KR102042197B1 - 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 - Google Patents

발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템 Download PDF

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Abstract

실시 예는 발광소자에 관한 것이다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 측벽을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1리드 프레임 및 상기 캐비티의 바닥에 상기 제1리드 프레임과 이격되게 배치된 제2리드 프레임을 포함하는 복수의 리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 캐비티의 측벽 아래로 연장되며, 상기 제1리드 프레임의 상면보다 낮은 깊이로 배치된 제1리세스부; 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치된 간극부; 및 상기 캐비티 내에 배치된 상기 제1리드 프레임과 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 발광 칩을 포함한다.

Description

발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING SYSTEM}
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템에 관한 것이다.
발광 다이오드(LED)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종이다. 발광 다이오드는 형광등, 백열등 등 기존의 광원에 비해 저소비전력, 반영구적인 수명, 빠른 응답속도, 안전성, 환경친화성의 장점을 가진다. 이에 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가되고 있는 추세이다.
실시 예는 몸체를 보호하기 위한 새로운 발광소자를 제공한다.
실시 예는 몸체로부터 캐비티의 바닥까지 연장된 돌출부를 갖는 발광소자를 제공한다.
실시 예는 리드 프레임 중에서 캐비티의 바닥에 노출된 리세스부에 상기 몸체의 일부가 연장되도록 하여 몸체를 보호할 수 있도록 한 발광소자를 제공한다.
실시 예에 따른 발광소자는, 측벽을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체; 상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1리드 프레임 및 상기 캐비티의 바닥에 상기 제1리드 프레임과 이격되게 배치된 제2리드 프레임을 포함하는 복수의 리드 프레임; 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 캐비티의 측벽 아래로 연장되며, 상기 제1리드 프레임의 상면보다 낮은 깊이로 배치된 제1리세스부; 상기 제1 및 제2리드 프레임 사이에 배치된 간극부; 및 상기 캐비티 내에 배치된 상기 제1리드 프레임과 제2리드 프레임 중 적어도 하나의 위에 발광 칩을 포함한다.
실시 예는 발광소자에서 몸체의 캐비티의 구조가 불 균일한 것을 방지할 수 있다.
실시 예는 발광소자에서 몸체의 캐비티의 측벽이 파손되는 것을 방지할 수 있다.
실시 예는 발광소자에서 몸체가 파손되는 것을 방지할 수 있다.
실시 예는 발광소자의 몸체와 리드 프레임의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광소자의 습기 침투를 억제할 수 있다.
실시 예는 발광소자의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A측 단면도이다.
도 3은 도 2의 발광 소자의 부분 확대도이다.
도 4는 도 1의 발광 소자의 B-B측 단면도이다.
도 5는 도 1의 발광 소자의 C-C측 단면도이다.
도 6은 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 7은 도 6의 발광 소자의 부분 확대도이다.
도 8 및 도 9는 도 6의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 10 및 도 11은 도 7의 발광 소자의 연장부 및 리세스부의 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 12는 제3실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이다.
도 13은 도 12의 발광 소자의 측 단면도이다.
도 14는 도 13의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 15는 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다.
도 16은 제5실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다.
도 17은 제6실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다.
도 18은 제7실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다.
도 19 내지 도 23은 실시 예에 따른 리세스부의 변형 구조를 나타낸 도면이다.
도 24는 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 25는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 26은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 사시도를 나타낸다.
도 27은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 28은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명 장치의 분해 사시도를 나타낸다.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층 또는 각 구조물의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. 도면에서 각층 또는 각 구조물의 두께나 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광소자에 대해 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광소자의 평면도이며, 도 2는 도 1의 발광소자의 A-A측 단면도이고, 도 3은 도 2의 부분 확대도이며, 도 4은 도 1의 발광소자의 B-B 측 단면도이며, 도 5는 도 1의 발광소자의 C-C측 단면도이다.
도 1 내지 도 5를 참조하면, 발광소자(100)는 캐비티(12)를 갖는 몸체(11), 상기 캐비티(12)의 측벽(13)로부터 캐비티(12)의 바닥으로 연장된 제1 및 제2연장부(41,42)와, 상기 캐비티(12) 내에 배치된 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과, 상기 캐비티(12)내에 배치된 발광 칩(51,52), 및 몰딩 부재(61)를 포함한다.
상기 몸체(11)는 상기 발광 칩(51,52)에 의해 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질로 정의될 수 있다. 상기 몸체(11)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 몸체(11)는 실리콘, 또는 에폭시 수지, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기의 실리콘은 백색 계열의 수지를 포함한다. 또한 상기 몸체(11) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 몸체(11)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한 상기 몸체(11)는 차광성 물질 또는 확산제이 첨가될 수 있으며, 이러한 물질은 광 투과율을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 몸체(11)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성 수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 몸체(11)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함하며, 상기 몸체(11) 내에 5wt% 이상의 비율로 첨가될 수 있다.
