KR20110115383A - 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 - Google Patents

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20110115383A
KR20110115383A KR1020100034860A KR20100034860A KR20110115383A KR 20110115383 A KR20110115383 A KR 20110115383A KR 1020100034860 A KR1020100034860 A KR 1020100034860A KR 20100034860 A KR20100034860 A KR 20100034860A KR 20110115383 A KR20110115383 A KR 20110115383A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
emitting device
support member
emitting structure
Prior art date
Application number
KR1020100034860A
Other languages
English (en)
Inventor
정주용
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020100034860A priority Critical patent/KR20110115383A/ko
Publication of KR20110115383A publication Critical patent/KR20110115383A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Abstract

실시예에 따른 발광 소자는 측면에 에칭홈을 포함하는 전도성 지지부재; 상기 전도성 지지부재 상에 접합층; 상기 접합층 상에 반사층; 상기 반사층 상에 발광 구조층; 및 상기 발광 구조층 상에 전극을 포함한다.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM}
실시예는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
본 발명은 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공한다.
본 발명은 전기적 신뢰성이 향상된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 측면에 에칭홈을 포함하는 전도성 지지부재; 상기 전도성 지지부재 상에 접합층; 상기 접합층 상에 반사층; 상기 반사층 상에 발광 구조층; 및 상기 발광 구조층 상에 전극을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 성장 기판 상에 발광 구조층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조층 상에 반사층을 형성하는 단계; 상기 반사층 상에 제1 접합층과 제2 접합층을 매개로 전도성 지지부재 및 더미 기판을 접착하는 단계; 상기 성장 기판 및 더미 기판을 분리하는 단계; 상기 발광 구조층을 단위 칩 영역으로 구분하는 아이솔레이션 에칭을 수행하는 단계; 상기 전도성 지지부재 및 제1 접합층을 레이저 스크라이빙 공정으로 분리하는 단계; 상기 레이저 스크라이빙이 수행된 영역을 에칭을 하는 단계; 및 상기 전도성 지지부재를 브레이킹하여 분리하는 단계를 포함하고, 상기 제2 접합층은 상기 더미 기판을 분리한 후 상기 레이저 스크라이빙 공정을 진행하기 전에 제거한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상에 제1 전극층 및 제2 전극층; 상기 제1 전극층 또는 제2 전극층 상에 본딩층에 의해 접합되고, 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광 소자를 포함한다.
실시예에 따른 조명 시스템은 조명 시스템에 있어서, 상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치된 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈을 포함하고, 상기 발광 소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상에 제1 전극층 및 제2 전극층; 상기 제1 전극층 또는 제2 전극층 상에 본딩층에 의해 접합되고, 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광 소자를 포함한다.
본 발명은 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
본 발명은 전기적 신뢰성이 향상된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 단면도.
도 2 내지 도 12는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면.
도 13은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 설명하는 도면.
도 14는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면.
도 15는 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 조명 유닛의 사시도.
실시예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자의 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광 소자(100)는 전도성 지지부재(160), 상기 전도성 지지부재(160) 상에 제1 접합층(157), 상기 제1 접합층(157) 상에 반사층(156), 상기 반사층(156) 상의 둘레 영역에 보호층(155), 상기 반사층(156) 및 상기 보호층(155) 상에 발광 구조층(145), 상기 발광 구조층(145)의 측면 및 상면 일부에 패시베이션층(165), 및 상기 발광 구조층(145) 상에 전극(170)을 포함한다.
상기 발광 구조층(145)은 빛을 생성하는 다수의 3족 내지 5족 질화물 반도체층을 포함하며, 예를 들어, 제1 도전형의 반도체층(130), 상기 제1 도전형의 반도체층(130) 아래에 활성층(140), 상기 활성층(140) 아래에 제2 도전형의 반도체층(150)을 포함할 수 있다.
상기 전도성 지지부재(160)는 상기 발광 구조층(145)을 지지하며, 상기 전극(170)과 함께 상기 발광 구조층(145)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(160)는 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나로 형성될 수 있다. 실시예에서는 상기 전도성 지지부재(160)가 몰리브덴(Mo)을 포함하여 형성된 것이 예시된다.
