WO2012090576A1 - 発光装置及びその製造方法 - Google Patents
発光装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- WO2012090576A1 WO2012090576A1 PCT/JP2011/074139 JP2011074139W WO2012090576A1 WO 2012090576 A1 WO2012090576 A1 WO 2012090576A1 JP 2011074139 W JP2011074139 W JP 2011074139W WO 2012090576 A1 WO2012090576 A1 WO 2012090576A1
- Authority
- WO
- WIPO (PCT)
- Prior art keywords
- light emitting
- light
- emitting device
- metal member
- covering member
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 34
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 285
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 285
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 71
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 34
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 29
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 19
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 75
- 238000000605 extraction Methods 0.000 abstract description 27
- 230000006872 improvement Effects 0.000 abstract description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 24
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 24
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 14
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 13
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 11
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 9
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 9
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 9
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 9
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 8
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 7
- 239000004954 Polyphthalamide Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 229920006375 polyphtalamide Polymers 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 4
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007550 Rockwell hardness test Methods 0.000 description 3
- 238000007545 Vickers hardness test Methods 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 238000013101 initial test Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 3
- 238000004382 potting Methods 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 3
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000006355 external stress Effects 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015363 Au—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001807 Urea-formaldehyde Polymers 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001652 electrophoretic deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- 238000004880 explosion Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 1
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000009877 rendering Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007779 soft material Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 1
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V3/00—Globes; Bowls; Cover glasses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/4501—Shape
- H01L2224/45012—Cross-sectional shape
- H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12035—Zener diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
- H01L2924/1815—Shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49826—Assembling or joining
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Description
この発光装置40では、発光素子41が載置された金属部材42と、その対となる金属部材43とで一対のリード端子が構成されている。これら発光素子41と金属部材42、43とは、透光性部材44に埋め込まれており、発光素子41の上方において、封止部材44がレンズ状に凸部44aを構成している。また、リード端子は、封止部材の外側で屈曲している。
このような発光装置では、発光装置の使用環境における過酷な温度変化を考慮すると、金属部材と封止部材との密着性が懸念される。また、封止部材の強度確保のため、金属部材の周囲を比較的厚膜の封止部材によって包囲しているが、発光装置の側面や底面から意図しない光が漏れ、発光装置の上面側への光取り出し効率が低下する傾向にある。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、光の取り出し効率の向上とともに、さらに性能の向上を確保することができる発光装置を提供することを目的とする。
〔1〕発光素子、
該発光素子が載置された一面と、該一面とは反対面である他面とを有する金属部材及び
