KR102029802B1 - 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 - Google Patents

발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102029802B1
KR102029802B1 KR1020130003825A KR20130003825A KR102029802B1 KR 102029802 B1 KR102029802 B1 KR 102029802B1 KR 1020130003825 A KR1020130003825 A KR 1020130003825A KR 20130003825 A KR20130003825 A KR 20130003825A KR 102029802 B1 KR102029802 B1 KR 102029802B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
light emitting
lead frame
light
emitting device
lead
Prior art date
Application number
KR1020130003825A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140091857A (ko
Inventor
오성주
민봉걸
Original Assignee
엘지이노텍 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 엘지이노텍 주식회사 filed Critical 엘지이노텍 주식회사
Priority to KR1020130003825A priority Critical patent/KR102029802B1/ko
Priority to JP2014002825A priority patent/JP5788539B2/ja
Priority to US14/153,425 priority patent/US9136452B2/en
Priority to EP14151065.1A priority patent/EP2755246B1/en
Priority to CN201410016572.9A priority patent/CN103928596B/zh
Publication of KR20140091857A publication Critical patent/KR20140091857A/ko
Priority to JP2015149685A priority patent/JP6088004B2/ja
Priority to US14/819,952 priority patent/US9564564B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR102029802B1 publication Critical patent/KR102029802B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/52—Encapsulations
    • H01L33/54—Encapsulations having a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item

Abstract

실시 예에 따른 발광 소자는, 제1본딩 영역을 갖는 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며 제2본딩 영역을 갖는 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임의 제1 및 제2본딩 영역이 개방된 오픈 영역을 갖고, 상기 제1 및 제2 리드 프레임의 상면 둘레에 배치되며 상기 제1 및 제2리드 프레임에 결합된 제1몸체; 상기 오픈 영역에 대응되는 제1개구부를 갖고, 상기 제1몸체 상에 배치된 제2몸체; 상기 제2리드 프레임의 제2본딩 영역 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 제1몸체의 오픈 영역 및 상기 제2몸체의 개구부에 배치되며, 상기 발광 칩을 에워싸는 투광성 수지층을 포함하며, 상기 제1몸체는 상기 제2몸체보다 반사율이 더 높은 물질을 포함하며, 상기 제1몸체는 상기 오픈 영역의 둘레에 상기 발광 칩의 두께보다 낮은 높이를 갖고 경사진 내측부를 포함하며, 상기 제1리드 프레임에는 상기 제1몸체의 내측부 아래에 상기 발광 칩의 하면 면적보다 넓은 면적을 갖는 제1구멍을 포함한다.

Description

발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치{LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHT APPARATUS HAVING THEREOF}
실시 예는 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치에 관한 것이다.
발광 소자, 예컨대 발광 다이오드(Light Emitting Device)는 전기 에너지를 빛으로 변환하는 반도체 소자의 일종으로, 기존의 형광등, 백열등을 대체하여 차세대 광원으로서 각광받고 있다.
발광 다이오드는 반도체 소자를 이용하여 빛을 생성하므로, 텅스텐을 가열하여 빛을 생성하는 백열등이나, 또는 고압 방전을 통해 생성된 자외선을 형광체에 충돌시켜 빛을 생성하는 형광등에 비해 매우 낮은 전력만을 소모한다.
또한, 발광 다이오드는 반도체 소자의 전위 갭을 이용하여 빛을 생성하므로 기존의 광원에 비해 수명이 길고 응답특성이 빠르며, 친환경적 특징을 갖는다.
이에 따라, 기존의 광원을 발광 다이오드로 대체하기 위한 많은 연구가 진행되고 있으며, 발광 다이오드는 실내외에서 사용되는 각종 램프, 액정표시장치, 전광판, 가로등 등의 조명 장치의 광원으로서 사용이 증가하고 있다.
실시 예는 넓은 광 지향각을 갖는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 발광 칩의 둘레에 반사율이 높은 제1몸체와, 상기 제1몸체 위에 투과율이 높은 제2몸체를 포함하는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 제1몸체가 개구부의 바닥으로부터 5도 이하의 경사 면을 갖고 개구부의 바닥 면적보다 넓은 리드 프레임의 구멍에 결합되는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 투과율이 제2몸체의 오픈 영역에 수지층 및 상기 수지층 상에 광학렌즈가 결합된 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 서로 다른 재질의 제1 및 제2몸체가 적층된 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치를 제공한다.
실시 예에 따른 발광 소자는, 제1본딩 영역을 갖는 제1리드 프레임; 상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며 제2본딩 영역을 갖는 제2리드 프레임; 상기 제1 및 제2리드 프레임의 제1 및 제2본딩 영역이 개방된 오픈 영역을 갖고, 상기 제1 및 제2 리드 프레임의 상면 둘레에 배치되며 상기 제1 및 제2리드 프레임에 결합된 제1몸체; 상기 오픈 영역에 대응되는 제1개구부를 갖고, 상기 제1몸체 상에 배치된 제2몸체; 상기 제2리드 프레임의 제2본딩 영역 위에 배치된 발광 칩; 및 상기 제1몸체의 오픈 영역 및 상기 제2몸체의 개구부에 배치되며, 상기 발광 칩을 에워싸는 투광성 수지층을 포함하며, 상기 제1몸체는 상기 제2몸체보다 반사율이 더 높은 물질을 포함하며, 상기 제1몸체는 상기 오픈 영역의 둘레에 상기 발광 칩의 두께보다 낮은 높이를 갖고 경사진 내측부를 포함하며, 상기 제1리드 프레임에는 상기 제1몸체의 내측부 아래에 상기 발광 칩의 하면 면적보다 넓은 면적을 갖는 제1구멍을 포함한다.
실시 예는 발광 소자의 광 지향각을 증대시켜 줄 수 있다.
실시 예는 140도 이상의 넓은 광 지향각을 갖는 발광 소자를 제공할 수 있다.
실시 예는 기판에 탑재되는 발광 소자의 개수를 줄여줄 수 있다.
실시 예는 리드 프레임과 몸체의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다.
실시 예는 발광 소자와 이를 구비한 조명 장치의 신뢰성을 개선시켜 줄 수 있다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이다.
도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A'측 단면도이다.
도 3은 도 1의 발광 소자의 B-B'측 단면도이다.
도 4 내지 도 7은 도 1의 발광 소자의 각 측면도이다.
도 8은 도 1의 발광 소자의 리드 프레임과 제1몸체와의 결합 구조를 상세하게 설명한 도면이다.
도 9는 도 8의 A1-A1'측 단면도이다.
도 10은 도 8의 B1-B1'측 단면도이다.
도 11 및 도 12는 도 1의 발광 소자의 리드 프레임의 정면도 및 배면도이다.
도 13 및 도 14는 도 11의 리드 프레임의 C-C' 및 D-D' 측 단면도이다.
도 15는 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 16은 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 17은 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 18은 제5실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 19는 제6실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 칩을 나타낸 도면이다.