상기 전도성 지지부재(160)의 하부 측면 및 상부 측면에는 각각 제1 에칭홈(163) 및 제2 에칭홈(164)이 형성된다. 상기 제1 에칭홈(163) 및 제2 에칭홈(164)은 상기 전도성 지지부재(160)의 측면 둘레에 형성될 수 있으며, 특히 상기 전도성 지지부재(160)의 모서리 부분에 깊에 형성될 수 있다.
상기 제1 에칭홈(163) 및 제2 에칭홈(164)은 발광 소자(100)를 개별 단위 칩 으로 분리하는 과정에서 형성될 수 있다. 물론, 이 과정에서 상기 전도성 지지부재(160)의 중앙부 둘레, 상기 제1 접합층(157) 및 상기 반사층(156)도 부분적으로 에칭되며, 상기 제1 에칭홈(163) 및 제2 에칭홈(164)은 상대적으로 더 많이 에칭된 부분을 나타낸다. 실시예에서 상기 제2 에칭홈(164)은 상기 제1 에칭홈(163)에 비해 더 깊게 형성될 수 있다. 이에 대해서는 자세히 후술한다.
상기 전도성 지지부재(160) 상에는 상기 반사층(156)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(156)은 상기 발광 구조층(145)로부터 입사되는 빛을 반사함으로써 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다. 상기 반사층(156)은 반사 효율이 높은 은(Ag), 알루미늄(Al), 팔라듐(Pd), 구리(Cu), 백금(Pt) 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 비록 도시되지는 않았지만, 상기 반사층(156)과 상기 제2 도전형의 반도체층(150) 사이에는 오믹 접촉층 및/또는 전류 차단층(Current Blocking Layer)이 형성될 수도 있다.
한편, 상기 전도성 지지부재(160) 및 상기 반사층(156) 사이에는 제1 접합층(157)이 형성될 수 있다. 상기 제1 접합층(157)은 상기 전도성 지지부재(160)와 상기 반사층(156) 사이의 계면 접합력을 향상시키기 위해 형성될 수 있다. 상기 제1 접합층(157)은 접착력이 좋은 금속 재질, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실시예에서는 상기 제1 접합층(157)이 Au-Sn 합금으로 형성된 것이 예시된다.
상기 반사층(156) 상면의 둘레에는 상기 보호층(155)이 형성될 수 있다. 상기 보호층(155)은 상기 전도성 지지부재(160)의 측면과 상기 발광 구조층(145)의 측면 사이의 거리를 증가시켜 상기 전도성 지지부재(160)와 상기 발광 구조층(145) 사이에 전기적 단락이 발생되는 것을 방지한다. 또한, 상기 보호층(155)은 상기 발광 구조층(145)을 단위 칩으로 구분하기 위한 아이솔레이션 에칭 과정에서 상기 반사층(156)이나 제1 접합층(157), 또는 전도성 지지부재(160)에서 파편이 발생되고, 상기 파편이 상기 제1 도전형의 반도체층(130)과 활성층(140) 사이 또는 상기 활성층(140)과 제2 도전형의 반도체층(150) 사이에 부착되어 전기적 단락이 발생되는 것을 방지한다.
상기 보호층(155)은 전기 절연성 갖는 재질 또는 아이솔레이션 에칭 과정에서 파편이 발생되지 않는 재질, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 중 에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
실시예에서 상기 반사층(156)의 일부가 상기 보호층(155) 아래에 형성된 것이 예시되어 있으나, 상기 반사층(156)은 상기 보호층(155) 사이에만 형성될 수도 있다. 또한, 상기 보호층(155)이 형성되지 않을 수도 있다.
상기 보호층(155) 및 상기 반사층(156) 상에는 상기 발광 구조층(145)이 형성될 수 있다. 상기 발광 구조층(145)은 다수의 3족 내지 5족 질화물 반도체층을 포함하며, 예를 들어, 제2 도전형의 반도체층(150), 상기 제2 도전형의 반도체층(150) 상에 활성층(140), 상기 활성층(140) 상에 제1 도전형의 반도체층(130)을 포함한다.
