KR100986544B1 - 반도체 발광소자 및 그 제조방법 - Google Patents

반도체 발광소자 및 그 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100986544B1
KR100986544B1 KR1020090051249A KR20090051249A KR100986544B1 KR 100986544 B1 KR100986544 B1 KR 100986544B1 KR 1020090051249 A KR1020090051249 A KR 1020090051249A KR 20090051249 A KR20090051249 A KR 20090051249A KR 100986544 B1 KR100986544 B1 KR 100986544B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
layer
support member
conductive support
emitting structure
Prior art date
Application number
KR1020090051249A
Other languages
English (en)
Inventor
정주용
정영규
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020090051249A priority Critical patent/KR100986544B1/ko
Priority to EP10165238A priority patent/EP2262015A3/en
Priority to US12/796,780 priority patent/US7956379B2/en
Priority to CN201010206491.7A priority patent/CN101924174B/zh
Application granted granted Critical
Publication of KR100986544B1 publication Critical patent/KR100986544B1/ko
Priority to US13/095,173 priority patent/US8486732B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0095—Post-treatment of devices, e.g. annealing, recrystallisation or short-circuit elimination
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched

Abstract

본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 제조방법은 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 아래에 선택적으로 발광영역 보호층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 및 상기 발광영역 보호층 아래에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층 아래에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 상기 발광 구조물에 메사 에칭을 실시하여 다수개의 칩들 간의 칩 경계 영역을 형성하는 단계; 상기 칩 경계 영역을 따라, 상기 전도성 지지부재를 관통하도록 상기 다수개의 칩들을 칩 단위별로 구분하는 제1 경계를 형성하는 단계; 상기 제1 경계에 식각 공정을 실시하는 단계; 및 상기 제1 경계에 브레이킹 공정을 실시하여 상기 다수개의 칩들을 칩 단위로 분리하는 단계를 포함한다.
반도체 발광 소자

