JP2011129922A - 発光素子、発光素子の製造方法、発光素子パッケージ及び照明システム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明による発光素子は、導電性支持層と、導電性支持層上に、第1電気伝導性を有する第1の領域及び第1電気伝導性よりも低い第2電気伝導性を有する第2の領域を含む透明伝導層と、透明伝導層上に、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層及び第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、発光構造層上に、第2の領域と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部分が配置される電極と、を含む。
【選択図】図1
Description
30 活性層
40 第2導電型の半導体層
50 発光構造層
60 透明伝導層
61 第1の透明伝導層
62 第2の透明伝導層
70 反射層
80 導電性支持層
90 電極
Claims (20)
- 導電性支持層と、
前記導電性支持層上に形成され、第1電気伝導性を有する第1の領域及び前記第1電気伝導性よりも低い第2電気伝導性を有する第2の領域を含む透明伝導層と、
前記透明伝導層上に形成され、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層及び前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、
前記発光構造層上に形成され、前記第2の領域と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部分が配置される電極と、
を含む発光素子。 - 前記第1の領域は第1仕事関数を有し、前記第2の領域は第1仕事関数よりも小さい第2仕事関数を有する請求項1に記載の発光素子。
- 前記第1の領域は前記発光構造層とオーミック接触領域を形成し、前記第2の領域は前記発光構造層とショットキー接触領域を形成する請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明伝導層と前記導電性支持層の間に反射層をさらに含む請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明伝導層は、50%以上の光透過率を有し、10Ω/sq以下の面抵抗を有する物質を含む請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明伝導層は、透明伝導酸化物、透明伝導窒化物、透明伝導酸化窒化物のうち少なくとも何れか一つを含む請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明伝導酸化物は、ITO、ZnO、AZO、IZO、ATO、ZITO、Sn‐O、In‐O、Ga‐Oのうち何れか一つであり、前記透明伝導窒化物は、TiN、CrN、TaN、In‐Nのうち少なくとも何れか一つであり、前記透明伝導酸化窒化物は、ITON、ZnON、O‐In‐N、IZONのうち何れか一つである請求項6に記載の発光素子。
- 前記透明伝導層は、前記第1電気伝導性を有する第1の透明伝導層及び前記第2電気伝導性を有する第2の透明伝導層を含み、前記第1の透明伝導層と前記第2の透明伝導層は同一物質で形成される請求項1に記載の発光素子。
- 前記透明伝導層は、第1仕事関数を有する第1の透明伝導層と、前記第2仕事関数を有する第2の透明伝導層を含み、前記第1の透明伝導層と前記第2の透明伝導層は同一物質で形成される請求項2に記載の発光素子。
- 前記透明伝導層は、前記発光構造層とオーミック接触領域を形成する第1の透明伝導層と、前記発光構造層とショットキー接触領域を形成する第2の透明伝導層を含み、前記第1の透明伝導層と前記第2の透明伝導層は同一物質で形成される請求項3に記載の発光素子。
- 前記第2の透明伝導層の少なくとも一部は、前記発光構造層の下面中央部で前記発光構造層と接触し、前記第1の透明伝導層の少なくとも一部は、前記発光構造層の下面周辺部で発光構造層と接触する請求項8に記載の発光素子。
- 前記第1の透明伝導層と前記第2の透明伝導層は同一水平面上に配置される請求項8に記載の発光素子。
- 前記第1の透明伝導層と前記第2の透明伝導層は少なくとも一部が垂直方向にオーバーラップする請求項12に記載の発光素子。
- 前記第1の透明伝導層と前記第2の透明伝導層は離隔配置される請求項12に記載の発光素子。
- 前記第1の透明伝導層の周辺部は前記発光構造層の外側に露出する請求項8に記載の発光素子。
- 本体と、
前記本体上の第1の電極層及び第2の電極層と、
前記本体上に設けられ、前記第1の電極層及び第2の電極層と電気的に接続される発光素子と、
前記本体上の前記発光素子を取り囲むモールディング部材と、
を含む発光素子パッケージであって、
前記発光素子は、
導電性支持層と、
前記導電性支持層上に形成され、第1電気伝導性を有する第1の領域及び前記第1電気伝導性よりも低い第2電気伝導性を有する第2の領域を含む透明伝導層と、
前記透明伝導層上に形成され、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層及び前記第1導電型の半導体層と前記第2導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、
前記発光構造層上に形成され、前記第2の領域と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部が配置される電極と、
を含む発光素子パッケージ。 - 前記第1の領域は第1仕事関数を有し、前記第2の領域は第1仕事関数よりも小さい第2仕事関数を有する請求項16に記載の発光素子パッケージ。
- 前記第1の透明伝導層は前記発光構造層とオーミック接触領域を形成し、前記第2の透明伝導層は前記発光構造層とショットキー接触領域を形成する請求項16に記載の発光素子パッケージ。
- 発光素子を光源として使用する照明システムであり、
基板と、
前記基板上に設けられた少なくとも一つの発光素子と、
を含み、前記発光素子は、
導電性支持層と、
前記導電性支持層上に形成され、第1電気伝導性を有する第1の領域及び前記第1電気伝導性よりも低い第2電気伝導性を有する第2の領域を含む透明伝導層と、
前記透明伝導層上に形成され、第1導電型の半導体層、第2導電型の半導体層及び第1導電型の半導体層と第2導電型の半導体層の間の活性層を含む発光構造層と、
前記発光構造層上に形成され、第2の領域と垂直方向にオーバーラップする領域に少なくとも一部が配置される電極と、
を含む照明システム。 - 成長基板上に発光構造層を形成する段階と、
前記発光構造層上の第1領域に接する第1の透明伝導層及び前記発光構造層上の第2領域に接する第2の透明伝導層を含む透明伝導層を形成する段階と、
前記透明伝導層上に導電性支持層を形成する段階と、
前記成長基板を除去する段階と、
前記成長基板が除去されるにことよって露出した前記発光構造層上に、前記第2領域と少なくとも一部が垂直方向にオーバーラップするよう、電極を形成する段階と、
を含む発光素子の製造方法であって、
前記第1の透明伝導層と第2の透明伝導層は、異なる蒸着方法または蒸着工程条件によって同一物質で形成される方法。
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