상기 제2 도전형의 반도체층(150)은 예를 들어, p형 반도체층으로 구현될 수 있는데, 상기 p형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba 등의 p형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 활성층(140)은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체 재료를 포함하여 형성할 수 있으며, 단일 양자 우물 구조 또는 다중 양자 우물 구조(MQW : Multi Quantum Well)로 형성될 수 있다.
상기 활성층(140)은 상기 제1 도전형의 반도체층(130) 및 제2 도전형의 반도체층(150)으로부터 제공되는 전자 및 정공의 재결합(recombination) 과정에서 발생되는 에너지에 의해 빛을 생성할 수 있다.
상기 제1 도전형의 반도체층(130)은 제1 도전형 반도체층으로만 형성되거나, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 부분적으로 형성되는 비전도성 반도체층을 더 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 도전형 반도체층은 예를 들어, n형 반도체층을 포함할 수 있는데, 상기 n형 반도체층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료, 예를 들어 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 등에서 선택될 수 있으며, Si, Ge, Sn 등의 n형 도펀트가 도핑될 수 있다.
상기 비전도성 반도체층은 예를 들어, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 재료로 형성될 수 있으며, 상기 n형 도펀트가 의도적으로 도핑되지 않아 상기 제1 도전형 반도체층에 비해 현저히 낮은 전기전도성을 갖는 것을 제외하고는 상기 제1 도전형 반도체층과 같다.
상기 발광 구조층(145)의 적어도 측면에는 상기 패시베이션층(165)이 형성될 수 있다. 바람직하게는, 상기 패시베이션층(165)은 상기 발광 구조층(145)의 측면과, 상면의 둘레 영역에 형성될 수 있다.
상기 패시베이션층(165)은 복수개의 발광 소자들이 서로 전기적으로 단락되거나, 외부의 전원이나 부품 등과 서로 전기적으로 단락되는 것을 방지할 수 있다. 상기 패시베이션층(165)은 상기 보호층(155)과 동일한 재질로 형성될 수도 있으며, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다.
상기 발광 구조층(145) 상에는 상기 전극(170)이 형성될 수 있다. 상기 전극(170)은 예를 들어, 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 구리(Cu), 금(Au) 중 적어도 하나를 포함하여 형성될 수 있다.
이하, 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용에 대해서는 생략하거나 간략히 설명한다.
도 2 내지 도 12는 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 성장 기판(110) 상에 상기 발광 구조층(145)이 형성된다.
상기 성장 기판(110)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, LiAl2O3, InP, BN, AlN 또는 Ge 중 적어도 하나의 재질로 선택될 수 있다. 실시예에서 상기 성장 기판(110)은 사파이어 재질의 기판이 사용된다.
비록 도시되지는 않았지만, 상기 성장 기판(110)은 패턴이 형성된 PSS(Patterned Sapphire Substrate)로 선택되거나, 상기 성장 기판(110)의 상면이 주 평면(main surface)에 대해 소정의 경사를 가지도록 형성될 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 성장 기판(110) 상에는 상기 제1 도전형의 반도체층(130), 활성층(140) 및 제2 도전형의 반도체층(150)이 적층되어 상기 발광 구조층(145)을 이룰 수 있다.
상기 발광 구조층(145)은 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 성장 기판(110)과 상기 발광 구조층(145) 사이의 격자 상수 차이를 완화하기 위해, 상기 성장 기판(110) 및 상기 발광 구조층(145) 사이에는 버퍼층(미도시) 및/또는 언도프트 질화물층(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(미도시)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0 ≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 질화물 반도체 재료, 예를 들어, AlN, InN, GaN, InGaN 등에서 선택될 수 있고, 상기 언도프트 질화물층(미도시)는 Un-doped GaN으로 형성될 수 있다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 발광 구조층(145)의 제2 도전형의 반도체층(150) 상의 단위 칩 영역의 둘레에 상기 보호층(155)이 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 보호층(155)은 전기절연성을 갖는 재질 또는 아이솔레이션 에칭 과정에서 파편이 발생되지 않은 재질, 예를 들어, Si02, SixOy, Si3N4, SixNy, SiOxNy, Al2O3, TiO2, ITO, AZO, ZnO 등으로 이루어진 군에서 적어도 하나가 선택되어 형성될 수 있다. 상기 보호층(155)은 증착 방법 또는 포토리소그래피 방법에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 발광 구조층(145) 및 상기 보호층(155) 상에 상기 반사층(156)이 형성되고, 상기 반사층(156) 상에는 상기 제1 접합층(157)이 형성될 수 있다.
