KR101034144B1 - 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 - Google Patents

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 Download PDF

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Abstract

본 발명은 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 관한 것이다.
실시예에 따른 발광 소자는 전도성 지지기판; 상기 전도성 지지기판 상에 상면이 경사면을 갖는 보호층; 상기 전도성 지지기판 및 상기 보호층 상에 발광 구조층; 및 상기 발광 구조층 상에 전극을 포함한다.

Description

발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD FOR FABRICATING THE LIGHT EMITTING DEVICE, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE AND LIGHTING SYSTEM}
본 발명은 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예는 발광 구조층의 전위가 감소된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예는 열팽창계수의 차이에 의한 스트레스가 감소된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예는 레이저 리프트 오프 공정에서 발생되는 발광 구조층의 스트레스가 감소된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공한다.
실시예에 따른 발광 소자는 전도성 지지기판; 상기 전도성 지지기판 상에 상면이 경사면을 갖는 보호층; 상기 전도성 지지기판 및 상기 보호층 상에 발광 구조층; 및 상기 발광 구조층 상에 전극을 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 제조방법은 성장 기판 상에 단위 칩 영역의 경계 영역에 선택적으로 마스크층을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 상에 발광 구조층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조층 상에 상기 단위 칩 영역의 경계 영역에 보호층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조층 및 상기 보호층 상에 전도성 지지기판을 형성하는 단계; 상기 성장 기판 및 마스크층을 분리하는 단계; 상기 발광 구조층을 단위 칩으로 구분하도록 상기 단위 칩 영역의 경계 영역에 대해 아이솔레이션 에칭을 수행하는 단계; 상기 발광 구조층 상에 전극을 형성하는 단계; 및 상기 전도성 지지기판을 단위 칩으로 분리하는 칩 분리 단계를 포함한다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체; 상기 패키지 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층 및 제2 전극층에 전기적으로 연결된 청구항 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 포함한다.
실시예에 따른 조명 시스템은 조명 시스템에 있어서, 상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치된 발광 소자를 포함하는 발광 모듈을 포함하고, 상기 발광 소자는 청구항 제 1항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 포함한다.
실시예는 새로운 구조를 갖는 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
실시예는 발광 구조층의 전위가 감소된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
실시예는 열팽창계수의 차이에 의한 스트레스가 감소된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
실시예는 레이저 리프트 오프 공정에서 발생되는 발광 구조층의 스트레스가 감소된 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템을 제공할 수 있다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면.
도 2 내지 도 11은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면.
도 12는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도.
도 13 내지 도 17은 실시예에 따른 발광 소자 제조방법을 개략적으로 설명하는 도면.
도 18은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면.
도 19는 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 각층의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
도 13 내지 도 17은 실시예에 따른 발광 소자 제조방법을 개략적으로 설명하는 도면이다. 먼저, 도 13 내지 도 17을 참조하여 실시예에 따른 발광 소자 제조방법에 대해 설명하도록 하다.
도 13과 도 14를 참조하면, 기판(10) 상에 포토레지스트 패턴(11)을 형성하고, 상기 포토레지스트 패턴(11)을 마스크로 하여 상기 기판(10)을 선택적으로 제거하여 상기 기판(10) 상에 식각 홈(10a)을 형성한다. 상기 기판(10)은 사파이어 기판과 같이 질화물 반도체층이 성장될 수 있는 성장 기판이 될 수도 있다.
도 15를 참조하면, 상기 식각 홈(10a) 내에 마스크층(12)을 형성한다. 예를 들어, 상기 마스크층(12)은 SiO2 재질로 형성될 수 있으며, 상기 마스크층(12) 상에는 GaN과 같은 질화물 반도체층이 성장되지 않는다. 상기 마스크층(12)은 상기 식각 홈(10a)을 부분적으로 매립하거나 상기 식각 홈(10a)을 완전히 매립할 수도 있다. 상기 마스크층(12)을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴(11)을 제거한다.
도 16을 참조하면, 상기 기판(10) 상에 질화물 반도체층(14)을 성장시킨다. 상기 질화물 반도체층(14)은 n형 반도체층, 활성층, p형 반도체층을 포함하는 발광 구조층으로 형성될 수 있다.
상기 질화물 반도체층(14)은 상기 마스크층(12) 상에서는 성장되지 않으며, 상기 기판(10) 상에서 수직 방향 및 수평 방향으로 성장되어 상기 마스크층(12)과 이격된 상기 마스크층(12)의 상측에서 합쳐진다. 따라서, 상기 마스크층(12)의 바로 위에는 상기 질화물 반도체층(14)이 존재하지 않는 공간부(13)가 형성된다.
상기 마스크층(12)에 의해 상기 기판(10)과 상기 질화물 반도체층(14)은 부분적으로 이격되어 부분적으로만 접하기 때문에, 상기 기판(10)과 상기 질화물 반도체층(14)의 열팽창계수의 차이에 의해 상기 기판(10)과 질화물 반도체층(14)이 구부러지는 현상(bowing)이 감소될 수 있다.
또한, 상기 마스크층(12)에 의해 상기 기판(10) 상에 상기 질화물 반도체층(14)이 부분적으로 성장되어 합쳐지기 때문에 전위(dislocation)의 발생이 감소될 수 있다.
또한, 상기 마스크층(12)의 상면이 상기 기판(10)의 상면과 동일 높이 또는 낮은 높이로 형성되는 경우에 상기 질화물 반도체층(14)이 상기 마스크층(12)의 상측에서 보다 용이하게 합쳐질 수 있다.