도 21은 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 사시도를 나타낸다.
도 23은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 다른 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 24는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 조명 장치의 분해 사시도를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자를 설명한다.
도 1은 제1실시 예에 따른 발광 소자의 평면도이며, 도 2는 도 1의 발광 소자의 A-A' 측 단면도이고, 도 3은 도 1의 발광 소자의 B-B' 측 단면도이며, 도 4 내지 도 7은 도 1의 발광 소자의 각 측면도이다.
도 1내지 도 7을 참조하면, 발광 소자(100)는 제1본딩 영역(20)을 갖는 제1리드 프레임(121) 및 제2본딩 영역(30)을 갖는 제2리드 프레임(131)을 포함하는 복수의 리드 프레임(121,131)과, 상기 복수의 리드 프레임(121,131)에 결합된 제1몸체(141)와, 제1개구부(111)를 갖고 상기 제1몸체(141) 위에 상기 제1몸체(141)와 다른 재질로 형성된 제2몸체(151)와, 상기 제1개구부(111) 내에 배치되고 상기 제2리드 프레임(131)의 제2본딩 영역(30) 위에 배치된 발광 칩(161)과, 상기 제1개구부(111)에 형성되고 상기 발광 칩(161)을 에워싸는 투광성 수지층(171)을 포함한다.
발광 소자(100)에서 제1방향(X)의 길이(L1)와 제2방향(Y)의 길이(L2)는 동일하거나 다를 수 있다. 상기 제1 및 제2방향(X,Y)은 직교하는 방향이 될 수 있다. 상기 제1방향(X)의 길이(L1)는 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131)의 양 끝 간의 간격을 나타내며, 제1몸체(141) 또는 제2몸체(151)의 제1방향(X)의 너비보다는 길게 형성될 수 있다. 상기 제2방향(Y)의 길이(L2)는 상기 제1 또는 제2리드 프레임(121,131)의 길이와 동일할 수 있으며, 상기 제1 또는 제2몸체(141,151)의 제2방향(Y)의 너비와 같게 형성될 수 있다. 여기서, 상기 발광 칩(161)의 상면에 수직한 방향은 발광 칩(161)의 법선 방향(Z)으로 설명될 수 있다.
상기 제1리드 프레임(121)은 상기 제1 또는 제2몸체(141,151)의 제1측면(11)보다 더 외측으로 돌출될 수 있으며, 상기 제2리드 프레임(131)은 상기 제1 또는 제2몸체(141,151)의 제2측면(12)보다 더 외측으로 돌출될 수 있다. 이는 제1 및 제2리드 프레임(121,131)과 솔더 페이스트(Solder paste)와 같은 접합 부재와의 접합을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 제1 또는 제2몸체(141,151)의 제1측면(11)과 제2측면(12) 사이의 간격은 너비(L3)가 되며, 상기 제1 또는 제2몸체(141,151)의 제3측면(13) 및 제4측면(14) 사이의 간격은 제2방향(Y)의 길이(L2)가 된다.
도 2 및 도 3과 같이, 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 상에는 제1몸체(141)가 결합되며, 상기 제1몸체(141) 상에는 제2몸체(151)가 결합된다.
상기 제1몸체(141)는 소정 두께를 가지고, 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(131)과 물리적으로 결합되며, 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(131)을 지지하게 된다. 상기 제1몸체(141)의 하면은 상기 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(131)의 하면과 동일 수평 면으로 형성될 수 있다.
상기 제1몸체(141)는 상기 발광 칩(161)으로부터 방출된 파장에 대해, 반사율이 투과율보다 더 높은 물질 예컨대, 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1몸체(141)는 반사율이 70% 이상인 경우, 비 투광성의 재질로 정의될 수 있다. 상기 제1몸체(141)는 수지 계열의 절연 물질 예컨대, 폴리프탈아미드(PPA: Polyphthalamide)와 같은 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 제1몸체(141)는 실리콘, 또는 에폭시 수지, 또는 플라스틱 재질을 포함하는 열 경화성 수지, 또는 고내열성, 고 내광성 재질로 형성될 수 있다. 상기의 실리콘은 백색 계열의 수지를 포함한다. 또한 상기 제1몸체(141) 내에는 산무수물, 산화 방지제, 이형재, 광 반사재, 무기 충전재, 경화 촉매, 광 안정제, 윤활제, 이산화티탄 중에서 선택적으로 첨가될 수 있다. 함유하고 있다. 상기 제1몸체(141)는 에폭시 수지, 변성 에폭시 수지, 실리콘 수지, 변성 실리콘 수지, 아크릴 수지, 우레탄 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종에 의해 성형될 수 있다. 예를 들면, 트리글리시딜이소시아누레이트, 수소화 비스페놀 A 디글리시딜에테르 등으로 이루어지는 에폭시 수지와, 헥사히드로 무수 프탈산, 3-메틸헥사히드로 무수 프탈산4-메틸헥사히드로 무수프탈산 등으로 이루어지는 산무수물을, 에폭시 수지에 경화 촉진제로서 DBU(1,8-Diazabicyclo(5,4,0)undecene-7), 조촉매로서 에틸렌 그리콜, 산화티탄 안료, 글래스 섬유를 첨가하고, 가열에 의해 부분적으로 경화 반응시켜 B 스테이지화한 고형상 에폭시 수지 조성물을 사용할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
또한 상기 제1몸체(141) 내에 차광성 물질 또는 확산제를 혼합하여 투과하는 광을 저감시켜 줄 수 있다. 또한 상기 제1몸체(141)는 소정의 기능을 갖게 하기 위해서, 열 경화성수지에 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질, 차광성 물질, 광 안정제, 윤활제로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 적절히 혼합하여도 된다.
상기 제1몸체(141)는 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함하며, 상기 몸체(141) 내에 5wt% 이상의 비율로 첨가될 수 있다. 이에 따라 상기 제1몸체(141)는 반사성 재질로 제공될 수 있다.
상기 제2몸체(151)는 상기 제1몸체(141) 상에 형성될 수 있다. 상기 제2몸체(151)는 투광성 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 실리콘계열 또는 에폭시 계열의 수지 재질로 형성될 수 있다. 상기 제2몸체(151)는 인젝션 몰딩(Injection molding) 방식 또는 에폭시 몰딩 컴파운드(EMC) 방식으로 형성될 수 있다. 상기 제2몸체(151)는 투명한 재질 예컨대, 내부에 불순물이 첨가되지 않는 투광성 수지 재질로 형성될 수 있으며, 그 투과율은 70% 이상인 재질로 형성될 수 있다. 상기 제2몸체(151)는 발광 칩(161)으로부터 방출된 광이나 상기 제1몸체(141)로부터 반사된 광을 효과적으로 투과시켜 줄 수 있다.
상기 제1몸체(141)의 상면은 상기 제2몸체(151)의 하면의 면적보다 더 큰 면적으로 형성됨으로써, 제1몸체(141)의 상면 방향으로 진행되는 광을 반사시켜 주어, 광 손실을 줄일 수 있다.