前記発光素子と金属部材の一部とを封止する透光性部材を備えてなる発光装置であって、
前記金属部材は、前記発光素子が載置された素子載置部と、該素子載置部の周囲に配置された平坦部とを有し、
前記平坦部の他面側には、被覆部材が配置されており、
該被覆部材の上面及び側面は、前記透光性部材に被覆されていることを特徴とする。
〔2〕前記透光性部材は、前記被覆部材よりも柔らかい〔1〕に記載の発光装置。
〔3〕前記被覆部材は、前記平坦部の前記一面を露出している〔1〕又は〔2〕に記載の発光装置。
〔4〕前記被覆部材は、前記平坦部の他面と平坦部の外周とを被覆しており、前記被覆部材の上面が前記平坦部の一面と略一致し、かつ前記被覆部材の上面及び前記平坦部の上面が前記透光性部材で被覆されている〔1〕~〔3〕のいずれか1つに記載の発光装置。
〔5〕前記透光性部材は、凸部と、前記凸部の周囲に配置された鍔部とを有し、該鍔部は、前記発光素子から出射される光の照射範囲外に配置されている〔1〕~〔4〕のいずれか1つに記載の発光装置。
〔6〕前記金属部材の平坦部は、その一部が前記鍔部内に配置されている〔5〕に記載の発光装置。
〔7〕前記金属部材は、前記平坦部から連続して発光装置の底面側に屈曲した第1屈曲部と、さらに前記発光装置の側面側に屈曲した第2屈曲部とを有し、前記第1屈曲部から前記第2屈曲部にかけて、前記被覆部材に被覆されている〔1〕~〔6〕のいずれか1つに記載の発光装置。
〔8〕前記平坦部及び前記被覆部材の上面における前記鍔部の厚みは、前記被覆部材の側面における前記透光性部材の厚みよりも小さい〔5〕~〔7〕のいずれか1つに記載の発光装置。
〔9〕前記平坦部及び前記被覆部材の上面における前記透光性部材の厚みは、50~100μmである〔1〕~〔8〕のいずれか1つに記載の発光装置。
〔10〕前記被覆部材は、さらに、前記平坦部の外周を被覆している〔1〕~〔3〕、〔5〕~〔9〕のいずれか1つに記載の発光装置。
〔11〕前記被覆部材は、前記金属部材の素子載置部の底面を露出し、該素子載置部の外周に配置されている〔1〕~〔10〕のいずれか1つに記載の発光装置。
〔12〕前記金属部材の素子載置部は、平坦部に対して発光装置の底面側に屈曲して凹形部として成形されている〔1〕~〔11〕のいずれか1つに記載の発光装置。
〔13〕前記凹形部を囲むように前記被覆部材が充填されており、該被覆部材の下面の高さが前記凹形部の下面の高さと略一致する〔12〕に記載の発光装置。
(a)発光素子が一面に載置される素子載置部と、該素子載置部の周囲に配置された平坦部とを有する金属部材を金型内に配置し、前記金属部材の少なくとも前記平坦部における、前記一面とは反対面である他面側を被覆する被覆部材を成形し、
(b)前記金属部材の素子載置部に発光素子を搭載し、
(c)前記被覆部材に被覆された金属部材を第2の金型内に配置し、前記第2の金型により前記被覆部材の上面及び下面を挟持して、前記金属部材の一部と前記被覆部材の上面及び側面とを被覆する透光性部材を成形する工程を含むことを特徴とする。
〔15〕前記工程(a)において、前記平坦部の一面を露出して前記被覆部材を形成し、
前記工程(c)において、前記第2の金型により、前記平坦部の一面及び前記被覆部材の上面と、前記被覆部材の下面とを挟持する〔14〕に記載の発光装置の製造方法。
〔16〕前記工程(a)において、前記素子載置部の底面を露出して前記被覆部材を形成し、
前記工程(c)において、前記素子載置部の底面を露出する前記透光性部材を成形する〔14〕又は〔15〕に記載の発光装置の製造方法。
〔17〕前記被覆部材を成形する時の被覆部材料の粘度が、前記透光性部材を形成する時の透光性部材料の粘度よりも大きい〔14〕~〔16〕に記載の発光装置の製造方法。
また、本発明の発光装置の製造方法によれば、効率的に、諸特性を向上させた、発光効率の良好な発光装置を製造することが可能となる。
11 発光素子
12、22 金属部材
12a、22a 素子載置部
12b 貫通孔
12c 切欠部
12d、22d 平坦部
12e、12f 屈曲部
13 第2金属部材
14、24 透光性部材
14a 凸部
14b 鍔部
14c 本体部
15、25、35 被覆部材
25b 突出部
16 保護素子
17 透光性被覆部材
26、27 上下金型
28 銀メッキ膜
29 支持体
36、37 第2の上下金型
38 リリースフィルム
本願においては、「上面」及び「一面(第1面)」とは、発光装置の光取り出し面側の面、特に「一面」は金属部材の面を指し、「底面」及び「他面(第2面)」とは、上面及び一面(第1面)と反対側の面を指し、特に「他面」は金属部材の面を指す。「発光装置の底面」とは、発光装置を構成する封止部材の底面を指す。
透光性とは、発光素子から出射された光を70%程度以上、好ましくは80%程度以上、90%程度以上、95%程度以上透過させる性質を意味する。
発光素子は、半導体発光素子であり、いわゆる発光ダイオードと呼ばれる素子であればどのようなものでもよい。例えば、基板上に、InN、AlN、GaN、InGaN、AlGaN、InGaAlN等の窒化物半導体、III-V族化合物半導体、II-VI族化合物半導体等、種々の半導体によって、発光層を含む積層構造が形成されたものが挙げられる。
基板としては、C面、A面、R面のいずれかを主面とするサファイアやスピネル(MgA12O4)のような絶縁性基板、また炭化珪素(6H、4H、3C)、シリコン、ZnS、ZnO、GaAs、ダイヤモンド;ニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板、窒化物半導体基板(GaN、AlN等)等が挙げられる。
発光素子を構成する各半導体層には、Si、Ge等のドナー不純物及び/又はZn、Mg等のアクセプター不純物がドープされていてもよい。
発光層は、量子効果が生ずる薄膜に形成した単一量子井戸構造、多重量子井戸構造としてもよい。
発光素子の発光波長は、半導体の材料、混晶比、発光層のInGaNのIn含有量、発光層にドープする不純物の種類を変化させるなどによって、紫外領域から赤色まで変化させることができる。
金属部材は、通常、発光素子及び任意に保護素子等(以下「発光素子等」と記載することがある)と電気的に接続され、一般にリード電極としての機能と、発光素子等を載置する機能とを果たす。金属部材は、発光素子等とともに、その一部が後述する封止部材内に埋設されている。そのため、金属部材は、封止部材内で、発光素子等の載置台として及び/又はリード電極として機能する部位(例えば、内部端子)と、封止部材外にまで延設され、外部との電気的な接続をとる機能を有する部位(例えば、外部端子)とを備える。
金属部材の形状は、特に限定されず、発光装置の形状、発光素子の個数、配列、配置可能なスペース等を考慮して適宜決定することができる。
平坦部は、素子載置部と同一平面に存在させてもよいが、上述したように、素子載置部が凹形状となっている場合には、凹形部の底面とは異なる高さに配置されている。
凹形部の周囲を取り囲む平坦部の平面形状は、特に限定されず、例えば、上述したように、凹形部から連続するその一部が、隣接する凹形部の形状に略沿うように(つまり、凹形部と同様又は略同様の形状か、対応する形状で)形成されていることが好ましい(図3中、a参照)。例えば、円形、楕円形、多角形の角を任意に丸めた形状又はこれらの変形形状とすることができる。これにより、発光素子を封止する封止部材を凹形部の外周に沿った形状に安定して形成することができる。なお、この隣接する凹形部の形状に略沿うように形成された平坦部は、図3に示すように、後述する第2金属部材13に対向させることが好ましい。
平坦部のさらに他の一部(例えば、図3中、c参照)は、いわゆる内部端子及び/又は外部端子として機能する領域となる。従って、上述した凹形部とは反対側に延長する形状とすることが適している。延長する端子として機能する領域の幅(図3中、幅n)は、得ようとする発光装置の性能等に応じて適宜設定することができる。例えば、凹形部の直径と同等か若干大きい程度が好ましい。
平坦部は、さらに、上述した保護素子等を載置する領域とすることができる。また、金属部材を後述する透光性部材及び/又は被覆部材で封止する際に、単純な形状の上下金型により容易に平坦部を挟持する(保持する、クランプする等)ことができる。
第2金属部材は、平坦部を有し、この平坦部は、上述した金属部材の平坦部に対応していることが好ましい。第2金属部材の平坦部と発光素子とは、ワイヤによって接続される。これにより、素子載置部に発光素子を搭載した際に、その発光素子と第2の金属部材とのワイヤの距離を短くし、ワイヤ切れ等を防止することができる。
第2金属部材は、内部端子としては、上述した金属部材の素子載置部に対向し、外部端子として、所定の方向に延長する形状であることが好ましい。
