WO2012050110A1 - Ｌｅｄモジュール - Google Patents

Ｌｅｄモジュール Download PDF

Info

Publication number
WO2012050110A1
WO2012050110A1 PCT/JP2011/073386 JP2011073386W WO2012050110A1 WO 2012050110 A1 WO2012050110 A1 WO 2012050110A1 JP 2011073386 W JP2011073386 W JP 2011073386W WO 2012050110 A1 WO2012050110 A1 WO 2012050110A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
led module
led chip
led
submount substrate
module according
Prior art date
Application number
PCT/JP2011/073386
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
小早川　正彦
Original Assignee
ローム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ローム株式会社 filed Critical ローム株式会社
Priority to US13/822,495 priority Critical patent/US10050179B2/en
Priority to JP2012538687A priority patent/JP6131048B2/ja
Publication of WO2012050110A1 publication Critical patent/WO2012050110A1/ja
Priority to US16/040,082 priority patent/US10749079B2/en
Priority to US16/926,940 priority patent/US10950759B2/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H01L33/46—Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector

Definitions

  • the present invention relates to an LED module including an LED chip as a light source.
  • FIG. 33 shows an example of a conventional LED module (see, for example, Patent Document 1).
  • an LED chip 902 is mounted on a substrate 901.
  • the LED chip 902 is surrounded by a frame-shaped reflector 905.
  • a space surrounded by the reflector 905 is filled with a sealing resin 906.
  • the LED chip 902 includes a submount substrate 903 made of Si and a semiconductor layer 904 stacked on the submount substrate 903.
  • the semiconductor layer 904 is electrically connected to the substrate 901 through the submount substrate 903.
  • Si which is the material of the submount substrate 903
  • Si easily absorbs, for example, blue light emitted from the semiconductor layer 904. For this reason, out of the light emitted from the semiconductor layer 904, the light traveling to the submount substrate 903 is absorbed by the submount substrate 903. Therefore, high brightness of the LED module 900 has been hindered.
  • the present invention has been conceived under the circumstances described above, and an object thereof is to provide an LED module capable of achieving high brightness.
  • the LED module provided by the present invention includes a submount substrate made of Si, one or more LED chips having a semiconductor layer stacked on the submount substrate, and the semiconductor layer among the submount substrates stacked. And an opaque resin that covers at least a part of the side surface connected to the formed surface and does not transmit light from the semiconductor layer.
  • the opaque resin is white.
  • the opaque resin covers all of the side surfaces of the submount substrate and exposes the semiconductor layer.
  • a Zener diode is formed on the submount substrate to avoid applying an excessive reverse voltage to the semiconductor layer.
  • the semiconductor layer emits blue light or green light.
  • a substrate having a base material and a wiring pattern is further provided, and the LED chip is mounted on the substrate.
  • two wires for connecting the submount substrate and the wiring pattern are provided, and the opaque resin is formed from the side surface of the submount substrate and the wires, the wiring pattern, and the like. It is provided in a region that does not reach the joint portion.
  • one wire for connecting the submount substrate and the wiring pattern is provided, and the surface of the submount substrate opposite to the surface on which the semiconductor layer is laminated is provided.
  • the surface and the wiring pattern are conductively bonded, and the opaque resin is provided in a region that does not reach the bonding portion between the wire and the wiring pattern from the side surface of the submount substrate.
  • two electrode pads are formed on the surface of the submount substrate opposite to the surface on which the semiconductor layer is laminated, and these electrode pads are Conductive bonding is made with the wiring pattern.
  • a reflector attached to the substrate and having a reflective surface surrounding the LED chip, and a sealing resin that covers the LED chip and transmits light from the LED chip And further.
  • a sealing resin which is formed on the substrate and covers the LED chip and transmits light from the LED chip is further provided.
  • a plurality of leads are provided, and the LED chip is mounted on one of the plurality of leads.
  • two wires for connecting the submount substrate and the plurality of leads are provided, and the opaque resin is formed from the side surface of the submount substrate by the wires and the plurality of wires. It is provided in a region that does not reach the joint with the lead.
  • a wire for connecting the submount substrate and the plurality of leads is provided, and a side of the submount substrate opposite to the surface on which the semiconductor layer is laminated is provided.
  • the surface and one of the plurality of leads are conductively joined, and the opaque resin is provided in a region that does not reach the joint between the wire and the plurality of leads from the side surface of the submount substrate. .
  • two electrode pads are formed on the surface of the submount substrate opposite to the surface on which the semiconductor layer is laminated, and these electrode pads are Conductive bonding is performed with a plurality of leads.
  • a reflector that covers at least a part of each of the plurality of leads and has a reflective surface surrounding the LED chip; And a sealing resin that covers the LED chip and transmits light from the LED chip.
  • each of the plurality of leads and the LED chip are covered, and a sealing resin that transmits light from the LED chip is further provided.
  • two leads are provided, the LED chip is mounted on the tip of one of the leads, and the submount substrate and the tip of the other lead are mounted.
  • a wire for conducting is bonded, covers the tip of the two leads and the LED chip, and has a lens that transmits light from the LED chip and enhances the directivity of light from the LED chip.
  • a sealing resin is provided.
  • the tip of the one lead is formed with a cup portion on which the LED chip is mounted on the bottom surface, and the portion of the bottom surface not covered with the LED chip is It is covered with the opaque resin.
  • the above-mentioned two LED chips and an additional LED chip in which one surface is an electrode surface that is conductively connected, and a wire is connected to the surface facing the one surface.
  • the opaque resin exposes the additional LED chip.
  • one of the two LED chips emits blue light, the other emits green light, and the additional LED chip emits red light.
  • FIG. 3 is a sectional view taken along line III-III in FIG. 2.
  • FIG. 6 is a sectional view taken along line IV-IV in FIG. 5.
  • FIG. 9 is a cross-sectional view taken along line IX-IX in FIG. 8.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view taken along line XII-XII in FIG. It is sectional drawing which shows the LED module based on 5th Embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the LED module based on 6th Embodiment of this invention. It is a perspective view which shows the LED module based on 7th Embodiment of this invention. It is a top view which shows the LED module of FIG.
  • FIG. 17 is a sectional view taken along line XVII-XVII in FIG. 16.
  • FIG. 21 is a cross-sectional view taken along line XXI-XXI in FIG. 20. It is sectional drawing which shows the LED module based on 11th Embodiment of this invention. It is sectional drawing which shows the LED module based on 12th Embodiment of this invention. It is a top view which shows the LED module based on 13th Embodiment of this invention. It is a bottom view which shows the LED module of FIG. FIG.
  • FIG. 25 is a sectional view taken along line XXVI-XXVI in FIG. 24.
  • FIG. 25 is a cross-sectional view taken along line XXVII-XXVII in FIG. 24. It is a top view which shows the LED module based on 14th Embodiment of this invention.
  • FIG. 29 is a sectional view taken along line XXIX-XXIX in FIG. 28.
  • FIG. 29 is a cross-sectional view taken along line XXX-XXX in FIG. 28.
  • It is a perspective view which shows the LED module based on 15th Embodiment of this invention.
  • FIG. 32 is a sectional view taken along line XXII-XXXII in FIG. 31. It is sectional drawing which shows an example of the conventional LED module.
  • the LED module 101 of this embodiment includes a substrate 300, an LED chip 200, two wires 500, a white resin 280, a reflector 600, and a sealing resin 700.
  • the sealing resin 700 is omitted in FIGS. 1 and 2.
  • the substrate 300 includes a base material 310 and a wiring pattern 320 formed on the base material 310.
  • the base material 310 has a rectangular shape and is made of, for example, a glass epoxy resin.
  • the wiring pattern 320 is made of, for example, a metal such as Cu or Ag, and has bonding portions 321 and 322, detour portions 323 and 324, and mounting terminals 325 and 326.
  • the bonding parts 321 and 322 are formed on the upper surface of the base material 310.
  • the detour portions 323 and 324 are connected to the bonding portions 321 and 322 and are formed on both side surfaces of the base material 310.
  • the mounting terminals 325 and 326 are formed on the lower surface of the base 310 and are connected to the detour portions 323 and 324.
