CN105977246A - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种发光器件。发光器件包括：主体；第一和第二引线框架，该第一和第二引线框架被耦合到主体；第一发光芯片，该第一发光芯片在第一引线框架上；第二发光芯片，该第二发光芯片在第二引线框架上；以及反射框架，该反射框架在主体、第一和第二引线框架上。反射框架包括其中被设置有第一发光芯片的第一开口和其中被设置有第二发光芯片的第二开口。

Description

发光器件
技术领域
本公开涉及一种发光器件。
本公开涉及一种具有多个发光芯片的发光器件。
本公开涉及具有发光器件的灯单元。
背景技术
发光二极管(LED)是将电能转换成光的半导体器件并且替代传统的荧光灯和辉光灯被广泛地用作下一代光源。
因为LED使用半导体器件产生光，所以与通过对钨加热产生光的辉光灯或者通过激励通过高压放电产生的紫外线以与荧光物质碰撞产生光的荧光灯相比较LED可以呈现低功耗。
另外，因为LED使用半导体的位势差产生光，所以当与传统的光源相比较时LED具有寿命长、快速响应特性、以及环保特性。
在这一点上，已经执行各种研究和调查以将传统的光源替代成LED。LED被越来越多地用作用于诸如在室内和室外使用的各种灯的照明装置、液晶显示器、电子标识牌以及街灯的光源。
发明内容
实施例提供一种具有被耦合到主体的反射框架并且具有与多个发光芯片中的每一个相对应的开口的发光器件。
实施例提供具有被设置在主体上的金属反射框架和同时包围多个发光芯片中的每一个的多个引线框架的发光器件。
实施例提供一种发光器件，该发光器件包括具有比第二轴方向的长度长的第一轴方向的长度的主体、以及被耦合到主体的第二轴方向的内部的多个引线框架。
根据实施例，发光器件包括：主体；第一和第二引线框架，该第一和第二引线框架被耦合到主体；第一发光芯片，该第一发光芯片被设置在第一引线框架上；第二发光芯片，该第二发光芯片被设置在第二引线框架上；以及反射框架，该反射框架被设置在主体、第一引线框架以及第二引线框架上。反射框架包括彼此分开的多个开口，并且开口包括其中被设置有第一发光芯片的第一开口和其中被设置有第二发光芯片的第二开口。
根据实施例，发光器件包括：主体，该主体具有腔体；第一和第二引线框架，该第一和第二引线框架被耦合到主体并且被设置在腔体中的不同区域处；第三和第四引线框架，该第三和第四引线框架被耦合到主体并且被布置在第一和第二引线框架之间；第一发光芯片，该第一发光芯片被设置在第一引线框架上；第二发光芯片，该第二发光芯片被设置在第二引线框架上；以及反射框架，该反射框架被设置在主体上，包括敞开第一发光芯片的上部分的第一开口，敞开第二发光芯片的上部分的第二开口；以及分离部，该分离部在第一和第二开口之间。主体包括彼此相对的第一和第二横向侧部分和彼此相对的第三和第四横向侧部分。第一和第二横向侧部分的长度比第三和第四横向侧部分的长，并且第一引线框架包括从主体的第一横向侧部分突出的第一引线部和从主体的第二横向侧部分突出的第二引线部。第二引线框架包括从主体的第一横向侧部分突出的第三引线部和从主体的第四横向侧部分突出的第四引线部。第三引线框架包括从主体的第一横向侧部分突出的第五引线部，以及第四引线框架包括从主体的第二横向侧部分突出的第六引线部。
附图说明
图1是示出根据实施例的发光器件的透视图。
图2是示出图1的发光器件的底表面的透视图。
图3是示出不具有图2的反射框架的发光器件的视图。
图4是示出图3的发光器件的底视图。
图5是示出图2的反射框架的透视图。
图6是示出图5的反射框架的平面图。
图7是示出图6的反射框架的底视图。
图8是沿着图1的发光器件的线A-A截取的截面图。
图9是图8的局部放大视图。
图10是沿着图1的发光器件的线B-B截取的截面图。
图11是沿着图1的发光器件的线C-C’截取的截面图。
图12是沿着图1的发光器件的线D-D’截取的截面图。
图13是示出图8的发光器件的另一示例的截面图。
图14是示出图8的发光器件的另一示例的截面图。
图15是示出具有图8的发光器件的灯单元的视图。
图16是示出根据实施例的发光器件的发光芯片的示例的截面图。
具体实施方式
在实施例的描述中，将会理解的是，当基板、框架、片、层、或者图案被称为是在另一基板、另一框架、另一片、或者另一图案“上”或者“下”时，其能够“直接地”或者“间接地”在另一基板、另一框架、另一片、另一层、或者另一图案上，或者也可以存在一个或者多个中间层。参考附图已经描述了层的这样的位置。
对于本领域的技术人员来说基于其描述和附图将会显然地理解下面的实施例。另外，相同的附图标记将会被指配给相同的元件。
在下文中，将会参考附图描述根据实施例的发光器件。
图1是示出根据实施例的发光器件的透视图。图2是示出图1的发光器件的底表面的透视图。图3是示出不具有图2的反射框架的发光器件的视图。图4是示出图3的发光器件的底视图。图5是示出图2的反射框架的透视图。图6是示出图5的反射框架的平面图。图7是示出图6的反射框架的底视图。图8是沿着图1的发光器件的线A-A截取的截面图。图9是图8的部分放大视图。图10是沿着图1的发光器件的线B-B截取的截面图。图11是沿着图1的发光器件的线C-C截取的截面图。图12是沿着图1的发光器件的线D-D截取的截面图。
参考图1至图12，发光器件300包括：主体110；多个引线框架125、135、145以及155、其至少一部分被耦合到主体110；多个发光芯片100和101，被设置在引线框架125、135、145以及155之中的相互不同的引线框架125和135上；以及反射框架310，该反射框架310被设置在主体110上。
125、135、145以及155中的至少两个可以被耦合到主体110，并且至少一个或者多个发光芯片100和101可以被设置在引线框架125、135、145以及155中的至少两个中。为了方便解释，将会描述提供至少两个引线框架，详细地，四个引线框架的示例。
主体110可以是由绝缘反射材料形成，并且反射材料可以是由关于从发光芯片100和101发射的波长具有比透射率更高的反射率，例如，至少70％的反射率，的材料形成。当反射率至少是70％时，主体110可以是由非透射材料形成。主体110可以是由树脂基绝缘材料，例如，诸如聚邻苯二甲酰胺(PPA)的树脂材料形成。主体110可以包括：包括硅、环氧树脂的热固性树脂，诸如塑料材料、高耐热性材料、或者高耐光性材料的热固性树脂。基于硅基材料的主体110包括白基树脂。另外，主体110可以选择性地包含酸酐、抗氧化剂、脱模剂、光学反射体、无机填充剂、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂或二氧化钛。可以通过使用选自下述中的至少一种来模制主体110：环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸树脂和聚氨酯树脂。例如，通过使用B-阶段固态环氧树脂组合物可以形成主体110，B-阶段固态环氧树脂组合物可以通过如下获得：将诸如异氰尿酸三缩水甘油酯或氢化物双酚A二缩水甘油醚(hydride bisphenol A diglycidylether)的环氧树脂与诸如六氢化邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢化邻苯二甲酸酐或4-甲基六氢化邻苯二甲酸酐的酸酐助催化剂进行混合，然后在添加作为固化加速剂的DBU(1.8-二氮杂二环(5,4,0)十一碳烯-7)和作为环氧树脂的助催化剂的乙二醇、钛氧化物颜料或玻璃纤维之后部分地固化混合物，但实施方式不限于此。另外，主体110可以包含热固树脂与选自以下中的至少一种的混合物：扩散剂、颜料、荧光材料、反射材料、遮光材料、光稳定剂和润滑剂。
主体110可以包括反射材料，例如，通过将金属氧化物添加到诸如环氧或者硅的树脂材料形成的树脂材料，并且金属氧化物可以包括TiO2、SiO2、以及Al2O3中的至少一个。主体110可以有效地反射入射光。可替选地，主体110可以是由透射树脂材料或者具有荧光体以转换入射光的波长的树脂材料形成。
如在图3和图4中所示，主体110可以包括多个外表面，例如，至少四个横向侧部分111、112、113以及114。四个横向侧部分111、112、113以及114中的至少一个或者全部可以相对于主体110的底表面倾斜。关于主体110的第一至第四横向侧表面111、112、113、以及114，第一和第二横向侧部分111和112位于彼此相对，并且第三和第四横向侧部分113和114位于彼此相对。第一和第二横向侧部分111和112具有第二长度D2，并且第二长度D2可以是第一和第二横向侧部分111和112的最大长度。第三和第四横向侧部分113和114具有第一长度D1，并且第一长度D1可以是第三和第四横向侧部分113和114的最大长度。第二长度D2可以不同于第一长度D1。例如，第二长度D2可以比第一长度D1更长，例如，范围可以从比第一长度D1长一倍到三倍。第一和第二横向侧部分111和112可以是比第三和第四横向侧部分113和114长的横向侧，并且第三和第四横向侧部分113和114可以是比第一和第二横向侧部分111和112的横向侧短的横向侧。
第一横向侧部分111或者第二横向侧部分112的第二长度D2可以是在第三横向侧部分113和第四横向侧部分114之间的最大间隔。主体110的纵向方向可以被定义为第一轴(X)方向，并且主体110的横向方向可以被定义为第二轴(Y)方向，其垂直于第一轴(X)方向。是第一至第四横向侧部分111、112、113以及114之中的边界区域的拐角部分可以被形成角度或者弯曲，但是实施例不限于此。
主体110的长度，在第一轴(X)方向中的延伸长度，可以是第一和第二横向侧部分111和112的第二长度D2。主体110的宽度，在第二轴(Y)方向中的延伸长度，可以是第一长度D1。主体110的第二长度D2范围可以是比第一长度D1长一倍到三倍。详细地，第二长度D2范围可以比第一长度D1长1.3倍到两倍。如果第二长度D2超过第一长度D1三倍，则在引线框架125、135、145以及155之中的边界区域的刚度可能减小。另外，如果第二长度D2等于或者小于比第一长度D1长的一倍，则具有大的区域的多个发光器件不可以被设置在一个发光器件中。在这样的情况下，发光芯片110和101中的每一个可以是具有至少0.6mm，详细地，至少1mm的宽度和高度的芯片。具有上述尺寸的芯片可以是大尺寸的芯片。因为第一主体110的第二长度D2等于或者小于第一长度D1三倍，所以可以防止主体110的中间部分在诸如注入模制工艺的制造工艺中被弯曲或者破坏。
