CN103928596B - 发光器件 - Google Patents

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Abstract

公开了一种发光器件及具有该发光器件的照明装置。发光器件包括：第一引线框，包括第一接合区域；第二引线框，包括第二接合区域；间隙部件，布置在第一和第二引线框之间；第一主体，耦接到第一和第二引线框且包括暴露第一和第二接合区域的开口区域；第二主体，耦接到第一主体上且包括位于第一主体的开口区域上的第一开口；发光芯片，位于第二引线框的第二接合区域上；以及透射树脂层，包围位于第一主体的开口区域和第二主体的第一开口中的发光芯片，其中第一主体包括具有高于第二主体的反射比的材料，第一主体的整个顶表面位于低于发光芯片的顶表面的位置，第一主体包括在所述开口区域周围的倾斜的内部，以及第一引线框包括第一孔，第一孔布置在第一主体的内部下方且具有大于发光芯片的底表面的面积。

Description

发光器件
技术领域
实施例涉及一种发光器件及具有该发光器件的照明装置。
背景技术
发光器件(例如发光二极管(LED))是一种将电能转换成光的半导体器件，并且被广泛地用作取代传统荧光灯和辉光灯的下一代光源。
由于LED通过利用半导体器件来产生光，与通过加热钨来产生光的辉光灯或通过激励(urging)紫外线(其通过高压放电而产生，用以与荧光物质发生碰撞)来产生光的荧光灯相比，LED可呈现低电力消耗。
此外，LED通过利用半导体器件的势差(potential gap)来产生光，因此，就使用寿命、响应特性和环境友好需求这些方面而言，LED与传统光源相比是有优势的。
在这一点上，已经进行了各种研究以用LED来取代传统光源。LED正在越来越多地被用作照明装置的光源，这些照明装置例如为用在室内和室外的各种灯具、液晶显示器、电子布告板和路灯。
发明内容
实施例提供一种具有宽视角的发光器件。
实施例提供一种发光器件，包括：第一主体，设置在发光芯片周围且具有比透射比(transmittance)高的反射比(reflectance)；以及第二主体，设置在所述第一主体上且具有比反射比高的透射比。
实施例提供一第一主体，其耦接到引线框且具有等于或小于5度的斜面。
实施例提供一种发光器件，包括位于第一和第二主体的开口区域内的发光芯片和树脂层。
实施例提供一种发光器件，包括：耦接结构，设置在第一主体的开口区域周围，且其中低于所述第一主体的顶表面的凹形区域(concave region)与引线框的凹进区域(recess region)重叠。
实施例提供一种发光器件及具有该发光器件的照明装置，所述发光器件包括第一主体和第二主体，该第一和第二主体具有相互不同的材料且布置在发光芯片周围。
根据实施例，提供一种发光器件，包括：第一引线框，包括第一接合区域；第二引线框，包括第二接合区域；间隙部件，布置在所述第一和第二引线框之间；第一主体，耦接到所述第一和第二引线框且包括暴露所述第一和第二接合区域的开口区域；第二主体，耦接到所述第一主体上且包括位于所述第一主体的所述开口区域上的第一开口；发光芯片，位于所述第二引线框的所述第二接合区域上；以及透射树脂层，包围位于所述第一主体的所述开口区域和所述第二主体的所述第一开口中的所述发光芯片，其中所述第一主体包括具有比所述第二主体的反射比更高的反射比的材料，所述第一主体的整个顶表面位于比所述发光芯片的顶表面低的位置处，所述第一主体包括在所述开口区域周围倾斜的内部，以及所述第一引线框包括第一孔，所述第一孔布置在所述第一主体的所述内部下方且具有比所述发光芯片的底表面的面积更大的面积。
根据实施例，提供一种发光器件，包括：第一引线框，包括第一接合区域；第二引线框，包括第二接合区域；间隙部件，布置在所述第一和第二引线框之间；第一主体，耦接到所述第一和第二引线框且包括暴露所述第一和第二接合区域的开口区域；第二主体，耦接到所述第一主体上且包括位于所述第一主体的所述开口区域上的第一开口；发光芯片，位于所述第二引线框的所述第二接合区域上；以及透射树脂层，包围位于所述第一主体的所述开口区域和所述第二主体的所述第一开口中的所述发光芯片，其中所述第一主体的顶表面位于比所述发光芯片的顶表面低的位置处，所述第一主体包括在所述开口区域周围倾斜的内部，所述第一引线框包括第一孔，所述第一孔布置在所述第一主体的所述内部下方且具有比所述发光芯片的底表面的面积更大的面积，所述第一主体由这样的材料形成，该材料对于从所述发光芯片发出的光具有70％或更大的反射比，以及所述第二主体包括传输从所述发光芯片发出的光的70％或更多光的材料。
附图说明
图1是示出根据第一实施例的发光器件的平面图。
图2是沿图1的发光器件的线B-B’的侧剖视图。
图3是沿图1的发光器件的线A-A’的侧剖视图。
图4是图1的发光器件的第一侧视图。
图5是图1的发光器件的第二侧视图。
图6是图1的发光器件的第三侧视图。
图7是图1的发光器件的第四侧视图。
图8是详细示出图1的发光器件的引线框和第一主体的耦接结构的视图。
图9是沿图8的线A1-A1’的剖视图。
图10是沿图8的线B1-B1’的剖视图。
图11和图12是示出图1的发光器件的引线框的前视图和后视图。
图13和图14分别是沿图11的线D-D’和线C-C’的侧剖视图。
图15是示出根据第二实施例的发光器件的侧剖视图。
图16是示出根据第三实施例的发光器件的侧剖视图。
图17是示出根据第四实施例的发光器件的侧剖视图。
图18是示出根据第五实施例的发光器件的侧剖视图。
图19是示出根据第六实施例的发光器件的侧剖视图。
图20示出根据一实施例的发光芯片的剖视图。
图21是示出根据另一实施例的发光芯片的剖视图。
图22是示出根据实施例的具有发光器件的显示装置的透视图。
图23是示出根据实施例的具有发光器件的显示装置的剖视图。
图24是示出根据实施例的具有发光器件的照明装置的分解透视图。
具体实施方式
在下文中，本领域技术人员将参照附图和实施例的描述清楚地理解实施例。在实施例的描述中，应当理解，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在另一衬底、另一层(或膜)、另一区域、另一垫或另一图案“上”或“下方”时，其可以是“直接”或“间接”位于另一衬底、层(或膜)、区域、垫或图案上方，或者也可以存在一个或多个中间层。已经参照附图来对这样的层的位置进行描述。
为了便于描述或清楚的目的，附图中所示的每层的厚度和尺寸可以被夸大、省略或示意性地描绘。此外，每个元件的尺寸并没有完全反映实际的尺寸。在所有附图中用相同的附图标记来指代相同的元件。
在下文中，将参照附图来对根据实施例的发光器件进行描述。
图1是示出根据第一实施例的发光器件的平面图。图2是沿图1的发光器件的线B-B’的侧剖视图。图3是沿图1的发光器件的线A-A’的侧剖视图。图4到图7是示出图1的发光器件的第一到第四侧表面的侧视图。
参见图1到图7，发光器件100包括：多个引线框121和131，包括具有第一接合区域20的第一引线框121和具有第二接合区域30的第二引线框131；第一主体141，耦接到引线框121和131；第二主体151，形成在第一主体141上且由与第一主体141不同的材料形成并具有第一开口111；发光芯片161，设置在第二引线框131的第二接合区域30上，其暴露于第一开口111内；以及透射树脂层171，形成在第一开口111内且包围发光芯片161。
在发光器件100中，沿第一方向X的长度L1可以等于或不同于沿第二方向Y的长度L2。第一和第二方向(X和Y)可以彼此垂直。沿第一方向X的长度L1是指第一引线框121和第二引线框131的两端之间的距离，并且可以形成为长于第一主体141或第二主体151的宽度。沿第二方向Y的长度L2可以等于第一引线框121或第二引线框131的长度，并且可以形成为等于沿第二方向Y的第一主体141或第二主体151的宽度。在这种情况下，垂直于发光芯片161的顶表面的方向可以指发光芯片161的正常方向Z。
