JPH11112036A - 面実装半導体装置 - Google Patents
面実装半導体装置Info
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- JPH11112036A JPH11112036A JP26612497A JP26612497A JPH11112036A JP H11112036 A JPH11112036 A JP H11112036A JP 26612497 A JP26612497 A JP 26612497A JP 26612497 A JP26612497 A JP 26612497A JP H11112036 A JPH11112036 A JP H11112036A
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- resin
- light emitting
- emitting element
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 面実装半導体装置においては、実装時の加熱
工程において凹部に設置した駆動素子が配線パターンか
ら剥がれて接続不良がおこったり、破壊されたりすると
いう不具合があった。 【解決手段】樹脂基板上に凹部を設け、その凹部に半導
体素子を搭載し樹脂で封止して形成した面実装半導体装
置において、半導体素子の周りに該半導体素子を熱応力
から保護するための応力緩衝材を有することにより、実
装時の加熱工程において半導体素子に応力が集中せず、
信頼性の高い面実装半導体装置を得ることができる。
工程において凹部に設置した駆動素子が配線パターンか
ら剥がれて接続不良がおこったり、破壊されたりすると
いう不具合があった。 【解決手段】樹脂基板上に凹部を設け、その凹部に半導
体素子を搭載し樹脂で封止して形成した面実装半導体装
置において、半導体素子の周りに該半導体素子を熱応力
から保護するための応力緩衝材を有することにより、実
装時の加熱工程において半導体素子に応力が集中せず、
信頼性の高い面実装半導体装置を得ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面実装可能な発光
ダイオード等の面実装半導体装置に関するものである。
ダイオード等の面実装半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来例の面実装半導体装置を示す
略断面図である。液晶ポリマーあるいはガラスエポキシ
の樹脂基板５１上には表面に銅やニッケル等で形成され
たメタル層５２が形成されており、メタル層５２上には
発光ダイオード等の発光素子５３と発光素子５３を駆動
するための半導体駆動素子５４が設置されている。発光
素子５３および半導体駆動素子は導電性接着剤等により
樹脂基板表面にダイボンドされている。
略断面図である。液晶ポリマーあるいはガラスエポキシ
の樹脂基板５１上には表面に銅やニッケル等で形成され
たメタル層５２が形成されており、メタル層５２上には
発光ダイオード等の発光素子５３と発光素子５３を駆動
するための半導体駆動素子５４が設置されている。発光
素子５３および半導体駆動素子は導電性接着剤等により
樹脂基板表面にダイボンドされている。
【０００３】５７は透明エポキシ樹脂等で形成された透
光性樹脂であり、トランスファーモールド成形される。
５７ａは透光性樹脂５７によって形成されたレンズ部で
ある。５６は応力緩衝材であり、発光素子５３の周りに
配置され、弾性のある透明なシリコン樹脂で形成され
る。この応力緩衝材５６は透光性樹脂５７が硬化すると
き発光素子５３に加わる内部応力を緩和し、発光素子５
３の輝度の低下を防ぐものである。すなわち、応力緩衝
材５６が無いとエポキシ樹脂５５が硬化するとき歪みな
どによる内部応力が発光素子５３の表面に加わって発光
素子５３の輝度が低下する。
光性樹脂であり、トランスファーモールド成形される。
５７ａは透光性樹脂５７によって形成されたレンズ部で
ある。５６は応力緩衝材であり、発光素子５３の周りに
配置され、弾性のある透明なシリコン樹脂で形成され
る。この応力緩衝材５６は透光性樹脂５７が硬化すると
き発光素子５３に加わる内部応力を緩和し、発光素子５
３の輝度の低下を防ぐものである。すなわち、応力緩衝
材５６が無いとエポキシ樹脂５５が硬化するとき歪みな
どによる内部応力が発光素子５３の表面に加わって発光
素子５３の輝度が低下する。
【０００４】発光素子５３はワイアー５５により、メタ
ル層５２に接続される。半導体駆動素子５４はメタル層
５２のパターンにより配線され発光素子５３と電気的に
接続されている。
ル層５２に接続される。半導体駆動素子５４はメタル層
５２のパターンにより配線され発光素子５３と電気的に
接続されている。
【０００５】上述のような面実装半導体装置は、樹脂基
板５１の側面または裏面に形成されたメタル層をプリン
ト基板等にハンダ付けすることにより実装されるが、全
体的に高さが高くなるため、基板に凹部を設けた面実装
半導体装置がある。
板５１の側面または裏面に形成されたメタル層をプリン