主体110包括具有敞开的上部分的腔体140。引线框架125、135、145以及155被设置在腔体140的底部上。引线框架125、135、145以及155的上表面可以被设置为低于主体110的顶表面115。如在图8至图12中所示，腔体140的内侧壁R1可以倾斜或者垂直于主体110的平坦的底表面。内侧壁R1可以进一步包括在引线框架125、135、145以及155的倾斜表面和顶表面之间的垂直的表面。
如在图1和图3中所示，第一引线框架125被耦合到与主体110的第三横向侧部分113相邻的区域，并且第二引线框架135可以被耦合到与主体110的第四横向侧部分114相邻的区域。主体110具有低于主体110的顶表面115的腔体140，并且腔体140可以被设置成从主体110凹进的形状，但是实施例不限于此。
引线框架125、135、145以及155可以被设置在腔体140的底表面上。引线框架125、135、145以及155可以包括被设置在腔体140的第一区域处的第一引线框架125、被设置在腔体140的第二区域处的第二引线框架135、以及被设置在腔体140的中心处，即，在第一和第二区域之间的第三区域处的第三和第四引线框架145和155。
可以通过腔体140的底表面暴露第一至第四引线框架125、135、145以及155的顶表面的一部分。可以通过腔体140的第一区域暴露第一引线框架125，并且可以通过腔体140的第二区域暴露第二引线框架135。可以通过腔体140的中心区域暴露第三和第四引线框架145和155。腔体140的第一区域可以与主体110的第一、第二以及第三横向侧部分111、112以及113相邻。腔体140的第二区域可以与主体110的第一、第二、以及第四横向侧部分111、112、以及114相邻。
第一和第二横向框架125和135中的每一个可以被排列在主体110的第二轴(Y)方向中。第三和第四引线框架145和155可以在主体110的第二轴(Y)方向中彼此排列成直线。第一和第二引线框架125和135可以彼此平行地排列。第一和第二引线框架125和135可以在主体110的第二轴(Y)方向中具有比延伸长度更长的长度D21。如果第一和第二引线框架125和135被排列在主体110的第一轴(X)方向中，则仅一个引线部从主体110的第三和第四横向侧部分113和114突出，并且不可以确保放置第三和第四引线框架145和155的空间。另外，在其上可以排列发光芯片100和101的第一和第二引线框架125和135的热辐射区域不可以被确保，使得可能降低热辐射效率。
被设置在发光芯片100和101下方的、根据实施例的第一和第二引线框架125和135在宽度方向或者第二轴(Y)方向中延伸，并且多个引线部127、128、137以及138可以从主体110的第一和第二横向侧部分111和112突出。因此，在其上设置发光芯片100和101的第一和第二引线框架125和135被排列在垂直于主体110的第二长度D2的轴方向，具体地，第二轴(Y)方向中，从而确保热辐射区域，并且改进发光器件300的热辐射效率。
如在图1至图4和图10中所示，第一引线框架125被耦合到主体110，并且被排列在腔体140的第一区域的下方。第一引线框架125包括彼此相对的、从主体110的横向侧部分突出的第一和第二引线部127和128。第一引线部127通过主体110的第一横向侧部分111突出，并且第二引线部128通过主体110的第二横向侧部分112突出。因为第一引线框架125具有在主体110的较短轴方向中突出的第一和第二引线部127和128，所以可以改进热辐射区域。因为具有第一和第二引线部127和128的第一引线框架125具有比主体110的第二长度D1更长的长度D21，所以可以改进结合区域和电气可靠性。
如在图8和图10中所示，被暴露于腔体140的第一引线框架125的长度L1或者宽度W1可以是一致的或者变化。例如，长度L1或者宽度W1可以是1.0mm或者更多，详细地，可以范围从1.0mm至3.5mm。如果长度L1或者宽度W1可能小于该范围，则第一发光芯片100不可以被安装，并且如果长度L1或者宽度W1大于该范围，则可能增加封装尺寸。
如在图1至图4以及图11中所示，第二引线框架135可以被设置在腔体140的第二区域下方，并且被耦合到主体110。第二引线框架135包括突出到主体110的相对横向侧部分的第三和第四引线部137和138。第三引线部137通过主体110的第一横向侧部分111突出，并且第四引线部138通过主体110的第二横向侧部分112突出。因为第二引线框架135具有在主体110的较短轴方向中突出的第三和第四引线部137和138，所以可以改进热辐射区域。因为具有第三和第四引线部137和138的第二引线框架135具有比主体110的第二长度D1更长的长度D21，所以可以改进结合区域和电气可靠性。
如在图8和图11中所示，被暴露于腔体140的第二引线框架135的长度L2或者宽度W2可以是一致的或者变化。例如，长度L2或者宽度W2可以是1.0mm或者更多，详细地，可以范围从1.0mm至3.5mm。如果长度L2或者宽度W2可能小于该范围，则第二发光芯片101不可以被安装，并且如果长度L2或者宽度W2大于该范围，则可能增加该封装大小。长度L2可以等于或者不同于第一引线框架125的长度L1。例如，L1：L2的比率可以在3:1至1:3的范围中，但是实施例不限于此。
如在图1至图4以及图12中所示，第三引线框架145被设置在第一和第二引线框架125和135之间，并且包括突出到主体110的第一和第二横向侧部分111和112中的一个的第五引线部147。例如，第一引线部147通过主体110的第一横向侧部分111突出，并且被布置在第一和第三引线部127和137之间。如在图8和图12中所示，被暴露于腔体140的第三引线框架145的长度L3可以是120μm或者更长，例如，150μm或者更长。如果长度L3小于上述值，则第一保护芯片102的结合工艺可能是困难的。被暴露于腔体140的第三引线框架145的宽度W3可以大于第三引线框架145的长度L3，可以提供用于要被结合到第一保护芯片102的布线的结合空间。
因为第五引线部147以大于第三引线框架145的内部的宽度接触主体110，所以在第五引线部147和主体110之间的接触面积可以被增加，并且在第五引线部147和主体110之间的耦合强度可以被增强。因此，第三引线框架145的分离可以被防止。第三引线框架145的内部可以是腔体140的底表面。
第四引线框架155被设置在被布置在第一和第二引线框架125和135之间的区域处，并且包括突出到主体110的第一和第二横向侧部分111和112中的另一个的第六引线部157。例如，第六引线部157通过主体110的第二横向侧部分112突出，并且被布置在第二和第四引线部128和138之间。被暴露于腔体140的第四引线框架155的长度可以等于第三引线框架145的长度L3。被暴露于腔体140的第四引线框架155的宽度W4可以等于第三引线框架145的宽度W3。因为第六引线框架157以大于第四引线框架155的内部的宽度的宽度接触主体110，所以在第六引线部157和主体110之间的接触面积可以增加，并且在第六引线部157和主体110之间的耦合强度可以增强。因此，第四引线框架155的分离可以被防止。第四引线框架155的内部可以是腔体140的底表面。
如在图3和图4中所示，第一、第三、以及第五引线部127、137以及147从第一横向侧部分111向外突出，并且第二、第四以及第六引线部128、138以及157从第二横向侧部分112向外突出。第一、第三以及第五引线部127、137、147在与第一、第三、以及第五引线部127、137以及147的方向相对的方向中突出。突出到主体110的第一横向侧部分111的引线部127、137以及147和突出到第二横向侧部分112的引线部128、138以及157可以用作测试端子或者结合端子。
在第一和第二引线框架127和137之间，并且在从第一横向侧部分111突出的第三引线部137和第五引线部147之间的间隔K1和K2可以彼此相等或者不同，并且可以比第一和第二间隙部分116和117的宽度G3和G4更宽。在第二和第四引线部128和138之间，并且在从第二横向侧部分116和117突出的第四引线部138和157、第二、第四以及第六引线部128、138和157之间的间隔，可以彼此相等或者不同。如在图8中所示，在第二和第四引线部128和138之间，并且在第四引线部138和157之间的间隔可以比第一和第二间隙部分116和117的宽度G3和G4更宽。在相邻的引线部之间的间隔G3和G4可以比引线部127、128、137、138、147以及157的宽度D7、D8、D9更窄。
第一至第四引线部分127、128、137以及138的宽度D7和D8可以彼此相等，但是实施例不限于此。第一至第四引线部127、128、137以及138的宽度D7和D8的比率可以处于2:1至1:1的范围中。上述比率可以防止热辐射区域由于第一至第四引线部127、128、137以及138的区域而被减少，并且可以防止第五和第六引线部156和157发生故障。
如在图1至图4，和图8中所示，第一至第四引线框架125、135、145以及155的底表面可以被排列在与第一至第四引线部127、128、137、138、147以及157的相同的平面上。第一至第四引线框架125、135、145以及155的底表面可以被暴露于主体110的底表面。第一至第四引线部127、128、137、138、147以及157可以被排列在与主体110的底表面的相同的平面上。第一至第四引线部127、128、137、138、147以及157的底表面可以从主体110的底表面向外暴露。第一至第四引线框架125、135、145以及155可以与第一至第六引线部127、128、137、138、147以及157一起被结合到电路。第一至第六引线部127、128、137、138、147以及157可以从主体110的各个横向侧部分111和112突出了至少0.10mm，详细地，至少0.15mm。可以为作为测试端子或者引线端子的功能提供第一至第六引线部127、128、137、138、147以及157的突出长度。第一至第四引线框架125、135、145以及155可以包括金属材料，例如，钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)、以及磷(P)。第一至第四引线框架125、135、145以及155可以被形成在单金属层或者多金属层上。第一至第四引线框架125、135、145以及155可以具有相等的厚度。第一至第四引线框架125、135、145以及155可以用作提供电力的端子。
