KR20100036517A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

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실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 전극층; 상기 전극층의 아래에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 아래에 활성층 및 상기 활성층 아래에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 전극층 아래의 둘레를 따라 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역을 전기적으로 분리시켜 주는 발광영역 보호층을 포함한다.
반도체, 발광소자

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법{Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof}
실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시 예는 발광 구조물의 외벽 또는 외측 부분에서의 전기적인 단락 문제를 해결할 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 발광 구조물의 내측 영역을 외측 영역으로부터 전기적으로 분리하여, 상기 발광 구조물의 내측 영역을 보호할 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 활성층의 내측 영역과 외측 영역 사이를 전기적으로 또는 구조적으로 분리시켜 줄 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 전극층; 상기 전극층의 아래에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 아래에 활성층 및 상기 활성층 아래에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 전극층 아래의 둘레를 따라 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역을 전기적으로 분리시켜 주는 발광영역 보호층을 포함한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조방법은, 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층 위의 외측을 따라 상기 발광 구조물의 내측 영역과 외측 영역 사이에 발광영역 보호층을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층 위의 내측 영역에 전극층을 형성하는 단계를 포함한다.
실시 예는 습기에 강한 LED를 제공할 수 있다.
실시 예는 발광구조물의 홈에 의해 질화물 반도체층과 발광영역 보호층과 전극층 사이의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 구조물의 외벽 전체에 절연층을 형성하지 않아도 된다.
실시 예는 발광 구조물에서 전기적인 발광 영역을 구조물 외측에 노출시키지 않고, 내측 영역에 배치함으로써, 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명하면 다음과 같다. 이하, 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층의 위 또는 아래는 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 1은 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 발광소자(100)는 발광 구조물(135), 발광영역 보호층(140), 전극층(150) 및 전도성 지지부재(160)를 포함한다.
상기 발광 구조물(135)은 제 1도전형 반도체층(110), 활성층(120), 제 2도전형 반도체층(130)을 포함한다. 또한 상기 발광 구조물(135)은 상기 제 2도전형 반도체층(130) 위에 n형 반도체층 또는 p형 반도체층이 형성될 수 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)의 아래에는 제 1전극(171)이 소정의 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120)은 단일 또는 다중 양자우물 구조로 형성되는 데, 예컨대, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 하여, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(120)은 발광 재료에 따라 양자 우물층 및 양자 장벽층의 재료가 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 클래드층이 형성될 수도 있다.
상기 활성층(120) 위에는 제 2도전형 반도체층(130)이 형성되며, 상기 제 2도전형 반도체층(130)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 p형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 p형 도펀트는 Mg, Be, Zn 등의 원소계열을 포함한다.
또는 상기 발광 구조물(135)은 상기 제 1도전형 반도체층(110)이 p형 반도체층이고, 상기 제 2도전형 반도체층(130)이 n형 반도체층으로 구현될 수도 있다. 여기서 상기 제2도전형 반도체층(130) 위에 제 3도전형 반도체층이 형성될 수 있으며, 상기 제3도전형 반도체층은 제 2도전형 반도체층이 n형 반도체층인 경우 p형 반도체층으로 형성되며, p형 반도체층인 경우 n형 반도체층으로 구현될 수 있다. 즉,상기 발광 구조물(135)은 np 접합, pn 접합, npn 접합, pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(130) 위에는 발광영역 보호층(140) 및 전극층(150)이 형성된다.
상기 발광영역 보호층(140)은 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 외측을 따라 형성되며, 상기 전극층(150)은 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 내측 영역에 형성된다. 또한 상기 전극층(150)은 상기 발광영역 보호층(140)의 위에도 연장되어 형성될 수 있다.
상기 발광영역 보호층(140)은 절연 물질로 형성될 수 있는 데 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 등에서 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 발광영역 보호층(140)은 영역 보호 돌기(145)가 형성되어, 상기 제2도전형 반도체층(130)과 전극층(150) 사이의 접착력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 발광영역 보호층(140)은 0.1~2um의 두께로 형성될 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.