  • the mounting terminals 325 and 326 are used for mounting the LED module 101 on, for example, a circuit board.
  • the LED chip 200 has a structure having a submount substrate 210 made of Si and a semiconductor layer 220 in which an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer made of, for example, a GaN-based semiconductor are stacked.
  • a submount substrate 210 made of Si and a semiconductor layer 220 in which an n-type semiconductor layer, an active layer, and a p-type semiconductor layer made of, for example, a GaN-based semiconductor are stacked.
  • two electrode pads 230 (230A, 230B) are formed on the semiconductor layer 220 on the submount substrate 210 side. These electrode pads 230 are bonded to a wiring pattern (not shown) formed on the submount substrate 210 by a conductive paste 231 and bumps 234.
  • the submount substrate 210 is bonded to the bonding part 321 with an insulating paste 251.
  • Two electrodes (not shown) are formed on the submount substrate 210.
  • each of the two wires 500 is bonded to these electrodes, and the LED chip 200 is configured as a so-called two-wire type.
  • the other end of one wire 500 is bonded to the bonding portion 321, and the other end of the other wire 500 is bonded to the bonding portion 322.
  • a Zener diode (not shown) for preventing an excessive reverse voltage from being applied to the semiconductor layer 220 is formed in the submount substrate 210.
  • the white resin 280 is made of a white resin material that does not transmit light from the LED chip 200 and corresponds to an example of an opaque resin in the present invention.
  • the white resin 280 covers all of the side surfaces of the submount substrate 210.
  • the semiconductor layer 220 is not covered with the white resin 280.
  • the white resin 280 surrounds the LED chip 200 in a plan view, and the outer peripheral edge of the white resin 280 extends from the bonding portion between the wire 500 and the bonding portions 321 and 322. Retracted slightly to the side. For this reason, the wire 500 is not covered with the white resin 280.
  • the reflector 600 is made of white resin, for example, and has a frame shape surrounding the LED chip 200.
  • a reflecting surface 601 is formed on the reflector 600.
  • the reflective surface 601 surrounds the LED chip 200.
  • the reflective surface 601 is inclined so as to be farther from the LED chip 200 in a direction perpendicular to the thickness direction of the substrate 300 as it is separated from the substrate 300 in the thickness direction of the substrate 300. .
  • the sealing resin 700 covers the LED chip 200 and fills the space surrounded by the reflective surface 601.
  • the sealing resin 700 is made of, for example, a material obtained by mixing a phosphor material into a transparent epoxy resin. This phosphor material emits yellow light when excited by blue light emitted from the semiconductor layer 220 of the LED chip 200, for example.
  • the LED module 101 emits white light by mixing these blue light and yellow light.
  • a material that emits red light and a material that emits green light when excited by blue light may be used as the phosphor material.
  • the semiconductor layer 220 is bonded to the submount substrate 210.
  • the reflector 600 is formed on the substrate 300.
  • the LED chip 200 is mounted on the substrate 300.
  • a wire 500 is bonded to the LED chip 200.
  • the white resin 280 is formed by applying a white liquid resin material.
  • the sealing resin 700 the LED module 101 is completed.
  • the white resin 280 may be formed before the wire 500 is bonded.
  • the LED chip 200 may be mounted after applying a liquid insulating resin material to a region of the bonding portion 321 to which the LED chip 200 is bonded and applying a liquid white resin material around the region.
  • the white resin 280 has a higher reflectance than, for example, Si, the light from the semiconductor layer 220 is favorably reflected. Therefore, the ratio of light emitted from the LED chip 200 emitted from the sealing resin 700 can be increased, and the brightness of the LED module 101 can be increased.
  • the semiconductor layer 220 that emits blue light is generally made of a GaN-based semiconductor, and is easily damaged by application of a reverse voltage. According to this embodiment, the LED chip 200 that emits blue light can be appropriately protected.
  • the direction directly above the LED module 101 can be illuminated more brightly.
  • the LED module 102 of the present embodiment is different from the LED module 101 described above in the configuration of the LED chip 200 and the formation range of the white resin 280.
  • only one wire 500 is bonded to the submount substrate 210 of the LED chip 200, and the submount substrate 210 is configured as a so-called one-wire type. .
  • the wire 500 is connected to the bonding part 322.
  • An electrode (not shown) is formed on the lower surface of the submount substrate 210. This electrode is conductively bonded to the bonding portion 321 by the conductive paste 252.
  • the white resin 280 has the left side portion of the outer peripheral edge located between the submount substrate 210 and the bonding portion of the wire 500 to the bonding portion 322.
  • the other part of the outer peripheral edge of the white resin 280 reaches the reflecting surface 601 of the reflector 600. For this reason, in FIG. 5, the region extending from the LED chip 200 to the reflection surface 601 in the vertical direction and the right direction in the drawing is filled with the white resin 280.
  • the brightness of the LED module 102 can be increased. Further, the larger area of the white resin 280 is advantageous for increasing the brightness of the LED module 102.
  • the LED module 103 of the present embodiment is different from the LED modules 101 and 102 described above in the configuration of the LED chip 200 and the formation range of the white resin 280.
  • two electrode pads 232 are formed on the lower surface of the submount substrate 210 of the LED chip 200. These electrode pads 232 are electrically connected to the two electrode pads 230 via a conduction path (not shown) formed in the submount substrate 210. The two electrode pads 232 are conductively connected to the bonding portions 321 and 322 via the conductive paste 252.
  • the submount substrate 210 having such a configuration is referred to as a so-called flip chip type.
  • the white resin 280 covers the entire annular region from the submount substrate 210 to the reflection surface 601 of the reflector 600.
  • the brightness of the LED module 103 can be increased.
  • the area surrounded by the reflective surface 601 is covered with the white resin 280 except for the area occupied by the LED chip 200. Thereby, more light from the semiconductor layer 220 of the LED chip 200 can be reflected. This is suitable for increasing the brightness of the LED module 103.
  • the LED module 104 of the present embodiment is different from the LED modules 101, 102, and 103 described above in that the reflector 600 is not provided.
  • the sealing resin 700 has a rectangular shape in plan view and is slightly smaller than the substrate 300.
  • the sealing resin 700 covers the LED chip 200 and the two wires 500.
  • the brightness of the LED module 104 can be increased. Further, the light emitted by the LED chip 200 is emitted from the upper surface and side surfaces of the sealing resin 700. Thereby, the irradiation range of the LED module 104 can be expanded.
  • FIG. 13 shows an LED module based on the fifth embodiment of the present invention.
  • the LED module 105 of the present embodiment is different from the LED module 104 described above in the configuration of the LED chip 200.
  • the submount substrate 210 is configured as a so-called one-wire type shown in FIG.
  • the right edge of the outer peripheral edge of the white resin 280 is at a position close to the right edge of the sealing resin 700. According to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 105.
  • FIG. 14 shows an LED module based on the sixth embodiment of the present invention.
  • the LED module 106 of the present embodiment is different from the LED modules 104 and 105 described above in the configuration of the LED chip 200.
  • the submount substrate 210 is configured as a so-called flip chip type shown in FIG. Both ends of the outer peripheral edge of the white resin 280 are close to both ends of the sealing resin 700. According to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 106.
  • the LED module 107 of this embodiment is different from the LED modules 101 to 103 described above in that the leads 410 and 420 are provided, and the configuration of the reflector 600 is different.
  • the leads 41 and 420 are formed by punching and bending a plate made of, for example, Cu or Cu alloy.
  • the lead 410 has a bonding part 411, a bypass part 412, and a mounting terminal 413.
  • the lead 420 includes a bonding part 421, a bypass part 422, and a mounting terminal 423.
  • the LED chip 200 is bonded to the bonding portion 411.
  • the bonding part 411 and the mounting terminal 413 are substantially parallel to each other, and are connected to each other by the detour part 412.
  • the bonding part 421 and the mounting terminal 423 are substantially parallel to each other and are connected to each other by the detour part 422.
  • the LED chip 200 of this embodiment is configured as a two-wire type shown in FIG. One of the two wires 500 is bonded to the bonding portion 411, and the other is bonded to the bonding portion 421.
