JP2007027281A

JP2007027281A - 半導体装置

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Publication number: JP2007027281A
Application number: JP2005204893A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Fukuyoshi; 寛福吉
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2005-07-13
Filing date: 2005-07-13
Publication date: 2007-02-01

Abstract

【課題】樹脂の密着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】第１電極リード１１と、第１電極リード１１と離間して配置された第２電極リード１２と、第１電極リード１１の第１の面１１ａに、第１電極リード１１よりはみ出して載置された半導体チップ１３と、半導体チップ１３を第２電極リード１２の第１の面１２ａに電気的接続する接続導体と、第１および第２電極リード１１、１２の第１の面１１ａ、１２ａと対向する第２の面１１ｂ、１２ｂをそれぞれ露出させ、第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３を樹脂１６でモールドするパッケージ１７と、を具備する。
第１電極リード１１よりはみ出して載置された半導体チップ１３のはみ出し部１３ａの下側に、樹脂１６の食いこみ部１８が形成される。
【選択図】図１

Description

本発明は、樹脂封止された半導体装置に係り、特に樹脂の密着力を向上させるのに好適な構造を有する半導体装置に関する。

近年、携帯電話や移動式携帯端末に代表される各種の小型電子機器の普及に伴い、樹脂封止型の半導体装置では、基板に直接リードをハンダ付けする表面実装型のパッケージが主流になってきている。

従来、樹脂封止型のパッケージでは温度サイクル試験等により繰り返し温度変化が与えられた場合、樹脂、リード、半導体チップ間の熱膨張係数の差に起因して樹脂がリード、および半導体チップの界面で剥離し、電気的接続不良が発生する等の問題がある。

これに対して、半導体チップを載置するタブの厚さをリードの厚さより小さくすることにより、パッケージクラックを防止する半導体装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。

特許文献１に開示された半導体装置は、半導体チップ３は接着剤４でタブ５に固定され、チップ３はボンディングワイヤ６でリード１と電気的に接続される。モールド樹脂２は、チップ３、接着剤４、タブ５、ワイヤ６の周囲を封止し、リード１の一端面１ｓ以外を封止する。

タブ５の厚さＨＴはリード１の厚さＨＬの０．６〜０．２倍となるように、加工される。リード１の熱膨張率はモールド樹脂２の熱膨張率よりも大きいものとなっている。

タブ５をリード１の厚さの０．６倍〜０．２倍の厚さにすることにより繰返し温度変化を受けた時のタブ５の熱収縮を抑制して構成部材間の界面剥離を防止し、パッケージクラックを防止している。

然しながら、特許文献１に開示された半導体装置は、タブがリードより薄いのでリードフレームとしての強度が低下する問題がある。

また、リードフレームを用いず、ダミー基板上に形成した電極リードに半導体チップを載置し、樹脂でモールドした後にダミー基板を除去して形成される表面実装型パッケージを有する半導体装置については何ら記載されていない。
特開２００１−３３２６７６号公報（３頁、図２）

本発明は、樹脂の密着性を向上させ、信頼性の高い半導体装置を提供する。

上記目的を達成するために、本発明の一態様の半導体装置では、第１電極リードと、前記第１電極リードと離間して配置された第２電極リードと、前記第１電極リードの第１の面に、前記第１電極リードよりはみ出して載置された半導体チップと、前記半導体チップを前記第２電極リードの第１の面に電気的接続する接続導体と、前記第１および第２電極リードの前記第１の面と対向する第２の面をそれぞれ露出させ、前記第１および第２電極リード、前記半導体チップをモールドするパッケージと、を具備することを特徴としている。

また、本発明の他の態様の半導体装置では、第１電極リードと、前記第１電極リードと離間して配置された第２電極リードと、前記第１電極リードの第１の面に、前記第１電極リードよりはみ出して載置された半導体チップと、前記第２電極リードの第１の面に、前記第２電極リードよりはみ出して載置された導体と、前記半導体チップを前記導体に電気的接続する接続導体と、前記第１および第２電極リードの前記第１の面と対向する第２の面をそれぞれ露出させ、前記第１および第２電極リード、前記半導体チップ、前記導体をモールドするパッケージと、を具備することを特徴としている。