根据实施例的发光器件300可以包括多个发光芯片100和101。发光芯片100和101中的至少一个可以被设置在至少一个引线框架上。发光芯片100和101可以包括第一和第二发光芯片100和101。
第一发光芯片100被设置在腔体140中的第一引线框架125上，并且第二发光芯片101被设置在腔体140中的第二引线框架135上。第一发光芯片100可以通过粘合剂，例如，导电粘合剂，被结合到第一引线框架125，以与第一引线框架125电连接。第一发光芯片100可以通过第一连接构件171连接第三引线框架145，并且第一连接构件171包括导线。
导电粘合剂可以包括诸如焊料的结合材料。第二发光芯片101可以通过粘合剂，例如，导电粘合剂，被结合到第二引线框架135，以电连接到第二引线框架135。第二发光芯片101可以通过第二连接构件172被连接第二引线框架135。第二连接构件172包括导线。
第一和第二发光芯片100和101可以在可见光带到紫外线谱带的范围中选择性地发射光。例如，第一和第二发光芯片100和101可以包括从红色LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、黄绿色LED芯片、以及白色LED芯片之中选择的一个。第一和第二发光芯片100和101包括LED芯片，该LED芯片包括含II-V族元素的化合物半导体和II-VI族元素的化合物半导体中的至少一个。发光器件300可以包括具有大的面积，例如，至少0.6mm×0.6mm或者1mm×1mm的第一和第二发光芯片100和101，以便于改进光强度。可以通过发光二极管实现发光芯片100和101，并且发光二极管可以包括其他半导体器件，例如，齐纳二极管、FET或者JFET。
根据实施例的发光器件300可以包括多个保护芯片102和103。在引线框架125、135、145以及155之中，保护芯片102和103包括被设置在第三引线框架145上的第一保护芯片102和被设置在第四引线框架155上的第二保护芯片103。
使用导电粘合剂第一保护芯片102可以被结合到第三引线框架145以与第三引线框架145电连接，并且可以通过第三连接构件173被连接第一引线框架125。连接构件173包括导线。
使用导电粘合剂第二保护芯片103可以被结合到第四引线框架155以与第四引线框架155电连接，并且可以通过第四连接构件174连接第二引线框架135。连接构件174包括导线。
可以通过晶闸管、齐纳二极管或者TVS(瞬态电压抑制)中的至少一个实现第一和第二保护芯片102和103。第一发光芯片100可以被并联地连接第一保护芯片102，并且第二发光芯片101可以被并联地连接第二保护芯片103。第一和第二引线框架125和135用作发光芯片100和101的阴极，并且第三和第四引线框架145和155可以用作发光芯片100和101的阳极。
第一和第二保护芯片102和103可以电气地保护第一和第二发光芯片100和101。第一和第二保护芯片102和103的表面可以在其上被设置有反射材料。反射材料可以包括包含金属氧化物，例如，TiO2、SiO2、以及Al2O3中的至少一个的诸如硅或者环氧的树脂材料。反射材料可以防止光被吸收到第一和第二保护芯片102和103。
在腔体140中，在第三引线框架145被耦合到的内侧壁141与第一横向侧部分111之间的间隔可以比在第一或者第二引线框架125或者135被耦合到的内侧壁与第一横向侧部分111之间的间隔窄。第三引线框架145经过的主体110的顶表面的宽度可以比第一和第二引线框架125和135经过的主体110的顶表面的宽度窄。在腔体140中确保第三引线框架145的顶表面的面积，使得可以提供用于第一保护芯片102的针脚式结合工艺的空间。
在第四引线框架155被耦合的内侧壁142与第二横向侧部分112之间的间隔可以比在第一或者第二引线框架125或者135被耦合到的内侧壁与第二横向侧部分112之间的间隔窄。换言之，第四引线框架155经过的主体110的顶表面的宽度可以比第一和第二引线框架125和135经过的主体110的顶表面的宽度窄。在腔体140中确保第四引线框架155的顶表面的面积，使得可以提供用于第二保护芯片103的针脚式结合工艺的空间。
如在图2、图3、图8和图9中所示，第一间隙部分116可以被耦合到在第一引线框架125与第三和第四引线框架145和155之间的区域。第一间隙部分116可以是由于主体110的材料相同或者不同的材料形成。
第二间隙部分117可以被耦合到在第二引线框架135与第三和第四引线框架145和155之间的区域。第二间隙部分117是由与主体110的相同的材料形成，或者包括不同于主体110的材料的绝缘材料。第一和第二间隙部分116和117可以被相互连接。
如在图3和图12中所示，突起118可以在第一和第二间隙部分116和117之间的区域中突出。突起118可以是由与第一和第二间隙部分116和117相同的材料形成，并且可以连接第一和第二间隙部分116和117。突起118可以与主体10一体化。突起118被设置在第三和第四引线框架145和155之间的区域处。突起118可以从第三和第四引线框架145和155的顶表面的部分延伸，并且可以具有倾斜的圆周表面。突起118可以被耦合到第三和第四引线框架145和155，并且可以在垂直方向中被重叠第三和第四引线框架145和155的顶表面的部分。突起118可以具有圆形、多边形、椭圆形、以及多边形的边缘被成圆形的形状中的至少一个，但是实施例不限于此。突起118可以以具有朝着突起118的顶表面变窄的宽度的棱柱的形状突出。另外，当突起118的横向侧被弯曲时，在不同的方向中可以反射入射光。突起118的横向侧可以被设置成弯曲的形状替代用于光反射的成角度的表面。
凹进部分119被设置成与突起118相对。凹进部分119可以是孔，用于在注入模制工艺中要被耦合的注浇口。当在侧横截面视图中看时凹进部119可以具有多边形或者半球形，但是实施例不限于此。凹进部分119的深度可以低于第三和第四引线框架145和155的顶表面的深度。当凹进区域215的深度被形成到第三和第四引线框架145和155的顶表面的那些时，第一和第二间隙部分116和117的刚度可以减小。
突起118以预先确定的厚度T1突出，并且厚度T1可以等于或者高于第一和第二保护芯片102和103的顶表面的高度。突起118的顶表面可以被设置为低于第三和第四引线框架145和155的顶表面，并且可以低于主体110的顶表面115。突起118的顶表面可以被设置为高于第一间隙116和第二间隙部分(117)的顶表面。如果突起118没有突出，则在第三和第四引线框架145和155之间的耦合强度可能降低或者被去除。另外，如果突起118比厚度T1厚，则保护芯片102和103不可以被安装。如在图7中所示，突起118的宽度W5可以比被暴露于腔体140的底表面的第三和第四引线框架145和155的宽度W3和W4窄。在突起118中，长度与宽度的比率可以处于3:1至1:3的范围中，但是实施例不限于此。突起118和第一和第二间隙部分116和117可以被耦合到第三和第四引线框架145和155，以支撑第三和第四引线框架145和155。突起118可以位于第一和第二引线框架125和135的中心处，并且在第三和第四引线框架145和155之间的中心处。
如在图3、图4以及图8中所示，第一引线框架125可以在外围处具有一个和第二台阶结构211和212。第一和第二台阶结构211和212被耦合到主体110的一部分。在第一引线框架125的两个外部处，详细地，延沿着第一引线框架125的两个边缘，可以设置第一和第二台阶结构211和212。第一台阶结构211可以在主体110的宽度方向中被耦合到第三横向侧部分113的内部。第一台阶结构211可以在主体110的第一和第二横向侧部分111和112中延伸。第二台阶结构212可以沿着第一间隙部分116被耦合到第一间隙部分116。第一台阶结构212可以在主体110的第一和第二横向侧部分111和112延伸。第一和第二台阶结构211和212的深度可以从第一引线框架125的边缘以0.01mm或者更多，详细地，0.02mm或者更多，形成。如果深度小于该数值，则耦合强度可能降低。第一和第二台阶结构211和212的凹进深度可以处于第一引线框架125的厚度的1/3至1/2的范围内。当第一和第二台阶结构211和212的凹进深度超出范围时，耦合强度可能降低，或者台阶部分可能被破坏。
第一和第二台阶结构211和212包括台阶结构。可替选地，第一和第二台阶结构211和212可以包括被形成为倾斜形状或者弯曲形状的倾斜表面，但是实施例不限于此。第一和第二台阶结构211和212的长度D13可以大于图3的腔体140的宽度D11。在这样的情况下，腔体140的宽度D11可以是与粘合层250相邻的上区域的宽度。因此，第一和第二台阶结构211和212可以增加与主体110的接触面积。第一和第二台阶结构211和212的长度D13可以比主体110的第二长度D1短。第一和第二台阶结构211和212的主体110可以与主体110的第一和第二横向侧部分111和112的表面分开。
第一引线框架125的底宽度D3可以比第一引线框架125的顶宽度窄。第一引线框架125的顶宽度可以比第一引线框架125的底宽度宽。被设置在腔体140中的第一引线框架125的底宽度D3可以比第三和第四引线部127和128的宽度D7宽。在第一引线框架125中的底宽度D3和宽度D7之间的差可能至少是0.05mm，例如，处于0.05mm至0.2mm的范围内。如果差小于该范围，则在第一引线框架125和主体110之间的耦合强度可能降低。如果差大于该范围，则第一和第二引线框架127和128可能发生故障。第一和第二引线框架127和128以比被设置在主体110下方的第一引线框架125的低宽度D3窄的宽度D7突出，从而防止主体110的第一和第二横向侧部分111和112的刚度降低。