ト基板等にハンダ付けすることにより実装されるが、全
体的に高さが高くなるため、基板に凹部を設けた面実装
半導体装置がある。
【０００６】図４は別の従来例の面実装半導体装置を示
す図である。樹脂基板５１は凹部５１ａおよび、５１ｂ
を有しており樹脂には配線パターン５２が施されてい
る。凹部５１ａには発光ダイオード等の発光素子５３が
設置され、また、凹部５１ｂには半導体駆動素子５４が
設置されている。発光素子５３の周囲には応力緩衝材５
６が形成されている。透光性エポキシ樹脂等の透光性樹
脂５７によってトランスファーモールド成形することに
より、面発光光半導体装置が形成される。５５ａは透明
エポキシ樹脂５５によって形成されたレンズ部である。
この面発光光半導体装置は、凹部５１ａ、５１ｂに発光
素子５３および半導体駆動素子５４が形成されているた
め、高さが小さくなり面実装半導体装置を薄型化でき
る。
す図である。樹脂基板５１は凹部５１ａおよび、５１ｂ
を有しており樹脂には配線パターン５２が施されてい
る。凹部５１ａには発光ダイオード等の発光素子５３が
設置され、また、凹部５１ｂには半導体駆動素子５４が
設置されている。発光素子５３の周囲には応力緩衝材５
６が形成されている。透光性エポキシ樹脂等の透光性樹
脂５７によってトランスファーモールド成形することに
より、面発光光半導体装置が形成される。５５ａは透明
エポキシ樹脂５５によって形成されたレンズ部である。
この面発光光半導体装置は、凹部５１ａ、５１ｂに発光
素子５３および半導体駆動素子５４が形成されているた
め、高さが小さくなり面実装半導体装置を薄型化でき
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図４に
示す面実装半導体装置を回路基板に実装するとき、回路
基板にクリーム半田をぬり、リフロー炉で加熱して回路
基板に固定する工程をを経るが、この加熱工程におい
て、樹脂基板と透光性樹脂の熱膨張率との熱膨張率が著
しく異なっているため、樹脂基板および透光性樹脂が反
るように変形する。
示す面実装半導体装置を回路基板に実装するとき、回路
基板にクリーム半田をぬり、リフロー炉で加熱して回路
基板に固定する工程をを経るが、この加熱工程におい
て、樹脂基板と透光性樹脂の熱膨張率との熱膨張率が著
しく異なっているため、樹脂基板および透光性樹脂が反
るように変形する。
【０００８】図５はリフロー炉で加熱したとき面実装半
導体装置の変形を示す説明図である。加熱すると樹脂基
板５１より透光性樹脂１７の方が熱膨張が大きく全体に
反りが生じるが凹部５１ｂに熱応力が集中する結果、半
導体駆動素子５４がメタル層５２から引き剥がされて面
実装半導体装置に不良が生じる。
導体装置の変形を示す説明図である。加熱すると樹脂基
板５１より透光性樹脂１７の方が熱膨張が大きく全体に
反りが生じるが凹部５１ｂに熱応力が集中する結果、半
導体駆動素子５４がメタル層５２から引き剥がされて面
実装半導体装置に不良が生じる。
【０００９】従来例の面実装半導体装置においては、実
装時の加熱工程において凹部に設置した半導体駆動素子
が配線パターンからから剥がれて接続不良がおこった
り、破壊されたりするという不具合があった。
装時の加熱工程において凹部に設置した半導体駆動素子
が配線パターンからから剥がれて接続不良がおこった
り、破壊されたりするという不具合があった。
【００１０】本発明は、上述の問題を鑑みてなされたも
のであり、樹脂基板に凹部を有する面実装の光半導体装
置において回路基板実装時の熱応力への耐性を高め、信
頼性の高い面実装半導体装置を得ることを目的とする。
のであり、樹脂基板に凹部を有する面実装の光半導体装
置において回路基板実装時の熱応力への耐性を高め、信
頼性の高い面実装半導体装置を得ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
面実装半導体装置は、樹脂基板上に凹部を設け、その凹
部に半導体素子を搭載し樹脂で封止して形成した面実装
半導体装置において、半導体素子の周りに該半導体素子
を熱応力から保護するための応力緩衝材を有することを
特徴とするものである。
面実装半導体装置は、樹脂基板上に凹部を設け、その凹
部に半導体素子を搭載し樹脂で封止して形成した面実装
半導体装置において、半導体素子の周りに該半導体素子
を熱応力から保護するための応力緩衝材を有することを
特徴とするものである。
【００１２】また、本発明の請求項２記載の面実装半導
体装置は、面実装半導体装置に搭載された半導体素子と
外部端子は面実装半導体装置の基板に設けられたスルホ
ールを介して電気的接続されることを特徴とするもので
ある。
体装置は、面実装半導体装置に搭載された半導体素子と
外部端子は面実装半導体装置の基板に設けられたスルホ
ールを介して電気的接続されることを特徴とするもので
ある。
【００１３】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態であ
る面実装半導体装置を示す図であり、図１(ａ）はその
上面図であり、図１（ｂ）はその底面図であり、図１
