KR100962898B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 화합물 반도체층으로 형성된 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 형성된 제1전극; 상기 제1전극과 대응되는 상기 발광 구조물 위에 충격 보호 부재를 포함한다.
LED, 수직형 구조
Description
실시 예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 LED 혹은 LD는 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시 예는 제1전극과 대응되는 위치에 충격 보호 부재를 배치할 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예는 본딩에 의한 충격으로부터 발광 구조물을 보호하기 위한 충격 보호 부재를 상기 발광 구조물 위에 구비할 수 있도록 한 반도체 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자는, 화합물 반도체층으로 형성된 발광 구조물; 상기 발광 구조물 아래에 형성된 제1전극; 상기 제1전극과 대응되는 상기 발광 구조물 위에 충격 보호 부재를 포함한다.
실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조방법은 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 제2도전형 반도체층 위에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층 위에 제1전극 형성 위치와 대응되게 형성된 충격 보호 부재; 상기 제1도전형 반도체층 아래에 제1전극을 형성하는 단계를 포함한다.
실시 예는 본딩에 의한 충격으로부터 발광 구조물을 보호할 수 있는 효과가 있다.
실시 예는 본딩에 따른 충격으로부터 LED 칩의 특성 저하를 방지할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명하면 다음과 같다. 이러한 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층의 위 또는 아래에 대한 정의는 각 도면을 기준으로 설명하기로 한다.
도 1은 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 단면도이다.
도 1을 참조하면, 반도체 발광소자(100)는 제 1도전성 반도체층(110), 활성층(120), 제 2도전성 반도체층(130), 전극층(150), 충격 보호 부재(155), 전도성 지지부재(160) 및 제 1전극(170)을 포함한다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)의 아래에는 제 1전극(170)이 소정의 패턴으로 형성될 수 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120)은 단일 또는 다중 양자우물 구조로 형성되는 데, 예컨대, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 하여, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(120)은 발광 재료에 따라 양자 우물층 및 양자 장벽층의 재료가 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 클래드층이 형성될 수도 있다.
상기 활성층(120) 위에는 제 2도전형 반도체층(130)이 형성되며, 상기 제 2도전형 반도체층(130)은 p형 도펀트가 도핑된 p형 반도체층으로 구현될 수 있다. 상기 p형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 p형 도펀트는 Mg, Be, Zn 등의 원소계열을 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2도전형 반도체층(130)은 발광 구조물로 정의될 수 있다. 상기 발광 구조물은 상기의 N-P 접합 구조뿐만 아니라, P-N 접합, N-P-N 접합, P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(130) 위에는 전극층(150)이 형성된다. 상기 전극층(150)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 이들의 합금 등으로 형성될 수 있다. 또한 상기 전극층(150)은 오믹 특성을 갖는 반사 전극 재료로 형성될 수 있다.
상기 충격 보호 부재(155)는 상기 전극층(150) 위에 형성되며, 상기 제1전극(170)이 형성되는 위치에 대응되는 위치에 형성된다. 상기 충격 보호 부재(155)는 W, Mo와 같은 고용융점 금속 재료이거나, 고강도의 전도성 금속으로 형성될 수 있다. 상기 충격 보호 부재(155)는 강도 보강을 위해 최소 1um이상의 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대 1~10um의 두께로 형성될 수 있다.
상기 충격 보호 부재(155)는 제1전극(170)의 개수가 복수개이면 복수개로 형성될 수 있으며, 상기 제1전극(170)의 본딩시 가해지는 충격으로부터 상기 반도체층(110,120,130)이 휘어지는 충격을 최소화하게 된다. 이에 따라 LED 칩이 깨지거 나 박리되어 칩 특성을 저하시키는 문제를 개선할 수 있다.
상기 전극층(150) 및 상기 충격 보호 부재(155) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성될 수 있으며, 상기 전도성 지지부재(160)의 외측은 상기 제2도전형 반도체층(130)과 접촉될 수도 있다. 상기 전도성 지지부재(160)는 베이스 기판으로서, 구리 또는 금과 같은 물질로 형성될 수 있다.
도 2 내지 도 6는 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 기판(101) 위에는 제 1도전형 반도체층(110)이 형성되고, 상기 제 1도전형 반도체층(110) 위에는 활성층(120)이 형성되며, 상기 활성층(120) 위에는 제 2도전형 반도체층(130)이 형성된다.
상기 기판(101)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 이러한 기판(101) 위에는 버퍼층 또는/및 언도프드 반도체층이 형성될 수도 있으며, 박막 성장 후 제거될 수도 있다.
