JP2008211019A - 発光素子搭載用基板および発光装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】発光素子により放射された熱を発光装置外部に効率よく放熱することができる発光装置を提供する。
【解決手段】発光素子3は基体2の第1の面2a側表面に配されたビア導体4a上に搭載され、上部電極はワイヤ8を介して基体上の配線パターン7と接続されている。ビア導体は基体2の第1の面2aと第2の面2bとの間を貫通して、段差を有する基体の第2の面2b側に導出部4bを有する。発光素子3により発生された熱は露出したビア導体の導出部4bの表面から外部へ効率よく放熱される。
【選択図】図2
【解決手段】発光素子3は基体2の第1の面2a側表面に配されたビア導体4a上に搭載され、上部電極はワイヤ8を介して基体上の配線パターン7と接続されている。ビア導体は基体2の第1の面2aと第2の面2bとの間を貫通して、段差を有する基体の第2の面2b側に導出部4bを有する。発光素子3により発生された熱は露出したビア導体の導出部4bの表面から外部へ効率よく放熱される。
【選択図】図2
Description
本発明は、たとえば照明の分野などにおいて用いられる発光素子搭載用基板と発光装置に関するものである。
従来の発光装置は、基体と、基体に搭載された発光ダイオード(LED)等の発光素子とを有する。このような発光素子の電極は、基体の内部に形成された配線パターンと電気的に接続されて基体の表面に形成された配線パターンと接続されている。
特開2004−349726号公報
しかしながら、上記従来の構成においては、発光素子により発生した熱を効率よく発光装置の外部に放射できず、放熱性が低いという問題があった。このように、発光素子により発生した熱の放熱性が悪いと、発光素子の温度が著しく上昇し、発光効率が低下するという問題が生じる。
本発明は上記従来の問題に鑑みて案出されたものであり、発光素子により放射された熱の放熱効率を向上させた発光装置を提供することである。
本発明の発光装置は、第1の面と第2の面とを有しており、前記第2の面側に段差を有する基体と、前記基体の前記第1の面に設けられた第1導出部と、前記基体の前記段差の表面に設けられた第2導出部とを有しており、前記基体の前記第1の面と前記第2の面との間を貫通するビア導体と、前記ビア導体の前記第1導出部に電気的に接続されており、前記基体の前記第1の面に搭載された発光素子と、を有する。
本発明の発光装置は、発光素子が搭載された第1の面と第2の面とを有する基体と、基体の段差部分の表面に導出された一端を有する配線導体とを備えていることにより、発光素子により発生された熱を、発光装置の外部へ高効率に放出でき、発光装置の発光強度が向上する。
本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
(第1の実施の形態)図1は、本発明の第1の実施の形態における発光装置1の構成を示す平面図であり、図2は図1に示す発光装置1のA−A’線における斜視断面図である。本実施の形態における発光装置1は、基体2と、基体2に搭載された発光素子3と、基体2の内部に形成されたビア導体とを備えている。
基体2は、発光素子3を支持する機能を有している。本実施の形態において、基体2は、発光素子3が搭載される第1の面2aと、段差を有する第2の面2bとを有している。本実施の形態における基体2の内部には、基体2の第1の面2aと第2の面2bとの間を貫通しており、段差の表面に露出されるビア導体を有する。このような構成により、段差部において露出したビア導体4の表面から外部基板100側へ効率よく放熱することができる。
図2に示す発光装置において、基体1は、第1の部分21と第2の部分22とからなる。図2において、ビア導体4は、第1の面2aに設けられた第1導出部4aと、基体2の第1の部分21の第3の面2cおよび第2の部分22の側面22sに露出された第2導出部4bとを有する。このような構成により、発光素子3により発生された熱を配線導体4の第2導出部22sから効率よく外部基板100に放熱することができる。
図2において、基体2の内部に形成された第1のビア導体4は、基体2の第1の部分21と第2の部分22とを貫通し、発光素子3の第1導電型の電極31と電気的に接続されている。また、図2に示す第1のビア導体4は、第1の部分21の第3の面(図2において外部基板100側に対向して配置された面)2cと、第2の部分22の側面22sと、からなる段差の表面に露出されている。すなわち、図2において、第1のビア導体4は、一部が切りかかれた構造を有している。このような構成により、発光素子3により発生された熱は、第1のビア導体4を伝わり、基体2の第1の部分の第3の面2cおよび第2の部分22の側面22s(段差の表面)において露出された第1のビア導体の表面(第2の導出部4b)から、外部基板100側へ効率よく放熱される。