また、本発明の他の態様の半導体装置では、半導体チップと、前記半導体チップを載置する第１の面の面積が前記半導体チップの面積より小さく、且つ前記第１の面と対向する第２の面の面積より小さい第１電極リードと、導体と、前記第１電極リードと離間して配置され、前記導体を載置する第１の面の面積が前記導体の面積より小さく、且つ前記第１の面と対向する第２の面の面積より小さい第２電極リードと、前記半導体チップを前記導体に電気的接続する接続導体と、前記第１および第２電極リードの前記第２の面をそれぞれ露出させ、前記第１および第２電極リード、前記半導体チップ、前記導体をモールドするパッケージと、を具備することを特徴としている。

また、本発明の他の態様の半導体装置では、半導体チップと、前記半導体チップを載置する第１の面の面積が前記第１の面と対向する第２の面の面積より大きい第１電極リードと、前記第１電極リードと離間して配置され、第１の面の面積が前記第１の面と対向する第２の面の面積より大きい第２電極リードと、前記半導体チップを前記第２電極リードに電気的接続する接続導体と、前記第１および第２電極リードの前記第２の面をそれぞれ露出させ、前記第１および第２電極リード、前記半導体チップをモールドするパッケージと、を具備することを特徴としている。

本発明によれば、樹脂の密着性が向上し、信頼性の高い半導体装置が得られる。

以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説明する。

本発明の実施例１について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は本発明の実施例１に係る半導体装置の構成を示す図で、図１（ａ）はパッケージの一部が切り欠きされたその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印方向に眺めた断面図、図２は半導体装置の製造工程を順に示す断面図、図３は半導体装置が基板にマウントされた状態を示す断面図である。

本実施例は、ｐｎ接合を有するシリコンダイオードチップが表面実装型パッケージに樹脂封止された半導体装置の例である。

図１に示すように、本実施例の半導体装置１０は、互いに離間して配置された第１および第２電極リード１１、１２と、第１電極リード１１の第１の面１１ａに第１電極リード１１よりはみ出して載置された半導体チップ１３と、半導体チップ１３のパッド１４を第２電極リード１２の第１の面１２ａに電気的接続するワイヤ１５とを具備している。

更に、第１電極リード１１の第１の面１１ａと対向する第２の面１１ｂおよび第２電極リード１２の第１の面１２ａと対向する第２の面１２ｂをそれぞれ露出させ、第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３を樹脂１６でモールドするパッケージ１７とを具備している。

半導体チップ１３は、半導体チップ１３のはみ出し部１３ａが第１電極リード１１の端部１１ｃより第２電極リード１２側へ長さＬ１だけはみ出して第１電極リード１１の第１の面１１ａに載置されている。

これにより、半導体チップ１３のはみ出し部１３ａの下側には樹脂１６の食いこみ部１８が形成される。

その結果、食いこみ部１８の所謂アンカー効果により樹脂１６と第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３の密着力を向上させることが可能である。

次に、半導体装置１０の製造方法について詳しく説明する。
始に、図２（ａ）に示すように、半導体装置１０を支持するためのダミー基板２０、例えばガラス基板を用意する。

次に、図２（ｂ）に示すように、ダミー基板２０上に、第１および第２電極リード１１、１２として、例えば銅メッキ液に浸漬して無電界メッキ法により選択的に、１５０μｍ角、厚さ１００μｍ程度の銅ブロックを形成する。

次に、図２（ｃ）に示すように、第１電極リード１１の第１の面１１ａに半導体チップ１３のはみ出し部１３ａを第１電極リード１１の端部１１ｃより第２電極リード１２側へ長さＬ１だけはみ出して載置した後、半導体チップ１３のパッド１４と第２電極リード１２の第１の面１２ａにワイヤ１５をボンディングする。

次に、図２（ｄ）に示すように、第１および第２電極リード１１、１２と半導体チップ１３とを樹脂１６によりモールドして、半導体チップ１３のはみ出し部１３ａの下側に樹脂１６の食いこみ部１８を有し、例えば長さ１ｍｍ、幅０．５ｍｍ、高さ０．５ｍｍ程度のパッケージ１７を形成する。

次に、図２（ｅ）に示すように、例えば楔２１を用いて、パッケージ１７をダミー基板２０から剥離する。

これにより、図１に示すパッケージ１７より第１電極リード１１の第２の面１１ｂおよび第２電極リード１２の第２の面１２ｂが露出した半導体装置１０が得られる。

図３に示すように、半導体装置１０は、基板２４に形成された配線パターン２５の一端に設けられた接続端子２７に第１電極リード１１の第２の面１１ｂが当接し、配線パターン２６の一端に設けられた接続端子２８に第２電極リード１２の第２の面１２ｂが当接するように載置される。