第一引线框121的外部可以相比于第一主体141或第二主体151的第一侧表面11向外突出。第二引线框131的外部可以相比于第一主体141或第二主体151的第二侧表面12向外突出。因此，可以改善第一框架121和第二框架131在粘合件(例如焊料)上的粘合。
发光器件100的宽度L3或主体141和151的宽度为第一主体141或第二主体151的第一侧表面11和第二侧表面12之间的间隙。主体141和151的长度L2为第一主体141或第二主体151的第三侧表面13和第四侧表面14之间的间隙并且为沿第二方向Y的长度。第一主体141的宽度可以等于或宽于第二主体151的宽度。此外，第一主体141和第二主体151的长度L2可以彼此相等，或者第一主体141的长度可以长于第二主体151的长度。光反射效果可以由于第一主体141覆盖的面积而被提高。
如图2和图3所示，第一主体141耦接到第一引线框121和第二引线框131上，以及第二主体151耦接到第一主体141上。
第一主体141具有预定厚度且物理地耦接到第一引线框121和第二引线框131，使得第一主体141支撑第一引线框121和第二引线框131。第一主体141的一部分可以与第一引线框121和第二引线框131的底表面对齐。如图1和图2所示，第一主体141包括开口区域112，使得第一引线框121和第二引线框131的第一接合区域20和第二接合区域30通过开口区域112被暴露。
第一主体141可以包括这样一种材料，其对于从发光芯片161发出的波长表现出反射比高高于透射比。例如，第一主体141可以包括表现出至少70％或更高的反射比的材料。如果构成第一主体141的材料具有至少70％或更高的反射比，则构成第一主体141的材料可以包括非透射材料。可以通过使用树脂基绝缘材料(例如PPA(聚酞酸酯))来形成第一主体141。可以通过使用硅、环氧树脂、包括塑料材料、高耐热性材料或高耐光性材料的热固性树脂来形成第一主体141。硅包括白色树脂。此外，酸酐、抗氧化剂、脱模剂、光反射材料、无机填充剂、固化催化剂、光稳定剂、润滑剂或二氧化钛可以被选择性地添加到第一主体141中。可以通过使用选自由环氧树脂、改性环氧树脂、硅树脂、改性硅树脂、丙烯酸树脂和聚氨酯树脂所组成的群组中的至少一种来形成第一主体141。例如，可以通过使用B阶固体环氧树脂组合物来形成第一主体141，所述B-阶固体环氧树脂组合物可以通过如下而得到：将环氧树脂(例如异氰脲酸三缩水甘油酯或氢化双酚A二缩水甘油醚)与酸酐促进剂(例如六氢邻苯二甲酸酐、3-甲基六氢邻苯二甲酸酐或4-甲基六氢邻苯二甲酸酐)进行混合，接着，在将作为硬化促进剂的DBU(1.8-二氮杂二环(5,4,0)十一碳烯-7)以及作为促进剂的乙二醇、二氧化钛涂料或玻璃纤维添加到环氧树脂中后使混合物部分地硬化，但本实施方式不限于此。此外，遮光材料或分散剂(dispersed agent)被添加到第一主体141中，从而降低了光传输。此外，为了具有预定功能，第一主体141包括选自由分散剂、涂料、荧光物质、反光材料、遮光材料、光稳定剂和与热固化树脂混合的润滑剂所组成的群组中的至少一种。
第一主体141可以包括树脂材料，例如添加有金属氧化物的硅或环氧树脂。金属氧化物可以包括TiO2、SiO2和Al2O3中的至少一种。金属材料可以5wt％或更高的比例被添加到第一主体141中。因此，第一主体141可以由反光材料组成。
第二主体151可以形成在第一主体141的表面上。第二主体151可以包括透射材料。例如，第二主体151可以包括硅基树脂或环氧基树脂。可以通过EMC(环氧模铸化合物)方法的注模(injection-molded)方法来形成第二主体151。例如，第二主体151可以由无杂质、具有70％或更高的透射比的透射材料(例如透射树脂)组成。第二主体151允许从发光芯片161发出的光或从第一主体141反射的光有效地穿过。
第一主体141的整个顶表面的面积可以大于第二主体151的整个底表面的面积，以及第一主体141的顶表面可以形成为低于发光芯片161的顶表面。因此，朝向第一主体141的顶表面行进的光可以反射到第二主体151，从而可以减少光损失。
第一开口111可以设置在第二主体151中。第一开口111可以对应于第一主体141的开口区域112，或者可以大于第一主体141的开口区域112。
第一开口111的侧表面51可以倾斜或垂直于第一开口111的底部。第一开口111的侧表面51覆盖第一开口111的四周(circumstance)。
第一引线框121和第二引线框131的第一接合区域20和第二接合区域30通过第一开口111的底部被暴露。间隙部件142设置在第一接合区域20和第二接合区域30之间。间隙部件142使得第一接合区域20和第二接合区域30彼此分离。间隙部件142可以由第一主体141的材料形成并且可以阻挡泄漏的光。
沿第二接合区域30的相反方向或沿第一侧表面11的方向突出的第一延伸部件123可以形成在第一接合区域20内。当从顶部看时，第一延伸部件123可具有半球形。
沿第一接合区域20的相反方向或沿第二侧表面12的方向突出的第二延伸部件133可以形成在第二接合区域30内。当从顶部看时，第二延伸部件133可具有半球形。第二延伸部件133的尺寸可以不同于第一延伸部件123。第二延伸部件133的直径可以窄于发光芯片161的任一宽度。第一延伸部件123的曲率R2可以等于或小于第二延伸部件133的曲率。
当对第一开口111的轮廓进行说明时，连接彼此对应的两个侧表面的侧表面可以是弯曲的。该弯曲的表面被连接到具有半球形的第一延伸部件123和第二延伸部件133的弯曲表面。
发光芯片161安装在第二引线框131的第二接合区域30上，并且发光芯片161可以粘接到第二接合区域30上，例如，通过导电粘合剂或绝缘粘合剂。
发光芯片161通过第一导线165连接到接合区域20，以及通过第二导线166连接到第二接合区域30。第一导线165的一部分布置在第一接合区域20的第一延伸部件123内，而第二导线166的一部分布置在第二接合区域30的第二延伸部件133内。也就是说，第一延伸部件123和第二延伸部件133是其内设置有第一导线165和第二导线166的球的区域。此外，可以设置一空间，在该空间中将导线165和166接合到发光芯片161，而无需增加第一开口111的面积。
第一引线框121和第二引线框131包括金属化材料，例如，钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)中的至少一种或者包括至少两种上述元素的合金。第一引线框121和第二引线框131可以形成为单层或者可以配置为互不相同的多层金属层，但本实施方式不限于此。第一引线框121和第二引线框131可以包括金属化材料，例如，钛(Ti)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、铬(Cr)、钽(Ta)、铂(Pt)、锡(Sn)、银(Ag)和磷(P)中的至少一种或者包括至少两种上述元素的合金。如果第一引线框121和第二引线框131中的一个包括合金，所述合金可以包括Cu合金(例如Cu-Sn合金、Cu-Fe合金、Cu-Cr合金或Cu-Ag-Fe合金)。第一引线框121和第二引线框131的厚度T1可以在0.23mm到1.5mm的范围内，例如在0.25mm到0.5mm的范围内。
在下文中，将参照图11到图14来描述第一引线框121和第二引线框131的结构。图11和图12是第一引线框121和第二引线框131的前视图和后视图。图13和图14分别是沿图11的线D-D’和C-C’的侧剖视图。