상기 발광영역 보호층(140)의 영역 보호 돌기(145)는 상기 발광 구조물(135)의 외벽을 따라 소정 거리만큼 이격하여 폐 루프 형태로 형성되어, 전기적으로 제1영역(A1)과 제2영역(A2)으로 분리시켜 준다. 상기 발광영역 보호층(140)의 영역 보호 돌기(145)는 상기 발광 구조물(135)의 외벽부터 소정 거리(D)만큼 이격되어 형성된다. 상기 거리(D)는 예컨대, 1~5um 범위로 형성될 수 있으며, 상기 발광 구조물(135)의 크기에 따라 변경될 수 있다.
상기 영역 보호 돌기(145)는 상기 제2도전형 반도체층(130), 상기 활성 층(120) 및 상기 제1도전형 반도체층(110)의 상부까지 연통되며 폐루프 형태로 형성된 영역 분리 홈(115)에 형성된다.
상기 영역 보호 돌기(145)의 두께(T)는 상기 제2도전형 반도체층(130)에서 상기 제1도전형 반도체층(110)의 상부까지 형성될 수 있다. 상기 영역 보호 돌기(145)는 복수개가 형성될 수도 있으며, 그 형성 개수에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광영역 보호층(140)의 영역 보호 돌기(145)는 제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이를 분리해 주며, 상기 발광영역 보호층(140)은 상기 전극층(140)과 상기 제2도전형 반도체층(130) 사이를 전기적으로 분리시켜 준다. 이에 따라 상기 발광영역 보호층(140)은 제2영역(A2)에 위치하는 반도체층의 전기적인 특성을 오픈시켜 줄 수 있다.
상기 발광영역 보호층(140)의 영역 보호 돌기(145)는 제1영역(A1)과 제2영역(A2) 사이에서 띠 형상을 갖고 폐 루프로 형성됨으로써, 제2영역(A2)의 활성층은 전원이 공급되더라도 활성화되지 않게 된다.
상기 영역 보호 돌기(145)의 폭(w) 즉, 하단 폭은 1~10um로 형성될 수 있다. 상기 폭(w)의 임계적 기준은 두 영역(A1,A2)의 활성층 사이의 전기적 간섭이 없는 간격으로 형성될 수 있다. 또한 상기 영역 보호 돌기(145)는 요철 형태, 지그재그 형태 또는 러프니스 표면을 포함할 수도 있다.
상기 전극층(150)은 상기 제2도전형 반도체층(130) 위에 형성될 수 있으며, 또는 상기 제2도전형 반도체층(130) 및 상기 발광영역 보호층(140) 위에 형성될 수 있다. 상기 전극층(150)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 또한 상기 전극층(150)은 오믹 특성을 갖는 전극 재료로 형성될 수 있다.
상기 전극층(150) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성된다. 상기 전도성 지지부재(160)는 베이스 기판으로서, 구리, 금, 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO 등) 등으로 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 발광 구조물(135)은 제1영역(A1)에서 광이 방출되고, 상기 제2영역(A2)은 전기적으로 오픈되므로 활성화되지 못하게 된다. 또한 상기 발광 구조물(135)의 외측(외벽 포함)이 전기적으로 오픈됨으로써, 상기 발광 구조물(135)의 외벽에서의 습기로 인한 쇼트 문제로부터 상기 제1영역(A1)을 보호할 수 있다.
또한 상기 발광 구조물(135)의 외벽 전체에 대해 별도의 절연층을 형성하지 않아도 되는 효과가 있다.
도 2 내지 도 12는 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 기판(101) 위에는 제 1도전형 반도체층(110)이 형성되고, 상기 제 1도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120) 위에는 제 2도전형 반도체층(130)이 형성된다.