発光素子3は、第1導電型の電極31と第2導電型の電極32とを有する発光ダイオード素子(LED)であり、第1の光を発生する。本実施の形態において、発光素子3は、配線導体4の第1導出部4aに電気的に接続されており、基体2の第1の面2aに搭載されている。
図2において、第1導電型の電極31は、基体2上の第1の配線パターン6に電気的に接続されており、第2導電型の電極32は、ワイヤ8を介して、基体2上の第2の配線パターン7と電気的に接続されている。図2に示した発光装置1において、発光素子3は、基体2の中央部に搭載されている。
ここで、図2に示す発光装置1において用いられる発光素子3について、図3を用いて説明する。なお、図3は、外部基板100の配線パターン106、107に、導電性接合材109を介して搭載された図1に示す発光装置1のA−A’線における断面図を示す。
図3において、発光素子3は、ベース33上に、n形半導体層34、p形半導体層35が積層されてなり、発光素子3の第2の面3bに形成されたp型電極(第2導電型の電極)32と、第1の面3aに形成されたn型電極(第1導電型の電極)31とを有する。n型半導体層34とp型半導体層35との間には、発光層36が配置されており、発光素子3に電圧を印加することにより、発光層36より光を放射する。
図3に示す発光装置1において、発光素子3のp型電極32は、発光素子3の上面3b側に配置されており、n型電極31は、発光素子3の下面3a側(基体2と対向する側)に配置されている。図3において、p型電極32の面積は、光取り出し性を考慮して、n型電極31の面積よりも小さく形成されている。
図2に示す発光装置1において、基体2の内部には、第1の面2aに設けられた第1導出部5aと、基体2の第2の面2b側の段差の表面(第3の面2cと側面22s)に露出された第2導出部5bとを有する第2のビア導体5が設けられている。図2において、第2のビア導体5は、基体2の第1の面2aと第2の面2bとの間を貫通している。このような第2のビア導体5は、基体2の第1の面2aに配置された第2の配線パターン7と接続され、発光素子3の第2導電型の電極32にワイヤ8を介して接続される。このような構成により、図2に示す発光装置1は、発光素子3の第2導電型の電極32に伝達された熱を、ボンディングワイヤ8を介して、第2のビア導体5から外部基板100へ効率よく放散することができる。従って、発光装置の発光効率を向上させることができる。
また、図2に示す構成において、p型電極32の面積22sは、n型電極31の面積21sよりも小さく形成されている。このため、p型電極32とn型電極31とに伝達される熱を比較した場合、n型電極31に伝達される熱の方が多い傾向がある。図2において、発光素子3のn型電極31は、第1の配線パターン6を介して、基体2の第2の部分22の側面に露出された第1のビア導体4と接続されている。このような構成により、発光素子3の複数の電極のうち、発熱量が大きい側の電極(第1導電型の電極、図2においてはn型電極31)に伝達された熱の放熱効率が向上され、発光装置の発光効率が向上される。
また、図2,3に示す発光装置1の基体2は、段差の表面(第3の面2cから側面22sにかけて)に、ニッケル等からなる導体層20を有する。このような構成により、第2の導出部における電気的信頼性を向上することができる。
図1〜3に示す発光装置1は、基体2の上に発光素子3を覆う透光性部材9を有する。このような透光性部材9は例えばシリコーン樹脂,エポキシ樹脂,ユリア樹脂等の透明樹脂や、低融点ガラス,ゾル−ゲルガラス等の透明ガラス等からなる。特に、透光性部材9がシリコーン樹脂から成る場合、シリコーン樹脂は発光素子3から発せられる紫外光などの光に対して劣化しにくいため封止信頼性に優れた発光装置を提供することができる。
発光素子3により発生される第1の光が、370nm〜400nmの波長を有する紫外光や、420nm〜440nmの青色光である場合、図4に示すように、透光性部材9上に波長変換部材10を配置し、所望の色の光を出射できる発光装置とする。このような波長変換部材10は、発光素子3により発生された第1の光により励起されて第2の光を放射する蛍光体と、透光性樹脂からなり、蛍光体を固定するベース材料とからなる。図4に示す構成において、波長変換部材10は、透光性部材9を覆うように設けられており、発光素子3を中心として、発光素子3より多方向に放射された第1の光を第2の光に変換する。