基板２４は、例えばガラスエポキシ基板であり、配線パターン２５、２６は、例えば厚さ２０μｍ程度の接着材（図示せず）で貼り付けられた厚さ２０μｍ程度の銅箔であり、接続端子２７、２８は、例えば１５０μｍ角程度のはんだ（ペースト）である。

基板２４上に半導体装置１０を載置して加熱することにより、第１および第２電極リード１１、１２が接続端子２７、２８に接合され、半導体装置１０が基板２４にマウントされる。

基板２4にマウントされた半導体装置１０に温度サイクル試験等により繰り返し温度変化が与えられたときに、食いこみ部１８の所謂アンカー効果により樹脂１６が第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３から剥離するのを防止することが可能である。

また、図４に示すように、例えば樹脂１６と第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３との界面全体が剥離した場合でも、食いこみ部１８がフックとして機能するのでパッケージ１７が基板２４から抜け落ちるのを防止することが可能であり、電気的接続不良が生じる恐れが無い。

従って、はみ出し量Ｌ１は、小さすぎると効果がなく、大きすぎると第１電極リード１１と半導体チップ１３との接合強度が低下するので、半導体チップ１３のパッド１４が第１電極リード１１よりはみださない程度が適当であるが、目的の密着力が得られる範囲内で適宜設定することができる。

以上説明したように、本実施例の半導体装置１０は、半導体チップ１３を第１電極リード１１よりはみ出して載置したので、半導体チップ１３のはみ出し部１３ａの下側に形成される食いこみ部１８により第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３と樹脂１６との密着力が向上する。

その結果、第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３から樹脂１６の剥離が防止され、たとえ樹脂１６が全面剥離してもパッケージ１７が抜け落ちる恐れがない。従って、小型・軽量で信頼性の高い半導体装置１０が得られる。

ここでは、半導体チップ１３が第２電極リード１２側へはみ出した場合について説明したが、いずれの方向、例えば第２電極リード１２と反対の方向にはみ出していても良く、同様の効果を得ることができる。

但し、半導体装置１０のサイズが大きくなるのを避けるために、第２電極リード１２側へはみ出させることが好ましい。

また、第１および第２電極リード１１、１２をＣｕの無電解メッキ法により形成する場合について説明したが、目的の厚さが得られる範囲内であれば別の方法、例えばＮｉ、Ａｕ、Ａｇ等金属の電界・無電界メッキ法、真空蒸着法あるいはスパッタリング法などで形成しても構わない。

図５は本発明の実施例２に係る半導体装置の構成を示す図で、図５（ａ）はその平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図ある。

本実施例において上記実施例１と同一の構成部分には同一符号を付してその説明は省略し、異なる部分についてのみ説明する。

本実施例が実施例１と異なる点は、第２電極リードの第１の面に凸部が形成されていることにある。

即ち、図５に示すように、実施例２に係る半導体装置３０は、第２電極リード１２の第１の面１２ａに下部がくびれた凸部３１がワイヤ１５を囲んで４個形成されている。

凸部３１は、例えば直径５０μｍ程度のハンダボールを第２電極リード１２の第１の面１２ａ上に載置して、熱または超音波を印加して圧着することにより形成することができる。

凸部３１の下部にモールドされた樹脂１６は食いこみ部３２を形成するので、食いこみ部３２の所謂アンカー効果が食いこみ部１８の所謂アンカー効果に加算され、樹脂１６と第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３の密着力を更に向上することが可能である。

以上説明したように、実施例２に係る半導体装置３０では、第２電極リード１２の第１の面１２ａに下部がくびれた凸部３１を設けたので、凸部３１の下部に樹脂１６の食いこみ部３２が形成され、密着力が更に向上する利点がある。

ここで、凸部３１を設ける位置と個数は、ワイヤ１５の接続を妨げない範囲内で適宜自由に設定することができる。

図６は本発明の実施例３に係る半導体装置の構成を示す図で、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図ある。

本実施例が実施例１と異なる点は、第２電極リードよりはみ出して載置された導体を有することにある。

即ち、図６に示すように、実施例３に係る半導体装置４０は、第２電極リード１２の第１の面１２ａに導体４１がはみ出して載置され、半導体チップ１３のパッド１４と導体４１がワイヤ４２で電気的接続されている。