さらに、金属部材は、封止部材内において、発光装置の底面方向に向けて屈曲させた(好ましくは、後述する鍔部内において)(第1屈曲部)後、さらに発光装置の側面方向に屈曲させた屈曲部(図3中、12f参照)(第2屈曲部)を有し、封止部材の外側に突出させることが好ましい。これにより、上述した剥がれ及び分離効果をより確保することができる。なお、第1屈曲部及び第2屈曲部は、封止部材、特に、後述する被覆部材に被覆されていることが好ましい。
金属部材が、素子載置部として凹形部を有している場合は、金属部材の平坦部を、凹形部の深さよりも大きくなるような高低差を有して屈曲させてもよいが、凹形部の深さに一致するような高低差を有して屈曲させることが好ましい。つまり、金属部材の平坦部の一部の他面が、凹形部の底面と略一致する(略面一とする)ことが好ましい。
窪み等の平面形状及び配置、大きさ、深さ等は、特に限定されず、発光装置のサイズ、用いる封止部材の材料等によって適宜調整することができる。窪み等は、発光素子からの光の照射範囲外に配置することが好ましく、これによって光の抜けを防止することができる。
金属部材は、金属部材に搭載する発光素子の数+1本以上、あるいは、金属部材に搭載する発光素子の数の2倍本以上を備えていてもよい。例えば、発光素子が1つのみ搭載される場合には、金属部材の一方に発光素子を載置するとともに、発光素子の一方の電極と電気的な接続をとり、他の金属部材が発光素子の別の電極との電気的接続をとってもよい。
また、発光素子それぞれを別個の金属部材に載置するとともに、電気的な接続をとり、さらに別の金属部材が各発光素子に対応してそれぞれ別の電気的な接続をとるように構成してもよい。
このように、発光素子が複数搭載され、それぞれについて、独立して金属部材と電気的に接続されるような独立配線をすることによって、発光装置の実装面において、直列又は並列等、種々の配線パターンを選択することが可能となり、自由な回路設計ができる。また、独立配線の場合、載置される発光素子の発光強度を調整することが容易となるため、特に、フルカラーLED等の異なった発光色を有する複数の発光素子を使用する際に有利である。加えて、各発光素子の放熱経路を重複させることなく形成できる。よって、各発光素子から発生した熱を均等に放熱でき、より放熱性が良好となる。
被覆部材は、後述する透光性の透光性部材とともに、発光装置のパッケージとして機能させる部材である。
被覆部材は、透光性部材よりも硬い材料によって形成されている。被覆部材よりも硬いとは、一般に硬度が大きいことを意味する。この場合の硬度とは、後述する透光性部材及び被覆部材をともに同じ硬度試験法によって試験した場合、その硬度値が、透光性部材よりも大きいことを意味する。以下、いずれの試験法においても25℃にて行ったものとする。
被覆部材の硬度値は、試験法によって異なるが、いずれの試験法によっても、透光性部材の硬度値の5%程度以上、10%程度以上、15%程度以上大きい(硬い)ことが適している。
被覆部材は、被覆部材の試験法がその硬さに対応し、かつ透光性部材のために適する試験法とは異なるように、透光性部材よりも硬度が大きい(硬い)ことが好ましい。
例えば、ロックウェル硬さ試験は、圧子を用いて、まず初試験力を加え、次に試験力を加え、再び初試験力に戻したとき、前後2回の初試験力のおける圧子の侵入深さを測定する方法である。その硬度は、侵入深さの差から算出することができる。
ビッカース硬さ試験は、圧子に試験力を加えて、圧子を試料に押し込み、圧子と試料との接触面積を測定する方法である。その硬度は、圧子に加えた試験力を接触面積で割った値として算出することができる。
ショアA硬さ試験により硬度を測定すると、例えば、70程度以上が適しており、90程度以上が好ましい。
ショアA硬さ又はJIS-A硬さ試験とは、公知の試験方法である。例えば、被測定物の表面に圧子を押し込んで変形させ、その変形量(押込み深さ)を測定し、数値化する方法である。
ショアA硬さ又はJIS-A硬さが90を超える場合は、通常、ショアD硬さが用いられる。
従って、被覆部材は、ショアD硬さによって硬さが表される材料が好ましい。
ショアD硬さ試験とは、公知の試験方法である。この方法は、JIS-A硬さ試験とは、圧子の形状及びサイズ、押し込み荷重が異なる。ショアD硬さ試験はJIS-A硬試験さよりも弾性の小さい試料の測定に適している。
金属部材の線熱膨張係数は、封止部材として通常使用される材料よりも小さく、例えば5~20ppm/K程度である。被覆部材と金属部材との線熱膨張係数の差は、10~100ppm/K程度であることが好ましい。
被覆部材を直接金属部材に接触させることにより、金属部材を直接透光性部材で被覆する場合の線熱膨張係数の差を緩和することができ、封止部材と金属部材との熱による密着性低下を低減することができる。
被覆部材は、上述した材料に、部分的に上述したような着色剤又は拡散剤として、種々の染料又は顔料等を混合して用いてもよい。被覆部材は、発光素子から出射される光の照射範囲外に配置されることが好ましい。これにより、着色剤としてカーボンブラック等の光の吸収が大きなものが混合された材料のように光反射性が低い材料を用いても発光装置の光出力が低下しないため、光反射性の低い安価な材料を被覆部材として選択することができる。
被覆部材が平坦部の外周を被覆する場合は、平坦部の端面を被覆することに相当する。平坦部の端面を被覆する場合には、被覆部材が金属部材の一面側にまで及ぶことになるが、このような平坦部の外周に配置する被覆部材は、その上面の一部が、金属部材の平坦部の一面と略一致し、面一となっていることが好ましい(図1B及び図1D参照)。特に、平坦部の角部において、平坦部の一面と略一致していることがより好ましく、平坦部の全外周にわたって、平坦部の一面と面一となってことが好ましい。
これにより、後述する透光性部材を上下金型によって成形する際、面一となった部位(特に角部、図5B中、M参照)を、上下金型の間で安定して挟持することができ、封止部材の材料漏れ等を防止することができる。さらに、このように上下金型の間で安定して挟持されるために、被覆部材は、その上面と下面とがそれぞれ上下金型に接するように配置することが好ましい。好ましくは、被覆部材の上面の一部が後述する鍔部と略一致し、被覆部材の下面が発光装置の下面(底面)を構成するように配置する(図1C及び図1D参照)。
透光性の透光性部材は、発光素子、任意に保護素子及び金属部材の一部を封止する部材であって、例えば、図2に示すように、少なくとも本体部14cと凸部14aとを有する。透光性部材は、少なくとも、被覆部材の上面及び金属部材の平坦部の上面の一部を被覆しており、さらに、被覆部材の側面を被覆していることが好ましい。従って、金属部材の平坦部は、その一部が透光性部材内、特に、後述する鍔部内に配置されていることが好ましい。
発光装置は、通常、基本形状(封止部材の形状)として、円柱、楕円柱、球、卵形、三角柱、四角柱、多角柱又はこれらに近似する形状等に成形することができ、一般的には、四角柱に成形されている。従って、本発明における透光性部材は、基本形状を構成する本体部と、本体部の一面に、例えば、集光のためのレンズとして機能する凸部が一体的に配置されている。
例えば、図2(図1CのF-F'線断面図に相当)に示すように、透光性部材14は、主に、発光素子(図示せず)等及び金属部材(図示せず)の一部を一体的に封止するブロック状の本体部14cを有する。さらに、本体部14c上であって、発光素子(及びその周辺部分)の上方において、本体部14cから突出した形状で配置された凸部14aと称される部位とを有していることが好ましい。
金属部材と透光性部材との間の隙間は水分又はイオン性不純物等の進入経路になる。従って、このように金属部材の上面を透光性部材によって被覆することにより、発光装置の上面における水分又はイオン性不純物等の進入を防止でき、発光装置の信頼性を向上することができる。
従って、本体部及び鍔部の高さHは、凹形部の深さと、金属部材の厚みとの合計より若干厚い(例えば、+100μm)程度とすることが好ましい。
また、透光性部材は、ゴム状の弾性を備えた材料により形成されているともいうことができる。あるいは、動的硬さ(反発硬さ)で表される硬さを有する材料によって形成されているともいうことができる。
動的硬さは、一般に、ショアA硬さ又はJIS-A硬さ試験による硬度で表される。
透光性部材のJIS-A硬さ試験による硬度は、例えば、65程度以下が挙げられ、60程度以下が好ましい。このような柔らかい材料を用いることによって、熱衝撃試験におけるワイヤの疲労を小さくできる。また、発光装置を取り扱う際のワイヤの曲がり及び発光装置同士の付着等を防止することを考慮して、JIS-A硬さ試験による硬度は20程度以上が挙げられ、30程度以上が好ましい。このような弾性の高い透光性部材の線熱膨張係数は、例えば、200~300ppm/K程度が挙げられる。
