JPH11346008A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ハンダリフローの手法を用いて回路基板などに
に半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケージ内でワ
イヤが断線してしまわないようにする。 【解決手段】半導体チップ３が搭載されるダイボンディ
ング領域15を内端部に有する第１の内部リード10と、ワ
イヤボンディング領域16を内端部に有する第２の内部リ
ード20と、所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形
成された樹脂パッケージ４と、第１の外部リード11と、
第２の外部リード21と、を備えた半導体装置Ａであっ
て、上記第１の内部リード１０はクランク状に折曲され
てダイボンディング領域が段下げ状とされているととも
に、上記第２の内部リード２０はクランク状に折曲され
てワイヤボンディング領域１６が段下げ状とされている
事を特徴とする。
に半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケージ内でワ
イヤが断線してしまわないようにする。 【解決手段】半導体チップ３が搭載されるダイボンディ
ング領域15を内端部に有する第１の内部リード10と、ワ
イヤボンディング領域16を内端部に有する第２の内部リ
ード20と、所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に形
成された樹脂パッケージ４と、第１の外部リード11と、
第２の外部リード21と、を備えた半導体装置Ａであっ
て、上記第１の内部リード１０はクランク状に折曲され
てダイボンディング領域が段下げ状とされているととも
に、上記第２の内部リード２０はクランク状に折曲され
てワイヤボンディング領域１６が段下げ状とされている
事を特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本願発明は、適宜の回路基板
などに面実装可能とされた樹脂パッケージ型の半導体装
置、とくに光センサの発光部または受光部として好適に
使用される半導体装置に関する。
などに面実装可能とされた樹脂パッケージ型の半導体装
置、とくに光センサの発光部または受光部として好適に
使用される半導体装置に関する。
【０００２】
【従来の技術および発明が解決しようとする課題】従来
の樹脂パッケージ型の半導体装置の一例を図１２および
図１３に示す。この半導体装置Ａは、金属板を打ち抜き
形成することによって得られるフレームを用いて製造さ
れた、いわゆるフレームタイプの発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）として構成されたものである。具体的には、それぞ
れの一端部１ａ，２ａどうしが対峙するようにして一対
のリード端子１，２が設けられており、一方のリード端
子１の一端部１ａには半導体チップ３（発光素子）が実
装されており、この発光素子３の上面３０と他方のリー
ド端子２の一端部２ａとがワイヤＷを介して電気的に導
通されている。そして、上記発光素子３およびワイヤＷ
を封入するようにしてエポキシ樹脂などの透明な樹脂パ
ッケージ４が形成されており、上記各リード端子１，２
のうちの樹脂パッケージ４に封入された部位がそれぞれ
内部リード１０，２０とされている。一方、上記各端子
リード１，２のうちの上記樹脂パッケージ４から延出す
る部位は、それぞれ屈曲形成されて先端側１１ａ，２１
ａが上記樹脂パッケージの底面と同等高さ位置において
所定長さ水平に延びる外部リード１１，２１とされてい
る。
の樹脂パッケージ型の半導体装置の一例を図１２および
図１３に示す。この半導体装置Ａは、金属板を打ち抜き
形成することによって得られるフレームを用いて製造さ
れた、いわゆるフレームタイプの発光ダイオード（ＬＥ
Ｄ）として構成されたものである。具体的には、それぞ
れの一端部１ａ，２ａどうしが対峙するようにして一対
のリード端子１，２が設けられており、一方のリード端
子１の一端部１ａには半導体チップ３（発光素子）が実
装されており、この発光素子３の上面３０と他方のリー
ド端子２の一端部２ａとがワイヤＷを介して電気的に導
通されている。そして、上記発光素子３およびワイヤＷ
を封入するようにしてエポキシ樹脂などの透明な樹脂パ
ッケージ４が形成されており、上記各リード端子１，２
のうちの樹脂パッケージ４に封入された部位がそれぞれ
内部リード１０，２０とされている。一方、上記各端子
リード１，２のうちの上記樹脂パッケージ４から延出す
る部位は、それぞれ屈曲形成されて先端側１１ａ，２１
ａが上記樹脂パッケージの底面と同等高さ位置において
所定長さ水平に延びる外部リード１１，２１とされてい
る。
【０００３】このように構成された発光ダイオードＡ
は、適宜の回路基板５などに面実装されて各種の光源、
たとえば光センサの発光部などとして使用される。しか
しながら、上記構成の発光ダイオードＡのような光学的
半導体装置の場合には、エポキシ樹脂を材料とする樹脂
パッケージにフィラを混入することができないため、樹
脂パッケージが熱によって大きく収縮するとともに、ガ
ラス転移点以上に再加熱された場合に軟化する傾向を生
じるため、ハンダリフローの手法によって面実装するこ
とができないという問題があった。この場合、やむなく
非能率的な手ハンダによる実装を行わざるをえない。
は、適宜の回路基板５などに面実装されて各種の光源、
たとえば光センサの発光部などとして使用される。しか
しながら、上記構成の発光ダイオードＡのような光学的
半導体装置の場合には、エポキシ樹脂を材料とする樹脂
パッケージにフィラを混入することができないため、樹
脂パッケージが熱によって大きく収縮するとともに、ガ
ラス転移点以上に再加熱された場合に軟化する傾向を生
じるため、ハンダリフローの手法によって面実装するこ
とができないという問題があった。この場合、やむなく
非能率的な手ハンダによる実装を行わざるをえない。
【０００４】すなわち、ハンダリフローの手法で面実装
をしようとすれば、上記発光ダイオードＡの外部リード
１１，２１の裏面側または回路基板５の端子パッド５０
にクリームハンダを予め塗布しておき、上記外部リード
１１，２１と上記端子パッド５０とを対応させて発光ダ
イオードＡを上記回路基板５に載置した状態でリフロー
炉に搬入することになる。このリフロー炉では、ハンダ
ペーストが２４０℃程度にまで加熱されてハンダ成分が
再溶融させられるが、発光ダイオードＡが実装された回
路基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化さ
せれば上記発光ダイオードＡが上記回路基板５に実装固
定される。
をしようとすれば、上記発光ダイオードＡの外部リード
１１，２１の裏面側または回路基板５の端子パッド５０
にクリームハンダを予め塗布しておき、上記外部リード
１１，２１と上記端子パッド５０とを対応させて発光ダ
イオードＡを上記回路基板５に載置した状態でリフロー
炉に搬入することになる。このリフロー炉では、ハンダ
ペーストが２４０℃程度にまで加熱されてハンダ成分が
再溶融させられるが、発光ダイオードＡが実装された回
路基板５をリフロー炉から搬出して溶融ハンダを固化さ
せれば上記発光ダイオードＡが上記回路基板５に実装固
定される。
【０００５】ハンダペーストがたとえば１８３℃程度で
固化するのに対して、上記発光ダイオードＡの樹脂パッ
ケージ４はガラス転移温度以上（たとえばフィラの混入
されていないエポキシ樹脂では１２０℃以上）において
高弾性で、しかも温度低下にともなって熱収縮する。す
なわち、樹脂パッケージ４のガラス転移温度以上でハン
ダペーストの固化温度以下の温度では、上記発光ダイオ
ードＡにおける各リード端子１，２が回路基板５に固定
された状態であるにもかかわらず、樹脂パッケージ４が
温度低下によってどんどん硬化収縮してしまうことにな
る。
固化するのに対して、上記発光ダイオードＡの樹脂パッ
ケージ４はガラス転移温度以上（たとえばフィラの混入
されていないエポキシ樹脂では１２０℃以上）において
高弾性で、しかも温度低下にともなって熱収縮する。す
なわち、樹脂パッケージ４のガラス転移温度以上でハン
ダペーストの固化温度以下の温度では、上記発光ダイオ
ードＡにおける各リード端子１，２が回路基板５に固定
された状態であるにもかかわらず、樹脂パッケージ４が
温度低下によってどんどん硬化収縮してしまうことにな
る。
【０００６】樹脂パッケージ４の熱収縮率は、リード端
子１，２（金属）のそれよりも大きく、しかもリード端