第二引线框架135可以在外围处具有第三和第四台阶结构215和216，并且第三和第四台阶结构215和216可以被耦合到主体110的一部分。可以在第二引线框架135的两个外部处，详细地，沿着第二引线框架135的两个边缘，设置第三和第四台阶结构215和216。沿着第四横向侧部分114第三台阶结构215可以被耦合到第四横向侧部分114的内部。第三台阶结构215可以在主体110的第一和第二横向侧部分111和112延伸。沿着第二间隙部分117第四台阶结构216可以被耦合到第二间隙部分117的内部。第四台阶结构216可以在主体110的第一和第二横向侧部分111和112中延伸。第三和第四台阶结构215和216的深度可以从第二引线框架135的边缘以0.01mm或者更大，详细地，0.02mm或者更大，被形成。如果深度小于数值，则耦合强度可能被降低。第三和第四台阶结构215和216的凹进高度可以处于第二引线框架135的厚度的1/3至1/2的范围中。当第三和第四台阶结构215和216的凹进高度超出范围时，耦合强度可能被降低，或者台阶部分可能被破坏。
第三和第四台阶结构215和216包括台阶结构。可替选地，第三和第四台阶结构215和216可以包括被形成为倾斜形状或者弯曲形状的倾斜表面，但是实施例不限于此。第三和第四台阶结构215和216的长度D13可以比图3的腔体140的宽度D11长，并且比主体110的第一长度D1短。因此，第三和第四台阶结构215和216可能由于长度D13增加与主体110的接触面积。第三和第四台阶结构215和216可以与主体110的第一和第二横向侧部分111和112的表面分开。
第二引线框架135的底宽度D4可以比第二引线框架135的顶宽度窄。第二引线框架135的顶宽度可以比第二引线框架135的底宽度宽。被设置在腔体140中的第二引线框架135的底宽度D4可以比第三和第四引线部137和138的宽度D8宽。第一和第二引线框架125和135可以在主体110的宽度方向中以比主体110的第一长度D1长的长度延伸。因此，第一和第二引线框架125和135中的每一个通过相互不同的横向侧突出引线部127、128、137以及138，使得可以改进热辐射效率。
参考图3、图4以及图12，第三引线框架145在其外围处包括第五台阶结构213。一个第五台阶结构213或者多个第五台阶结构213被设置在第三引线框架145的外围处，并且被耦合到主体110的一部分。第五台阶结构213可以被耦合到第一和第二间隙部分116和117以及突起118。由于第五台阶结构213，第三引线框架145可以具有比底表面面积宽的顶表面面积。第五台阶结构213可以与主体110的第一横向侧部分111的表面分开。第五台阶结构213的深度可以从第三引线框架145的边缘以0.01mm或者更多，详细地，0.02mm或者更多，形成。如果深度低于该数值，则耦合强度可能降低。第五台阶结构213的凹进高度可以处于第三引线框架145的厚度的1/3至1/2的范围中。当凹进高度超出范围时，耦合强度可能降低，或者台阶部分可能被破坏。第五台阶结构213包括台阶结构。可替选地，第五台阶结构213可以包括被形成为倾斜形状或者弯曲形状的倾斜表面，但是实施例不限于此。
第四引线框架155在其外围处包括第六台阶结构214。一个第六台阶结构214或者多个第六台阶结构214被设置在第四引线框架155的外围处，并且被耦合到主体110的一部分。第六台阶结构214可以被耦合到第一和第二间隙部分116和117以及突起118。由于第六台阶结构214，第四引线框架155可以具有比底表面面积宽的顶表面面积。第六台阶结构214的深度可以从第四引线框架155的边缘以0.01mm或者更多，详细地，0.02mm或者更多，形成。如果深度低于该数值，则耦合强度可能降低。第六台阶结构214的凹进高度可以处于第四引线框架155的厚度的1/3至1/2的范围中。当凹进高度超出范围时，耦合强度可能降低，或者台阶部分可能被破坏。第六台阶结构214包括台阶结构。可替选地，第六台阶结构214可以包括被形成为倾斜形状或者弯曲形状的倾斜表面，但是实施例不限于此。
第一至第四引线框架125、135、145以及155的台阶结构211、212、213、214、215以及216可以改进与主体110的耦合强度以防止湿气渗透到发光器件中。
第三和第四引线框架145和155的底宽度D5可能比第五和第六引线部147和147的宽度D9窄。在第三和第四引线框架145和155中的底宽度D5和宽度D9之间的差可能是0.5mm或者更多，例如，可以处于0.05mm至0.2mm的范围内。如果差小于上述范围，则与主体110的耦合强度可能降低。如果差大于上述范围，则第五和第六引线部147和157可能发生故障。
在第三和第四引线框架145和155的底表面中，用作内宽度的低宽度D5，可以具有至少0.03mm，例如，范围从0.03mm至1.0mm，或者范围从0.4mm至0.6mm，并且用作外宽度的宽度D9可以具有至少0.08mm，例如，范围从0.08mm至1.2mm。如果底宽度D5小于该范围，则保护芯片102和103的安装工艺或者引线结合工艺是困难的。如果底宽度D5大于该范围，则第一和第二间隙部分116和117或者第一和第二引线框架125和135可能在尺寸上被影响。
第三和第四引线框架145和155的底宽度D5可以比第一和第二引线框架125和135的宽度D3和D4窄至少三倍。如果第一和第四引线框架145和155的底宽度D5比第一和第二引线框架125和135的底宽度D3和D4宽，则第一和第二引线框架125和135的宽度可以减小或者主体110的长度可能增加。
第一和第二引线框架125和135的底宽度D3和D4可以比第五和第六引线框架145和155的底宽度D5宽，并且可以比第一至第四引线部127、128、137以及138的宽度D7、D8以及D9宽。可替选地，第三和第四引线框架145和155的底宽度D5可以比第一和第二引线框架125和135的底宽度D3和D4窄，并且可以比第五和第六引线部145和157窄。
如在图3、图4以及图10中所示，第一引线框架125被耦合到主体110并且包括多个孔，例如，与第一和第二横向侧部分111和112相邻的第一和第二孔H1和H2。在第一和第二孔H1和H2之间的间隔D21比腔体140的宽度D11宽。第一孔H1可以被设置为与第一横向侧部分111相邻，并且第二孔H2可以被设置为与第二横向侧部分112相邻。第一引线框架125的第一和第二孔H1和H2可以包含第七和第八台阶结构217和218，并且第七和第八台阶结构217和218可以具有比底宽度窄的顶宽度。以第一和第二孔H1和H2被垂直地重叠主体110以增强与主体110的耦合强度的方式设置第一和第二孔H1和H2。当从底部看时第一和第二孔H1和H2可以具有多边形、圆形、椭圆形、以及多边形的边缘变圆的形状中的至少一个。第一孔H1可以被设置在第一台阶结构211和第二台阶结构212之间的圆形区域M2中，并且第二孔H2可以被设置在第一台阶结构211和第二台阶结构212之间的圆形区域M3中。第一引线框架125可以通过第一和第二孔H1和H2和圆形区域M2和M3增强与主体110的耦合强度。第一和第二孔H1和H2与发光芯片100和101的横向侧分开，并且可以具有比发光芯片100和101的一侧的长度宽的间隔。
第七和第八台阶结构217和218包括台阶结构。可替选地，第七和第八台阶结构217和218可以包括被形成为倾斜形状或者弯曲形状的倾斜表面，但是实施例不限于此。主体110的第一和第二耦合结构225和226被耦合到第一引线框架125的第一和第二孔H1和H2。第一和第二耦合结构225和226可以以第一和第二耦合结构225和226的底宽度比顶宽度宽的方式被耦合到第一和第二孔H1和H2。
第七和第八台阶结构217和218与第一引线框架125的底表面具有预先确定的高度。例如，高度可以被形成在第一引线框架125的厚度的1/3至1/2的范围中。如果高度超出该范围，则与主体110的耦合强度可能降低，或者台阶部分可能被破坏。
如在图4和图12中所示，关于在第三和第四引线框架145和155之间的间隔，在第三和第四引线框架145和155的顶表面之间的间隔G5可以是0.8mm±0.1mm，并且在第三和第四引线框架145和155的底表面之间的间隔可以是0.6mm±0.05mm。在第三和第四引线框架145和155之间的间隔可以去除电气干扰并且防止在第三和第四引线框架145和155与突起118之间的耦合强度降低。
如在图3中所示，关于第一和第二引线框架125和135，超出腔体140的区域M2和M3可以以圆形形状延伸到引线部127、128、137以及138。在第三引线框架145中，超出腔体140的区域M5可以以圆形形状延伸到第五引线部147。在第四引线框架155中，超出腔体140的区域M6可以以圆形形状延伸到第六引线部157。因此，在第三引线框架145和主体110之间的耦合强度可以由于圆形区域M2、M3、M5以及M6而增加。在这样的情况下，第三引线框架145的圆形区域M5可以被设置为比第一和第二引线框架125和135的圆形区域M2更向外，并且第四引线框架155的圆形区域M6可以被设置为比第一和第二引线框架125和135的圆形区域M更向外。在这样的情况下，超出腔体140的第一和第二引线框架125和135的区域M2和M3之间的区域可以是非圆形的区域M1。
如在图4和图11中所示，第二引线框架135被耦合到主体110，包括多个孔，例如，与第一和第二横向侧部分111和112相邻的第三和第四孔H3和H4。在第三和第四孔H3和H4之间的间隔可以比在图3中所示的腔体140的宽度D11宽。第三和第四孔H3和H4可以以第三和第四孔H3和H4被垂直地重叠主体110的方式被设置，从而增强在第二引线框架135和主体110之间的耦合强度。第三和第四孔H3和H4可以是多边形、圆形、椭圆形和多边形的边缘变圆的形状中的至少一个。第三孔H3可以被设置在第三和第四台阶结构215和216的圆形区域M2之间，并且第四孔H4可以被设置在第三和第四台阶结构215和216的圆形区域M3之间。通过第三和第四孔H3和H4和圆形区域M2和M4可以增强在第二引线框架135和主体110之间的耦合强度。第三和第四孔H3和H4与第二发光芯片101的两个横向侧分开了大于第二发光芯片101的一侧的长度的间隔D12。