상기 제2몸체(151)에는 제1개구부(111)가 배치되며, 상기 제1개구부(111)는 제1몸체(141)의 오픈 영역과 대응되거나 상기 제1몸체(141)의 오픈 영역을 포함하는 영역이 될 수 있다.
상기 제1개구부(111)의 둘레 측면(51)은 상기 제1개구부(111)의 바닥에 대해 경사지거나 수직하게 형성될 수 있다. 상기 제1개구부(111)의 둘레는 상기 제2몸체(151)의 내 측면(51)으로 커버될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1개구부(111)의 바닥에는 제1리드 프레임(121)의 제1본딩 영역(20)과 제2리드 프레임(131)의 제2본딩 영역(30)이 노출된다. 상기 제1본딩 영역(20)과 제2본딩 영역(30) 사이에는 간극부(142)가 배치되며, 상기 간극부(142)는 제1 및 제2본딩 영역(20,30)을 물리적으로 분리시켜 준다. 상기 간극부(142)는 상기 제1몸체(141)의 재질로 형성되어, 상기 간극부(142)로 누설되는 광을 차단할 수 있다.
상기 제1본딩 영역(20)에는 제2본딩 영역(30)의 반대측 방향으로 또는 제1측면(11) 방향으로 돌출된 제1연장부(123)가 형성되며, 상기 제1연장부(123)는 반구 형상으로 형성될 수 있다.
상기 제2본딩 영역(30)에는 제1본딩 영역(20)의 반대측 방향 또는 제2측면(12) 방향으로 돌출된 제2연장부(133)가 형성되며, 상기 제2연장부(133)는 반구 형상으로 형성될 수 있다. 상기 제2연장부(133)는 상기 제1연장부(123)과 다른 크기일 수 있으며, 그 직경은 상기 발광 칩(161)의 어느 한 변의 너비보다 좁게 형성될 수 있다.
상기 제1개구부(111)의 윤곽선을 보면, 서로 대응되는 두 측면과, 상기 각 측면에 연결되는 측면이 곡면으로 형성될 수 있으며, 상기 곡면은 제1 및 제2연장부(123,133)의 반구 형상의 곡면과 연결된다.
상기 제2리드 프레임(131)의 제2본딩 영역(30) 위에 발광 칩(161)이 탑재되며, 상기 발광 칩(161)은 상기 제2본딩 영역(30) 위에 접착제 예컨대, 전도성 또는 절연성 접착제로 접착될 수 있다.
상기 발광 칩(161)은 제1와이어(165)로 제1본딩 영역(20)과 연결되며, 제2와이어(166)로 제2본딩 영역(30)과 연결된다. 상기 제1와이어(165)는 상기 제1본딩 영역(20)의 제1연장부(123) 내에 배치되며, 상기 제2와이어(166)는 상기 제2본딩 영역(30)의 제2연장부(133) 내에 배치된다. 즉, 상기 제1 및 제2연장부(123,133)는 상기 제1 및 제2와이어(165,166)의 볼(Ball)이 놓이는 영역이 된다. 또한 제1개구부(111)의 면적을 증가시키지 않고, 발광 칩(161)과 와이어(165,166)가 본딩될 공간을 제공할 수 있다.
상기 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 2이상의 합금을 포함하며, 또한 단층 또는 서로 다른 금속층으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제1 및 제2 리드 프레임(121,131)은 금속 재질, 예를 들어, 티타늄(Ti), 구리(Cu), 니켈(Ni), 금(Au), 크롬(Cr), 탄탈늄(Ta), 백금(Pt), 주석(Sn), 은(Ag), 인(P) 중 적어도 하나 또는 2물질의 합금을 포함할 수 있다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)은 어느 한 층이 합금인 경우, 구리(Cu)와 적어도 한 종류의 금속 합금으로서, 예컨대 구리-아연 합금, 구리-철 합금, 구리- 크롬 합금, 구리-은-철과 같은 합금을 포함한다. 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 두께(T1)는 0.23mm~1.5mm일 수 있으며, 예컨대 0.25mm~0.5mm 범위를 포함한다.
도 11 내지 도 14를 참조하여, 제1 및 제2리드 프레임의 구조를 상세하게 설명하기로 한다. 도 11 및 도 12는 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 정면도 및 배면도이며, 도 13 및 도 14는 도 11의 C-C' 및 D-D' 측 단면도이다.
도 11 내지 도 14를 참조하면, 제1리드 프레임(121)은 제1본딩 영역(20)을 갖는 제1프레임부(125), 상기 제1프레임부(125)로부터 이격된 제1리드부(129), 상기 제1프레임부(125)와 상기 제1리드부(129) 사이에 배치된 제1구멍(22), 상기 제1프레임부(125)와 상기 제1리드부(129)를 연결해 주는 제1연결부(126) 및 제2연결부(128)를 포함한다.
상기 제1프레임부(125)는 제1본딩 영역(20)을 구비하며, 상기 제1리드 프레임(121)의 길이(L2)를 갖고 상기 제1 및 제2연결부(126,128)에 연결된다. 상기 제1프레임부(125)의 양 단부에는 제1돌기(P1) 및 제2돌기(P2)를 포함한다. 상기 제1돌기(P1)는 상기 제1프레임부(125)로부터 상기 제1연결부(126)보다 더 외측으로 돌출되며, 도 6과 같이 상기 제1몸체(141)의 제3측면(13)에 노출된다. 상기 제2돌기(P2)는 상기 제1프레임부(125)로부터 상기 제2연결부(128)보다 더 외측으로 돌출되며, 도 7과 같이 상기 제1몸체(141)의 제4측면(14)으로 노출된다. 상기 제1 및 제2돌기(P1,P2)는 상기 제1리드 프레임(121)을 상기 제1몸체(141)의 측면부에 지지될 수 있다.
상기 제1프레임부(125)의 하면에는 상기 제2리드 프레임(131)과 대응되는 영역과 상기 제1본딩 영역(20)의 아래에 리세스된 영역(21)을 포함하며, 상기 리세스된 영역(21)은 상기 제1개구부(111)의 너비보다 길게 형성될 수 있다. 상기 리세스된 영역(21)에는 도 2 및 도 9와 같이 간극부(142)의 일부가 연장된다. 이에 따라 상기 간극부(142)는 하면 너비가 상면 너비보다 넓게 형성될 수 있다.
여기서, 상기 제1프레임부(125)의 중심부는 상기 제2리드 프레임(131) 방향으로 돌출되며, 상기 제1프레임부(125)의 중심부와 상기 제2리드 프레임(131) 사이의 간격은 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131) 사이의 간격(G1)보다 좁게 형성될 수 있다.
도 12와 같이 상기 제1돌기(P1) 및 제2돌기(P2)에는 상기 제1리드 프레임(121)의 하면보다 낮게 리세스된 영역(28A,28B)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리세스된 영역(28A,28B)의 깊이는 상기 제1리드 프레임(121)의 두께의 50% 이하 예컨대, 30-50% 범위로 형성될 수 있다.