子１，２の端部（外部リード１１，２１）が固定されて
いるため、樹脂パッケージ４の収縮に追従してリード端
子１，２が収縮することができない。このため、各端子
リード１，２には、リード端子１，２が延びる方向であ
って樹脂パッケージ４の外方側（図中の矢印方向）に向
けた応力、すなわち上記樹脂パッケージ４から各リード
端子１，２を引き抜くような応力が作用してしまう。し
たがって、各リード端子１，２の一端部１ａ，２ａ間が
ワイヤＷによって繋げられてワイヤＷが延びる方向と各
リード端子１，２の延び方向とが同一方向とされた発光
ダイオードＡでは、ワイヤＷが引き延ばされるような大
きな応力が作用することとなる。このとき、樹脂パッケ
ージ４は、温度低下によって徐々に硬化するとともに、
ファーストボンディング位置（発光素子３の上面３０）
とセカンドボンディング位置（他方のリード端子２の一
端部２ａ）の高さが異なるため、ワイヤＷ自体の展性や
可撓性によっては十分に対応することができない。とく
に、ワイヤＷを溶融圧着させるファーストボンディング
に比較すればセカンドボンディング部位におけるワイヤ
Ｗの接続力が弱いため、セカンドボンディング部位にお
いてワイヤが断線してしまうのである。
子１，２（金属）のそれよりも大きく、しかもリード端
子１，２の端部（外部リード１１，２１）が固定されて
いるため、樹脂パッケージ４の収縮に追従してリード端
子１，２が収縮することができない。このため、各端子
リード１，２には、リード端子１，２が延びる方向であ
って樹脂パッケージ４の外方側（図中の矢印方向）に向
けた応力、すなわち上記樹脂パッケージ４から各リード
端子１，２を引き抜くような応力が作用してしまう。し
たがって、各リード端子１，２の一端部１ａ，２ａ間が
ワイヤＷによって繋げられてワイヤＷが延びる方向と各
リード端子１，２の延び方向とが同一方向とされた発光
ダイオードＡでは、ワイヤＷが引き延ばされるような大
きな応力が作用することとなる。このとき、樹脂パッケ
ージ４は、温度低下によって徐々に硬化するとともに、
ファーストボンディング位置（発光素子３の上面３０）
とセカンドボンディング位置（他方のリード端子２の一
端部２ａ）の高さが異なるため、ワイヤＷ自体の展性や
可撓性によっては十分に対応することができない。とく
に、ワイヤＷを溶融圧着させるファーストボンディング
に比較すればセカンドボンディング部位におけるワイヤ
Ｗの接続力が弱いため、セカンドボンディング部位にお
いてワイヤが断線してしまうのである。
【０００７】本願発明は、上記した事情のもとで考え出
されたものであって、ハンダリフローの手法を用いて回
路基板などに半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケ
ージ内でワイヤが断線してしまわないようにすることを
その課題としている。
されたものであって、ハンダリフローの手法を用いて回
路基板などに半導体装置を実装する場合に、樹脂パッケ
ージ内でワイヤが断線してしまわないようにすることを
その課題としている。
【０００８】
【発明の開示】上記の課題を解決するため、本願発明で
は、次の技術的手段を講じている。
は、次の技術的手段を講じている。
【０００９】すなわち、本願発明の第１の側面によって
提供される半導体装置は、半導体チップが搭載されるダ
イボンディング領域を内端部に有する第１の内部リード
と、上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体
チップとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディ
ング領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の
内部リード、上記半導体チップないし第２の内部リード
を封入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状
の形態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部
リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの
外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子
部が形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リ
ードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外
部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部
が形成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置
であって、上記第１の内部リードはダイボンディング領
域が段下げ状とされているとともに、上記第２の内部リ
ードはクランク状に折曲されてワイヤボンディング領域
が段下げ状とされていることを特徴としている。
提供される半導体装置は、半導体チップが搭載されるダ
イボンディング領域を内端部に有する第１の内部リード
と、上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体
チップとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディ
ング領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の
内部リード、上記半導体チップないし第２の内部リード
を封入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状
の形態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部
リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの
外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子
部が形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リ
ードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外
部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部
が形成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置
であって、上記第１の内部リードはダイボンディング領
域が段下げ状とされているとともに、上記第２の内部リ
ードはクランク状に折曲されてワイヤボンディング領域
が段下げ状とされていることを特徴としている。
【００１０】また、本願発明の第２の側面によって提供
される半導体装置は、半導体チップが搭載されるダイボ
ンディング領域を内端部に有する第１の内部リードと、
上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体チッ
プとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング
領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部
リード、上記半導体チップないし第２の内部リードを封
入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形
態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リー
ドの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部
に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が
形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リード
の外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に
延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形
成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置であ
って、上記第１の内部リードはクランク状に折曲されて
ダイボンディング領域が段上げ状とされているととも