  • the reflector 600 has a frame-shaped part 602 and a base part 603.
  • the frame-shaped portion 602 is a portion where the reflective surface 601 is formed, and surrounds the LED chip 200.
  • the base portion 603 is connected to the lower side of the frame-like portion 602 and is shaped to be held by the leads 410 and 420.
  • the brightness of the LED module 107 can be increased.
  • the leads 410 and 420 made of a metal plate are relatively excellent in heat conduction. For this reason, the heat generated from the LED chip 200 can be dissipated out of the LED module 107 more efficiently.
  • FIG. 18 shows an LED module according to the eighth embodiment of the present invention.
  • the LED module 108 of the present embodiment is different from the LED module 107 described above in the configuration of the submount substrate 210.
  • the submount substrate 210 is configured as a one-wire type shown in FIG.
  • the right end of the outer peripheral edge of the white resin 280 reaches the reflection surface 601. Also according to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 108. Further, since the area of the white resin 280 is large, higher luminance can be promoted than the LED module 107.
  • FIG. 19 shows an LED module according to the ninth embodiment of the present invention.
  • the LED module 109 of this embodiment is different from the LED modules 107 and 108 described above in the configuration of the submount substrate 210.
  • the submount substrate 210 is configured as a so-called flip chip type shown in FIG. Both ends of the outer peripheral edge of the white resin 280 reach the reflecting surface 601. Also according to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 109. Further, since the area of the white resin 280 is large, it is possible to promote higher brightness than the LED module 108.
  • the LED module 110 of the present embodiment is different from the LED modules 107 to 109 described above in that the configuration of the leads 410 and 420, the base resin, and the reflector 600 are not provided.
  • the lead 410 has a bonding part 411, a mounting terminal 413, an eaves part 414, and an extension part 415
  • the lead 420 has a bonding part 421, a mounting terminal 423, an eaves part 424, and an extension. Part 425.
  • Most parts of the leads 410 and 420 excluding the bonding parts 411 and 421 and the mounting terminals 413 and 423 are covered with the base resin 701.
  • the base resin 701 is made of, for example, a white resin.
  • the eaves portion 414 includes a portion extending from the bonding portion 411 toward the lead 420 and a portion extending toward the opposite side of the lead 420.
  • the eaves part 424 extends from the bonding part 421 toward the lead 410, and the eaves part 424 extends toward the opposite side of the lead 410.
  • the eaves portions 414 and 424 are embedded in the base resin 701.
  • the extending portions 415 and 425 extend from the bonding portions 411 and 421, and their tip surfaces are exposed from the base resin 701.
  • Ag layers 418 and 428 are formed in the bonding portions 411 and 421.
  • the Ag layers 418 and 428 have relatively rough surfaces.
  • the sealing resin 700 has a shape and size that match the base resin 701 in a plan view, and covers the LED chip 200 and the wire 500.
  • the brightness of the LED module 110 can be increased. Also, the heat radiation from the LED chip 200 can be favorably promoted by the leads 410 and 420. Furthermore, since the eaves portions 414 and 424 and the extending portions 415 and 425 are formed, it is possible to prevent the leads 410 and 420 from falling off the base resin 701.
  • FIG. 22 shows an LED module based on the eleventh embodiment of the present invention.
  • the LED module 111 of the present embodiment is different from the LED module 110 described above in the configuration of the submount substrate 210.
  • the submount substrate 210 is configured as a so-called one-wire type shown in FIG.
  • the right edge of the outer peripheral edge of the white resin 280 is at a position close to the right edge of the sealing resin 700. Also according to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 111.
  • FIG. 23 shows an LED module according to the twelfth embodiment of the present invention.
  • the LED module 112 of the present embodiment is different from the LED modules 110 and 111 described above in the configuration of the submount substrate 210.
  • the submount substrate 210 is configured as a so-called flip chip type shown in FIG. Both ends of the outer peripheral edge of the white resin 280 are close to both ends of the sealing resin 700. Also according to such an embodiment, it is possible to increase the brightness of the LED module 112.
  • the LED module 113 of this embodiment is different from the LED modules 101 to 112 described above in that it includes three LED chips 200 and 201.
  • the LED module 113 includes leads 430, 431, 432, 433, 434, 435, three LED chips 200, 201, a reflector 600, and a resin package 600. 24 and 25, the sealing resin 700 is omitted for convenience of understanding.
  • the leads 430, 431, 432, 433, 434, and 435 are made of, for example, Cu or a Cu alloy, and a part of each is covered with the reflector 600.
  • the two LED chips 200 are of the two-wire type shown in FIG. 7, and one emits blue light and the other emits green light.
  • the LED chip 201 is an example of an additional LED chip referred to in the present invention, and emits red light.
  • the three LED chips 200 and 201 are mounted on the lead 430 in a line.
  • two wires 500 bonded to the upper LED chip 200 are bonded to leads 431 and 432.
  • the two wires 500 bonded to the lower LED chip 200 in FIG. 24 are bonded to the leads 433 and 434.
  • the lower surface of the LED chip 201 is an electrode surface on which an electrode is formed, and is electrically connected to the lead 430.
  • One end of a wire 500 is bonded to the upper surface of the LED chip 201.
  • the other end of the wire 500 is bonded to the lead 435.
  • the white resin 280 is provided around each LED chip 200 and covers the side surface of each submount substrate 210. On the other hand, the LED chip 201 is not covered with the white resin 280.
  • Sealing resin 700 is made of, for example, a transparent epoxy resin.
  • the phosphor material is not mixed in the sealing resin 700.
  • the brightness of the LED module 113 can be increased.
  • white light can be emitted by mixing red light, green light, and blue light from the three LED chips 200 and 201.
  • light of various color tones can be emitted by individually adjusting the magnitude of the current flowing through the three LED chips 200 and 201.
  • the white resin 280 prevents light from being absorbed by the submount substrate 210, but has a low risk of unduly hindering the progress of red light from the LED chip 201.
  • the LED module 114 includes a reflector 600, bonding pads 451, 452, 453, 454, 455, 456, 457, 458 and through conductor portions 461, 462, 463, 464, 465, 466, 467, 468. (The through conductor portions 464, 465, and 466 are not shown) and the mounting terminals 471 and 472 are different from the LED module 113 described above.
  • the bonding pads 451, 452, 453, 454, 455, 456, 457, and 458 are made of, for example, Ag or Cu.
  • Two LED chips 201 are mounted on the bonding pads 451 and 454, respectively.
  • Two wires 500 connected to one LED chip 200 are bonded to the bonding pads 452 and 453.
  • Two wires 500 connected to the other LED chip 200 are bonded to the bonding pads 455 and 456.
  • the LED chip 200 is mounted on the bonding pad 457, and the wire 500 connected to the LED chip 201 is bonded to the bonding pad 458.
  • the brightness of the LED module 114 can be increased. Also, white light can be emitted by mixing red light, green light, and blue light from the three LED chips 200 and 201.
  • the LED module 115 of the present embodiment includes two leads 441 and 442, an LED chip 200, and a resin package 700, and is configured as a so-called bullet-type LED module as described above. Different from ⁇ 114.
  • the leads 441 and 442 have rod shapes extending substantially in parallel with each other, and a part of each is exposed from the resin package 700. These exposed portions are used for mounting the LED module 115 on a circuit board or the like.
  • a cup portion 443 and a bonding portion 444 are formed on the lead 441.
  • the cup portion 443 is formed near the upper end of the lead 441, and the LED chip 200 is mounted on the bottom surface thereof.
  • a portion of the bottom surface that is not covered with the LED chip 200 is covered with the white resin 280.
  • the bonding portion 444 is located adjacent to the cup portion 443, and one of the two wires 500 connected to the LED chip 200 is bonded.
  • a bonding portion 445 is formed on the upper end of the lead 442.
  • the other of the two wires 500 connected to the LED chip 200 is bonded to the bonding unit 445.
  • the sealing resin 700 covers the LED chip 200 and a part of each of the leads 441 and 442, and has a columnar part and a dome-shaped part. This dome-shaped portion is a lens 702.
  • the lens 702 is for increasing the directivity of light from the LED chip 200.
  • the brightness of the LED module 115 can be increased.
  • the LED module according to the present invention is not limited to the embodiment described above.
  • the specific configuration of each part of the LED module according to the present invention can be changed in various ways.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