在第二引线框架中的第三和第四孔H3和H4包含第九和第十台阶结构219和220，并且第九和第十台阶结构210和220包括台阶结构。可替选地，第九和第十台阶结构210和220可以具有被形成为倾斜形状或者弯曲形状的倾斜表面，但是实施例不限于此。第九和第十台阶结构219和220可以允许第三和第四孔H3和H4具有比上宽度宽的底宽度。第三和第四耦合部235和236被耦合到第二引线框架135中的第三和第四孔H3和H4，并且以第三和第四耦合部235和236的底宽度比其顶宽度宽的方式被耦合到第三和第四孔H3和H4。
第九和第十台阶结构219和220可以具有与第二引线框架135的底表面的预先确定的高度。第九和第十台阶结构219和220的凹进高度可以处于第二引线框架135的厚度的1/3至1/2的范围中。当凹进高度超出该范围时，在第九和第十台阶结构219和220和主体110之间的耦合强度可能降低，或者台阶部分可能被破坏。
如在图1、图2和图7中所示，反射框架310可以被设置在主体110上。反射框架310可以被重叠主体110的顶表面的整个部分。反射框架310可以被设置在第一至第四引线框架125、135、145以及155上。反射框架310与第一至第四引线框架125、135、145以及155中的至少一个或者全部电绝缘。
参考图6，在反射框架310中，在第一轴(X)方向中的长度D22可以比第二轴(Y)方向中的长度D23长至少一倍，例如，1.3倍到两倍。当反射框架310小于该范围时，输出光的开口341和343的大小可能减小。当反射框架310大于该范围时，材料可能被浪费。
在第一轴(X)方向中的反射框架310的长度D22可以与主体110的第二长度D2相同或者比主体110的第二长度D2短。在第二轴(Y)方向中的反射框架310的长度D23可以等于主体110的第一长度D1或者比主体110的第一长度D1短。在第一轴(X)方向中的反射框架310的长度D22可以范围是比第二轴(Y)方向中的长度D23长一倍到三倍。反射框架310可以防止在主体110的中心处刚度变弱。
粘合层250可以被布置在反射框架310和主体110之间。粘合层250可以将反射框架310附接到主体110的顶表面115。粘合层250可以包括诸如硅或者环氧的粘合剂。粘合层250可以包括与主体110的相同的材料。反射框架310的一部分可以直接地接触主体110。
反射框架310可以是由金属材料形成。反射框架310可以包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、以及Hf，或者选择性地包括上述材料的合金中的至少一个。反射框架310的光反射率可以高于主体110的光反射率。反射框架310的厚度可以是2mm或者更少，例如，1mm或者更少，并且可以比引线框架125、135、145以及155的厚度厚。由金属材料形成的反射框架310不可以被扭曲，并且可以具有足以被结合在主体110上的厚度。
如在图1中所示，反射框架310包括多个开口341和343，例如，第一和第二开口341和343。第一和第二开口341和343可以通过分离部345被相互分离。
开口341和343可以被垂直地重叠发光芯片100和101中的至少一个。开口341和343可以是在发光芯片100和101的方向中穿过反射框架310的孔。当从顶部看时第一开口341可以具有圆形或者多边形。当从顶部看时第二开口343可以具有圆形或者多边形。
第一开口341被设置在第一发光芯片100外部以敞开第一发光芯片100的上部分。第二开口343可以被设置在第二发光芯片101外部以敞开第二发光芯片101的上部分。第一开口341可以是其中从第一发光芯片100发射的光被反射和输出的区域。第二开口343可以是其中从发光芯片101发射的光被反射和输出的区域。
如在图6、图8和图10中所示，第一开口341的横向侧342可以面向第一发光芯片100的横向侧同时包围第一发光芯片100的上部分。随着下端301更加靠近第一引线框架125，第一开口341的下端301可以更加靠近第一发光芯片1001的横向侧。第一开口341的下宽度G1和G2可能比第一发光芯片100的顶表面的宽，并且可以比暴露于腔体140的第一引线框架125的宽度W1窄。第一开口341的横向侧342可以具有倾斜到或者垂直于主体110的平坦的底表面的表面。在这样的情况下，第一开口341可以向上变宽。第一开口341的下宽度G1和G2可以是在第一轴(X)方向和第二轴(Y)方向中的长度，并且可以彼此相同或者彼此不同，并且可以取决于发光芯片的尺寸而变化。第一开口341的较低区域可以比第一发光芯片100的顶表面的区域宽，并且可以比被暴露于腔体140的第一引线框架125的顶表面的区域窄。
如在图6、图8和图11中所示，第二开口343的横向侧344可以面向第二发光芯片101的横向侧同时包围第二发光芯片101的上部分。随着下端302更加靠近第二引线框架135，第二开口343的下端302可以更加靠近第二发光芯片101的横向侧。第二开口343的下宽度可以比第二发光芯片101的顶表面宽，并且可以比暴露于腔体140的第二引线框架135的宽度窄。第二开口343的横向侧344可以具有倾斜到或者垂直于主体110的平坦的底表面的表面。第二开口343的下宽度可以等于第一开口341的宽度。第一开口341的下宽度可以比第二发光芯片101的顶表面的区域宽，并且可以比被暴露于腔体140的第二引线框架的顶表面的区域窄。
如在图8中所示，第一和第二开口341和343可以具有比下宽度G1和G2宽的上宽度X1和y1，并且由于在宽度之间的差而能够改进光反射效率。
参考图1和图5至图7，分离部345可以包括容纳被连接第一发光芯片100的第一连接构件171的第一凹进371、和容纳被连接第二发光芯片101的第二连接构件172的第二凹进372。如在图6和图8中所示，在第一轴(X)方向中的分离部345的长度x2可以大于第一和第二间隙部分116和117的宽度G3和G4的总和。因为分离部345覆盖第一和第二保护芯片102和103的上部分和周围，所以可能减少光损耗。
第一凹进371可以容纳被连接第一保护芯片102的第三连接构件173，并且第二凹进372可以容纳被连接第二保护芯片103的第四连接构件174。
如在图7中所示，第一凹进371的宽度E1，其例如是其中第一开口341被敞开的入口的宽度，可以是提供用于第一和第三连接构件171和173通过的空间的宽度。第二凹进372的宽度E2，其例如是其中第二开口343被敞开的入口的宽度，可以是提供用于第二和第四连接构件172和174通过的空间的宽度。
第一凹进371可以从第一开口341的横向侧342的一部分到第四引线框架155的上部分敞开。第一凹进371是低于分离部345的顶表面的敞开区域，并且连接第一开口341和第四引线框架155。
第二凹进372可以从第二开口343的横向侧344的一部分到第五引线框架155的上部分敞开。第二凹进372是低于分离部345的顶表面的敞开的区域并且连接第二开口343和第五引线框架155。
第一和第二凹进371和372可以通过低于分离部345的顶表面的区域连接第一和第二开口341和343以及第三和第四引线框架145和155。第一和第二凹进371和372可以通过如在图7中所示的分离部345中的凹进区域450被相互连接。凹进区域340可以被设置在第一和第二间隙部分116和117上。
如在图1和图5至图8中所示，第一和第二凹进371和372可以具有第一和第二凹进371和372没有接触的高度。被设置在反射框架310的分离部345下方的凹进区域340的高度C1可以是230μm或者更多，例如，在从第三和第四引线框架145和155的顶表面开始的250μm至300μm的范围中。当高度C1极其低时，被设置在凹进区域140中的连接构件171、172、173以及174可以接触引线框架。当高度C极其高时，分离部345的刚度可能被减弱。
反射框架310的顶表面315可以是平坦的表面，但是实施例不限于此。反射框架310的外表面311、312、313以及314可以被设置在与主体110的横向侧部分111、112、113以及114相同的平面上，或者被设置有相对于横向侧部分111、112、113以及114的台阶结构。反射框架310的外表面311、312、313以及314可以以与主体110的横向侧部分111、112、113以及114的相同的角度倾斜，或者被设置为垂直于主体110的横向侧部分111、112、113以及114。
如在图8中所示，主体110的顶表面115可以被设置在与发光芯片100和101的顶表面相同的水平面上，或者可以低于发光芯片100和101的顶表面。可替选地，主体110的顶表面115可以高于发光芯片100和101的顶表面，并且可以低于图3的第一和第二连接构件171和172的最高点。
如在图1至图3中所示，关于在主体110和反射框架310之间的耦合结构，具有相互啮合的结构的主体110和反射构件310可以包括突起结构和凹槽结构。主体110包括多个第一耦合部181、182以及183，并且反射框架310包括多个第二耦合部381、382、以及383。第一耦合部181、182以及183和第二耦合部381、382以及383中的一个可以是突起结构，并且另一个可以是凹槽结构。为了方便解释，第一耦合部181、182以及183是突起结构，并且第二耦合部381、382以及383是凹槽结构。
第一耦合部181、182以及183中的至少两个或者三个可以被设置在主体110中。第一耦合部181、182以及183可以被设置在主体110的相互不同的拐角区域处。例如，第一耦合部181、182以及183可以不被形成在边缘区域中的一个处。其中第一耦合部181、182以及183没有被形成的区域可以是识别反射框架310上的区域390的电极。电极识别区域390可以被设置以识别发光器件300的电极的极性。
