参照して上述したように、ボンディング部２２１，２２２（配線パターン２２０）が導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃを備えて構成される場合、導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃおよびレジスト膜２３１，２３２の形成は、導電層２２０Ａ、レジスト膜２３１，２３２、導電層２２０Ｂ、導電層２２０Ｃの順序で行う。導電層２２０Ａの形成領域は、ボンディング部２２１，２２２の形成領域に対応している（図２４参照）。図２４、図２５から理解されるように、レジスト膜２３１，２３２は、Ｃｕからなる導電層２２０Ａの一部を露出させるように当該導電層２２０Ａを覆う。レジスト膜２３１．２３２はまた、基材２１０の一部を覆っている。ここで、レジスト膜２３１には開口２３１ａが形成される。Ｎｉからなる導電層２２０ＢおよびＡｕからなる導電層２２０Ｃは、導電層２２０Ａの露出部に形成される。本実施形態では、導電層２２０Ｂ，２２０Ｃは、開口２３１ａの形成部位、およびボンディング部２２２における延出部２２２Ａとなるべき部位に形成される。これにより、延出部２２１Ａ，２２２Ａが形成される。ＬＥＤチップ３３０は、延出部２２１Ａ上において開口２３１ａに臨むように搭載されている。

本実施形態の半導体発光装置１０６は、方向ｙにおける長さＬ４が大である延出部２２１Ａを備えることにより、第３の実施形態と同様に放熱性に優れる。本実施形態では、ボンディング部２２１，２２２と樹脂パッケージ５００との間にレジスト膜２３１，２３２が介在している。レジスト膜２３１，２３２は、樹脂パッケージ５００に対する密着性が導電層２２０Ｃを構成するＡｕよりも優れる。したがって、レジスト膜２３１，２３２を具備する構成は、樹脂パッケージ５００の密着性を高めるのに適する。さらに、本実施形態では、導電層２２０Ｃの形成領域が実質的に小さくなっている。したがって、導電層２２０Ｃを構成するＡｕの使用量を削減することができる。

図２６は、半導体発光装置の放熱性に関して行ったシミュレーション解析の結果を表すグラフである。図２６のグラフは、ＬＥＤチップが搭載されるボンディング部の形状のみが異なる複数種類の半導体発光装置を発光させた場合において、ＬＥＤチップの搭載部の最高到達温度についての発光開始後の温度履歴を示す。実施例１，２は、上記した第３および第４の半導体発光装置１０３，１０４の場合を表している。比較例１は、ＬＥＤチップの搭載部が小面積のアイランド状とされ、この搭載部から幅の狭い導電部が迂回部に向けて延びる場合を表している。比較例２は、基材上面の全面にボンディング部が形成される場合を表し、比較のための仮想モデルである。

図２６に示した温度履歴から、比較例１は、実施例１，２や比較例２と比べてかなり高温になるので、耐久性が低下すると考えられる。比較例２のようにボンディング部を基材上に全面形成する構成は、ＬＥＤチップに直流電流を流すことができないので実現不可能であるが、放熱に寄与するボンディング部のサイズが最大であるので、放熱性については理想的なレベルである。一方、ボンディング部は樹脂パッケージとの密着性が悪いため、比較例２の構成では樹脂パッケージの剥がれなどの不具合が起こりやすい。

実施例１，２は、比較例２と比べて温度差が小さく、放熱性について良好な結果が得られた。また、実施例１，２（上記第３および第４の半導体発光装置１０３，１０４）は、上述のように開口２２１ｂを有することによって、比較例２と比べて密着性に優れるので、耐久性の向上が見込まれる。

本発明に係る半導体発光装置は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る半導体発光装置の各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

上記実施形態において、実装部２２７，２２８（第２実装部）は、基材２１０の側面２１０ｃ（第１側面）を実質的に避けて形成されて当該第１側面の略すべてを露出させる構成とされているが、これに限定されず、たとえば第２実装部が第１側面における比較的広い領域を覆う構成としてもよい。

上記実施形態において、配線パターン２００を構成する導電層２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃの材料を例示したが、これに限定されない。たとえば、樹脂パッケージ５００と接触する導電層２２０Ｃの材料については、樹脂パッケージ５００との密着性を向上させる観点から、Ａｕに代えてＡｇを採用してもよい。

上記実施形態では、土台部を形成した構成について説明したが、土台部が形成されていなくてもよい。この場合、たとえば土台部以外の構成は上記実施形態の構成が適用される。土台部がない構成においても、レンズの直径は、ＬＥＤチップの方向ｘ視における一辺の長さの６倍以上とされ、好ましくは８倍以上とされる。