に、上記第２の内部リードはクランク状に折曲されてワ
イヤボンディング領域が段上げ状とされていることを特
徴としている。
される半導体装置は、半導体チップが搭載されるダイボ
ンディング領域を内端部に有する第１の内部リードと、
上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体チッ
プとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディング
領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部
リード、上記半導体チップないし第２の内部リードを封
入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形
態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リー
ドの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部
に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が
形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リード
の外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に
延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形
成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置であ
って、上記第１の内部リードはクランク状に折曲されて
ダイボンディング領域が段上げ状とされているととも
に、上記第２の内部リードはクランク状に折曲されてワ
イヤボンディング領域が段上げ状とされていることを特
徴としている。
【００１１】さらに、本願発明の第３の側面によって提
供される半導体装置は、半導体チップが搭載されるダイ
ボンディング領域を内端部に有する第１の内部リード
と、上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体
チップとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディ
ング領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の
内部リード、上記半導体チップないし第２の内部リード
を封入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状
の形態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部
リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの
外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子
部が形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リ
ードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外
部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部
が形成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置
であって、上記樹脂パッケージ内において、上記半導体
チップないし上記ワイヤを含む所定の空間は軟質樹脂に
よって包囲されていることを特徴としている。
供される半導体装置は、半導体チップが搭載されるダイ
ボンディング領域を内端部に有する第１の内部リード
と、上記第１の内部リードと対向配置され、上記半導体
チップとワイヤを介して導通接続されるワイヤボンディ
ング領域を内端部に有する第２の内部リードと、第１の
内部リード、上記半導体チップないし第２の内部リード
を封入するようにして所定厚みを有する平面視略矩形状
の形態に形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部
リードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの
外部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子
部が形成された第１の外部リードと、上記第２の内部リ
ードの外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外
部に延出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部
が形成された第２の外部リードと、を備えた半導体装置
であって、上記樹脂パッケージ内において、上記半導体
チップないし上記ワイヤを含む所定の空間は軟質樹脂に
よって包囲されていることを特徴としている。
【００１２】上記の各半導体装置における樹脂パッケー
ジは、基本的には、透明エポキシ樹脂である。ただし、
半導体チップとして発光素子または受光素子を選択する
場合において、赤外光を外部に放射し、あるいは赤外光
を選択的に検出するべく、可視光を透過せず、赤外光を
透過しうるように処理された、肉眼では黒色に見える樹
脂を用いる場合もある。いずれにしても、基本的には、
透光性をもったエポキシ樹脂が樹脂パッケージの材料と
して採択されるのであって、したがって、この場合、そ
の線膨張係数は比較的大きい。
ジは、基本的には、透明エポキシ樹脂である。ただし、
半導体チップとして発光素子または受光素子を選択する
場合において、赤外光を外部に放射し、あるいは赤外光
を選択的に検出するべく、可視光を透過せず、赤外光を
透過しうるように処理された、肉眼では黒色に見える樹
脂を用いる場合もある。いずれにしても、基本的には、
透光性をもったエポキシ樹脂が樹脂パッケージの材料と
して採択されるのであって、したがって、この場合、そ
の線膨張係数は比較的大きい。
【００１３】上記半導体装置は、上記第１および第２の
外部リードの一部を基板に対する面的な接続端子部とし
ていることから、適宜の回路基板などに面実装可能な樹
脂パッケージ型半導体装置として構成されている。この
構成では、たとえば上記半導体装置を光センサの発光部
または受光部などとして使用すべく回路基板などに実装
する場合には、既に述べたようにハンダリフローの手法
などが採用される。
外部リードの一部を基板に対する面的な接続端子部とし
ていることから、適宜の回路基板などに面実装可能な樹
脂パッケージ型半導体装置として構成されている。この
構成では、たとえば上記半導体装置を光センサの発光部
または受光部などとして使用すべく回路基板などに実装
する場合には、既に述べたようにハンダリフローの手法
などが採用される。
【００１４】本願発明の第１の側面および第２の側面に
係る半導体装置においては、各内部リードがクランク状
に折曲されるなどしてその各内端のチップボンディング
領域およびワイヤボンディング領域が段下げ状、また
は、段上げ状とされている。したがって、ハンダリフロ
ーによる面実装において、ハンダの固化温度（たとえば
１８３℃）からエポキシ樹脂のガラス転移点（たとえば
１２０℃）まで温度が低下してゆく過程でリード（内部
リードないし外部リード）を樹脂パッケージから相対的
に引き抜こうとする力が作用しても、クランク状の折曲
部がリードの相対的な引き抜き動を阻止しようとする。
したがって、ワイヤと第２の内部リードとの間の接続部
に作用するストレスが軽減され、ワイヤが断線に至るこ
とを解消ないし軽減しうる。くわえて、ガラス転移点以
上の温度であるが故に樹脂パッケージが軟化していて、
樹脂パッケージに対するリードの引き抜き方向の動きが
生じたとしても、内部リードには、クランク折曲部を支
点として、段下げ状の内端部が上動し、あるいは、段上
げ状の内端部が下動するような回動変位が生じる。この
ような回動変位が生じる結果、内部リードの外方部が樹
脂パッケージに対して実際に引き抜き方向に移動して
も、内部リードの内端部のリード引き抜き方向の移動は
起こらず、あるいはこの移動が軽減される。したがっ
て、このことによっても、ワイヤと第２の内部リードと
の間に作用するストレスが軽減され、ワイヤが断線に至
ることを解消ないし軽減しうる。
係る半導体装置においては、各内部リードがクランク状
に折曲されるなどしてその各内端のチップボンディング
