JP2015222831A

JP2015222831A - 発光素子

Info

Publication number: JP2015222831A
Application number: JP2015149685A
Authority: JP
Inventors: オウ・スンジュ; Sung Joo Oh; ミン・ボンクル; Bong Kul Min
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: LG Innotek Co Ltd
Priority date: 2013-01-14
Filing date: 2015-07-29
Publication date: 2015-12-10
Anticipated expiration: 2034-01-10
Also published as: KR20140091857A; KR102029802B1; US9136452B2; EP2755246A2; JP2014135489A; US9564564B2; CN103928596A; US20140197438A1; US20150340580A1; EP2755246B1; JP5788539B2; EP2755246A3; CN103928596B; JP6088004B2

Abstract

【課題】広い光指向角を有する発光素子を提供する。
【解決手段】第１ボンディング領域２０を有する第１リードフレーム１２１及び第２ボンディング領域３０を有する第２リードフレーム１３１、第１及び第２ボンディング領域が露出したオープン領域１１２を有して第１及び第２リードフレームに結合された第１胴体１４１、オープン領域の上に第１開口部１１１を有し第１胴体の上に結合された第２胴体１５１、第２リードフレームの第２ボンディング領域の上に配置された発光チップ１６１、及び第１胴体のオープン領域及び第２胴体の開口部に配置された透光性樹脂層１７１を含む。第１胴体は、第２胴体より反射率がより高い材質を有し、オープン領域の周りに発光チップの厚さより低い高さを有し、傾斜した内側部４１を含む。第１リードフレームには第１胴体の内側部の下に前記発光チップの下面面積より広い面積を有する第１孔２２を含む。
【選択図】図２

Description

本発明は、発光素子に関するものである。

発光素子、例えば発光ダイオード（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｅｖｉｃｅ）は電
気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種であって、既存の蛍光灯、白熱灯に代えて
次世代の光源として脚光を浴びている。

発光ダイオードは半導体素子を用いて光を生成するので、タングステンを加熱して光を生
成する白熱灯や、または高圧放電により生成された紫外線を蛍光体に衝突させて光を生成
する蛍光灯に比べて非常に低い電力だけを消耗する。

また、発光ダイオードは半導体素子の電位ギャップを用いて光を生成するので、既存の光
源に比べて寿命が長く、応答特性が速く、親環境的な特徴を有する。

これによって、既存の光源を発光ダイオードに取り替えるための多い研究が進められてお
り、発光ダイオードは室内外で使われる各種ランプ、液晶表示装置、電光板、街灯などの
照明装置の光源として使用が増加している。

本発明の実施形態により、広い光指向角を有する発光素子を提供する。

また、本発明の実施形態により、発光チップの周りに透過率より反射率が高い第１胴体と
、前記第１胴体の上に反射率より透過率が高い第２胴体とを含む発光素子を提供する。

また、本発明の実施形態により、リードフレームの孔に結合され、５度以下の傾斜面を有
する第１胴体を有する発光素子を提供する。

また、本発明の実施形態により、第１及び第２胴体のオープン領域に発光チップ及び樹脂
層が配置された発光素子を提供する。

また、本発明の実施形態により、第１胴体のオープン領域の周りに配置され、前記第１胴
体の上面より低い凹部の領域とリードフレームのリセス領域が垂直方向にオーバーラップ
される結合構造を有する発光素子を提供する。

また、本発明の実施形態により、発光チップの周りに互いに異なる材質の第１及び第２胴
体を有する発光素子及びこれを備えた照明装置を提供する。

本発明の一実施形態に従う発光素子は、第１ボンディング領域を有する第１リードフレー
ム、第２ボンディング領域を有する第２リードフレーム、前記第１及び第２リードフレー
ムの間に配置された間隙部、前記第１及び第２リードフレームの第１及び第２ボンディン
グ領域が露出したオープン領域を有し、前記第１及び第２リードフレームに結合された第
１胴体、前記第１胴体のオープン領域の上に配置された第１開口部を有し、前記第１胴体
の上に結合された第２胴体、前記第２リードフレームの第２ボンディング領域の上に配置
された発光チップ、及び前記第１胴体のオープン領域及び前記第２胴体の開口部に配置さ
れ、前記発光チップを囲む透光性樹脂層を含み、前記第１胴体は前記第２胴体の材質より
反射率がより高い材質を含み、前記第１胴体の上面は前記発光チップの上面より低く位置
し、前記第１胴体は前記オープン領域の周りに傾斜した内側部を含み、前記第１リードフ
レームには前記第１胴体の内側部の下に前記発光チップの下面面積より広い面積を有する
第１孔を含む。

本発明の他の実施形態に従う発光素子は、第１ボンディング領域を有する第１リードフレ
ーム、第２ボンディング領域を有する第２リードフレーム、前記第１及び第２リードフレ
ームの間に配置された間隙部、前記第１及び第２リードフレームの第１及び第２ボンディ
ング領域が露出したオープン領域を有し、前記第１及び第２リードフレームに結合された
第１胴体、前記第１胴体のオープン領域の上に配置された第１開口部を有し、前記第１胴
体の上に結合された第２胴体、前記第２リードフレームの第２ボンディング領域の上に配
置された発光チップ、及び前記第１胴体のオープン領域及び前記第２胴体の開口部に配置
され、前記発光チップを囲む透光性樹脂層を含み、前記第１胴体の上面は前記発光チップ
の上面より低く位置し、前記第１胴体は前記オープン領域の周りに傾斜した内側部を含み
、前記第１リードフレームには前記第１胴体の内側部の下に前記発光チップの下面面積よ
り広い面積を有する第１孔を含み、前記第１胴体は前記発光チップから放出された光に対
して７０％以上の反射率を有する材質で形成され、前記第２胴体は前記発光チップから放
出された光の７０％以上を透過させる材質を含む。

本発明の実施形態によれば、発光素子の光指向角を増大させることができる。

本発明の実施形態によれば、１４０度以上の広い光指向角を有する発光素子を提供するこ
とができる。

本発明の実施形態によれば、基板に搭載される発光素子の個数を減らすことができる。

本発明の実施形態によれば、リードフレームと胴体との結合力を強化させることができる
。

本発明の実施形態によれば、発光素子とこれを備えた照明装置の信頼性を改善させること
ができる。

本発明の第１実施形態に従う発光素子の平面図である。図１の発光素子のＡ−Ａ’側断面図である。図１の発光素子のＢ−Ｂ’側断面図である。図１の発光素子の第１側面図である。図１の発光素子の第２側面図である。図１の発光素子の第３側面図である。図１の発光素子の第４側面図である。図１の発光素子のリードフレームと第１胴体との結合構造を詳細に説明した図である。図８のＡ１−Ａ１’側断面図である。図８のＢ１−Ｂ１’側断面図である。図１の発光素子のリードフレームの正面図である。図１の発光素子のリードフレームの背面図である。図１１のリードフレームのＤ−Ｄ’側断面図である。図１１のリードフレームのＣ−Ｃ’側断面図である。本発明の第２実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。本発明の第３実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。本発明の第４実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。本発明の第５実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。本発明の第６実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。本発明の実施形態に従う発光チップを示す図である。本発明の実施形態に従う発光チップの他の例を示す図である。実施形態による発光素子を有する表示装置を示す斜視図である。実施形態による発光素子を有する表示装置を示す斜視図である。実施形態による発光素子を有する照明装置の例を示す図である。

以下、実施形態は、添付した図面及び実施形態に対する説明を通じて明白に表れるように
なる。本発明を説明するに当たって、各層（膜）、領域、パターン、または構造物が、基
板、各層（膜）、領域、パッド、またはパターンの“上／の上（ｏｎ）”に、または“下
／の下（ｕｎｄｅｒ）”に形成されるものと記載される場合において、“上／の上（ｏｎ
）”と“下／の下（ｕｎｄｅｒ）”は、“直接（ｄｉｒｅｃｔｌｙ）”または“他の層を
介して（ｉｎｄｉｒｅｃｔｌｙ）”形成されるものを全て含む。また、各層の上／の上ま
たは下／の下に対する基準は、図面を基準として説明する。

図面において、サイズは説明の便宜及び明確性のために誇張、省略、または概略的に図示
された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。また
、同一な参照番号は図面の説明を通じて同一な要素を表す。

以下、添付した図面を参照して実施形態に従う発光素子を説明する。

図１は本発明の第１実施形態に従う発光素子の平面図であり、図２は図１の発光素子のＡ
−Ａ’側断面図であり、図３は図１の発光素子のＢ−Ｂ’側断面図であり、図４から図７
は図１の発光素子の第１から第４側面を示す図である。

図１から図７を参照すると、発光素子１００は、第１ボンディング領域２０を有する第１
リードフレーム１２１及び第２ボンディング領域３０を有する第２リードフレーム１３１
を含む複数のリードフレーム１２１、１３１と、前記複数のリードフレーム１２１、１３
１に結合された第１胴体１４１と、前記第１胴体１４１の上に前記第１胴体１４１と異な
る材質を有して第１開口部１１１を有する第２胴体１５１と、前記第１開口部１１１の内
に露出した前記第２リードフレーム１３１の第２ボンディング領域３０の上に配置された
発光チップ１６１と、前記第１開口部１１１に形成され、前記発光チップ１６１を囲む透
光性樹脂層１７１を含む。

発光素子１００で第１方向（Ｘ）の長さ（Ｌ１）と第２方向（Ｙ）の長さ（Ｌ２）とは同
一であるか、相異することがある。前記第１及び第２方向（Ｘ、Ｙ）は互いに直交する方
向になることができる。前記第１方向（Ｘ）の長さ（Ｌ１）は第１リードフレーム１２１
と第２リードフレーム１３１の両端の間の間隔を表し、第１胴体１４１または第２胴体１
５１の第１方向（Ｘ）の幅よりは長く形成できる。前記第２方向（Ｙ）の長さ（Ｌ２）は
前記第１または第２リードフレーム１２１、１３１の長さと同一であることがあり、前記
第１または第２胴体１４１、１５１の第２方向（Ｙ）の幅と等しく形成できる。ここで、
前記発光チップ１６１の上面に対して垂直な方向は発光チップ１６１の法線方向（Ｚ）と
して説明できる。