Description

반도체 발광소자 및 그 제조방법{Semiconductor light emitting device and fabrication method thereof}
실시예는 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체(group Ⅲ-Ⅴ nitride semiconductor)는 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED) 또는 레이저 다이오드(LD) 등의 발광 소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다. Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는 통상 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 반도체 물질로 이루어져 있다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 화합물 반도체의 특성을 이용하여 전기를 적외선 또는 빛으로 변환시켜서 신호를 주고 받거나, 광원으로 사용되는 반도체 발광 소자의 일종이다.
이러한 질화물 반도체 재료를 이용한 발광 다이오드 혹은 레이저 다이오드는 광을 얻기 위한 발광 소자에 많이 사용되고 있으며, 핸드폰의 키패드 발광부, 전광판, 조명 장치 등 각종 제품의 광원으로 응용되고 있다.
실시예는 레이저 공정 이후에 식각 공정을 실시함으로써, 수율이 향상된 반도체 발광 소자 및 그 제조방법을 제공한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광 소자의 제조방법은 발광 구조물을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 아래에 선택적으로 발광영역 보호층을 형성하는 단계; 상기 발광 구조물 및 상기 발광영역 보호층 아래에 전극층을 형성하는 단계; 상기 전극층 아래에 전도성 지지부재를 형성하는 단계; 상기 발광 구조물에 메사 에칭을 실시하여 다수개의 칩들 간의 칩 경계 영역을 형성하는 단계; 상기 칩 경계 영역을 따라, 상기 전도성 지지부재를 관통하도록 상기 다수개의 칩들을 칩 단위별로 구분하는 제1 경계를 형성하는 단계; 상기 제1 경계에 식각 공정을 실시하는 단계; 및 상기 제1 경계에 브레이킹 공정을 실시하여 상기 다수개의 칩들을 칩 단위로 분리하는 단계를 포함한다.
실시예는 레이저 공정 이후에 식각 공정을 실시함으로써, 수율이 향상된 반도체 발광 소자 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예를 설명하면 다음과 같다. 이하, 실시 예를 설명함에 있어서, 각 층의 위 또는 아래는 도면을 참조하여 설명하기로 한다.
한편, 실시예를 설명함에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "위(on)"에 또는 "아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "위(on)"와 "아래(under)"는 "directly"와 "indirectly"의 의미를 모두 포함한다. 또한 각 층의 위 또는 아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도 1 내지 도 11은 실시예에 따른 반도체 발광 소자 및 그 제조방법을 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 기판(101) 위에는 발광 구조물(135)이 형성된다. 상기 발광 구조물(135)은 제1 도전형 반도체층(110)과, 상기 제1 도전형 반도체층(110) 위에 형성된 활성층(120)과, 상기 활성층(120) 위에 형성된 제2 도전형 반도체층(130)을 포함한다.
상기 기판(101)은 사파이어 기판(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, 그리고 GaAs 등으로 이루어진 군에서 선택될 수 있다. 상기 기판(101) 상에는 버퍼층 또는/및 언도프드 반도체층이 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(110)은 n형 반도체층으로, 상기 제2 도전형 반도체층(130)은 p형 반도체층으로 구현할 수 있으며, 상기 n형 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있고, n형 도펀트(예; Si, Ge, Sn , Se, Te 등)가 도핑된다. 상기 p형 반도체층은 Mg, Be, Zn과 같은 p형 도펀트가 도핑되며, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN 등과 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있 다.