상기 기판(101)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이러한 기판(101) 위에는 버퍼층 또는/및 언도프드 반도체층이 형성될 수도 있으며, 박막 성장 후 제거될 수도 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로, 상기 제 2도전형 반도체층(130)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다. 상기 p형 반도체층은 Mg와 같은 p형 도펀트가 도핑되며, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(110), 상기 활성층(120), 상기 제2도전형 반도체층(130)의 위 또는/및 아래에는 다른 반도체층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1도전형 반도체층(110), 상기 활성층(120), 상기 제2도전형 반도체층(130)은 발광 구조물(135)로 정의될 수 있다. 또한 상기 발광 구조물(135)은 np 접합, pn 접합, npn 접합, pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(130)에서 상기 제1도전형 반도체층(110)의 일부까지 영역 분리 홈(115)이 형성될 수 있다.
상기 영역 분리 홈(115)은 발광 구조물(135)의 외측 둘레를 따라 띠 형상을 갖고 폐 루프로 형성될 수 있다. 상기 영역 분리 홈(115)의 두께(T) 또는 깊이는 상기 제2도전형 반도체층(130)에서 상기 제1도전형 반도체층(110)의 상부가 노출되는 정도로 형성된다.
여기서, 상기 영역 분리 홈(115)의 단면 형상은 반구형상, 반 타원형상, 역 뿔 형상 , 기둥 형상, 사각형이나 마름모 또는 사다리꼴 형상 등의 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이러한 형상은 변경할 수 있다. 상기 영역 분리 홈(115)는 복수개로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 영역 분리 홈(115)은 요철 형태, 지그재그 형태 또는 러프니스 형태를 포함할 수도 있으며, 이 경우 발광 영역 보호층과의 접착력을 강화시켜 줄 수 있다.
상기 영역 분리 홈(115)은 습식 또는/및 건식 식각 공정을 통해 형성할 수 있으며, 이러한 식각 공정으로 한정하지는 않는다.
도 4는 도 3의 영역 분리 홈의 일 예를 나타낸 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 영역 분리 홈(115)은 상기 발광 구조물(135) 외벽에서 소정의 간격으로 이격된 위치에 사각 틀 형태로 형성되며, 중앙에 상기 제1도전형 반도체층(110)이 노출된다.
상기 영역 분리 홈(115)은 발광 구조물(135)의 제1측벽에서 소정 거리(D1)만큼 이격되며, 제2측벽에서 소정 거리(D2)만큼 이격될 수 있다. 상기 거리 D1 및 D2는 서로 같거나 다를 수 있다. 상기 영역 분리 홈(115)의 하단 폭(w)은 상기 제1도전형 반도체층(110)이 노출되는 폭으로서, 1~10um로 형성될 수 있다.
상기 영역 분리 홈(115)의 외 형상은 사각 틀 형상뿐만 아니라, 원형 또는 타원형, 삼각형 및 사각형 등의 다각형 등으로 형성될 수 있으며, 이러한 형상은 변경될 수 있다. 상기 영역 분리 홈(115)의 내측 영역은 실질적인 발광 영역이 될 수 있다.
도 5를 참조하면, 도 3의 영역 분리 홈의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 5를 참조하면, 상기 영역 분리 홈(115: 115A, 115B)은 상기 발광 구조물(135)의 외벽에서 안쪽으로 각각 평행하게 형성되어, 제1영역(A1)과 제2영역(A2)으로 분리시켜 준다. 상기 도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 영역 분리 홈(115)의 외 형상은 다양하게 변경될 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 외측 둘레에는 발광영역 보호층(140)이 형성된다. 상기 발광영역 보호층(140)의 영역 보호 돌기(145)는 상기 영역 분리 홈(115)에 형성된다.
상기 발광영역 보호층(140)의 영역 보호 돌기(145)는 제1영역(A1)과 제2영역(A2)의 제2도전형 반도체층(130) 및 활성층(120)을 서로 분리시켜 준다.