상기 제1리드부(129)의 일부는 도 4와 같이 제1몸체(141)의 제1측면(11)으로 돌출되며, 상기 제1리드 프레임(121)의 길이(L2)를 갖고, 상기 제1 및 제2연결부(126,128)에 연결된다.
상기 제1리드부(129)의 하면에는 상기 제1리드 프레임(121)의 하면보다 낮게 리세스된 영역(23)을 포함하며, 상기 리세스된 영역(23)의 깊이(도 9의 T5)는 상기 제1리드 프레임(121)의 두께의 50% 이하 예컨대, 30-50% 범위로 형성될 수 있다. 상기 리세스된 영역(23)의 길이는 상기 제1리드부(129)의 길이 또는 상기 제1리드 프레임(121)의 길이(L2)에 대응되게 형성될 수 있다. 상기 제1리드부(129)에 리세스된 영역(23)은 상기 제1 및 제2연결부(126,128)의 일부까지 연장될 수 있다.
상기 제1리드부(129)에는 복수의 결합 구멍(29)이 배치되며, 상기 결합 구멍(29)은 비아 홀 형태로 형성되며, 상기 제1몸체(141)가 결합된다.
상기 제1구멍(22)은 상기 제1리드 프레임(121)의 너비(D11)의 25% 이상 예컨대, 27%~40% 범위의 너비(D2)를 갖고, 상기 제1리드 프레임(121)의 길이(L2)의 50% 이상의 길이(L4) 예컨대 60% 이상의 길이(L4)를 갖고 형성될 수 있다. 상기 제1구멍(22)의 면적은 상기 제1개구부(111)의 바닥 면적보다 넓게 형성되며, 또한 상기 제1리드 프레임(121)의 상면 면적의 30% 이상으로 형성될 수 있다. 또한 상기 제1구멍(22)의 면적은 상기 발광 칩(161)의 하면 면적보다 더 넓게 형성될 수 있다.
상기 제1구멍(22)의 너비(D2)는 0.81mm±0.05mm 범위를 포함하며, 상기 제1리드 프레임(121)의 너비(D11)는 2.25mm±0.5mm 범위를 포함한다.
이에 따라 도 2 및 도 9와 같이 상기 제1구멍(22)에는 제1몸체(141)의 일부(43)가 배치되며, 상기 제1리드부(129)의 리세스된 영역(23)은 상기 제1구멍(22)에 연결되어, 상기 제1구멍(22)에 결합된 상기 제1몸체(141)의 일부(43)가 연장된다. 여기서, 도 9와 같이 상기 제1구멍(22)에 인접한 리세스된 영역(23)의 폭(D3)은 상기 제1리드 프레임(121)의 두께의 50% 이상이 될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제1몸체(141)는 제1리드 프레임(121)과의 접촉 면적이 증가될 수 있고, 상기 제2몸체(151)에 비해 상대적으로 두께가 얇은 제1몸체(141)의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다.
상기 제1연결부(126) 및 제2연결부(128)는 상기 제1구멍(22)의 외측에서 상기 제1프레임부(125)와 제1리드부(129)를 서로 연결해 준다. 상기 제1연결부(126)의 상면에는 상기 제1리드 프레임(121)의 상면보다 낮게 리세스된 영역(22A)을 포함하며, 상기 제2연결부(128)의 상면에는 상기 제1리드 프레임(121)의 상면보다 낮게 리세스된 영역(22B)을 포함한다. 상기 리세스된 영역(22A,22B)은 제1프레임부(125)의 일부까지 연장될 수 있다.
상기 제2리드 프레임(131)은 제2본딩 영역(30)을 갖는 제2프레임부(135), 상기 제2프레임부(135)로부터 이격된 제2리드부(139), 상기 제2프레임부(135)와 상기 제2리드부(139) 사이에 배치된 제2 및 제3구멍(32A,32B), 상기 제2프레임부(135)와 상기 제2리드부(139)를 연결해 주는 제3 내지 제5연결부(136,137,138)를 포함한다.
상기 제2프레임부(135)는 제2본딩 영역(30)을 구비하며, 상기 제2리드 프레임(131)의 길이(L2)를 갖고 제3 내지 제5연결부(136,137,138)에 연결된다. 상기 제2프레임부(135)의 양 단부에는 제3돌기(P3) 및 제4돌기(P4)를 포함한다. 상기 제3돌기(P3)는 상기 제2프레임부(135)로부터 상기 제3연결부(136)보다 더 외측으로 돌출되며, 도 6과 같이 상기 제1몸체(141)의 제3측면(13)에 노출된다. 상기 제4돌기(P4)는 상기 제2프레임부(135)로부터 상기 제5연결부(138)보다 더 외측으로 돌출되며, 도 7과 같이 상기 제1몸체(141)의 제4측면(14)으로 노출된다. 상기 제3 및 제4돌기(P3,P4)는 상기 제2리드 프레임(131)을 상기 제1몸체(141)의 측면부에 지지될 수 있다.
상기 제2프레임부(135)는 상기 제2 및 제3구멍(32A,32B)에 접촉되는 영역에 요철 구조(30A,30B)가 형성된다. 상기 요철 구조(30A,30B)는 상기 제2 및 제3구멍(32A,32B) 방향으로 돌출되며, 그 철 구조의 하면에는 리세스된 영역(33,34)이 형성될 수 있다. 상기 리세스된 영역(33,34)에는 상기 제1몸체(141)의 일부(46,47)가 결합된다.
상기 제2프레임부(135)의 상면 중에서 상기 제2본딩 영역(30)의 둘레에는 제1리세스부(31)가 형성되며, 상기 제1리세스부(31)는 상기 제2본딩 영역(30)의 둘레를 커버하는 형태로 형성되며, 상기 제1리세스부(31)에는 상기 제1몸체(141)의 일부(44)가 결합된다. 상기 제1리세스부(31)의 일부는 도 1, 도 2, 도 9 및 도 10과 같이 상기 제1개구부(111)의 바닥에 노출된다.
여기서, 상기 제2연장부(133)은 상기 제1리세스부(31) 중에서 상기 제4연결부(137) 방향으로 돌출되며, 이때, 도 9 및 도 10과 같이 상기 제2리세스부(31)의 폭(F1)은 다른 영역의 폭(F2)보다 좁게 형성된다.
도 12와 같이 상기 제3돌기(P3) 및 제4돌기(P4)에는 상기 제2리드 프레임(131)의 하면보다 낮게 리세스된 영역(38A,38B)이 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 리세스된 영역(38A,38B)의 깊이는 상기 제2리드 프레임(131)의 두께의 50% 이하 예컨대, 30-50% 범위로 형성될 수 있다.
상기 제2리드부(139)의 일부는 도 4와 같이 제1몸체(141) 제1측면(11)으로 돌출되며, 상기 제2리드 프레임(131)의 길이(L2)를 갖고, 상기 제3 내지 제5 연결부(136,137,138)에 연결된다.