상기 활성층(120)은 단일 또는 다중 양자우물 구조로 형성될 수 있는데, 예를 들어, InGaN 우물층/GaN 장벽층을 한 주기로 하여, 단일 또는 다중 양자 우물 구조로 형성될 수 있다. 상기 활성층(120)은 발광 재료에 따라 양자 우물층 및 양자 장벽층의 재료가 달라질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 활성층(120)의 위 또는/및 아래에는 클래드층이 형성될 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(110), 상기 활성층(120), 상기 제2 도전형 반도체층(130)의 위 또는/및 아래에는 n형 또는 p형의 반도체층이 더 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이에, 상기 발광 구조물(135)은 np 접합, pn 접합, npn 접합, pnp 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
실시예에 따른 반도체 발광 소자 제조방법은 다수 개의 칩들을 동시에 제공할 수 있는데, 설명의 편의를 위해 도시된 바와 같이 제1칩과 제2칩에 해당되는 영역만 도시하여 설명한다.
도 2를 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(130) 상에는 발광영역 보호층(140)이 선택적으로 형성된다.
예를 들어, 상기 발광영역 보호층(140)은 상기 제1칩 및 제2칩의 외측 둘레를 따라 상기 제2 도전형 반도체층(130) 상에 선택적으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 발광영역 보호층(140)은 다수 개의 칩들 각각의 외측 둘레를 따라, 상기 제2 도전형 반도체층(130) 상에 선택적으로 형성될 수 있다.
상기 발광영역 보호층(140)은 절연 물질로 형성될 수 있으며, 예를 들어, SiO2, SiOx, SixNy, Al2O3, TiO2, ITO, IZO, AZO 중 어느 하나로 형성될 수 있다.
도 3을 참조하면, 상기 제2 도전형 반도체층(130)에는 전극층(150)이 형성된다. 또한 상기 전극층(150)은 상기 발광영역 보호층(140) 상에도 형성될 수 있다.
상기 전극층(150)은 Al, Ag, Pd, Rh, Pt 등 중에서 적어도 하나 또는 합금 등으로 형성될 수 있다. 또한 상기 전극층(150)은 오믹 특성을 가지며, 표면은 높은 반사 효율을 가지는 전극 재료로 형성될 수 있다.
도 4를 참조하면, 상기 전극층(150) 상에는 전도성 지지부재(160)가 형성된다.
상기 전도성 지지부재(160)는 구리(Cu), 금(Au), 몰리브덴(Mo), 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO 등) 등으로 선택적으로 형성될 수 있으며, 베이스 기판으로 기능하게 된다. 상기 전도성 지지부재(160)는 예를 들어, 도금 공정이나 웨이퍼 부착에 의해 형성될 수 있다.
상기 전도성 지지부재(160)의 두께는 10μm 내지 500μm 일 수 있다.
상기 전도성 지지부재(160)는 상기 제1, 제2 도전형 반도체층(130,110) 및 활성층(120)을 지지하여 이들이 후술할 LLO 공정 등에 의해 휘어지거나 손상되지 않도록 한다.
상기 전극층(150) 및 전도성 지지부재(160)는 하나의 층 예컨대, 반사 전극 지지부재로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 5를 참조하면, 상기 기판(101)을 제거하게 된다. 상기 기판(101)의 제거 방법은 레이저 리프트 오프(LLO : Laser Lift Off) 과정으로 제거하게 된다. 즉, 상기 기판(101)에 일정 영역의 파장을 가지는 레이저를 조사하는 방식(LLO : Laser Lift Off)으로 상기 기판(101)을 분리시켜 준다. 또는 상기 기판(101)과 제1 도전형 반도체층(110) 사이에 다른 반도체층(예: 버퍼층)이 형성된 경우, 습식 식각 액을 이용하여 상기 버퍼층을 제거하여, 상기 기판을 분리할 수도 있다. 상기 기판(101)이 제거된 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 표면에 대해 ICP/RIE(Inductively coupled Plasma/Reactive Ion Etching) 방식으로 연마하는 공정을 수행할 수 있다.