従って、上述した硬度及び特性を備えるものとして、例えば、透光性のシリコーン樹脂が好ましい。ゴム状の弾性を有し、耐熱性を発揮し、200℃を超える高温に耐え、さらに高温では変形、分解の速度が緩やかで、つまり、温度依存性が小さく、他の部材への影響が小さいことから、長期の信頼性を見込むことができるからである。
本発明の発光装置では、発光素子を金属部材に搭載した後、発光素子を被覆するように、透光性被覆部材を配置してもよい。透光性被覆部材は、通常、発光素子に接触して配置している。例えば、金属部材が凹形状の素子載置部を有する場合には、凹形部の一部又は全部に、さらに凹形部から盛り上がるように、透光性被覆部材を配置してもよい。
透光性被覆部材は、外力、水分等から発光素子を保護し、発光素子と金属部材との接続を確保するワイヤを保護し得る材料によって形成することが好ましい。
保護素子は、特に限定されるものではなく、発光装置に搭載される公知のもののいずれでもよい。例えば、発光素子に印加される逆方向の電圧を短絡したり、発光素子の動作電圧より高い所定の電圧以上の順方向電圧を短絡させることができる素子、つまり、過熱、過電圧、過電流、保護回路、静電保護素子等が挙げられる。具体的には、ツェナーダイオード、トランジスタのダイオード等が利用できる。
保護素子は、第1の金属部材(発光素子が載置されている金属部材)に載置されていてもよい。この場合、保護素子は、第1の金属部材上であって、窪みを挟んで発光素子と対向する位置に載置されることにより、保護素子の接合部材が凹部方向へ流れ出すことを防止できる。保護素子は、通常、1つのみが搭載されていているが、2つ以上搭載されていてもよい。
本発明の発光装置では、発光素子からの光の取り出しを効率的に行うために、反射部材、反射防止部材、光拡散部材等、種々の部品が備えられていてもよい。
本発明の発光装置は、近年の発光装置の小型化及び薄型化に伴って、その製造時、例えば、キャビティを構成する上下金型(ダイ)で金属部材を挟持し、そのキャビティ内に封止部材を注入するモールド成形による製造時において、上下金型で挟持する金属部材の面積が劇的に縮小している。そのため、金属部材の上下金型内での浮き(隙間、ずれなど)が発生しやすく、金属部材を確実に上下金型で固定することが困難となる。特に、金属部材と封止部材との密着性を向上するために、金属部材に凹形部及び屈曲部を形成し、封止部材によってそれらを埋没させる場合には、一般に、金属部材を確実に上下金型で固定することがさらに困難となる。また、上述した透光性部材は、その性質上、成形時においては非常に粘度が小さいために、金型とそれに挟持された金属部材との間のわずかの隙間にも侵入する。このため、金属部材の外部端子として機能する部位にまで、透光性部材による薄膜が形成されることがあった。さらに、透光性部材は、その性質上、意図しない部位に薄膜として形成された後は、ブラスト処理などの簡便なエッチング等の処理によっても、確実に除去することができない。
(a)発光素子が一面に載置される素子載置部と、該素子載置部の周囲に配置された平坦部とを有する金属部材を金型内に配置し、前記金属部材の少なくとも前記平坦部における他面側を被覆する被覆部材を成形し、
(b)前記金属部材の素子載置部に発光素子を搭載し、
(c)前記被覆部材に被覆された金属部材を第2の金型内に配置し、前記第2の金型により前記被覆部材の上面及び下面を挟持して、前記金属部材の一部と前記被覆部材の上面及び側面とを被覆する透光性部材を成形する工程を含む。
金属部材を金型内に配置して被覆部材を成形する。
金属部材は、上述したように、発光素子が一面に載置される素子載置部と、素子載置部の周囲に配置された平坦部とを有する。また、被覆部材は、金属部材の少なくとも平坦部における他面側を被覆する。
ここで用いる被覆部材は、上述したように、金属部材を上下金型で挟持する場合に、これらの当接面積が小さく、金属部材の固定が十分でなく、上下金型と金属部材との挟持部位において、若干の隙間が存在しても、その隙間に進入しないような、比較的硬い樹脂を用いることが適している。つまり、被覆部材を形成する時の被覆部材料の粘度が、透光性部材を成形する時の透光性部材料の粘度より大きいものを用いることが適している。
金属部材への発光素子の搭載には、通常、接合部材が用いられる。例えば、青及び緑発光を有し、サファイア基板上に窒化物半導体を成長させた発光素子の場合には、エポキシ樹脂、シリコーン等を用いることができる。また、発光素子からの光や熱による劣化を考慮して、発光素子裏面に予めAl等の金属層を設けてもよいし、樹脂を使用せず、Au-Sn共晶などの半田、低融点金属等のろう材を用いてもよい。さらに、GaAs等からなり、赤色発光を有する発光素子のように、両面に電極が形成された発光素子の場合には、銀、金、パラジウムなどの導電性ペースト等によってダイボンディングしてもよい。
1つの金属部材には1つのみの発光素子が搭載されていてもよいが、2つ以上搭載されていてもよい。
発光素子はフェースダウン実装してもよく、この場合、上述の支持体を用いることが好ましい。つまり、発光素子を支持体にフェースダウン実装し、支持体の導体配線と金属部材とをワイヤで接続することが好ましい。
工程(b)は、工程(c)の前に行う限り、工程(a)の前に行ってもよい。
このような透光性被覆部材は、例えば、ポッティグなどの簡易な方法により形成することが好ましい。このような方法によれば、モールド成形のように、発光素子に透光性被覆部材による望まない圧力が負荷されることがなく、ワイヤ等の断線などを確実に防止することができる。また、ポッティング時の樹脂量を適宜調整することにより、発光素子、その周辺又は凹形部内の一部又は全部を簡便に被覆することが可能となる。
被覆部材で被覆された金属部材を第2の金型内に配置して、金属部材の一部と被覆部材の上面及び側面とを被覆する透光性部材を成形する。第2の金型では、被覆部材の上面及び下面を挟持する。
なお、上述した工程(a)において、平坦部の一面を露出して被覆部材を形成する場合には、工程(c)において、第2の金型により、平坦部の一面及び被覆部材の上面と、被覆部材の下面とを挟持することが好ましい。
また、工程(a)において、素子載置部の底面を露出して前記被覆部材を形成する場合には、工程(c)において、第2の金型での適切な挟持によって、素子載置部の底面を露出する透光性部材を成形することが好ましい。
このような適切な部位に配置した透光性部材は、意図しない部位への薄膜形成が回避されており、被覆部材を被覆することによって、被覆部材の硬さに起因するクラック及び欠け等の発生を防止することが可能となる。
実施形態1
(発光装置)
この実施形態の発光装置10は、図1A~図1Dに示したように、表面実装タイプの発光装置であって、主として、発光素子11と、金属部材12及び第2金属部材13と、これら金属部材12及び第2金属部材13の一部を被覆するポリフタルアミド(PPA)からなる被覆部材15と、シリコーン樹脂からなる透光性の透光性部材14とを備えて形成されている。
発光素子11、金属部材12、第2金属部材13は、被覆部材15及び透光性部材14とで、一体的に封止されている。
発光素子11のダイボンディングは、例えば、銀ペースト又はエポキシ樹脂を用いて行われている。また、直径30μmの金線からなるワイヤによって、発光素子11に形成された電極(図1C参照)と金属部材12の平坦部とが接続されている。
金属部材12の素子載置部12aに対向するように、第2金属部材13が配置されている。
これら金属部材12及び第2金属部材13は、例えば、0.25mm厚の銀メッキ銅板を、プレスによる打ち抜き加工により形成されている。ここでの金属部材12の2段屈曲による高低差は、略0.35mm程度である。
被覆部材15として用いるPPAは、透光性部材よりも硬い。また、その線熱膨張係数は、例えば数十ppm/K程度である。
発光装置10の一辺の長さ、つまり、封止部材14の本体部14cの一辺の長さ(幅W=奥行)と凸部の直径Dとは略同じである。従って、平面視において、鍔部14bは、ほぼ、本体部14cの外周の対角線状に対向する4箇所において配置しているのみである。
まず、公知の方法により、金属板を打ち抜き及び屈曲加工して、凹形部12aと平坦部12dとを有する金属部材12及び第2金属部材13となる金属部材を準備する(図4B参照)。
金属部材12、13を固定した状態で、金型26、27内に、被覆部材15を構成する樹脂を注入する。この場合の樹脂は、通常、半導体装置に使用される封止部材としてよく知られている比較的硬い、PPA樹脂である。
その後、樹脂を硬化させ、金型から取り出す。
さらに、蛍光物質を含有する透光性被覆部材17を、凹形部内にポッティングして、発光素子11を被覆する。
