KR101039946B1 - 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 - Google Patents
발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
Description
Claims (19)
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- 도전성 지지층;상기 도전성 지지층 상에 오믹 접촉 영역과 쇼트키 접촉 영역을 포함하는 투명 전도층;상기 투명 전도층 상에 발광 구조층; 및상기 발광 구조층 상에 상기 투명 전도층의 쇼트키 접촉 영역과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에 적어도 일부분이 배치되는 전극을 포함하고,상기 오믹 접촉 영역은 상기 쇼트키 접촉 영역과 이격되며,상기 투명 전도층은 제1 전기 전도성을 갖는 제1 투명 전도층과, 상기 제1 전기 전도성보다 낮은 제2 전기 전도성을 갖는 제2 투명 전도층을 포함하고,상기 제1 투명 전도층과 상기 제2 투명 전도층은 동일한 물질로 형성되며,상기 제2 투명 전도층이 쇼트키 접촉 영역에 형성되고, 상기 제1 투명 전극층이 오믹 접촉 영역에 형성되는 발광 소자.
- 제 3항에 있어서,상기 투명 전도층과 상기 도전성 지지층 사이에 반사층을 포함하는 발광 소자.
- 제 3항에 있어서,상기 투명 전도층은 50% 이상의 광 투과율을 갖고, 10Ω/sq 이하의 면저항을 갖는 물질을 포함하는 발광 소자.
- 제 3항에 있어서,상기 투명 전도층은 투명 전도 산화물, 투명 전도 질화물, 투명 전도 산화 질화물 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자.
- 제 6항에 있어서,상기 투명 전도 산화물은 ITO, ZnO, AZO, IZO, ATO, ZITO, Sn-O, In-O, Ga-O 중 어느 하나이고, 상기 투명 전도 질화물은 TiN, CrN, TaN, In-N 중 적어도 어느 하나이며, 상기 투명 전도 산화 질화물은 ITON, ZnON, O-In-N, IZON 중 어느 하나인 발광 소자.
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- 제 3항에 있어서,상기 제1 투명 전도층은 제1 일함수를 가지고, 상기 제2 투명 전도층은 상기 제1 일함수보다 작은 제2 일함수를 가지는 발광 소자.
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- 성장 기판 상에 발광 구조층을 형성하는 단계;상기 발광 구조층 상의 제1 영역에 접하는 제1 투명 전도층 및 상기 발광 구조층 상의 제2 영역에 접하는 제2 투명 전도층을 포함하는 투명 전도층을 형성하는 단계;상기 투명 전도층 상에 도전성 지지층을 형성하는 단계;상기 성장 기판을 제거하는 단계;상기 성장 기판이 제거됨에 따라 노출된 상기 발광 구조층을 칩 단위로 분리하는 아이솔레이션 에칭을 수행하여 상기 제1 투명 전도층의 일부가 상측 방향으로 노출되도록 하는 단계; 및상기 발광 구조층 상에 상기 제2 투명 전도층에 적어도 일부분이 수직 방향으로 오버랩되도록 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 투명 전도층과 제2 투명 전도층은 증착 방법 또는 증착 공정 조건을 다르게 하여 동일한 물질로 형성하며,상기 제1 투명 전도층은 제1 전기 전도성을 가지고, 상기 제2 투명 전도층은 상기 제1 전기 전도성보다 낮은 제2 전기 전도성을 가지며,상기 제1 투명 전도층은 상기 발광 구조층과 오믹 접촉을 하고, 상기 제2 투명 전도층은 상기 발광 구조층과 쇼트키 접촉을 하며,상기 제1 투명 전도층과 상기 제2 투명 전도층이 이격되는 발광 소자 제조방법.
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- 제 11항에 있어서,상기 제1 투명 전도층은 제1 일함수를 갖고, 상기 제2 투명 전도층은 상기 제1 일함수 보다 작은 제2 일함수를 갖는 발광 소자 제조방법.
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- 제 11항에 있어서,상기 투명 전도층을 형성하는 단계는 스퍼터링 방법을 포함하고,상기 제1 투명 전도층을 형성할 때보다 상기 제2 투명 전도층을 형성할 때 플라즈마 생성 파워를 더 높게 설정하는 발광 소자 제조방법.
- 제 11항에 있어서,상기 투명 전도층 상에 도전성 지지층을 형성하기 전에 상기 투명 전도층 상에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자 제조방법.
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- 몸체부;상기 몸체부 상에 제1 전극층 및 제2 전극층;상기 몸체부 상에 상기 제1 전극층 및 제2 전극층과 전기적으로 연결되는 발광 소자; 및상기 몸체부 상에 발광 소자를 포위하는 몰딩부재를 포함하고,상기 발광 소자는 도전성 지지층; 상기 도전성 지지층 상에 오믹 접촉 영역과 쇼트키 접촉 영역을 포함하는 투명 전도층; 상기 투명 전도층 상에 발광 구조층; 및 상기 발광 구조층 상에 상기 투명 전도층의 쇼트키 접촉 영역과 수직 방향으로 오버랩되는 영역에 적어도 일부분이 배치되는 전극을 포함하고, 상기 오믹 접촉 영역은 상기 쇼트키 접촉 영역과 이격되며,상기 투명 전도층은 제1 전기 전도성을 갖는 제1 투명 전도층과, 상기 제1 전기 전도성보다 낮은 제2 전기 전도성을 갖는 제2 투명 전도층을 포함하고,상기 제1 투명 전도층과 상기 제2 투명 전도층은 동일한 물질로 형성되며,상기 제2 투명 전도층이 쇼트키 접촉 영역에 형성되고, 상기 제1 투명 전도층이 오믹 접촉 영역에 형성되는 발광 소자 패키지.
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