또한, 도시된 바와 같이 상기 기판(101)은, 상기 반도체 발광 소자를 뒤집은 이후에 제거되게 된다. 이에 설명의 편의를 위해 도면을 뒤집어서 설명한다.
도 6을 참조하면, 상기 발광 구조물(135)을 메사 에칭을 실시하여 선택적으로 제거하여, 칩 경계 영역(105)을 형성한다. 상기 칩 경계 영역(105)에 의해 다수개의 칩들이 단위별로 구분되며, 예를 들어 상기 제1칩과 제2칩이 구분될 수 있다. 상기 메사 에칭은 칩 경계 영역(105)에서 상기 발광영역 보호층(140)이 노출되도록 실시할 수 있으며, 이에 한정하지는 않는다.
또한, 상기 제1 도전형 반도체층(110)의 저면에는 제1 전극(171)이 소정의 패턴으로 형성될 수 있다.
도 7을 참조하면, 상기 발광 구조물(135) 및 상기 발광영역 보호층(140) 상에는 제1 칩보호층(180)이 형성될 수 있으며, 상기 전도성 지지부재(160)의 저면에는 제1 지지층(190)이 형성될 수 있다.
상기 제1 칩보호층(180)은 칩 분리를 위해 레이저 공정 등을 진행할 때, 상 기 칩이 손상되지 않도록 한다. 상기 제1 지지층(190)은 상기 레이저 공정 등을 진행할 때, 상기 칩을 지지하여 준다.
상기 제1 칩보호층(180) 및 제1 지지층(190)은 경우에 따라 생략되거나 더 추가될 수 있다. 예를 들어, 상기 전도성 지지부재(160)와 제1 지지층(190) 사이에 제1 칩보호층이 더 형성될 수 있다.
상기 제1 칩보호층(180)은 예를 들어, 포토레지스트(PhotoResist : PR) 일 수 있으나 이에 한정하지는 않는다.
상기 제1 지지층(190)은 접착성을 가지는 접착 시트로, 예를 들어 UV 시트 또는 블루 시트 일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1 지지층(190) 및 제1 칩보호층(180)은 상기 전도성 지지부재(160)의 저면에 적어도 어느 하나가 형성될 수 있으며, 형성되지 않을 수도 있다.
도 7 및 도 8을 참조하면, 상기 제1 칩보호층(180), 발광영역 보호층(140), 전극층(150) 및 전도성 지지부재(160)를 관통하도록 상기 칩 경계 영역(105)을 따라 레이저 공정을 실시하여, 상기 다수개의 칩들을 칩 단위별로 구분하는 제1 경계(200)를 형성할 수 있다. 도시된 바에 따르면, 상기 제1 경계(200)는 제1칩과 제2칩을 구분하도록 형성될 수 있다.
이때, 상기 제1 경계(200)는 상기 제1칩 및 제2칩을 완전히 분리시키지 못할 수 있다. 상기 전도성 지지부재(160)는 그 재질인 구리, 금 등의 연성이 크므로, 상기 레이저 공정에 의해 상기 제1 경계(200)를 따라 녹지만, 그 후 다시 굳는 과정 등에서 다시 붙게 되어, 상기 제1 경계(200)에 도시된 바와 같은 재결합부(165) 가 생길 수 있기 때문이다.
상기 재결합부(165)는 상기 전도성 지지부재(160)가 부분적으로 연결되도록 형성되며, 상기 재결합부(165)의 총 두께는 상기 전도성 지지부재(160)의 두께가 두꺼울수록 두껍게 형성될 수 있다.
상기 제1 칩보호층(180) 및 제1 지지층(190)은 상기 레이저 공정 이후에 제거될 수 있다.
도 8 및 도 9를 참조하면, 상기 제1 경계(200)에 식각(etching) 공정을 실시하여, 상기 재결합부(165)의 적어도 일부분을 제거한다. 이에 재결합부(165a)는 도시된 바와 같이 일부만이 남게 된다.
상기 식각 공정은 화학 용액 등을 에천트(etchant)로 하여 실시되는 습식 식각(Wet etching)과, 가스 등을 에천트로 하여 실시되는 건식 식각(Dry etching)을 포함할 수 있다.
도 9에서는 습식 식각을 실시한 경우를 도시하였다. 상기 습식 식각을 이용한 경우, 상기 제1 경계(200)의 식각 단면 즉, 상기 전도성 지지부재(160)의 측면(168)은 내측으로 패인 곡면을 가지도록 형성된다. 상기 습식 식각은 일정한 방향성이 없는 등방성 식각이 이루어지기 때문이다. 상기 식각 단면(168)은 설명의 편의를 위해 과장되게 표현하였다.