상기 몸체(11)의 소정 영역에는 캐쏘드 마크(cathode mark)가 형성될 수 있다. 상기 캐쏘드 마크는 상기 발광소자(100)의 제1 리드 프레임(21) 또는 제2 리드 프레임(31)을 구분하여, 상기 제1,2 리드 프레임(21,31)의 극성의 방향에 대한 혼동을 방지할 수 있다.
상기 몸체(11) 내에는 캐비티(12)가 형성되며, 상기 캐비티(12)는 상부가 개방된 오목한 형상을 포함한다. 상기 캐비티(12)는 소자 탑측에서 볼 때, 원 형상, 타원 형상, 다각형 형상으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 캐비티(12)의 바닥에는 복수의 리드 프레임(21,31)이 배치되며, 상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 전기적으로 이격되게 배치된다.
상기 캐비티(12)의 측벽(13)은 모서리 부분이 곡면 또는 각면으로 형성될 수 있으며, 상기 캐비티(12)의 바닥 또는 상기 리드 프레임(21,31)의 상면에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있다.
도 1과 같이, 발광 소자(100)의 길이(D2)는 상기 몸체(11)의 제1측면(S1)과 제2측면(S2) 사이의 간격 즉, 몸체(11)의 길이보다 긴 길이로 형성될 수 있으며, 그 너비(D1)는 상기 몸체(11)의 제3측면(S3)과 제4측면(S4) 사이의 간격 즉, 몸체(11)의 너비와 동일하거나 더 넓게 형성될 수 있다. 상기 발광 소자(100)의 길이(D2)는 너비(D1)과 동일하거나, 상기 너비(D1)보다 1.5배 이상 긴 길이로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(100)의 길이 방향은 X축 방향이 될 수 있으며, 너비 방향은 Y축 방향이 될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(21)은 상기 캐비티(12)의 바닥 영역 중 제1영역에서 상기 몸체(11)의 제1측면(S1) 방향으로 돌출된다. 상기 제2리드 프레임(31)은 캐비티(12)의 바닥 영역 중 제2영역에서 상기 몸체(11)의 제2측면(S2) 방향으로 돌출된다. 상기 제1리드 프레임(21)과 상기 제2리드 프레임(31)의 사이의 간극부(14)는 상기 제1리드 프레임(21)과 제2리드 프레임(31)을 물리적으로 분리시켜 주게 된다. 상기 간극부(14)는 상기 몸체(11)와 동일한 재질이거나 다른 절연 재질로 형성될 수 있다.
상기 캐비티(12)의 바닥에는 제1 및 제2리드 프레임(21,31)이 배치된 구조로 도시하였으나, 3개 이상이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)은 소정 두께를 갖는 금속 플레이트로 형성될 수 있으며, 상기 금속 플레이트의 표면에 다른 금속층이 도금될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 복수의 리드 프레임(21,31)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 2물질의 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)은 어느 한 층이 합금인 경우, 구리(Cu)와 적어도 한 종류의 금속 합금으로서, 예컨대 구리-아연 합금, 구리-철 합금, 구리- 크롬 합금, 구리-은-철과 같은 합금을 포함한다.
또한, 상기 제1, 2리드 프레임(21,31)은 다층 구조를 가지도록 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 도 3과 같이, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 두께(T1)는 0.25mm~1.5mm일 수 있으며, 예컨대 0.25mm~0.5mm를 포함한다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 적어도 일부는 캐비티(12)의 바닥에 배치되며, 상기 몸체(11)의 하부에 노출될 수 있다. 상기 제1리드 프레임(21)의 제1단부(22)는 상기 몸체(11)의 제1측면(S1)보다 더 외측에 배치되며, 상기 제2리드 프레임(31)의 제2단부(32)는 상기 몸체(11)의 제1측면(S1)의 반대측 제2측면(S2)보다 더 외측에 배치될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(21)은 제1리세스부(23)를 포함하며, 상기 제2리드 프레임(22)은 제2리세스부(33)를 포함한다. 상기 제1 및 제2리세스부(23,33)는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)과 연결된다.
상기 제1 및 제2리세스부(23,33)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 상면 또는 상기 캐비티(12)의 바닥보다 낮게 오목한 홈 형상이며, 상기 캐비티(12)의 측벽(13)을 따라 형성된다. 상기 제1 및 제2리세스부(23,33)는 노치 패턴 형상으로서, 측 단면이 삼각형, 사각형과 같은 다각형 형상이거나, 반구형 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1리세스부(23)는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)을 따라 상기 간극부(14)까지 연결된다. 여기서, 상기 제1리세스부(23)는 홈 형상을 갖고, 상기 간극부(14)에 대응되는 영역이 개방된다. 상기 제1리세스부(23)의 깊이(T2)는 상기 제1리드 프레임(21,33)의 두께(T1)의 1/2 이상 예컨대, 50%~85% 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1리세스부(23)의 깊이(T2)가 너무 깊은 경우, 상기 제1리드 프레임(21)의 강도가 약해지거나, 사출 성형시 발광 소자가 휘어지거나 부러지는 문제가 발생될 수 있다.