한편, 상기 발광 구조층(145)과 상기 반사층(156)이 오믹 접촉을 이루지 않는 경우, 상기 발광 구조층(145) 및 상기 반사층(156) 사이에는 오믹 접촉층(미도시)이 더 형성될 수도 있다.
상기 반사층((156) 상에 제1 접합층(157)을 배치하여 전도성 지지부재(160)를 부착하고, 상기 전도성 지지부재(160) 상에 제2 접합층(185)을 배치하여 더미 기판(180)을 부착한다. 즉, 상기 제1 접합층(157) 및 제2 접합층(185)을 매개로 상기 전도성 지지부재(160) 및 더미 기판(180)을 부착한다.
상기 더미 기판(180), 전도성 지지부재(160), 및 성장 기판(110)은 샌드위치 구조로 배치되며, 상기 더미 기판(180)은 상기 전도성 지지부재(160)를 상기 반사층(156)에 접합할 때, 상기 전도성 지지부재(160)와 성장 기판(110) 사이의 열 팽창계수의 차이로 인하여 상기 발광 구조층(145)에 크랙이 발생되는 것을 방지한다. 상기 더미 기판(180)은 상기 성장 기판(110)과 유사한 열 팽창 계수를 가진 재질로 형성될 수 있으며, 동일한 재질로 형성되는 것도 가능하다.
상기 전도성 지지부재(160)는 예를 들어, 티탄(Ti), 크롬(Cr), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 백금(Pt), 금(Au), 텅스텐(W), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo) 또는 불순물이 주입된 반도체 기판 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
상기 제1 접합층(157) 및 제2 접합층(185)은 접착력이 좋은 금속 재질, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 실시예에서는 상기 제1 접합층(157) 및 제2 접합층(185)이 Au-Sn 합금으로 형성된다.
상기 더미 기판(180)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, Si, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, LiAl2O3, InP, BN, AlN 또는 Ge 중 적어도 하나의 재질로 선택될 수 있다. 실시예에서 상기 성장 기판(110) 및 더미 기판(180)은 사파이어 재질의 기판이 사용된다.
도 7을 참조하면, 상기 전도성 지지부재(160)와 상기 반사층(156)이 접합된 후, 상기 성장 기판(110) 및 더미 기판(180)이 제거될 수 있다. 상기 성장 기판(110) 및 더미 기판(180)은 예를 들어, 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 공정 및 에칭 공정 중 적어도 하나를 이용해 제거될 수 있다.
한편, 상기 성장 기판(110)을 제거한 후에 노출되는 상기 발광 구조층(145)의 표면에 ICP/RIE(Inductively Coupled Plasma/Reactive Ion Etch) 등의 에칭 공정을 실시하여 상기 제1 도전형의 반도체층(130)상의 언도프트 질화물층 또는 버퍼층을 제거할 수도 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 발광 구조층(145)에 아이솔레이션 에칭을 실시하여 단위 칩 영역마다 개별 칩 단위의 발광 구조층(145)을 형성한다. 그리고, 상기 발광 구조층(145)의 적어도 측면에 상기 패시베이션층(165)을 형성한다. 상기 패시베이션층(165)은 상기 발광 구조층(145)이 외부의 이물질이나 전기 소자에 의해 전기적으로 단락되는 것을 방지한다.
또한, 상기 발광 구조층(145) 상에 상기 전극(170)을 형성한다. 상기 전극(170)은 도금 또는 증착 방식에 의해 형성될 수 있으며, 다층 구조를 가지도록 형성될 수도 있다.
아울러, 상기 전도성 지지부재(160) 상에 제2 접합층(185)이 완전히 제거되거나 적어도 일부분 제거된다. 예를 들어, 상기 제2 접합층(185)은 적어도 레이저 스크라이빙이 이루어지는 부분이 제거될 수 있다. 상기 제2 접합층(185)은 상기 더미 기판(180)을 제거한 후, 레이저 스크라이빙 공정이 진행되기 전에 적절한 시점에 제거될 수 있다.