前記第１リードフレーム１２１の外郭部は前記第１または第２胴体１４１、１５１の第１
側面１１より外側に突出することができ、前記第２リードフレーム１３１の外郭部は前記
第１または第２胴体１４１、１５１の第２側面１２より外側に突出できる。これは、第１
及び第２リードフレーム１２１、１３１とソルダーペースト（Ｓｏｌｄｅｒｐａｓｔｅ
）のような接合部材との接合を改善させることができる。

前記発光素子１００の幅（Ｌ３）または胴体１４１、１５１の幅は、前記第１または第２
胴体１４１、１５１の第１側面１１と第２側面１２との間の間隔であり、前記胴体１４１
、１５１の長さ（Ｌ２）は前記第１または第２胴体１４１、１５１の第３側面１３及び第
４側面１４の間の間隔であり、第２方向（Ｙ）の長さとなる。前記第１及び第２胴体１４
１、１５１の幅は互いに同一であるか、第１胴体１４１がより広いことがある。また、前
記第１及び第２胴体１４１、１５１の長さ（Ｌ２）は互いに同一であるか、第１胴体１４
１の長さがより長く形成できる。このような第１胴体１４１がカバーする面積により光反
射効率は改善できる。

図２及び図３のように、第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の上には第１胴体１
４１が結合され、前記第１胴体１４１の上には第２胴体１５１が結合される。

前記第１胴体１４１は所定の厚さを有し、前記第１リードフレーム１２１と前記第２リー
ドフレーム１３１と物理的に結合され、前記第１リードフレーム１２１と前記第２リード
フレーム１３１とを支持するようになる。前記第１胴体１４１の一部は、前記第１リード
フレーム１２１と前記第２リードフレーム１３１の下面と同一水平面に形成できる。図１
及び図２のように、前記第１胴体１４１はオープン領域１１２を具備し、前記オープン領
域１１２は前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の第１及び第２ボンディング
領域２０、３０が露出する。

前記第１胴体１４１は前記発光チップ１６１から放出された波長に対し、反射率が透過率
より高い物質、例えば、７０％以上の反射率を有する材質で形成できる。前記第１胴体１
４１は、反射率が７０％以上の場合、不透光性の材質と定義できる。前記第１胴体１４１
は樹脂系列の絶縁物質、例えば、ポリフタルアミド（ＰＰＡ：Ｐｏｌｙｐｈｔｈａｌａｍ
ｉｄｅ）のような樹脂材質で形成できる。前記第１胴体１４１は、シリコン、またはエポ
キシ樹脂、またはプラスチック材質を含む熱硬化性樹脂、または高耐熱性、高耐光性材質
で形成できる。上記のシリコンは白色系列の樹脂を含む。また、前記第１胴体１４１の内
には酸無水物、酸化防止剤、離型剤、光反射材、無機充填材、硬化触媒、光安定剤、潤滑
剤、二酸化チタンのうち、選択的に添加できる。前記第１胴体１４１は、エポキシ樹脂、
変性エポキシ樹脂、シリコン樹脂、変性シリコン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂から
なる群から選択される少なくとも１種により成形できる。例えば、トリグリシジルイソシ
アヌレート、水素化ビスフェノールＡジグリシジルエーテルなどからなるエポキシ樹脂と
、ヘキサヒドロ無水フタル酸、３−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸４−メチルヘキサヒ
ドロ無水フタル酸などからなる酸無水物を、エポキシ樹脂に硬化促進剤としてＤＢＵ（１
，８−Ｄｉａｚａｂｉｃｙｃｌｏ（５，４，０）ｕｎｄｅｃｅｎｅ−７）、助触媒として
エチレングリコール、酸化チタン顔料、ガラス繊維を添加し、加熱により部分的に硬化反
応させてＢステージ化した固形状エポキシ樹脂組成物を使用することができ、これに対し
て限定するものではない。

また、前記第１胴体１４１の内に遮光性物質または拡散剤を混合して透過する光を低減さ
せることができる。また、前記第１胴体１４１は所定の機能を有するようにするために、
熱硬化性樹脂に拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、光安定剤、潤滑剤か
らなる群から選択される少なくとも１種を適切に混合してもよい。

前記第１胴体１４１は、エポキシまたはシリコンのような樹脂材質に金属酸化物が添加さ
れることができ、前記金属酸化物はＴｉＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３のうち、少なくとも
１つを含み、前記第１胴体１４１の内に５ｗｔ％以上の割合で添加できる。これによって
、前記第１胴体１４１は反射性材質で提供できる。

前記第２胴体１５１は、前記第１胴体１４１の上に形成できる。前記第２胴体１５１は透
光性材質で形成されることができ、例えばシリコン系列またはエポキシ系列の樹脂材質で
形成できる。前記第２胴体１５１は、インジェクションモールディング（Ｉｎｊｅｃｔｉ
ｏｎｍｏｌｄｉｎｇ）方式またはエポキシモールディングコンパウンド（ＥＭＣ）方式
により形成できる。前記第２胴体１５１は透明な材質、例えば、内部に不純物が添加され
ない透光性樹脂材質で形成されることができ、その透過率は７０％以上の材質で形成でき
る。前記第２胴体１５１は、発光チップ１６１から放出された光や前記第１胴体１４１か
ら反射された光を効果的に透過させることができる。

前記第１胴体１４１の全体上面は前記第２胴体１５１の全体下面の面積より大きい面積に
形成されることができ、前記発光チップ１６１の上面より低く位置できる。したがって、
前記第１胴体１４１の上面方向に進行される光は前記第２胴体１５１に反射されることが
でき、光損失は減らすことができる。

前記第２胴体１５１には第１開口部１１１が配置され、前記第１開口部１１１は第１胴体
１４１のオープン領域１１２と対応するか、前記第１胴体１４１のオープン領域１１２よ
り広い領域に形成できる。

前記第１開口部１１１の側面５１は、前記第１開口部１１１の底に対して傾斜または垂直
に形成できる。前記第１開口部１１１の側面５１は、前記第１開口部１１１の周りをカバ
ーするようになる。

前記第１開口部１１１の底には第１リードフレーム１２１の第１ボンディング領域２０と
第２リードフレーム１３１の第２ボンディング領域３０が露出する。前記第１ボンディン
グ領域２０と第２ボンディング領域３０との間には間隙部１４２が配置され、前記間隙部
１４２は第１及び第２ボンディング領域２０、３０を物理的に分離させる。前記間隙部１
４２は前記第１胴体１４１の材質で形成されて、漏洩される光を遮断することができる。

前記第１ボンディング領域２０には第２ボンディング領域３０の反対側方向に、または第
１側面１１の方向に突出した第１延長部１２３が形成され、前記第１延長部１２３はトッ
プビュー形状が半球形状に形成できる。

前記第２ボンディング領域３０には第１ボンディング領域２０の反対側方向または第２側
面１２の方向に突出した第２延長部１３３が形成され、前記第２延長部１３３はトップビ
ュー形状が半球形状に形成できる。前記第２延長部１３３は、前記第１延長部１２３と異
なるサイズであることがあり、その直径は前記発光チップ１６１のいずれか一辺の幅より
狭く形成できる。前記第１延長部１２３の曲率（Ｒ２）は前記第２延長部１３３の曲率と
等しいか小さいことがある。

前記第１開口部１１１の輪郭線を見ると、互いに対応する二側面と、前記各側面に連結さ
れる側面が曲面に形成されることができ、前記曲面は第１及び第２延長部１２３、１３３
の半球形状の曲面と連結される。

前記第２リードフレーム１３１の第２ボンディング領域３０の上に発光チップ１６１が搭
載され、前記発光チップ１６１は前記第２ボンディング領域３０の上に接着剤、例えば、
伝導性または絶縁性接着剤により接着できる。

前記発光チップ１６１は第１ワイヤー１６５により第１ボンディング領域２０と連結され
、第２ワイヤー１６６により第２ボンディング領域３０と連結される。前記第１ワイヤー
１６５の一部は前記第１ボンディング領域２０の第１延長部１２３の内に配置され、前記
第２ワイヤー１６６の一部は前記第２ボンディング領域３０の第２延長部１３３の内に配
置される。即ち、前記第１及び第２延長部１２３、１３３は前記第１及び第２ワイヤー１
６５、１６６のボール（Ｂａｌｌ）が置かれる領域となる。また、第１開口部１１１の面
積を増加させず、発光チップ１６１とワイヤー１６５、１６６がボンディングされる空間
を提供することができる。

前記第１リードフレーム１２１及び第２リードフレーム１３１は金属材質、例えば、チタ
ニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タンタ
リウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、すず（Ｓｎ）、銀（Ａｇ）、燐（Ｐ）のうち、少なくと
も１つまたは２つ以上の合金を含み、また単層または互いに異なる金属層で形成されるこ
とができ、これに対して限定するものではない。前記第１及び第２リードフレーム１２１
、１３１は金属材質、例えば、チタニウム（Ｔｉ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、金
（Ａｕ）、クロム（Ｃｒ）、タンタリウム（Ｔａ）、白金（Ｐｔ）、すず（Ｓｎ）、銀（
Ａｇ）、燐（Ｐ）のうち、少なくとも１つまたは２つ物質の合金を含むことができる。前
記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１は、ある一層が合金の場合、銅（Ｃｕ）と
少なくとも一種類の金属合金として、例えば銅−亜鉛合金、銅−鉄合金、銅−クロム合金
、銅−銀−鉄のような合金を含む。前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の厚
さ（Ｔ１）は０．２３ｍｍ〜１．５ｍｍであることがあり、例えば０．２５ｍｍ〜０．５
ｍｍ範囲を含む。