도 17을 참조하면, 상기 질화물 반도체층(14) 상에 상기 기판(10)과 상이한 재질의 이종 기판(15)을 형성한 후, 상기 기판(10)을 제거하기 위한 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 공정을 진행한다. 상기 이종 기판(15)은 전도성 기판(15)이 사용될 수도 있다.
상기 마스크층(12)은 단위 칩 영역의 경계 부분에 형성되는데, 상기 레이저 리프트 오프 공정은 단위 칩 영역 별로 진행되기 때문에, 상기 단위 칩 영역의 경계 부분에서는 레이저가 중첩되어 조사된다. 따라서, 상기 단위 칩 영역의 경계 부분에서는 상기 레이저에 의해 질화물 반도체층(14)이 손상될 수 있는데, 실시예에 따른 발광 소자 제조방법에서는 상기 단위 칩 영역의 경계 부분에 마스크층(12)과 공간부(13)가 형성되어 상기 질화물 반도체층(14)의 손상을 감소시킬 수 있다. 또한, 상기 마스크층(12)이 상기 질화물 반도체층(14)과 접하지 않고 이격되어 배치되기 때문에, 상기 기판(10) 및 마스크층(12)을 제거하는 과정에서 상기 질화물 반도체층(14)에 가해지는 스트레스가 감소될 수 있다.
이하에서는 도 1 내지 도 12를 참조하여 실시예에 따른 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지에 대해 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 실시예에 따른 발광 소자를 설명하는 도면이다.
도 1을 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자(100)는 전도성 지지기판(175)과, 상기 전도성 지지기판(175) 상에 접합층(170)과, 상기 접합층(170) 상에 반사층(160)과, 상기 반사층(160) 상에 오믹 접촉층(150)과, 상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 보호층(140)과, 상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140) 상에 형성되어 빛을 생성하는 발광 구조층(135)과, 상기 발광 구조층(135)을 보호하는 패시베이션층(180)과, 상기 반사층(160)과 발광 구조층(135) 사이에 전류 차단층(145)과, 상기 발광 구조층(135) 상에 전극(115)을 포함한다.
상기 전도성 지지기판(175)은 상기 발광 구조층(135)을 지지하며 상기 전극(115)과 함께 상기 발광 구조층(135)에 전원을 제공할 수 있다. 상기 전도성 지지기판(175)는 예를 들어, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W), 캐리어 웨이퍼(예를 들어, Si, Ge, GaAs, ZnO, Sic 등) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 전도성 지지기판(175)의 두께는 상기 발광 소자(100)의 설계에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들어, 50μm 내지 300μm의 두께를 가질 수 있다.
상기 전도성 지지기판(175) 상에는 상기 접합층(170)이 형성될 수 있다. 상기 접합층(170)은 본딩층으로서, 상기 반사층(160)과 상기 보호층(140)의 아래에 형성된다. 상기 접합층(170)은 상기 반사층(160), 상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140)에 접촉되어, 상기 반사층(160), 오믹 접촉층(150) 및 보호층(140)이 상기 전도성 지지기판(175)에 강하게 접합될 수 있도록 한다.
상기 접합층(170)은 베리어 금속 또는 본딩 금속 등을 포함하며, 예를 들어, Ti, Au, Sn, Ni, Cr, Ga, In, Bi, Cu, Ag 또는 Ta 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 접합층(170) 상에는 상기 반사층(160)이 형성될 수 있다. 상기 반사층(160)은 상기 발광 구조층(135)로부터 입사되는 광을 반사시켜 주어, 광 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 반사층(160)은 예를 들어, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 중 적어도 하나를 포함하는 금속 또는 합금으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(160)은 상기 금속 또는 합금과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예를 들어, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다.
실시예에서는 상기 반사층(160)의 상면이 상기 오믹 접촉층(150)과 접촉하는 것이 예시되어 있으나, 상기 반사층(160)은 상기 보호층(140), 전류 차단층(145), 또는 발광 구조층(135)과 접촉할 수도 있다. 다른 실시예에 따르면, 상기 오믹 접촉층(150), 전류 차단층(145), 및 반사층(160) 중 적어도 어느 하나는 형성되지 않을 수도 있으며, 상기 반사층(160), 오믹 접촉층(150), 보호층(140), 전류 차단층(145)의 면적, 구조, 형태 등은 다양하게 변형되어 설계될 수도 있다.
상기 반사층(160) 상에는 상기 오믹 접촉층(150)이 형성될 수 있다. 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 제2 도전형의 반도체층(130)에 오믹 접촉되어 상기 발광 구조층(135)에 전원이 원활히 공급되도록 하며, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 중 적어도 어느 하나를 포함할 수 있다.
즉, 상기 오믹 접촉층(150)은 투광성 전도층과 금속을 선택적으로 사용할 수 있으며, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 및 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 구현할 수 있다.
실시예에서는 상기 오믹 접촉층(150)이 상기 전류 차단층(145)의 하면 및 측면과 접촉하는 것이 예시되어 있으나, 상기 오믹 접촉층(150)은 상기 전류 차단층(145)과 이격되어 배치되거나 상기 전류 차단층(145)의 측면에만 접촉할 수도 있다.
상기 오믹 접촉층(150)과 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 상기 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)(145)이 형성될 수 있다. 상기 전류 차단층(145)의 상면은 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 접촉하고, 상기 전류 차단층(145)의 하면 및 측면은 상기 오믹 접촉층(150)과 접촉한다.
