JPH1050734A - チップ型半導体 - Google Patents

チップ型半導体

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JPH1050734A
JPH1050734A JP8202042A JP20204296A JPH1050734A JP H1050734 A JPH1050734 A JP H1050734A JP 8202042 A JP8202042 A JP 8202042A JP 20204296 A JP20204296 A JP 20204296A JP H1050734 A JPH1050734 A JP H1050734A
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light emitting
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chip
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Takeshi Miura
剛 三浦
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 チップ型発光ダイオードをプリント基板に実
装する際の加熱温度が高いために、チップ型発光ダイオ
ードが高温にさらされることになり、封止用の透光性樹
脂体に発生する内部応力やひずみ等による膨張に伴って
導電性接着剤が電極部から剥離するという問題に対し、
電極部に対する導電性接着剤の接着力を増すことによっ
て、上記課題を解決するものである。 【解決手段】 絶縁基板１２の表面に一対の電極部１３
ａ，１３ｂを設け、一方の電極部１３ａの上に導電性接
着剤１４を用いて発光ダイオード素子１５をダイボンド
するチップ型発光ダイオード１１において、前記電極部
１３ａに絶縁基板１２の表面を露出させる切欠部１９を
設け、該電極部１３ａの上に塗布した導電性接着剤１４
の一部を切欠部１９内に流し込んで絶縁基板１２の露出
表面と接着させたことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光ダイオード素
子、フォトダイオード素子、フォトトランジスタ素子な
どの半導体素子を絶縁基板の表面に導電性接着剤を用い
てダイボンドするチップ型半導体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】例えば、この種のチップ型発光ダイオー
ド１は、図５に示したように、ガラスエポキシ樹脂基板
等からなる絶縁基板２と、絶縁基板２の上面にエッチン
グ等によりパターン形成された一対の電極部３ａ，３ｂ
と、一方の電極部３ａ上に塗布した銀ペーストなどの導
電性接着剤４を介してダイボンドされた発光ダイオード
素子５と、この発光ダイオード素子５と他方の電極部３
ｂとをワイヤボンディングする金属細線６と、半導体素
子５及び金属細線６を封止するエポキシ樹脂等からなる
透光性樹脂体７とで構成されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記構成か
らなるチップ型発光ダイオード１をプリント基板（図示
せず）に実装する際には、先ずプリント基板上に半田を
塗布し、その上に上記チップ型発光ダイオード１を載置
したのち、これをリフロー等に通して半田を溶融するこ
とでチップ型発光ダイオード１をプリント基板に固定し
ている。しかしながら、リフローを通す際の加熱温度が
高いために、チップ型発光ダイオード１が高温にさらさ
れることになり、透光性樹脂体７に発生する内部応力や
ひずみ等による膨張に伴って導電性接着剤４が電極部３
ａから剥離するという問題があった。
【０００４】そこで、本発明は、電極部に対する導電性
接着剤の接着力を増すことによって、上記課題を解決す
るものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明に係るチップ型半導体は、絶縁基板の表面に
電極部を設け、該電極部の上に導電性接着剤を用いて半
導体素子をダイボンドするチップ型半導体において、前
記電極部に絶縁基板の表面を露出させる切欠部を設け、
該電極部の上に塗布した導電性接着剤の一部を切欠部内
に流し込んで絶縁基板の露出表面と接着させたことを特
徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係るチップ型半導体の実施例を詳細に説明する。図１
乃至図３は、本発明に係るチップ型発光ダイオード１１
の一実施例を示したものであり、ガラスエポキシ樹脂基
板等からなる絶縁基板１２と、絶縁基板１２の下面に形
成されたプリント基板用電極１８と、絶縁基板１２の上
面に形成された一対の電極部１３ａ，１３ｂと、一方の
電極部１３ａの上面に銀ペースト等の導電性接着剤１４
によってダイボンドされた発光ダイオード素子１５と、
この発光ダイオード素子１５と他方の電極部１３ｂとを
ワイヤボンディングした金属細線１６と、発光ダイオー
ド素子１５及び金属細線１６を封止する透光性樹脂体１
７とからなる。なお、上記電極部１３ａ，１３ｂは、エ
ッチング等によりパターン形成された銅箔の表面に金メ