　ＬＥＤモジュール（１０１）は、Ｓｉからなるサブマウント基板（２１０）、およびサブマウント基板（２１０）上に積層された半導体層（２２０）を有するＬＥＤチップ（２００）と、サブマウント基板（２１０）のうち半導体層（２２０）が積層された面につながる側面の少なくとも一部を覆っており、かつ半導体層（２２０）からの光を透過しない白色樹脂２８０と、を備える。このような構成により、ＬＥＤモジュール（１０１）の高輝度化図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供すること。

Description

ＬＥＤモジュール
　本発明は、光源としてＬＥＤチップを備えるＬＥＤモジュールに関する。
　図３３は、従来のＬＥＤモジュールの一例を示している（たとえば、特許文献１参照）。同図に示されたＬＥＤモジュール９００は、基板９０１にＬＥＤチップ９０２が搭載されている。ＬＥＤチップ９０２は、枠状のリフレクタ９０５によって囲まれている。リフレクタ９０５によって囲まれた空間には、封止樹脂９０６が充填されている。ＬＥＤチップ９０２は、Ｓｉからなるサブマウント基板９０３とサブマウント基板９０３上に積層された半導体層９０４を有する。半導体層９０４は、サブマウント基板９０３を介して基板９０１に導通している。
　しかしながら、サブマウント基板９０３の材質であるＳｉは、半導体層９０４から発せられるたとえば青色光を吸収しやすい。このため、半導体層９０４から発せられた光のうち、サブマウント基板９０３へと進行した光は、サブマウント基板９０３に吸収されてしまう。したがって、ＬＥＤモジュール９００の高輝度化が妨げられていた。
特開２００４－１１９７４３号公報
　本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、高輝度化図ることが可能なＬＥＤモジュールを提供することをその課題とする。
　本発明によって提供されるＬＥＤモジュールは、Ｓｉからなるサブマウント基板、および上記サブマウント基板上に積層された半導体層を有する、１以上のＬＥＤチップと、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層された面につながる側面の少なくとも一部を覆っており、かつ上記半導体層からの光を透過しない不透明樹脂と、を備える。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、白色である。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の側面のすべてを覆っており、かつ上記半導体層を露出させている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板には、上記半導体層に過大な逆電圧が印加されることを回避するためのツェナーダイオードが作りこまれている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記半導体層は、青色光または緑色光を発する。
　本発明の好ましい実施の形態においては、基材および配線パターンを有する基板をさらに備えており、上記ＬＥＤチップは、上記基板に搭載されている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記配線パターンとを接続する２つのワイヤを備えており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記配線パターンとの接合部に達しない領域に設けられている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記配線パターンとを接続する１つのワイヤを備えているとともに、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面と上記配線パターンとは導通接合されており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記配線パターンとの接合部に達しない領域に設けられている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、２つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記配線パターンと導通接合されている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板に取り付けられており、かつ上記ＬＥＤチップを囲む反射面を有するリフレクタと、上記ＬＥＤチップを覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記基板上に形成されており、かつ上記ＬＥＤチップを覆っているとともに、上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備える。
　本発明の好ましい実施の形態においては、複数のリードを備えており、上記ＬＥＤチップは、上記複数のリードのいずれかに搭載されている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記複数のリードとを接続する２つのワイヤを備えており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記複数のリードとの接合部に達しない領域に設けられている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板と上記複数のリードとを接続する１つのワイヤを備えているとともに、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面と上記複数のリードのいずれかとは導通接合されており、上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記複数のリードとの接合部に達しない領域に設けられている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、２つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記複数のリードと導通接合されている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数のリードの少なくとも一部ずつを覆っており、かつ上記ＬＥＤチップを囲む反射面を有するリフレクタと、
　上記ＬＥＤチップを覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記複数のリードの少なくとも一部ずつおよび上記ＬＥＤチップを覆っているとともに、上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備える。
　本発明の好ましい実施の形態においては、２つのリードを備えており、一方の上記リードの先端には、上記ＬＥＤチップが搭載されており、他方の上記リードの先端には、上記サブマウント基板と導通させるワイヤが接合されており、上記２つのリードの先端および上記ＬＥＤチップを覆っているとともに、上記ＬＥＤチップからの光を透過させ、かつ上記ＬＥＤチップからの光の指向性を高めるレンズを有する封止樹脂を備える。
　本発明の好ましい実施の形態においては、上記一方のリードの先端には、底面に上記ＬＥＤチップが搭載されたカップ部が形成されており、上記底面のうち上記ＬＥＤチップに覆われていない部分は、上記不透明樹脂によって覆われている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、２つの上記ＬＥＤチップと、一方の面が導通接続される電極面とされ、この一方の面と反対側を向く面にワイヤが接続された追加のＬＥＤチップと、を備えており、上記不透明樹脂は、上記追加のＬＥＤチップを露出させている。
　本発明の好ましい実施の形態においては、２つの上記ＬＥＤチップの一方は青色光を発し、他方は緑色光を発するとともに、上記追加のＬＥＤチップは、赤色光を発する。
　本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。 図１のＬＥＤモジュールを示す平面図である。 図２のＩＩＩ－ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図１のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。 本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。 図５のＩＶ－ＩＶ線に沿う断面図である。 図５のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。 本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。 図８のＩＸ－ＩＸ線に沿う断面図である。 図８のＬＥＤモジュールを示す要部拡大断面図である。 本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。 図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿う断面図である。 本発明の第５実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す断面図である。 本発明の第６実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す断面図である。 本発明の第７実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。 図１５のＬＥＤモジュールを示す平面図である。 図１６のＸＶＩＩ－ＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 本発明の第８実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す断面図である。 本発明の第９実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す断面図である。 本発明の第１０実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。 図２０のＸＸＩ－ＸＸＩ線に沿う断面図である。 本発明の第１１実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す断面図である。 本発明の第１２実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す断面図である。 本発明の第１３実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。 図２４のＬＥＤモジュールを示す底面図である。 図２４のＸＸＶＩ－ＸＸＶＩ線に沿う断面図である。 図２４のＸＸＶＩＩ－ＸＸＶＩＩ線に沿う断面図である。 本発明の第１４実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す平面図である。 図２８のＸＸＩＸ－ＸＸＩＸ線に沿う断面図である。 図２８のＸＸＸ－ＸＸＸ線に沿う断面図である。 本発明の第１５実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示す斜視図である。 図３１のＸＸＸＩＩ－ＸＸＸＩＩ線に沿う断面図である。 従来のＬＥＤモジュールの一例を示す断面図である。
　以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