領域およびワイヤボンディング領域が段下げ状、また
は、段上げ状とされている。したがって、ハンダリフロ
ーによる面実装において、ハンダの固化温度（たとえば
１８３℃）からエポキシ樹脂のガラス転移点（たとえば
１２０℃）まで温度が低下してゆく過程でリード（内部
リードないし外部リード）を樹脂パッケージから相対的
に引き抜こうとする力が作用しても、クランク状の折曲
部がリードの相対的な引き抜き動を阻止しようとする。
したがって、ワイヤと第２の内部リードとの間の接続部
に作用するストレスが軽減され、ワイヤが断線に至るこ
とを解消ないし軽減しうる。くわえて、ガラス転移点以
上の温度であるが故に樹脂パッケージが軟化していて、
樹脂パッケージに対するリードの引き抜き方向の動きが
生じたとしても、内部リードには、クランク折曲部を支
点として、段下げ状の内端部が上動し、あるいは、段上
げ状の内端部が下動するような回動変位が生じる。この
ような回動変位が生じる結果、内部リードの外方部が樹
脂パッケージに対して実際に引き抜き方向に移動して
も、内部リードの内端部のリード引き抜き方向の移動は
起こらず、あるいはこの移動が軽減される。したがっ
て、このことによっても、ワイヤと第２の内部リードと
の間に作用するストレスが軽減され、ワイヤが断線に至
ることを解消ないし軽減しうる。
【００１５】そして、本願発明の第３の側面に係る半導
体装置においては、各内部リードの先端部における半導
体チップ、ワイヤを含む所定の空間が軟質樹脂によって
覆われている。この軟質樹脂としては、たとえば、シリ
コーン樹脂が選択される。この構成において特徴的なの
は、半導体チップのみならず、ワイヤも含めた空間が軟
質樹脂で包囲されている点である。したがって、ハンダ
リフローによる面実装において、ハンダの固化温度（た
とえば１８３℃）からエポキシ樹脂のガラス転移点（た
とえば１２０℃）まで温度が低下してゆく過程でリード
（内部リードないし外部リード）を樹脂パッケージから
相対的に引き抜こうとする力が作用し、実際にリードが
樹脂パッケージに対して引き抜き方向に動いたとして
も、ワイヤの内部リードに対する接続部もそれにしたが
って問題なく移動する。したがって、ワイヤがストレス
によって断線に至るという事態を効果的に回避すること
ができる。
体装置においては、各内部リードの先端部における半導
体チップ、ワイヤを含む所定の空間が軟質樹脂によって
覆われている。この軟質樹脂としては、たとえば、シリ
コーン樹脂が選択される。この構成において特徴的なの
は、半導体チップのみならず、ワイヤも含めた空間が軟
質樹脂で包囲されている点である。したがって、ハンダ
リフローによる面実装において、ハンダの固化温度（た
とえば１８３℃）からエポキシ樹脂のガラス転移点（た
とえば１２０℃）まで温度が低下してゆく過程でリード
（内部リードないし外部リード）を樹脂パッケージから
相対的に引き抜こうとする力が作用し、実際にリードが
樹脂パッケージに対して引き抜き方向に動いたとして
も、ワイヤの内部リードに対する接続部もそれにしたが
って問題なく移動する。したがって、ワイヤがストレス
によって断線に至るという事態を効果的に回避すること
ができる。
【００１６】以上の結果、本願発明に係る半導体装置に
よれば、フレーム形式で製造された樹脂パッケージ型の
受光素子、あるいは発光素子をハンダリフローの手法に
よって基板等に面実装することが実質的に可能となる。
よれば、フレーム形式で製造された樹脂パッケージ型の
受光素子、あるいは発光素子をハンダリフローの手法に
よって基板等に面実装することが実質的に可能となる。
【００１７】本願発明のその他の特徴および利点は、図
面を参照しつつ以下に行う詳細な説明から、より明らか
となろう。
面を参照しつつ以下に行う詳細な説明から、より明らか
となろう。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本願発明の好ましい実施の
形態を図面を参照して具体的に説明する。
形態を図面を参照して具体的に説明する。
【００１９】図１は本願発明の第１の側面に係る半導体
装置の一実施形態の全体斜視図、図２は平面図、図３は
図１のIII −III 線に沿う断面図、図４は図１のIV−IV
線に沿う断面図、図５〜図７は製造工程の説明図、図８
は作用説明図、図９は第２の側面に係る半導体装置の一
実施形態の要部説明図、図１０は本願発明の第３の側面
に係る半導体装置の一実施形態の説明図、図１１は本願
発明の第１の側面に係る半導体装置の他の実施形態の説
明図である。これらの図において、図１２および図１３
に示した従来例と同一または同等の部材または部分に
は、同一の符号を付してある。
装置の一実施形態の全体斜視図、図２は平面図、図３は
図１のIII −III 線に沿う断面図、図４は図１のIV−IV
線に沿う断面図、図５〜図７は製造工程の説明図、図８
は作用説明図、図９は第２の側面に係る半導体装置の一
実施形態の要部説明図、図１０は本願発明の第３の側面
に係る半導体装置の一実施形態の説明図、図１１は本願
発明の第１の側面に係る半導体装置の他の実施形態の説
明図である。これらの図において、図１２および図１３
に示した従来例と同一または同等の部材または部分に
は、同一の符号を付してある。
【００２０】これらの図に示されるように、半導体装置
Ａは、半導体チップ３を内蔵する樹脂パッケージ４と、
半導体チップ３に導通する一対のリード１，２とを備え
る。リード１，２は、樹脂パッケージ４の内部に対向状
に延入する第１の内部リード１０および第２の内部リー
ド２０と、各内部リード１０，２０に連続して樹脂パッ
ケージ４の外部に延出する第１の外部リード１１および
第２の外部リード２１からなる。この半導体装置Ａは後
述するように金属板を打ち抜いて形成されるフレーム７
を用いて製造されることから、各リード１０，２０は、
所定厚み所定幅の帯板状の形態をもつ。
Ａは、半導体チップ３を内蔵する樹脂パッケージ４と、
半導体チップ３に導通する一対のリード１，２とを備え
る。リード１，２は、樹脂パッケージ４の内部に対向状
に延入する第１の内部リード１０および第２の内部リー
ド２０と、各内部リード１０，２０に連続して樹脂パッ
ケージ４の外部に延出する第１の外部リード１１および
第２の外部リード２１からなる。この半導体装置Ａは後
述するように金属板を打ち抜いて形成されるフレーム７
を用いて製造されることから、各リード１０，２０は、
所定厚み所定幅の帯板状の形態をもつ。
【００２１】半導体チップは、本願発明の場合、光学的
半導体チップが採用される。具体的には、発光素子とし
ての発光ダイオードチップ、受光素子としてのフォトダ
イオードチップ、あるいはフォトトランジスタチップが
採用される。図面に示される半導体チップ３は、発光ダ
イオードチップであり、全体としてサイコロ状をしてい
るとともに、下面に全面電極が、上面に部分的な電極パ
ッドが形成され、各電極間に電流を流すと、活性層が発
光する。
半導体チップが採用される。具体的には、発光素子とし
ての発光ダイオードチップ、受光素子としてのフォトダ
イオードチップ、あるいはフォトトランジスタチップが
採用される。図面に示される半導体チップ３は、発光ダ
イオードチップであり、全体としてサイコロ状をしてい
るとともに、下面に全面電極が、上面に部分的な電極パ
ッドが形成され、各電極間に電流を流すと、活性層が発
光する。
【００２２】上記半導体チップ３は、第１の内部リード
１０の内端部に形成されるチップボンディング領域１５
上にチップボンディングされる。これによって半導体チ
ップ３の下面全面電極と第１の内部リード１０とが電気
的に接続されるとともに、半導体チップ３は第１の内部
リード１０上に機械的に支持される。また、第２の内部
リード２０の内端部にはワイヤボンディング領域１６が
形成され、このワイヤボンディング領域と上記半導体チ
ップ３の上面電極間が金線などからなるワイヤＷによっ
て結線される。これにより、半導体チップ３の上面電極
と第２の内部リード２０との間が電気的に接続される。
ワイヤＷは、半導体チップ３の上面電極に対してはいわ
ゆるボールボンディングされ、第２の内部リード２０に
対してはいわゆるスティッチボンディングされる。
１０の内端部に形成されるチップボンディング領域１５
上にチップボンディングされる。これによって半導体チ
ップ３の下面全面電極と第１の内部リード１０とが電気
的に接続されるとともに、半導体チップ３は第１の内部
リード１０上に機械的に支持される。また、第２の内部
リード２０の内端部にはワイヤボンディング領域１６が
形成され、このワイヤボンディング領域と上記半導体チ
ップ３の上面電極間が金線などからなるワイヤＷによっ
て結線される。これにより、半導体チップ３の上面電極