その後、樹脂を硬化させ、金型から取り出す。
この透光性部材の封止により、発光素子(図示せず)及び金属部材の一部と被覆部材15の少なくとも一部とを被覆する本体部14c、凸部14a及び鍔部14bからなる透光性部材14を成形することができる。
最後に、金属部材を切断し、図1A~図1Dに示すような発光装置10を得る。
つまり、透光性部材を用いた発光装置の場合、金属部材を被覆する透光性部材が発光素子からの光を透過するため、発光装置の光取り出し面である正面方向以外の方向から取り出されることがあった。しかし、透光性部材が透光性材料によって形成されているとしても、透光性部材の材料、さらに形状等によって、いくらかの光が吸収されることとなる。
具体的には、発光装置の一辺の長さ(封止部材の本体部の一辺の長さ)を5mm程度とし、レンズ状の凸部の直径を5mm程度とし、鍔部の高さを0.5mm程度として鍔部における平坦部の被覆膜厚を75μm程度とした第1の発光装置の光取り出し効率は、95.2%であった。
このように、光取り出し効率は、第1の発光装置が第2の発光装置に対して、約8%向上することが確認された。
図7に示すように、銅板からなる金属部材12及び第2金属部材13の全面に、厚さ0.005μmで金メッキを施し、その後、凹形部12a(直径3.0mm程度)の内面全面及び平坦部に渡る凹形部12aの外周(幅0.2mm程度)に、厚さ3μmで銀メッキ膜28を施した。凹形部12a内の銀メッキ膜28は透光性被覆部材17によって被覆されるが、その外周に形成された銀メッキ膜28は透光性被覆部材17から露出し、透光性部材14と接触する。
この実施形態でも、実施形態1と同様の効果を有する。
図8A及び図8Bに示したように、透光性部材24と被覆部材25の形状が異なる以外、実施形態2と略同様の構成の発光装置であり、同様の製造方法によって製造することができる。
透光性部材24は、被覆部材25の外周における段差に沿った形状で成形されているとともに、被覆部材25の側面に、突出部25bが形成されている(図8C参照)。
この突出部25bを設けることにより、突出部25bを金属部材12、13によって固定することができ、透光性部材24を成形する際に、金属部材12、13及び被覆部材25をさらに安定して固定することができる。これによって、透光性部材24の金属部材12、13裏面への回り込みをさらに抑制することができる。
この実施形態でも、実施形態1及び2と同様の効果を有する。
図9に示したように、金属部材12の平坦部12dに、被覆部材15との密着性を図るための孔12b及び切欠き12cが形成されている以外、実施形態1と略同様の構成の発光装置であり、同様の製造方法によって製造することができる。
この実施形態でも、実施形態1と同様の効果を有する。
図10に示したように、素子載置部22aを凹形状とせず、平坦部22dと連続する平坦部に発光素子を載置すること、セラミックスからなる支持体29を介して発光素子11を載置すること及び支持体29が搭載されている領域(素子載置部22a)に相当する領域以外の領域(平坦部22dに相当する領域)の金属部材22の他面側において被覆部材35が配置されている以外、実質的に実施形態1と同様の構成とする。透光性部材14の鍔部14bの上面は、支持体29の上面より低い位置に配置される。
この構成の発光装置では、半値角がやや増大するが、良好な発光効率が得られる。
また、平坦部の一部を凸部内に突出させ、素子載置部を鍔部より高い位置に配置されるようにしてもよい。この場合、支持体は省略できる。
この実施形態の発光装置も、実質的には、実施形態1と同様に製造することができる。
この実施形態でも、実施形態1と同様の効果を有する。
Claims (17)
- 発光素子、
該発光素子が載置された一面と、該一面とは反対面である他面とを有する金属部材及び
前記発光素子と金属部材の一部とを封止する透光性部材を備えてなる発光装置であって、
前記金属部材は、前記発光素子が載置された素子載置部と、該素子載置部の周囲に配置された平坦部とを有し、
前記平坦部の他面側には、被覆部材が配置されており、
該被覆部材の上面及び側面は、前記透光性部材に被覆されていることを特徴とする発光装置。 - 前記透光性部材は、前記被覆部材よりも柔らかい請求項1に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、前記平坦部の前記一面を露出している請求項1又は2に記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、前記平坦部の他面と平坦部の外周とを被覆しており、前記被覆部材の上面が前記平坦部の一面と略一致し、かつ前記被覆部材の上面及び前記平坦部の上面が前記透光性部材で被覆されている請求項1~3のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記透光性部材は、凸部と、前記凸部の周囲に配置された鍔部とを有し、該鍔部は、前記発光素子から出射される光の照射範囲外に配置されている請求項1~4のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記金属部材の平坦部は、その一部が前記鍔部内に配置されている請求項5に記載の発光装置。
- 前記金属部材は、前記平坦部から連続して発光装置の底面側に屈曲した第1屈曲部と、さらに前記発光装置の側面側に屈曲した第2屈曲部とを有し、前記金属部材の前記第1屈曲部から前記第2屈曲部にかけて、前記被覆部材に被覆されている請求項1~6のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記平坦部及び前記被覆部材の上面における前記鍔部の厚みは、前記被覆部材の側面における前記透光性部材の厚みよりも小さい請求項5~7のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記平坦部及び前記被覆部材の上面における前記透光性部材の厚みは、50~100μmである請求項1~8のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、さらに、前記平坦部の外周を被覆している請求項1~3、5~9のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記被覆部材は、前記金属部材の素子載置部の底面を露出し、該素子載置部の外周に配置されている請求項1~10のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記金属部材の素子載置部は、平坦部に対して発光装置の底面側に屈曲して凹形部として成形されている請求項1~11のいずれか1つに記載の発光装置。
- 前記凹形部を囲むように前記被覆部材が充填されており、該被覆部材の下面の高さが前記凹形部の下面の高さと略一致する請求項12に記載の発光装置。
- (a)発光素子が一面に載置される素子載置部と、該素子載置部の周囲に配置された平坦部とを有する金属部材を金型内に配置し、前記金属部材の少なくとも前記平坦部における他面側を被覆する被覆部材を成形し、
(b)前記金属部材の素子載置部に発光素子を搭載し、
(c)前記被覆部材に被覆された金属部材を第2の金型内に配置し、前記第2の金型により前記被覆部材の上面及び下面を挟持して、前記金属部材の一部と前記被覆部材の上面及び側面とを被覆する透光性部材を成形する工程を含むことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 前記工程(a)において、前記平坦部の一面を露出して前記被覆部材を形成し、
前記工程(c)において、前記第2の金型により、前記平坦部の一面及び前記被覆部材の上面と、前記被覆部材の下面とを挟持する請求項14に記載の発光装置の製造方法。 - 前記工程(a)において、前記素子載置部の底面を露出して前記被覆部材を形成し、
前記工程(c)において、前記素子載置部の底面を露出する前記透光性部材を成形する請求項14に記載の発光装置の製造方法。 - 前記被覆部材を成形する時の被覆部材料の粘度が、前記透光性部材を形成する時の透光性部材料の粘度よりも大きい請求項15に記載の発光装置の製造方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
AU2011353319A AU2011353319B2 (en) | 2010-12-28 | 2011-10-20 | Light emitting device and method for manufacturing same |
JP2012550762A JP5772833B2 (ja) | 2010-12-28 | 2011-10-20 | 発光装置及びその製造方法 |