　図１～図４は、本発明の第１実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０１は、基板３００、ＬＥＤチップ２００、２つのワイヤ５００、白色樹脂２８０、リフレクタ６００、および封止樹脂７００を備えている。なお、理解の便宜上、図１および図２においては、封止樹脂７００を省略している。
　基板３００は、基材３１０および基材３１０に形成された配線パターン３２０からなる。基材３１０は、矩形状であり、たとえばガラスエポキシ樹脂からなる。配線パターン３２０は、たとえばＣｕまたはＡｇなどの金属からなり、ボンディング部３２１，３２２、迂回部３２３，３２４、および実装端子３２５，３２６を有する。ボンディング部３２１，３２２は、基材３１０の上面に形成されている。迂回部３２３，３２４は、ボンディング部３２１，３２２につながっており、基材３１０の両側面に形成されている。実装端子３２５，３２６は、基材３１０の下面に形成されており、迂回部３２３，３２４につながっている。実装端子３２５，３２６は、ＬＥＤモジュール１０１をたとえば回路基板に実装するために用いられる。
　ＬＥＤチップ２００は、Ｓｉからなるサブマウント基板２１０とたとえばＧａＮ系半導体からなるｎ型半導体層、活性層およびｐ型半導体層が積層された半導体層２２０とを有する構造とされており、たとえば青色光を発する。図４に示すように、半導体層２２０には、サブマウント基板２１０側に２つの電極パッド２３０（２３０Ａ，２３０Ｂ）が形成されている。これらの電極パッド２３０は、サブマウント基板２１０に形成された配線パターン（図示略）に導電性ペースト２３１やバンプ２３４によって接合されている。サブマウント基板２１０は、絶縁性ペースト２５１によってボンディング部３２１に接合されている。サブマウント基板２１０には２つの電極（図示略）が形成されている。これらの電極には、２つのワイヤ５００それぞれの一端がボンディングされており、ＬＥＤチップ２００は、いわゆる２ワイヤタイプとして構成されている。一方のワイヤ５００の他端は、ボンディング部３２１にボンディングされており、他方のワイヤ５００の他端は、ボンディング部３２２にボンディングされている。また、サブマウント基板２１０には、半導体層２２０に過大な逆電圧が印加されることを防止するためのツェナーダイオード（図示略）が作りこまれている。
　白色樹脂２８０は、ＬＥＤチップ２００からの光を透過しない、白色を呈する樹脂材料からなり、本発明で言う不透明樹脂の一例に相当する。白色樹脂２８０は、サブマウント基板２１０の側面のすべてを覆っている。一方、半導体層２２０は、白色樹脂２８０によっては覆われていない。また、図２～図４から理解されるように、白色樹脂２８０は、平面視でＬＥＤチップ２００を囲んでおり、その外周縁がワイヤ５００とボンディング部３２１，３２２との接合部からＬＥＤチップ２００側に若干退避している。このため、ワイヤ５００は、白色樹脂２８０によっては覆われていない。
　リフレクタ６００は、たとえば白色樹脂からなり、ＬＥＤチップ２００を囲む枠状である。リフレクタ６００には、反射面６０１が形成されている。反射面６０１は、ＬＥＤチップ２００を囲んでいる。本実施形態においては、反射面６０１は、基板３００の厚さ方向において基板３００から離間するほど、基板３００の厚さ方向に対して直角である方向においてＬＥＤチップ２００から遠ざかるように傾斜している。
　封止樹脂７００は、ＬＥＤチップ２００を覆っており、反射面６０１によって囲まれた空間を埋めている。封止樹脂７００は、たとえば透明なエポキシ樹脂に蛍光体材料が混入された材質からなる。この蛍光体材料は、たとえばＬＥＤチップ２００の半導体層２２０から発せられる青色光によって励起されることにより黄色光を発する。これらの青色光と黄色光とを混色することにより、ＬＥＤモジュール１０１は、白色光を発する。なお、上記蛍光体材料としては、青色光によって励起されることにより赤色光を発するものと、緑色光を発するものを用いてもよい。
　ＬＥＤモジュール１０１の製造方法の一例を挙げる。まず、サブマウント基板２１０に半導体層２２０を接合する。ついで、基板３００にリフレクタ６００を形成する。ついで、基板３００にＬＥＤチップ２００を搭載する。ついで、ＬＥＤチップ２００にワイヤ５００をボンディングする。次いで、白色の液体樹脂材料を塗布することにより、白色樹脂２８０を形成する。そして、封止樹脂７００を形成することにより、ＬＥＤモジュール１０１が完成する。なお、ワイヤ５００をボンディングする前に、白色樹脂２８０を形成してもよい。あるいは、ボンディング部３２１のうちＬＥＤチップ２００が接合される領域に液状の絶縁樹脂材料を塗布し、その周辺に液状の白色樹脂材料を塗布した後に、ＬＥＤチップ２００を搭載してもよい。
　次に、ＬＥＤモジュール１０１の作用について説明する。
　本実施形態によれば、半導体層２２０からの光のうち、サブマウント基板２１０の側面へと向かう光は、白色樹脂２８０によって遮蔽される。これにより、これらの光がサブマウント基板２１０に吸収されることを抑制することができる。しかも、白色樹脂２８０は、たとえばＳｉと比べて反射率が高いため、半導体層２２０からの光を好適に反射する。したがって、ＬＥＤチップ２００から発せられた光のうち封止樹脂７００から出射される割合を高めることが可能であり、ＬＥＤモジュール１０１の高輝度化を図ることができる。
　サブマウント基板２１０に作りこまれたツェナーダイオードにより、半導体層２２０に過大な逆電圧が印加されることを防止することができる。特に、青色光を発する半導体層２２０は、一般的にＧａＮ系の半導体からなり、逆電圧の印加によって損傷を受けやすい。本実施形態によれば、青色光を発するＬＥＤチップ２００を適切に保護することができる。
　反射面６０１を有するリフレクタ６００を備えることにより、ＬＥＤモジュール１０１の直上方向をより明るく照らすことができる。
　図５～図３２は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
　図５～図７は、本発明の第２実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０２は、ＬＥＤチップ２００の構成、および白色樹脂２８０の形成範囲が、上述したＬＥＤモジュール１０１と異なっている。
　図７に示すように、本実施形態においては、ＬＥＤチップ２００のサブマウント基板２１０には、１つのワイヤ５００のみがボンディングされており、サブマウント基板２１０は、いわゆる１ワイヤタイプとして構成されている。このワイヤ５００は、ボンディング部３２２に接続されている。サブマウント基板２１０の下面には、図示しない電極が形成されている。この電極は、導電性ペースト２５２によって、ボンディング部３２１に導通接合されている。
　白色樹脂２８０は、図５～図７に示すように、外周縁の図中左側部分がサブマウント基板２１０とワイヤ５００のボンディング部３２２への接合部分との間に位置している。白色樹脂２８０の外周縁のその他の部分は、リフレクタ６００の反射面６０１に到達している。このため、図５において、ＬＥＤチップ２００から反射面６０１へと図中上下方向および右方向に広がる領域は、白色樹脂２８０によって埋められている。
　このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０２の高輝度化を図ることができる。また、白色樹脂２８０の面積がより大きいことは、ＬＥＤモジュール１０２の高輝度化に有利である。
　図８～図１０は、本発明の第３実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０３は、ＬＥＤチップ２００の構成、および白色樹脂２８０の形成範囲が、上述したＬＥＤモジュール１０１，１０２と異なっている。
　図１０に示すように、本実施形態においては、ＬＥＤチップ２００のサブマウント基板２１０の下面には、２つの電極パッド２３２が形成されている。これらの電極パッド２３２は、サブマウント基板２１０内に形成された導通経路（図示略）を介して、２つの電極パッド２３０と導通している。２つの電極パッド２３２は、導電性ペースト２５２を介してボンディング部３２１，３２２に導通接続されている。このような構成のサブマウント基板２１０は、いわゆるフリップチップタイプと称される。
　白色樹脂２８０は、図８および図９に示すように、サブマウント基板２１０からリフレクタ６００の反射面６０１にいたる環状領域のすべてを覆っている。
　このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０３の高輝度化を図ることができる。特に、反射面６０１に囲まれた領域は、ＬＥＤチップ２００が占める領域を除き、白色樹脂２８０によって覆われている。これにより、ＬＥＤチップ２００の半導体層２２０からの光をより多く反射することが可能である。これは、ＬＥＤモジュール１０３の高輝度化に好適である。
　図１１および図１２は、本発明の第４実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０４は、リフレクタ６００を備えない点が、上述したＬＥＤモジュール１０１，１０２，１０３と異なっている。
　封止樹脂７００は、平面視矩形状であり、基板３００よりも若干小とされている。封止樹脂７００は、ＬＥＤチップ２００および２つのワイヤ５００を覆っている。
　このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０４の高輝度化を図ることができる。また、ＬＥＤチップ２００によって発せられた光は、封止樹脂７００の上面および側面から出射する。これにより、ＬＥＤモジュール１０４の照射範囲を拡げることができる。
　図１３は、本発明の第５実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０５は、ＬＥＤチップ２００の構成が、上述したＬＥＤモジュール１０４と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板２１０は、図７に示されたいわゆる１ワイヤタイプとして構成されている。白色樹脂２８０の外周縁右端は、封止樹脂７００の右端に近い位置にある。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０５の高輝度化を図ることができる。
　図１４は、本発明の第６実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０６は、ＬＥＤチップ２００の構成が、上述したＬＥＤモジュール１０４，１０５と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板２１０は、図１０に示されたいわゆるフリップチップタイプとして構成されている。白色樹脂２８０の外周縁両端は、封止樹脂７００の両端に近い位置にある。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０６の高輝度化を図ることができる。
　図１５～図１７は、本発明の第７実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０７は、リード４１０，４２０を備える点、およびリフレクタ６００の構成が、上述したＬＥＤモジュール１０１～１０３と異なる。
　リード４１，４２０は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金からなるプレートに対して打ち抜き加工および曲げ加工を施すことによって形成されている。リード４１０は、ボンディング部４１１、迂回部４１２、実装端子４１３を有している。リード４２０は、ボンディング部４２１、迂回部４２２、実装端子４２３を有している。ボンディング部４１１には、ＬＥＤチップ２００がボンディングされている。ボンディング部４１１と実装端子４１３とは互いに略平行であり、迂回部４１２によって互いに連結されている。ボンディング部４２１と実装端子４２３とは互いに略平行であり、迂回部４２２によって互いに連結されている。本実施形態のＬＥＤチップ２００は、図４に示された２ワイヤタイプとして構成されている。２つのワイヤ５００の一方はボンディング部４１１にボンディングされており、他方はボンディング部４２１にボンディングされている。