상기 전류 차단층(145)은 상기 전극(115)과 수직 방향으로 적어도 일부가 오버랩되도록 형성될 수 있으며, 이에 따라 상기 전극(115)과 상기 전도성 지지기판(175) 사이의 최단 거리로 전류가 집중되는 현상을 완화하여 상기 발광 소자(100)의 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 전류 차단층(145)은 상기 반사층(160) 또는 상기 오믹 접촉층(150)보다 전기 전도성이 낮은 물질, 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 쇼트키 접촉을 형성하는 물질, 또는 전기 절연성 물질을 이용하여 형성할 수 있으며, 예를 들어, ITO, IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO, ZnO, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3 , TiOx, Ti, Al, Cr 중 적어도 하나를 포함한다.
상기 보호층(140)은 상기 접합층(170)의 상면의 둘레 영역에 형성될 수 있다. 즉, 상기 보호층(140)은 상기 발광 구조층(135)과 상기 접합층(170) 사이의 둘레 영역에 형성될 수 있으며, ZnO 또는 SiO2와 같은 전기 절연성 물질로 형성될 수 있다. 상기 보호층(140)은 일부분이 상기 발광 구조층(135)과 수직 방향으로 오버랩된다.
상기 보호층(140)은 상기 접합층(170)과 상기 활성층(120) 사이의 측면에서의 거리를 증가시킨다. 따라서, 상기 접합층(170)과 상기 활성층(120) 사이의 전기적 단락이 발생될 가능성을 감소시킬 수 있다.
또한, 상기 보호층(140)은 칩 분리 공정에서 상기 발광 구조층(145)을 단위 칩으로 분리하기 위해 아이솔레이션 에칭을 실시하는 경우. 상기 접합층(170)에서 파편이 발생되어 상기 파편이 상기 제2 도전형의 반도체층(130)과 활성층(120) 사이 또는 상기 활성층(120)과 제1 도전형의 반도체층(110) 사이에 부착되어 전기적 단락이 발생되는 것을 방지한다. 상기 보호층(140)은 아이솔레이션 에칭시 깨지거나 파편이 발생되지 않는 물질 또는 극히 일부분이 깨지거나 소량의 파편이 발생되더라도 전기적 단락을 일으키지 않는 전기 절연성을 가진 물질로 형성된다.
상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 보호층(140) 상에는 상기 발광 구조층(135)이 형성될 수 있다.
상기 발광 구조층(135)의 측면은 단위 칩으로 구분하는 아이솔레이션(isolation) 에칭 과정에서 경사면이 형성될 수 있으며, 상기 경사면의 일부는 상기 보호층(140)과 수직 방향에서 오버랩된다.
상기 보호층(140)의 상면의 일부는 상기 아이솔레이션 에칭에 의해 노출될 수 있다. 따라서, 상기 보호층(140)은 상기 발광 구조층(135)과 일부 영역이 수직 방향으로 오버랩되고 상기 발광 구조층(135)과 나머지 영역이 수직 방향으로 오버랩되지 않는다.
상기 발광 구조층(135)은 복수의 3족 내지 5족 원소의 화합물 반도체층을 포함할 수 있으며, 예를 들어, 제1 도전형의 반도체층(110), 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 아래에 활성층(120), 상기 활성층(120) 아래에 상기 제2 도전형의 반도체층(130)을 포함할 수 있다.
상기 제1 도전형의 반도체층(110)은 제1 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예를 들어, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제1 도전형의 반도체층(110)이 n형 반도체층인 경우, 상기 제1 도전형 도펀트는 Si, Ge, Sn, Se, Te 등과 같은 n형 도펀트를 포함한다. 상기 제1 도전형의 반도체층(110)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 활성층(120)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 아래에 형성되며, 단일 양자 우물 구조, 다중 양자 우물 구조(MQW), 양자점 구조 또는 양자선 구조 중 어느 하나를 포함할 수 있다. 상기 활성층(120)은 3족-5족 원소의 화합물 반도체 재료를 이용하여 우물층과 장벽층, 예를 들면 InGaN 우물층/GaN 장벽층 또는 InGaN 우물층/AlGaN 장벽층으로 형성될 수 있다.
상기 활성층(120)과 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 사이 또는 상기 활성층(120)과 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 사이에는 클래드층이 형성될 수도 있으며, 상기 클래드층은 AlGaN계 반도체로 형성될 수 있다.
상기 제2 도전형의 반도체층(130)은 상기 활성층(120) 아래에 형성되며, 제2 도전형 도펀트가 도핑된 3족-5족 원소의 화합물 반도체, 예컨대, GaN, AlN, AlGaN, InGaN, InN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP 등에서 선택될 수 있다. 상기 제2 도전형의 반도체층(130)이 p형 반도체층인 경우, 상기 제2 도전형 도펀트는 Mg, Zn 등과 같은 p형 도펀트를 포함한다. 상기 제2 도전형의 반도체층(130)은 단층 또는 다층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 발광 구조층(135)은 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 아래에 n형 반도체층을 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 발광 구조층(135)은 n-p 접합, p-n 접합, n-p-n 접합 및 p-n-p 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 발광 구조층(135) 상에는 상기 전극(115)이 형성된다. 상기 전극(115)은 와이어 본딩이 이루어지는 패드부와, 상기 패드부로부터 연장된 핑거부를 포함할 수도 있다. 상기 핑거부는 소정의 패턴 형상으로 분기될 수 있으며, 다양한 형태로 형성될 수 있다.