（ｃ）はその発光素子部分の略断面図であり、また、図
１（ｄ）はその半導体駆動素子部分の略断面図である。
また、図２は本発明の一実施の形態である面実装半導体
装置の製造工程を示す上面図である。
る面実装半導体装置を示す図であり、図１(ａ）はその
上面図であり、図１（ｂ）はその底面図であり、図１
（ｃ）はその発光素子部分の略断面図であり、また、図
１（ｄ）はその半導体駆動素子部分の略断面図である。
また、図２は本発明の一実施の形態である面実装半導体
装置の製造工程を示す上面図である。
【００１４】図１（ａ）において、１１は樹脂基板であ
り、液晶ポリマー等の樹脂材料を射出成形の手法により
形成されている。樹脂基板１１はガラスエポキシ基板を
射出成形することによっても形成することができる。樹
脂基板１１には凹部１１ａおよび凹部１１ｂが形成され
ており。凹部１１ａには発光素子１３が設置されてお
り、凹部１１ｂには発光ダイオード等の発光素子１３を
駆動するための半導体駆動素子１４が設置されている。
り、液晶ポリマー等の樹脂材料を射出成形の手法により
形成されている。樹脂基板１１はガラスエポキシ基板を
射出成形することによっても形成することができる。樹
脂基板１１には凹部１１ａおよび凹部１１ｂが形成され
ており。凹部１１ａには発光素子１３が設置されてお
り、凹部１１ｂには発光ダイオード等の発光素子１３を
駆動するための半導体駆動素子１４が設置されている。
【００１５】また樹脂基板１１には４つのコの字状の切
欠部１１ｃが形成されており、切欠部１１ｃの近傍には
角型のスルホール１１ｄが形成されている。切欠部１１
ｃ、スルホール１１ｄにはメタル層１２がパターニング
されて形成されており回路基板と接続する外部端子１２
ａの一部を形成している。メタル層１２は樹脂基板１１
上に無電解メッキおよび電解メッキを施すことにより形
成される。１１（ｂ）に示されるように、メタル層１２
は樹脂基板１１の底面に裏面電極のパターンを形成して
おり外部端子１２ａの一部を形成している。また、スル
ホール１１ｄを通じて樹脂基板１１上面のメタル層１２
できた配線パターンと外部端子１２ａとは電気的に接続
されている。この面実装半導体装置１０は切欠部１１ｃ
を有することにより、プリント基板等に実装するとき、
半田ペーストとの接触面積が増えるので確実にプリント
基板に実装することができる。
欠部１１ｃが形成されており、切欠部１１ｃの近傍には
角型のスルホール１１ｄが形成されている。切欠部１１
ｃ、スルホール１１ｄにはメタル層１２がパターニング
されて形成されており回路基板と接続する外部端子１２
ａの一部を形成している。メタル層１２は樹脂基板１１
上に無電解メッキおよび電解メッキを施すことにより形
成される。１１（ｂ）に示されるように、メタル層１２
は樹脂基板１１の底面に裏面電極のパターンを形成して
おり外部端子１２ａの一部を形成している。また、スル
ホール１１ｄを通じて樹脂基板１１上面のメタル層１２
できた配線パターンと外部端子１２ａとは電気的に接続
されている。この面実装半導体装置１０は切欠部１１ｃ
を有することにより、プリント基板等に実装するとき、
半田ペーストとの接触面積が増えるので確実にプリント
基板に実装することができる。
【００１６】図２に示されるように、面実装半導体装置
１０は樹脂基板１１上に面実装半導体装置１０を縦横に
形成し、それらを切断線１８にそってダイシングソー等
を用いて切断することにより、個々の面実装半導体装置
１０に分けられる。切欠部１１ｃはスルホール１１ｅを
切断することにより形成されるが、その切断時に切欠部
１１のメタル層１２に層の剥離またはクラック等が生じ
て損なわれることがある。この場合、面実装半導体装置
１０上の素子と面実装半導体装置１０が実装される回路
基板との電気的接続が損なわれる恐れがある。しかし、
切断線上のスルホール１１ｅとは別に形成したスルホー
ル１１ｄにより外部端子１２ａの一部である樹脂基板１
１の底面の裏面電極と上面の配線パターンとを接続して
面実装半導体装置上の半導体素子と面実装半導体装置が
実装される回路基板との電気的接続を図ることにより、
面実装半導体装置上の半導体素子と回路基板とを確実に
導通させることができ、信頼性を高めることができる。
１０は樹脂基板１１上に面実装半導体装置１０を縦横に
形成し、それらを切断線１８にそってダイシングソー等
を用いて切断することにより、個々の面実装半導体装置
１０に分けられる。切欠部１１ｃはスルホール１１ｅを
切断することにより形成されるが、その切断時に切欠部
１１のメタル層１２に層の剥離またはクラック等が生じ
て損なわれることがある。この場合、面実装半導体装置
１０上の素子と面実装半導体装置１０が実装される回路
基板との電気的接続が損なわれる恐れがある。しかし、
切断線上のスルホール１１ｅとは別に形成したスルホー
ル１１ｄにより外部端子１２ａの一部である樹脂基板１
１の底面の裏面電極と上面の配線パターンとを接続して
面実装半導体装置上の半導体素子と面実装半導体装置が
実装される回路基板との電気的接続を図ることにより、
面実装半導体装置上の半導体素子と回路基板とを確実に