상기 제2 접합층(185) 및 전도성 지지부재(160)와 같은 금속을 레이저 스크라이빙으로 절단하는 경우 버(burr)가 발생되는데, 특히 상기 제2 접합층(185)이 Au-Sn 합금으로 형성되는 경우 상기 전도성 지지부재(160)를 이루는 몰리브덴(Mo)과 함께 버(Burr)가 발생되어 발광 소자(100)의 전기적 특성이 변화되거나 다이 본딩(Die bonding) 또는 와이어 본딩(Wire bonding) 공정시 불량이 발생될 수 있다. 특히, 레이저 스크라이빙 과정에서 발생된 Au-Sn과 Mo의 버(Burr)가 합금화되면 제거가 용이하지 않은 문제가 있다. 따라서, 실시예에서는 레이저 스크라이빙 공정을 진행하기 전에 상기 제2 접합층(185)을 제거하여 상기 제2 접합층(185)에서 발생되는 버(Burr)를 감소시킨다. 따라서, 발광 소자(100)의 전기적 특성이 향상될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 전도성 지지부재(160), 제1 접합층(157), 반사층(156), 보호층(155)에 대해 레이저 스크라이빙 공정을 진행한다. 상기 레이저 스크라이빙 공정에 의해 상기 전도성 지지부재(160), 제1 접합층(157), 반사층(156)이 녹아 내리면서 버(161)) 및 재결합부(162)가 형성될 수 있다.
상기 버(161)는 상기 전도성 지지부재(160), 제1 접합층(157), 반사층(156)이 레이저 스크라이빙에 의해 녹았다가 다시 경화되어 상기 레이저 스크라이빙에 의해 분리된 어느 하나의 단위 칩의 상기 전도성 지지부재(160), 제1 접합층(157), 반사층(156)의 측면에 돌출된 형태로 형성되는 것을 말하고, 상기 재결합부(162)는 상기 전도성 지지부재(160), 제1 접합층(157), 반사층(156)이 레이저 스크라이빙에 의해 녹았다가 다시 경화되어 상기 레이저 스크라이빙에 의해 분리된 단위 칩 사이의 부분을 다시 메꾸도록 인접한 단위 칩들의 상기 전도성 지지부재(160), 제1 접합층(157), 반사층(156)에 돌출된 형태로 형성되는 것을 말한다.
도 11을 참조하면, 상기 레이저 스크라이빙을 수행한 후 상기 버(161) 및/또는 재결합부(162)를 적어도 일부분 제거하기 위한 에칭 공정을 진행한다. 상기 에칭 공정은 상기 버(161) 및 재결합부(162)의 적어도 일부를 제거함으로써 후속 공정인 브레이킹(breaking) 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. 상기 브레이킹 공정은 커터 등에 의해 물리적인 힘을 가하여 복수개의 발광 소자를 개별 단위 칩으로 분리하는 공정이므로, 상기 버(161) 및 재결합부(162)의 두께 및 크기가 작을수록 상기 브레이킹 공정에 의해 발광 소자에 전해지는 충격이 감소될 수 있기 때문이다.
상기 에칭 공정은 에칭 용액을 이용하는 웨트 에칭(Wet Etching) 및 반응성 이온 식각(RIE)과 같은 드라이 에칭(Dry Etching) 중 어느 하나일 수 있다. 다만, 상기 에칭 공정의 시간, 비용 등의 면에서의 효율성을 향상시키기 위해, 상기 에칭 공정은 웨트 에칭으로 실시될 수 있다. 예를 들어, 상기 웨트 에칭은 상기 전도성 지지부재(160)에서 발생된 Mo 재질의 버(161) 및 재결합부(162)를 제거하는데 적합한 FeCl을 포함하는 에천트가 사용되거나, 상기 제1 접합층(157)에서 발생된 Au-Sn 합금 재질의 버(161) 및 재결합부(162)의 Au를 제거하는데 적합한 에천트가 사용될 수 있다. 물론, 상기 전도성 지지부재(160) 및 제1 접합층(157)의 재질이 달라지는 경우 상이한 에천트가 사용될 수도 있다.