상기 제1리세스부(23)는 상기 캐비티(12)의 바닥에서 상기 캐비티(12)의 측벽(13) 아래에 연장되며, 상기 제2리세스부(33)는 상기 캐비티(12)의 바닥에서 상기 캐비티(12)의 측벽(13) 아래에 연장된다.
상기 제1리세스부(23)의 너비(B1)는 상기 제1리드 프레임(21)의 두께(T1)의 50% 이상의 범위 예컨대, 0.18mm 이상으로서, 0.18mm-0.5mm 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1리세스부(23)의 너비(B1)는 상기 몸체(11)의 제1측면(S1)과 상기 캐비티(12)의 측벽(13) 사이의 최대 간격(B5)의 10% 이상 예컨대, 30%-80% 범위로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1리세스부(23)과 상기 발광 칩(51) 사이의 간격(E1)은 상기 발광 칩(51)과 상기 캐비티(12)의 측벽(13) 사이의 간격보다 더 좁을 수 있다.
상기 제2리세스부(33)는 상기 제1리세스부(23)와 동일한 구조로 배치될 수 있으며, 제1리세스부(23)의 깊이 또는 너비와 같은 설명을 참조하기로 한다.
상기 제1리세스부(23) 내에는 제1연장부(41)가 배치되며, 상기 제2리세스부(33) 내에는 제2연장부(42)가 배치된다. 상기 제1연장부(41)는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)으로부터 상기 제1리세스부(23)로 연장되며, 상기 제2연장부(42)는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)으로부터 상기 제2리세스부(33)로 연장된다.
상기 제1리드 프레임(21)의 제1리세스부(23)의 제1구간(B2)은 상기 제1연장부(41)와 수직 방향으로 오버랩되고, 제2구간(B3)은 상기 캐비티(12)의 측벽(13)의 일부와 수직 방향으로 오버랩된다. 상기 제1구간(B2)은 상기 제2구간(B2)보다 넓거나 작을 수 있으며, 상기 제1연장부(41)의 너비일 수 있다. 상기 제1연장부(41)의 상면은 상기 제1리드 프레임(21)의 상면과 동일 수평면으로 배치되거나, 더 낮거나 높은 수평 면으로 배치될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1연장부(41)의 상면은 상기 제1리드 프레임(21)의 상면보다 낮게 배치함으로써, 상기 캐비티(12)의 바닥에 플러쉬(Flush)와 같은 이물질이 배치되는 것을 억제할 수 있다.
상기 캐비티(12)의 측벽(13)은 상기 제1 및 제2연장부(41,42)의 상면으로부터 90도 이상의 각도(θ1) 예컨대, 100도-170도 범위로 형성될 수 있다.
여기서, 상기 캐비티(12)의 측벽(13)과 상기 제1 및 제2연장부(41,42) 사이의 경계 영역에는 단차진 내 측벽(13A)을 포함하며, 상기 내 측벽(13A)은 상기 제1 및 제2연장부(41,42)의 상면에 대해 수직하게 형성될 수 있다. 상기 내 측벽(13A)의 높이(T3)는 0.005mm 이상 예컨대, 0.005mm-0.010mm 범위로 형성될 수 있다. 또한 상기 내 측벽(13A)은 상기 발광 칩(51,52)의 두께보다 낮은 높이로 형성될 수 있다. 이러한 내 측벽(13A)은 상기 몸체(11)의 캐비티(12)를 성형할 때, 상기 캐비티(12)의 측벽(13)과 상기 제1 및 제2연장부(41,42) 사이의 경계 부분에 배치된 성형 틀이 들뜨는 문제를 방지할 수 있다. 이에 따라 상기 캐비티(12)의 측벽(13)과 상기 제1 및 제2연장부(41,42) 사이의 경계가 미 성형되는 것을 방지할 수 있다.
도 1과 같이, 상기 제1 및 제2연장부(41,42)는 상기 간극부(14)와 연결될 수 있으며, 상기 간극부(14)는 상기 제1 및 제2연장부(41,42)와 동일한 재질로 형성될 수 있다.
상기 제1 및 제2연장부(41,42)는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)의 둘레를 따라 링(ring) 형상 또는 루프(loop) 형상으로 형성될 수 있으며, 상기 발광 칩(51,52)과 이격될 수 있다.
도 2 내지 도 5와 같이, 상기 제1 및 제2리세스부(23,33)는 상기 몸체(11)의 제1 및 제2측면(S1,S2)에 인접한 영역의 너비(B1)가 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)에 인접한 영역의 너비(B2)보다 더 넓게 형성될 수 있다. 이는 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 길이가 너비보다 더 길게 형성됨으로써, 상기 제1 및 제2리세스부(23,33)의 너비(B1,C1)를 영역에 따라 다르게 형성할 수 있다.
상기 제1 및 제2연장부(41,42)는 상기 몸체(11)의 제1 및 제2측면(S1,S2)에 인접한 영역의 너비(B2)가 상기 제3 및 제4측면(S3,S4)에 인접한 영역의 너비(C2)보다 더 넓게 형성될 수 있다. 이는 캐비티(12)의 바닥 면적을 보면, 길이 방향(X)이 너비 방향(Y)보다 더 길기 때문에, 상기 제1 및 제2연장부(41,42)의 너비(B2,C2)가 다르게 배치될 수 있다.