(第2実施形態)
図5は、本発明の第2の実施の形態の発光装置12を示す平面図であり、図6は、図5に示す発光装置12のB−B´線における斜視断面図である。図7は、外部基板100に実装された図5に示す発光装置12のB−B’線における断面図である。図1〜3に示した第1の実施の形態における発光装置1と同様の構成には同一の記号を付している。
図5は、本発明の第2の実施の形態の発光装置12を示す平面図であり、図6は、図5に示す発光装置12のB−B´線における斜視断面図である。図7は、外部基板100に実装された図5に示す発光装置12のB−B’線における断面図である。図1〜3に示した第1の実施の形態における発光装置1と同様の構成には同一の記号を付している。
本実施の形態において、基体2の第1の面2aは、中央領域2iと外周領域2uとからなる。ここで、基体2の中央とは、発光装置12の光出射領域の中心を表し、図5〜7において軸aで表される位置を言う。図5〜7において、発光素子3は、基体2の第1の面2aの軸aを中心とする中央領域2iを取り囲む外周領域2rに配置されており、基体2の中心aから偏った位置にずらして配置されている。
本実施の形態における発光装置12において、基体2は、第2の面2b側の段差面に露出された第1のビア導体4および第2のビア導体5を有する。発光素子3は、図6,7に示すように第1のビア導体4の第1の導出部4a上に配置されている。また、ボンディングワイヤ8を介して、発光素子3の第2導電型の電極32に接続された第2の配線パターン6は、図6、7に示すように第2のビア導体5の第1の導出部5a上に配置されている。このような構成により、発光素子3から放出された熱は、第1、第2のビア導体4,5へ効率よく伝わり、外部基板100側への熱引きが向上する。
また、図5〜7に示す発光装置12において、基体2は、四角形状を有しており、基体2の下面2bの2辺に沿う段差を有している。また段差の表面には導体層20が配置されている。このような構造により、発光装置12は、段差に導電性接合材109を十分に保持でき外部基板100に対する安定性が向上する。
(第3の実施の形態)
図8は、本発明の第3の実施の形態を示す平面図であり、図9は、図8に示す発光装置13のC−C´線における断面図である。図10は、外部基板100に実装された図8に示す発光装置13のC−C’線における断面図である。図1〜3に示した第1の実施の形態における発光装置1と同様の構成には同一の記号を付している。
図8は、本発明の第3の実施の形態を示す平面図であり、図9は、図8に示す発光装置13のC−C´線における断面図である。図10は、外部基板100に実装された図8に示す発光装置13のC−C’線における断面図である。図1〜3に示した第1の実施の形態における発光装置1と同様の構成には同一の記号を付している。
本実施の形態において、発光素子3は、基体2の上面2aに配置されており、発光素子3の複数の電極は、第1の配線パターン6および第2の配線パターン7と、ワイヤ8を介して電気的に接続されている。
本実施の形態において用いられる発光素子30の構造を図10を用いて説明する。発光素子30は、発光ダイオード素子であり、ベース303と、ベース303上に積層されたn型半導体層304、発光層306およびp型半導体層305と、n型半導体層304上に設けられたn型電極(第1導電型の電極)301と、p型半導体層305上に設けられておりp型電極(第2導電型の電極)302とを有する。このようなn型電極301は、例えば、Ti/Alなどからなり、p型電極302は、例えばAuなどからなる。
図10において、発光素子30の下面30bは、導電性接合剤19を介して、基体2の上面2aに接合されている。また、発光素子30の第1導電型の電極(n)301は、ワイヤ8を介して第1の配線パターン6と接続されており、第2導電型の電極(p)302は、ワイヤ8を介して、基体2に形成された第2の配線パターン7と接続されている。
本実施の形態の発光装置1は、このような構成により、発光素子3により放射された熱をワイヤ8を介して第1のビア導体4、第2のビア導体5とに伝達し、外部基板100に放射できる。図10において、第1のビア導体4と第2のビア導体5とは、それぞれ基体2の第2の面2bの段差の表面において露出されており、その表面積が大きいため、発光装置13の放熱特性が向上し、発光装置13により放射される光のムラを低減することができる。