参见图11到图14，第一引线框121包括：第一框架部件125，具有第一接合区域20；第一引线部件129，与第一框架部件125间隔开；第一孔22，设置在第一框架部件125和第一引线部件129之间；以及第一连接部件126和第二连接部件128，用于将第一框架125连接到第一引线部件129。第一孔22布置在第一框架部件125和第一引线部件129之间，以及第一连接部件126和第二连接部件128布置在第一孔22的外部。由于第一连接部件126和第二连接部件128的厚度可以薄于第一框架部件125和第一引线部件129的厚度，可以增加与第一主体141接触的面积。
第一框架部件125包括第一接合区域20。第一框架部件125具有等于第一引线框121的长度L2的长度，且被连接到第一连接部件126和第二连接部件128。第一框架部件125的两端包括第一突出部P1和第二突出部P2。第一突出部P1从第一框架部件125起而相比于第一连接部件126更向外突出，并且如图6所示而被暴露于第一主体141的第三侧表面13。第二突出部P2从第一框架部件125起而相比于第二连接部件128更向外突出，并且如图7所示而暴露于第一主体141的第四侧表面14。第一突出部P1和第二突出部P2可以允许第一引线框121将被支撑在第一主体141的侧表面上。
对应于第二引线框131和凹进区域21的区域可以设置在第一框架部件125的底部。凹进区域21可以宽于第一开口111的宽度。如图2和图9所示，间隙部件142的一部分延伸至凹进区域21，使得间隙部件142的底表面的宽度可以大于间隙部件142的顶表面的宽度。
在这种情况下，第一框架部件125的中心部可以朝向第二引线框131突出。第一框架部件125的中心部和第二引线框131之间的间隙可以窄于第一引线框121和第二引线框131之间的间隙G1。
如图12所示，下凹到低于第一引线框121的底表面的凹进区域28A和28B可以设置在第一突出部P1和第二突出部P2，但本实施方式不限于此。凹进区域28A和28B可以为第一引线框121的厚度的50％或更小的深度(例如，在30％到50％的范围内)形成。因此，与第二主体151的接触面积可以由于凹进区域28A和28B而增加。
第一引线部件129的一部分朝向第一主体141的第一侧表面11(如图4所示)突出、具有等于第一引线框121的长度L2的长度、且被连接到第一连接部件126和第二连接部件128。
低于第一引线框121的底表面的凹进区域23设置在第一引线部件129的底表面。凹进区域23可以为第一引线框121的厚度的50％或更小(例如，在30％到50％的范围内)的深度(图9的T5)形成。凹进区域23的长度可以对应于第一引线部件129的长度或者第一框架121的长度L2。第一引线部件129的凹进区域23可以延伸至第一连接部件126和第二连接部件128的部分。
以过孔(via-hole)或通孔(through hole)的形式形成的多个耦接孔29设置到第一引线部件129，以被耦接到第一主体141。耦接孔29可以与第一孔22的外侧间隔开以支撑第一主体141。
第一孔22可具有第一引线框121的宽度D11的25％或更宽(例如，在27％到40％的范围内)的宽度D2，并具有第一引线框121的长度L2的50％或更大(例如，在60％或更大的范围内)的长度L4。第一孔22的面积可以大于第一开口111的底面积并且可以是第一引线框121的顶表面的30％或更大。此外，第一孔22的面积可以大于发光芯片161的底表面的面积。
第一孔22的宽度D2可以在0.81mm±0.05mm的范围内。第一引线框121的宽度D11可以在2.25mm±0.5mm的范围内。
因此，如图2和图9所示，第一主体141的部件43布置在第一孔22中。第一引线部件129的凹进区域23连接到第一孔22，且耦接到第一孔22的第一主体141的部件43进行延伸。在这种情况下，如图9所示，邻近第一孔22的凹进区域23的宽度D3可以是第一引线框121的厚度的50％或更宽，但本实施方式不限于此。
可以增加第一主体141与第一引线框121的接触面积，从而可以提高具有薄于第二主体151的厚度的第一主体141的耦接强度。
第一连接部件126和第二连接部件128允许第一框架部件125和第一引线部件129在第一孔22的外部彼此连接。凹进为低于第一引线框121的顶表面的凹进区域22A设置在第一连接部件126的顶表面内，以及凹进为低于第一引线框121的顶表面的凹进区域22B设置在第二连接部件128的顶表面内。凹进区域22A和22B可以延伸至第一框架部件125的一部分。
第二引线框131包括：第二框架部件135，具有第二接合区域30；第二引线部件139，与第二框架部件135间隔开；第二孔32A和第三孔32B，设置在第二框架部件135和第二引线部件139之间；以及第三连接部件136到第五连接部件138，用于将第二框架125连接到第二引线部件139。第三连接部件136到第五连接部件138可以是凹进为低于第二引线框131的顶表面的区域，或者可具有薄于第二框架部件135和第二引线部件139的厚度。
第二框架部件135包括第二接合区域30。第二框架部件135具有等于第二引线框131的长度L2的长度，且被连接到第三连接部件136到第五连接部件138。第二框架部件135的两端包括第三突出部P3和第四突出部P4。第三突出部P3从第二框架部件135起相比于第三连接部件136更向外突出，并且如图6所示被暴露于第一主体141的第三侧表面13。第四突出部P4从第二框架部件135起相比于第五连接部件138更向外突出，并且如图7所示，被暴露于第一主体141的第四侧表面14。第三突出部P3和第四突出部P4可以允许第二引线框131将被支撑在第一主体141的侧表面上。
第二框架部件135包括在与第二孔32A和第三孔32B接触的区域处形成的凹凸结构30A和30B。凹凸结构30A和30B可以朝向第二孔32A和第三孔32B突出，以及凹进区域33和34可以形成在凹形结构的底表面内。第一主体141的部件46和47耦接到凹进区域33和34。
第一凹进部件31形成在位于第二框架部件135的顶表面内的第二接合区域30周围。第一凹进部件31形成为覆盖第二接合区域30的四周边缘。第一主体141的部件44耦接到第一凹进部件31。如图1、图2、图9和图10所示，第一凹进部件31的一部分通过第一开口111的底部被暴露。
在这种情况下，第二延伸部件133朝向第一凹进部件31的第四连接部件137突出。如图9和图10所示，第二凹进部件31的宽度F1窄于另一个区域的宽度F2。
如图12所示，凹进为低于第二引线框131的底表面的凹进区域38A和38B可以设置在第三突出部P3和第四突出部P4，但本实施方式不限于此。凹进区域38A和38B可以为第二引线框131的厚度的50％或更小(例如，在30％到50％的范围内)的深度形成。
如图4所示，第二引线部件139的一部分朝向第一主体141的第一侧表面11突出、具有等于第二引线框131的长度L2的长度，且被连接到第三连接部件136到第五连接部件138。
如图12所示，低于第二引线框131的底表面的凹进区域32E和32F设置在第二引线部件139的底表面。凹进区域23可以第一引线框121的厚度的50％或更小(例如，在30％到50％的范围内)的深度形成。凹进区域32E和32F彼此间隔开且被连接到第二孔32A和第三孔32B。第二引线部件139的凹进区域32E和32F可以延伸至第三连接部件136和第五连接部件138的部分。
以过孔的形式形成的多个耦接孔39设置在第二引线部件139以耦接到第一主体141。耦接孔39可以与第二孔32的外部间隔开，以提高与第一主体141的耦接。
第二孔32A和第三孔32B的直径可以形成在第二引线部件139的宽度的80％到120％的范围内且宽于第一孔的直径D2。第二孔32A和第三孔32B的直径可以是第二引线框131的宽度D12的15％或更宽。第二引线框131的宽度D12可以是第二引线框131的宽度D12的15％或更宽。第二引线框131的宽度D12可以在3.3mm±0.3mm的范围内，但本实施方式不限于此。
第二孔32A和第三孔32B通过第四连接部件137彼此间隔开且布置在第二框架部件135的拐角区域。如图8所示，第一主体141可以耦接到第二孔32A和第三孔32B内。可以增加第一主体141和第二引线框131的接触面积，从而可以提高相对薄于第二主体151的厚度的第一主体141的耦接强度。