상기 제 1도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로, 상기 제 2도전형 반도체층(130)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다. 상기 p형 반도체층은 Mg와 같은 p형 도펀트가 도핑되며, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(110), 상기 활성층(120), 상기 제2도전형 반도체층(130)의 위 또는/및 아래에는 다른 반도체층이 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1도전형 반도체층(110), 상기 활성층(120), 상기 제2도전형 반도체층(130)은 발광 구조물로 정의될 수 있다. 또한 상기 발광 구조물은 상기의 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합, P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층(130) 위의 일부 또는 전 영역에는 전극층(150)이 형성되며, 상기 전극층(150)은 씨드 금속, 오믹 금속, 반사 금속 특성을 갖는 재료 예컨대, Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 합금 등으로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 전극층(150) 위에는 충격 보호 부재(155)가 형성된다. 상기 충격 보호 부재(155)는 제1전극 형성 위치에 대응되어 형성될 수 있으며, W, Mo와 같은 고용융점 금속 재료이거나, 고강도의 전도성 금속 재료를 이용할 수 있다. 상기 충격 보호 부재(155)는 강도 보강을 위해 최소 1um이상의 두께로 형성될 수 있으며, 예컨대 1~10um의 두께로 형성될 수 있다.
상기 충격 보호 부재(155)는 제1전극의 개수 또는 패턴과 동일한 개수 또는 동일한 패턴으로 형성될 수 있다. 상기 제1전극은 본딩 패드로서, 상기 충격 보호 부재(155)는 본딩시 가해지는 충격으로부터 지탱해 주어, 상기 반도체층(110,120,130)이 휘어지는 충격을 최소화시켜 준다. 이에 따라 최종 완성된 LED 칩이 깨지거나 박리되어 칩 특성을 저하시키는 문제를 개선할 수 있다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 전극층(150) 및 상기 충격 보호 부재(155) 위에는 전도성 지지부재(160)가 형성되며, 상기 전도성 지지부재(160)는 베이스 기판으로서, 구리, 금, 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC 등)과 같은 물질로 형성될 수 있으며, 그 두께는 30~150um로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 전도성 지지부재(160)가 형성되면, 상기 기판(101)을 물리적 또는/및 화학적 제거 방법으로 제거하게 된다. 상기 기판(101)의 제거 방법은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 과정으로 제거하게 된다. 즉, 상기 기판(101)에 일정 영역의 파장을 가지는 레이저를 조사하는 방식(LLO : Laser Lift Off)으로 상기 기판(101)을 분리시켜 준다. 또는 상기 기판(101)과 상기 제 1도전형 반도체층(110) 사이에 다른 반도체층(예: 버퍼층)이 형성된 경우, 습식 식각 액을 이용하여 상기 버퍼층을 제거하여, 상기 기판을 분리할 수도 있다. 상기 기판(101)이 제거된 상기 제 1도전형 반도체층(110)의 표면에 대해 ICP/RIE(Inductively coupled Plasma/Reactive Ion Etching) 방식으로 연마하는 공정을 수행할 수 있다.
이후, 칩과 칩 경계 영역(즉, 채널 영역)에 대해 메사 에칭하여 제거한 다음, 칩 단위로 분리하게 된다. 상기 제1도전형 반도체층(110)의 아래에 소정 패턴을 갖는 제1전극(170)을 형성시켜 준다. 여기서, 상기 제1전극(170)의 형성 과정은 상기 메사 에칭 전 또는 메사 에칭 후 또는 칩 분리 후 수행될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1전극(170)을 통해 본딩시 가해지는 충격은 상기 충격 방지 부재(155)이 지지해 줌으로써, 발광 구조물의 반도체층(110,120,130)이 휘어지는 등의 문제가 제거될 수 있다.
도 7은 제2실시 예에 따른 반도체 발광소자(100A)를 나타낸 도면이다. 상기 제2실시 예를 설명함에 있어서, 상기 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 7을 참조하면, 상기 제2도전형 반도체층(130)의 외측 둘레와 상기 전극층(150) 사이에는 보호층(145)이 형성될 수 있다. 상기 보호층(145)은 아이솔레이션층으로서, 절연 물질 또는 전도성 물질로 형성될 수 있으며, 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 , ITO, IZO, AZO 등을 포함할 수 있다. 또한 상기 보호층(145)은 상기 물질뿐만 아니라, 레이저 광이 투과되는 물질 또는 레이저 광에 파편 발생이 거의 없는 물질(예: ITO, IZO, AZO 등)을 사용할 수 있다. 또한 상기 보호층(145)은 상기 제2도전형 반도체층(130)의 물질과 접착력이 좋은 물질(예:SiO 계열)로 형성될 수 있다. 상기 보호층(145)은 2um 이하로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 보호층(145) 및 상기 전극층(150)은 하나의 층 즉, 전도층으로 이용될 수 있다.