第一耦合部181、182以及183可以在第二耦合部381、382以及383或者反射框架310的方向中突出。第一耦合部181、182以及183可以具有被设置在拐角区域处同时朝着相互不同的横向侧部分以预先确定的长度延伸的形状。例如，第一耦合部181、182以及183可以具有被设置在拐角区域处同时朝着相互不同的横向侧部分延伸的成角的形状或者线性形状，但是实施例不限于此。如在图3中所示，朝着相邻的两个横向侧部分延伸的第一耦合部181、182以及183的长度可以彼此相等或者彼此不同。例如，在第一轴(X)方向中的延伸长度可以比在第二轴(Y)方向中的延伸长度长。
第二耦合部381、382以及383可以被形成在与第一耦合部181、182以及183的突起相对应的凹槽中。如在图7中所示，第二耦合部381、382以及383可以具有从反射框架310的底表面316向上凹进的凹槽形状。第二耦合部381、382以及383可以被相互分开。第二耦合部381、382以及383可以在相邻的两个横向侧部分的方向中延伸，并且具有彼此相等或者彼此不同的延伸长度F1和F2。例如，在第一轴(X)方向中的延伸长度F1可以比在第二轴(Y)方向中的延伸长度F2长。在被设置在反射框架310的第二外表面313上的两个相邻的耦合部381和383之间的间隔F3可以比在被设置在第四外表面314上的两个相邻的耦合部382和383之间的间隔F4宽。
第二耦合部381、382以及383中的每一个可以具有以台阶结构延伸的外区域R4和R5，具有倾斜的表面，或者弯曲的表面。外区域R4和R5可以具有两阶的结构、倾斜的形状、或者具有凸起的表面的形状。
因为第二耦合部381、382以及383的外区域R4和R5面向主体110的第一耦合部181、182以及183的外区域R2和R3，所以与主体110的顶表面的间隙可以减小。第二耦合部381、382以及383的外区域R4和R5可以紧密接触第一耦合部181、182以及183的外区域R2和R3，或者可以通过粘合层(图9的250)被结合到第一耦合部181、182以及183的外区域R2和R3。第二耦合部381、382以及383的外区域R4和R5与第一耦合部181、182以及183的外区域R2和R4可以相互紧密接触。在反射框架310和主体110之间的间隙可以被最小化，从而防止反射框架310被移动。
参考图3、图8以及图9，反射框架310的第一和第二开口341和343的横向侧342和344被设置在发光芯片100和101周围。第一开口341的下端301可以低于第一发光芯片100的顶表面，例如，第一发光芯片100的有源层L1的位置。
第二开口343的下端302可以被设置为低于第二发光芯片101的顶表面，例如，第二发光芯片101的有源层的位置。
第一和第二开口341和343的横向侧的下端301和302可以与第一和第二引线框架125和135的顶表面分开了预先确定的距离。例如，如在图9中所示，在第一开口341的横向侧的下端301和302与第一引线框架125之间的距离可以是50μm或者更多，例如，处于80μm至110μm的范围中。当第一和第二开口341和343的横向侧的下端301和302位于低于该范围中的值时，与第一和第二引线框架125和135的电气干扰可能发生。当下端301和302位于高于该范围中的值时，可能发生光损耗。
第一和第二开口341和343的横向侧的下端301和302可以与第一和第二发光芯片分开了预先确定的距离。例如，如在图9中所示，在第一开口341的横向侧的下端301和302与第一发光芯片100的横向侧之间的间隔B2可以是80μm或者更多，例如，处于90μm至120μm的范围中。当在第一和第二开口341和343的横向侧的下端301和302与第一和第二发光芯片100和101之间的间隔B1比该范围中的值窄时，当发光芯片100和101被安装时可能不确保工艺误差。当间隔B1比该范围中的值宽时，开口341和343的大小被增加，使得可以稍微地呈现光提取效率的改进。
反射框架310的分离部345中的凹进区域340可以与突起118的顶表面分开。可替选地，反射框架310的分离部345的一部分可以接触突起118，并且可以支撑分离部345的中心。
模制构件150可以被设置在腔体140中。模制构件150可以包括透射材料，诸如硅或者环氧，并且可以被形成在单层或者多层处。模制构件150可以被设置在第一和第二开口341和343中，但是实施例不限于此。被设置在第一和第二开口341和343中的模制构件150可以被设置在反射框架310的凹进中，但是实施例不限于此。当模制构件150被设置时，模制构件150可以支撑反射框架310。
模制构件150可以包括转换从发光芯片100和101发射的光的波长的荧光体，并且荧光体可以包括从YAG、TAG、硅酸盐、氮化物、氮氧化物基材料中选择的一个。荧光体可以包括红色荧光体、黄色荧光体、蓝色荧光体、以及绿色荧光体中的至少一个，但是实施例不限于此。荧光体可以包括被设置在第一和第二发光芯片100和101上以发射具有相同不同的颜色的光的荧光体，但是实施例不限于此。
模制构件150的表面可以被设置成平坦的形状、凹进的形状、以及凸起的形状中的至少一个，但是实施例不限于此。模制构件150的表面可以是光输出表面。光学透镜可以被设置在模制构件150的上部分处。光学透镜可以包括凸透镜、凹透镜、以及在其相对于发光芯片100和101的中心处具有总反射表面的凸透镜，但是实施例不限于此。
图13是示出图8的另一示例的截面图。在参考图13的下面的描述中，将会参考与被公开的实施例相同的部分的描述。
参考图13和图3，发光器件的第一和第二间隙部分116和117可以包括突出高于第一和第二引线框架125和135的顶表面的第一和第二反射部分116A和117A。第一反射部分116A在第一引线框架125与第三和第四引线框架145和155之间的区域中突出以反射从第一发光芯片100发射的光。第二反射部分117A在第二引线框架135与第三和第四引线框架145和155之间的区域中突出以反射从第二发光芯片101发射的光。
第一和第二反射部分116A和117b的厚度T2可以等于或者高于第一和第二保护芯片102和103的顶表面的高度，从而减少到第一和第二保护芯片102和103的光吸收。另外，根据实施例，反射材料被涂覆在第一和第二保护芯片102和103的表面上以防止光吸收。反射材料可以包括包含金属氧化物，例如，TiO2、SiO2以及Al2O3中的至少一个的诸如硅或者环氧的树脂材料。发射材料可以防止光被吸收到第一和第二保护芯片102和103。
腔体140在其下部分的第一区域140A处被设置有反射结构以围绕第一发光芯片100，并且被设置在第二区域140B处以围绕第二发光芯片101。可以通过腔体140和第一和第二反射部分116A和117A的侧壁形成反射结构。
第一发光芯片100可以在其上被设置有第一荧光体膜400并且第二发光芯片101可以在其上被设置有第二荧光体膜401。第一荧光体膜400和第二荧光体膜401可以包括相同的荧光体或者相互不同的荧光体。例如，当第一和第二发光芯片100和101发射蓝光时，第一荧光体膜400可以具有黄荧光体，并且第二荧光体膜401可以具有红荧光体。
可替选地，当第一和第二发光芯片100和101发射蓝光时，第一荧光体膜400可以具有绿荧光体，并且第二荧光体膜401可以具有红荧光体。
根据另一示例，当第一和第二发光芯片100和101发射蓝光时，第一荧光体膜400可以具有红荧光体和绿荧光体，并且第二荧光体膜401可以具有红荧光体和绿荧光体。
根据另一示例，当第一和第二发光芯片100和101发射紫外光时，第一荧光体膜400可以具有蓝荧光体和红荧光体，并且第二荧光体膜401可以具有绿荧光体。被包含在荧光体膜400和401中的荧光体的类型可以取决于第一和第二发光芯片100和101而变化，并且荧光体可以被包含在模制构件150中，但是实施例不限于此。
反射框架310可以通过粘合层250被结合到主体110，并且在第一和第二开口341和343之间的分离部345可以被设置在第一和第二间隙部分116和117上。在分离部345中的凹进区域340可以与第一和第二间隙部分116和117分开。
图14是示出图8的另一示例的截面图。在参考图14的下面的描述中，将会参考与被公开的实施例的相同部分的描述。
参考图3和图14，在发光器件中，第一凹进部分126被设置在第一引线框架125上，并且第一发光芯片100被设置在第一凹进部分126上。第二凹进部分136可以被设置在第二引线框架135上，并且第二发光芯片101可以被设置在凹进部分136上。
第一凹进部分126的底表面被设置为低于第一引线框架125的顶表面，并且第二凹进部分136的底表面可以被设置为低于第二引线框架135的顶表面。第一和第二凹进部分126和136可以具有杯状或者台阶的形状。
反射框架310的第一开口341的下端301可以被设置为低于第一发光芯片的顶表面并且与第一凹进部分126相邻。例如，反射框架310的第一开口341的下端301可以被设置在第一引线框架125的顶表面下方，但是实施例不限于此。因此，可以通过第一开口341的横向侧342反射从第一发光芯片100发射的光。
反射框架310的第二开口342的下端302可以被设置为低于第二发光芯片101的顶表面并且与第二凹进部分136相邻。例如，反射框架310的第二开口343的下端302可以被设置为低于第二引线框架135的顶表面，但是实施例不限于此。因此，可以通过第二开口343的横向侧344反射从第二发光芯片101发射的光。
图15是示出具有图8的发光器件的灯单元的截面图。在图15的下面的描述中，将会参考被公开的实施例。
参考图15和图3，在灯单元中，根据实施例的发光器件300可以被设置在模块基板500上，并且一个发光器件或者多个发光器件可以被设置在模块基板500上。模块基板400可以通过结合构件401被结合到第一至第四引线框架125、135、145以及155。结合构件501可以包括诸如焊料的粘合材料。在模块基板400中，焊盘512、514以及516可以被设置在与第一至第四引线框架125、135、145以及155的底表面相对应的位置处。
模块基板500可以是印制电路板(PCB)。例如，模块基板500可以包括含树脂材料的PCB、具有金属热辐射层的金属核PCB(MCPCB)、以及柔性PCB(FPCB)，但是实施例不限于此。
图16是示出图1的发光芯片的截面图。