第二孔32A布置在第三连接部件136和第四连接部件137之间，以及第三孔32B布置在第四连接部件137和第五连接部件138之间。
第三连接部件136包括位于其顶表面内的凹进区域32D。第四连接部件137布置在第三连接部件136和第五连接部件138之间，以及凹进区域32设置在第四连接部件137的顶表面内。第五连接部件138包括位于其顶表面内的凹进区域32C。耦接到第四连接部件137以及第二孔32A和第三孔32B的第一主体141支撑安装有发光芯片的第二接合区域30。
当对第一主体141的结构进行说明时，第一主体141耦接到第一引线框121的第一孔22以及凹进区域21、23、22A、22B、28A和28B、第二引线框131的第二孔32A和第三孔32B以及凹进区域21、32C、32D、32E、32F、33、34、38A和38B内。
第一主体141的厚度T2可以是第一引线框121的厚度的1.25到2倍。当从第一引线框121和第二引线框131的顶表面测量时，第一主体141的顶表面的最高位置可具有低于第一引线框121和第二引线框131的厚度T1的高度(T2-T1)。例如，当从第一引线框121和第二引线框131的顶表面测量时，第一主体141的最大高度可具有在0.2mm～0.25mm的范围内的厚度。第一主体141的外部(outer part)42可具有薄于第一引线框121和第二引线框131的厚度。第一主体141的外部42可位于比内部(inner part)41高的位置或者可以厚于内部41的厚度形成。第一主体141的外部42可位于比发光芯片161的顶表面低。第一主体141的内部41的顶表面的面积可以大于外部42的顶表面的面积。
第一主体141的顶表面的较低位置可以存在于第一主体141的内表面41A的顶表面上，且较低位置的高度可以等于内表面41A的高度。当从第一引线框121的顶表面测量时，内表面41A的高度可以对应于在45μm-60μm范围内的厚度。当厚度太薄时，第一主体141的内表面41A的相应部分可能不会形成或者被损坏，因此，优选地以上述范围的厚度形成内表面41A。第一主体141的内表面41A可以薄于发光芯片161的厚度形成。例如，第一主体141的内表面41A可以发光芯片161的厚度的50％或更薄的厚度形成，但本实施方式不限于此。此外，第一主体141的内表面41A可以形成为具有低于发光芯片161的顶表面的高度，使得从第一发光芯片161发出的光沿一侧方向可以被有效地反射。内表面41A的高度可以在0.05mm±0.01mm的范围内。
第一主体141的内表面41A可以垂直或倾斜于第一引线框121的顶表面，但本实施方式不限于此。
如图8到图10所示，第一主体141可以包括开口区域112、内部41和外部42。开口区域112可以等于或窄于第一开口111的底面积。当对开口区域112的宽度进行说明时，沿第一方向X的宽度E2可以宽于沿第二方向Y的宽度E6。开口区域112的宽度E2和E6是彼此对应的内表面41A之间的间隙。沿第一方向X的宽度E2可以是沿第二方向Y的宽度E6的1.2到1.5倍。宽度E2可以在1.91mm±0.2mm的范围内，而宽度E6可以在1.41mm±0.2mm的范围内。
对应于第一延伸部件12的开口区域112的弯曲表面的曲率R2可以在0.26±0.05mm的范围内，而连接到第一延伸部件123的弯曲表面的曲率R1可以是曲率R2的3倍，例如，在0.81±0.05mm的范围内。
第一主体141的内部41的顶表面可以预定角度θ1(例如，5度或更小或者在2度到5度的范围内)倾斜至第一引线框121和第二引线框131的顶表面。第一主体141的内部41可具有低于外部42的高度并且可以是倾斜的，使得入射光可以被有效地反射。当从顶部看时，第一主体141的内部41的外圆周可以形成为具有圆形的轮廓，但本实施方式不限于此。作为另一个示例，第一主体141的内部41的外圆周可以多边形或不规则形状形成，但本实施方式不限于此。
如图9所示，与位于第一主体141的内部41的顶表面内的第一引线框121的第一孔22相对应的区域的最小厚度T4可以是0.05mm或更厚，例如，在0.05～0.08mm的范围内。厚度T4可以防止第一孔22到第一主体141的部件43的耦接强度变差。
如图9和图10所示，当对第一主体141的内部41进行说明时，沿第一方向(X)的直线距离为内表面41与第一侧表面11和第二侧表面12之间的距离E4和E5，其可以彼此相等或不同。沿第二方向(Y)的直线距离为内表面41A与第三侧表面13和第四侧表面14之间的E8。
第一主体141的内部41可以是相对于外部42凹入的凹形部件113的底部。凹形部件113的宽度E1可以窄于第一主体141的宽度L3，并且可以第一主体141的宽度L3的80％或更宽形成。凹形部件113的宽度E1可以发光器件的宽度D1的75％或更宽形成，例如，4.5mm或更宽。
第一主体141的外部42可以包括平面或斜面。第一主体141的外部42的顶表面的高度可以低于发光芯片161的顶表面的高度。第一主体141的外部42可以形成为距离内部41具有预定高度T3，且高度T3可以在0.05mm±0.02mm的范围内。
如图8所示，最邻近位于第一主体141内的第一侧表面11和第二侧表面12的凹形部件113的区域可以沿外方向沿凹形部件113的曲率凸出地突出，本实施方式不限于此。
同时，当对第二主体151进行说明时，第二主体151形成在第一主体141上且与第一引线框121和第二引线框131间隔开。第二主体151的厚度可厚于第一主体161的厚度T2，例如，是厚度T2的1.5倍，或者可厚于发光芯片161的厚度以及厚于图2的导线166和167的高点的厚度。例如，第二主体151可以在250μm到550μm的范围内的厚度形成，但本实施方式不限于此。发光芯片可以用于光提取效率的上述范围内的厚度形成。发光芯片161可形成为具有在80μm到400μm的范围内的厚度，例如，在80μm到150μm的范围内，但本实施方式不限于此。
第二主体151的上部可以形成在凹凸结构、不平坦结构或阶差结构内。粘合层可以布置在第一主体141和第二主体151的顶表面之间以接合第一主体141和第二主体151的顶表面。
发光芯片161可以布置在第二引线框131的第二接合区域30上，可以通过第一导线165和第二导线166连接到第一引线框121和第二引线框131的第一连接部件123和第二连接部件133。发光芯片161通过第一引线框121和第二引线框131接收电力而被驱动。作为另一个示例，发光芯片161通过芯片接合方法接合到第二引线框131的第二接合区域30，并且可以通过第一导线165连接到第一引线框121的第一延伸部件123。发光芯片161可以通过倒装方法接合到第一引线框121和第二引线框131。
发光芯片161可以包括包括有半导体化合物的LED芯片，例如，可以包括UV LED芯片、蓝色LED芯片、绿色LED芯片、白色LED芯片和红色LED芯片中的至少一种。发光芯片161可以包括II-VI族化合物半导体和III-V族化合物半导体中的至少一种。发光芯片161的有源层可具有双接合结构、单阱结构、多阱结构，单量子阱结构、多量子阱结构、量子线结构和量子点结构中的至少一种。有源层可以通过交替布置阱/势垒层来形成。例如，可以InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN或InAlGaN/InAlGaN的堆叠结构的2到30个循环来形成阱/势垒层。此外，有源层可以包括半导体，例如ZnS、ZnSe、SiC、GaP、GaAlAs、AlN、InN和AlInGaP，但本实施方式不限于此。有源层的发光波长可以被发射为选自从紫外线光带到可见光带中的一种，但本实施方式不限于此。