상기 영역 보호 돌기(145)에 의해 상기 제1영역(A1)은 발광 구조물(135)의 내측 영역이 되며, 제2영역(A2)은 발광 구조물(135)의 외측 영역이 된다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층(130)에는 전극층(150)이 형성된다. 또한 상기 전극층(150)은 상기 발광영역 보호층(140)의 위에도 형성될 수 있다. 상기 전극층(150) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성된다.
상기 전극층(150)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 합금 등으로 형성될 수 있다. 상기 전극층(150) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성되며, 상기 전도성 지지부재(160)는 구리, 금, 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO 등) 등으로 선택적으로 형성될 수 있으며, 베이스 기판으로 기능하게 된다. 상기 전극층(150) 및 전도성 지지부재(160)는 하나의 층 예컨대, 반사 전극 지지부재로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 9 및 도 10을 참조하면, 상기 기판(101)을 제거하게 된다. 상기 기판(101)의 제거 방법은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 과정으로 제거하게 된다. 즉, 상기 기판(101)에 일정 영역의 파장을 가지는 레이저를 조사하는 방식(LLO : Laser Lift Off)으로 상기 기판(101)을 분리시켜 준다. 또는 상기 기판(101)과 제 1도전형 반도체층(110) 사이에 다른 반도체층(예: 버퍼층)이 형성된 경우, 습식 식각 액을 이용하여 상기 버퍼층을 제거하여, 상기 기판을 분리할 수도 있다. 상기 기판(101)이 제거된 상기 제 1도전형 반도체층(110)의 표면에 대해 ICP/RIE(Inductively coupled Plasma/Reactive Ion Etching) 방식으로 연마하는 공정을 수행할 수 있다.
도 11 및 도 12를 참조하면, 발광 구조물(135)은 칩과 칩 경계 영역(즉, 채널 영역)에 대해 메사 에칭하여 제거한다. 상기 메사 에칭 영역(105)은 칩 경계 영역에서 상기 발광영역 보호층(140)이 노출되는 정도로 형성할 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 칩 경계 영역(105)을 따라 칩 단위로 분리하게 된다. 이때 칩 분리 방식은 레이저로 이용할 수도 있다.
상기 제1도전형 반도체층(110)의 아래에 제1전극(171)을 소정 패턴으로 형성하게 된다.
상기 반도체 발광소자(100)에서 상기 제1영역(A1)의 제2도전형 반도체층(130)과 활성층(120)은 상기 제2영역(A2)의 제2도전형 반도체층과 활성층이 전기적으로 분리되어 있기 때문에, 상기 발광 구조물(135)의 외벽으로 습기에 접촉되더라도, 서로 쇼트가 발생되지 않고, 제1영역에는 영향을 주지 않게 된다.
또한 상기 발광 구조물(135)의 외벽을 통해 습기가 침투하더라도, 상기 발광영역 보호층(140)의 영역 보호 돌기(145)가 안쪽에서 습기를 차단할 수 있어, 고습에 강한 LED를 제공할 수 있다.
도 13은 제2실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 도면이다. 이러한 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 13을 참조하면, 반도체 발광소자(100A)는 제2도전형 반도체층(130) 위의 외측과 전극층(150) 사이에 발광영역 보호층(140)을 포함한다.
상기 발광영역 보호층(140)은 절연물질로 이루어지며, 하부 외주변에 영역 보호 돌기(145A)가 형성된다.
상기 영역 보호 돌기(145A)는 상기 제2도전형 반도체층(130)에서 활성층(120) 및 제1도전형 반도체층(110)의 일부까지 외벽을 따라 형성된다. 상기 발광영역 보호층(140)의 영역 보호 돌기(145A)는 상기 제1도전형 반도체층(110) 위의 외측단에서 내측으로 소정 거리 정도로 연장되어 형성될 수 있다. 이때 상기 영역 보호 돌기(145A)에 의해 구분되는 외측 영역은 제1실시 예보다 상대적으로 좁아지며, 내측 영역(즉, 발광 영역)은 상대적으로 넓어질 수 있다.