상기 제1도전형 반도체층(110), 활성층(120) 및 제2도전형 반도체층(130)의 외측 둘레에는 외곽 홈(103)이 형성될 수 있다. 상기 외곽 홈(103)은 전도성 지지 부재(160)과 반도체층(예: 130)과의 거리를 이격시켜 줄 수 있다.
도 8은 제3실시 예에 따른 반도체 발광소자(100B)를 나타낸 도면이다. 상기 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 8을 참조하면, 반도체 발광소자(100B)는 발광 구조물(110,120,130)의 상측 외측에 보호층(145)를 형성하고, 상기 보호층(145)에는 영역 분리 돌기(147)이 형성된다. 상기 보호층(145)은 절연 물질 예컨대, SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3로 형성되어 발광 구조물의 내측 영역과 외측 영역(A1: 111,121,131)을 서로 분리시켜 준다. 이는 발광 구조물의 외측이 습기 등으로 인해 단락되더라도, 내측 발광 영역은 정상적으로 동작될 수 있도록 한다.
도 9는 제4실시 예에 따른 반도체 발광소자(100C)를 나타낸 도면이다. 상기 제4실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예 및 제2실시 예와 동일한 부분에 대해서는 동일 부호로 처리하며, 중복 설명은 생략하기로 한다.
도 9를 참조하면, 반도체 발광소자(100C)는 제1도전형 반도체층(110)의 하면에 러프니스(115)가 형성된 구조이다.
본 발명에 따른 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1은 제 1실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 2 내지 도 6은 제1실시 예에 따른 반도체 발광소자 제조과정을 나타낸 도면이다.
도 7은 제2실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 8은 제3실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 9는 제4실시 예에 따른 반도체 발광소자를 나타낸 측 단면도이다.
Claims (12)
- 화합물 반도체층으로 형성된 발광 구조물;상기 발광 구조물 아래에 형성된 제1전극;상기 제1전극과 대응되는 상기 발광 구조물 위에 충격 보호 부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항에 있어서,상기 발광 구조물 위에 형성된 전극층; 상기 충격 보호부재 위에 전도성 지지부재를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 충격 보호 부재는 W, Mo 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 충격 보호 부재는 고용융점 금속 재료를 이용하여 1~10um의 두께로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제2항에 있어서,상기 발광 구조물의 상측 둘레와 상기 전극층 사이에 형성된 보호층을 포함 하며,상기 보호층은 SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 , ITO, IZO, AZO 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 5항에 있어서,상기 발광 구조물의 외벽 둘레에는 상기 보호층의 단부가 노출되는 외곽 홈을 포함하는 반도체 발광소자.
- 제 5항에 있어서,상기 발광 구조물의 아래에 상기 제1전극이 형성된 반도체층의 표면은 러프니스로 형성되는 반도체 발광소자.
- 제 1항 또는 제2항에 있어서,상기 발광 구조물은 P-N 접합, N-P 접합, P-N-P 접합, N-P-N 접합 중 어느 하나를 포함하는 반도체 발광소자.
- 제1도전형 반도체층, 활성층 및 제2도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물을 형성하는 단계;상기 제2도전형 반도체층 위에 전극층을 형성하는 단계;상기 전극층 위에 제1전극 형성 위치와 대응되게 형성된 충격 보호 부재;상기 제1도전형 반도체층 아래에 제1전극을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제 9항에 있어서,상기 발광 구조물의 상측 둘레와 상기 전극층 사이에 절연 물질 또는 전도성 물질의 보호층을 형성하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 제1도전형 반도체층을 기판 위에 형성하는 단계;상기 전극층 및 상기 충격 보호 부재 위에 전도성 지지부재를 형성하는 단계;상기 전도성 지지부재가 형성되면, 상기 기판을 제거하는 단계;상기 기판 분리 후 칩 단위로 분리하는 단계를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
- 제9항에 있어서,상기 충격 보호 부재는 W, Mo, 고용융점 금속 중 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자 제조방법.