即ち、導体４１のはみ出し部４１ａが第２電極リード１２の端部１２ｃより第１電極リード１１側へ長さＬ２だけはみ出して第２電極リード１２の第１の面１２ａに載置されているので、導体４１のはみ出し部４１ａの下側には樹脂１６の食いこみ部４３が形成される。

導体４１は、例えば半導体チップ１３と同程度の大きさの金属ブロックで、第２電極リード１２の第１の面１２ａに導電性接着剤で固着されている。

また、はみ出し量Ｌ２は、導体４１の大きさが半導体チップ１３と同程度であることから、はみ出し量Ｌ１と同程度であることが好ましい。

食いこみ部４３の所謂アンカー効果が食いこみ部１８の所謂アンカー効果に加算されて、樹脂１６と第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３の密着力を更に向上することが可能である。

以上説明したように、実施例３に係る半導体装置４０では、第２電極リード１２からはみ出して載置された導体４１を有するので、導体４１のはみ出し部４１ａの下側に樹脂１６の食いこみ部４３が形成され、密着力が更に向上する利点がある。

ここでは、導体４１が半導体チップ１３と同程度の大きさの金属ブロックの場合について説明したが、その大きさは目的の密着力が得られる範囲無いで適宜定めることができ、また導電性膜を被着した絶縁物ブロックでも構わない。

図７は本発明の実施例４に係る半導体装置の構成を示す図で、図７（ａ）はその平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図ある。

本実施例が実施例１と異なる点は、半導体チップが第１電極リードより両方向にはみ出し、導体が第２電極リードより両方向にはみ出すようにしたことにある。

即ち、図７に示すように、実施例４に係る半導体装置５０は、半導体チップ１３が第１電極リード１１の両端部１１ｃ、１１ｄよりそれぞれ長さＬ３だけはみ出し、導体４１が第２電極リードの両端部１２ｃ、１２ｄよりそれぞれ長さＬ４だけはみ出して載置されている。

これにより、半導体チップ１３のはみ出し部１３ａ、１３ｂの下側には食いこみ部５１ａ、５１ｂが形成され、導体４１のはみ出し部４１ａ、４１ｂの下側には食いこみ部６２ａ、６２ｂが形成される。

半導体チップ１３と導体４１が同程度の大きさの場合には、はみ出し量Ｌ３、Ｌ４も同程度とし、且つはみ出し量Ｌ１の半分程度が適当である。

食いこみ部５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂの所謂アンカー効果が加算されて、樹脂１６と第１および第２電極リード１１、１２、半導体チップ１３の密着力が更に向上し、且つ半導体チップ１３および導体４１にかかる樹脂応力を均等化することが可能である。

以上説明したように、実施例４に係る半導体装置５０では、半導体チップ１３が第１電極リード１１から両方向にはみ出し、導体４１が第２電極リード１２から両方向にはみ出すようにして、４個の食いこみ部５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂを形成したので、密着力が更に向上し、且つ半導体チップ１３および導体４１にかかる樹脂応力が均等化される利点がある。

図８は本発明の実施例５に係る半導体装置の構成を示す図で、図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図ある。

本実施例が実施例１と異なる点は、第１および第２電極リードが下方に末広がり状に傾斜した側面を有することにある。

即ち、図８に示すように、実施例５に係る半導体装置６０は、下方に末広がり状に傾斜した側面を有する四角錐状の第１および第２電極リード６１、６２を具備している。

第１および第２電極リード６１、６２は、例えば図２（ａ）に示すダミー基板２０に銅の厚膜を形成した後、銅の厚膜にレジストバターンを形成し、このレジストをマスクとして銅の厚膜をウェットエッチングすることにより形成される。

ウェットエッチング時に、銅の厚膜の上部がアンダーカットされて、下方に末広がり状に傾斜した側面を有する四角錐状の第１および第２電極リード６１、６２が得られる。

下方に末広がり状に傾斜した側面により、第１電極リード６１の第１の面６１ａの面積が導体チップ１３の面積より小さく、且つ第１の面６１ａと対向する第２の面６１ｂの面積より小さくなるように設定されている。

これにより、半導体チップ１３のはみ出し部１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの下側に樹脂１６の食いこみ部６３ａ、６３ｂ、および図示されない食いこみ部６３ｃ、６３ｄが形成される。