EP11852510.4A EP2660884B1 (en) | 2010-12-28 | 2011-10-20 | Light-emitting apparatus and method of manufacturing thereof |
BR112013001195-5A BR112013001195B1 (pt) | 2010-12-28 | 2011-10-20 | dispositivo emissor de luz e método para fabricar o mesmo |
CN201180018647.1A CN102834941B (zh) | 2010-12-28 | 2011-10-20 | 发光装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010293295 | 2010-12-28 | ||
JP2010-293295 | 2010-12-28 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
WO2012090576A1 true WO2012090576A1 (ja) | 2012-07-05 |
Family
ID=46316565
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
PCT/JP2011/074139 WO2012090576A1 (ja) | 2010-12-28 | 2011-10-20 | 発光装置及びその製造方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8475013B2 (ja) |
EP (1) | EP2660884B1 (ja) |
JP (1) | JP5772833B2 (ja) |
CN (1) | CN102834941B (ja) |
AU (1) | AU2011353319B2 (ja) |
BR (1) | BR112013001195B1 (ja) |
TW (1) | TWI599076B (ja) |
WO (1) | WO2012090576A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014017341A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置用リードフレームおよびその製造方法ならびに発光装置の製造方法 |
CN105258084A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 欧司朗有限公司 | 具有led的led模块和用于制造led模块的方法 |
JP2018088554A (ja) * | 2018-02-19 | 2018-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP2020010053A (ja) * | 2013-04-12 | 2020-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11955466B2 (en) | 2020-08-25 | 2024-04-09 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013191690A (ja) * | 2012-03-13 | 2013-09-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
KR20160150657A (ko) * | 2012-04-12 | 2016-12-30 | 생-고뱅 퍼포먼스 플라스틱스 코포레이션 | 발광장치 제조방법 |
US9065024B2 (en) | 2012-05-01 | 2015-06-23 | Bridgelux, Inc. | LED lens design with more uniform color-over-angle emission |
JP6065280B2 (ja) * | 2013-05-17 | 2017-01-25 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光モジュールおよび照明器具 |
TWI513068B (zh) * | 2013-07-12 | 2015-12-11 | Lite On Opto Technology Changzhou Co Ltd | 發光二極體結構、發光二極體結構的金屬支架、及承載座模組 |
US9515241B2 (en) * | 2013-07-12 | 2016-12-06 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | LED structure, metallic frame of LED structure, and carrier module |
TWI562405B (en) | 2013-09-23 | 2016-12-11 | Brightek Optoelectronic Shenzhen Co Ltd | Method of manufacturing led package structure for preventing lateral light leakage |
US9228726B2 (en) * | 2013-11-13 | 2016-01-05 | Lediamond Opto Corporation | Globular illuminant device |
TWI506828B (zh) | 2013-11-20 | 2015-11-01 | Lextar Electronics Corp | 發光裝置 |
KR101444919B1 (ko) * | 2014-05-22 | 2014-09-26 | (주)네오빛 | Led 패키지용 금속재 리플렉터 제조방법 |
US10177292B2 (en) * | 2014-05-23 | 2019-01-08 | Everlight Electronics Co., Ltd. | Carrier, carrier leadframe, and light emitting device |
TWI553264B (zh) | 2014-05-23 | 2016-10-11 | 億光電子工業股份有限公司 | 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法 |
RU2571176C1 (ru) * | 2014-07-14 | 2015-12-20 | Гиа Маргович Гвичия | Светодиодная матрица |
TWI573958B (zh) * | 2014-07-22 | 2017-03-11 | 玉晶光電股份有限公司 | 具有過熱保護機制的燈具 |
JP2017201689A (ja) * | 2016-05-05 | 2017-11-09 | 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Everlight Electronics Co.,Ltd. | キャリア、キャリアリードフレーム、及び発光デバイス |
JP7048879B2 (ja) * | 2017-10-12 | 2022-04-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10810932B2 (en) * | 2018-10-02 | 2020-10-20 | Sct Ltd. | Molded LED display module and method of making thererof |
CN111525017B (zh) * | 2020-07-03 | 2020-10-02 | 华引芯(武汉)科技有限公司 | 一种倒装led全无机器件及其制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0550754U (ja) | 1991-12-09 | 1993-07-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JPH11346008A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002324917A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007067284A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Hitachi Aic Inc | Led装置 |