　リフレクタ６００は、枠状部６０２と土台部６０３とを有している。枠状部６０２は、反射面６０１が形成された部分であり、ＬＥＤチップ２００を囲んでいる。土台部６０３は、枠状部６０２の下方につながっており、リード４１０，４２０によって抱え込まれた格好となっている。
　このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０７の高輝度化を図ることができる。また、金属プレートからなるリード４１０，４２０は、比較的熱伝導に優れる。このため、ＬＥＤチップ２００から発せられた熱をより効率よくＬＥＤモジュール１０７外へと放散することができる。
　図１８は、本発明の第８実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０８は、サブマウント基板２１０の構成が、上述したＬＥＤモジュール１０７と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板２１０は、図７に示された１ワイヤタイプとして構成されている。白色樹脂２８０の外周縁右端は、反射面６０１に到達している。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０８の高輝度化を図ることができる。また、白色樹脂２８０の面積が大きい分、ＬＥＤモジュール１０７よりもさらに高輝度化を促進することができる。
　図１９は、本発明の第９実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１０９は、サブマウント基板２１０の構成が、上述したＬＥＤモジュール１０７，１０８と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板２１０は、図１０に示されたいわゆるフリップチップタイプとして構成されている。白色樹脂２８０の外周縁両端は、ともに反射面６０１に到達している。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１０９の高輝度化を図ることができる。また、白色樹脂２８０の面積が大きい分、ＬＥＤモジュール１０８よりもさらに高輝度化を促進することができる。
　図２０および図２１は、本発明の第１０実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１１０は、リード４１０，４２０の構成、ベース樹脂を備える点、およびリフレクタ６００を備えない点が、上述したＬＥＤモジュール１０７～１０９と異なっている。
　本実施形態においては、リード４１０は、ボンディング部４１１、実装端子４１３、ひさし部４１４、延出部４１５を有しており、リード４２０は、ボンディング部４２１、実装端子４２３、ひさし部４２４、延出部４２５を有している。リード４１０，４２０のうちボンディング部４１１，４２１および実装端子４１３，４２３を除く部分のほとんどは、ベース樹脂７０１によって覆われている。ベース樹脂７０１は、たとえば白色の樹脂からなる。
　ひさし部４１４は、ボンディング部４１１から、リード４２０に向かって延出しているものと、リード４２０とは反対側に延出しているものがある。ひさし部４２４は、ボンディング部４２１からリード４１０に向かって延出しているものと、リード４１０とは反対側に延出しているものがある。ひさし部４１４，４２４は、ベース樹脂７０１内に埋まっている。延出部４１５，４２５は、ボンディング部４１１，４２１から延出しており、その先端面がベース樹脂７０１から露出している。
　ボンディング部４１１，４２１には、Ａｇ層４１８，４２８が形成されている。Ａｇ層４１８，４２８は、その表面が比較的粗い面とされている。
　封止樹脂７００は、ベース樹脂７０１と平面視において一致する形状およびサイズとなっており、ＬＥＤチップ２００およびワイヤ５００を覆っている。
　このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１１０の高輝度化を図ることができる。また、リード４１０，４２０によって、ＬＥＤチップ２００からの放熱を好適に促進することができる。さらに、ひさし部４１４，４２４と延出部４１５，４２５とが形成されていることにより、リード４１０，４２０がベース樹脂７０１から抜け落ちてしまうことを防止することができる。
　図２２は、本発明の第１１実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１１１は、サブマウント基板２１０の構成が、上述したＬＥＤモジュール１１０と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板２１０は、図７に示されたいわゆる１ワイヤタイプとして構成されている。白色樹脂２８０の外周縁右端は、封止樹脂７００の右端に近い位置にある。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１１１の高輝度化を図ることができる。
　図２３は、本発明の第１２実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１１２は、サブマウント基板２１０の構成が、上述したＬＥＤモジュール１１０，１１１と異なっている。本実施形態においては、サブマウント基板２１０は、図１０に示されたいわゆるフリップチップタイプとして構成されている。白色樹脂２８０の外周縁両端は、封止樹脂７００の両端に近い位置にある。このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１１２の高輝度化を図ることができる。
　図２４～図２７は、本発明の第１３実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１１３は、３つのＬＥＤチップ２００，２０１を備えている点が、上述したＬＥＤモジュール１０１～１１２と異なっている。ＬＥＤモジュール１１３は、リード４３０，４３１，４３２，４３３，４３４，４３５、３つのＬＥＤチップ２００，２０１、リフレクタ６００、および樹脂パッケージ６００を備えている。なお、図２４および図２５においては、理解の便宜上封止樹脂７００を省略している。
　リード４３０，４３１，４３２，４３３，４３４，４３５は、たとえばＣｕまたはＣｕ合金からなり、その一部ずつがリフレクタ６００に覆われている。
　２つのＬＥＤチップ２００は、図７に示した２ワイヤタイプのものであり、一方が青色光を発し、他方が緑色光を発する。ＬＥＤチップ２０１は、本発明で言う追加のＬＥＤチップの一例であり、赤色光を発する。３つのＬＥＤチップ２００，２０１は、リード４３０に一列に搭載されている。
　図２４中上方のＬＥＤチップ２００にボンディングされた２つのワイヤ５００は、リード４３１，４３２にボンディングされている。図２４中下方のＬＥＤチップ２００にボンディングされた２つのワイヤ５００は、リード４３３，４３４にボンディングされている。
　ＬＥＤチップ２０１は、下面が電極が形成された電極面とされており、リード４３０と導通接合されている。ＬＥＤチップ２０１の上面には、ワイヤ５００の一端がボンディングされている。このワイヤ５００の他端は、リード４３５にボンディングされている。
　白色樹脂２８０は、各ＬＥＤチップ２００の周囲に設けられており、各サブマウント基板２１０の側面を覆っている。一方、ＬＥＤチップ２０１は、白色樹脂２８０によって覆われていない。
　封止樹脂７００は、たとえば透明なエポキシ樹脂からなる。本実施形態においては、封止樹脂７００には、蛍光体材料は混入されていない。
　このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１１３の高輝度化を図ることができる。また、３つのＬＥＤチップ２００，２０１からの赤色光、緑色光、青色光を混色させることにより、白色光を出射することができる。また、３つのＬＥＤチップ２００，２０１に流れる電流の大きさを個別に調整することにより、さまざまな色調の光を出射することができる。白色樹脂２８０は、サブマウント基板２１０に光が吸収させることを防止する一方、ＬＥＤチップ２０１からの赤色光の進行を不当に妨げるおそれが少ない。
　図２８～図３０は、本発明の第１４実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１１４は、リフレクタ６００に、ボンディングパッド４５１，４５２，４５３，４５４，４５５，４５６，４５７，４５８と、貫通導体部４６１，４６２，４６３，４６４，４６５，４６６，４６７，４６８（貫通導体部４６４，４６５，４６６は図示略）と、実装端子４７１，４７２とが形成されている点が、上述したＬＥＤモジュール１１３と異なる。
　ボンディングパッド４５１，４５２，４５３，４５４，４５５，４５６，４５７，４５８は、たとえばＡｇまたはＣｕからなる。ボンディングパッド４５１，４５４には、２つのＬＥＤチップ２０１が各別に搭載されている。ボンディングパッド４５２，４５３には、一方のＬＥＤチップ２００につながる２つのワイヤ５００がボンディングされている。ボンディングパッド４５５，４５６には、他方のＬＥＤチップ２００につながる２つのワイヤ５００がボンディングされている。ボンディングパッド４５７には、ＬＥＤチップ２００が搭載されており、ボンディングパッド４５８には、ＬＥＤチップ２０１につながるワイヤ５００がボンディングされている。
　このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１１４の高輝度化を図ることができる。また、３つのＬＥＤチップ２００，２０１からの赤色光、緑色光、青色光を混色させることにより、白色光を出射することができる。
　図３１および図３２は、本発明の第１５実施形態に基づくＬＥＤモジュールを示している。本実施形態のＬＥＤモジュール１１５は、２つのリード４４１，４４２と、ＬＥＤチップ２００と、樹脂パッケージ７００と、を備えており、いわゆる砲弾タイプのＬＥＤモジュールとして構成されている点が上述したＬＥＤモジュール１０１～１１４と異なる。
　リード４４１，４４２は、互いに略平行に延びる棒状であり、一部ずつが樹脂パッケージ７００から露出している。これらの露出した部分は、ＬＥＤモジュール１１５を回路基板などに実装するために用いられる。
　リード４４１には、カップ部４４３およびボンディング部４４４が形成されている。カップ部４４３は、リード４４１の上端付近に形成されており、その底面にＬＥＤチップ２００が搭載されている。この底面のうちＬＥＤチップ２００によって覆われていない部分は、白色樹脂２８０によって覆われている。ボンディング部４４４は、カップ部４４３に隣り合った位置にあり、ＬＥＤチップ２００に接続された２つのワイヤ５００の一方がボンディングされている。
　リード４４２の上端には、ボンディング部４４５が形成されている。ボンディング部４４５には、ＬＥＤチップ２００に接続された２つのワイヤ５００の他方がボンディングされている。
　封止樹脂７００は、ＬＥＤチップ２００とリード４４１，４４２の一部ずつとを覆っており、円柱状の部分とドーム状の部分とを有する。このドーム状の部分は、レンズ７０２とされている。レンズ７０２は、ＬＥＤチップ２００からの光の指向性を高めるためのものである。
　このような実施形態によっても、ＬＥＤモジュール１１５の高輝度化を図ることができる。
　本発明に係るＬＥＤモジュールは、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係るＬＥＤモジュールの各部の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。