図１１から図１４を参照して、第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の構造を詳細
に説明する。図１１及び図１２は第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の正面図及
び背面図であり、図１３及び図１４は図１１のＣ−Ｃ’及びＤ−Ｄ’側断面図である。

図１１から図１４を参照すると、第１リードフレーム１２１は第１ボンディング領域２０
を有する第１フレーム部１２５と、前記第１フレーム部１２５から離隔した第１リード部
１２９と、前記第１フレーム部１２５と前記第１リード部１２９との間に配置された第１
孔２２と、前記第１フレーム部１２５と前記第１リード部１２９とを互いに連結してくれ
る第１連結部１２６及び第２連結部１２８を含む。前記第１孔２２は前記第１フレーム部
１２５と第１リード部１２９との間に配置され、前記第１連結部１２６及び第２連結部１
２８は前記第１孔２２の外側部に配置される。前記第１連結部１２６及び前記第２連結部
１２８は第１フレーム部１２５及び第１リード部１２９の厚さより薄い厚さで形成される
ので、前記第１胴体１４１との接触面積が増加できる。

前記第１フレーム部１２５は第１ボンディング領域２０を具備し、前記第１リードフレー
ム１２１の長さ（Ｌ２）を有し、前記第１及び第２連結部１２６、１２８に連結される。
前記第１フレーム部１２５の両端部には第１突起Ｐ１及び第２突起Ｐ２を含む。前記第１
突起Ｐ１は前記第１フレーム部１２５から前記第１連結部１２６より外側に突出し、図６
のように前記第１胴体１４１の第３側面１３に露出する。前記第２突起Ｐ２は前記第１フ
レーム部１２５から前記第２連結部１２８より外側に突出し、図７のように前記第１胴体
１４１の第４側面１４に露出する。前記第１及び第２突起Ｐ１、Ｐ２は前記第１リードフ
レーム１２１を前記第１胴体１４１の側面部に支持できる。

前記第１フレーム部１２５の下面には前記第２リードフレーム１３１と対応する領域と前
記第１ボンディング領域２０の下にリセスされた領域２１を含み、前記リセスされた領域
２１は前記第１開口部１１１の幅より長く形成できる。前記リセスされた領域２１には図
２及び図９のように間隙部１４２の一部が延びる。これによって、前記間隙部１４２は下
面幅が上面幅より広く形成できる。

ここで、前記第１フレーム部１２５の中心部は前記第２リードフレーム１３１の方向に突
出し、前記第１フレーム部１２５の中心部と前記第２リードフレーム１３１との間の間隔
は前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の間の間隔（Ｇ１）より狭く形成でき
る。

図１２のように、前記第１突起Ｐ１及び第２突起Ｐ２には前記第１リードフレーム１２１
の下面より低くリセスされた領域２８Ａ、２８Ｂが配置されることができ、これに対して
限定するものではない。前記リセスされた領域２８Ａ、２８Ｂの深さは前記第１リードフ
レーム１２１の厚さの５０％以下、例えば、３０−５０％範囲で形成できる。前記リセス
された領域２８Ａ、２８Ｂにより前記第２胴体１５１との接触面積が増加できる。

前記第１リード部１２９の一部は、図４のように第１胴体１４１の第１側面１１に突出し
、前記第１リードフレーム１２１の長さ（Ｌ２）を有し、前記第１及び第２連結部１２６
、１２８に連結される。

前記第１リード部１２９の下面には前記第１リードフレーム１２１の下面より低くリセス
された領域２３を含み、前記リセスされた領域２３の深さ（図９のＴ５）は前記第１リー
ドフレーム１２１の厚さの５０％以下、例えば、３０−５０％範囲で形成できる。前記リ
セスされた領域２３の長さは前記第１リード部１２９の長さまたは前記第１リードフレー
ム１２１の長さ（Ｌ２）に対応するように形成できる。前記第１リード部１２９にリセス
された領域２３は前記第１及び第２連結部１２６、１２８の一部まで延長できる。

前記第１リード部１２９には複数の結合孔２９が配置され、前記結合孔２９はビアホール
形態に形成され、前記第１胴体１４１が結合される。前記複数の結合孔２９は前記第１孔
２２の外側に離隔して配置されるので、第１胴体１４１を支持することができる。

前記第１孔２２は前記第１リードフレーム１２１の幅（Ｄ１１）の２５％以上、例えば、
２７％〜４０％範囲の幅（Ｄ２）を有し、前記第１リードフレーム１２１の長さ（Ｌ２）
の５０％以上の長さ（Ｌ４）、例えば６０％以上の長さ（Ｌ４）を有して形成できる。前
記第１孔２２の面積は前記第１開口部１１１の底面積より広く形成され、また前記第１リ
ードフレーム１２１の上面面積の３０％以上に形成できる。また、前記第１孔２２の面積
は前記発光チップ１６１の下面面積より広く形成できる。

前記第１孔２２の幅（Ｄ２）は０．８１ｍｍ±０．０５ｍｍ範囲を含み、前記第１リード
フレーム１２１の幅（Ｄ１１）は２．２５ｍｍ±０．５ｍｍ範囲を含む。

これによって、図２及び図９のように前記第１孔２２には第１胴体１４１の一部４３が配
置され、前記第１リード部１２９のリセスされた領域２３は前記第１孔２２に連結されて
、前記第１孔２２に結合された前記第１胴体１４１の一部４３が延びる。ここで、図９の
ように前記第１孔２２に隣接したリセスされた領域２３の幅（Ｄ３）は前記第１リードフ
レーム１２１の厚さの５０％以上になることができ、これに対して限定するものではない
。

前記第１胴体１４１は第１リードフレーム１２１との接触面積が増加することができ、前
記第２胴体１５１に比べて相対的に厚さの薄い第１胴体１４１の結合力を強化させること
ができる。

前記第１連結部１２６及び第２連結部１２８は、前記第１孔２２の外側で前記第１フレー
ム部１２５と第１リード部１２９とを互いに連結してくれる。前記第１連結部１２６の上
面には前記第１リードフレーム１２１の上面より低くリセスされた領域２２Ａを含み、前
記第２連結部１２８の上面には前記第１リードフレーム１２１の上面より低くリセスされ
た領域２２Ｂを含む。前記リセスされた領域２２Ａ、２２Ｂは第１フレーム部１２５の一
部まで延長できる。

前記第２リードフレーム１３１は、第２ボンディング領域３０を有する第２フレーム部１
３５、前記第２フレーム部１３５から離隔した第２リード部１３９、前記第２フレーム部
１３５と前記第２リード部１３９との間に配置された第２及び第３孔３２Ａ、３２Ｂ、前
記第２フレーム部１３５と前記第２リード部１３９とを連結してくれる第３から第５連結
部１３６、１３７、１３８を含む。前記第３から第５連結部１３６、１３７、１３８は、
前記第２リードフレーム１３１の上面より低くリセスされた領域であるか、第２フレーム
部１３５及び第２リード部１３９の厚さより薄い厚さを有することができる。

前記第２フレーム部１３５は第２ボンディング領域３０を具備し、前記第２リードフレー
ム１３１の長さ（Ｌ２）を有して第３から第５連結部１３６、１３７、１３８に連結され
る。前記第２フレーム部１３５の両端部には第３突起Ｐ３及び第４突起Ｐ４を含む。前記
第３突起Ｐ３は前記第２フレーム部１３５から前記第３連結部１３６より外側に突出し、
図６のように前記第１胴体１４１の第３側面１３に露出する。前記第４突起Ｐ４は前記第
２フレーム部１３５から前記第５連結部１３８より外側に突出し、図７のように前記第１
胴体１４１の第４側面１４に露出する。前記第３及び第４突起Ｐ３、Ｐ４は前記第２リー
ドフレーム１３１を前記第１胴体１４１の側面部に支持できる。

前記第２フレーム部１３５は、前記第２及び第３孔３２Ａ、３２Ｂに接触する領域に凹凸
構造３０Ａ、３０Ｂが形成される。前記凹凸構造３０Ａ、３０Ｂは前記第２及び第３孔３
２Ａ、３２Ｂの方向に突出し、その鉄構造の下面にはリセスされた領域３３、３４が形成
できる。前記リセスされた領域３３、３４には前記第１胴体１４１の一部４６、４７が結
合される。

前記第２フレーム部１３５の上面のうち、前記第２ボンディング領域３０の周りには第１
リセス部３１が形成され、前記第１リセス部３１は前記第２ボンディング領域３０の周り
をカバーする形態に形成され、前記第１リセス部３１には前記第１胴体１４１の一部４４
が結合される。前記第１リセス部３１の一部は、図１、図２、図９、及び図１０のように
前記第１開口部１１１の底に露出する。

ここで、前記第２延長部１３３は前記第１リセス部３１のうち、前記第４連結部１３７の
方向に突出し、この際、図９及び図１０のように前記第１リセス部３１の幅（Ｆ１）は他
の領域の幅（Ｆ２）より狭く形成される。

図１２のように、前記第３突起Ｐ３及び第４突起Ｐ４には前記第２リードフレーム１３１
の下面より低くリセスされた領域３８Ａ、３８Ｂが配置されることができ、これに対して
限定するものではない。前記リセスされた領域３８Ａ、３８Ｂの深さは前記第２リードフ
レーム１３１の厚さの５０％以下、例えば、３０−５０％範囲で形成できる。

前記第２リード部１３９の一部は図４のように第１胴体１４１の第１側面１１に突出し、
前記第２リードフレーム１３１の長さ（Ｌ２）を有し、前記第３から第５連結部１３６、
１３７、１３８に連結される。