第一主体141的开口区域112和第二主体151的第一开口111填充有透射树脂层171，并且发光芯片161被透射树脂层171所覆盖。透射树脂层171可以与第一主体141的内表面41A以及布置在凹进区域31内的第一主体141的部件44接触。
透射树脂层171可以由树脂材料(例如硅或环氧树脂)形成。透射树脂层171可以由这样的材料形成，该材料对于从发光芯片发出的光的波长(例如：蓝色波长)具有70％或更大的透射比(例如，90％或更大)。透射树脂层171的顶表面可以是平坦的，或者作为另一个示例，可以是凹的或凸的。
透射树脂层171的反射率可以是1.6或更小，而第二主体151的反射率可以等于或小于透射树脂层171的反射率。此外，第二主体151的反射率和透射树脂层171的反射率之间的差异可以是±0.2，但本实施方式不限于此。
透射树脂层171可以包括填料、涂料、扩散剂、荧光材料和反光材料中的至少一种。与透射树脂层171混合的荧光材料吸收从发光芯片161发射的一部分光以转换光的波长。荧光材料可以包括黄色磷光剂、绿色磷光剂、蓝色磷光剂和红色磷光剂中的至少一种。例如，荧光材料可以包括选自由下述所组成的群组中的至少一种：主要通过镧基元素(例如Eu或Ce)激活的氮化物基磷光剂(nitride based phosphor)、氧氮化物基磷光剂(an oxy-nitride based phosphor)和塞隆基磷光剂(sialon based phosphor)；主要通过镧基元素(例如Eu)激活的碱土卤素磷灰石磷光剂，或者过渡金属元素(例如Mn)；碱土金属硼酸卤磷光剂；碱土金属铝酸盐磷光剂；碱土硅酸盐；碱土硫化物；碱土硫代镓酸盐；碱土氮化硅；萌芽(germinate)；主要通过镧基元素(例如Ce)激活的稀土铝酸盐；稀土硅酸盐；以及主要通过镧基元素(例如Eu)激活的有机螯合剂，但本实施方式不限于此。
在第一实施例中，具有较薄厚度和反射特性的第一主体141可以耦接到第一引线框121的第一孔22和凹进区域21、23、22A、22B、28A和28B以及第二引线框131的第二孔32A和第三孔32B和凹进区域31、32C、32D、32E、32F、33、34、38A和38B内。因此，在具有第一主体141和第二主体151的堆叠结构的发光器件中，可以防止第一主体141未固定紧。此外，可以防止第一主体以及第一引线框121和第二引线框131的粘合强度变差，以及可以有效地抑制水分透过。
图15是示出根据第二实施例的发光器件的侧剖视图。在第二实施例的描述中，将通过参考合并与第一实施例相同的部件。
参见图15，光学透镜181设置在第二主体151和透射树脂层171上。光学透镜181可以包括透射树脂材料，例如硅或环氧树脂，或者玻璃材料。光学透镜181的折射率可以等于或低于透射树脂层171的折射率。光学透镜181可以与透射树脂层171和第二主体151的上部接触。
光学透镜181包括全反射面182和光出射面183。全反射面反射入射到其上的光。全反射面182在发光芯片161的上部方向上呈凹形凹进，且与透射树脂层171间隔开。全反射面182对应于发光芯片161。全反射面182具有的深度在发光芯片161的方向上低于光学透镜181的顶表面，并且是呈凹形弯曲，从而使得入射光被折射且被部分传输。光学透镜181可以允许通过第二主体151传输的光以较宽的光视角辐射。
全反射面182可以填充有反光材料185，该反光材料185包括树脂，例如，添加有金属氧化物的硅或环氧树脂。
光出射面183连接到全反射面182的圆周，且包括弯曲的形状以提取光。此外，为了光分布的目的，当从顶部看时，光出射面183可以形成为半球形，也可以形成为圆形或椭圆形。
光学透镜181的外部184可以与第一主体141和第二主体151的外表面接触，但本实施方式不限于此。为了此目的，第二主体151可具有窄于第一主体141的宽度或者第一主体141的外部42的一部分可以被暴露。
突出部可以设置在第二主体151上。突出部可以提高与光学透镜181的耦接强度，但本实施方式不限于此。光学透镜181可以被注模(injection-molded)在第二主体151上或者可以在分别单独制造后粘接到第二主体，但本实施方式不限于此。
图16是示出根据第三实施例的发光器件的侧剖视图。在第三实施例的描述中，将通过参考合并与第一实施例相同的部件。
参见图16，光学透镜181的全反射面182可以从光学透镜181的顶表面呈凹形凹进。全反射面182的深度的一半位置的直径可以窄于透射树脂层171的顶表面的宽度并且可以宽于发光芯片161的宽度。全反射面192可以填充有反光材料185，该反光材料185包括树脂，例如添加有金属氧化物的硅或环氧树脂。全反射面182可以沿正常方向有效地反射从发光芯片162行进的光。
此外，光学透镜181可以堆叠在第二主体151上且与第一主体141间隔开。
图17是示出根据第四实施例的发光器件的侧剖视图。在第四实施例的描述中，将通过参考合并与第一实施例相同的部件。
参见图17，在发光器件中，光学透镜181被耦接到第一主体141上。光学透镜181的外部184可以与第一主体141的顶表面在一条线上对齐，或者可以与第一引线框121和第二引线框131的顶表面接触。
光学透镜181包括位于其内具有半球形的凹形部件186。该凹形部件186在发光芯片161上方突出以覆盖发光芯片161。
凹形部件186可以是空的空间或者可以填充有透射材料(例如树脂)，但本实施方式不限于此。
磷光剂层173形成在发光芯片161上。磷光剂层173设置在发光芯片161的顶表面上以转换入射光的波长。
发光器件的凹形部件186可以扩散从发光芯片161发出的光。扩散的光被反射在光学透镜181的全反射面182上且通过光出射面183被辐射。
通过凹形部件186扩散的一部分光可以通过第一主体141被反射且通过光学透镜181被提取。
第四实施例通过使用光学透镜181来提供具有第一实施例的第二主体的功能的结构。
图18是示出根据第五实施例的发光器件的侧剖视图。在第五实施例的描述中，将通过参考合并与第一实施例相同的部件。
参见图18，发光器件包括位于发光芯片161上具有半球形的透射树脂层173。第二主体151形成在透射树脂层173周围。第二主体151可以由透射材料形成以有效地引导通过透射树脂层173传输的光以及通过第一主体141反射的光。
此外，透射树脂层173可以与第一主体141的内部41的顶表面接触，从而可以提高透射树脂层173和第一主体141之间的耦接。
第二主体151的外部55可以包括弯曲的形状，并且具有弯曲形状的外部55可以提高在第二主体151中行进的光的提取效率。也就是说，第二主体151的外部55可以连接到光学透镜181B的光出射面183，使得外部55可以被操作为光出射面。
第二主体151的外侧表面56可以连接到外部55，且可以布置得相比于第一主体141的外侧表面更向外，但本实施方式不限于此。
图19是示出根据第六实施例的发光器件的侧剖视图。在第六实施例的描述中，将通过参考合并与第一实施例相同的部件。
参见图19，发光器件包括位于透射树脂层171上的反射层155以及在透射树脂层171和反射层155周围的第二主体151A。反射层155可以由与第一主体141的材料相同的材料形成。例如，金属氧化物可以被添加到树脂材料(例如硅或环氧树脂)中。金属氧化物可以包括TiO2、SiO2和Al2O3中的至少一种。金属材料可以5wt％或更大的比率被添加到主体141中。
反射层155与透射树脂层171的顶表面接触以有效地反射从发光芯片161发出的光。为了此目的，第一主体141的顶表面可以是粗糙的，以反射从反射层155上发射的光，但本实施方式不限于此。
第二主体151A的厚度T6可以等于或厚于透射树脂层171和反射层155的厚度的总和。第二主体151A的顶表面可以是平坦的或者弯曲的以具有半球形，但本实施方式不限于此。光学透镜可以与反射层155接触或不接触，但本实施方式不限于此。