と第２の内部リード２０との間が電気的に接続される。
ワイヤＷは、半導体チップ３の上面電極に対してはいわ
ゆるボールボンディングされ、第２の内部リード２０に
対してはいわゆるスティッチボンディングされる。
【００２３】そうして、本願発明の第１の側面において
は、第１の内部リード１０と第２の内部リード２０のそ
れぞれは、側面視においてたとえばクランク状に折曲さ
せられ、それぞれの内端部における水平状のチップボン
ディング領域１５およびワイヤボンディング領域１６
は、各内部リード１０，２０の外端（すなわち、外部リ
ードと連続する部位）の水平領域に対して段下げ状とさ
れている。
は、第１の内部リード１０と第２の内部リード２０のそ
れぞれは、側面視においてたとえばクランク状に折曲さ
せられ、それぞれの内端部における水平状のチップボン
ディング領域１５およびワイヤボンディング領域１６
は、各内部リード１０，２０の外端（すなわち、外部リ
ードと連続する部位）の水平領域に対して段下げ状とさ
れている。
【００２４】また、各外部リード１１，２１は、やはり
クランク状に折曲させられ、その外端部には、基板に対
する面的な接続端子部１１ａ，２１ａが水平状に形成さ
れている。この接続端子部は、好ましくは樹脂パッケー
ジ４の底面と同等または略同等高さに形成される。
クランク状に折曲させられ、その外端部には、基板に対
する面的な接続端子部１１ａ，２１ａが水平状に形成さ
れている。この接続端子部は、好ましくは樹脂パッケー
ジ４の底面と同等または略同等高さに形成される。
【００２５】また、樹脂パッケージ４は、所定厚みをも
つ平面視矩形状または略矩形状をした形態をもってお
り、上記第１および第２の内部リード２０、第１の内部
リード１０にボンディングされた半導体チップ３、この
半導体チップ３の上面電極と第２の内部リード２０間を
結線するワイヤＷのすべてを封止する。この樹脂パッケ
ージ４は、いわゆるトランスファモールド法に適したエ
ポキシ樹脂が好適に採用される。ただし、本願発明に係
る半導体装置は、光学的半導体装置であるため、樹脂パ
ッケージ４は、透光性を有したエポキシ樹脂で形成する
必要がある。このような透光性を有するエポキシ樹脂に
は、肉眼で透明であるものと、赤外光のみを透過して可
視光を透過しないように処理された、肉眼では黒色に見
えるものなどが含まれる。樹脂パッケージ４は、このよ
うに透光性を有するエポキシ樹脂で形成される結果、そ
の線膨張係数は比較的大きなものとならざるをえない。
なお、図に示す実施形態では、この樹脂パッケージ４の
上面における上記半導体チップ３と平面的に対応する部
位に、凸レンズ部６が一体形成されている。発光素子と
しての半導体チップ３から発する光を効果的に対象物に
向けて放射することができるとともに、対象物から到達
した光を効果的に受光素子としての半導体チップ３に集
光させることができる。
つ平面視矩形状または略矩形状をした形態をもってお
り、上記第１および第２の内部リード２０、第１の内部
リード１０にボンディングされた半導体チップ３、この
半導体チップ３の上面電極と第２の内部リード２０間を
結線するワイヤＷのすべてを封止する。この樹脂パッケ
ージ４は、いわゆるトランスファモールド法に適したエ
ポキシ樹脂が好適に採用される。ただし、本願発明に係
る半導体装置は、光学的半導体装置であるため、樹脂パ
ッケージ４は、透光性を有したエポキシ樹脂で形成する
必要がある。このような透光性を有するエポキシ樹脂に
は、肉眼で透明であるものと、赤外光のみを透過して可
視光を透過しないように処理された、肉眼では黒色に見
えるものなどが含まれる。樹脂パッケージ４は、このよ
うに透光性を有するエポキシ樹脂で形成される結果、そ
の線膨張係数は比較的大きなものとならざるをえない。
なお、図に示す実施形態では、この樹脂パッケージ４の
上面における上記半導体チップ３と平面的に対応する部
位に、凸レンズ部６が一体形成されている。発光素子と
しての半導体チップ３から発する光を効果的に対象物に
向けて放射することができるとともに、対象物から到達
した光を効果的に受光素子としての半導体チップ３に集
光させることができる。
【００２６】上記構成を備える半導体装置Ａは、図５に
示すような製造用フレーム７を用い、以下に説明する工
程を経て製造される。製造用フレーム７は、金属薄板材
料を打ち抜きプレスして形成されるものであって、長手
方向両側のサイドフレーム部１２，１２と、両サイドフ
レーム部１２，１２から内向き対向状に延出するリード
部９，９と、必要に応じて両サイドフレーム部１２，１
２間を掛け渡すクロスフレーム部１３を備えており、図
５に符号Ａで示す区間の構成がフレーム７の長手方向に
連続して形成されている。上記リード部９，９は、上記
外部リード１１，２１ないし内部リード１０，２０とな
るべき部分であり、このフレーム状態において、先端が
クランク状に折曲されている。
示すような製造用フレーム７を用い、以下に説明する工
程を経て製造される。製造用フレーム７は、金属薄板材
料を打ち抜きプレスして形成されるものであって、長手
方向両側のサイドフレーム部１２，１２と、両サイドフ
レーム部１２，１２から内向き対向状に延出するリード
部９，９と、必要に応じて両サイドフレーム部１２，１
２間を掛け渡すクロスフレーム部１３を備えており、図
５に符号Ａで示す区間の構成がフレーム７の長手方向に
連続して形成されている。上記リード部９，９は、上記
外部リード１１，２１ないし内部リード１０，２０とな
るべき部分であり、このフレーム状態において、先端が
クランク状に折曲されている。
【００２７】図６に示すように、上記製造用フレーム７
の一方のリード部９の先端、すなわち、第１の内部リー
ドとなるべき部分の段下げ状の先端部に半導体チップ３
をボンディングするチップボンディング工程が施される
とともに、半導体チップ３の上面電極と他方のリード部
９の先端、すなわち、第２の内部リードとなるべき部分
の段下げ状の先端部との間を金線ワイヤＷで結線するワ
イヤボンディング工程が施される。
の一方のリード部９の先端、すなわち、第１の内部リー
ドとなるべき部分の段下げ状の先端部に半導体チップ３
をボンディングするチップボンディング工程が施される
とともに、半導体チップ３の上面電極と他方のリード部
９の先端、すなわち、第２の内部リードとなるべき部分
の段下げ状の先端部との間を金線ワイヤＷで結線するワ
イヤボンディング工程が施される。
【００２８】次に、図７に示すように、各リード部９，
９の内部リードとなるべき部分、上記半導体チップ３な
いし上記ワイヤのすべてを所定外形形態の透光性樹脂１
４で封止して樹脂パッケージ４を形成する樹脂モールド
工程が施される。この透光性樹脂としては、前述したよ
うに透明エポキシ樹脂が好適に採用され、モールド法と
しては、いわゆるトランスファモールド法が好適に採用
される。
９の内部リードとなるべき部分、上記半導体チップ３な
いし上記ワイヤのすべてを所定外形形態の透光性樹脂１
４で封止して樹脂パッケージ４を形成する樹脂モールド
工程が施される。この透光性樹脂としては、前述したよ
うに透明エポキシ樹脂が好適に採用され、モールド法と
しては、いわゆるトランスファモールド法が好適に採用
される。
【００２９】続いて、製造用フレーム７にリードカット
工程を施すとともにリードをクランク状に屈曲させるリ
ードフォーミング工程を施して最終的に図１〜図４に示
す個々の半導体装置Ａを得る。
工程を施すとともにリードをクランク状に屈曲させるリ
ードフォーミング工程を施して最終的に図１〜図４に示
す個々の半導体装置Ａを得る。
【００３０】この半導体装置Ａは、いわゆるハンダリフ
ローによる面実装によって基板等に実装することができ
る。すなわち、基板５上の導体パッド５０上にクリーム
ハンダ５１を印刷等によって塗布しておき、そして、図
８に示されるように各導体パッド５０と各外部リード１
１，２１の接続端子部１１ａ，２１ａとが対応するよう
に位置決めしつつ半導体装置Ａを基板５上に載置する。
そして、この状態の基板をリフロー炉に導入し、かつ冷
却を行う。ハンダリフローのために、リフロー炉内の温
度はたとえば２００℃以上とされる。リフロー炉内の熱
により、クリームハンダ中のハンダ成分が再溶融すると
ともに、溶剤成分が消散する。溶融ハンダは導体パッド
５０と外部リード１１，２１の接続端子部１１ａ，２１
ａの双方に濡れた状態となる。そうして、ハンダが冷却
固化されると、半導体装置Ａは、基板５に対して電気的
かつ機械的に接続され、実装が完了する。
ローによる面実装によって基板等に実装することができ
る。すなわち、基板５上の導体パッド５０上にクリーム
ハンダ５１を印刷等によって塗布しておき、そして、図