また、土台部を設ける場合においても、上記実施形態に比べて土台部の高さを小さくしてもよい。上記実施形態では、基材２１０の下面２１０ｂから土台部５１０の方向ｘ一方端までの長さＬ２が下面２１０ｂからレンズ５２０ａの中心までの長さＬ１の１／２以上である場合を例に挙げて説明したが、上記Ｌ２の長さが上記Ｌ１の長さの１／２未満であってもよい。この場合においても、土台部を設けることにより、サイドビュー型での実装時に倒れてしまうのを抑制することができる。

ｘ （第１）方向
ｙ （第２）方向
ｚ （第３）方向
１０１，１０２ 半導体発光装置
２００ 基板
２１０ 基材
２１０ａ 上面（第１主面）
２１０ｂ 下面（第２主面）
２１０ｃ 側面（第１側面）
２１０ｄ 側面（第２側面）
２１０ｅ 側面（第３側面）
２１０ｆ 側面（第４側面）
２２０ 配線パターン
２２０Ａ，２２０Ｂ，２２０Ｃ 導電層
２２０Ｄ メッキ層
２２１，２２２ ボンディング部
２２１Ａ 延出部（第１延出部）
２２２Ａ 延出部（第２延出部）
２２１ｂ 開口（第１開口）
２２１ｃ 突出部（第１突出部）
２２１ｄ 突出部（第２突出部）
２２１ｅ 先端縁
２２１ｆ 先端縁
２２１ｇ 切欠き
２２３，２２４ 迂回部
２２３ａ，２２４ａ 端面（第１端面）
２２５，２２６ 実装部（第１実装部）
２２５ａ，２２６ａ 端面（第２端面）
２２７，２２８ 実装部（第２実装部）
２３１，２３２ レジスト膜
２３１ａ 開口（第２開口）
３００ ＬＥＤチップ
４００ ワイヤ
５００ 樹脂パッケージ
５１０ 土台部
５１０ａ 側面（土台部第１側面）
５１０ｂ 側面（土台部第２側面）
５１０ｃ，５１０ｄ 側面
５２０ａ レンズ

Claims (10)

1. 基材と、
   上記基材の厚さ方向の一方側を向く主面に形成された第１および第２ボンディング部と、
   上記第１ボンディング部に搭載されたＬＥＤチップと、
   上記第２ボンディング部と上記ＬＥＤチップとを接続するワイヤと、
   上記第１および第２ボンディング部の少なくとも一部、上記ＬＥＤチップおよび上記ワイヤを覆う樹脂パッケージと、を備え、
   上記第１ボンディング部は、
   第１金属層と、
   上記第１金属層とは異なる材料からなり、かつ上記第１金属層上に形成される第２金属層と、
   上記第１金属層および上記第２金属層とは異なる材料からなり、かつ上記第２金属層上に形成される第３金属層と、を備え、
   上記基材の厚さ方向視において、上記ＬＥＤチップから離間して上記第１金属層上に配置され、かつ上記ＬＥＤチップ、上記第２金属層および上記第３金属層を取り囲むレジスト膜を有し、
   上記第１ボンディング部には、厚さ方向に貫通する第１開口または切欠きが複数形成されている、半導体発光装置。
2. 複数の上記第１開口または上記切欠きは分散して配置されている、請求項１に記載の半導体発光装置。
3. 複数の上記第１開口または上記切欠きは、上記基材の厚さ方向視で上記ＬＥＤチップの回りに分散して配置されている、請求項２に記載の半導体発光装置。
4. 上記レジスト膜には第２開口が形成されているとともに、上記第２開口を介して上記第１ボンディング部の一部が上記レジスト膜から露出しており、
   上記第１ボンディング部の当該露出部分には上記第３金属層が形成されており、
   上記ＬＥＤチップは上記第３金属層上に搭載されている、請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体発光装置。
5. 上記第２開口は、上記基材の厚さ方向視において円形状である、請求項４に記載の半導体発光装置。
6. 上記ＬＥＤチップは、上記基材の厚さ方向視において上記第２開口の中央に位置する、請求項５に記載の半導体発光装置。
7. 上記第３金属層はＡｕからなる、請求項４ないし６のいずれかに記載の半導体発光装置。
8. 上記第２ボンディング部は、上記第１金属層上に上記レジスト膜が形成された部位を含む、請求項１ないし７のいずれかに記載の半導体発光装置。
9. 上記第１ボンディング部は、上記基材の厚さ方向に直角で上記第２ボンディング部と離間する離間方向の一方側から他方側に延びる第１延出部を有し、
   上記ＬＥＤチップよりも上記離間方向の一方側に上記第１開口が形成され、かつ上記ＬＥＤチップよりも上記離間方向の他方側に上記切欠きが形成される、請求項１ないし８のいずれかに記載の半導体発光装置。
10. 上記レジスト膜は、複数の上記第１開口または上記切欠きの少なくとも一部を覆う、請求項１ないし９のいずれかに記載の半導体発光装置。

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