導通させることができ、信頼性を高めることができる。
【００１７】図１（ｃ）において、樹脂基板１１に形成
された凹部１１ａにメタル層１２が形成され、その上に
発光ダイオード等の発光素子１３が導電性接着剤等でダ
イボンドされ、搭載されている。凹部１１ａに発光ダイ
オードを設置することにより面実装半導体装置の高さを
抑えることができる。また、発光素子１３はワイアボン
ディングによってワイヤ１５ａが取付けられており、メ
タル層１２の他の部分と電気的に接続されている。発光
素子１３の周りには透光性の弾性のあるシリコン樹脂、
レジンなどの応力緩衝材１６ａが充填されている。この
応力緩衝材の上から透光性エポキシ樹脂などの熱硬化性
の透光性樹脂１７がトランスファーモールド成形などに
よって形成される。この透光性樹脂１７の一部はレンズ
部１７ａとして成形され、発光素子１３からの光を特定
の方向に集光させる機能をもっている。
された凹部１１ａにメタル層１２が形成され、その上に
発光ダイオード等の発光素子１３が導電性接着剤等でダ
イボンドされ、搭載されている。凹部１１ａに発光ダイ
オードを設置することにより面実装半導体装置の高さを
抑えることができる。また、発光素子１３はワイアボン
ディングによってワイヤ１５ａが取付けられており、メ
タル層１２の他の部分と電気的に接続されている。発光
素子１３の周りには透光性の弾性のあるシリコン樹脂、
レジンなどの応力緩衝材１６ａが充填されている。この
応力緩衝材の上から透光性エポキシ樹脂などの熱硬化性
の透光性樹脂１７がトランスファーモールド成形などに
よって形成される。この透光性樹脂１７の一部はレンズ
部１７ａとして成形され、発光素子１３からの光を特定
の方向に集光させる機能をもっている。
【００１８】図１（ｄ）において樹脂基板１１に形成さ
れた凹部１１ｂにメタル層１２が形成され、その上に半
導体駆動素子１４が導電性接着剤等でダイボンドされ、
搭載されている。凹部１１ｂに半導体駆動素子１４を設
置することにより面実装半導体装置の高さを抑えること
ができる。また、半導体駆動素子１４はワイアボンディ
ングによってワイヤ１５ｂが取付けられており、メタル
層１２の他の部分と電気的に接続されている。半導体駆
動素子１４の周りにはシリコン樹脂、レジンなどの応力
緩衝材１６ｂが充填されている。その上から透光性エポ
キシ樹脂等の熱硬化性の透光性樹脂１７によって、トラ
ンスファーモールド成形されている。
れた凹部１１ｂにメタル層１２が形成され、その上に半
導体駆動素子１４が導電性接着剤等でダイボンドされ、
搭載されている。凹部１１ｂに半導体駆動素子１４を設
置することにより面実装半導体装置の高さを抑えること
ができる。また、半導体駆動素子１４はワイアボンディ
ングによってワイヤ１５ｂが取付けられており、メタル
層１２の他の部分と電気的に接続されている。半導体駆
動素子１４の周りにはシリコン樹脂、レジンなどの応力
緩衝材１６ｂが充填されている。その上から透光性エポ
キシ樹脂等の熱硬化性の透光性樹脂１７によって、トラ
ンスファーモールド成形されている。
【００１９】面実装半導体装置の半導体駆動素子や受光
素子等の発光素子でない半導体素子は従来例において
は、応力緩衝材を介さず直接熱硬化性の透光性樹脂によ
ってトランスファーモールド成形されるが、これらの素
子を樹脂基板の凹部に設置した構造である場合、実装時
の半田リフローの熱処理工程時に樹脂基板と透光性樹脂
との熱膨張率の違いにより熱応力が発生し、その熱応力
が凹部に集中することにより、半導体素子からメタル層
が剥離して導通不良となる場合がある。そこで、応力緩
衝材を介してトランスファーモールド形成することによ
り、実装工程での面実装半導体装置の不具合が発生する
ことがなくなった。
素子等の発光素子でない半導体素子は従来例において
は、応力緩衝材を介さず直接熱硬化性の透光性樹脂によ
ってトランスファーモールド成形されるが、これらの素
子を樹脂基板の凹部に設置した構造である場合、実装時
の半田リフローの熱処理工程時に樹脂基板と透光性樹脂
との熱膨張率の違いにより熱応力が発生し、その熱応力
が凹部に集中することにより、半導体素子からメタル層
が剥離して導通不良となる場合がある。そこで、応力緩
衝材を介してトランスファーモールド形成することによ
り、実装工程での面実装半導体装置の不具合が発生する
ことがなくなった。
【００２０】本発明では発光素子とともに面実装半導体
装置に搭載される半導体素子として半導体駆動素子を例
示したが、発光素子と受光素子およびアンプ回路または
演算回路を含む半導体素子等の発光素子以外の半導体素
子の組み合わせであってもよい。また、発光素子以外の
半導体素子のみが面実装半導体装置に搭載されていても
よい。
装置に搭載される半導体素子として半導体駆動素子を例
示したが、発光素子と受光素子およびアンプ回路または
演算回路を含む半導体素子等の発光素子以外の半導体素
子の組み合わせであってもよい。また、発光素子以外の
半導体素子のみが面実装半導体装置に搭載されていても
よい。
【００２１】
【発明の効果】本発明の請求項１記載の面実装半導体装