실시 예는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)이 상기 제1 및 제2연장부(41,42)에 의해 상기 제1 및 제2리세스부(23,33)로 연장됨으로써, 상기 캐비티(12)의 측벽(13)과 상기 리드 프레임(21,31) 사이의 경계에서 상기 캐비티(12)의 측벽(13)이 손상되거나, 상기 측벽(13)이 불완전하게 형성되는 문제를 해결할 수 있다.
상기 캐비티(12)의 측벽(13)은 상기 제1 및 제2연장부(41,42)에 의해 캐비티(12)의 바닥으로 연장됨으로써, 상기 몸체(11)와 상기 리드 프레임(21,31) 사이로 침투하게 되는 습기 침투를 억제할 수 있다. 또한 상기 캐비티(12)의 측벽(13)이 상기 제1 및 제2연장부(41,42)에 의해 캐비티(12)의 바닥으로 연장됨으로써, 상기 몰딩 부재(61)과의 접촉 면적이 증가될 수 있다.
상기 제1리세스부(23)의 길이는 상기 캐비티(12)의 바닥에 노출된 상기 제1리드 프레임(21)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제1리세스부(23)의 길이는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)을 따라 연결되는 길이를 나타낸다.
상기 제2리세스부(33)의 길이는 상기 캐비티(12)의 바닥에 노출된 상기 제2리드 프레임(31)의 길이보다 더 길게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 제2리세스부(33)의 길이는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)을 따라 연결되는 길이를 나타낸다.
한편, 상기 캐비티(12)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(21)과 제2리드 프레임(31) 중 적어도 하나의 위에는 발광 칩(51,52)이 배치될 수 있다. 예컨대 제1리드 프레임(21) 위에 적어도 하나의 제1발광 칩(51)이 배치되며, 상기 제1발광 칩(51)은 연결 부재(53,54)에 의해 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과 연결될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(31) 위에는 적어도 하나의 제2발광 칩(52)이 배치되며, 상기 제2발광 칩(52)은 연결 부재(55,56)에 의해 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과 연결될 수 있다. 상기 연결 부재(53-56)은 와이어를 포함한다.
상기 제1 및 제2발광 칩(51,52)은 상기 캐비티(12)의 바닥에서 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과 접착제로 접착될 수 있으며, 상기 접착제는 절연성 접착제 또는 전도성 접착제를 포함한다. 상기 제1 또는 제2발광 칩(51,52)은 상기 제1 또는 제2리드 프레임(21,31)과 본딩되고 상기 제1 또는 제2리드 프레임(21,31)과 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 발광 칩(51,52)은 칩 내의 두 전극이 평행하게 배치된 수평형 칩, 또는 칩 내의 두 전극이 서로 반대 측면에 배치된 수직형 칩으로 구현될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 수평형 칩은 적어도 2개의 와이어에 연결될 수 있고, 수직형 칩은 적어도 1개의 와이어에 연결될 수 있다. 또는 상기 발광 칩(51,52)은 플립 방식으로 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 발광 칩(51,52)은 자외선, 적색, 녹색, 청색, 백색 중 적어도 하나의 빛을 방출할 수 있으며, 예컨대 가시광선 대역 또는 자외선(Ultra Violet) 대역을 발광하는 다이오드로 구현될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 2와 같이, 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 하면은 몸체(11)의 하면과 동일한 평면 상에 배치되어, 보드 상에 탑재될 때, 발광 칩(51,52)으로부터 발생된 열을 효과적으로 방열하게 된다.
상기 캐비티(12)에는 몰딩 부재(61)가 형성되며, 상기 몰딩 부재(61)는 상기 제1 및 제2연장부(41,42)와 상기 캐비티(12)의 측벽(13)에 접촉될 수 있다. 상기 몰딩 부재(61)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 투광성의 수지 재질을 포함할 수 있다. 또한 상기 몰딩 부재(61)에는 형광체 또는 확산제가 선택적으로 첨가될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 몰딩 부재(61) 위에는 광학렌즈가 형성될 수 있으며, 상기 광학렌즈는 오목한 렌즈 형상, 볼록한 렌즈 형상, 일정 부분이 오목하고 다른 부분이 볼록한 형상의 렌즈를 포함할 수 있다. 상기 형광체는 예를 들면, YAG 계열, 실리케이트(Silicate) 계열, 또는 TAG 계열의 형광 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2발광 칩(51,52) 중 적어도 하나의 상면에는 형광체층이 형성될 수 있으며, 상기 형광체층은 상기 몰딩 부재(61)의 상면보다 낮게 배치될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1 및 제2리세스부(23,33)에 몸체의 재질이 연장된 구조로 설명하였으나, 상기 제1 및 제2리세스부(23,33)의 일부에 몰딩 부재(61)의 재질이 채워질 수 있다.