상기 제1 도전형의 반도체층(110)의 상면은 광 추출 효율을 위해 러프니스 패턴(112)이 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 전극(115)의 상면에도 러프니스 패턴이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 구조층(135)의 적어도 측면에는 패시베이션층(180)이 형성될 수 있다. 또한, 상기 패시베이션층(180)은 상기 제1 도전형의 반도체층(110)의 상면 및 상기 보호층(140)의 상면에 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 패시베이션층(180)은 상기 발광 구조층(135)을 전기적으로 보호하기 위하여 형성될 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자에서 상기 보호층(140)의 상면에는 적어도 일부분에 경사면(141)이 형성되고, 상기 패시베이션층(180)의 상면에도 상기 보호층(140)의 경사면(141)을 따라 경사면(181)이 형성된다. 상기 보호층(140)의 상면에 형성된 경사면(141)은 상기 패시베이션층(180)과 접촉한다.
상기 보호층(140)의 상면에 상기 경사면(141)이 형성됨에 따라 상기 보호층(140)의 상면은 외측으로 갈수록 높이가 낮아지고 두께가 얇아질 수도 있으며, 상기 패시베이션층(180)의 상면에 상기 경사면(181)이 형성됨에 따라 상기 패시베이션층(180)의 상면은 외측으로 갈수록 높이는 낮아지나 두께는 일정하게 유지될 수도 있다.
실시예에서 상기 보호층(140)의 상면은 상기 발광 구조층(135)과 수직 방향에서 오버랩되는 부분이 평탄하고, 상기 발광 구조층(135)과 오버랩되지 않는 부분, 즉 상기 발광 구조층(135)이 제거되어 노출된 부분에 경사면(141)이 형성된다. 상기 경사면(141)은 이후에서 설명되는 바와 같은 실시예에 따른 발광 소자 제조방법에 따라 상기 발광 구조층(135)을 성장시킴으로서 형성되며, 이하에서 자세히 설명하도록 한다. 마찬가지로 상기 패시베이션층(180)의 상면에 형성된 경사면(181)에 대해서도 이하에서 자세히 설명하도록 한다.
이하, 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법에 대해 상세히 설명한다. 다만, 앞에서 설명한 내용과 중복되는 내용은 생략하거나 간략히 설명한다.
도 2 내지 도 11은 실시예에 따른 발광 소자의 제조방법을 설명하는 도면이다.
도 2를 참조하면, 성장 기판(101)이 준비된다. 상기 성장 기판(101)은 예를 들어, 사파이어(Al2O3), SiC, GaAs, GaN, ZnO, Si, GaP, InP, Ge 중 적어도 하나로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 성장 기판(101) 상에는 단위 칩 영역의 경계 부분에 마스크층(102)을 형성하고, 상기 마스크층(102)이 형성된 상기 성장 기판(101) 상에 상기 발광 구조층(135)을 형성한다.
상기 마스크층(102)은 도 13 내지 도 15에서 설명한 바와 같이 형성될 수 있으며, 도 14에서 설명한 바와 같이 상기 마스크층(102) 상에는 공간부(103)가 형성될 수 있다.
상기 마스크층(102)은 상기 성장 기판(101)을 선택적으로 제거하여 식각 홈을 형성한 후 상기 식각 홈 내에 SiO2와 같이 발광 구조층(135)이 성장되지 않는 재질의 물질을 매립하여 형성한다. 상기 마스크층(102)은 상기 식각 홈을 완전히 매립할 수도 있고, 상기 식각 홈을 부분적으로 매립할 수도 있다. 상기 발광 구조층(135)은 상기 마스크층(102)에 인접한 상기 성장 기판(101) 상에서 수직 방향 및 수평 방향으로 성장되어 상기 공간부(103)를 형성하면서 상기 마스크층(102) 상에서 합쳐진다.
상기 발광 구조층(135)은 상기 성장기판(101) 상에 상기 제1 도전형의 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2 도전형의 반도체층(130)을 성장시킴으로써 형성될 수 있다.
상기 발광 구조층(135)은 예를 들어, 유기금속 화학 증착법(MOCVD; Metal Organic Chemical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD; Chemical Vapor Deposition), 플라즈마 화학 증착법(PECVD; Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition), 분자선 성장법(MBE; Molecular Beam Epitaxy), 수소화물 기상 성장법(HVPE; Hydride Vapor Phase Epitaxy) 등의 방법을 이용하여 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 발광 구조층(135) 및 상기 성장 기판(101) 사이에는 격자 상수 차이에 따른 격자 부정합을 완화하기 위해 버퍼층(미도시) 및/또는 언도프트 질화물층(미도시)이 형성될 수도 있다.
도 3을 참조하면, 상기 발광 구조층(135) 상에 단위 칩 영역에 대응하여 상기 보호층(140)이 선택적으로 형성된다.
상기 보호층(140)은 마스크 패턴을 이용하여 단위 칩 영역의 둘레에 형성될 수 있다. 상기 보호층(140)은 스퍼터링(sputtering) 방법과 같은 다양한 증착 방법 을 이용하여 형성할 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 상에 상기 전류 차단층(145)을 형성할 수 있다. 상기 전류 차단층(145)은 마스크 패턴을 이용하여 형성될 수 있다.
상기 보호층(140)과 상기 전류 차단층(145)은 동일한 재질로 형성될 수도 있다. 이 경우에, 상기 보호층(140)과 전류 차단층(145)은 별도의 공정으로 형성하지 않고 하나의 공정으로 동시에 형성하는 것도 가능하다. 예를 들어, 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 상에 SiO2층을 형성한 후, 마스크 패턴을 이용하여 상기 보호층(140)과 전류 차단층(145)을 동시에 형성할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 제2 도전형의 반도체층(130) 및 상기 전류차단층(145) 상에 상기 오믹 접촉층(150)을 형성하고, 상기 오믹 접촉층(150) 상에 상기 반사층(160)을 형성할 수 있다.