(第4の実施の形態)
図11は、本発明の第4の実施の形態を示す平面図であり、図12は、外部基板100に実装された図11に示す発光装置14のD−D’線における断面図である。他の実施の形態における発光装置と同様の構成には同一の記号を付している。
図11は、本発明の第4の実施の形態を示す平面図であり、図12は、外部基板100に実装された図11に示す発光装置14のD−D’線における断面図である。他の実施の形態における発光装置と同様の構成には同一の記号を付している。
本実施の形態において、発光素子30は、基体2の上面2aの第1の配線パターン6および第2の配線パターン7にフリップチップ接続されている。図12において、発光素子3の第1導電型の電極301と第2導電型の電極302とは、発光素子30の基体2と対向する側の面(図12における下面)30bに形成されており、第1の配線パターン6と第2の配線パターン7と導電性接合剤19を介して、電気的に接続されている。
本実施の形態の発光装置14は、基体2の下面2bにおいて部分的に厚みが薄くなされている。すなわち、図12において、基体2の下面2bの発光素子30直下の部分に溝Hを有している。
本実施の形態において、第1のビア導体4と第2のビア導体5とは、発光素子2の第1導電型の電極301と第2導電型の電極302と電気的に接続されており、溝Hの側面22stに露出されている。このような構成により、発光素子30が基体2にフリップチップ接続された場合にも、発光素子30により放射された熱を、実装基板100側に良好に伝えることができる。
また、図12に示す発光装置14において、基体2の下面2bは、溝Hの側面22stと、基体2の第2の部分22の下面との間に、導体層20が配置されている。このような構造により、発光装置14と外部基板100との電気的接続信頼性を向上することができる。
(第5の実施の形態)
図13は、本発明の第5の実施の形態の発光装置15を示す断面図である。他の実施の形態における発光装置と同様の構成には同一の記号を付している。
図13は、本発明の第5の実施の形態の発光装置15を示す断面図である。他の実施の形態における発光装置と同様の構成には同一の記号を付している。
図13において、第1の配線導体40と第2の配線導体50とは、基体2の上面2aの第1の導出部40a(50a)から、段差表面に露出された第2の導出部40b(50b)に向かうに従って、横断面積が次第に大きくなるビア導体の構造を有する。
このような構造により、例えば、発光素子3より下方に出射され、基体2の内部に進む光がある場合、第1の配線導体4や第2の配線導体5の側面で発光素子3の光を反射して、発光装置15の上方に光を向かわせることができる。このため、発光装置15の光放射強度を向上することができる。
(第6の実施の形態)
図14は、本発明の第6の実施の形態の発光装置16を示す断面図である。他の実施の形態における発光装置と同様の構成には同一の記号を付している。
図14は、本発明の第6の実施の形態の発光装置16を示す断面図である。他の実施の形態における発光装置と同様の構成には同一の記号を付している。
図14において、第1のビア導体400は、基体2の上面2aに設けられた第1の導出部400aと、基体2の第2の部分22の側面22sに設けられた第2の導出部400bとを有している。
このような第1のビア導体400は、基体2の上面2aから基体2の外部基板100と対向する面2bに向かうに従って、横断面積が次第に狭くなる第1の側面400cと、第1の側面400cよりも外部基板100側に位置しており、基体2の上面2aからk地愛2の外部基板100と対向する面2bに向かうに従って、横断面積が次第に狭くなる第2の側面400dとを有する。
また、図14において、第2のビア導体500は、基体2の上面2aに設けられた第1の導出部500aと、基体2の第2の面2bの段差の表面22s、2cに設けられた第2の導出部500bとを有している。
このような第2のビア導体500は、基体2の上面2aから下面2bに向かうに従って、次第に狭くなる第1の側面500cと、第1の側面500aよりも基体2の上下2b側に位置しており、基体2の上面2aから基体2の下面2bに向かうに従って、次第に広がる第2の側面500dとを有する。
このような構造により、発光素子3より放射された熱が、第1の配線導体6と第2の配線導体7とを介して、効率よく基体2側に伝達される。また、発光素子3より基体2の内部に進む光を、発光装置15の上方に効率よく反射することができる。