置によれば、樹脂基板上に凹部を設け、その凹部に半導
体素子を搭載し樹脂で封止して形成した面実装半導体装
置であって、半導体素子の周りに該半導体素子を熱応力
から保護するための応力緩衝材を有することにより、半
田リフロー工程での熱応力による半導体素子の不良を防
ぎ、信頼性の高い面実装半導体装置を得ることができ
る。
置によれば、樹脂基板上に凹部を設け、その凹部に半導
体素子を搭載し樹脂で封止して形成した面実装半導体装
置であって、半導体素子の周りに該半導体素子を熱応力
から保護するための応力緩衝材を有することにより、半
田リフロー工程での熱応力による半導体素子の不良を防
ぎ、信頼性の高い面実装半導体装置を得ることができ
る。
【００２２】また、本発明の請求項２記載の面実装半導
体装置によれば、面実装半導体装置に搭載された半導体
素子と外部端子は面実装半導体装置の基板に設けられた
スルホールを介して電気的接続されることを特徴とする
ものであり、信頼性の高い面実装半導体装置を得ること
ができる。
体装置によれば、面実装半導体装置に搭載された半導体
素子と外部端子は面実装半導体装置の基板に設けられた
スルホールを介して電気的接続されることを特徴とする
ものであり、信頼性の高い面実装半導体装置を得ること
ができる。
【図１】本発明の一実施の形態である面実装半導体装置
を示す図であり（ａ）はその上面図であり、（ｂ）はそ
の底面図であり、（ｃ）はその発光素子部分の略断面図
であり、また、（ｄ）はその半導体駆動素子部分の略断
面図である。
を示す図であり（ａ）はその上面図であり、（ｂ）はそ
の底面図であり、（ｃ）はその発光素子部分の略断面図
であり、また、（ｄ）はその半導体駆動素子部分の略断
面図である。
【図２】本発明の一実施の形態である面実装半導体装置
の製造工程を示す上面図である。
の製造工程を示す上面図である。
【図３】従来例の面実装半導体装置を示す略断面図であ
る。
る。
【図４】別の従来例の面実装半導体装置を示す略断面図
である。
である。
【図５】リフロー炉で加熱したとき面実装半導体装置の
変形を示す説明図である。
変形を示す説明図である。
１１ 樹脂基板 １１ａ、１１ｂ 凹部 １１ｄ スルホール １２ メタル層 １２ａ 外部端子 １３ 発光素子 １４ 半導体駆動素子 １６ 応力緩衝材 １７ 透光性樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 樹脂基板上に凹部を設け、その凹部に半
導体素子を搭載し樹脂で封止して形成した面実装半導体
装置において、半導体素子の周りに該半導体素子を熱応
力から保護するための応力緩衝材を有することを特徴と
する面実装半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の面実装半導体装置におい
て、面実装半導体装置に搭載された半導体素子と外部端
子は面実装半導体装置の基板に設けられたスルホールを
介して電気的接続されることを特徴とする面実装半導体
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26612497A JPH11112036A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 面実装半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26612497A JPH11112036A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 面実装半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11112036A true JPH11112036A (ja) | 1999-04-23 |
Family
ID=17426668
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26612497A Pending JPH11112036A (ja) | 1997-09-30 | 1997-09-30 | 面実装半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11112036A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324916A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法 |
| KR20030056070A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 주식회사 대한전광 | 표면실장 ｌｅｄ 램프를 갖는 발광다이오드 모듈 |
| JP2004014857A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Stanley Electric Co Ltd | チップタイプ光半導体素子 |