상기 오믹 접촉층(150) 및 상기 반사층(160)은 예를 들어, 전자빔(E-beam) 증착, 스퍼터링(Sputtering), PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 중 어느 하나의 방법에 의해 형성될 수 있다.
도 7과 도 8을 참조하면, 상기 전도성 지지기판(175)을 준비한다.
그리고, 상기 접합층(170)을 매개로 도 6에 도시된 구조물과 상기 전도성 지지기판(175)을 접합한다.
상기 접합층(170)은 상기 반사층(160), 상기 오믹 접촉층(150)의 단부 및 상기 보호층(140)에 접촉되어 상기 층 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.
상기 전도성 지지기판(175)은 상기 접합층(170)에 의해 부착된다. 비록 실시예에서는 상기 전도성 지지기판(175)이 상기 접합층(170)을 통해 본딩 방식으로 결합된 것이 예시되어 있으나, 상기 전도성 지지기판(175)을 도금 방식 또는 증착 방식으로 형성하는 것도 가능하다.
도 9를 참조하면, 상기 성장 기판(101)을 상기 발광 구조층(135)으로부터 제거한다. 도 9에서는 도 8에 도시된 구조물을 뒤집어서 도시하였다.
상기 성장 기판(101)은 레이저 리프트 오프(Laser Lift Off) 방법 또는 화학적 리프트 오프(Chemical Lift Off) 방법에 의해 제거될 수 있다.
예를 들어, 도 17에서 설명한 바와 같이 레이저 리프트 오프 방법을 통해 상기 성장 기판(101)과 마스크층(102)을 제거할 수 있으며, 이때, 상기 레이저 리프트 오프 공정에서 가해지는 상기 발광 구조층(135)의 스트레스가 감소될 수 있다.
상기 성장 기판(101)과 마스크층(102)이 제거되면 상기 제1 도전형의 반도체층(110) 상에는 공간부(103)와, 상기 공간부(103)를 대면하는 경사면(111)이 노출된다.
도 10을 참조하면, 상기 발광 구조층(135)을 단위 칩 영역에 따라 아이솔레이션 에칭을 실시하여 복수개의 발광 구조층(135)으로 분리한다. 예를 들어, 상기 아이솔레이션 에칭은 ICP(Inductively Coupled Plasma)와 같은 건식 식각 방법에 의해 실시될 수 있다.
상기 아이솔레이션 에칭은 상기 발광 구조층(135) 상에 마스크 패턴을 형성한 후 실시되는데, 상기 공간부(103) 및 경사면(111)의 형태대로 상기 발광 구조층(135) 및 보호층(140)이 식각된다.
따라서, 상기 보호층(140) 상에는 공간부(142)와 경사면(141)이 형성된다.
도 11을 참조하면, 상기 보호층(140) 및 상기 발광 구조층(135) 상에 패시베이션층(180)을 형성하고, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)의 상면이 노출되도록 상기 패시베이션층(180)을 선택적으로 제거한다.
상기 패시베이션층(180)은 상기 보호층(140)의 공간부(142) 및 경사면(141) 상에 형성되므로, 상기 패시베이션층(180)에도 공간부(182) 및 경사면(181)이 형성된다.
그리고, 상기 제1 도전형의 반도체층(110)의 상면에 광 추출 효율 향상을 위한 러프니스 패턴(112)을 형성하고, 상기 러프니스 패턴(112) 상에 전극(115)을 형성한다. 상기 러프니스 패턴(112)은 습식 식각 공정 또는 건식 식각 공정에 의해 형성될 수 있다.
그리고, 상기 구조물을 칩 분리 공정을 통해 단위 칩 영역으로 분리하면 복수개의 발광 소자를 제작할 수 있다.
상기 칩 분리 공정은 예를 들어, 블레이드(blade)를 이용해 물리적인 힘을 가하여 칩을 분리시키는 브레이킹 공정, 칩 경계에 레이저를 조사하여 칩을 분리시키는 레이저 스크리빙 공정, 습식 또는 건식 식각을 포함하는 식각 공정 등을 포함할 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
따라서, 도 1에 도시된 바와 같은 발광 소자가 제작될 수 있다.
도 12는 실시예에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지의 단면도이다.
도 12를 참조하면, 실시예에 따른 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(30)와, 상기 패키지 몸체(30)에 설치된 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과, 상기 패키지 몸체(30)에 설치되어 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 전기적으로 연결되는 발광 소자(100)와, 상기 발광 소자(100)를 포위하는 몰딩부재(40)를 포함한다.
상기 패키지 몸체(30)는 실리콘 재질, 합성수지 재질, 또는 금속 재질을 포함하여 형성될 수 있으며, 측면이 경사면으로 형성된 캐비티를 가질 수 있다.
상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 서로 전기적으로 분리되며, 상기 발광 소자(100)에 전원을 제공한다. 또한, 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)은 상기 발광 소자(100)에서 발생된 빛을 반사시켜 광 효율을 증가시킬 수 있으며, 상기 발광 소자(100)에서 발생된 열을 외부로 배출시키는 역할을 할 수도 있다.
상기 발광 소자(100)는 상기 패키지 몸체(30) 상에 설치되거나 상기 제1 전극층(31) 또는 제2 전극층(32) 상에 설치될 수 있다. 상기 발광 소자(100)는 도 1에서 설명한 바와 같은 발광 소자(100)가 설치된다.