또한, 상기 에칭 공정은 상기 전도성 지지부재(160)가 배치된 방향으로 에천트가 주입되도록 하거나 상기 발광 구조층(145)이 배치된 방향으로 에천트가 주입되도록 할 수 있으며, 실시예에서는 양방향으로 에천트가 주입되도록 한 것이 예시되어 있다.
상기 에칭 공정이 웨트 에칭으로 실시되는 경우, 상기 단위 칩 영역의 경계부분은 등방성으로 에칭되므로, 상기 전도성 지지부재(160)에는 다른 부분에 비해 더 많이 에칭된 제1 에칭홈(163) 및 제2 에칭홈(164)이 형성될 수 있다.
상기 제1 에칭홈(163) 및 제2 에칭홈(164)은 움푹 패인 곡면의 형상으로, 상기 전도성 지지부재(160)의 모서리 영역에 주로 형성될 수 있다. 다만, 상기 제1 에칭홈(163) 및 제2 에칭홈(164)은 형성되지 않거나 다른 형상을 가질 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
실시예에서 상기 제2 에칭홈(164)은 상기 제1 에칭홈(163)에 비해 더 깊게 형성될 수 있다. 상기 제2 에칭홈(164)이 형성된 부분은 상기 제1 접합층(157)이 존재하므로, 상기 제1 접합층(157)에서 발생된 버(161) 및/또는 재결합부(162)가 잘 제거되지 않기 때문에, 이로 인해 더 많은 에칭 시간이 요구되어 상기 전도성 지지부재(160)가 더 많이 에칭된다. 따라서, 상기 제2 에칭홈(164)의 깊이가 상기 제1 에칭홈(163)의 깊이보다 클 수도 있다.
도 12를 참조하면, 브레이킹 공정을 실시하여 복수개의 발광 소자를 개별 단위 칩으로 완전히 분리시킴으로써, 제1 실시예에 따른 발광 소자(100)가 제공될 수 있다.
상기 브레이킹 공정에 의해, 상기 에칭 공정에 의해서도 상기 칩 경계 영역에 잔존하던 상기 재결합부(162)가 브레이킹(braking)될 수 있다.
상기 브레이킹 공정은 예를 들어, 커터(Cutter)를 사용하여 물리적인 힘을 가함으로써 실시될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 13은 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지를 설명하는 도면이다.
도 13을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(20)와, 상기 패키지 몸체(20)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 패키지 몸체(20)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(20)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 측면이 경사면으로 형성된 캐비티를 가질 수 있다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체(20) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제1 전극층(31)과 와이어(50)를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제2 전극층(32)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
상기 발광 소자(100)는 본딩층(60)을 이용한 본딩 공정을 통해 상기 제2 전극층(32)에 접합될 수 있다. 상기 본딩 공정은 유테틱(Eutectic) 본딩으로 진행될 수 있으며, 상기 본딩층(60)은 상기 제1 에칭홈(163)의 적어도 일부분에 채워질 수 있다. 상기 제1 에칭홈(163)은 상기 본딩층(60)과 접촉 면적을 증가시키고 거칠기를 갖기 때문에 상기 발광 소자(100)가 보다 견고하게 상기 제2 전극층(32)에 접합될 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 14는 실시예에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 14의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 14를 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.
상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(1110)은 기판과, 상기 기판에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다.
도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.
다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.
상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다.
상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.
상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.
상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다.
상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 15는 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 사용한 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 15의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 15를 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.
상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)를 포함할 수 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.
상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 15에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예들에 따른 발광 소자 패키지를 포함함으로써 전기적 신뢰성이 향상될 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (18)

  1. 측면에 에칭홈을 포함하는 전도성 지지부재;
    상기 전도성 지지부재 상에 접합층;
    상기 접합층 상에 반사층;
    상기 반사층 상에 발광 구조층; 및
    상기 발광 구조층 상에 전극을 포함하는 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 에칭홈은 하부 측면에 형성된 제1 에칭홈 및 상부 측면에 형성된 제2 에칭홈을 포함하는 발광 소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제2 에칭홈은 상기 제1 에칭홈보다 깊게 형성되는 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 반사층과 상기 발광 구조층 사이에 오믹 접촉층을 포함하는 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 구조층과 상기 전도성 지지부재 사이에 배치되어 상기 발광 구조층과 부분적으로 접하는 보호층을 포함하는 발광 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 구조층의 적어도 측면에 형성된 패시베이션층을 포함하는 발광 소자.