前記第２リード部１３９の下面には前記第２リードフレーム１３１の下面より低くリセス
された領域３２Ｅ、３２Ｆを含み、前記リセスされた領域２３の深さは前記第１リードフ
レーム１２１の厚さの５０％以下、例えば、３０−５０％範囲で形成できる。前記リセス
された領域３２Ｅ、３２Ｆは互いに離隔し、前記第２及び第３孔３２Ａ、３２Ｂに連結さ
れる。前記第２リード部１３９にリセスされた領域３２Ｅ、３２Ｆは前記第３及び第５連
結部１３６、１３８の一部まで延長できる。

前記第２リード部１３９には複数の結合孔３９が配置され、前記結合孔３９はビアホール
形態に形成され、前記第１胴体１４１が結合される。前記複数の結合孔３９は前記第２及
び第３孔３２Ａ、３３Ｂの外側に離隔して配置されるので、第１胴体１４１との結合を強
化させることができる。

前記第２孔３２Ａ及び第３孔３２Ｂの幅は前記第２リード部１３９の幅の８０％−１２０
％範囲で形成されることができ、前記第１孔２２の幅（Ｄ２）より広く形成できる。また
、前記第２孔３２Ａ及び第３孔３２Ｂの幅は前記第２リードフレーム１３１の幅（Ｄ１２
）の１５％以上の幅で形成できる。前記第２リードフレーム１３１の幅（Ｄ１２）は３．
３ｍｍ±０．３ｍｍ範囲で形成されることができ、これに対して限定するものではない。

前記第２孔３２Ａ及び第３孔３２Ｂは前記第４連結部１３７により互いに分離され、前記
第２フレーム部１３５のコーナー領域に配置される。図８のように前記第２孔３２Ａ及び
第３孔３２Ｂには第１胴体１４１が結合され、前記第１胴体１４１は第２リードフレーム
１３１との接触面積が増加することができ、前記第２胴体１５１に比べて相対的に厚さの
薄い第１胴体１４１の結合力を強化させることができる。

前記第２孔３２Ａは第３及び第４連結部１３６、１３７の間に配置され、前記第３孔３２
Ｂは第４及び第５連結部１３７、１３８の間に配置される。

前記第３連結部１３６は上面にリセスされた領域３２Ｄを含む。前記第４連結部１３７は
前記第３及び第５連結部１３６、１３８の間に配置され、上面にリセスされた領域３２が
配置される。前記第５連結部１３８は上面にリセスされた領域３２Ｃを含む。前記第４連
結部１３７と第２及び第３孔３２Ａ、３２Ｂに結合された第１胴体１４１は発光チップが
搭載される前記第２ボンディング領域３０を支持してくれる。

第１胴体１４１の構造を見ると、前記第１胴体１４１は前記第１リードフレーム１２１の
第１孔２２と多数のリセスされた領域２１、２３、２２Ａ、２２Ｂ、２８Ａ、２８Ｂ、前
記第２リードフレーム１３１の第２及び第３孔３２Ａ、３２Ｂと多数のリセスされた領域
３１、３２Ｃ、３２Ｄ、３２Ｅ、３２Ｆ、３３、３４、３８Ａ、３８Ｂに結合される。

前記第１胴体１４１の厚さ（Ｔ２）は前記第１リードフレーム１２１の厚さの１．２５〜
２倍範囲で形成されることができ、前記第１胴体１４１の上面のうち、高点の高さは前記
第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の上面から前記第１及び第２リードフレーム
１２１、１３１の厚さ（Ｔ１）より低い高さ（Ｔ２−Ｔ１）に形成できる。例えば、前記
第１胴体１４１の高点の高さは前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の上面か
ら０．２〜０．２５ｍｍ範囲の厚さで形成できる。前記第１胴体１４１の外側部４２は前
記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の厚さより薄い厚さを有し、前記内側部４
１より上に配置されたり、より厚く形成されたりし、前記発光チップ１６１の上面高さよ
り低い位置に配置される。前記第１胴体１４１の内側部４１の上面面積は前記外側部４２
の上面面積より広く形成できる。

前記第１胴体１４１の上面のうち、底点位置は前記第１胴体の内側面４１Ａの上面になる
ことができ、前記底点高さは前記内側面４１Ａの高さになることができる。前記内側面４
１Ａの高さは前記第１リードフレーム１２１の上面から４５μｍ−６０μｍ範囲の厚さで
形成されることができ、このような厚さが薄過ぎる場合、前記第１胴体１４１の内側面４
１Ａが部分が未成形されたり、破損されたりすることがあるので、上記の厚さ範囲で形成
できる。前記第１胴体１４１の内側面４１Ａの高さは前記発光チップ１６１の厚さより低
く、例えば、前記発光チップ１６１の厚さの５０％以下に形成されることができ、これに
対して限定するものではない。また、前記第１胴体１４１の内側面４１Ａの高さが前記発
光チップ１６１の上面高さよりは低く形成されることによって、前記第１発光チップ１６
１から側方向に放出される光を効果的に反射させることができる。前記内側面４１Ａの高
さは０．０５ｍｍ±０．０１ｍｍ範囲を含む。
前記第１胴体１４１の内側面４１Ａは前記第１リードフレーム１２１の上面から垂直また
は傾斜するように形成されることができ、これに対して限定するものではない。

図８から図１０のように、前記第１胴体１４１は、オープン領域１１２、内側部４１、及
び外側部４２を含み、前記オープン領域１１２は前記第１開口部１１１の底面積と同一で
あるか、狭いことがある。前記オープン領域１１２の幅を見ると、第１方向（Ｘ）の幅（
Ｅ２）は第２方向（Ｙ）の幅（Ｅ６）より広いことがある。前記オープン領域１１２の幅
（Ｅ２、Ｅ６）は互いに対応する内側面４１Ａの間の間隔になる。前記第１方向（Ｘ）の
幅（Ｅ２）は前記第２方向の幅（Ｅ６）に比べて１．２倍〜１．５倍範囲に広く形成でき
る。前記幅（Ｅ２）は１．９１ｍｍ±０．２ｍｍ範囲を含み、前記幅（Ｅ６）は１．４１
ｍｍ±０．２ｍｍ範囲を含む。

前記オープン領域１１２は第１延長部１２３に対応する曲面の曲率（Ｒ２）は０．２６±
０．０５ｍｍ範囲を含み、前記第１延長部１２３に連結される曲面の曲率（Ｒ１）は前記
曲率（Ｒ２）の３倍以上、例えば０．８１±０．０５ｍｍ範囲で形成できる。

第１胴体１４１の内側部４１の上面は前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の
上面に対して所定角度（θ１）、例えば５度以下に傾斜し、２度から５度の範囲に傾斜す
ることができる。前記第１胴体１４１の内側部４１は前記外側部４２より低い高さを有し
、傾斜するように形成されることによって、入射される光を効果的に反射させることがで
きる。前記第１胴体１４１の内側部４１の外郭周りはトップビュー形状が円形状の輪郭線
で形成されることができ、これに対して限定するものではない。他の例として、前記第１
胴体１４１の内側部４１の外郭周りを多角形状または非定形形状に形成することができ、
これに対して限定するものではない。

ここで、前記図９のように、前記第１胴体１４１の内側部４１の上面のうち、前記第１リ
ードフレーム１２１の第１孔２２に対応する領域の最小厚さ（Ｔ４）は０．０５ｍｍ以上
、例えば、０．０５〜０．０８ｍｍ範囲で形成できる。このような厚さ（Ｔ４）は前記第
１孔２２と第１胴体１４１の一部４３との結合力が弱まることを防止することができる。

図９及び図１０のように、前記第１胴体１４１の内側部４１を見ると、第１方向（Ｘ）の
直線距離は前記内側面４１Ａと前記第１及び第２側面１１、１２の間の距離（Ｅ４、Ｅ５
）となり、前記距離（Ｅ４、Ｅ５）は互いに同一であるか、相異することがある。第２方
向（Ｘ）の直線距離は前記内側面４１Ａと前記第３側面及び第４側面１３、１４の間の距
離（Ｅ８）となる。

前記第１胴体１４１の内側部４１は外側部４２に対し、凹な凹部１１３の底になることが
できる。前記凹部１１３の幅（Ｅ１）は前記第１胴体１４１の幅（Ｌ３）よりは狭く、前
記第１胴体１４１の幅（Ｌ３）の８０％以上に形成できる。前記凹部１１３の幅（Ｅ１）
は前記発光素子の幅（Ｄ１）の７５％以上に形成されることができ、例えば４．５ｍｍ以
上に形成できる。

前記第１胴体１４１の外側部４２は平坦な面または傾斜した面で形成されることができ、
その上面の高さは前記内側部４１の高点高さより少なくても高く形成できる。また、前記
第１胴体１４１の外側部４２の上面は、前記発光チップ１６１の上面高さより低い位置に
形成できる。前記第１胴体１４１の外側部４２は、前記内側部４１から所定の高さ（Ｔ３
）に形成されることができ、前記高さ（Ｔ３）は０．０５ｍｍ±０．０２ｍｍ範囲で形成
できる。

また、図８のように、前記第１胴体１４１の第１及び第２側面１１、１２の領域のうち、
前記凹部１１３に最も隣接した領域は前記凹部１１３の曲率に従って外方に凸に突出する
ことができ、これに対して限定するものではない。

一方、前記第２胴体１５１を見ると、前記第２胴体１５１は前記第１胴体１４１の上に形
成され、前記第１及び第２リードフレーム１２１、１３１から離隔する。前記第２胴体１
５１の厚さは前記第１胴体１４１の厚さ（Ｔ２）より厚く、例えば、１．５倍以上厚く形
成されるか、前記発光チップ１６１の厚さより厚く、図２のワイヤー１６６、１６７の高
点より高く形成されることができ、例えば２５０μｍ以上から５５０μｍ以下の厚さで形
成されることができ、これに対して限定するものではない。前記第２胴体１５１は、光が
抽出効率のために上記の厚さ範囲で形成できる。前記発光チップ１６１の厚さは８０μｍ
〜４００μｍ範囲、例えば、８０μｍ〜１５０μｍ範囲で形成されることができ、これに
対して限定するものではない。