상기 발광 소자(100)는 상기 제1 전극층(31) 및 제2 전극층(32)과 와이어 방식, 플립칩 방식 또는 다이 본딩 방식 중 어느 하나에 의해 전기적으로 연결될 수도 있다. 실시예에서는 상기 발광 소자(100)가 상기 제1 전극층(31)과 와이어(50)를 통해 전기적으로 연결되고 상기 제2 전극층(32)과 직접 접촉하여 전기적으로 연결된 것이 예시되어 있다.
상기 몰딩부재(40)는 상기 발광 소자(100)를 포위하여 상기 발광 소자(100)를 보호할 수 있다. 또한, 상기 몰딩부재(40)에는 형광체가 포함되어 상기 발광 소자(100)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있다.
실시예에 따른 발광 소자 패키지는 복수개가 기판 상에 어레이되며, 상기 발광 소자 패키지에서 방출되는 광의 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트, 형광 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능하거나 조명 유닛으로 기능할 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 백라이트 유닛, 조명 유닛, 지시 장치, 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 18은 실시예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 백라이트 유닛을 도시하는 도면이다. 다만, 도 18의 백라이트 유닛(1100)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 18을 참조하면, 상기 백라이트 유닛(1100)은 바텀 프레임(1140)과, 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치된 광가이드 부재(1120)와, 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 일 측면 또는 하면에 배치된 발광 모듈(1110)을 포함할 수 있다. 또한, 상기 광가이드 부재(1120) 아래에는 반사시트(1130)가 배치될 수 있다.
상기 바텀 프레임(1140)은 상기 광가이드 부재(1120), 상기 발광 모듈(1110) 및 상기 반사시트(1130)가 수납될 수 있도록 상면이 개구된 박스(box) 형성으로 형성될 수 있으며, 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 모듈(1110)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재된 복수개의 실시예들에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다. 상기 복수개의 발광 소자 패키지(200)는 상기 광가이드 부재(1120)에 빛을 제공할 수 있다.
도시된 것처럼, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 내측면들 중 적어도 어느 하나에 배치될 수 있으며, 이에 따라 상기 광가이드 부재(1120)의 적어도 하나의 측면을 향해 빛을 제공할 수 있다.
다만, 상기 발광 모듈(1110)은 상기 바텀 프레임(1140)의 아래에 배치되어, 상기 광가이드 부재(1120)의 밑면을 향해 빛을 제공할 수도 있으며, 이는 상기 백라이트 유닛(1100)의 설계에 따라 다양하게 변형 가능하므로 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 광가이드 부재(1120)는 상기 바텀 프레임(1140) 내에 배치될 수 있다. 상기 광가이드 부재(1120)는 상기 발광 모듈(1110)로부터 제공받은 빛을 면광원화 하여, 표시 패널(미도시)로 가이드할 수 있다.
상기 광가이드 부재(1120)는 예를 들어, 도광판(LGP, Light Guide Panel) 일 수 있다. 상기 도광판은 예를 들어 PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나로 형성될 수 있다.
상기 광가이드 부재(1120)의 상측에는 광학 시트(1150)가 배치될 수도 있다.
상기 광학 시트(1150)는 예를 들어 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트, 및 형광 시트 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 예를 들어, 상기 광학 시트(1150)는 상기 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트가 적층되어 형성될 수 있다. 이 경우, 상기 확산 시트(1150)는 상기 발광 모듈(1110)에서 출사된 광을 고르게 확산시켜주고, 상기 확산된 광은 상기 집광 시트에 의해 표시 패널(미도시)로 집광될 수 있다. 이때 상기 집광 시트로부터 출사되는 광은 랜덤하게 편광된 광인데, 상기 휘도상승 시트는 상기 집광 시트로부터 출사된 광의 편광도를 증가시킬 수 있다. 상기 집광 시트는 예를 들어, 수평 또는/및 수직 프리즘 시트일 수 있다. 또한, 상기 휘도상승 시트는 예를 들어, 조도 강화 필름(Dual Brightness Enhancement film) 일 수 있다. 또한, 상기 형광 시트는 형광체가 포함된 투광성 플레이트 또는 필름이 될 수도 있다.
상기 광가이드 부재(1120)의 아래에는 상기 반사시트(1130)가 배치될 수 있다. 상기 반사시트(1130)는 상기 광가이드 부재(1120)의 하면을 통해 방출되는 빛을 상기 광가이드 부재(1120)의 출사면을 향해 반사할 수 있다.
상기 반사시트(1130)는 반사율이 좋은 수지 재질, 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 19는 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 조명 유닛의 사시도이다. 다만, 도 19의 조명 유닛(1200)은 조명 시스템의 한 예이며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 19를 참조하면, 상기 조명 유닛(1200)은 케이스 몸체(1210)와, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치된 발광 모듈(1230)과, 상기 케이스 몸체(1210)에 설치되며 외부 전원으로부터 전원을 제공받는 연결 단자(1220)를 포함할 수 있다.
상기 케이스 몸체(1210)는 방열 특성이 양호한 재질로 형성되는 것이 바람직하며, 예를 들어 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광 모듈(1230)은 기판(300)과, 상기 기판(300)에 탑재되는 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)를 포함할 수 있다.
상기 기판(300)은 절연체에 회로 패턴이 인쇄된 것일 수 있으며, 예를 들어, 일반 인쇄회로기판(PCB: Printed Circuit Board), 메탈 코아(Metal Core) PCB, 연성(Flexible) PCB, 세라믹 PCB 등을 포함할 수 있다.