상기 제2리드부(139)의 하면에는 상기 제2리드 프레임(131)의 하면보다 낮게 리세스된 영역(32E,32F)을 포함하며, 상기 리세스된 영역(23)의 깊이는 상기 제1리드 프레임(121)의 두께의 50% 이하 예컨대, 30-50% 범위로 형성될 수 있다. 상기 리세스된 영역(32E,32F)는 서로 이격되며, 상기 제2 및 제3구멍(32A,32B)에 연결된다. 상기 제2리드부(139)에 리세스된 영역(32E,32F)은 상기 제3 및 제5연결부(136,138)의 일부까지 연장될 수 있다.
상기 제2리드부(139)에는 복수의 결합 구멍(39)이 배치되며, 상기 결합 구멍(39)은 비아 홀 형태로 형성되며, 상기 제1몸체(141)가 결합된다.
상기 제2구멍(32A) 및 제3구멍(32B)의 너비는 상기 제2리드부(139)의 너비의 80%-120% 범위로 형성될 수 있으며, 상기 제1구멍(22)의 너비(D2)보다 더 넓게 형성될 수 있다. 또한 상기 제2구멍(32A) 및 제3구멍(32B)의 너비는 상기 제2리드 프레임(131)의 너비(D12)의 15% 이상의 너비로 형성될 수 있다. 상기 제2리드 프레임(131)의 너비(D12)는 3.3mm±0.3mm 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2구멍(32A) 및 제3구멍(32B)은 상기 제4연결부(137)에 의해 서로 분리되며, 상기 제2프레임부(135)의 코너 영역에 배치된다. 도 8과 같이 상기 제2구멍(32A) 및 제3구멍(32B)에는 제1몸체(141)가 결합되며, 상기 제1몸체(141)는 제2리드 프레임(131)과의 접촉 면적이 증가될 수 있고, 상기 제2몸체(151)에 비해 상대적으로 두께가 얇은 제1몸체(141)의 결합력을 강화시켜 줄 수 있다.
상기 제2구멍(32A)은 제3 및 제4연결부(136,137) 사이에 배치되며, 상기 제3구멍(32B)은 제4 및 제5연결부(137,138) 사이에 배치된다.
상기 제3연결부(136)는 상면에 리세스된 영역(32D)를 포함한다. 상기 제4연결부(137)는 상기 제3 및 제5연결부(136,138) 사이에 배치되며, 상면에 리세스된 영역(32)이 배치된다. 상기 제5연결부(138)는 상면에 리세스된 영역(32C)을 포함한다. 상기 제4연결부(137)와 제2 및 제3구멍(32A,32B)에 결합된 제1몸체(141)는 발광 칩이 탑재되는 상기 제2본딩 영역(30)을 지지해 준다.
제1몸체(141)의 구조를 보면, 상기 제1몸체(141)는 상기 제1리드 프레임(121)의 제1구멍(22)과 다수의 리세스된 영역(21,23,22A,22B,28A,28B), 상기 제2리드 프레임(131)의 제2 및 제3구멍(32A,32B)과 다수의 리세스된 영역(31,32C,32D,32E,32F,33,34,38A,38B)에 결합된다.
상기 제1몸체(141)의 두께(T2)는 상기 제1리드 프레임(121)의 두께의 1.25-2배 범위로 형성될 수 있으며, 상기 제1몸체(141)의 상면 중에서 고점의 높이는 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 상면으로부터 상기 제1및 제2리드 프레임(121,131)의 두께(T1)보다 낮은 높이(T2-T1)로 형성될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1몸체(141)의 고점의 높이는 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 상면으로부터 0.2~0.25mm 범위의 두께로 형성될 수 있다.
상기 제1몸체(141)의 상면 중에서 저점 위치는 상기 제1몸체의 내측면(41A)의 상면이 될 수 있으며, 상기 저점 높이는 상기 내측면(41A)의 높이가 될 수 있다. 상기 내측면(41A)의 높이는 상기 제1리드 프레임(121)의 상면으로부터 45㎛-60㎛ 범위의 두께로 형성될 수 있으며, 이러한 두께가 너무 얇을 경우 상기 제1몸체(141)의 내측면(41A)이 부분이 미 성형되거나 파손될 수 있어, 상기의 두께 범위로 형성될 수 있다. 상기 제1몸체(141)의 내측면(41A)의 높이는 상기 발광 칩(161)의 두께의 50% 이하로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 또한 상기 제1몸체(141)의 내측면(41A)의 높이가 상기 발광 칩(161)의 상면 높이보다는 낮게 형성됨으로써, 상기 제1발광 칩(161)로부터 측 방향으로 방출되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 내측면(41A)의 높이는 0.05mm±0.01mm 범위를 포함한다.
상기 제1몸체(141)의 내측면(41A)은 상기 제1리드 프레임(121)의 상면으로부터 수직하거나 경사지게 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 8 내지 도 10과 같이, 상기 제1몸체(141)는 오픈 영역(112), 내측부(41) 및 외측부(42)를 포함하며, 상기 오픈 영역(112)은 상기 제1개구부(111)의 바닥 면적과 동일하거나 좁을 수 있다. 상기 오픈 영역(112)의 너비를 보면, 제1방향(X)의 너비(E2)는 제2방향(Y)의 너비(E6)보다 넓을 수 있다. 상기 오픈 영역(112)의 너비(E2,E6)는 서로 대응되는 내측면(41A) 간의 간격이 된다. 상기 제1방향(X)의 너비(E2)는 상기 제2방향의 너비(E6)에 비해 1.2배~1.5배 범위로 넓게 형성될 수 있다. 상기 너비(E2)는 1.91mm±0.2mm 범위를 포함하며, 상기 너비(E6)는 1.41mm±0.2mm 범위를 포함한다.
상기 오픈 영역(112)은 제1연장부(123)에 대응되는 곡면의 곡률(R2)는 0.26±0.05mm 범위를 포함하며, 상기 제1연장부(123)에 연결되는 곡면의 곡률(R1)은 상기 곡률(R2)의 3배 이상으로서, 예컨대 0.81±0.05mm 범위로 형성될 수 있다.
제1몸체(141)의 내측부(41)는 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 상면에 대해 소정 각도(θ1) 예컨대, 5도 이하로 경사지며, 2도 내지 5도의 범위로 경사질 수 있다. 상기 제1몸체(141)의 내측부(41)는 상기 외측부(42)보다 낮은 높이를 갖고, 경사지게 형성됨으로써, 입사되는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 상기 제1몸체(141)의 내측부(41)는 외곽 둘레가 원 형상으로 형성될 수 있다. 다른 예로서, 상기 제1몸체(141)의 내측부(41)의 외곽 둘레를 다각형 형상 또는 비 정형 형상으로 형성할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 도 9와 같이, 상기 제1몸체(141)의 내측부(41)의 상면 중에서 상기 제1리드 프레임(121)의 제1구멍(22)에 대응되는 영역의 최소 두께(T4)는 0.05mm 이상 예컨대, 0.05~0.08mm 범위로 형성될 수 있다. 이러한 두께(T4)는 상기 제1구멍(22)와 제1몸체(141)의 일부(43)과의 결합력이 약화되는 것을 방지할 수 있다.