８に示されるように各導体パッド５０と各外部リード１
１，２１の接続端子部１１ａ，２１ａとが対応するよう
に位置決めしつつ半導体装置Ａを基板５上に載置する。
そして、この状態の基板をリフロー炉に導入し、かつ冷
却を行う。ハンダリフローのために、リフロー炉内の温
度はたとえば２００℃以上とされる。リフロー炉内の熱
により、クリームハンダ中のハンダ成分が再溶融すると
ともに、溶剤成分が消散する。溶融ハンダは導体パッド
５０と外部リード１１，２１の接続端子部１１ａ，２１
ａの双方に濡れた状態となる。そうして、ハンダが冷却
固化されると、半導体装置Ａは、基板５に対して電気的
かつ機械的に接続され、実装が完了する。
【００３１】図１３に示す従来例においては、上記のよ
うなハンダリフローによる面実装を行おうとすると、ワ
イヤ断線の問題が頻発したが、上記構成を有する本願発
明に係る半導体装置Ａにおいては、次に説明するよう
に、このようなワイヤ断線の問題は解消ないしは軽減さ
れる。
うなハンダリフローによる面実装を行おうとすると、ワ
イヤ断線の問題が頻発したが、上記構成を有する本願発
明に係る半導体装置Ａにおいては、次に説明するよう
に、このようなワイヤ断線の問題は解消ないしは軽減さ
れる。
【００３２】リフロー炉による加熱状態（たとえば２４
０℃）において、透光性のエポキシ樹脂よりなる樹脂パ
ッケージ４は、その線膨張係数が比較的大きい（たとえ
ば11〜12×10-5／℃）ため、熱膨張を起こすとともに、
ガラス転移点以上の温度であるために軟化する。その
後、温度が次第に低下してゆくが、この時、まず、ハン
ダの固化温度（たとえば１８３℃）で外部リード１１，
２１が基板５に固定される。そして、エポキシ樹脂のガ
ラス転移点に到達するまでは、この樹脂パッケージ４は
軟化状態のまま熱収縮を続ける。したがってこのとき、
リード１，２を樹脂パッケージ４から引き抜こうとする
力が作用するが、内部リード１０，２０はクランク状に
折曲されているので、このようなリード１，２の引き抜
き方向の動きが阻止、ないしは緩和される。その結果、
ワイヤＷと内部リード２０との接続点に過大なストレス
が作用することが回避ないしは緩和され、ワイヤＷが断
線に至りにくくなる。
０℃）において、透光性のエポキシ樹脂よりなる樹脂パ
ッケージ４は、その線膨張係数が比較的大きい（たとえ
ば11〜12×10-5／℃）ため、熱膨張を起こすとともに、
ガラス転移点以上の温度であるために軟化する。その
後、温度が次第に低下してゆくが、この時、まず、ハン
ダの固化温度（たとえば１８３℃）で外部リード１１，
２１が基板５に固定される。そして、エポキシ樹脂のガ
ラス転移点に到達するまでは、この樹脂パッケージ４は
軟化状態のまま熱収縮を続ける。したがってこのとき、
リード１，２を樹脂パッケージ４から引き抜こうとする
力が作用するが、内部リード１０，２０はクランク状に
折曲されているので、このようなリード１，２の引き抜
き方向の動きが阻止、ないしは緩和される。その結果、
ワイヤＷと内部リード２０との接続点に過大なストレス
が作用することが回避ないしは緩和され、ワイヤＷが断
線に至りにくくなる。
【００３３】さらに、リード１，２の引き抜き方向の力
が作用するとき、図８に強調して示すように、クランク
折曲部１７が支点となって内部リード２０が回動しよう
とし、このとき、内部リード２０の段下げ状のワイヤボ
ンディング領域が上動するように変位しようとする。ワ
イヤボンディング領域１６は内部リード２０の回動支点
よりも下に位置するので、このような回動変位が起こる
と、ワイヤボンディング領域１６は相対的に水平方向内
方へ変位する。したがって、内部リード２０の外方部が
実際に樹脂パッケージ４に対して若干水平方向に動いて
しまったとしても、内部リード２０の上記のような回動
変位によって、ワイヤボンディング領域１６の水平方向
への絶対的な変位をなくすか、または軽減することがで
きる。そしてこのことによっても、ワイヤＷと内部リー
ド２０の接続点に過大なストレスが作用してワイヤ断線
に至ることを解消ないしは緩和することができる。
が作用するとき、図８に強調して示すように、クランク
折曲部１７が支点となって内部リード２０が回動しよう
とし、このとき、内部リード２０の段下げ状のワイヤボ
ンディング領域が上動するように変位しようとする。ワ
イヤボンディング領域１６は内部リード２０の回動支点
よりも下に位置するので、このような回動変位が起こる
と、ワイヤボンディング領域１６は相対的に水平方向内
方へ変位する。したがって、内部リード２０の外方部が
実際に樹脂パッケージ４に対して若干水平方向に動いて
しまったとしても、内部リード２０の上記のような回動
変位によって、ワイヤボンディング領域１６の水平方向
への絶対的な変位をなくすか、または軽減することがで
きる。そしてこのことによっても、ワイヤＷと内部リー
ド２０の接続点に過大なストレスが作用してワイヤ断線
に至ることを解消ないしは緩和することができる。
【００３４】図９は、本願発明の第２の側面に係る半導
体装置Ｂの一実施形態の要部を示している。上記第１の
実施形態に係る半導体装置Ａでは、内部リード１０，２
０の内端チップボンディング領域１５またはワイヤボン
ディング領域１６が、段下げ状となるように内部リード
をクランク状に折曲させていたのに対し、この第２の実
施形態においては、内部リード１０，２０の内端チップ
ボンディング領域１５またはワイヤボンディング領域１
６が段上げ状となるように内部リード１０，２０がクラ
ンク状に折曲されている点が相違し、その余の構成は同
一であり、また、この第２の実施形態に係る半導体装置
Ｂは第１の実施形態に係る半導体装置Ａと同様の製造工
程を経て製造することができる。
体装置Ｂの一実施形態の要部を示している。上記第１の
実施形態に係る半導体装置Ａでは、内部リード１０，２
０の内端チップボンディング領域１５またはワイヤボン
ディング領域１６が、段下げ状となるように内部リード
をクランク状に折曲させていたのに対し、この第２の実
施形態においては、内部リード１０，２０の内端チップ
ボンディング領域１５またはワイヤボンディング領域１
６が段上げ状となるように内部リード１０，２０がクラ
ンク状に折曲されている点が相違し、その余の構成は同
一であり、また、この第２の実施形態に係る半導体装置
Ｂは第１の実施形態に係る半導体装置Ａと同様の製造工
程を経て製造することができる。
【００３５】このように構成しても、第１の実施形態に
おいて述べたのと同等の作用効果を期待することができ
る。すなわち、内部リード１０，２０がクランク状に折
曲されていることがリード１，２の引き抜き方向の動き
を阻止し、また、内部リード１０，２０が回動変位する
ことによって、内部リード１０，２０の外端が若干引き
抜き方向に動いたとしても、内部リード２０の内端段上
げ部におけるワイヤＷとの接続点の水平方向への絶対的
な動きをなくすか、緩和することができる。
おいて述べたのと同等の作用効果を期待することができ
る。すなわち、内部リード１０，２０がクランク状に折
曲されていることがリード１，２の引き抜き方向の動き
を阻止し、また、内部リード１０，２０が回動変位する
ことによって、内部リード１０，２０の外端が若干引き
抜き方向に動いたとしても、内部リード２０の内端段上
げ部におけるワイヤＷとの接続点の水平方向への絶対的
な動きをなくすか、緩和することができる。
【００３６】図１０は、本願発明の第３の側面に係る半
導体装置Ｃの一実施形態の要部を示している。この半導
体装置Ｃにおいては、各内部リード１０はクランク状に
折曲されてはいないが、第１の内部リード１０にボンデ
ィングされる半導体チップ３、ないしこの半導体チップ
３の上面電極と第２の内部リード２０間を結線するワイ
ヤＷの全体が、軟質樹脂１８で包み込まれている。この
ような軟質樹脂１８は、たとえはシリコーンゴムが好適
に使用される。
導体装置Ｃの一実施形態の要部を示している。この半導
体装置Ｃにおいては、各内部リード１０はクランク状に
折曲されてはいないが、第１の内部リード１０にボンデ
ィングされる半導体チップ３、ないしこの半導体チップ
３の上面電極と第２の内部リード２０間を結線するワイ
ヤＷの全体が、軟質樹脂１８で包み込まれている。この
ような軟質樹脂１８は、たとえはシリコーンゴムが好適
に使用される。
【００３７】このように構成すれば、ハンダリフローに
よる面実装の冷却過程において、内部リード１０，２０
が樹脂パッケージ４に対して相対的に引き抜き方向に変
位したとしても、内部リード１０，２０とワイヤＷとの
接続点ないしはワイヤＷの一部は、これらを包んでいる
樹脂が軟質であるが故に内部リード１０，２０の動きに
伴って移動し、ワイヤＷと内部リード１０，２０との接