이때, 식각 단면인 상기 전도성 지지부재(160)의 측면(168)은 상기 에천트가 많이 접촉되는 부분일수록 더 깊게 패이게 된다. 예를 들어, 식각 공정이 상기 전도성 지지부재(160)의 상면부터 실시된 경우, 상기 전도성 지지부재(160)의 측 면(168)은 윗 부분이 아랫 부분에 비해 더 움푹 패이도록 형성될 수 있다.
건식 식각을 실시한 경우는, 방향성을 가지도록 식각이 가능하여, 습식 식각과 같이 상기 전도성 지지부재(160)의 측면(168)에 내측으로 패인 곡면이 발생하지 않을 수 있지만, 식각 공정의 속도가 느릴 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 전도성 지지부재(160)의 저면에 제2 지지층(210)을 형성할 수 있다.
상기 제2 지지층(210)은 접착성을 가지는 접착 시트로, 예를 들어 UV 시트나 블루 시트일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2 지지층(210)은 후술할 브레이킹 공정에 의해 상기 반도체 발광 소자가 칩 단위로 분리되는 경우에, 분리된 상기 반도체 발광 소자가 여기저기 흩어지지 않고 고정되도록 하여 상기 칩들을 소팅(Sorting)할 수 있도록 한다.
한편, 상기 발광 구조물(135) 및 상기 제1 전극(171) 상에는 제2 칩보호층(미도시)이 형성되어, 후술할 브레이킹 공정에서 상기 반도체 발광 소자를 보호할 수 있다.
도 10 및 도 11을 참조하면, 상기 제1 경계(200)에 브레이킹 공정을 실시하여 상기 다수개의 칩들을 칩 단위로 분리시킨다. 도시된 바에 따르면, 상기 제1칩과 제2칩은 상기 브레이킹 공정에 의해 서로 분리되게 된다.
상기 브레이킹 공정은 커터(cutter) 등을 이용하여 상기 제1 경계(200)의 재결합부(165)를 절삭하여 상기 제1칩과 제2칩 등을 칩 단위로 완전히 분리시키는 공정이다.
그런데 상기 브레이킹 공정은 상기 커터 등을 이용하므로, 상기 제1 경계(200)의 재결합부(165)를 절삭하는 과정에서 크랙(Crack)이나 균열 등이 생겨 상기 반도체 발광 소자에 불량이 발생할 소지가 크다.
특히, 앞에서 설명한 것처럼, 상기 재결합부(165)의 총 두께는 상기 전도성 지지부재(160)의 두께가 두꺼울수록 두껍게 형성되는데, 상기 재결합부(165)의 총 두께가 두꺼울수록 상기 제1 경계(200)에 실시예에 따른 상기 식각 공정을 진행하지 않고 바로 상기 브레이킹 공정을 진행한 경우에 상기 크랙이나 균열에 의해 상기 반도체 발광 소자에 불량이 발생할 소지가 크다.
예를 들어, 상기 전도성 지지부재(160)의 두께가 75μm 인 경우, 상기 반도체 발광 소자 제조 공정의 수율은 70% 내지 80%가 된다. 하지만, 상기 전도성 지지부재(160)의 두께가 150μm 이상인 경우, 상기 반도체 발광 소자 제조 공정의 수율은 0%에 가깝게 된다.
하지만 실시예는 상기 제1 경계(200)에 식각(etching) 공정을 실시하여, 상기 재결합부(165)의 적어도 일부분을 제거하므로, 상기 재결합부(165)의 총 두께가 얇아져서, 상기 브레이킹 공정에 의해 발생하는 불량을 낮추고, 상기 반도체 발광 소자 제조 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
특히 실시예에 따른 상기 식각 공정은 상기 전도성 지지부재(160)의 두께가 75μm 내지 500μm인 경우, 실시될 수 있으며, 이에 상기 반도체 발광 소자 제조 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.
상기 제2 지지층(210) 및 제2 칩보호층(미도시)은 상기 브레이킹 공정 이후 에 제거될 수 있다.
이에 실시예에 따른 반도체 발광 소자가 제공된다.
실시예에 따른 반도체 발광 소자는 상면에 제1 전극(171)이 형성된 발광 구조물(135)과, 상기 발광 구조물(135) 아래에 선택적으로 형성된 발광영역 보호층(140)과, 상기 발광 구조물(135) 및 발광 영역 보호층(140) 아래에 형성된 전극층(150)과, 상기 전극층(150) 아래에 형성된 전도성 지지부재(160)를 포함한다.
이때, 상기 식각 공정이 습식 식각인 경우, 상기 전도성 지지부재(160)의 측면(168)에는 내측으로 패인 곡면이 형성될 수 있다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
도 1 내지 도 11은 실시예에 따른 반도체 발광 소자를 설명하는 도면이다.