또한, 상기 기판(300)은 빛을 효율적으로 반사하는 재질로 형성되거나, 표면이 빛이 효율적으로 반사되는 컬러, 예를 들어 백색, 은색 등으로 형성될 수 있다.
상기 기판(300) 상에는 상기 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자 패키지(200)가 탑재될 수 있다. 상기 발광 소자 패키지(200)는 각각 적어도 하나의 실시예에 따른 발광 소자를 포함할 수 있으며, 상기 발광 소자는 발광 다이오드(LED: Light Emitting Diode)가 될 수도 있다. 상기 발광 다이오드는 적색, 녹색, 청색 또는 백색의 유색 빛을 각각 발광하는 유색 발광 다이오드 및 자외선(UV, UltraViolet)을 발광하는 UV 발광 다이오드를 포함할 수 있다.
상기 발광 모듈(1230)은 색감 및 휘도를 얻기 위해 다양한 발광 다이오드의 조합을 가지도록 배치될 수 있다. 예를 들어, 고 연색성(CRI)을 확보하기 위해 백색 발광 다이오드, 적색 발광 다이오드 및 녹색 발광 다이오드를 조합하여 배치할 수 있다. 또한, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 진행 경로 상에는 형광 시트가 더 배치될 수 있으며, 상기 형광 시트는 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광의 파장을 변화시킨다. 예를 들어, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출되는 광이 청색 파장대를 갖는 경우 상기 형광 시트에는 황색 형광체가 포함될 수 있으며, 상기 발광 모듈(1230)에서 방출된 광은 상기 형광 시트를 지나 최종적으로 백색광으로 보여지게 된다.
상기 연결 단자(1220)는 상기 발광 모듈(1230)와 전기적으로 연결되어 전원을 공급할 수 있다. 도 19에 도시된 것에 따르면, 상기 연결 단자(1220)는 소켓 방식으로 외부 전원에 돌려 끼워져 결합되지만, 이에 대해 한정하지는 않는다. 예를 들어, 상기 연결 단자(1220)는 핀(pin) 형태로 형성되어 외부 전원에 삽입되거나, 배선에 의해 외부 전원에 연결될 수도 있는 것이다.
상술한 바와 같은 조명 시스템은 상기 발광 모듈에서 방출되는 광의 진행 경로 상에 광가이드 부재, 확산 시트, 집광 시트, 휘도상승 시트 및 형광 시트 중 적어도 어느 하나가 배치되어, 원하는 광학적 효과를 얻을 수 있다.
이상에서 설명한 바와 같이, 실시예들에 따른 조명 시스템은 실시예들에 따른 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함함으로써 우수한 광 특성을 가질 수 있다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

Claims (17)

  1. 전도성 지지기판;
    상기 전도성 지지기판 상에 상면이 경사면을 갖는 보호층;
    상기 전도성 지지기판 및 상기 보호층 상에 발광 구조층; 및
    상기 발광 구조층 상에 전극을 포함하고,
    상기 보호층은 상기 발광 구조층과 수직 방향으로 오버랩되는 부분과, 상기 발광 구조층과 수직 방향으로 오버랩되지 않는 부분을 포함하며, 상기 경사면은 상기 발광 구조층과 수직 방향에서 오버랩되지 않는 부분에 배치되는 발광 소자.
  2. 전도성 지지기판;
    상기 전도성 지지기판 상에 상면이 경사면을 갖는 보호층;
    상기 전도성 지지기판 및 상기 보호층 상에 발광 구조층;
    상기 발광 구조층 상에 전극; 및
    상기 발광 구조층 및 보호층 상에 형성된 패시베이션층을 포함하고,
    상기 보호층의 상면에 형성된 경사면은 상기 패시베이션층과 접촉하는 발광 소자.
  3. 전도성 지지기판;
    상기 전도성 지지기판 상에 상면이 경사면을 갖는 보호층;
    상기 전도성 지지기판 및 상기 보호층 상에 발광 구조층;
    상기 발광 구조층 상에 전극; 및
    상기 발광 구조층 및 보호층 상에 형성된 패시베이션층을 포함하고,
    상기 패시베이션층의 상면은 상기 보호층의 경사면과 수직 방향으로 오버랩되는 부분이 경사면을 갖는 발광 소자.
  4. 전도성 지지기판;
    상기 전도성 지지기판 상에 상면이 경사면을 갖는 보호층;
    상기 전도성 지지기판 및 상기 보호층 상에 발광 구조층; 및
    상기 발광 구조층 상에 전극을 포함하고,
    상기 보호층은 적어도 일부분이 외측으로 갈수록 두께가 얇아지는 발광 소자.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 발광 구조층 및 보호층 상에 형성된 패시베이션층을 더 포함하는 발광 소자.
  6. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 보호층의 상면은 상기 발광 구조층과 수직 방향으로 오버랩되는 부분이 평탄한 발광 소자.
  7. 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전도성 지지기판과 상기 발광 구조층 사이에 접합층, 상기 접합층 상에 반사층, 상기 반사층 상에 오믹 접촉층을 더 포함하는 발광 소자.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 오믹 접촉층과 상기 발광 구조층 사이에 전류 차단층을 더 포함하는 발광 소자.