Claims (21)

  1. 　Ｓｉからなるサブマウント基板、および上記サブマウント基板上に積層された半導体層を有する、１以上のＬＥＤチップと、
    　上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層された面につながる側面の少なくとも一部を覆っており、かつ上記半導体層からの光を透過しない不透明樹脂と、を備える、ＬＥＤモジュール。
  2. 　上記不透明樹脂は、白色である、請求項１に記載のＬＥＤモジュール。
  3. 　上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の側面のすべてを覆っており、かつ上記半導体層を露出させている、請求項１または２に記載のＬＥＤモジュール。
  4. 　上記サブマウント基板には、上記半導体層に過大な逆電圧が印加されることを回避するためのツェナーダイオードが作りこまれている、請求項１ないし３のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  5. 　上記半導体層は、青色光または緑色光を発する、請求項４に記載のＬＥＤモジュール。
  6. 　基材および配線パターンを有する基板をさらに備えており、
    　上記ＬＥＤチップは、上記基板に搭載されている、請求項１ないし５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  7. 　上記サブマウント基板と上記配線パターンとを接続する２つのワイヤを備えており、
    　上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記配線パターンとの接合部に達しない領域に設けられている、請求項６に記載のＬＥＤモジュール。
  8. 　上記サブマウント基板と上記配線パターンとを接続する１つのワイヤを備えているとともに、
    　上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面と上記配線パターンとは導通接合されており、
    　上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記配線パターンとの接合部に達しない領域に設けられている、請求項６に記載のＬＥＤモジュール。
  9. 　上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、２つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記配線パターンと導通接合されている、請求項６に記載のＬＥＤモジュール。
  10. 　上記基板に取り付けられており、かつ上記ＬＥＤチップを囲む反射面を有するリフレクタと、
    　上記ＬＥＤチップを覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている、請求項６ないし９のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  11. 　上記基板上に形成されており、かつ上記ＬＥＤチップを覆っているとともに、上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備える、請求項６ないし９のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  12. 　複数のリードを備えており、
    　上記ＬＥＤチップは、上記複数のリードのいずれかに搭載されている、請求項１ないし５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  13. 　上記サブマウント基板と上記複数のリードとを接続する２つのワイヤを備えており、
    　上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記複数のリードとの接合部に達しない領域に設けられている、請求項１２に記載のＬＥＤモジュール。
  14. 　上記サブマウント基板と上記複数のリードとを接続する１つのワイヤを備えているとともに、
    　上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面と上記複数のリードのいずれかとは導通接合されており、
    　上記不透明樹脂は、上記サブマウント基板の上記側面から上記ワイヤと上記複数のリードとの接合部に達しない領域に設けられている、請求項１２に記載のＬＥＤモジュール。
  15. 　上記サブマウント基板のうち上記半導体層が積層されている面と反対側の面には、２つの電極パッドが形成されているとともに、これらの電極パッドが上記複数のリードと導通接合されている、請求項１２に記載のＬＥＤモジュール。
  16. 　上記複数のリードの少なくとも一部ずつを覆っており、かつ上記ＬＥＤチップを囲む反射面を有するリフレクタと、
    　上記ＬＥＤチップを覆い、かつ上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂と、をさらに備えている、請求項１２ないし１５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  17. 　上記複数のリードの少なくとも一部ずつおよび上記ＬＥＤチップを覆っているとともに、上記ＬＥＤチップからの光を透過させる封止樹脂をさらに備える、請求項１２ないし１５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  18. 　２つのリードを備えており、
    　一方の上記リードの先端には、上記ＬＥＤチップが搭載されており、
    　他方の上記リードの先端には、上記サブマウント基板と導通させるワイヤが接合されており、
    　上記２つのリードの先端および上記ＬＥＤチップを覆っているとともに、上記ＬＥＤチップからの光を透過させ、かつ上記ＬＥＤチップからの光の指向性を高めるレンズを有する封止樹脂を備える、請求項１ないし５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  19. 　上記一方のリードの先端には、底面に上記ＬＥＤチップが搭載されたカップ部が形成されており、
    　上記底面のうち上記ＬＥＤチップに覆われていない部分は、上記不透明樹脂によって覆われている、請求項１８に記載のＬＥＤモジュール。
  20. 　２つの上記ＬＥＤチップと、
    　一方の面が導通接続される電極面とされ、この一方の面と反対側を向く面にワイヤが接続された追加のＬＥＤチップと、を備えており、
    　上記不透明樹脂は、上記追加のＬＥＤチップを露出させている、請求項１ないし５のいずれかに記載のＬＥＤモジュール。
  21. 　２つの上記ＬＥＤチップの一方は青色光を発し、他方は緑色光を発するとともに、
    　上記追加のＬＥＤチップは、赤色光を発する、請求項２０に記載のＬＥＤモジュール。
PCT/JP2011/073386 2010-10-12 2011-10-12 Ｌｅｄモジュール WO2012050110A1 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/822,495 US10050179B2 (en) 2010-10-12 2011-10-12 LED module
JP2012538687A JP6131048B2 (ja) 2010-10-12 2011-10-12 Ｌｅｄモジュール
US16/040,082 US10749079B2 (en) 2010-10-12 2018-07-19 LED module
US16/926,940 US10950759B2 (en) 2010-10-12 2020-07-13 LED module

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010-229924 2010-10-12
JP2010229924 2010-10-12