同様に、第２電極リード６２の第１の面６２ａの面積が導体４１の面積より小さく、且つ第１の面６２ａと対向する第２の面６２ｂの面積より小さくなるように設定されている。

これにより、導体４１のはみ出し部４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄの下側に樹脂１６の食いこみ部６４ａ、６４ｂ、および図示されない食いこみ部６４ｃ、６４ｄが形成される。

食いこみ部６３ａ〜６３ｄ、６４ａ〜６４ｄのそれぞれの所謂アンカー効果が加算されて、樹脂１６と第１および第２電極リード６１、６２の密着力を向上させることが可能である。

また、側面の傾斜角度により半導体チップ１３または導体４１のはみ出し量Ｌ５、Ｌ６を変えることができるので、密着力を調整することが可能である。

以上説明したように、実施例５に係る半導体装置６０では、下方に末広がり状に傾斜した側面を有する第１および第２電極リード６１、６２により、８個の食いこみ部６３ａ〜６３ｄ、６４ａ〜６４ｄを設けたので、密着力が向上し、側面の傾斜角度により密着力を調整する事ができる利点がある。

図９は本発明の実施例６に係る半導体装置の構成を示す図で、図９（ａ）はその平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図ある。

本実施例が実施例１と異なる点は、第１および第２電極リードの側面の上部のみが下方に末広がり状に傾斜していることにある。

即ち、図９に示すように、実施例６に係る半導体装置７０は、側面の上部のみが下方に末広がり状に傾斜した側面を有する四角錐状の第１および第２電極リード７１、７２を具備している。

第１および第２電極リード７１、７２は、例えば図２（ｂ）に示すダミー基板２０に形成された第１および第２電極リード１１、１２の上部をナイフエッジで面取りすることにより形成することができる。

下方に末広がり状に傾斜した側面により、第１電極リード７１の第１の面７１ａの面積が半導体チップ１３の面積より小さく、且つ第１の面７１ａと対向する第２の面７１ｂの面積より小さくなるように設定されている。

これにより、半導体チップ１３のはみ出し部１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄの下側に樹脂１６の食いこみ部７３ａ、７３ｂ、および図示されない食いこみ部７３ｃ、７３ｄが形成される。

同様に、第２電極リード７２の第１の面７２ａの面積が導体４１の面積より小さく、且つ第１の面７２ａと対向する第２の面７２ｂの面積より小さくなるように設定されている。

これにより、導体４１のはみ出し部４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄの下側に樹脂１６の食いこみ部７４ａ、７４ｂ、および図示されない食いこみ部７４ｃ、７４ｄが形成される。

食いこみ部７３ａ〜７３ｄ、７４ａ〜７４ｄのそれぞれの所謂アンカー効果が加算されて、樹脂１６と第１および第２電極リード７１、７２の密着力を向上させることが可能である。

また、側面の傾斜角度により半導体チップ１３または導体４１のはみ出し量Ｌ７、Ｌ８を変えることができるので、密着力を調整することが可能である。

以上説明したように、実施例５に係る半導体装置７０では、下方に末広がり状に傾斜した側面を有する第１および第２電極リード７１、７２により、食いこみ部７３ａ〜７３ｄ、７４ａ〜７４ｄを設けたので、密着力が向上し、側面の傾斜角度により密着力を調整できる利点がある。

更に、電極リードの側面全体を下方に末広がり状に形成する場合に比べて、電極リードの製造が容易である。

ここでは、第１および第２電極リード７１、７２が側面の上部みが下方に末広がり状に傾斜したる場合について説明したが、傾斜部が段差状部７５であっても構わない。段差状部７５であれば傾斜面より樹脂１６との接触面積が増えるので、密着力が更に向上する利点がある。

図１０は本発明の実施例７に係る半導体装置の構成を示す図で、図１０（ａ）はその平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＧ−Ｇ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図ある。

本実施例が実施例１と異なる点は、第１および第２電極リードが上方に末広がり状に傾斜した側面を有することにある。

即ち、図１０に示すように、実施例７に係る半導体装置８０は、上方に末広がり状に傾斜した側面を有する四角錐状の第１および第２電極リード８１、８２を具備している。

半導体チップ１３は第１電極リード８１よりはみだすことなく、第１電極リード８１の第１の面８１ａの中央部に載置され、半導体チップ１３のパッド１４と第２電極リードの第１の面８２ａがワイヤ１５で接続されている。

上方に末広がり状に傾斜した側面を有する第１および第２電極リード８１、８２は、例えば、上方に末広がり状に傾斜した開口を有するレジストをマスクとして、リフトオフ法により形成することができる。