JP2008300694A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Nichia Corp | 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 |
JP2009146935A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5202288A (en) * | 1990-06-01 | 1993-04-13 | Robert Bosch Gmbh | Method of manufacturing an electronic circuit component incorporating a heat sink |
JP3492178B2 (ja) * | 1997-01-15 | 2004-02-03 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法 |
US6274890B1 (en) * | 1997-01-15 | 2001-08-14 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor light emitting device and its manufacturing method |
TW414924B (en) | 1998-05-29 | 2000-12-11 | Rohm Co Ltd | Semiconductor device of resin package |
US7429757B2 (en) | 2002-06-19 | 2008-09-30 | Sanken Electric Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device capable of increasing its brightness |
JP4118742B2 (ja) * | 2002-07-17 | 2008-07-16 | シャープ株式会社 | 発光ダイオードランプおよび発光ダイオード表示装置 |
US20080186714A1 (en) * | 2004-03-25 | 2008-08-07 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Light-emitting diode |
JP2009502024A (ja) * | 2005-06-27 | 2009-01-22 | ラミナ ライティング インコーポレーテッド | 発光ダイオードパッケージ及びその製造方法 |
KR20080027355A (ko) * | 2005-06-30 | 2008-03-26 | 마츠시다 덴코 가부시키가이샤 | 발광 장치 |
JP4739851B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-08-03 | スタンレー電気株式会社 | 表面実装型半導体装置 |
US7910946B2 (en) * | 2005-12-12 | 2011-03-22 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and semiconductor apparatus, and method for manufacturing the same |
KR100735325B1 (ko) * | 2006-04-17 | 2007-07-04 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
JP4830768B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-07 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
US7708427B2 (en) * | 2006-06-16 | 2010-05-04 | Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. | Light source device and method of making the device |
US8044418B2 (en) * | 2006-07-13 | 2011-10-25 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state light emitting devices |
KR100772900B1 (ko) * | 2006-09-04 | 2007-11-05 | 삼성전자주식회사 | 광 마스크와 반도체 집적 회로 장치 및 그 제조 방법 |
JP5326229B2 (ja) * | 2006-09-08 | 2013-10-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN101611262B (zh) * | 2007-02-16 | 2011-01-26 | 夏普株式会社 | 背光装置和使用该背光装置的平面显示装置 |
US7659531B2 (en) * | 2007-04-13 | 2010-02-09 | Fairchild Semiconductor Corporation | Optical coupler package |
JP2009026846A (ja) * | 2007-07-18 | 2009-02-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | Ledパッケージおよび表示装置 |
US7802901B2 (en) * | 2007-09-25 | 2010-09-28 | Cree, Inc. | LED multi-chip lighting units and related methods |
CN101546795B (zh) * | 2008-03-25 | 2011-02-16 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 半导体发光元件 |
JP5691681B2 (ja) * | 2010-03-15 | 2015-04-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2011
- 2011-10-20 EP EP11852510.4A patent/EP2660884B1/en active Active
- 2011-10-20 AU AU2011353319A patent/AU2011353319B2/en active Active
- 2011-10-20 BR BR112013001195-5A patent/BR112013001195B1/pt active IP Right Grant
- 2011-10-20 CN CN201180018647.1A patent/CN102834941B/zh active Active
- 2011-10-20 WO PCT/JP2011/074139 patent/WO2012090576A1/ja active Application Filing
- 2011-10-20 JP JP2012550762A patent/JP5772833B2/ja active Active
- 2011-11-02 TW TW100140007A patent/TWI599076B/zh active
- 2011-12-12 US US13/323,295 patent/US8475013B2/en active Active
-
2013
- 2013-05-30 US US13/905,433 patent/US8960970B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0550754U (ja) | 1991-12-09 | 1993-07-02 | シャープ株式会社 | 発光装置 |
JPH11346008A (ja) | 1998-05-29 | 1999-12-14 | Rohm Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002324917A (ja) * | 2001-04-26 | 2002-11-08 | Citizen Electronics Co Ltd | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 |