  7. 성장 기판 상에 발광 구조층을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조층 상에 반사층을 형성하는 단계;
    상기 반사층 상에 제1 접합층과 제2 접합층을 매개로 전도성 지지부재 및 더미 기판을 접착하는 단계;
    상기 성장 기판 및 더미 기판을 분리하는 단계;
    상기 발광 구조층을 단위 칩 영역으로 구분하는 아이솔레이션 에칭을 수행하는 단계;
    상기 전도성 지지부재 및 제1 접합층을 레이저 스크라이빙 공정으로 분리하는 단계;
    상기 레이저 스크라이빙이 수행된 영역을 에칭을 하는 단계; 및
    상기 전도성 지지부재를 브레이킹하여 분리하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 접합층은 상기 더미 기판을 분리한 후 상기 레이저 스크라이빙 공정을 진행하기 전에 제거하는 발광 소자 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 더미 기판은 상기 성장 기판과 동일한 재질로 형성되는 발광 소자 제조방법.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 전도성 지지부재는 몰리브덴(Mo)을 포함하고, 상기 제1 접합층은 Au-Sn 합금을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 발광 구조층 상에 상기 반사층을 형성하기 전에 상기 발광 구조층 상에 오믹 접촉층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 발광 구조층 상에 상기 반사층을 형성하기 전에 상기 발광 구조층 상에 선택적으로 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  12. 제 7항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙 공정 후 발생되는 버(Burr) 및 재결합부 중 적어도 어느 하나는 상기 에칭에 의해 적어도 일부분 제거되는 발광 소자 제조방법.
  13. 제 7항에 있어서,
    상기 레이저 스크라이빙 공정 후 상기 에칭에 의해 상기 전도성 지지부재의 측면에 에칭홈이 형성되는 발광 소자 제조방법.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 에칭홈은 하부 측면에 형성된 제1 에칭홈 및 상부 측면에 형성된 제2 에칭홈을 포함하는 발광 소자 제조방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제2 에칭홈은 상기 제1 에칭홈보다 깊게 형성되는 발광 소자 제조방법.
  16. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체 상에 제1 전극층 및 제2 전극층;
    상기 제1 전극층 또는 제2 전극층 상에 본딩층에 의해 접합되고, 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
  17. 조명 시스템에 있어서,
    상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치된 발광 소자 패키지를 포함하는 발광 모듈을 포함하고,
    상기 발광 소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체 상에 제1 전극층 및 제2 전극층; 상기 제1 전극층 또는 제2 전극층 상에 본딩층에 의해 접합되고, 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 청구항 제1항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 기재된 발광 소자를 포함하는 조명 시스템.
  18. 제 17항에 있어서,
    상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 배치되는 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 조명 시스템.
KR1020100034860A 2010-04-15 2010-04-15 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 KR20110115383A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100034860A KR20110115383A (ko) 2010-04-15 2010-04-15 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020100034860A KR20110115383A (ko) 2010-04-15 2010-04-15 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20110115383A true KR20110115383A (ko) 2011-10-21

Family

ID=45030057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020100034860A KR20110115383A (ko) 2010-04-15 2010-04-15 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20110115383A (ko)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9620691B2 (en) Light emitting device package
KR101154709B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101014071B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
US9484496B2 (en) Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package and lighting system
KR101916131B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 시스템
US9595647B2 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR101034144B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20120020061A (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지, 라이트 유닛
KR20120048413A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20120014972A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템
KR101734541B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 패키지
KR101125334B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
KR20110118333A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템
KR20110139445A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101744971B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
US8829541B2 (en) Light emitting device, light emitting device package, and lighting system
KR101776302B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20120087036A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20120042516A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101781217B1 (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
KR20120057670A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20120045635A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20110115383A (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101693869B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR101786073B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application