도 9 및 도 10과 같이, 상기 제1몸체(141)의 내측부(41)를 보면, 제1방향(X)의 직선 거리는 상기 내측면(41A)과 상기 제1 및 제2측면(11,12) 사이의 거리(E4,E5)가 되며, 상기 거리(E4,E5)는 서로 동일하거나 다를 수 있다. 제2방향(X)의 직선 거리는 상기 내측면(41A)과 상기 제3측면 및 제4측면(13,14) 사이의 거리(E8)가 된다.
상기 제1몸체(141)의 내측부(41)는 외측부(42)에 대해 오목한 오목부(113)의 바닥이 될 수 있다. 상기 오목부(113)의 너비(E1)는 상기 제1몸체(141)의 너비(L3)보다는 좁고, 상기 제1몸체(141)의 너비(L3)의 80% 이상으로 형성될 수 있다. 상기 오목부(113)의 너비(E1)은 상기 발광 소자의 너비(D1)의 75% 이상으로 형성될 수 있으며, 예컨대 4.5mm 이상으로 형성될 수 있다.
상기 제1몸체(141)의 외측부(42)는 평탄한 면이거나 경사진 면으로 형성될 수 있으며, 그 상면 높이는 상기 내측부(41)의 고점 높이보다 적어도 높게 형성될 수 있다. 또한 상기 제1몸체(141)의 외측부(42)의 상면 높이는 상기 발광 칩(161)의 상면 높이보다 낮게 형성될 수 있다. 상기 제1몸체(141)의 외측부(42)는 상기 내측부(41)로부터 소정 높이(T3)로 형성될 수 있으며, 상기 높이(T3)는 0.05mm±0.02mm 범위로 형성될 수 있다.
또한 도 8과 같이, 상기 제1몸체(141)의 제1 및 제2측면(11,12) 영역 중에서 상기 오목부(113)에 가장 인접한 영역은 상기 오목부(113)의 곡률에 따라 외측 방향으로 볼록하게 돌출될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 제2몸체(151)를 보면, 상기 제2몸체(151)는 상기 제1몸체(141) 상에 형성되며, 상기 제1 및 제2리드 프레임(121,131)로부터 이격된다. 상기 제2몸체(151)의 두께는 상기 제1몸체(141)의 두께(T2)보다 두껍게 예컨대, 1.5배 이상 두껍게 형성되거나, 상기 발광 칩(161)의 두께보다 두껍고, 도 2의 와이어(166,167)의 고점보다 더 높게 형성될 수 있으며, 예컨대 250㎛ 이상 내지 550㎛ 이하의 두께로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 제2몸체(151)는 광이 추출 효율을 위해 상기의 두께 범위로 형성될 수 있다. 상기 발광 칩(161)의 두께는 80㎛-400㎛ 범위 예컨대, 80㎛-150㎛ 범위로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2몸체(151)의 상부에는 요철 구조, 울퉁불퉁한 구조, 또는 단차 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1몸체(141)의 상면과 상기 제2몸체(151)의 상면 사이에는 서로 접착시켜 주기 위한 접착층이 형성될 수 있다.
상기 발광 칩(161)은 제2리드 프레임(131)의 제2본딩 영역(30) 위에 배치되고, 제1리드 프레임(121)의 제1연장부(123)과 제1와이어(165)로 연결되고, 제2리드 프레임(131)의 제2연장부(133)과 제2와이어(166)로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(161)은 제1리드 프레임(121)과 제2리드 프레임(131)으로부터 전원을 공급받아 구동하게 된다. 상기 발광 칩(161)은 다른 예로서, 제2리드 프레임(131)의 제2본딩 영역(30)에 다이 본딩되고, 제1리드 프레임(121)의 제1연장부(123)과 제1와이어(165)로 연결될 수 있다. 상기 발광 칩(161)은 제1리드 프레임(121)과 상기 제2리드 프레임(131)에 플립 방식으로 본딩될 수 있다.
상기 발광 칩(161)은 반도체 화합물을 이용한 LED 칩 예컨대, UV(Ultraviolet) LED 칩, 청색 LED 칩, 녹색 LED 칩, 백색 LED 칩, 적색 LED 칩 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 발광 칩(161)은 3족-5족 화합물 반도체를 포함할 수 있으며, 내부의 활성층은 이중 접합 구조, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선, 양자 점 구조 중 적어도 하나로 형성될 수 있다. 상기 활성층은 우물층/장벽층이 교대로 배치되며, 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, 또는 InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 2~30주기로 형성될 수 있다. 또한 상기 활성층은 ZnS, ZnSe, SiC, GaP, GaAlAs, AlN, InN, AlInGaP과 같은 계열의 반도체를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 활성층의 발광 파장은 자외선 대역의 광부터 가시광선 대역의 광 중에서 선택적으로 발광할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
한편, 상기 투광성 수지층(171)은 제2몸체(141,151)의 제1개구부(111)에 채워지며, 상기 발광 칩(161)를 커버하게 된다. 상기 투광성 수지층(171)은 제1몸체(141)의 내측면(41A)에 접촉되며, 리세스된 영역(31)에 배치된 제1몸체(141)의 일부(44)와 접촉될 수 있다.
상기 투광성 수지층(171)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 재질로 형성될 수 있으며, 상기 발광 칩에서 방출된 파장(예: 청색 파장)에 대해 투과율이 70% 이상 예컨대, 90% 이상의 재질로 형성된다. 상기 투광성 수지층(171)의 상면은 플랫하게 형성될 수 있으며, 다른 예로서 오목하거나 볼록하게 형성될 수 있다.
상기 투광성 수지층(171)의 굴절률은 1.6 이하이며, 상기 제2몸체(151)의 굴절률은 상기 투광성 수지층(171)의 굴절률과 동일하거나 더 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. 또한 상기 제2몸체(151)의 굴절률은 상기 투광성 수지층(171)의 굴절률과의 차이가 ±0.2 정도일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 투광성 수지층(171) 내에는 필러, 확산제, 안료, 형광 물질, 반사성 물질 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 투광성 수지층(171)에 혼합되는 형광 물질은 상기 발광 칩(161)으로부터 방출된 광을 흡수하여 서로 다른 파장의 광으로 파장 변환하게 된다. 상기 형광 물질은 황색 형광체, 녹색 형광체, 청색 형광체, 적색 형광체 중 적어도 하나를 포함할 수 있으며, 예를 들면, Eu, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 질화물계 형광체·산질화물계 형광체·사이어론계 형광체, Eu 등의 란타노이드계, Mn 등의 천이금속계의 원소에 의해 주로 활성화되는 알칼리 토류 할로겐 아파타이트 형광체, 알칼리 토류 금속 붕산 할로겐 형광체, 알칼리 토류 금속 알루민산염 형광체, 알칼리 토류 규산염, 알칼리 토류 황화물, 알칼리 토류 티오갈레이트, 알칼리 토류 질화규소, 게르마늄산염, 또는, Ce 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 희토류 알루민산염, 희토류 규산염 또는 Eu 등의 란타노이드계 원소에 의해 주로 활성화되는 유기 및 유기 착체 등으로부터 선택되는 적어도 어느 하나 이상일 수 있다. 구체적인 예로서, 상기의 형광체를 사용할 수 있지만, 이것에 한정되지 않는다.