도 6 내지 도 9는 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 6 내지 도 9를 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12)의 바닥에 제1 및 제2리드 프레임(21,31)이 배치되고, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 제1 및 제2리세스부(23,33)에 배치된 제1 및 제2연장부(41,42)를 포함한다.
상기 제1 및 제2연장부(41,42)의 상면은 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 상면 또는 상기 캐비티(12)의 평탄한 바닥에 대해 돌출되지 않게 배치될 수 있으며, 상기 캐비티(12)의 측벽(13)에 대해 소정 각도(θ2) 예컨대, 100도-170도 범위로 형성될 수 있다.
상기 캐비티(12)의 측벽(13)은 상기 제1 및 제2연장부(41,42)의 상면까지 연장될 수 있으며, 제1실시 예와 같은 내 측벽을 구비하지 않게 된다. 이는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)과 상기 제1 및 제2연장부(41,42)의 경계 부분(13B)은 상기 캐비티(12)의 바닥 둘레를 형성하게 된다. 여기서, 제1실시 예에 개시된 캐비티(12)의 내 측벽(13A)이 제거됨으로써, 상기 캐비티(12)의 측벽(13)의 각도는 제1실시 예와 다른 각도로 경사지거나, 상기 제1 및 제2연장부(41,42)의 너비가 제1실시 예보다 좁게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 10 및 도 11은 도 7의 제1연장부 및 제1리세스부의 변형 예를 나타낸 도면이며, 제2연장부 및 제2리세스부에 대해서는 제1연장부 및 제1리세스부의 설명을 참조하기로 한다.
도 10을 참조하면, 제1리드 프레임(21)의 제1리세스부(23)에 배치된 제1연장부(41A)의 상면은 상기 제1리드 프레임(21)의 상면(21A) 또는 캐비티(12)의 바닥보다 낮게 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 제1연장부(41A)의 상면은 상기 제1리드 프레임(21)의 상면(21A)보다 낮은 높이로 단차지게 형성될 수 있다.
상기 제1연장부(41A)의 두께는 상기 제 1리세스부(23)의 깊이(T2)보다 얇게 형성될 수 있다. 상기 제1연장부(41A)가 상기 제 1리드 프레임(21)의 상면(21A)보다 낮게 형성됨으로써, 상기 제1리드 프레임(21)의 상면에 이물질이 유입되는 것을 차단할 수 있다. 여기서, 상기 이물질은 상기 몸체(11)의 재질인 플러쉬(Flush)일 수 있다.
도 11은 도 7의 다른 변형 예를 나타낸 도면이다.
도 11을 참조하면, 제1리드 프레임(21)의 제1리세스부(23)는 상기 발광 칩(53)에 인접한 영역인 내 측면이 수직 방향으로 단차진 구조(23A)로 형성될 수 있으며, 상기 단차진 구조(23A)를 갖는 상기 제1리세스부(23)에는 상기 제1연장부(41)가 형성될 수 있다. 상기 제 1연장부(41)는 상기 제1리세스부(23)의 단차진 구조(23A)에 의해 상기 제1리드 프레임(21)의 상면(21A)으로 유입되는 것을 억제할 수 있다. 이에 따라 캐비티(12)의 바닥에 불필요한 이물질인 플러쉬가 발생되는 것을 방지할 수 있어, 와이어와 같은 구성 요소의 본딩 불량을 방지할 수 있다.
상기의 단차진 구조(23A)는 제1리세스부(23)의 에칭 전에 노치(Notch)와 같은 패턴으로 형성하거나, 펀칭 공정에 의해 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 12 및 도 13은 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 도면이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 12 및 도 13을 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12)의 바닥에 배치된 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31) 사이에 배치된 간극부(14)와, 상기 간극부(14)에 연결되며 캐비티(12)의 측벽(13)으로부터 연장된 제1 및 제2연장부(41,42)를 포함한다.
여기서, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31) 중 상기 간극부(14)에 대응되는 영역은 단차진 구조(81,82)로 형성되며, 상기 단차진 구조(81,82)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 상면에 대해 수직 방향으로 단차지게 형성된다.
상기 간극부(14)는 상부(14A)의 너비가 하부 너비보다 더 넓게 형성될 수 있으며, 이러한 구조는 상기 제1 및 제2연장부(41,42)와의 접촉 면적을 증가시켜 줄 수 있다. 또한 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31) 사이에 배치된 간극부(14)는 상기 단차진 구조(81,82)에 채워짐으로써, 그 상부(14A)의 너비가 하부 너비보다 더 넓게 형성될 수 있다. 상기 간극부(14)와 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과의 접촉 면적이 증가하게 됨으로써, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31) 사이의 영역에 대한 강성을 보강하고, 습기 침투를 방지할 수 있다.
도 14는 도 13의 발광 소자의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 14를 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12) 바닥에 배치된 제1 및 제2리드 프레임(21,31) 사이에 간극부(15)를 배치하며, 상기 간극부(15)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 상면에 연장된 반사 벽(15A)을 포함한다.