参考图16，发光芯片100和101可以包括具有多个半导体层11、12以及13的发光结构、在第一发光结构10下方的第一电极层20、在第一电极层20下方的第二电极层50、在第一和第二电极层20和50之间的绝缘层41、以及焊盘25。
发光结构10可以包括第一半导体层11、有源层12、以及第二半导体层13。有源层12可以被布置在第一和第二半导体层11和13之间。有源层12可以被设置在第一半导体层11下方，并且第二半导体层13可以被设置在有源层12下方。
例如，第一半导体层11可以包括被掺杂有例如n型掺杂物的第一导电掺杂物的n型半导体层，并且第二半导体层13可以包括被掺杂有例如p型掺杂物的第二导电掺杂物的p型半导体层。另外，第一半导体层11可以包括p型半导体，并且第二半导体层13可以包括n型半导体层。
例如，第一半导体层11可以包括n型半导体层。第一半导体层11可以以化合物半导体实现。第一半导体层11可以以II-VI族化合物半导体和III-V族化合物半导体中的至少一个实现。
例如，第一半导体层11可以以可以从例如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP以及AlGaInP中选择，并且被掺杂有诸如Si、Ge、Sn、Se、以及Te的n型掺杂物的具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的化合物式的半导体材料被实现。
随着通过第一半导体层11注入到有源层12的电子(或者空穴)汇合通过第二半导体层13被注入到有源层12的空穴(或者电子)，有源层12由于在组成有源层12的材料之间的能带隙的差而发射光。有源层12可以以单阱结构、多阱结构、量子点结构、以及量子线结构中的一个被形成，但是实施例不限于此。
有源层12可以以化合物半导体被实现。有源层12可以以II-VI和III-V族化合物半导体中的至少一个被实现。有源层12可以以具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料被实现。当有源层12以多阱结构被实现时，有源层12可以以多个阱层和多个阻挡层被实现。例如，有源层12可以以InGaN阱/GaN阻挡层、InGaN阱/AlGaN阻挡层、InAlGaN阱/InAlGaN阻挡层、或者GaN阱/AlGaN阻挡层的循环被实现。
例如，第二半导体层13可以以P型半导体层被实现。第二半导体层13可以以化合物半导体被实现。第二半导体层13可以以II-V族化合物半导体和III-V族化合物半导体中的至少一个被实现。
例如，第二半导体层13可以以具有InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1,0≤y≤1,0≤x+y≤1)的化学式的半导体材料被实现。例如，第二半导体层13可以包括从由GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、以及AlGaInP组成的组中选择的一个，并且可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr、以及Ba的p型掺杂物。
同时，第一半导体层11可以包括p型半导体层，并且第二半导体层13可以包括n型半导体层。另外，具有不同于第二半导体层13的导电类型的包括n型半导体或者p型半导体层的半导体层可以进一步被形成在第二半导体层13的下方。因此，发光结构10可以具有np、pn、npn、以及pnp结结构中的至少一个。另外，第一和第二半导体层11和13可以具有均匀的掺杂浓度或者不规则的掺杂浓度。换言之，发光结构10可以具有各种结构，但是实施例不限于此。
其中相互不同的半导体层被交替地设置的InGaN/GaN超晶格结构或者InGaN/InGaN超晶格结构可以被布置在第一半导体层11和有源层12之间，或者在第二半导体层13和有源层12之间。被掺杂有第二导电掺杂物的AlGaN层可以被形成在第二半导体层13和有源层12之间。
粗糙的不平坦部分11A可以被形成在第一半导体层11的顶表面上。不平坦部分11A可以改进光提取效率。不平坦部分11A的侧截面图可以具有多边形、或者半球形的形状。
第一电极层20被布置在发光结构10和第二电极层50之间，与发光结构10的第二半导体层13电连接，并且与第二电极层50电绝缘。第一电极层20包括第一接触层15、反射层17、以及包覆层19。第一接触层15被布置在反射层17和第二半导体层13之间，并且反射层被布置在第一接触层15和包覆层19之间。第一接触层15、反射层17、以及包覆层19可以是由相互导电的材料形成，但是实施例不限于此。
第一接触层15可以接触第二半导体层13，例如，欧姆接触第二半导体层13。第一接触层15可以是由例如导电氧化物层、导电氮化物、或者金属形成。例如，第一接触层15可以包括ITO(氧化铟锡)、ITON(ITO氮化物)、IZO(氧化铟锌)、IZON(IZO氮化物)、AZO(氧化铝锌)、AGZO(氧化铝镓锌)、IZTO(氧化铟锌锡)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、ATO(氧化锑锡)、GZO(氧化镓锌)、IZON(IZO氮化物)、ZnO、IrOx、RuOx、NiO、Pt、Ag、以及Ti中的至少一个。
反射层17可以与第一半导体层15和包覆层19电连接。反射层17反射从发光结构10入射的光以增加要被提取到外部的光量。
反射层17可以是由具有至少70％的光反射率的金属形成。例如，反射层17可以是由包括Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、以及Hf或者其合金中的至少一个的金属形成。另外，可以使用金属或者其合金和ITO(氧化铟锡)、IZO(氧化铟锌)、IZON(IZO氮化物)、IAZO(氧化铟铝锌)、IGZO(氧化铟镓锌)、IGTO(氧化铟镓锡)、AZO(氧化铝锌)、或者ATO(氧化锑锡)的透射材料可以形成反射层17。例如，根据实施例，反射层17可以包括Ag、Al、Ag-Pd-Cu合金或者Ag-Cu合金中的至少一个。例如，反射层17可以通过交替地排列Ag层和Ni层被形成，并且可以包括Ni/Ag/Ni、Ti层或者Pt层。根据另一示例，第一接触鞥15可以被形成在反射层17下方，并且第一接触层15的至少一部分经过第一反射层17以接触第二半导体层13。根据另一示例，反射层17可以被设置在第一接触层15下方，并且反射层17的一部分可以通过第一粘合层15接触第二半导体层13。
根据实施例的发光器件可以包括被设置在反射层17下方的包覆层19。包覆层19接触反射层17的底表面，并且接触部分34被耦合到焊盘25以用作传递来自于焊盘25的电力的布线层。包覆层19可以是由金属形成。例如，包覆层19可以包括Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe、以及Mo中的至少一个。
包覆层19的接触部分34被设置在没有垂直地重叠发光结构10的区域处，并且纵向地重叠焊盘25。包覆层19的接触部分34被设置在没有垂直地重叠第一接触层15和反射层17的区域处。包覆层19的接触部分34可以被设置为低于发光结构10，并且可以接触焊盘25。
焊盘25可以被形成在单层或者多层处。在单层的情况下，焊盘25可以包括Au。在多层的情况下，焊盘25可以包括Ti、Ag、Cu、以及Au中的至少两个。在多层的此情况下，焊盘25可以Ti/Ag/Cu/Au或者Ti/Cu/Au的堆叠结构。反射层17和第一接触层15中的至少一个可以直接地接触焊盘25，但是实施例不限于此。
焊盘25可以被设置在第一电极层20的外侧壁和发光结构10之间的区域A1处。保护层30和透射层45可以接触焊盘25的外围部分。
保护层30可以被设置在发光结构10的底表面上，并且可以接触第二半导体层13和第一接触层15的底表面，并且可以接触反射层17。
垂直地重叠发光结构10的保护层30的内部可以被垂直地重叠用于突起16的区域。保护层30的外部延伸到包覆层19的接触部分34，并且被垂直地重叠接触部分34。保护层30的外部可以接触焊盘25，例如，可以被设置在焊盘25的周围表面处。
保护层30的内部可以被布置在发光结构10和第一电极层20之间，并且保护层30的外部可以被布置在透射层45和包覆层19之间。保护层30的外部从发光结构10的侧壁延伸到外区域A1以防止湿气渗透到发光器件。
保护层30可以被定义为沟道层、低反射率材料、或者绝缘层。保护层30可以以绝缘材料，例如，氧化物或者氮化物实现。例如，保护层30可以包括从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN组成的组中选择的至少一个。保护层可以是由透明材料形成。
根据实施例的发光器件可以包括与第一电极层20和第二电极层50电绝缘的绝缘层41。绝缘层41可以被布置在第一电极层20和第二电极层50之间。保护层30可以接触绝缘层41的上部分。绝缘层41可以以例如氧化物或者氮化物形成。例如，绝缘层41可以是由从由SiO2、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN组成的组中选择的至少一个形成。
绝缘层41可以具有100nm至200nm的范围中的厚度。如果绝缘层41被形成有小于100nm的厚度，则在绝缘性能中可能出现问题。如果绝缘层41被形成有超过2000nm的厚度，则绝缘层41可能在后续工艺中被破坏。绝缘层41可以接触第一电极层20的顶表面和第二电极层50的顶表面，并且可以被形成有比保护层30、包覆层19、接触层15、以及反射层17中的每一个厚的厚度。
第二电极层50可以包括：防扩展层52，该防扩展层52被设置在绝缘层41下方；结合层54，该结合层54被设置在防扩展层52下方；以及导电支撑构件56，该导电支撑构件56被设置在结合层54下方，并且可以与第一半导体层11电连接。另外，第二电极层50包括从防扩展层52、结合层54、以及导电支撑构件56之中选择的一个或者两个，并且防扩展层52和结合层54中的至少一个可以不被形成。
防扩展层52可以包括Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe、以及Mo中的至少一个。防扩展层52可以用作在绝缘层41和结合层54之间的扩散阻挡层。防扩展层52可以与结合层54和导电支撑构件56电连接，并且与第一半导体层11电连接。