前記第２胴体１５１の上部には凹凸構造、デコボコな構造、または段差構造で形成できる
。前記第１胴体１４１の上面と前記第２胴体１５１の上面との間には互いに接着させるた
めの接着層が形成できる。

前記発光チップ１６１は第２リードフレーム１３１の第２ボンディング領域３０の上に配
置され、第１リードフレーム１２１の第１延長部１２３と第１ワイヤー１６５により連結
され、第２リードフレーム１３１の第２延長部１３３と第２ワイヤー１６６により連結で
きる。前記発光チップ１６１は第１リードフレーム１２１と第２リードフレーム１３１か
ら電源の供給を受けて駆動するようになる。前記発光チップ１６１は、他の例として、第
２リードフレーム１３１の第２ボンディング領域３０にダイボンディングされ、第１リー
ドフレーム１２１の第１延長部１２３と第１ワイヤー１６５により連結できる。前記発光
チップ１６１は、第１リードフレーム１２１と前記第２リードフレーム１３１にフリップ
方式によりボンディングできる。

前記発光チップ１６１は半導体化合物を用いたＬＥＤチップ、例えば、ＵＶ（Ｕｌｔｒａ
ｖｉｏｌｅｔ）ＬＥＤチップ、青色ＬＥＤチップ、緑色ＬＥＤチップ、白色ＬＥＤチップ
、赤色ＬＥＤチップのうち、少なくとも１つを含むことができる。前記発光チップ１６１
は、３族−５族化合物半導体を含むことができ、内部の活性層は二重接合構造、単一井戸
構造、多重井戸構造、単一量子井戸、多重量子井戸（ＭＱＷ）、量子線、量子点構造のう
ち、少なくとも１つで形成できる。前記活性層は、井戸層／障壁層が交互に配置され、前
記井戸層／障壁層の周期は、例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧ
ａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＩｎＧａＮ、またはＩｎＡｌＧａＮ／ＩｎＡｌＧａＮの
積層構造を用いて２〜３０周期に形成できる。また、前記活性層はＺｎＳ、ＺｎＳｅ、Ｓ
ｉＣ、ＧａＰ、ＧａＡｌＡｓ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＡｌＩｎＧａＰのような系列の半導体を
含むことができ、これに対して限定するものではない。前記活性層の発光波長は紫外線帯
域の光から可視光線帯域の光のうち、選択的に発光することができ、これに対して限定す
るものではない。

一方、前記透光性樹脂層１７１は第１胴体１４１のオープン領域１１２及び第２胴体１５
１の第１開口部１１１に詰められ、前記発光チップ１６１をカバーするようになる。前記
透光性樹脂層１７１は第１胴体１４１の内側面４１Ａに接触し、リセスされた領域３１に
配置された第１胴体１４１の一部４４と接触できる。

前記透光性樹脂層１７１はシリコンまたはエポキシのような樹脂材質で形成されることが
でき、前記発光チップから放出された波長（例：青色波長）に対して透過率が７０％以上
、例えば、９０％以上の材質で形成される。前記透光性樹脂層１７１の上面は平らに形成
されることができ、他の例として凹または凸に形成できる。

前記透光性樹脂層１７１の屈折率は１．６以下であり、前記第２胴体１５１の屈折率は前
記透光性樹脂層１７１の屈折率と同一であるか、より低い屈折率で形成できる。また、前
記第２胴体１５１の屈折率は前記透光性樹脂層１７１の屈折率との差が±０．２程度であ
ることがあり、これに対して限定するものではない。

前記透光性樹脂層１７１の内にはフィラー、拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質のうち
、少なくとも１つを含むことができる。前記透光性樹脂層１７１に混合される蛍光物質は
、前記発光チップ１６１から放出された光を吸収して互いに異なる波長の光に波長変換す
るようになる。前記蛍光物質は、黄色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体、赤色蛍光体のう
ち、少なくとも１つを含むことができ、例えば、Ｅｕ、Ｃｅなどのランタノイド系元素に
より主に活性化される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、Ｅｕな
どのランタノイド系、Ｍｎなどの遷移金属系の元素により主に活性化されるアルカリ土類
ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属硼酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属ア
ルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類珪酸塩、アルカリ土類黄化物、アルカリ土類チオガレー
ト、アルカリ土類窒化珪素、ゲルマニウム酸塩、または、Ｃｅなどのランタノイド系元素
により主に活性化される希土類アルミン酸塩、希土類珪酸塩、またはＥｕなどのランタノ
イド系元素により主に活性化される有機及び有機錯体などから選択される少なくともいず
れか１つ以上であることがある。具体的な例として、上記の蛍光体を使用することができ
るが、これに限定されるものではない。

第１実施形態は、薄い厚さを有して反射特性の第１胴体１４１を第１リードフレーム１２
１の第１孔２２と多数のリセスされた領域２１、２３、２２Ａ、２２Ｂ、２８Ａ、２８Ｂ
、前記第２リードフレーム１３１の第２及び第３孔３２Ａ、３２Ｂと多数のリセスされた
領域３１、３２Ｃ、３２Ｄ、３２Ｅ、３２Ｆ、３３、３４、３８Ａ、３８Ｂに結合させる
ことができる。これによって、第１胴体１４１及び第２胴体１５１の積層構造を有する発
光素子で前記第１胴体１４１が浮き上がることを防止することができる。また、第１胴体
１４１と第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の接着力が弱まることを防止するこ
とができ、湿気の侵入を効果的に抑制することができる。

図１５は、本発明の第２実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。第２実施形態を
説明するに当たって、第１実施形態と同一な部分は第１実施形態の説明を参照する。

図１５を参照すると、発光素子は、第２胴体１５１と透光性樹脂層１７１の上に光学レン
ズ１８１が配置される。前記光学レンズ１８１は、シリコン、エポキシのような透光性の
樹脂材質、またはガラス材質でありうる。前記光学レンズ１８１の屈折率は前記透光性樹
脂層１７１の屈折率と等しいか低い屈折率で形成できる。前記透光性樹脂層１７１及び前
記第２胴体１５１の上部に接触できる。

前記光学レンズ１８１は全反射面１８２及び光出射面１８３を含み、前記全反射面１８２
は入射される光を反射させるようになる。前記全反射面１８２は前記発光チップ１６１の
上方に凹にリセスされ、前記透光性樹脂層１７１と離隔する。前記全反射面１８２は前記
発光チップ１６１と対応し、前記光学レンズ１８１の上面より発光チップ１６１の方向に
一層低い深さを有して凹な曲面に形成されることによって、入射された光を他の方向に屈
折させ、また一部の光は透過させる。上記の光学レンズ１８１は、前記第２胴体１５１を
透過する光に対してより広い光指向角分布で照射することができる。

前記全反射面１８２には反射物質１８５が詰められることができ、前記反射物質１８５は
シリコンまたはエポキシのような樹脂の内に金属酸化物が添加される。

前記光出射面１８３は前記全反射面１８２の周りに連結され、光を抽出するための曲面形
状を含む。また、光出射面１８３は光の背光分布のために、半球形状に形成されることが
でき、上面視して、円形状または楕円形状に形成できる。

前記光学レンズ１８１の外郭部１８４は、前記第１及び第２胴体１４１、１５１の他側面
に接触することができ、これに対して限定するものではない。このために、前記第２胴体
１５１は前記第１胴体１４１の幅より狭い幅に形成されるか、前記第１胴体１４１の外側
部４２の一部が露出できる。

前記第２胴体１５１の上部には突起が配置されることができ、前記突起は光学レンズ１８
１との結合力を強化させることができ、これに対して限定するものではない。前記光学レ
ンズ１８１は、前記第２胴体１５１の上に射出されるか、別途に製造された後に接着され
ることができ、これに対して限定するものではない。

図１６は、本発明の第３実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。第３実施形態を
説明するに当たって、第１実施形態と同一な部分は第１実施形態の説明を参照する。

図１６を参照すると、光学レンズ１８１の全反射面１８２は前記光学レンズ１８１の上面
から凹にリセスされ、前記全反射面１８２の深さの１／２地点の直径は透光性樹脂層１７
１の上面幅より狭く、前記発光チップ１６１の幅より広く形成できる。前記全反射面１８
２には反射物質１８５が詰められることができ、前記反射物質１８５はシリコンまたはエ
ポキシのような樹脂の内に金属酸化物が添加される。このような全反射面１８２は発光チ
ップ１６１から法線方向に進行する光を効果的に反射させることができる。

また、光学レンズ１８１は前記第２胴体１５１の上に積層され、前記第１胴体１４１から
離隔できる。

図１７は、本発明の第４実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。第４実施形態を
説明するに当たって、第１実施形態と同一な部分は第１実施形態の説明を参照する。

図１７を参照すると、発光素子は第１胴体１４１の上に光学レンズ１８１が結合される。
前記光学レンズ１８１の外郭部１８４は前記第１胴体１４１の上面と同一平面上に配置さ
れたり、第１及び第２リードフレーム１２１、１３１の上面に接触されたりすることがで
きる。

前記光学レンズ１８１の内部には半球形状の凹部１８６を含み、前記凹部１８６は前記発
光チップ１６１の上に突出する形状であって、前記発光チップ１６１をカバーする形状に
形成される。