根据实施例的发光器件可以增加光视角。实施例可提供具有140度或更高的光视角的发光器件。根据实施例，可以减少安装在衬底上的发光器件的数量。此外，根据实施例，可以提高引线框和主体之间的耦接强度。此外，可以提高根据实施例的发光器件及具有该发光器件的照明装置的可靠性。
图20是示出根据实施例的发光器件的一个示例的侧剖视图。
参见图20，发光芯片包括：衬底311、缓冲层312、发光结构310、第一电极316和第二电极317。衬底311可以包括包含透射材料或非透射材料的衬底，以及可以包括导电衬底或绝缘衬底。
缓冲层312减小构成衬底311和发光结构310的材料之间的晶格常数差异，并且可以包括氮化物半导体。未掺杂有掺杂剂的氮化物半导体层还设置在缓冲层312和发光结构310之间，使得能够提高晶体质量。
发光结构310可以包括第一导电半导体层313、有源层314和第二导电半导体层315。
第一导电半导体层313可以包括：掺杂有第一导电掺杂剂的III到V族化合物半导体。第一导电半导体层313可以由具有分子式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料形成。第一导电半导体层313可以包括多个层的堆叠结构，所述多个层包括选自由GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP所组成的群组中的至少一种。第一导电半导体层313包括N型半导体层，并且第一导电掺杂剂为包括Si、Ge、Sn、Se或Te的N型掺杂剂。
第一包覆层可以布置在第一导电半导体层313和有源层314之间。第一包覆层可以包括GaN基半导体，并且可具有宽于有源层314的带隙。第一包覆层以第一导电类型形成，以便限制载流子。
有源层121形成在第一导电半导体层313上。有源层121可以包括选自下述中的一种：单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构和量子点结构。有源层314具有多个阱层和势垒层的循环。阱层可具有分子式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)，而势垒层可具有分子式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)。可以通过InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGaN/InGaN、InAlGaN/AlGaN和InAlGaN/InAlGaN的堆叠结构来使用多个阱/势垒层中的至少一个循环。势垒层可以包括具有高于阱层的带隙的半导体材料。
第二导电层315形成在有源层314上。第二导电层315包括掺杂有第二导电掺杂剂的半导体，例如，包括具有分子式InxAlyGa1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体。详细地，第二导电半导体层315可以包括选自下述化合物半导体中的一种：例如，GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP和AlGaInP。如果第二导电半导体层315为P型半导体层，则半导体导电掺杂剂包括P型掺杂剂(例如Mg、Zn、Ca、Sr或Ba)。
第二导电半导体层315可以包括超晶格结构，并且所述超晶格结构可以包括InGaN/GaN超晶格结构或AlGaN/GaN超晶格结构。第二导电半导体层315的超晶格结构异常地扩散电流，从而保护有源层314。
此外，发光结构310可具有相反的导电类型。例如，第一导电半导体层313可以包括P型半导体层，而第二导电半导体层315可以包括N型半导体层。可以在第二导电半导体层315上设置与第二导电型极性相反的第一导电半导体层。
可以通过使用N-P结结构、P-N结结构、N-P-N结结构和P-N-P结结构中的一种来实现发光结构310。“P”表示P型半导体，“N”表示N型半导体层，以及“-”表示P型半导体直接或间接连接到N型半导体。在下文中，为了便于说明，将对发光结构310的最上层为第二导电半导体层315的情况进行描述。
第一电极316设置在第一导电半导体层313上，以及具有电流扩散层的第二电极317设置在第二导电半导体层315上。
图21是示出根据实施例的发光芯片的另一个示例的剖视图。在下文中，在实施例的以下描述中，为了简要说明，将省略与图20相同的部件的细节。
参见图21，在根据该实施例的发光芯片中，接触层321形成在发光结构310下方，反射层324形成在接触层321下方，支撑构件325形成在反射层324下方，以及保护层323可以形成在反射层324和发光结构310周围。
在形成位于第二导电半导体层315下方的接触层321、保护层323、反射层324和支撑构件323之后，可以通过移除生长衬底来形成发光芯片。
接触层321可以与发光结构310的下层(例如，第二导电半导体层315)进行欧姆接触，并且可以包括金属氧化物、金属氮化物、绝缘材料或导电材料。例如，接触层321可以包括：氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡((IGTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、Hf及其选择性组合。接触层321可以通过使用金属材料和透明材料(例如IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO或ATO)形成为多层结构。例如，接触层321可具有IZO/Ni、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni或AZO/Ag/Ni的堆叠结构。用于阻挡电流的层还可以形成在对应于电极316的接触层321中。
保护层323可以包括金属氧化物或绝缘材料。例如，保护层323可选择性地包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟铝锌(IAZO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡((IGTO)、氧化锑锡(ATO)、氧化镓锌(GZO)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3或TiO2。可以通过溅射法或沉积法形成保护层323。构成反射层324的金属可以防止发光结构310的多个层短路。
反射层324可以包括金属(例如Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Cu、Au、Hf)或者其选择性组合。反射层324可具有大于发光结构310的宽度，从而提高光反射效率。用于接合的金属层和用于散热的金属层还可以设置在反射层324和支撑构件325之间，但本实施例不限于此。
支撑构件325用作基底衬底，并且可以包括诸如Cu、Au、Ni、Mo或Cu-W的金属以及诸如Si、Ge、GaAs、ZnO和SiC的承载晶片。粘合层还可以形成在支撑构件325和反射层324之间，并且使两个层彼此接合。所公开的发光芯片是为了说明目的，然而本实施例不限于此。发光芯片可以被选择性地应用到根据实施例的发光器件，但本实施例不限于此。
<照明系统>
根据实施例的发光器件可以应用于照明系统。照明系统包括其中排列有多个发光器件的结构。照明系统包括：图22和图23中所示的显示装置、图24中所示的照明装置、照明灯、闪光灯、信号灯、车辆头灯和电子显示器。
图22是示出根据实施例的具有发光器件的显示装置的分解透视图。
参见图22，根据实施例的显示装置1000包括：导光板1041、将光提供至导光板1041的光源模块1033、位于导光板1041下方的反射构件1022、位于导光板1041上的光学片1051、位于光学片1051上的显示面板1061以及用于容纳导光板1041、光源模块1033和反射构件1022的底盖1011，但本实施例不限于此.