Claims (14)

  1. 발광 구조물을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조물 아래에 선택적으로 발광영역 보호층을 형성하는 단계;
    상기 발광 구조물 및 상기 발광영역 보호층 아래에 전극층을 형성하는 단계;
    상기 전극층 아래에 전도성 지지부재를 형성하는 단계;
    상기 발광 구조물에 메사 에칭을 실시하여 다수개의 칩들 간의 칩 경계 영역을 형성하는 단계;
    상기 칩 경계 영역을 따라, 상기 전도성 지지부재를 관통하도록 상기 다수개의 칩들을 칩 단위별로 구분하는 제1 경계를 형성하는 단계;
    상기 제1 경계에 식각 공정을 실시하는 단계; 및
    상기 제1 경계에 브레이킹 공정을 실시하여 상기 다수개의 칩들을 칩 단위로 분리하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층은 상기 다수개의 칩들 각각의 외측 둘레를 따라 상기 발광 구조물 아래에 선택적으로 형성되는 반도체 발광 소자 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 전도성 지지부재의 두께는 10μm 내지 500μm인 반도체 발광 소자 제조 방법.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 칩 경계 영역을 형성한 후,
    상기 전도성 지지부재의 저면에 제1 지지층 및 제1 칩보호층 중 적어도 어느 하나를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자 제조방법.
  5. 제 1항 또는 제 4항에 있어서,
    상기 제1 경계에 식각 공정을 실시한 후,
    상기 전도성 지지부재 하면에 제2 지지층을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 발광 구조물 상에 제2 칩보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 발광 소자 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서,
    상기 발광 구조물은 기판 상에 형성되며,
    상기 기판은 상기 전극층 아래에 전도성 지지부재를 형성하는 단계 이후 제거되는 반도체 발광 소자 제조방법.
  8. 제 1항에 있어서,
    상기 제1 경계는 레이저 공정에 의해 형성되는 반도체 발광 소자 제조방법.
  9. 제 1항 또는 제 8항에 있어서,
    상기 식각 공정은 습식 식각 또는 건식 식각인 반도체 발광 소자 제조방법.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 식각 공정이 습식 식각인 경우, 상기 전도성 지지부재의 측면에는 내측으로 패인 곡면이 형성되는 반도체 발광 소자 제조방법.
  11. 발광 구조물;
    상기 발광 구조물 상에 제1 전극;
    상기 발광 구조물 아래에 선택적으로 형성된 발광영역 보호층;
    상기 발광 구조물 및 상기 발광 영역 보호층 아래에 형성된 전극층; 및
    상기 전극층 아래에 형성된 전도성 지지부재를 포함하며,
    상기 전도성 지지부재의 측면에는 내측으로 패인 곡면이 형성된 반도체 발광 소자.
  12. 제 11항에 있어서,
    상기 발광영역 보호층은 다수개의 칩들 각각의 외측 둘레를 따라 상기 발광 구조물 아래에 선택적으로 형성된 반도체 발광 소자.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 전도성 지지부재의 두께는 10μm 내지 500μm인 반도체 발광 소자.
  14. 제 11항에 있어서,
    상기 전도성 지지부재는 구리, 금, 몰리브덴, 캐리어 웨이퍼 중 적어도 어느 하나로 형성된 반도체 발광 소자.
KR1020090051249A 2009-06-10 2009-06-10 반도체 발광소자 및 그 제조방법 KR100986544B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090051249A KR100986544B1 (ko) 2009-06-10 2009-06-10 반도체 발광소자 및 그 제조방법
EP10165238A EP2262015A3 (en) 2009-06-10 2010-06-08 Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and lighting system
US12/796,780 US7956379B2 (en) 2009-06-10 2010-06-09 Light emitting device, method of manufacturing the same, light emitting device package, and lighting system
CN201010206491.7A CN101924174B (zh) 2009-06-10 2010-06-10 发光装置及其制造方法、发光装置封装和光照系统
US13/095,173 US8486732B2 (en) 2009-06-10 2011-04-27 Method of manufacturing semiconductor light emitting device including step of performing etching process with respect to conductive support member