상기 간극부(15)의 반사 벽(15A)은 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)의 상면에 접촉되며, 제1 및 제2발광 칩(51,52)과 대응되는 면이 소정의 각도로 경사지게 형성될 수 있다. 이에 따라 상기 간극부(15)의 반사 벽(15A)은 상기 제1 및 제2발광 칩(51,52)으로부터 방출된 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 간극부(15)와 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과의 접촉 면적이 증가하게 됨으로써, 상기 제1 및 제2리드 프레임(21,31) 사이의 영역에 대한 강성을 보강하거나, 습기 침투를 방지할 수 있다.
도 15는 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다. 제4실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 15를 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12) 바닥에 배치된 제1 및 제2리드 프레임(21,31)에 복수의 제1 및 제2리세스부(24,34)와, 상기 제1 및 제2리세스부(24,34)에 배치된 제1 및 제2연장부(43,44)를 포함한다.
상기 제1리세스부(24)는 상기 제1리드 프레임(21) 중에서 상기 캐비티(12)의 측벽(13)을 따라 소정 간격으로 이격되게 배열될 수 있으며, 상기 간격은 일정한 간격이거나 불규칙한 간격일 수 있다. 상기 제1리세스부(24)의 형상은 다각형 형상, 원 형상, 타원형 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1리세스부(24) 각각에는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)으로부터 연장된 제1연장부(43)가 각각 배치될 수 있으며, 이러한 제1연장부(43)는 캐비티(12)의 측벽(13)이 미 성형되는 것을 억제할 수 있다.
상기 제2리세스부(34)는 상기 제2리드 프레임(31) 중에서 상기 캐비티(12)의 측벽(13)을 따라 소정 간격으로 이격되게 배열될 수 있으며, 상기 간격은 일정한 간격이거나 불규칙한 간격일 수 있다. 상기 제2리세스부(34)의 형상은 다각형 형상, 원 형상, 타원형 형상일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2리세스부(34) 각각에는 상기 캐비티(12)의 측벽(13)으로부터 연장된 제2연장부(44)가 각각 배치될 수 있으며, 이러한 제2연장부(44)는 캐비티(12)의 측벽(13)이 미 성형되는 것을 억제할 수 있다.
제1리드 프레임(21)에 배치된 제1발광 칩(51A)은 연결 부재(54)로 제2리드 프레임(31)과 연결되며, 제2리드 프레임(31)에 배치된 제2발광 칩(52A)은 연결 부재(55)로 제1리드 프레임(21)과 연결될 수 있다. 이러한 발광 칩(51A,52A)에 대해 한정하지는 않는다.
도 16은 제5실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다. 제5실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 16을 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12)의 바닥에 배치된 제1리드 프레임(21)의 제1리세부(23)와, 상기 캐비티(12)의 바닥에서 몸체(11)의 제1측면(S1) 방향으로 돌출된 제1본딩 영역(83)과, 상기 제2리드 프레임(31)의 제2리세스부(33)와, 상기 캐비티(12)의 바닥에서 몸체(11)의 제2측면(S2) 방향으로 돌출된 제2본딩 영역(84)을 포함한다.
상기 제1본딩 영역(83)은 상기 제1리드 프레임(21)의 상면 중에서 상기 몸체(11)의 제1측면(S1) 방향에 인접하게 돌출되며, 그 형상은 반구 형상을 포함한다. 상기 제1본딩 영역(83)은 상기 캐비티(12)의 바닥에 노출된 상기 제1리드 프레임(21) 중에서 상기 몸체(11)의 제1측면(S1)에 가장 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제1본딩 영역(83)은 제1발광 칩(51)과 상기 제1리드 프레임(21)을 연결해 주는 연결 부재(53)의 일부가 배치된다.
상기 제2본딩 영역(84)은 상기 제2리드 프레임(31)의 상면 중에서 상기 몸체(11)의 제2측면(S2)에 인접하게 돌출되며, 그 형상은 반구 형상을 포함한다. 상기 제2본딩 영역(84)은 상기 캐비티(12)의 바닥에 노출된 상기 제2리드 프레임(31) 중에서 상기 몸체(11)의 제2측면(S2)에 가장 인접하게 배치될 수 있다. 상기 제2본딩 영역(84)은 제2발광 칩(52)과 상기 제2리드 프레임(31)을 연결해 주는 연결 부재(56)가 배치된다.
상기 제1 및 제2리세스부(23,33)의 일부에 대응되는 제1 및 제2본딩 영역(83,84)을 구비함으로써, 제1 및 제2발광 칩(51,52)이 대 면적 예컨대, 1mm*1mm 이상의 칩이 칩이 탑재되더라도 상기 캐비티(12)의 바닥에서의 연결 부재의 본딩 공간을 확보할 수 있다.