前記凹部１８６は空いている空間であるか、樹脂のような透光性物質が詰められることが
でき、これに対して限定するものではない。

発光チップ１６１の上には蛍光体層１７３が形成され、前記蛍光体層１７３は前記発光チ
ップ１６１の上面に配置され、入射される光の波長を変換させる。

発光素子は、発光チップ１６１から放出された光を前記凹部１８６により拡散させ、前記
拡散された光は光学レンズ１８１の全反射面１８２により反射されるか、光出射面１８３
により放出できる。

この際、前記凹部１８６により拡散された光の一部は前記第１胴体１４１により反射され
、前記光学レンズ１８１を通じて抽出できる。

第４実施形態は、光学レンズ１８１を用いて第１実施形態の第２胴体の機能を含む構造で
提供するようになる。

図１８は、本発明の第５実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。第５実施形態を
説明するに当たって、第１実施形態と同一な部分は第１実施形態の説明を参照する。

図１８を参照すると、発光素子は発光チップ１６１の上に半球形状の透光性樹脂層１７３
を含み、前記透光性樹脂層１７３の周りに第２胴体１５１が形成される。前記第２胴体１
５１は光が透過される物質であって、前記透光性樹脂層１７３により透過されたり第１胴
体１４１により反射されたりした物質を効果的にガイドすることができる。

また、前記透光性樹脂層１７３は前記第１胴体１４１の内側部４１の上面に接触すること
ができ、このような構造は前記透光性樹脂層１７３と前記第１胴体１４１との結合を改善
させることができる。

前記第２胴体１５１の外郭部５５は曲面形状を含み、前記曲面形状の外郭部５５は内部で
進行する光の抽出効率を改善させることができる。即ち、前記第２胴体１５１の外郭部５
５は光学レンズ１８１Ｂの光出射面１８３と連結されて、光出射面と同一な機能を遂行す
ることができる。

前記第２胴体１５１の外側面５６は前記外郭部５５に連結され、前記第１胴体１４１の外
側面より外側に配置されることができ、これに対して限定するものではない。

図１９は、本発明の第６実施形態に従う発光素子を示す側断面図である。第６実施形態を
説明するに当たって、第１実施形態と同一な部分は第１実施形態の説明を参照する。

図１９を参照すると、発光素子は透光性樹脂層１７１の上に反射層１５５、前記透光性樹
脂層１７１、及び前記反射層１５５の周りに第２胴体１５１Ａを含む。前記反射層１５５
は前記第１胴体１４１と同一な材質で形成されることができ、例えばエポキシまたはシリ
コンのような樹脂材質に金属酸化物が添加されることができ、前記金属酸化物はＴｉＯ_２
、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３のうちの少なくとも１つを含み、前記胴体１４１の内に５ｗｔ％
以上の割合で添加できる。

前記反射層１５５は前記透光性樹脂層１７１の上面に接触することによって、発光チップ
１６１から放出された光を効果的に反射させることができる。このために、前記第１胴体
１４１の上面は前記反射層１５５から反射された光を反射させるためにラフな面に形成さ
れることができ、これに対して限定するものではない。

前記第２胴体１５１Ａの厚さ（Ｔ６）は前記透光性樹脂層１７１及び前記反射層１５５の
厚さの合計と同一な厚さであるか、より厚く形成されることができ、前記第２胴体１５１
Ａの上面は平坦な面、または半球形状を有する曲面であることがあり、これに対して限定
するものではない。前記反射層１５５の上に光学レンズが接触または非接触するように結
合されることができ、これに対して限定するものではない。

実施形態は、発光素子の光指向角を増大させることができる。実施形態は、１４０度以上
の広い光指向角を有する発光素子を提供することができる。実施形態は、基板に搭載され
る発光素子の個数を減らすことができる。実施形態は、リードフレームと胴体との結合力
を強化させることができる。実施形態は、発光素子とこれを備えた照明装置の信頼性を改
善させることができる。

図２０は、本発明の実施形態に従う発光チップの一例を示す側断面図である。

図２０を参照すると、発光チップは、基板３１１、バッファ層３１２、発光構造物３１０
、第１電極３１６、及び第２電極３１７を含む。前記基板３１１は透光性または不透光性
材質の基板を含み、または伝導性または絶縁性基板を含む。

前記バッファ層３１２は基板３１１と前記発光構造物３１０の物質との格子定数差を減ら
すようになり、窒化物半導体で形成できる。前記バッファ層３１２と前記発光構造物３１
０との間にはドーパントがドーピングされない窒化物半導体層をさらに形成して結晶品質
を改善させることができる。

前記発光構造物３１０は、第１導電型半導体層３１３、活性層３１４、及び第２導電型半
導体層３１５を含む。

前記第１導電型半導体層３１３は、第１導電型ドーパントがドーピングされたIII族−V族
化合物半導体で具現され、前記第１導電型半導体層３１３は、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_１−ｘ−
_ｙＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含む。前記第１導電型半導
体層３１３は、例えば、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡｌＧ
ａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰのよ
うな化合物半導体のうち、少なくとも１つを含む層の積層構造を含むことができる。前記
第１導電型半導体層３１３はｎ型半導体層であり、前記第１導電型ドーパントはｎ型ドー
パントとして、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｓｅ、Ｔｅを含む。

前記第１導電型半導体層３１３と前記活性層３１４との間には第１クラッド層が形成でき
る。前記第１クラッド層はＧａＮ系半導体で形成されることができ、そのバンドギャップ
は前記活性層３１４のバンドギャップ以上に形成できる。このような第１クラッド層は第
１導電型に形成され、キャリアを拘束させる役割をする。

前記活性層３１４は、前記第１導電型半導体層３１３の上に配置され、単一量子井戸、多
重量子井戸（ＭＱＷ）、量子線（ｑｕａｎｔｕｍｗｉｒｅ）構造、または量子点（ｑｕ
ａｎｔｕｍｄｏｔ）構造を選択的に含む。前記活性層３１４は井戸層と障壁層の周期を
含む。前記井戸層はＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋
ｙ≦１）の組成式を含み、前記障壁層はＩｎ_ｘＡｌ_ｙＧａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０ｘ≦１、０≦
ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含むことができる。前記井戸層／障壁層の周期は、
例えば、ＩｎＧａＮ／ＧａＮ、ＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａ
Ｎ／ＩｎＧａＮ、ＩｎＡｌＧａＮ／ＩｎＡｌＧａＮの積層構造を用いて１周期以上に形成
できる。前記障壁層は、前記井戸層のバンドギャップより高いバンドギャップを有する半
導体物質で形成できる。

前記活性層３１４の上には第２導電型半導体層３１５が形成される。前記第２導電型半導
体層３１５は、第２導電型ドーパントがドーピングされた半導体、例えば、Ｉｎ_ｘＡｌ_ｙ
Ｇａ_{１−ｘ−ｙ}Ｎ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｘ＋ｙ≦１）の組成式を含む。前記第
２導電型半導体層３１５は、ＧａＮ、ＩｎＮ、ＡｌＮ、ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ、ＩｎＡ
ｌＧａＮ、ＡｌＩｎＮ、ＡｌＧａＡｓ、ＧａＰ、ＧａＡｓ、ＧａＡｓＰ、ＡｌＧａＩｎＰ
のような化合物半導体のうち、いずれか１つからなることができる。前記第２導電型半導
体層３１５がｐ型半導体層であり、前記第２導電型ドーパントはｐ型ドーパントとして、
Ｍｇ、Ｚｎ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａを含むことができる。

前記第２導電型半導体層３１５は超格子構造を含むことができ、前記超格子構造はＩｎＧ
ａＮ／ＧａＮ超格子構造またはＡｌＧａＮ／ＧａＮ超格子構造を含むことができる。前記
第２導電型半導体層３１５の超格子構造は非正常的に電圧に含まれた電流を拡散させ、活
性層３１４を保護することができる。

また、前記発光構造物３１０の導電型を反対に配置することができ、例えば第１導電型半
導体層３１３はＰ型半導体層、前記第２導電型半導体層３１５はｎ型半導体層で配置する
ことができる。前記第２導電型半導体層３１５の上には前記第２導電型と反対の極性を有
する第１導電型の半導体層がさらに配置されることもできる。

前記発光構造物３１０は、ｎ−ｐ接合構造、ｐ−ｎ接合構造、ｎ−ｐ−ｎ接合構造、ｐ−
ｎ−ｐ接合構造のうち、いずれか一構造で具現することができる。ここで、前記ｐはｐ型
半導体層であり、前記ｎはｎ型半導体層であり、前記−はｐ型半導体層とｎ型半導体層が
直接接触するか、間接接触した構造を含む。以下、説明の便宜のために、発光構造物３１
０の最上層は第２導電型半導体層３１５として説明する。

前記第１導電型半導体層３１３の上には第１電極３１６が配置され、前記第２導電型半導
体層３１５の上には電流拡散層を有する第２電極３１７を含む。

図２１は、本発明の実施形態に従う発光チップの他の例を示す図である。実施形態を説明
するに当たって、図２０と同一な部分は省略し、簡略に説明する。

図２１を参照すると、実施形態に従う発光チップは、発光構造物３１０の下に接触層３２
１が形成され、前記接触層３２１の下に反射層３２４が形成され、前記反射層３２４の下
に支持部材３２５が形成され、前記反射層３２４と前記発光構造物３１０の周りに保護層
３２３が形成できる。