底盖1011、反射片1022、导光板1041、光学片1051和光单元(light unit)1050可以被定义为背光单元。
导光板1041扩散从光源模块1033供应的光以提供平面光。导光板1041可以包括透明材料。例如，导光板1041可以包括下列丙烯酸基树脂(acryl-based resin)之一：例如，PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)、PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)、PC(聚碳酸酯)、COC(环烯烃共聚物)和PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)树脂。
光源模块1031布置在导光板1041的至少一侧上以将光提供至导光板1041的至少一侧。光源模块1031被用作显示装置的光源。
至少一个光源模块1031布置为从导光板1041的一侧直接或间接地提供光。光源模块1031可以包括板1033和根据实施例的发光器件或发光器件1035。所述发光器件或发光器件1035可以彼此以预定距离间隔排列在板1033上。
板1033可以包括包含电路图案(未示出)的印刷电路板(PCB)。此外，板1031还可以包括金属芯PCB(MCPCB)或柔性PCB(FPCB)，也可以包括通常PCB，但本实施例不限于此。如果发光器件1035被安装在底盖1011侧或散热板上，板1033可以被省略。散热板部分地与底盖1011的顶表面接触。
此外，这样排列发光器件1035，使得用于发射发光器件1035的光的多个光出射面与导光板1041在板1033上间隔开预定距离，但本实施例不限于此。发光器件1035可以直接或间接地将光提供至光入射面(即导光板1041的一个侧)，但实施例不限于此。
反射构件1022布置在导光板1041下方。反射构件1022将通过导光板1041的底表面向下行进的光朝向显示面板1061反射，从而提高光单元1050的亮度。例如，反射构件1022可以包括PET、PC或PVC树脂，但本实施例不限于此。反射构件1022可以用作底盖1011的顶表面，但本实施例不限于此。
底盖1011可以容纳位于其内的导光板1041、光源模块1031和反射构件1022。为了此目的，底盖1011具有容纳部1012，其具有带有顶表面开口的盒状，但本实施例不限于此。底盖1011可以与顶盖(未示出)耦接，但本实施例不限于此。
可以通过使用金属材料或树脂材料通过按压工艺或模压(extrusion)工艺来制造底盖1011。此外，底盖1011可以包括具有优良导热性的金属或非金属材料，但本实施例不限于此。
显示面板1061例如是LCD面板，包括彼此相对的第一和第二透明衬底，以及插入到第一和第二衬底之间的液晶层。偏振板可以附着至显示面板1061的至少一个表面，但本实施例不限于此。显示面板1061通过允许光穿过来显示信息。显示装置1000可以应用至各种便携式终端、笔记本电脑的监视器、便携式电脑的监视器和电视机。
光学片1051布置在显示面板1061和导光板1041之间，并且包括至少一个透明片。例如，光学片1051包括选自由扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片所组成的组中的至少一个。扩散片将入射光扩散，水平和垂直棱镜片将入射光聚集在显示面板1061上，以及增亮片通过对损失的光的再利用来增强亮度。此外，保护片可以布置在显示面板1061上，但实施例不限于此。
作为光学构件的导光板1041和光学片1051可以布置在光源模块1031的光路中，但实施例不限于此。
图23是示出根据实施例的显示装置的剖视图。
参见图23，显示装置1100包括：底盖1152、其上排列有发光器件1124的板1120、光学构件1154和显示面板1155。
板1120和发光器件1124可以组成光源模块1160。此外，底盖1152、至少一个光源模块1160以及光学构件1154可以组成光单元1150。底盖1151可以布置有容纳部1153，但实施例不限于此。光源模块1160包括板1120，以及排列在板1120上的多个发光器件或一发光器件1124。
光学构件1154可以包括选自由透镜、导光板、扩散片、水平和垂直棱镜片以及增亮片所组成的组中的至少一个。导光板可包括PC或PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯)。导光板可以被省略。扩散片将入射光扩散，水平和垂直棱镜片将入射光聚集在显示区域上，以及增亮片通过对损失的光的再利用来增强亮度。
为了将从光源模块1160发出的光转换成平面光，光学构件1154布置在光源模块1160上方。
图24是根据实施例的具有发光器件的照明装置的分解透视图。
参见图24，根据实施例的照明装置可以包括：盖2100、光源模块2200、散热构件2400、供电部件2600、内壳2700和插座(socket)2800。根据实施例的照明装置还可包括构件2300和支架(holder)2500的至少一个。光源模块2200可以包括根据实施例的发光器件。
例如，盖2100具有灯泡形状或半球形状。盖2100可具有中空结构，并且一部分盖2100可以是打开的。盖2100可以被光学地连接到光源模块220，并且可以与散热构件2400耦接。盖2100可具有与散热构件2400耦接的凹进部件。
盖2100的内表面可以被涂覆有作为扩散剂的乳白色涂料。从光源模块2200发射的光可以通过使用该乳白色涂料而被散射或扩散，使得光能够被排放到外部。
盖2100可以包括玻璃、塑料、聚丙烯(PP)、聚乙烯(PE)或聚碳酸酯(PC)。在这种情况下，聚碳酸酯(PC)具有优良的耐光性、耐热性和强度。盖2100可以是透明的，使得用户可以从外部看到光源模块2200。此外，盖2100可以是不透明的。盖2100可以通过吹塑方法(blow molding scheme)形成。
光源模块2200可以布置在散热构件2400的一个表面处。因此，从光源模块2200发出的热量被传递到散热构件2400。光源模块2200可以包括发光器件2210、连接板2230和连接器2250。
构件2300布置在散热构件2400的顶表面上，且具有其中插入有多个发光器件2210和连接器2250的导槽2310。导槽2310对应于光源2210的衬底和连接器2250。
白色涂料可以被应用到货涂覆在构件2300的表面。构件2300将由盖2100的内表面反射并返回到光源模块2200的光朝向盖2100反射。因此，可以提高根据实施例的照明系统的照明效率。
构件2300可以包括绝缘材料。光源模块2200的连接板2230可以包括导电材料。因此，散热构件2400可以电连接到连接板2230。构件2300包括绝缘材料，从而防止连接板2230和散热构件2400电短路。散热构件2400从光源模块2200和供电部件2600接收热量并散热。
支架2500阻挡布置在内壳2700内的绝缘部件2710的容纳槽2719。因此，容置在内壳2700内的绝缘部件2710中的供电部件2600被封闭。支架2500包括引导突出部2510。引导突出部2510可以包括允许供电部件2600的突出部2610穿过的孔。
供电部件2600处理或转换从外部接收的电信号，并将处理或转换后的电信号提供至光源模块2200。供电部件2600容置在内壳2700内的容纳槽2719中，并通过支架2500封闭在内壳2700内。
供电部件2600可以包括突出部2610、引导件2630、基座2650和延伸部件2670。