(第7の実施の形態)
図15は、第7の実施形態の発光装置51を示す平面図であり、図16は、図15に示す発光装置51のE−E’線における断面図である。本実施形態の発光装置51は、複数の発光装置が並べて配置されてなる。他の実施の形態における発光装置と同様の構成には同一の記号を付している。
図15は、第7の実施形態の発光装置51を示す平面図であり、図16は、図15に示す発光装置51のE−E’線における断面図である。本実施形態の発光装置51は、複数の発光装置が並べて配置されてなる。他の実施の形態における発光装置と同様の構成には同一の記号を付している。
図16において、発光装置51は第1の発光装置51a、第2の発光装置51b、第3の発光装置51cとからなる。図16において発光装置51a〜51cは、第1のビア導体4と、導体層20と、第2のビア導体5とを介してそれぞれ直列に接続されている。
本実施の形態における発光装置51は、複数の発光装置の間において(たとえば、第1の発光装置51aと第2の発光装置51bとの間、第2の発光装置51bと第3の発光装置51cとの間)厚みが薄い部分Hを有しており、このような段差Hの側面22stに、第1のビア導体4が露出されている。また、図16に示す発光装置51においては、第2のビア導体5も段差Hの側面22stに露出されている。このような構成により、複数の発光装置を並べて配置する場合でも、発光素子3により放射された熱を効率よく外部基板100側に放射できる。
また、図16において、発光装置51の下面の中央領域(たとえば、第1の発光装置51aと第2の発光装置51bとの間、第2の発光装置51bと第3の発光装置51cとの間)に段差Hが配置されており、発光装置51と外部基板100との間における放熱特性を向上することができる。
複数の発光装置が並べられてなる発光装置の別の例として、図17に、基体2の中心軸a1〜a3から外周側に偏った位置に配置された発光素子3を有する第1〜第3の発光装置52a〜52bが配列されてなる発光装置52を示す。図17において、発光素子3は、基体2の第2の部分22の側面に露出された第1のビア導体4上に配置されており、発光装置52の放熱特性は向上する。
第7の実施形態の発光装置51の別の例を図18に示す。図18において、発光装置53は、第1の発光装置53a、第2の発光装置53b、第3の発光装置53cとからなる。
図18において、複数の発光装置53a〜53cは、金属からなり、基体2の内部に配置されているとともに、発光素子3が搭載された放熱部材70a〜70cを有する。このような構成により、発光装置52の放熱特性はさらに向上する。
(第8の実施の形態)
図19は、第8の実施形態の発光装置54を示す断面図である。
図19は、第8の実施形態の発光装置54を示す断面図である。
本実施形態の発光装置54は、第1の発光装置54a、第2の発光装置54b、第3の発光装置54cとからなる。本実施の形態において、それぞれの発光装置に搭載された発光素子は、透光性部材9に覆われてなる。
図19における発光装置54に搭載された第1、第2、第3の発光素子3a、3b、3cは、紫外光または青色光を発する。図19において、発光装置54は、透光性部材9を覆う波長変換部材10を有しており、第1、第2、第3の発光素子3a、3b、3cにより放射された光は、波長変換部材10によって波長が変換されて発光装置54の外部に放射される。このように、複数の発光素子を共通で覆う透光性部材9、波長変換部材10を有することにより、発光装置54の照射面における光のむらを低減できる。
(第9の実施の形態)
図20は、第9の実施形態の発光装置55を示す平面図であり、図21は、図20に示す発光装置55のF−F’線における断面図である。
図20は、第9の実施形態の発光装置55を示す平面図であり、図21は、図20に示す発光装置55のF−F’線における断面図である。
本実施形態の発光装置55は、第1、第2、第3の発光素子3a、3b、3cを共通い搭載する基体2を有する。
図21に示すように、本実施の形態の発光装置55は、基体2上に、第1の配線導体6と第2の配線導体7とを有しており、これら配線導体間は、透光性部材9の外部においてワイヤ8を介して電気的に接続される。ワイヤ8を、透光性部材9と外部との間に跨って形成しないことにより、ワイヤ8にかかる応力を低減し、発光装置55の信頼性を向上することができる。
1:発光装置
2:基体
2a:基体2の第1の面
2b:基体2の第2の面
3:発光素子
4:(第1の)ビア導体
4a:第1導出部
4b:第2導出部
2:基体