  9. 성장 기판 상에 단위 칩 영역의 경계 영역에 선택적으로 마스크층을 형성하는 단계;
    상기 성장 기판 상에 발광 구조층을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조층 상에 상기 단위 칩 영역의 경계 영역에 보호층을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조층 및 상기 보호층 상에 전도성 지지기판을 형성하는 단계;
    상기 성장 기판 및 마스크층을 분리하는 단계;
    상기 발광 구조층을 단위 칩으로 구분하도록 상기 단위 칩 영역의 경계 영역에 대해 아이솔레이션 에칭을 수행하는 단계;
    상기 발광 구조층 상에 전극을 형성하는 단계; 및
    상기 전도성 지지기판을 단위 칩으로 분리하는 칩 분리 단계를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 아이솔레이션 에칭을 수행하는 단계 이후에 상기 발광 구조층 및 보호층 상에 선택적으로 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자 제조방법.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 마스크층을 형성하는 단계는,
    상기 성장 기판 상에 선택적으로 식각 홈을 형성하는 단계; 및
    상기 식각 홈 내에 상기 마스크층을 매립하는 단계를 더 포함하는 발광 소자 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 마스크층은 상기 식각 홈에 적어도 부분적으로 매립되는 발광 소자 제조방법.
  13. 제 9항에 있어서,
    상기 발광 구조층은 상기 마스크층에서는 성장되지 않고 상기 성장 기판 상에서 성장되는 발광 소자 제조방법.
  14. 제 9항에 있어서,
    상기 마스크층은 SiO2를 포함하는 발광 소자 제조방법.
  15. 제 9항에 있어서,
    상기 아이솔레이션 에칭을 수행하는 단계에서 상기 보호층의 적어도 일부분이 식각되어 경사면이 형성되는 발광 소자 제조방법.
  16. 패키지 몸체;
    상기 패키지 몸체에 설치된 제1 전극층 및 제2 전극층; 및
    상기 제1 전극층 및 제2 전극층에 전기적으로 연결된 청구항 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
  17. 조명 시스템에 있어서,
    상기 조명 시스템은 기판과, 상기 기판 상에 설치된 발광 소자를 포함하는 발광 모듈을 포함하고,
    상기 발광 소자는 청구항 제 1항 내지 제 4항 중 어느 한 항에 기재된 발광 소자를 포함하는 발광 소자 패키지.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180240937A1 (en) * 2015-08-21 2018-08-23 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting diode
US10790413B2 (en) 2016-01-08 2020-09-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device having a light emitting structure

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103022301A (zh) * 2011-09-20 2013-04-03 上海蓝光科技有限公司 具有光抽取微结构的大功率GaN基垂直结构LED及其制备方法
KR101969308B1 (ko) * 2012-10-26 2019-04-17 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조 방법
KR101988405B1 (ko) * 2013-01-30 2019-09-30 엘지이노텍 주식회사 발광소자
TWI604632B (zh) * 2013-04-25 2017-11-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體裝置
JP6423234B2 (ja) * 2013-11-21 2018-11-14 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
KR102221599B1 (ko) * 2014-06-18 2021-03-02 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050070459A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 주식회사 이츠웰 수직형 전극 구조를 가지는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100723150B1 (ko) * 2005-12-26 2007-05-30 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
KR20090012268A (ko) * 2006-06-23 2009-02-02 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
KR20100036517A (ko) * 2008-09-30 2010-04-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100258720B1 (ko) 1997-12-22 2000-06-15 손욱 유기 전기 발광 소자 및 그 제조 방법
TWI292227B (en) * 2000-05-26 2008-01-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Light-emitting-dioed-chip with a light-emitting-epitaxy-layer-series based on gan
US6692326B2 (en) 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
AU2003207287B2 (en) * 2002-01-28 2007-12-13 Nichia Corporation Nitride semiconductor device having support substrate and its manufacturing method
JP2005252086A (ja) 2004-03-05 2005-09-15 Sony Corp 半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子、集積型半導体発光装置の製造方法、集積型半導体発光装置、画像表示装置の製造方法、画像表示装置、照明装置の製造方法および照明装置
KR100755478B1 (ko) 2005-12-09 2007-09-05 한국전자통신연구원 발광소자 및 그 제조 방법 및 다층구조의 유기발광소자보호막
KR100661159B1 (ko) 2005-12-19 2006-12-26 주식회사 대우일렉트로닉스 유기 전계 발광 소자 및 그 제조방법
DE102007029370A1 (de) * 2007-05-04 2008-11-06 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterchips
KR101493092B1 (ko) 2008-08-13 2015-02-23 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시소자
US8236583B2 (en) * 2008-09-10 2012-08-07 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Method of separating light-emitting diode from a growth substrate
US8188506B2 (en) 2008-09-30 2012-05-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor light emitting device
KR100992772B1 (ko) * 2008-11-20 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100974776B1 (ko) * 2009-02-10 2010-08-06 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
KR100992749B1 (ko) * 2009-02-16 2010-11-05 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050070459A (ko) * 2003-12-30 2005-07-07 주식회사 이츠웰 수직형 전극 구조를 가지는 발광 다이오드 및 그 제조 방법
KR100723150B1 (ko) * 2005-12-26 2007-05-30 삼성전기주식회사 수직구조 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법
KR20090012268A (ko) * 2006-06-23 2009-02-02 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 및 그 제조방법
KR20100036517A (ko) * 2008-09-30 2010-04-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20180240937A1 (en) * 2015-08-21 2018-08-23 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting diode
US11605757B2 (en) * 2015-08-21 2023-03-14 Lg Electronics Inc. Display device using semiconductor light emitting diode
US10790413B2 (en) 2016-01-08 2020-09-29 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device having a light emitting structure

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