제1실시 예는 얇은 두께를 갖고 반사 특성인 제1몸체(141)를 제1리드 프레임(121)의 제1구멍(22)과 다수의 리세스된 영역(21,23,22A,22B,28A,28B), 상기 제2리드 프레임(131)의 제2 및 제3구멍(32A,32B)과 다수의 리세스된 영역(31,32C,32D,32E,32F,33,34,38A,38B)에 결합시켜 줄 수 있다. 이에 따라 제1몸체(141) 및 제2몸체(151)의 적층 구조를 갖는 발광 소자에서 상기 제1몸체(141)가 들뜨는 것을 방지할 수 있다. 또한 제1몸체(141)와 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 접착력이 약화되는 것을 방지할 수 있으며, 습기 침투를 효과적으로 억제할 수 있다.
도 15는 제2실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제2실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 15를 참조하면, 발광 소자는 제2몸체(151)와 투광성 수지층(171) 위에 광학 렌즈(181)가 배치된다. 상기 광학 렌즈(181)는 실리콘, 에폭시와 같은 투광성의 수지 재질이거나, 유리 재질일 수 있다. 상기 광학 렌즈(181)의 굴절률은 상기 투광성 수지층(171)의 굴절률과 같거나 낮은 굴절률로 형성될 수 있다. 상기 투광성 수지층(171) 및 상기 제2몸체(151)의 상부에 접촉될 수 있다.
상기 광학 렌즈(181)는 전 반사면(182)와 광 출사면(183)을 포함하며, 상기 전 반사면(182)는 입사되는 광을 반사시켜 주게 된다. 상기 전 반사면(182)은 상기 발광 칩(161)의 상부 방향으로 오목하게 리세스되며, 상기 투광성 수지층(171)과 이격된다. 상기 전 반사면(182)은 상기 발광 칩(161)과 대응되며 상기 광학 렌즈(181)의 상면보다 발광 칩(161) 방향으로 더 낮은 깊이를 갖고 오목한 곡면으로 형성됨으로써, 입사된 광을 다른 방향으로 굴절시켜 주며, 또한 일부의 광은 투과시켜 준다. 상기의 광학 렌즈(181)는 상기 제2몸체(151)를 투과하는 광에 대해 보다 넓은 광 지향각 분포로 조사할 수 있다.
상기 전 반사면(182)에는 반사 물질(185)이 채워질 수 있으며, 상기 반사 물질(185)은 실리콘 또는 에폭시와 같은 수지 내에 금속 산화물이 첨가된다.
상기 광 출사면(183)은 상기 전 반사면(182)의 둘레에 연결되며, 광을 추출하기 위한 곡면 형상을 포함한다. 또한 광 출사면(183)은 광의 배광 분포를 위해, 반구 형상으로 형성될 수 있으며, 위에서 볼 때 원 형상 또는 타원 형상으로 형성될 수 있다.
상기 광학 렌즈(181)의 외곽부(184)는 상기 제1 및 제2몸체(141,151)의 외 측면에 접촉될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 이를 위해 상기 제2몸체(151)는 상기 제1몸체(141)의 너비보다 좁은 너비로 형성되거나, 상기 제1몸체(141)의 외측부(42)의 일부가 노출될 수 있다.
상기 제2몸체(151)의 상부에는 돌기가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 광학 렌즈(181)는 상기 제2몸체(151) 상에 사출되거나, 별도로 제조된 후 접착될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 16는 제3실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제3실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 16을 참조하면, 광학 렌즈(181)의 전 반사면(182)은 깊이의 1/2 지점의 직경이 투광성 수지층(171)의 상면 너비보다 좁고 상기 발광 칩(161)의 너비보다 넓게 형성될 수 있다. 이러한 전 반사면(182)는 발광 칩(161)로부터 법선 방향으로 진행하는 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다.
또한 광학 렌즈(181)는 상기 제2몸체(151) 상에 적층되고, 상기 제1몸체(141)로부터 이격될 수 있다.
도 17은 제4실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제4실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 17을 참조하면, 발광 소자는 제1몸체(141) 상에 광학 렌즈(181)가 결합된다. 상기 광학 렌즈(181)의 외곽부(184)는 상기 제1몸체(141)의 상면과 동일 평면 상에 배치되거나, 제1 및 제2리드 프레임(121,131)의 상면에 접촉될 수 있다.
상기 광학 렌즈(181)의 내부에는 반구형 형상의 오목부(186)를 포함하며, 상기 오목부(186)은 상기 발광 칩(161)의 위로 돌출되는 형상으로서, 상기 발광 칩(161)을 커버하는 형상으로 형성된다.
상기 오목부(186)는 비어 있는 공간이거나, 수지와 같은 투광성 물질이 채워질 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
발광 칩(161) 상에는 형광체층(173)이 형성되며, 상기 형광체층(173)은 상기 발광 칩(161)의 상면에 배치되며, 입사되는 광의 파장을 변환시켜 준다.
발광 소자는 발광 칩(161)로부터 방출된 광을 상기 오목부(186)에 의해 확산시켜 주고, 상기 확산된 광은 광학 렌즈(181)의 전 반사면(182)에 의해 반사되거나, 광 출사면(183)에 의해 방출될 수 있다.
이때 상기 오목부(186)에 의해 확산된 광의 일부는 상기 제1몸체(141)에 의해 반사되고 상기 광학 렌즈(181)를 통해 추출될 수 있다.
제4실시 예는 광학 렌즈(181)를 이용하여 제1실시 예의 제2몸체의 기능을 포함하는 구조로 제공하게 된다.
도 18은 제5실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제5실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 18을 참조하면, 발광 소자는 발광 칩(161) 상에 반구형 형상의 투광성 수지층(173)을 포함하며, 상기 투광성 수지층(173)의 둘레에 제2몸체(151)가 형성된다. 상기 제2몸체(151)는 광이 투과되는 물질로서, 상기 투광성 수지층(173)에 의해 투과되거나 제1몸체(141)에 의해 반사된 물질을 효과적으로 가이드할 수 있다.