このような発光チップは、第２導電型半導体層３１５の下に接触層３２１及び保護層３２
３、反射層３２４及び支持部材３２５を形成した後、成長基板を除去して形成できる。

前記接触層３２１は、発光構造物３１０の下層、例えば第２導電型半導体層３１５にオー
ミック接触し、その材料は金属酸化物、金属窒化物、絶縁物質、伝導性物質のうちから選
択されることができ、例えばＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉ
ｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｔｉｎｏ
ｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎｄｉｕｍａｌｕｍｉｎｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、Ｉ
ＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｇａｌｌｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉ
ｕｍｇａｌｌｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍｚｉｎｃ
ｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎｔｉｍｏｎｙｔｉｎｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉ
ｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、Ｚ
ｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ、及びこれらの選択的な組合により構成された物質の中で形成でき
る。また、前記金属物質とＩＺＯ、ＩＺＴＯ、ＩＡＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＧＴＯ、ＡＺＯ、
ＡＴＯなどの透光性伝導性物質を用いて多層に形成することができ、例えば、ＩＺＯ／Ｎ
ｉ、ＡＺＯ／Ａｇ、ＩＺＯ／Ａｇ／Ｎｉ、ＡＺＯ／Ａｇ／Ｎｉなどで積層することができ
る。前記接触層３２１の内部は電極３１６と対応するように電流をブロッキングする層が
さらに形成できる。

前記保護層３２３は金属酸化物または絶縁物質のうちから選択されることができ、例えば
ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｔｉｎｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｏｘ
ｉｄｅ）、ＩＺＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｚｉｎｃｔｉｎｏｘｉｄｅ）、ＩＡＺＯ（ｉｎ
ｄｉｕｍａｌｕｍｉｎｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、ＩＧＺＯ（ｉｎｄｉｕｍｇａ
ｌｌｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、ＩＧＴＯ（ｉｎｄｉｕｍｇａｌｌｉｕｍｔｉ
ｎｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（ａｌｕｍｉｎｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ）、ＡＴＯ（ａｎ
ｔｉｍｏｎｙｔｉｎｏｘｉｄｅ）、ＧＺＯ（ｇａｌｌｉｕｍｚｉｎｃｏｘｉｄｅ
）、ＳｉＯ_２、ＳｉＯ_ｘ、ＳｉＯ_ｘＮ_ｙ、Ｓｉ_３Ｎ_４、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２から選択的
に形成できる。前記保護層３２３はスパッタリング方法または蒸着方法などを用いて形成
することができ、反射層３２４のような金属が発光構造物３１０の層をショートさせるこ
とを防止することができる。

前記反射層３２４は金属、例えば、Ａｇ、Ｎｉ、Ａｌ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｕ、Ｍｇ、
Ｚｎ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｈｆ、及びこれらの選択的な組合により構成された物質で形成できる
。前記反射層３２４は、前記発光構造物３１０の幅より大きく形成されることができ、こ
れは光反射効率を改善させることができる。上記の反射層３２４と前記支持部材３２５と
の間に接合のための金属層と、熱拡散のための金属層がさらに配置されることができ、こ
れに対して限定するものではない。

前記支持部材３２５はベース基板として、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）、ニッケル（Ｎｉ）、
モリブデニウム（Ｍｏ）、銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）のような金属、またはキャリア
ウエーハ（例：Ｓｉ、Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＺｎＯ、ＳｉＣ）で具現できる。前記支持部材３
２５と前記反射層３２４との間には接合層がさらに形成されることができ、前記接合層は
２層を互いに接合させることができる。上記の開示された発光チップは一例であり、前記
に開示された特徴に限定するものではない。上記の発光チップは上記の発光素子の実施形
態に選択的に適用されることができ、これに対して限定するものではない。

＜照明システム＞
実施形態による発光素子又は発光素子は、照明システムに適用される。前記照明システム
は、複数の発光素子がアレイされた構造を含み、図２２及び図２３に示されている表示装
置、図２４に示されている照明装置とを含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板など
が含まれる。

図２２は、実施形態による発光素子を有する表示装置の分解斜視図である。図２２を参照
すると、実施形態による表示装置１０００は、導光板１０４１と、前記導光板１０４１に
光を提供する光源モジュール１０３１と、前記導光板１０４１の下に反射部材１０２２と
、前記導光板１０４１上に光学シート１０５１と、前記光学シート１０５１上に表示パ
ネル１０６１と、前記導光板１０４１、光源モジュール１０３１、及び反射部材１０２２
を収納するボトムカバー１０１１とを含むが、ここに限定されない。

前記ボトムカバー１０１１と、反射シート１０２２と、導光板１０４１と、光学シート１
０５１とは、ライトユニット１０５０として定義される。

前記導光板１０４１は、光を拡散して、面光源化する役目を果たす。前記導光板１０４１
は、透明な材質からなり、例えば、ＰＭＭＡ（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔａａｃｒｙｌ
ａｔｅ）のようなアクリル樹脂系列、ＰＥＴ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｒｅｐｈ
ｔｈｌａｔｅ）、ＰＣ（ｐｏｌｙｃａｒｂｏｎａｔｅ）、ＣＯＣ（ｃｙｃｌｏｏｌｅｆ
ｉｎｃｏｐｏｌｙｍｅｒ）、及びＰＥＮ（ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅｎａｐｈｔｈａ
ｌａｔｅ）樹脂の１つを含むことができる。

前記光源モジュール１０３１は、前記導光板１０４１の少なくとも一側面に光を提供し、
窮極的には、表示装置の光源として作用するようになる。

前記光源モジュール１０３１は、少なくとも１つを含み、前記導光板１０４１の一側面で
直接又は間接的に光を提供することができる。前記光源モジュール１０３１は、基板１０
３３と前記に開示された実施形態による発光素子又は発光素子１０３５を含み、前記発光
素子又は発光素子１０３５は、前記基板１０３３上に所定間隔でアレイされる。

前記基板１０３３は、回路パターン(図示せず)を含む印刷回路基板（ＰＣＢ、Ｐｒｉｎｔ
ｅｄＣｉｒｃｕｉｔＢｏａｒｄ）である。但し、前記基板１０３３は、一般のＰＣＢ
のみならず、メタルコアＰＣＢ（ＭＣＰＣＢ、ＭｅｔａｌＣｏｒｅＰＣＢ）、軟性Ｐ
ＣＢ（ＦＰＣＢ、ＦｌｅｘｉｂｌｅＰＣＢ）などを含み、これに対して限定しない。前
記発光素子１０３５は、前記ボトムカバー１０１１の側面又は放熱プレート上に搭載され
る場合、前記基板１０３３は、除去され得る。ここで、前記放熱プレートの一部は、前
記ボトムカバー１０１１の上面に接触される。

そして、前記複数の発光素子１０３５は、前記基板１０３３上に光が放出される出射面が
、前記導光板１０４１と所定の距離離隔して搭載され、これに対して限定しない。前記発
光素子１０３５は、前記導光板１０４１の一側面である入光部に光を直接又は間接的に提
供することができ、これに対して限定しない。

前記導光板１０４１の下には、前記反射部材１０２２が配置される。前記反射部材１０２
２は、前記導光板１０４１の下面に入射した光を反射させて、上に向かわせることで、前
記ライトユニット１０５０の輝度を向上することができる。前記反射部材１０２２は、例
えば、ＰＥＴ、ＰＣ、ＰＶＣレジンなどで形成されるが、これに対して限定しない。前記
反射部材１０２２は、前記ボトムカバー１０１１の上面であり、これに対して限定しない
。

前記ボトムカバー１０１１は、前記導光板１０４１、光源モジュール１０３１、及び反射
部材１０２２などを輸納することができる。このため、前記ボトムカバー１０１１は、上
面が開口したボックス（ｂｏｘ）形状を有する収納部１０１２が備えられ、これに対して
限定しない。前記ボトムカバー１０１１は、トップカバーと結合され、これに対して限定
しない。

前記ボトムカバー１０１１は、金属材質又は樹脂材質で形成され、プレス成形又は押出成
形などの工程を用いて製造されることができる。また、前記ボトムカバー１０１１は、熱
伝導性の良い金属又は非金属材料を含み、これに対して限定しない。

前記表示パネル１０６１は、例えば、ＬＣＤパネルとして、互いに対向する透明な材質の
第１及び第２の基板、そして、第１及び第２の基板の間に介在した液晶層を含む。前記表
示パネル１０６１の少なくとも一面には、偏光版が取り付けられ、このような偏光版の取
付構造に限定しない。前記表示パネル１０６１は、光学シート１０５１を通過した光によ
り情報を表示することになる。このような表示装置１０００は、各鐘の携帯端末機、ノー
トＰＣのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどに適用されることがで
きる。

前記光学シート１０５１は、前記表示パネル１０６１と前記導光板１０４１との間に配置
され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート１０５１は、例えば、拡散
シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートから少な
くとも１つを含む。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平又は／及び垂
直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失
される光を再使用して、輝度を向上させる。また、前記表示パネル１０６１上には、保護
シートが配置され、これに対して限定しない。

ここで、前記光源モジュール１０３１の光経路上には、光学部材として、前記導光板１０
４１、及び光学シート１０５１を含み、これに対して限定しない。

図２３は、実施形態による発光素子を有する表示装置を示す図である。

図２３を参照すると、表示装置１１００は、ボトムカバー１１５２と、前記の発光素子１
１２４がアレイされた基板１１２０と、光学部材１１５４と、表示パネル１１５５とを含
む。

前記基板１１２０と前記発光素子１１２４とは、光源モジュール１１６０と定義される。
前記ボトムカバー１１５２と、少なくとも１つの光源モジュール１１６０と、光学部材
１１５４とは、ライトユニット１１５０と定義される。前記ボトムカバー１１５２には、
収納部１１５３を具備することができ、これに対して限定しない。前記の光源モジュール
１１６０は、基板１１２０、及び前記基板１１２０上に配列した複数の発光素子又は発光
素子１１２４を含む。

ここで、前記光学部材１１５４は、レンズ、導光板、拡散シート、水平及び垂直プリズム
シート、及び輝度強化シートなどから少なくとも１つを含む。前記導光板は、ＰＣ材質又
はＰＷＭА（ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｍｅｔｈａｃｒｙｌａｔｅ）材質からなり、このよ
うな導光板は除去されることができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前
記水平及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シ
ートは、損失される光を再使用して、輝度を向上させる。