続点に過大なストレスが作用してワイヤ断線に至ること
を防止することができる。
よる面実装の冷却過程において、内部リード１０，２０
が樹脂パッケージ４に対して相対的に引き抜き方向に変
位したとしても、内部リード１０，２０とワイヤＷとの
接続点ないしはワイヤＷの一部は、これらを包んでいる
樹脂が軟質であるが故に内部リード１０，２０の動きに
伴って移動し、ワイヤＷと内部リード１０，２０との接
続点に過大なストレスが作用してワイヤ断線に至ること
を防止することができる。
【００３８】本願発明は、上記した各実施形態の構成に
限定されない。たとえば、本願発明の第１の側面に係る
半導体装置の場合、図１１に示すように変更することが
できる。同図に示す半導体装置Ｄにおいては、第１の内
部リード１０の内端部にカップ状をしたパラボラ部１０
ａが一体に形成され、このパラボラ部の底面をダイボン
ディング領域としてここにＬＥＤチップ等の半導体チッ
プ３をボンディングするとともに、この半導体チップ３
の上面電極と第２の内部リード２０の段下げ状のワイヤ
ボンディング領域との間をワイヤで結線している。ま
た、上記パラボラ部には、シリコーン樹脂等の軟質の樹
脂１９が上記半導体チップ３を包み込むようにして充填
されている。そして、その余の構成は、図１ないし図４
に示した形態と同様である。
限定されない。たとえば、本願発明の第１の側面に係る
半導体装置の場合、図１１に示すように変更することが
できる。同図に示す半導体装置Ｄにおいては、第１の内
部リード１０の内端部にカップ状をしたパラボラ部１０
ａが一体に形成され、このパラボラ部の底面をダイボン
ディング領域としてここにＬＥＤチップ等の半導体チッ
プ３をボンディングするとともに、この半導体チップ３
の上面電極と第２の内部リード２０の段下げ状のワイヤ
ボンディング領域との間をワイヤで結線している。ま
た、上記パラボラ部には、シリコーン樹脂等の軟質の樹
脂１９が上記半導体チップ３を包み込むようにして充填
されている。そして、その余の構成は、図１ないし図４
に示した形態と同様である。
【００３９】上記の構成において、第１の内部リード１
０の内端にパラボラ部が形成されていることにより、樹
脂パッケージ４の熱収縮時に第１の内部リード１０が引
き抜き方向へ移動することを阻止しうることは、容易に
理解されよう。また、第２の内部リード２０には、クラ
ンク状の折曲部を介して段下げされたワイヤボンディン
グ領域が形成されていることから、図８を参照して説明
したのと同様の作用により、樹脂パッケージ４の熱収縮
時にワイヤと第２の内部リードとの接続点が絶対位置に
対して動くことを緩和ないしは解消し、ワイヤＷの断線
を回避しうることも、容易に理解されよう。
０の内端にパラボラ部が形成されていることにより、樹
脂パッケージ４の熱収縮時に第１の内部リード１０が引
き抜き方向へ移動することを阻止しうることは、容易に
理解されよう。また、第２の内部リード２０には、クラ
ンク状の折曲部を介して段下げされたワイヤボンディン
グ領域が形成されていることから、図８を参照して説明
したのと同様の作用により、樹脂パッケージ４の熱収縮
時にワイヤと第２の内部リードとの接続点が絶対位置に
対して動くことを緩和ないしは解消し、ワイヤＷの断線
を回避しうることも、容易に理解されよう。
【００４０】くわえて、半導体チップ３は、第１の内部
リード１０のパラボラ部１０ａの内部にボンディングさ
れているので、樹脂パッケージ３の上面に凸レンズ部６
が形成されていることとあいまって、たとえば半導体素
子としてのＬＥＤチップが発する光の多くを、対象物に
向けて効率的に照射することができる。また、半導体チ
ップ３は軟質樹脂１９に覆われて熱応力等から保護され
るが、この軟質樹脂は、製造過程においてチップボンデ
ィングおよびワイヤボンディング後の製造用フレームの
パラボラ部に液状樹脂を滴下すればよく、製造工程上き
わめて好都合となる。
リード１０のパラボラ部１０ａの内部にボンディングさ
れているので、樹脂パッケージ３の上面に凸レンズ部６
が形成されていることとあいまって、たとえば半導体素
子としてのＬＥＤチップが発する光の多くを、対象物に
向けて効率的に照射することができる。また、半導体チ
ップ３は軟質樹脂１９に覆われて熱応力等から保護され
るが、この軟質樹脂は、製造過程においてチップボンデ
ィングおよびワイヤボンディング後の製造用フレームの
パラボラ部に液状樹脂を滴下すればよく、製造工程上き
わめて好都合となる。
【００４１】以上のように、本願発明に係る上記の各半
導体装置によれば、ハンダリフローの手法によって面実
装する場合のワイヤ破断の不具合の発生が効果的に抑制
され、装置の信頼性が向上する。
導体装置によれば、ハンダリフローの手法によって面実
装する場合のワイヤ破断の不具合の発生が効果的に抑制
され、装置の信頼性が向上する。
【図１】本願発明の一実施形態に係る半導体装置の全体
構成を示す斜視図である。
構成を示す斜視図である。
【図２】図１に示す半導体装置の平面図である。
【図３】図１のIII −III 線に沿う断面図である。
【図４】図１のIV−IV線に沿う断面図である。
【図５】本願発明の半導体装置の製造工程の説明図であ
る。
る。
【図６】本願発明の半導体装置の製造工程の説明図であ
る。
る。
【図７】本願発明の半導体装置の製造工程の説明図であ
る。
る。
【図８】本願発明の作用説明図である。
【図９】本願発明の他の実施形態に係る半導体装置の要
部断面図である。
部断面図である。
【図１０】本願発明の他の実施形態に係る半導体装置の
要部断面図である。
要部断面図である。
【図１１】本願発明のさらに他の実施形態に係る半導体
装置の要部断面図である。
装置の要部断面図である。
【図１２】従来の半導体装置の全体構成を示す斜視図で
ある。
ある。
【図１３】図１２のXIII−XIII線に沿う断面図である。
Ａ 半導体装置 Ｗ ワイヤ １，２ リード端子 ３ 半導体チップ ４ 樹脂パッケージ ６ 凸レンズ ７ 製造用フレーム １０ 第１の内部リード １１ 第１の外部リード ２０ 第２の内部リード ２１ 第２の外部リード １１ａ，２１ａ 接続端子部 １５ チップボンディング領域 １６ ワイヤボンディング領域
Claims (8)
- 【請求項１】 半導体チップが搭載されるダイボンディ
ング領域を内端部に有する第１の内部リードと、上記第
１の内部リードと対向配置され、上記半導体チップとワ
イヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域を
内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部リー
ド、上記半導体チップないし第２の内部リードを封入す
るようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に
形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リードの
外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延
出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成
された第１の外部リードと、上記第２の内部リードの外
端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出
形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成さ
れた第２の外部リードと、を備えた半導体装置であっ
て、 上記第１の内部リードはダイボンディング領域が段下げ
状とされているとともに、上記第２の内部リードはクラ
ンク状に折曲されてワイヤボンディング領域が段下げ状
とされていることを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項２】 上記第１の内部リードは、クランク状に
折曲されることによってダイボンディング領域が段下げ
状とされている、請求項１に記載の半導体装置。 - 【請求項３】 上記第１の内部リードの内方部には、底
面が段下げされたパラボラ部が一体成形されており、こ
のパラボラ部の底面をダイボンディング領域としてここ
に半導体チップが搭載されている、請求項１または２に
記載の半導体装置。 - 【請求項４】 上記パラボラ部には、軟質樹脂が充填さ
れており、この軟質樹脂は、少なくとも半導体チップを
包み込んでいる、請求項３に記載の半導体装置。 - 【請求項５】 半導体チップが搭載されるダイボンディ
ング領域を内端部に有する第１の内部リードと、上記第
１の内部リードと対向配置され、上記半導体チップとワ
イヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域を
内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部リー
ド、上記半導体チップないし第２の内部リードを封入す
るようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に
形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リードの
外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延
出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成
された第１の外部リードと、上記第２の内部リードの外
端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出
形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成さ
れた第２の外部リードと、を備えた半導体装置であっ
て、 上記第１の内部リードはクランク状に折曲されてダイボ
ンディング領域が段上げ状とされているとともに、上記
第２の内部リードはクランク状に折曲されてワイヤボン
ディング領域が段上げ状とされていることを特徴とす
る、半導体装置。 - 【請求項６】 半導体チップが搭載されるダイボンディ
ング領域を内端部に有する第１の内部リードと、上記第
１の内部リードと対向配置され、上記半導体チップとワ
イヤを介して導通接続されるワイヤボンディング領域を
内端部に有する第２の内部リードと、第１の内部リー
ド、上記半導体チップないし第２の内部リードを封入す
るようにして所定厚みを有する平面視略矩形状の形態に
形成された樹脂パッケージと、上記第１の内部リードの
外端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延
出形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成
された第１の外部リードと、上記第２の内部リードの外
端に連続するとともに上記樹脂パッケージの外部に延出
形成され、かつ基板に対する面的な接続端子部が形成さ
れた第２の外部リードと、を備えた半導体装置であっ
て、 上記樹脂パッケージ内において、上記半導体チップない
し上記ワイヤを含む所定の空間は軟質樹脂によって包囲
されていることを特徴とする、半導体装置。 - 【請求項７】 上記半導体チップは、発光素子または受
光素子である、請求項１ないし６のいずれかに記載の半
導体装置。 - 【請求項８】 請求項１ないし７のいずれかに記載の半
導体装置であって、この反射型センサは、ハンダリフロ
ーの手法によって基板に対して面実装されていることを
特徴とする、半導体装置。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14958598A JP3908383B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体装置 |
| TW088105730A TW414924B (en) | 1998-05-29 | 1999-04-12 | Semiconductor device of resin package |
| EP99918313A EP1081761A4 (en) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | SEMICONDUCTOR DEVICE |
| PCT/JP1999/002356 WO1999063594A1 (fr) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | Dispositif a semi-conducteurs |
| US09/701,239 US6603148B1 (en) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | Semiconductor device |
| KR10-2000-7013195A KR100372945B1 (ko) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | 반도체장치 |
| CNB998067652A CN1233039C (zh) | 1998-05-29 | 1999-04-30 | 半导体器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14958598A JP3908383B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11346008A true JPH11346008A (ja) | 1999-12-14 |
| JP3908383B2 JP3908383B2 (ja) | 2007-04-25 |
Family
ID=15478427
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14958598A Expired - Fee Related JP3908383B2 (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | 半導体装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3908383B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| DE10131698A1 (de) * | 2001-06-29 | 2003-01-30 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2003031848A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-31 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | 固体発光ランプ及び固体発光ランプの製造方法 |
| JP2008147611A (ja) * | 2006-11-13 | 2008-06-26 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置 |
| WO2008123232A1 (ja) * | 2007-03-30 | 2008-10-16 | Rohm Co., Ltd. | 半導体発光装置 |
| JP2008258530A (ja) * | 2007-04-09 | 2008-10-23 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
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| WO2012090576A1 (ja) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
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| KR101524043B1 (ko) * | 2013-10-28 | 2015-05-29 | 주식회사 루멘스 | 발광 소자용 리드 프레임과, 발광 소자 패키지와, 백라이트 유닛 및 조명 장치 |
| JP2016201456A (ja) * | 2015-04-09 | 2016-12-01 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
| CN108133926A (zh) * | 2017-12-14 | 2018-06-08 | 常州星海电子股份有限公司 | 一种整流桥 |
| CN108878405A (zh) * | 2018-07-02 | 2018-11-23 | 深圳市槟城电子有限公司 | 一种防护器件及其制作方法、电子设备 |
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-
1998
- 1998-05-29 JP JP14958598A patent/JP3908383B2/ja not_active Expired - Fee Related
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