JP2007067284A (ja) * | 2005-09-01 | 2007-03-15 | Hitachi Aic Inc | Led装置 |
JP2008300694A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Nichia Corp | 発光装置、発光装置を構成する樹脂成形体及びそれらの製造方法 |
JP2009146935A (ja) * | 2007-12-11 | 2009-07-02 | Citizen Electronics Co Ltd | 発光ダイオード |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
See also references of EP2660884A4 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2014017341A (ja) * | 2012-07-09 | 2014-01-30 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置用リードフレームおよびその製造方法ならびに発光装置の製造方法 |
JP2020010053A (ja) * | 2013-04-12 | 2020-01-16 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN105258084A (zh) * | 2014-07-11 | 2016-01-20 | 欧司朗有限公司 | 具有led的led模块和用于制造led模块的方法 |
JP2018088554A (ja) * | 2018-02-19 | 2018-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US11955466B2 (en) | 2020-08-25 | 2024-04-09 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2660884A4 (en) | 2015-04-15 |
CN102834941A (zh) | 2012-12-19 |
EP2660884B1 (en) | 2019-12-11 |
BR112013001195B1 (pt) | 2021-03-02 |
AU2011353319A1 (en) | 2012-09-13 |
US20130258679A1 (en) | 2013-10-03 |
US8960970B2 (en) | 2015-02-24 |
CN102834941B (zh) | 2016-10-12 |
JPWO2012090576A1 (ja) | 2014-06-05 |
JP5772833B2 (ja) | 2015-09-02 |
TW201230410A (en) | 2012-07-16 |
US20120162998A1 (en) | 2012-06-28 |
AU2011353319B2 (en) | 2014-01-23 |
EP2660884A1 (en) | 2013-11-06 |
US8475013B2 (en) | 2013-07-02 |
BR112013001195A2 (pt) | 2017-06-27 |
TWI599076B (zh) | 2017-09-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5772833B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5691681B2 (ja) | 発光装置 | |
US10153415B2 (en) | Light emitting device having dual sealing resins | |
JP5326229B2 (ja) | 発光装置 | |
US8525208B2 (en) | Light emitting device | |
US10217918B2 (en) | Light-emitting element package | |
JP4952215B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2004343059A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP5644352B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
JP5256591B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007300021A (ja) | 発光装置 | |
JP2008117900A (ja) | 発光装置 | |
JP5206204B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5071069B2 (ja) | 発光装置 | |
JP6191214B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4742761B2 (ja) | 発光装置 | |
AU2014200021B2 (en) | Light emitting device | |
JP5949875B2 (ja) | 発光装置及びその製造方法 | |
KR20130080299A (ko) | 발광소자 패키지, 백라이트 유닛 및 영상표시장치 | |
JP2006114671A (ja) | 樹脂封止型発光装置 | |
JP2013074056A (ja) | 発光装置 | |
KR20110115383A (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 201180018647.1 Country of ref document: CN |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2012550762 Country of ref document: JP |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 2011353319 Country of ref document: AU Ref document number: 2011852510 Country of ref document: EP |
|
121 | Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application |
Ref document number: 11852510 Country of ref document: EP Kind code of ref document: A1 |
|
WWE | Wipo information: entry into national phase |
Ref document number: 7788/CHENP/2012 Country of ref document: IN |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 2011353319 Country of ref document: AU Date of ref document: 20111020 Kind code of ref document: A |
|
NENP | Non-entry into the national phase |
Ref country code: DE |
|
REG | Reference to national code |
Ref country code: BR Ref legal event code: B01A Ref document number: 112013001195 Country of ref document: BR |
|
REG | Reference to national code |
Ref country code: BR Ref legal event code: B01E Ref document number: 112013001195 Country of ref document: BR |
|
ENP | Entry into the national phase |
Ref document number: 112013001195 Country of ref document: BR Kind code of ref document: A2 Effective date: 20130116 |