2a:基体2の第1の面
2b:基体2の第2の面
3:発光素子
4:(第1の)ビア導体
4a:第1導出部
4b:第2導出部
Claims (13)
- 発光素子が搭載される第1の面と、段差を有する第2の面とを備えた基体と、
前記基体の前記段差の表面に導出されており、前記基体の前記第1の面と前記第2の面との間を貫通するビア導体と、を有する発光素子搭載用基板。 - 前記ビア導体の側面が、前記第1の面から前記第2の面に向かって広がることを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記ビア導体の側面が、前記第1の面から前記第2の面に向かって狭まる第1の側面と、前記第1の側面より前記第2の面側に位置しており、前記第1の面から前記第2の面に向かって広がる第2の側面とを有することを特徴とする請求項1に記載の発光素子搭載用基板。
- 前記基体の前記段差の表面に形成された導体層を有することを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
- 前記基体は、窒化アルミニウムからなり、前記ビア導体は、銅からなることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の発光素子搭載用基板。
- 第1の面と第2の面とを有しており、前記第2の面側に段差を有する基体と、
前記基体の前記第1の面に設けられた第1導出部と、前記基体の前記段差の表面に設けられた第2導出部とを有しており、前記基体の前記第1の面と前記第2の面との間を貫通するビア導体と、
前記ビア導体の前記第1導出部に電気的に接続されており、前記基体の前記第1の面に搭載された発光素子と、を有する発光装置。 - 前記発光素子を覆い、前記基体の前記第1の面上に設けられた透光性部材を有することを特徴とする請求項6に記載の発光装置。
- 前記発光素子が、紫外または青色の第1の光を発生する発光ダイオードであり、前記発光素子の上方に、前記第1の光の波長を変換する蛍光体を有することを特徴とする請求項6または7に記載の発光装置。
- 前記発光素子が、前記基体の前記第1の面と対向した第1導電型の電極と、ボンディングワイヤが接続された第2導電型の電極と、を有することを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の発光装置。
- 前記発光素子が、前記配線導体の前記第1の導出部上に配置されていることを特徴とする請求項6〜9のいずれかに記載の発光装置。
- 前記発光素子が、前記基体の前記第1の面の外周領域に設けられていることを特徴とする請求項6〜10のいずれかに記載の発光装置。
- 前記発光素子が、第1のボンディングワイヤが接続された第1導電型の電極と、第2のボンディングワイヤが接続された第2導電型の電極とを有することを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の発光装置。
- 前記発光素子は、前記基体の前記第1の面上にフリップチップ実装された第1導電型の電極および第2導電型の電極を有することを特徴とする請求項6〜8のいずれかに記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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---|---|---|---|---|
KR101020945B1 (ko) | 2009-12-21 | 2011-03-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 패키지 및 발광 소자 제조방법 |
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US8102484B2 (en) | 2009-12-21 | 2012-01-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacture |
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US9166113B2 (en) | 2009-12-21 | 2015-10-20 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacture |
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