KR20100036517A - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20100036517A KR20100036517A KR1020080095777A KR20080095777A KR20100036517A KR 20100036517 A KR20100036517 A KR 20100036517A KR 1020080095777 A KR1020080095777 A KR 1020080095777A KR 20080095777 A KR20080095777 A KR 20080095777A KR 20100036517 A KR20100036517 A KR 20100036517A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- light emitting
- layer
- conductive semiconductor
- semiconductor layer
- region
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (19)
- 전극층;상기 전극층의 아래에 제2도전형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층 아래에 활성층 및 상기 활성층 아래에 제1도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;상기 전극층 아래의 둘레를 따라 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역을 전기적으로 분리시켜 주는 발광영역 보호층을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서,상기 발광영역 보호층은 상기 제2도전형 반도체층과 상기 전극층의 사이의 외측을 따라 형성되고, 일부가 상기 활성층의 내측 영역과 외측 영역 사이를 따라 형성되는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 발광영역 보호층은 상기 전극층과 상기 제2도전형 반도체층 사이의 외측 영역을 따라 형성되고, 상기 제2도전형 반도체층, 상기 활성층 및 상기 제1도전형 반도체층의 일부까지 띠 형태로 돌출된 영역 보호 돌기를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 활성층의 내측 영역은 발광 영역이며,상기 활성층의 외측 영역은 비활성 영역인 반도체 발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기는 상기 발광 구조물의 외벽에서 내측으로 소정거리 이격되어 형성되는 반도체 발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기는 상기 발광 구조물의 외벽에서 내측으로 소정 거리 연장되어 형성되는 반도체 발광소자.
- 제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극층 위에 형성된 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 3항에 있어서,상기 발광영역 보호층은 절연 물질을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 발광 영역 보호층의 영역 보호 돌기는 상기 발광구조물의 외벽에서 5um 이내로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 발광 영역 보호층의 영역 보호 돌기는 상기 제1도전형 반도체층의 일부에 1~10um의 폭으로 접촉되는 반도체 발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기는 띠 형태가 다각형 틀 또는 폐 루프 형태로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제3항에 있어서,상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기의 단면 형상은 반구 형상, 반 타원형상, 다각형 형상, 역 뿔 형상, 기둥 형상 중 어느 한 형상을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1도전형 반도체층, 상기 제1도전형 반도체층 위에 활성층 및 상기 활성층 위에 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 제2도전형 반도체층 위의 외측을 따라 상기 발광 구조물의 내측 영역과 외측 영역 사이에 발광영역 보호층을 형성하는 단계;상기 제2도전형 반도체층 위의 내측 영역에 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 발광 영역 보호층의 형성 단계는,상기 제2도전형 반도체층 위의 외측 둘레를 따라 상기 제1도전형 반도체층의 일부까지를 노출시켜 주는 영역 분리 홈을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층 위의 외측 둘레를 따라 상기 발광영역 보호층을 형성하여 상기 영역 분리 홈에 영역 보호 돌기를 형성시켜 주는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제14항에 있어서,상기 발광 영역 보호층의 영역 분리 홈은 상기 제2도전형 반도체층, 활성층 및 상기 제1도전형 반도체층의 외벽에서 내측으로 소정 거리 연장되어 형성되거나, 상기 제1도전형 반도체층의 외벽에서 내측으로 소정 거리 이격된 안쪽을 따라 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제13항에 있어서,상기 발광 구조물은 상기 제1도전형 반도체층 아래에 배치된 기판에 형성되며,상기 기판은 상기 전극층 위에 전도성 지지부재를 형성한 후 제거하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제16항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층 아래에 제1전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제15항에 있어서,상기 발광영역 보호층의 영역 보호 돌기는 폐 루프 형상으로 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제15항에 있어서,상기 발광 영역 보호층은 절연 물질을 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20080095777A KR100999742B1 (ko) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
EP09817986.4A EP2311108B1 (en) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | Semiconductor light emitting device |
US12/571,095 US8188506B2 (en) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | Semiconductor light emitting device |
CN2009801004736A CN101874310B (zh) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | 半导体发光器件及其制造方法 |
PCT/KR2009/005591 WO2010038976A2 (en) | 2008-09-30 | 2009-09-30 | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
US12/970,701 US8319249B2 (en) | 2008-09-30 | 2010-12-16 | Semiconductor light emitting device |
US13/668,682 US8952414B2 (en) | 2008-09-30 | 2012-11-05 | Semiconductor light emitting device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR20080095777A KR100999742B1 (ko) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20100036517A true KR20100036517A (ko) | 2010-04-08 |
KR100999742B1 KR100999742B1 (ko) | 2010-12-08 |
Family
ID=42214007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR20080095777A KR100999742B1 (ko) | 2008-09-30 | 2008-09-30 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR100999742B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101034144B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
WO2017034268A1 (ko) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100597166B1 (ko) * | 2005-05-03 | 2006-07-04 | 삼성전기주식회사 | 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법 |
KR100887139B1 (ko) | 2007-02-12 | 2009-03-04 | 삼성전기주식회사 | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 |
-
2008
- 2008-09-30 KR KR20080095777A patent/KR100999742B1/ko active IP Right Grant
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101034144B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
WO2017034268A1 (ko) * | 2015-08-21 | 2017-03-02 | 엘지전자 주식회사 | 반도체 발광 소자를 이용한 디스플레이 장치 |
US11605757B2 (en) | 2015-08-21 | 2023-03-14 | Lg Electronics Inc. | Display device using semiconductor light emitting diode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100999742B1 (ko) | 2010-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101428085B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100992776B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100999688B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101868537B1 (ko) | 발광소자 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지 | |
KR101103882B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100946523B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101007117B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101064081B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101007133B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100962899B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
US8952414B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
KR102353570B1 (ko) | 발광소자 및 이를 구비한 발광 소자 패키지 | |
KR20090119596A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100962898B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20090066413A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR20100020375A (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100992749B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR100986544B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101014136B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR102164087B1 (ko) | 발광소자 및 이를 구비한 발광소자 패키지 | |
KR102250516B1 (ko) | 발광소자 | |
KR100999742B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR102237148B1 (ko) | 발광소자 제조방법 | |
KR101007092B1 (ko) | 반도체 발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101744972B1 (ko) | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지, 및 조명 시스템 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131105 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141106 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151105 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161104 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171107 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181112 Year of fee payment: 9 |