도 17은 제6실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다. 제6실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 17을 참조하면, 발광 소자는 제1리드 프레임(21)의 제1리세스부(23B)와 제2리드 프레임(31)의 제2리세부(33B)를 포함하며, 상기 제1 및 제2리세스부(23B,33B) 간의 간격은 간극부(14)의 너비보다 더 이격될 수 있다. 상기 제1리세스부(23B)에 배치된 제1연장부(41)와 상기 제2리세스부(33B)에 배치된 제2연장부(42)는 서로 이격된다. 또한 상기 제 1 및 제2연장부(41,42)는 상기 간극부(14)로부터 이격되고, 각 리드 프레임(21,31) 상에 배치된다.
도 18은 제7실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 평면도이다. 제7실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 구성은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 18을 참조하면, 발광 소자는 캐비티(12)의 바닥에 배치된 제1 및 제2리드 프레임(21,31)과, 상기 제1리드 프레임(21)에 오목하게 형성된 제1리세스부(25)와, 상기 제2리드 프레임(31)에 오목하게 형성된 제2리세스부(35)와, 상기 제1리세스부(25)에 배치된 제1연장부(41)와, 상기 제2리세스부(35)에 배치된 제2연장부(42)를 포함한다.
상기 제1 및 제2리세스부(25,35)는 내 측면과 외 측면 중 적어도 한 면이 요철 면으로 형성되며, 상기 요철 면은 울퉁 불퉁한 면이 연속적으로 형성된다. 상기 내 측면은 상기 발광 칩(51,52)에 인접한 면이며, 외 측면은 상기 발광 칩으로부터 상기 내 측면보다 이격되고 상기 내 측면과 대응되는 면이 될 수 있다. 상기 요철 면은 각 리세스부(25,35)와의 접촉 면적을 증가시켜 줄 수 있어, 접착력을 개선시켜 줄 수 있다. 상기 제1 및 제2리세스부(25,35)에 배치된 제1 및 제2연장부(41,42)는 상기 요철 면에 의해 요철 구조로 형성될 수 있다.
도 19 내지 도 23은 실시 예에 따른 리세스부의 변형 구조를 나타낸 도면이다.
도 19을 참조하면, 리세스부(25)에는 다각형 형상의 윤곽선을 갖는 복수의 돌출부와 복수의 오목부가 서로 대응되며 교대로 배열된다. 상기 복수의 돌출부 간의 간격(F1)은 10~1000㎛의 범위를 포함한다. 상기 다각형 형상은 위에서 볼 때, 삼각형 형상이거나 사각형 또는 오각형 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리세스부(25) 내에 몸체의 연장부(45)가 배치될 수 있다.
도 20을 참조하면, 리세스부(26)에는 다각형 형상의 윤곽선을 갖는 복수의 돌출부와 복수의 오목부가 서로 어긋나게 배치되고 교대로 배열된다. 상기 복수의 돌출부 간의 간격은 10~1000㎛의 범위를 포함한다. 상기 다각형 형상은 위에서 볼 때, 삼각형 형상이거나 사각형 또는 오각형 형상을 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리세스부(26) 내에 몸체의 연장부(46)가 배치될 수 있다.
도 21을 참조하면, 리세스부(27)에는 서로 대응되는 면이 불규칙하게 러프한 면으로 형성될 수 있으며, 상기 러프한 면은 불규칙한 형상으로 연결될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리세스부(27) 내에 몸체의 연장부(47)가 배치될 수 있다.
도 22를 참조하면, 리세스부(28)에는 반구형 형상의 윤곽선을 갖는 복수의 돌출부와 복수의 오목부가 서로 대응되고 교대로 배열되며, 그 내부에 몸체의 연장부(48)가 배치될 수 있다. 도 23을 참조하면, 리세스부(29)는 반구형 형상을 갖는 복수의 돌출부와 복수의 오목부가 서로 대응되고 서로 어긋나게 배열되며, 그 내부에 몸체의 연장부(49)가 배치된다.
도 24는 실시 예에 따른 발광 칩의 일 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 24를 참조하면, 발광 칩은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다.
상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다.
상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.
또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다.
상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.
상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다.
도 25는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 도 24와 동일한 부분은 생략하며 간략하게 설명하기로 한다.
도 25를 참조하면, 실시 예에 따른 발광 칩은 발광 구조물(310) 아래에 접촉층(321)이 형성되며, 상기 접촉층(321) 아래에 반사층(324)이 형성되며, 상기 반사층(324) 아래에 지지부재(325)가 형성되며, 상기 반사층(324)과 상기 발광 구조물(310)의 둘레에 보호층(323)이 형성될 수 있다.
이러한 발광 칩은 제2도전형 반도체층(315) 아래에 접촉층(321) 및 보호층(323), 반사층(324) 및 지지부재(325)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다.
상기 접촉층(321)은 발광 구조물(310)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(315)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(321) 내부는 전극(316)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.
상기 보호층(323)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(323)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(324)과 같은 금속이 발광 구조물(310)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.
상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(324)과 상기 지지부재(325) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 지지부재(325)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(325)와 상기 반사층(324) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
<조명 시스템>
실시예에 따른 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 26 및 도 27에 도시된 표시 장치, 도 28에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 26은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 26을 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자 또는 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 27은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 27을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 28은 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.
