KR100946523B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (12)
- 반사 전극층;상기 반사 전극층 위에 형성된 제 2도전성 반도체층;상기 제 2도전성 반도체층 위에 형성된 활성층;상기 활성층 위에 형성된 제1도전성 반도체층; 및상기 제 1도전성 반도체층의 일측 아래에 형성된 제 1전극을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 반사 전극층 아래에 형성된 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 2도전성 반도체층은 p형 반도체층 또는 p형 반도체층과 그 위에 적층된 n형 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1전극의 측면 및 저면 영역에 다른 층과의 절연을 위해 형성된 절연막을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 4항에 있어서, 상기 절연막은 상기 반사 전극층, 상기 제 2도전성 반도체층 및 상기 활성층과 제 1전극 사이를 절연시켜 주는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서, 상기 제1도전성 반도체층은 n형 반도체층이며,상기 제2도전성 반도체층은 p형 반도체층인 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1전극은 본딩 패드를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1전극의 상면 일측은 상기 제1도전성 반도체층의 일측 하면에 접촉되며, 상기 제1전극의 상면 타측은 개방되는 반도체 발광소자.
- 제1항에 있어서, 상기 제1도전성 반도체층의 일측 아래는 상기 제1전극의 일부가 배치되는 단차진 구조로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제1도전성 반도체층;반사 전극층;상기 반사전극층 위에 절연층;상기 절연층과 상기 제1도전성 반도체층 사이에 배치된 제1전극을 포함하며,상기 제1전극은 상면 일측이 상기 제1도전성 반도체층의 일측 하면에 접촉되고, 상면 타측이 상기 제1도전성 반도체층의 일측에 개방된 구조로 배치되는 반도체 발광소자.
- 기판 위에 제 1도전성 반도체층, 활성층 및 제 2도전성 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 1도전성 반도체층의 일측에 제 1전극을 형성하는 단계;상기 제 1전극의 외측에 절연막을 형성하는 단계;상기 제 2도전성 반도체층 및 상기 절연막 위에 반사 전극층을 형성하는 단계;상기 반사 전극층 위에 전도성 지지부재를 형성하는 단계;상기 기판을 제거하는 단계;상기 제 1도전성 반도체층의 일부를 에칭하여 상기 제 1전극을 노출시켜 주는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 11항에 있어서,상기 절연막은 상기 반사전극층, 상기 제 2도전성 반도체층, 상기 활성층과 제1전극 사이에 형성되는 반도체 발광소자 제조방법.
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