上方に末広がり状に傾斜した側面により、第１電極リード８１の第１の面８１ａの面積が第１の面８１ａと対向する第２の面８１ｂの面積より大きいので、第１電極リード８１の第１の面８１ａの下側に樹脂１６の食いこみ部８３ａ、８３ｂ、および図示されない食いこみ部８３ｃ、８３ｄが形成される。

同様に、第２電極リード８２の第１の面８２ａの面積が第１の面８２ａと対向する第２の面８２ｂの面積より大きいので、第２電極リード８２の第１の面８２ａの下側に樹脂１６の食いこみ部８４ａ、８４ｂ、および図示されない食いこみ部８４ｃ、８４ｄが形成される。

食いこみ部８３ａ〜８３ｄ、８４ａ〜８４ｄのそれぞれの所謂アンカー効果が加算されて、樹脂１６と第１および第２電極リード８１、８２の密着力を向上させ、また側面の角度により密着力を調整することが可能である。

更に、半導体チップ１３には食いこみ部８３による樹脂応力が及ばないので、半導体チップ１３にかかるストレスが低減される。

以上説明したように、実施例７に係る半導体装置８０では、上方に末広がり状に傾斜した側面を有する第１および第２電極リード８１、８２により、食いこみ部８３ａ〜８３ｄ、８４ａ〜８４ｄを設けたので、密着力が向上し、半導体チップ１３にかかるストレスを低減できる利点がある。

図１１は本発明の実施例８に係る半導体装置の構成を示す図で、図１１（ａ）はその平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＨ−Ｈ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図ある。

本実施例が実施例１と異なる点は、第１および第２電極リードの側面の下部のみが上方に末広がり状に傾斜していることにある。

即ち、図１１に示すように、実施例８に係る半導体装置９０は、側面の下部みが上方に末広がり状に傾斜した側面を有する四角錐状の第１および第２電極リード９１、９２を具備している。

第１および第２電極リード９１、９２は、例えばレジストを２層処理し、上層の感光処理の際に下層の感光処理で使用したマスクより開口が小さいものを使用して形成することができる。

上方に末広がり状に傾斜した側面により、第１電極リード９１の第１の面９１ａの面積が第１の面９１ａと対向する第２の面９１ｂの面積より大きいので、第１電極リード９１の第１の面９１ａの下側に樹脂１６の食いこみ部９３ａ、９３ｂ、および図示されない食いこみ部９３ｃ、９３ｄが形成される。

同様に、第２電極リード９２の第１の面９２ａの面積が第１の面９２ａと対向する第２の面９２ｂの面積より大きいので、第２電極リード９２の第１の面９２ａの下側に樹脂１６の食いこみ部９４ａ、９４ｂ、および図示されない食いこみ部９４ｃ、９４ｄが形成される。

食いこみ部９３ａ〜９３ｄ、９４ａ〜９４ｄのそれぞれの所謂アンカー効果が加算されて、樹脂１６と第１および第２電極リード９１、９２の密着力を向上させ、また側面の角度により密着力を調整することが可能である。

更に、半導体チップ１３には食いこみ部９３により剥離力が及ばないので、半導体チップ１３にかかるストレスが低減される。

以上説明したように、実施例８に係る半導体装置９０では、上方に末広がり状に傾斜した側面を有する第１および第２電極リード９１、９２により、食いこみ部９３ａ〜９３ｄ、９４ａ〜９４ｄを設けたので、密着力が向上し、半導体チップ１３にかかるストレスを低減できる利点がある。

更に、電極リードの側面全体を上方に末広がり状に形成する場合に比べて、電極リードの製造が容易である。

ここでは、第１および第２電極リード９１、９２が側面の下部みが上方に末広がり状に傾斜したる場合について説明したが、傾斜部が段差状部９５であっても構わない。段差状部９５であれば傾斜面より樹脂１６との接触面積が増えるので、密着力が更に向上する利点がある。

上述した実施例においては、半導体チップ１３がダイオードの場合について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、複数のパッドを有する半導体チップ、例えばトランジスタであっても構わない。