도 28을 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
100: 발광소자 11: 몸체,
12: 캐비티 13: 측벽
21,31: 리드 프레임 23-39,33,34,35: 리세스부
41,41A,42: 연장부 51,52: 발광칩
61: 몰딩 부재

Claims (22)

  1. 제1측면과 상기 제1측면에 대응되는 제2측면, 상기 제1측면 및 상기 제2측면과 연결되며 서로 대응되는 제3측면 및 제4측면을 포함하며 측벽을 갖는 캐비티를 포함하는 몸체;
    상기 캐비티의 바닥에 배치된 제1리드 프레임및 상기 캐비티의 바닥에 상기 제1리드 프레임과 이격되게 배치된 제2리드 프레임을 포함하는 복수의 리드 프레임;
    상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 캐비티의 측벽 아래로 연장되며, 상기 제1리드 프레임의 상면보다 낮은 깊이로 배치된 제1리세스부 및 상기 캐비티의 바닥으로부터 상기 캐비티의 측벽 아래로 연장되며 상기 제2리드 프레임의 상면보다 낮은 깊이로 배치된 제2리세스부;
    상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임 사이에 배치된 간극부; 및
    상기 캐비티 내에 배치된 상기 제1리드 프레임 상에 배치되는 제1발광 칩 및 상기 캐비티 내에 배치된 상기 제2리드 프레임 상에 배치되는 제2발광 칩을 포함하고,
    상기 몸체의 제1연장부는 상기 캐비티의 측벽으로부터 연장되어 상기 제1리세스부 내에 배치되고 상기 몸체의 제2연장부는 상기 캐비티의 측벽으로부터 연장되어 상기 제2리세스부 내에 배치되며,
    상기 제1리세스부는 상기 제1발광 칩에 인접한 영역인 내측면이 수직 방향으로 단차진 구조를 포함하고,
    상기 제2리세스부는 상기 제2발광 칩에 인접한 영역인 내측면이 수직한 방향으로 단차진 구조를 포함하며,
    상기 제1리드 프레임은 상기 제1리세스의 일부가 제거되어 상기 캐비티의 바닥에서 상기 몸체의 제1측면 방향으로 돌출된 제1본딩 영역을 포함하고,
    상기 제2리드 프레임은 상기 제2리세스의 일부가 제거되어 상기 캐비티의 바닥에서 상기 몸체의 제2측면 방향으로 돌출된 제2본딩 영역을 포함하며,
    상기 제1본딩 영역은 상기 제1리드 프레임의 상면 중 상기 몸체의 제1측면에 가장 인접하며 상기 제2 본딩 영역은 상기 제2리드 프레임의 상면 중 상기 몸체의 제2측면에 가장 인접하고,
    상기 제1본딩 영역에는 상기 제1발광 칩과 상기 제1리드 프레임을 연결하는 제1연결 부재의 일부가 배치되고,
    상기 제2본딩 영역에는 상기 제2발광 칩과 상기 제2리드 프레임을 연결하는 제2연결 부재의 일부가 배치되는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 간극부는 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면에 대해 수직 방향으로 단차진 구조로 형성되고,
    상기 간극부의 상부 너비는 하부 너비보다 넓게 형성되는 발광 소자.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제1연장부 및 상기 제2연장부는 상기 제1 및 제2리드 프레임의 상면과 동일 평면 상에 배치된 상면을 갖는 발광 소자.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 제1연장부 및 상기 제2연장부는 상기 제1 및 제2리드 프레임의 상면보다 낮은 상면을 갖는 발광 소자.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1리세스부 및 상기 제2리세스부는 상기 캐비티의 측벽을 따라 상기 간극부까지 연결되고,
    상기 제1연장부 및 상기 제2연장부는 상기 간극부에 연결되고,
    상기 제1리세스부 및 상기 제2리세스부는 상기 캐비티의 측벽을 따라 복수개가 서로 이격되게 배치되는 발광 소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 간극부는 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면에 연장된 반사벽을 포함하고,
    상기 반사벽은 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 상면에 접촉되며 상기 제1발광 칩 및 상기 제2발광 칩과 대응되는 면이 소정의 각도로 경사진 발광 소자.
  9. 삭제
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 제1항, 제2항, 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 간극부는 상부가 하부보다 더 넓고,
    상기 캐비티에 몰딩 부재를 포함하며,
    상기 몰딩 부재는 상기 제1연장부 및 상기 제2연장부에 접촉되고,
    상기 제1리세스부 및 상기 제2리세스부는 상기 캐비티의 바닥에 노출된 상기 제1리드 프레임 및 상기 제2리드 프레임의 길이보다 길게 형성되며,
    상기 제1연장부 및 상기 제2연장부는 에폭시 재질을 포함하는 발광 소자.
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 제1항, 제2항, 제5항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1리세스부의 깊이는 상기 제1리드 프레임의 두께의 50%-85% 범위이고,
    상기 제1리세스부의 너비는 상기 제1리드 프레임의 두께의 50% 이상인 발광 소자.
  19. 삭제
  20. 삭제
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