상기 발광 구조물(135)의 외벽으로 습기가 접촉되더라도 발광 영역을 보호할 수 있다. 또한 상기 제2실시 예는 제1실시 예보다 발광 영역을 크게 제공할 수 있다.
상기의 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도.
도 2 내지 도 12는 도 1의 반도체 발광소자의 제조과정을 나타낸 도면.
도 13은 제2실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도.

Claims (19)

  1. 전극층;
    상기 전극층의 아래에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 아래에 활성층 및 상기 활성층 아래에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
    상기 전극층 아래의 둘레를 따라 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역을 전기적으로 분리시켜 주는 발광영역 보호층을 포함하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층은 상기 제2도전형 반도체층과 상기 전극층의 사이의 외측을 따라 형성되고, 일부가 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역 사이를 따라 형성되는 반도체 발광소자.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층은 상기 전극층과 상기 제2도전형 반도체층 사이의 외측 영역을 따라 형성되고, 상기 제2도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1도전형 반도체층의 일부까지 띠 형태로 돌출된 영역 보호 돌기를 포함하는 반도체 발광소자.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 활성층의 내측 영역은 발광 영역이며,
    상기 활성층의 외측 영역은 비활성 영역인 반도체 발광소자.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기는 상기 발광 구조물의 외벽에서 내측으로 소정거리 이격되어 형성되는 반도체 발광소자.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기는 상기 발광 구조물의 외벽에서 내측으로 소정 거리 연장되어 형성되는 반도체 발광소자.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 전극층 위에 형성된 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
  8. 제 3항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층은 절연 물질을 포함하는 반도체 발광소자.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 발광 영역 보호층의 영역 보호 돌기는 상기 발광구조물의 외벽에서 5um 이내로 형성되는 반도체 발광소자.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 발광 영역 보호층의 영역 보호 돌기는 상기 제1도전형 반도체층의 일부에 1~10um의 폭으로 접촉되는 반도체 발광소자.
  11. 제3항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기는 띠 형태가 다각형 틀 또는 폐 루프 형태로 형성되는 반도체 발광소자.
  12. 제3항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기의 단면 형상은 반구 형상, 반 타원형상, 다각형 형상, 역 뿔 형상, 기둥 형상 중 어느 한 형상을 포함하는 반도체 발광소자.
  13. 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;
    상기 제2도전형 반도체층 위의 외측을 따라 상기 발광 구조물의 내측 영역과 외측 영역 사이에 발광영역 보호층을 형성하는 단계;
    상기 제2도전형 반도체층 위의 내측 영역에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 발광 영역 보호층의 형성 단계는,
    상기 제2도전형 반도체층 위의 외측 둘레를 따라 상기 제1도전형 반도체층의 일부까지를 노출시켜 주는 영역 분리 홈을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층 위의 외측 둘레를 따라 상기 발광영역 보호층을 형성하여 상기 영역 분리 홈에 영역 보호 돌기를 형성시켜 주는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 발광 영역 보호층의 영역 분리 홈은 상기 제2도전형 반도체층, 활성층 및 상기 제1도전형 반도체층의 외벽에서 내측으로 소정 거리 연장되어 형성되거나, 상기 제1도전형 반도체층의 외벽에서 내측으로 소정 거리 이격된 안쪽을 따라 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
  16. 제13항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 상기 제1도전형 반도체층 아래에 배치된 기판에 형성되며,
    상기 기판은 상기 전극층 위에 전도성 지지부재를 형성한 후 제거하는 반도체 발광소자 제조방법.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1도전형 반도체층 아래에 제1전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기는 폐 루프 형상으로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
  19. 제15항에 있어서,
    상기 발광 영역 보호층은 절연 물질을 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
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