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| KR101020945B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
| KR101039946B1 (ko) * | 2009-12-21 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
| US8969154B2 (en) * | 2011-08-23 | 2015-03-03 | Micron Technology, Inc. | Methods for fabricating semiconductor device structures and arrays of vertical transistor devices |
| KR101886156B1 (ko) * | 2012-08-21 | 2018-09-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
| CN108027110B (zh) * | 2015-09-01 | 2020-07-10 | Lg 伊诺特有限公司 | 照明装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100774198B1 (ko) | 2006-03-16 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 |
| JP2008060279A (ja) | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JP2008060331A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
| KR100865754B1 (ko) | 2006-08-21 | 2008-10-28 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61121373A (ja) * | 1984-11-17 | 1986-06-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 面発光素子及びその製造方法 |
| US5479197A (en) * | 1991-07-11 | 1995-12-26 | Canon Kabushiki Kaisha | Head for recording apparatus |
| BE1007251A3 (nl) * | 1993-06-28 | 1995-05-02 | Philips Electronics Nv | Straling-emitterende halfgeleiderdiode en werkwijze ter vervaardiging daarvan. |
| JP2927158B2 (ja) * | 1993-09-29 | 1999-07-28 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光素子 |
| JPH1168158A (ja) | 1997-08-20 | 1999-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 窒化ガリウム系化合物半導体装置 |
| US7547921B2 (en) | 2000-08-08 | 2009-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Semiconductor chip for optoelectronics |
| US6740906B2 (en) * | 2001-07-23 | 2004-05-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes including modifications for submount bonding |
| JP4010394B2 (ja) * | 2001-12-14 | 2007-11-21 | 大日本印刷株式会社 | エレクトロルミネッセント素子 |
| US20030189215A1 (en) | 2002-04-09 | 2003-10-09 | Jong-Lam Lee | Method of fabricating vertical structure leds |
| JP2004356522A (ja) * | 2003-05-30 | 2004-12-16 | Sumitomo Chem Co Ltd | ３−５族化合物半導体、その製造方法及びその用途 |
| WO2006025523A1 (ja) | 2004-09-02 | 2006-03-09 | Nec Corporation | 光電気複合モジュール |
| JP3802911B2 (ja) | 2004-09-13 | 2006-08-02 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
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| KR20060077801A (ko) | 2004-12-31 | 2006-07-05 | 엘지전자 주식회사 | 고출력 발광 다이오드 및 그의 제조 방법 |
| US7432119B2 (en) | 2005-01-11 | 2008-10-07 | Semileds Corporation | Light emitting diode with conducting metal substrate |
| KR100597166B1 (ko) | 2005-05-03 | 2006-07-04 | 삼성전기주식회사 | 플립 칩 발광다이오드 및 그 제조방법 |
| KR100640496B1 (ko) * | 2005-11-23 | 2006-11-01 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 |
| DE102006011294A1 (de) | 2006-03-10 | 2007-09-13 | Siemens Ag | Verfahren und Kommunikationssystem zum rechnergestützten Auffinden und Identifizieren von urheberrechtlich geschützten Inhalten |
| US7696523B2 (en) * | 2006-03-14 | 2010-04-13 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure and method for manufacturing the same |
| JP4736890B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-07-27 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP2458653B1 (en) * | 2006-06-23 | 2023-08-30 | LG Electronics Inc. | Light emitting diode having vertical topology |
| US20080121907A1 (en) | 2006-08-08 | 2008-05-29 | Way-Jze Wen | Light emitting diode and fabricating method thereof |
| JP5126875B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2013-01-23 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体発光素子の製造方法 |
| JP2008060132A (ja) | 2006-08-29 | 2008-03-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
| US7795054B2 (en) * | 2006-12-08 | 2010-09-14 | Samsung Led Co., Ltd. | Vertical structure LED device and method of manufacturing the same |
| KR100849826B1 (ko) | 2007-03-29 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | 발광소자 및 이를 포함하는 패키지 |
| KR101371511B1 (ko) * | 2007-10-04 | 2014-03-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 수직형 발광 소자 |
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Patent Citations (4)
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|---|---|---|---|---|
| KR100774198B1 (ko) | 2006-03-16 | 2007-11-08 | 엘지전자 주식회사 | 수직형 발광 소자 |
| KR100865754B1 (ko) | 2006-08-21 | 2008-10-28 | 삼성전기주식회사 | 수직구조 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP2008060279A (ja) | 2006-08-30 | 2008-03-13 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光ダイオード素子およびその製造方法 |
| JP2008060331A (ja) | 2006-08-31 | 2008-03-13 | Rohm Co Ltd | 半導体発光素子 |
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