本発明の実施例１に係る半導体装置の構造を示す図で、図１（ａ）はその平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）のＡ−Ａ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。本発明の実施例１に係る半導体装置の製造工程を順に示す断面図。本発明の実施例１に係る半導体装置を基板に実装した状態を示す断面図。樹脂の剥離による半導体装置の信頼性不良モードを示す断面図。本発明の実施例２に係る半導体装置の構造を示す図で、図５（ａ）はその平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＢ−Ｂ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。本発明の実施例３に係る半導体装置の構造を示す図で、図６（ａ）はその平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＣ−Ｃ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。本発明の実施例４に係る半導体装置の構造を示す図で、図７（ａ）はその平面図、図７（ｂ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。本発明の実施例５に係る半導体装置の構造を示す図で、図８（ａ）はその平面図、図８（ｂ）は図８（ａ）のＥ−Ｅ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。本発明の実施例６係る半導体装置の構造を示す図で、図９（ａ）はその平面図、図９（ｂ）は図９（ａ）のＦ−Ｆ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。本発明の実施例７係る半導体装置の構造を示す図で、図１０（ａ）はその平面図、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＧ−Ｇ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。本発明の実施例８係る半導体装置の構造を示す図で、図１１（ａ）はその平面図、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＨ−Ｈ線に沿って切断し、矢印の方向に眺めた断面図。

符号の説明

１０、３０、４０、５０、６０、７０、８０、９０半導体装置
１１、６１、７１、８１、９１第１電極リード
１２、６２、７２、８２、９２第２電極リード
１１ａ、１２ａ第１の面
１１ｂ、１２ｂ第２の面
１３半導体チップ
１３ａ、１３ｂ、１３ｃ、１３ｄ、４１ａ、４１ｂ、４１ｃ、４１ｄはみ出し部
１４パッド
１５、４２ワイヤ
１６樹脂
１７パッケージ
１８、３２、４３、５１ａ、５１ｂ、５２ａ、５２ｂ、６３ａ、６３ｂ、６４ａ、６４ｂ、７３ａ、７３ｂ、７４ａ、７４ｂ、８３ａ、８３ｂ、８４ａ、８４ｂ、９３ａ、９３ｂ、９４ａ、９４ｂ食いこみ部
２０ダミー基板
２１楔
２４基板
２５、２６配線パターン
２７、２８接続端子
３１凸部
４１導体
７５、９５段差状部

Claims

第１電極リードと、
前記第１電極リードと離間して配置された第２電極リードと、
前記第１電極リードの第１の面に、前記第１電極リードよりはみ出して載置された半導体チップと、
前記半導体チップを前記第２電極リードの第１の面に電気的接続する接続導体と、
前記第１および第２電極リードの前記第１の面と対向する第２の面をそれぞれ露出させ、前記第１および第２電極リード、前記半導体チップをモールドするパッケージと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
前記第２電極リードの前記第１の面に凸部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
第１電極リードと、
前記第１電極リードと離間して配置された第２電極リードと、
前記第１電極リードの第１の面に、前記第１電極リードよりはみ出して載置された半導体チップと、
前記第２電極リードの第１の面に、前記第２電極リードよりはみ出して載置された導体と、
前記半導体チップを前記導体に電気的接続する接続導体と、
前記第１および第２電極リードの前記第１の面と対向する第２の面をそれぞれ露出させ、前記第１および第２電極リード、前記半導体チップ、前記導体をモールドするパッケージと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
半導体チップと、
前記半導体チップを載置する第１の面の面積が前記半導体チップの面積より小さく、且つ前記第１の面と対向する第２の面の面積より小さい第１電極リードと、
導体と、
前記第１電極リードと離間して配置され、導体を載置する第１の面の面積が前記導体の面積より小さく、且つ前記第１の面と対向する第２の面の面積より小さい第２電極リードと、
前記半導体チップを前記導体に電気的接続する接続導体と、
前記第１および第２電極リードの前記第２の面をそれぞれ露出させ、前記第１および第２電極リード、前記半導体チップ、前記導体をモールドするパッケージと、
を具備することを特徴とする半導体装置。
半導体チップと、
前記半導体チップを載置する第１の面の面積が前記第１の面と対向する第２の面の面積より大きい第１電極リードと、
前記第１電極リードと離間して配置され、第１の面の面積が前記第１の面と対向する第２の面の面積より大きい第２電極リードと、
前記半導体チップを前記第２電極リードに電気的接続する接続導体と、
前記第１および第２電極リードの前記第２の面をそれぞれ露出させ、前記第１および第２電極リード、前記半導体チップをモールドするパッケージと、
を具備することを特徴とする半導体装置。