| WO2004042833A1 (ja) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光ダイオード |
| EP1794808A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-06-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins |
| CN100334629C (zh) * | 2004-08-24 | 2007-08-29 | Tdk株式会社 | 激光二极管模块多层电路板和激光二极管模块 |
| KR100958509B1 (ko) | 2007-07-19 | 2010-05-17 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광장치 및 그 제조방법 |
| US8026533B2 (en) | 2007-07-19 | 2011-09-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
-
1997
- 1997-09-30 JP JP26612497A patent/JPH11112036A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002324916A (ja) * | 2001-04-24 | 2002-11-08 | Rohm Co Ltd | 赤外線データ通信モジュールおよびその製造方法 |
| KR20030056070A (ko) * | 2001-12-27 | 2003-07-04 | 주식회사 대한전광 | 표면실장 ｌｅｄ 램프를 갖는 발광다이오드 모듈 |
| JP2004014857A (ja) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Stanley Electric Co Ltd | チップタイプ光半導体素子 |
| US7347603B2 (en) | 2002-11-05 | 2008-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| WO2004042833A1 (ja) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | 発光ダイオード |
| CN100334629C (zh) * | 2004-08-24 | 2007-08-29 | Tdk株式会社 | 激光二极管模块多层电路板和激光二极管模块 |
| EP1794808A1 (en) * | 2004-09-10 | 2007-06-13 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins |
| EP1794808A4 (en) * | 2004-09-10 | 2009-09-23 | Seoul Semiconductor Co Ltd | ELECTROLUMINESCENT DIODE HOUSING CONTAINING MULTIPLE MOLDING RESINS |
| US7737463B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-06-15 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package with a heat sink support ring and having multiple molding resins, wherein secondary molding resin with higher hardness than primary molding resin and which covers primary molding resin that covers LED die |
| US7855395B2 (en) | 2004-09-10 | 2010-12-21 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package having multiple molding resins on a light emitting diode die |
| JP2012134564A (ja) * | 2004-09-10 | 2012-07-12 | Seoul Semiconductor Co Ltd | 発光素子及びその製造方法 |
| KR100958509B1 (ko) | 2007-07-19 | 2010-05-17 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 발광장치 및 그 제조방법 |
| US8026533B2 (en) | 2007-07-19 | 2011-09-27 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
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