前記光学部材１１５４は、前記光源モジュール１１６０上に配置され、前記光源モジュー
ル１１６０から放出された光を面光源するか、拡散、集光などを行うようになる。

図２４は、実施形態による発光素子を有する照明装置の分解斜視図である。

図２４を参照すると、実施形態による照明装置は、カバー２１００と、光源モジュール２
２００と、放熱体２４００と、電源提供部２６００と、内部ケース２７００と、ソケット
２８００とを含む。また、実施形態による照明装置は、部材２３００とホルダー２５００
のいずれか１以上を更に含むことができる。前記光源モジュール２２００は、実施形態
による発光素子、又は発光素子パッケージを含むことができる。

例えば、前記カバー２１００は、バルブ（ｂｕｌｂ）又は半球の形状を有し、中空であり
、一部分が開口した形状で提供される。前記カバー２１００は、前記光源モジュール２２
００と光学的に結合され、前記放熱体２４００と結合されることができる。前記カバー２
１００は、前記放熱体２４００と結合する凹部を有することができる。

前記カバー２１００の内面には、拡散嶺を有する乳白色塗料がコートされる。このような
乳白色材料を用いて、前記光源モジュール２２００からの光を散乱及び拡散して、外部に
放出させることができる。

前記カバー２１００の材質は、ガラス、プラスチック、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリエ
チレン（ＰＥ）、ポリカーボネート（ＰＣ）などである。ここで、ポリカーボネートは、
耐光性、耐熱性、強度が優れている。前記カバー２１００は、外部から前記光源モジュー
ル２２００が見えるように透明であるか、不透明である。前記カバー２１００は、ブロー
（ｂｌｏｗ）成形により、形成されることができる。

前記光源モジュール２２００は、前記放熱体２４００の一面に配置される。したがって、
前記光源モジュール２２００からの熱は、前記放熱体２４００に伝導される。前記光源
モジュール２２００は、発光素子２２１０と、連結プレート２２３０と、コネクター２２
５０とを含む。

前記部材２３００は、前記放熱体２４００の上面上に配置され、複数の照明素子２２１０
と、コネクター２２５０が挿入されるガイド溝２３１０とを有する。前記ガイド溝２３１
０は、前記照明素子２２１０の基板、及びコネクター２２５０と対応される。

前記部材２３００の表面は、白色の塗料で塗布又はコートされる。このような前記部材２
３００は、前記カバー２１００の内面に反射して、前記光源モジュール２２００側方向に
戻って来る光を、再度前記カバー２１００方向に反射する。したがって、実施形態による
照明装置の光効率を向上させる。

前記部材２３００は、例として、絶縁物質からなる。前記光源モジュール２２００の連結
プレート２２３０は、電気伝導性の物質を含む。したがって、前記放熱体２４００と前記
連結プレート２２３０との間に電気的な接触が行える。前記部材２３００は、絶縁物質で
構成され、前記連結プレート２２３０と前記放熱体２４００との電気的短絡を遮断するこ
とができる。前記放熱体２４００は、前記光源モジュール２２００からの熱と、前記電源
提供部２６００からの熱を伝達されて、放熱する。

前記ホルダー２５００は、内部ケース２７００の絶縁部２７１０の収納溝２７１９を塞ぐ
.したがって、前記内部ケース２７００の前記絶縁部２７１０に収納される前記電源提供
部２６００は密閉される。前記ホルダー２５００は、ガイド突出部２５１０を有する。前
記ガイド突出部２５１０は、前記電源提供部２６００の突出部２６１０が貫通するホール
を具備することができる。

前記電源提供部２６００は、外部から提供された電気的信号を処理又は変換して、前記光
源モジュール２２００に提供する。前記電源提供部２６００は、前記内部ケース２７００
の収納溝２７１９に収納され、前記ホルダー２５００により、前記内部ケース２７００の
内部に密閉される。

前記電源提供部２６００は、突出部２６１０と、ガイド部２６３０と、ベース２６５０と
、延在部２６７０とを含む。

前記ガイド部２６３０は、前記ベース２６５０の一側から外部に突出した形状を有する。
前記ガイド部２６３０は、前記ホルダー２５００に挿入される。前記ベース２６５０の
一面の上に多数の部品が配置される。多数の部品は、例えば、直流変換装置、前記光源モ
ジュール２２００の駆動を制御する駆動チップ、前記光源モジュール２２００を保護する
ためのＥＳＤ（ＥｌｅｃｔｒｏＳｔａｔｉｃｄｉｓｃｈａｒｇｅ）保護素子などを含む
が、これに対して限定しない。

前記延在部２６７０は、前記ベース２６５０の他の一側から外部に突出した形状を有する
。前記延在部２６７０は、前記内部ケース２７００の連結部２７５０内に挿入され、外部
からの電気的信号を提供される。例えば、前記延在部２６７０は、前記内部ケース２７０
０の連結部２７５０の幅と同一であるか、小さく提供される。前記延在部２６７０は、電
線を通じて、ソケット２８００に電気的に連結される。

前記内部ケース２７００は、内部に前記電源提供部２６００と共にモールディング部を含
むことができる。モールド部は、モールディング液体が固まった部分であって、前記電源
提供部２６００が、前記内部ケース２７００内に固定できるようにする。

以上、実施形態に説明された特徴、構造、効果などは、本発明の少なくとも１つの実施形
態に含まれ、必ず１つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態
で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者に
より他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このよ
うな組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。

以上、本発明を好ましい実施形態をもとに説明したが、これは単なる例示であり、本発明
を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用
が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各
構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、
特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。

２０、３０ボンディング領域
２２、３２Ａ、３２Ｂ孔
１００発光素子
１２１、１３１リードフレーム
１２３、１３３延長部
１４１第１胴体
１５１第２胴体
１６１発光チップ
１７１、１７２、１７３透光性樹脂層
１５５反射層
１８１、１８１Ｂ光学レンズ

Claims

オープン領域、前記オープン領域の周りの内側部、及び前記内側部の周りの外側部を有する第１胴体と、
前記第１胴体の下に配置された複数のリードフレームと、
前記オープン領域内に配置され、前記複数のリードフレームと電気的に連結された発光チップと、
前記オープン領域の上に開口部を有し、前記第１胴体の内側部及び外側部の上に配置された第２胴体と、
を含み、
前記複数のリードフレームは、前記第１胴体と結合され、
前記複数のリードフレームのうち少なくとも一つは、前記オープン領域の底部に前記発光チップが配置されたボンディング領域を含み、
前記第１胴体の内側部は、前記複数のリードフレームの上に前記外側部の厚さより薄い厚さを有し、
前記内側部の上面は、前記複数のリードフレームの上面を基準に、前記発光チップの上面の高さより低い高さを有し、
前記内側部の上面は、前記発光チップに隣接するほど徐々に低くなるように傾斜して配置される、発光素子。
前記複数のリードフレームは、相互分離した第１及び第２リードフレームを含み、
前記第１リードフレームは、前記オープン領域内に第１ボンディング領域を有し、
前記第２リードフレームは、前記オープン領域内に第２ボンディング領域を有し、
前記発光チップは、前記第１及び第２ボンディング領域のうち少なくとも一つの上に配置される、請求項１に記載の発光素子。
前記内側部の上面は、前記複数のリードフレームの上面に対して２度〜５度の範囲で傾斜した、請求項１又は２に記載の発光素子。
前記内側部の上面は、前記外側部の上面の面積より広い面積を有する、請求項１から３のいずれか一項に記載の発光素子。
前記内側部の底点は、前記発光チップの厚さより小さい高さを有する、請求項１から４のいずれか一項に記載の発光素子。
前記外側部の上面は、平坦面または傾斜面を有し、前記第２胴体の下面に配置される、請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子。
前記外側部の上面は、前記複数のリードフレームの上面を基準に、前記発光チップの上面より低い高さを有する、請求項１から５のいずれか一項に記載の発光素子。
前記第２胴体は、前記第１胴体の厚さ及び前記発光チップの厚さより厚い厚さを有する、請求項１から６のいずれか一項に記載の発光素子。
前記第２胴体の開口部の下に前記内側部が配置される、請求項１から８のいずれか一項に記載の発光素子。
前記複数のリードフレームのうち少なくとも一つは、前記複数のリードフレームの上面より低く凹んだリセスを含み、
前記リセス内に前記第１胴体が配置される、請求項１から９のいずれか一項に記載の発光素子。
前記複数のリードフレームは孔を含み、
前記孔には、前記第１胴体が配置される、請求項１０に記載の発光素子。
前記第１胴体のオープン領域及び前記第２胴体の開口部に配置された透光性樹脂層を含む、請求項１から１１のいずれか一項に記載の発光素子。
前記第１胴体は、前記第２胴体の材質より反射率が高い材質を含む、請求項１から１２のいずれか一項に記載の発光素子。
前記第１胴体は、反射性樹脂材質を含み、
前記第２胴体は、透光性樹脂材質を含む、請求項１から１３のいずれか一項に記載の発光素子。
前記第１胴体の内側部の上面は、前記発光チップから入射した光を前記第２胴体に反射する、請求項１から１４のいずれか一項に記載の発光素子。
前記複数のリードフレームの下面は、前記第１胴体の下面と同一水平面に配置される、請求項１から１５のいずれか一項に記載の発光素子。
前記複数のリードフレームの外郭部は、前記第１及び第２胴体の側面よりも外側に突出する、請求項１から１６のいずれか一項に記載の発光素子。
前記第２胴体の上に配置された光学レンズを含む、請求項１から１７のいずれか一項に記載の発光素子。
前記光学レンズは、前記第１及び第２胴体のうち少なくとも一つと結合された、請求項１８に記載の発光素子。
前記第２胴体の開口部の側面は、前記発光チップの周りに傾斜するように配置される、請求項１から１９のいずれか一項に記載の発光素子。