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020090051249A KR100986544B1 (ko) 2009-06-10 2009-06-10 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR100986544B1 true KR100986544B1 (ko) 2010-10-07

Family

ID=42646330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090051249A KR100986544B1 (ko) 2009-06-10 2009-06-10 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7956379B2 (ko)
EP (1) EP2262015A3 (ko)
KR (1) KR100986544B1 (ko)
CN (1) CN101924174B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8940561B2 (en) * 2008-01-15 2015-01-27 Cree, Inc. Systems and methods for application of optical materials to optical elements
US8058088B2 (en) 2008-01-15 2011-11-15 Cree, Inc. Phosphor coating systems and methods for light emitting structures and packaged light emitting diodes including phosphor coating
KR101064026B1 (ko) * 2009-02-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
KR20120075946A (ko) * 2010-12-29 2012-07-09 서울반도체 주식회사 전원공급소자 통합형 웨이퍼를 갖는 발광모듈
US9508904B2 (en) * 2011-01-31 2016-11-29 Cree, Inc. Structures and substrates for mounting optical elements and methods and devices for providing the same background
US9166126B2 (en) 2011-01-31 2015-10-20 Cree, Inc. Conformally coated light emitting devices and methods for providing the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081088A (ja) 2005-09-14 2007-03-29 Showa Denko Kk 窒化物系半導体発光素子
KR20070044099A (ko) * 2005-10-24 2007-04-27 김성진 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20070093556A (ko) * 2006-03-14 2007-09-19 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 제조방법
KR20080087135A (ko) * 2006-01-24 2008-09-30 로무 가부시키가이샤 질화물 반도체 발광 소자

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE60329576D1 (de) * 2002-01-28 2009-11-19 Nichia Corp Nitrid-halbleiterbauelement mit einem trägersubstrat und verfahren zu seiner herstellung
US20030189215A1 (en) * 2002-04-09 2003-10-09 Jong-Lam Lee Method of fabricating vertical structure leds
US8294172B2 (en) * 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
US7244628B2 (en) * 2003-05-22 2007-07-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor devices
SG153627A1 (en) * 2003-10-31 2009-07-29 Micron Technology Inc Reduced footprint packaged microelectronic components and methods for manufacturing such microelectronic components
TW200629596A (en) * 2004-09-16 2006-08-16 Hitachi Aic Inc Reflector for led and led device
KR100854328B1 (ko) * 2006-07-07 2008-08-28 엘지전자 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
TWI320237B (en) * 2006-07-24 2010-02-01 Si-substrate and structure of opto-electronic package having the same
KR100887479B1 (ko) * 2007-10-09 2009-03-10 주식회사 네패스 내균열성 반도체 패키지 및 그 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007081088A (ja) 2005-09-14 2007-03-29 Showa Denko Kk 窒化物系半導体発光素子
KR20070044099A (ko) * 2005-10-24 2007-04-27 김성진 질화물 반도체 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR20080087135A (ko) * 2006-01-24 2008-09-30 로무 가부시키가이샤 질화물 반도체 발광 소자
KR20070093556A (ko) * 2006-03-14 2007-09-19 엘지전자 주식회사 수직형 발광 소자 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN101924174B (zh) 2015-04-01
EP2262015A2 (en) 2010-12-15
EP2262015A3 (en) 2012-10-17
US8486732B2 (en) 2013-07-16
US20110201140A1 (en) 2011-08-18
US7956379B2 (en) 2011-06-07
CN101924174A (zh) 2010-12-22
US20100314656A1 (en) 2010-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6067056B2 (ja) 半導体発光素子
KR101007099B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
EP2216833B1 (en) Light emitting device and light emitting device package
KR100986560B1 (ko) 발광소자 및 그 제조방법
KR101428085B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP6199948B2 (ja) 発光素子、発光素子パッケージ
KR100962899B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101007117B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20100055283A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101064049B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 발광소자 패키지
KR100986544B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101034144B1 (ko) 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템
KR20090119596A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR100962898B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
WO2009082121A2 (en) Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
KR20100020375A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
EP2328189B1 (en) Semiconductor light emitting device
EP2224502B1 (en) Semiconductor light emitting device
KR101305746B1 (ko) 반도체 발광소자
CN101807655B (zh) 制造半导体发光器件的方法
KR101500027B1 (ko) 반도체 발광소자
KR100986485B1 (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20170077512A (ko) 발광소자 및 조명장치
KR20100046423A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR20090075077A (ko) 반도체 발광소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130905

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150904

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160905

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170905

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180910

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190916

Year of fee payment: 10