引导件2630从基座2650的一侧向外突出。引导件2630可以被插入到支架2500中。多个部件可以被布置在基座2650的一个表面上方。例如，这些部件可以包括：直流(DC)转换器；驱动芯片，用于驱动光源模块2200；以及静电放电(ESD)保护器件，用于保护光源模块2200，但实施例不限于此。
延伸部件2670从基座2650的另一侧向外突出。延伸部件2670被插入到内壳2700的连接部件2750，并从外部接收电信号。例如，延伸部件2670可以等于或小于内壳2700的连接部件2750的宽度。延伸部件2670可以通过导线电连接至插座2800。
内壳2700内可以布置有模铸件连同供电部件2600。通过硬化模铸液来形成模铸件，使得供电部件2600可以被固定在内壳2700内。
根据实施例的发光器件可以增加光视角。例如，实施例可以提供一种具有140度或更大的光视角的发光器件。根据实施例，可以减少安装在衬底上的发光器件的数量。此外，根据实施例，可以提高引线框和主体之间的耦接强度。此外，可以提高根据实施例的发光器件及具有该发光器件的照明装置的可靠性。
在本说明书中任何涉及的“一个实施例”、“实施例”、“示例性实施例”等是指结合实施例描述的具体特征、结构或特性被包括在本发明的至少一个实施例中。在说明书中这些短语出现在各种地方都不是必要涉及相同的实施例。进一步地，当结合任何实施例描述具体的特征、结构或特性时，认为在本领域技术人员的范围内结合其他的实施例实现这样的特征、结构或特性。
尽管已参考多个其示意性实施例描述了实施例，但是应该理解的是能够被本领域普通技术人员设计的多个其他修正和实施例将落入本公开的原理的精神和范围之内。更具体地，在本公开文本、附图和所附权利要求的范围内，元件部分和/或主要组合装置的布局的各种变形和改型是可能的。除了对元件部分和/或装置的变形和改型之外，替代使用对本领域普通技术人员也是明显的。

Claims (20)

1.一种发光器件，包括：
第一引线框，包括第一接合区域；
第二引线框，包括第二接合区域；
间隙部件，布置在所述第一引线框和所述第二引线框之间；
第一主体，耦接到所述第一引线框和所述第二引线框且包括暴露所述第一接合区域和所述第二接合区域的开口区域；
第二主体，耦接到所述第一主体上且包括位于所述第一主体的所述开口区域上的第一开口；
发光芯片，位于所述第二引线框的所述第二接合区域上；以及
透射树脂层，包围位于所述第一主体的所述开口区域和所述第二主体的所述第一开口中的所述发光芯片，
其中所述第一主体包括具有高于所述第二主体的反射比的材料，
所述第一主体的整个顶表面位于比所述发光芯片的顶表面低的位置，
所述第一主体的内部包括在所述开口区域周围的倾斜的顶表面，
所述第一引线框包括第一孔，所述第一孔布置在所述第一主体的所述内部下方且具有大于所述发光芯片的底表面的面积，
其中第一凹进部形成在第二引线框的第二接合区域周围，所述第一凹进部的一部分通过所述第一开口的底部暴露，并且所述第一主体的一部分耦接到所述第一凹进部，以及
其中所述第一凹进部凹进为低于所述第二引线框的顶表面。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一主体的所述内部的顶表面相对于所述第一引线框和所述第二引线框的顶表面以范围在2°到5°内的角度倾斜。
3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一主体的外部具有厚于所述内部的厚度。
4.根据权利要求1到3中任一项所述的发光器件，其中在第一方向上，所述第一孔的宽度等于或宽于所述第一引线框的宽度的25％，
其中，所述第一孔在第二方向上的长度长于所述第一孔在所述第一方向上的宽度，以及
其中所述第一方向和所述第二方向彼此垂直。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一孔的长度长于所述第一开口的宽度。
6.根据权利要求4所述的发光器件，其中在所述第二方向上，所述第一孔的长度小于所述第一引线框的长度，且等于或长于所述第一引线框的长度的60％。
7.根据权利要求1到3中任一项所述的发光器件，还包括在邻近所述第一孔的区域内从所述第一引线框的顶表面和底表面凹进的多个凹进区域。
8.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第一引线框包括第一延伸部件，所述第一延伸部件具有沿与位于所述第一接合区域上的所述第二引线框相反的方向凹进的半球形，并且所述第一延伸部件被连接到第一导线的连接到所述发光芯片的一部分，
其中所述第二引线框包括第二延伸部件，所述第二延伸部件具有沿与位于所述第二接合区域上的所述第一引线框相反的方向上凹进的半球形，并且所述第二延伸部件被连接到第二导线的连接到所述发光芯片的一部分。
9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一引线框的包括第一接合区域的第一框架部件的中心部朝向所述第二引线框突出，
其中所述第一框架部件的中心部与所述第二引线框之间的间隙小于所述第一引线框与所述第二引线框之间的间隙。
10.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述第一引线框包括：第一框架部件，包括位于比所述第一孔更向内的区域的所述第一接合区域；
第一引线部件，位于比所述第一孔更向外的区域；以及
第一连接部件和第二连接部件，将所述第一框架部件连接到所述第一引线部件，以及
所述第一孔布置在所述第一框架部件和所述第一引线部件之间。
11.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述第二引线框包括第二框架部件，所述第二框架部件包括所述第二接合区域；
第二引线部件，与所述第二框架部件隔开；
多个第三连接部件，将所述第二框架部件连接到所述第二引线部件；以及
多个第二孔，布置在所述第三连接部件之间。
12.根据权利要求11所述的发光器件，其中在所述第一方向上，所述第二孔中的每一个具有宽于所述第一孔的宽度。
13.根据权利要求11所述的发光器件，其中邻近所述第二接合区域的所述第一主体的所述内部通过所述第一开口被部分暴露。
14.根据权利要求12所述的发光器件，还包括凹凸结构，形成在对应于所述第二接合区域的所述第二孔周围且耦接到所述第一主体。
15.根据权利要求1到3中任一项所述的发光器件，其中所述第一主体由这样的材料形成：所述材料对于从所述发光芯片发出的光具有70％或更大的反射比，以及
所述第二主体包括传输从所述发光芯片发出的光的70％或更多的材料。
16.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第一主体包括白色树脂材料以及所述第二主体包括透射硅树脂或环氧树脂。
17.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述第一引线框的外部比所述第二主体的第一侧表面更向外延伸，以及
所述第二引线框的外部比与所述第一侧表面相对的第二侧表面更向外延伸，
其中所述第二主体的第三侧表面和第四侧表面位于比所述第一引线框和所述第二引线框更向外的位置。
18.根据权利要求15所述的发光器件，还包括反射层，所述反射层形成在所述透射树脂层上且包括与所述第一主体的材料相同的材料。
19.根据权利要求15所述的发光器件，还包括位于所述第二主体和所述透射树脂层上的光学透镜，
其中所述光学透镜耦接到所述第一主体和所述第二主体中的至少一个。
20.根据权利要求15所述的发光器件，其中所述间隙部件由与所述第一主体的材料相同的材料形成。
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