ッキを施こしたものである。
【０００７】この実施例において上記電極部１３ａに
は、電極切欠部としての複数の小孔１９が設けられてい
る。これらの小孔１９は電極部１３ａを上下方向に貫通
して設けられており、図２に示したように、該小孔１９
内において絶縁基板１２の表面１２ａを露出させてい
る。従って、このような複数の小孔１９が形成された電
極部１３ａ上に発光ダイオード素子１５をダイボンドす
る場合に、図３に示したように電極部１３ａの上面に導
電性接着剤１４を塗布するとその一部が上記小孔１９内
に流れ込んで小孔１９内を満たし、また絶縁基板１２の
露出表面１２ａとも接触する。次に電極部１３ａの上に
発光ダイオード素子１５を載置した後、キュア炉に入れ
て導電性接着剤１４を硬化することで発光ダイオード素
子１５が電極部１３ａに固着する。この時、上記導電性
接着剤１４は、電極部１３ａの表面に固着すると共に、
絶縁基板１２の露出表面１２ａとも固着することにな
る。そして、導電性接着剤１４の接着力が電極部１３ａ
表面の金メッキよりも絶縁基板１２との間の方が強いこ
とから、従来のように電極部１３ａの表面だけで発光ダ
イオード素子１５を固着していた場合に比べて固着力が
強くなり、導電性接着剤１４が電極部１３ａから剥離し
にくくなる。
【０００８】それ故、上記構成からなるチップ型発光ダ
イオード１１を図示外のプリント基板上に実装する場
合、リフローを通す際にチップ型発光ダイオード１１が
高温にさらされるが、上述のように導電性接着剤１４が
電極部１３ａのみならず、小孔１９を通して絶縁基板１
２の露出表面１２ａにも接着しているため、剥離が生じ
にくくなる。また、図３に示したように、この実施例で
は導電性接着剤１４が絶縁基板１２の露出表面１２ａの
みならず小孔１９の内周壁１９ａにも接着するので、更
に接着力が大きくなって剥離しにくいものとなる。
【０００９】なお、上述した小孔１９の形状や大きさ、
個数などは上記実施例に限定されないこと勿論である。
また、本発明における電極切欠部は上記小孔１９のみに
限定されるものではなく、例えば図４に示したように、
電極部１３ａの先端部分を十字形状に形成し、発光ダイ
オード素子１５が載置される四隅に設けた切欠２０のよ
うに、絶縁基板１２の表面を露出するものであれば、い
かなる形状のものでも制限を受けない。更に、上記実施
例はチップ型発光ダイオード１１を例にして説明した
が、チップ型フォトダイオード、チップ型フォトトラン
ジスタ、チップ型リフレクタなどのチップ型半導体にも
適用できるものである。
【００１０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るチッ
プ型半導体によれば、絶縁基板の表面に設けた電極部に
絶縁基板の表面を露出させる切欠部を設け、該電極部の
上に塗布した導電性接着剤の一部を切欠部内に流し込ん
で絶縁基板の露出表面と接着させるようにしたので、電
極部に半導体素子をダイボンドする際には導電性接着剤
が電極部の表面のみならず、絶縁基板の露出表面とも固
着することになるので、従来に比べて接着力が大きくな
り、リフロー等の高温加熱時にも導電性接着剤が電極部
から剥離することがなくなった。
【００１１】また、電極部に切欠部を設けたことによっ
て電極部の面積を実質的に減らすことができ、電極部の
表面に施していた金メッキの量をその分節約できること
で、結果的にチップ型半導体のコスト低減化が図れるこ
とになった。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係るチップ型半導体の一実施例を示す
斜視図である。
【図２】電極部に設けた電極切欠部の一実施例を示す小
孔部分の断面図である。
【図３】上記図１のＡ−Ａ線要部拡大断面図である。
【図４】電極部に設けた電極切欠部の他の実施例を示す
平面図である。
【図５】従来のチップ型半導体の一例を示す断面図であ
る。
【図６】上記図５のＢ部拡大図である。
【符号の説明】
１１ チップ型発光ダイオード（チップ型半導体） １２ 絶縁基板 １２ａ 露出表面 １３ａ，１３ｂ 電極部 １４ 導電性接着剤 １５ 発光ダイオード素子 １９ 小孔（切欠部） ２０ 切欠（切欠部）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 絶縁基板の表面に電極部を設け、該電極
    部の上に導電性接着剤を用いて半導体素子をダイボンド
    するチップ型半導体において、 前記電極部に絶縁基板の表面を露出させる切欠部を設
    け、該電極部の上に塗布した導電性接着剤の一部を切欠
    部内に流し込んで絶縁基板の露出表面と接着させたこと
    を特徴とするチップ型半導体。
JP8202042A 1996-07-31 1996-07-31 チップ型半導体 Pending JPH1050734A (ja)

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JP8202042A JPH1050734A (ja) 1996-07-31 1996-07-31 チップ型半導体

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