在提供结合层54的工艺中，防扩展层52可以防止结合层54中的材料容器朝着反射层17扩展。防扩展层52可以防止结合层54中包含的锡(Sn)影响反射层17。
结合层56可以包括阻挡金属或者结合金属。例如，结合层56可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一个。导电支撑构件56可以支撑根据实施例的发光结构10以用作热辐射功能。结合层54可以包括晶种层。
导电支撑构件56可以是由金属基板、或者载流子基板中的至少一个形成。导电支撑构件56可以包括被掺杂有Ti、Cr、Ni、Al、Pt、Au、W、Cu、Mo、Cu-W的半导体基板和杂质(Si、Ge、GaN、GaAs、ZnO、SiC、或者SiGe)中的至少一个。导电支撑构件56是支撑发光器件100的层，并且可以具有与第二电极层50的厚度的80％相对应的厚度，即，至少30μm的厚度。
同时，第二接触层33被设置在第一半导体层11中，并且接触第一半导体层11。第二接触层33的顶表面可以被设置在第一半导体层11的底表面上方，与第一半导体层11电连接，以及与有源层12和第二电极层13绝缘。
第二接触层33可以与第二电极层50电连接。第二接触层33可以通过第一电极层20、有源层12以及第二半导体层13被提供。第二接触层33被设置在发光结构10中的凹进2中，并且通过保护层30被绝缘于有源层12和第二导电层13。多个第二接触层33可以被相互分开。
第二接触层33可以被连接第二电极层50的突起51，并且突起51可以从防扩展层52突出。突起51可以经过被形成在保护层30中的41A和绝缘层41，并且可以与第一电极层20绝缘。
第二接触层33可以包括例如Cr、V、W、Ti、Zn、Ni、Cu、Al、Au、以及Mo中的至少一个。根据另一示例，突起51可以包括组成防扩展层52和结合层54的至少一个材料，但是实施例不限于此。例如，突起51可以包括Ti、Au、Sn、Ni、Cr、Ga、In、Bi、Cu、Ag、Nb、Pd以及Ta中的至少一个。
焊盘25可以与第一电极层20电连接，并且被暴露于发光结构10的侧壁外部的区域A1。一个或者多个焊盘25可以被提供。焊盘25可以包括Cu、Ni、Ti、Ti-W、Cr、W、Pt、V、Fe、以及Mo中的至少一个。
透射层45可以保护发光结构10的表面并且使焊盘25与发光结构10绝缘。透射层45可以接触保护层30的外围部分。透射层45可以具有低于组成发光结构10的半导体层材料的反射率以改进光提取效率。透射层45可以以氧化物或者氮化物被实现。例如，透射层45可以是由从由Si02、SixOy、Si3N4、SixNy、SiOxNy、Al2O3、TiO2以及AlN组成的组中选择的至少一个形成。同时，取决于设计可以省略透射层45。根据实施例，发光结构10可以通过第一电极层20和第二电极层50被驱动。
另外，根据实施例的发光器件可以包括在一个器件中可以单独驱动的多个发光结构。虽然已经描述了在一个发光器件中设置两个发光结构的实施例，但是至少三个或者四个发光结构可以被设置在一个发光器件中，并且可以被实现为被单独地驱动。具有这样的结构的发光器件能够被有用地应用于车灯装置，例如，前大灯或者尾灯。
另外，根据根据实施例的发光器件，荧光体膜(未示出)可以被设置在发光结构10上。
根据实施例的发光器件，金属反射框架被设置在主体上的多个发光芯片周围以改进反射效率。因此，在具有较长的长度的发光器件的中心处的刚度能够被增强。根据实施例，能够在发光结构的结构中改进可靠性。根据实施例，发光器件的热辐射效率能够被改进。根据实施例，发光器件和具有发光器件的灯单元的可靠性能够被改进。
对于本领域的技术人员来说能够显然地理解，上述公开不限于上述实施例和附图，但是在没有脱离本公开的技术范围的情况下各种替代和修改以及变化是可能的。因此，本公开的技术范围不限于本说明书的详细描述，但是在下文中通过权利要求定义。

Claims (15)

1.一种发光器件，包括：
主体；
第一和第二引线框架，所述第一和第二引线框架被耦合到所述主体；
第一发光芯片，所述第一发光芯片在所述第一引线框架上；
第二发光芯片，所述第二发光芯片在所述第二引线框架上；以及
反射框架，所述反射框架在所述主体以及所述第一和第二引线框架上，
其中，所述反射框架包括彼此分开的多个开口，并且所述开口包括其中被设置有所述第一发光芯片的第一开口和其中被设置有所述第二发光芯片的第二开口。
2.一种发光器件，包括：
主体，所述主体具有腔体；
第一和第二引线框架，所述第一和第二引线框架被耦合到所述主体并且被设置在所述腔体中的相互不同区域中；
第三和第四引线框架，所述第三和第四引线框架被耦合到所述主体并且被布置在所述第一和第二引线框架之间；
第一发光芯片，所述第一发光芯片在所述第一引线框架上；
第二发光芯片，所述第二发光芯片在所述第二引线框架上；以及
反射框架，所述反射框架被设置在所述主体上，并且具有敞开所述第一发光芯片的上部分的第一开口、敞开所述第二发光芯片的上部分的第二开口、以及在所述第一和第二开口之间的分离部，
其中，所述主体包括彼此相对的第一和第二横向侧部分、以及彼此相对的第三和第四横向侧部分，以及所述第一和第二横向侧部分具有比所述第三和第四横向侧部分的长度长的长度，
所述第一引线框架包括突出到所述主体的第一横向侧部分的第一引线部、以及突出到所述主体的第二横向侧部分的第二引线部，
所述第二引线框架包括突出到所述主体的第一横向侧部分的第三引线部、以及突出到所述主体的第二横向侧部分的第四引线部，
所述第三引线框架包括第五引线部，所述第五引线部被耦合到所述第一发光芯片并且突出到所述主体的第一横向侧部分，以及
所述第四引线框架包括第六引线部，所述第六引线部被耦合到所述第二发光芯片并且突出到所述主体的第二横向侧。
3.根据权利要求1或2所述的发光器件，其中，所述反射框架是由金属材料形成。
4.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述反射框架与所述第一和第二引线框架分开，并且与所述第一和第二引线框架电绝缘。
5.根据权利要求3所述的发光器件，其中，所述第一和第二开口包括相对于所述主体的底表面的倾斜侧面，以及
其中，所述第一和第二开口的倾斜侧面的下端低于所述发光芯片的顶表面。
6.根据权利要求3所述的发光器件，进一步包括与所述第一发光芯片相连接的第一连接构件和与所述第二发光芯片相连接的第二连接构件，其中所述反射框架包括在所述第一和第二开口之间的分离部，以及所述分离部包括与所述第一开口相连接的第一凹进和与所述第二开口相连接的第二凹进，所述第一连接构件的一部分被设置在所述第一凹进中，所述第二连接构件的一部分被设置在所述第二凹进中，
其中，所述第一和第二凹进被设置在所述分离部的顶表面下方，以及
其中，所述分离部包括凹进区域，所述凹进区域被设置在其下部分处以彼此连接所述第一和第二凹进。
7.根据权利要求1或2所述的发光器件，进一步包括：多个第一耦合部，所述多个第一耦合部被设置在所述主体外部；以及多个第二耦合部，所述多个第二耦合部被设置在所述反射框架外部并且被耦合到所述第一耦合部；粘合层，所述粘合层将所述主体的顶表面结合到所述反射框架，
其中，所述第一和第二耦合部中的一个具有突起结构，以及所述第一和第二耦合部中剩余的一个具有凹槽结构。
8.根据权利要求1所述的发光器件，包括：第三引线框架，所述第三引线框架被连接到所述第一发光芯片；以及第四引线框架，所述第四引线框架被连接到所述第二发光芯片，
其中，所述主体包括彼此相对的第一和第二横向侧部分、以及彼此相对的第三和第四横向侧部分，
其中，所述第三和第四引线框架被布置在所述反射框架的分离部下方，
其中，所述第三引线框架包括突出到所述主体的第一横向侧部分的第五引线部，
其中，所述第四引线框架包括突出到所述主体的第二横向侧的第六引线部，
其中，所述第五引线部具有比所述第三引线框架的底宽度更宽的宽度，以及
其中，所述第六引线部具有比所述第四引线框架的底宽度更宽的宽度。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中，所述第一和第二横向侧部分具有比所述第三和第四横向侧部分的长度更长的长度，
所述第一引线框架包括：突出到所述主体的第一横向侧的第一引线部、以及突出到所述主体的第二横向侧部分的第二引线部，以及
所述第二引线框架包括：突出到所述主体的第一横向侧部分的第三引线部、以及突出到所述主体的第二横向侧部分的第四引线部。
10.根据权利要求2或8所述的发光器件，其中，所述第五引线部被布置在所述第一和第三引线部之间，以及
所述第六引线部被布置在所述第二和第四引线部之间。
11.根据权利要求2或8所述的发光器件，进一步包括：
第一连接构件，所述第一连接构件与所述第一发光芯片和所述第三引线框架相连接；
第二连接构件，所述第二连接构件与所述第二发光芯片和所述第四引线框架相连接；
第一保护芯片，所述第一保护芯片在所述第三引线框架上；以及
第三连接构件，所述第三连接构件与所述第一保护芯片和所述第一引线框架相连接，
其中，所述第一至第三连接构件的一部分被设置在所述分离部下方。
12.根据权利要求11所述的发光器件，进一步包括：第二保护芯片，所述第二保护芯片在所述第四引线框架上；以及第四连接构件，所述第四连接构件与所述第二保护芯片和所述第二引线框架相连接。
13.根据权利要求1或2所述的发光器件，进一步包括：第一荧光体膜，所述第一荧光体膜被设置在所述第一发光芯片上；以及第二荧光体膜，所述第二荧光体膜被设置在所述第二发光芯片上。
14.根据权利要求2或8所述的发光器件，包括：突起，所述突起在所述主体的顶表面上突出并且被设置在所述第一和第三引线框架之间的区域上，
其中，所述突起是由所述主体的材料形成，
其中，所述突起在所述第三和第四引线框架的顶表面上延伸，以及
其中，所述突起与所述反射框架被分开。
15.根据权利要求1或2所述的发光器件，包括：模制构件，所述模制构件被设置在所述反射框架的第一和第二开口中。
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