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
US13/822,495 A-371-Of-International US10050179B2 (en) 2010-10-12 2011-10-12 LED module
US16/040,082 Continuation US10749079B2 (en) 2010-10-12 2018-07-19 LED module

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012050110A1 true WO2012050110A1 (ja) 2012-04-19

Family

ID=45938339

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2011/073386 WO2012050110A1 (ja) 2010-10-12 2011-10-12 Ｌｅｄモジュール

Country Status (3)

Country Link
US (3) US10050179B2 (ja)
JP (1) JP6131048B2 (ja)
WO (1) WO2012050110A1 (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8458781B2 (en) 2011-08-15 2013-06-04 Bank Of America Corporation Method and apparatus for token-based attribute aggregation
JP2013171924A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
US8572686B2 (en) 2011-08-15 2013-10-29 Bank Of America Corporation Method and apparatus for object transaction session validation
US8572724B2 (en) 2011-08-15 2013-10-29 Bank Of America Corporation Method and apparatus for network session validation
US8572687B2 (en) 2011-08-15 2013-10-29 Bank Of America Corporation Apparatus and method for performing session validation
US8726340B2 (en) 2011-08-15 2014-05-13 Bank Of America Corporation Apparatus and method for expert decisioning
US8752157B2 (en) 2011-08-15 2014-06-10 Bank Of America Corporation Method and apparatus for third party session validation
US8752123B2 (en) 2011-08-15 2014-06-10 Bank Of America Corporation Apparatus and method for performing data tokenization
DE102013100576A1 (de) * 2013-01-21 2014-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
US8850515B2 (en) 2011-08-15 2014-09-30 Bank Of America Corporation Method and apparatus for subject recognition session validation
US9159065B2 (en) 2011-08-15 2015-10-13 Bank Of America Corporation Method and apparatus for object security session validation
US9253197B2 (en) 2011-08-15 2016-02-02 Bank Of America Corporation Method and apparatus for token-based real-time risk updating
US9361443B2 (en) 2011-08-15 2016-06-07 Bank Of America Corporation Method and apparatus for token-based combining of authentication methods
JP2020053639A (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101783955B1 (ko) * 2011-02-10 2017-10-11 삼성디스플레이 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛
US10559723B2 (en) * 2017-08-25 2020-02-11 Rohm Co., Ltd. Optical device
JP6967961B2 (ja) * 2017-12-21 2021-11-17 スタンレー電気株式会社 車両用灯具用光源ユニット及び車両用灯具
CN112782889B (zh) * 2021-02-10 2022-03-08 Tcl华星光电技术有限公司 背光模组及其制作方法、液晶显示装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055632A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2007194525A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2009260073A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2010206138A (ja) * 2009-03-06 2010-09-16 Nichia Corp 発光装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5689106A (en) * 1994-12-22 1997-11-18 Santa Barbara Research Center Optical device assembly having a metallic bump bonding together two planar optical components, and its preparation
JPH11186326A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置
JP2002261333A (ja) * 2001-03-05 2002-09-13 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
DE10229067B4 (de) * 2002-06-28 2007-08-16 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4201167B2 (ja) 2002-09-26 2008-12-24 シチズン電子株式会社 白色発光装置の製造方法
WO2004113922A2 (en) 2003-06-19 2004-12-29 Applied Precision, Llc System and method employing photokinetic techniques in cell biology imaging applications
JP4166136B2 (ja) 2003-09-24 2008-10-15 ローム株式会社 チップ型ｌｅｄ
JP4493013B2 (ja) 2003-10-08 2010-06-30 日亜化学工業株式会社 半導体装置
KR100632002B1 (ko) * 2005-08-02 2006-10-09 삼성전기주식회사 보호 소자를 포함하는 측면형 발광 다이오드
JP4306772B2 (ja) 2006-10-05 2009-08-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP5102051B2 (ja) * 2007-01-18 2012-12-19 シチズン電子株式会社 半導体発光装置
WO2011122665A1 (ja) * 2010-03-30 2011-10-06 大日本印刷株式会社 Ｌｅｄ用リードフレームまたは基板、半導体装置、およびｌｅｄ用リードフレームまたは基板の製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004055632A (ja) * 2002-07-17 2004-02-19 Toshiba Corp 半導体発光装置
JP2007194525A (ja) * 2006-01-23 2007-08-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置
JP2009260073A (ja) * 2008-04-17 2009-11-05 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光装置
JP2010206138A (ja) * 2009-03-06 2010-09-16 Nichia Corp 発光装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8752157B2 (en) 2011-08-15 2014-06-10 Bank Of America Corporation Method and apparatus for third party session validation
US9159065B2 (en) 2011-08-15 2015-10-13 Bank Of America Corporation Method and apparatus for object security session validation
US8572686B2 (en) 2011-08-15 2013-10-29 Bank Of America Corporation Method and apparatus for object transaction session validation
US8572724B2 (en) 2011-08-15 2013-10-29 Bank Of America Corporation Method and apparatus for network session validation
US8572687B2 (en) 2011-08-15 2013-10-29 Bank Of America Corporation Apparatus and method for performing session validation
US8726340B2 (en) 2011-08-15 2014-05-13 Bank Of America Corporation Apparatus and method for expert decisioning
US9361443B2 (en) 2011-08-15 2016-06-07 Bank Of America Corporation Method and apparatus for token-based combining of authentication methods
US9253197B2 (en) 2011-08-15 2016-02-02 Bank Of America Corporation Method and apparatus for token-based real-time risk updating
US8458781B2 (en) 2011-08-15 2013-06-04 Bank Of America Corporation Method and apparatus for token-based attribute aggregation
US8850515B2 (en) 2011-08-15 2014-09-30 Bank Of America Corporation Method and apparatus for subject recognition session validation
US8752123B2 (en) 2011-08-15 2014-06-10 Bank Of America Corporation Apparatus and method for performing data tokenization
JP2013171924A (ja) * 2012-02-20 2013-09-02 Stanley Electric Co Ltd 発光装置及びその製造方法
DE102013100576A1 (de) * 2013-01-21 2014-08-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil
JP2020053639A (ja) * 2018-09-28 2020-04-02 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法
JP7372512B2 (ja) 2018-09-28 2023-11-01 日亜化学工業株式会社 発光装置および発光装置の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20130175559A1 (en) 2013-07-11
US20180331260A1 (en) 2018-11-15
US10950759B2 (en) 2021-03-16
JPWO2012050110A1 (ja) 2014-02-24
JP6131048B2 (ja) 2017-05-17
US20200343415A1 (en) 2020-10-29
US10749079B2 (en) 2020-08-18
US10050179B2 (en) 2018-08-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6131048B2 (ja) Ｌｅｄモジュール
US10056357B2 (en) Semiconductor light emitting device
JP4990355B2 (ja) 半導体発光デバイスパッケージのサブマウント及びそのサブマウントを備える半導体発光デバイスパッケージ
JP5528900B2 (ja) 発光素子モジュール
US10193040B2 (en) LED package with a plurality of LED chips
US8158996B2 (en) Semiconductor light emitting device package
WO2013168802A1 (ja) Ｌｅｄモジュール
US9293663B1 (en) Light-emitting unit and semiconductor light-emitting device
CN105977246A (zh) 发光器件
TW201409770A (zh) 發光裝置
CN106997888B (zh) 发光二极管显示装置
JP7212753B2 (ja) 半導体発光装置
KR20120094280A (ko) 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP3140595U (ja) 発光半導体素子
JP5939977B2 (ja) Ｌｅｄモジュール
KR20120075180A (ko) 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
JP2010225755A (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
KR101363980B1 (ko) 광 모듈 및 그 제조 방법
KR101911866B1 (ko) 발광 소자 패키지
JP2013004834A (ja) Ｌｅｄモジュール
JP5809440B2 (ja) Ｌｅｄモジュール
CN205920987U (zh) 发光二极管封装件
KR20170061225A (ko) 반도체 발광소자
KR20170061226A (ko) 반도체 발광소자
KR20120104817A (ko) 발광소자 패키지

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 11832545

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2012538687

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 13822495

Country of ref document: US

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 11832545

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1