또한 상기 투광성 수지층(173)은 상기 제1몸체(141)의 내측부(41)의 상면에 접촉될 수 있으며, 이러한 구조는 상기 투광성 수지층(173)과 상기 제1몸체(141)의 결합을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 제2몸체(151)의 외곽부(55)는 곡면 형상을 포함하며, 상기 곡면 형상의 외곽부(55)는 내부에서 진행하는 광의 추출 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 즉, 상기 제2몸체(151)의 외곽부(55)는 광학 렌즈(181B)의 광 출사면(183)과 연결되어, 광 출사면과 같은 기능을 수행할 수 있다.
상기 제2몸체(151)의 외 측면(56)은 상기 외곽부(55)에 연결되며 상기 제1몸체(141)의 외측면보다 더 외측에 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 19는 제6실시 예에 따른 발광 소자를 나타낸 측 단면도이다. 제6실시 예를 설명함에 있어서, 제1실시 예와 동일한 부분은 제1실시 예를 참조하기로 한다.
도 19를 참조하면, 발광 소자는 투광성 수지층(171) 상에 반사층(155), 상기 투광성 수지층(171) 및 상기 반사층(155)의 둘레에 제2몸체(151A)를 포함한다. 상기 반사층(155)은 상기 제1몸체(141)과 동일한 재질로 형성될 수 있으며, 예컨대 에폭시 또는 실리콘과 같은 수지 재질에 금속 산화물이 첨가될 수 있으며, 상기 금속 산화물은 TiO2, SiO2, Al2O3중 적어도 하나를 포함하며, 상기 몸체(141) 내에 5wt% 이상의 비율로 첨가될 수 있다.
상기 반사층(155)은 상기 투광성 수지층(171)의 상면에 접촉됨으로써, 발광 칩(161)로부터 방출된 광을 효과적으로 반사시켜 줄 수 있다. 이를 위해, 상기 제1몸체(141)의 상면은 상기 반사층(155)로부터 반사된 광을 반사시켜 주기 위해 러프한 면으로 형성될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 제2몸체(151A)의 두께(T6)는 상기 투광성 수지층(171) 및 상기 반사층(155)의 두께의 합과 동일한 두께이거나 더 두껍게 형성될 수 있으며, 상기 제2몸체(151A)의 상면은 평탄한 면이거나 반구형 형상을 갖는 곡면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 20은 실시 예에 따른 발광 칩의 일 예를 나타낸 측 단면도이다.
도 20을 참조하면, 발광 칩은 기판(311), 버퍼층(312), 발광 구조물(310), 제1전극(316) 및 제2전극(317)을 포함한다. 상기 기판(311)은 투광성 또는 비 투광성 재질의 기판을 포함하며, 또한 전도성 또는 절연성 기판을 포함한다.
상기 버퍼층(312)은 기판(311)과 상기 발광 구조물(310)의 물질과의 격자 상수 차이를 줄여주게 되며, 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 상기 버퍼층(312)과 상기 발광 구조물(310)사이에는 도펀트가 도핑되지 않는 질화물 반도체층을 더 형성하여 결정 품질을 개선시켜 줄 수 있다.
상기 발광 구조물(310)은 제1도전형 반도체층(313), 활성층(314) 및 제2도전형 반도체층(315)를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(313)은 제1도전형 도펀트가 도핑된 III족-V족 화합물 반도체로 구현되며, 상기 제1도전형 반도체층(313)은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 예컨대, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 적어도 하나를 포함하는 층들의 적층 구조를 포함할 수 있다. 상기 제1도전형 반도체층(313)은 n형 반도체층이며, 상기 제1도전형 도펀트는 n형 도펀트로서, Si, Ge, Sn, Se, Te를 포함한다.
상기 제1도전형 반도체층(313)과 상기 활성층(314) 사이에는 제1클래드층이 형성될 수 있다. 상기 제1클래드층은 GaN계 반도체로 형성될 수 있으며, 그 밴드 갭은 상기 활성층(314)의 밴드 갭 이상으로 형성될 수 있다. 이러한 제1클래드층은 제1도전형으로 형성되며, 캐리어를 구속시켜 주는 역할을 한다.
상기 활성층(314)은 상기 제1도전형 반도체층(313) 위에 배치되며, 단일 양자 우물, 다중 양자 우물(MQW), 양자 선(quantum wire) 구조 또는 양자 점(quantum dot) 구조를 선택적으로 포함한다. 상기 활성층(314)은 우물층과 장벽층의 주기를 포함한다. 상기 우물층은 InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함하며, 상기 장벽층은 InxAlyGa1-x-yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함할 수 있다. 상기 우물층/장벽층의 주기는 예컨대, InGaN/GaN, GaN/AlGaN, InGaN/AlGaN, InGaN/InGaN, InAlGaN/InAlGaN의 적층 구조를 이용하여 1주기 이상으로 형성될 수 있다. 상기 장벽층은 상기 우물층의 밴드 갭보다 높은 밴드 갭을 가지는 반도체 물질로 형성될 수 있다.
상기 활성층(314) 위에는 제2도전형 반도체층(315)이 형성된다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은 제2도전형 도펀트가 도핑된 반도체 예컨대, InxAlyGa1 -x- yN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 포함한다. 상기 제2도전형 반도체층(315)은, GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, GaP, GaAs, GaAsP, AlGaInP와 같은 화합물 반도체 중 어느 하나로 이루어질 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)이 p형 반도체층이고, 상기 제2도전형 도펀트는 p형 도펀트로서, Mg, Zn, Ca, Sr, Ba을 포함할 수 있다.
상기 제2도전형 반도체층(315)은 초격자 구조를 포함할 수 있으며, 상기 초격자 구조는 InGaN/GaN 초격자 구조 또는 AlGaN/GaN 초격자 구조를 포함할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315)의 초격자 구조는 비 정상적으로 전압에 포함된 전류를 확산시켜 주어, 활성층(314)을 보호할 수 있다.
또한 상기 발광 구조물(310)의 도전형을 반대로 배치할 수 있으며, 예컨대 제1도전형 반도체층(313)은 P형 반도체층, 상기 제2도전형 반도체층(315)은 n형 반도체층으로 배치할 수 있다. 상기 제2도전형 반도체층(315) 위에는 상기 제2도전형과 반대의 극성을 갖는 제1도전형의 반도체층이 더 배치될 수도 있다.
상기 발광 구조물(310)은 n-p 접합 구조, p-n 접합 구조, n-p-n 접합 구조, p-n-p 접합 구조 중 어느 한 구조로 구현할 수 있다. 여기서, 상기 p는 p형 반도체층이며, 상기 n은 n형 반도체층이며, 상기 -은 p형 반도체층과 n형 반도체층이 직접 접촉되거나 간접 접촉된 구조를 포함한다. 이하, 설명의 편의를 위해, 발광 구조물(310)의 최 상층은 제2도전형 반도체층(315)으로 설명하기로 한다.
상기 제1도전형 반도체층(313) 상에는 제1전극(316)이 배치되고, 상기 제2도전형 반도체층(315) 상에는 전류 확산층을 갖는 제2전극(317)을 포함한다.
도 21는 실시 예에 따른 발광 칩의 다른 예를 나타낸 도면이다. 실시 예를 설명함에 있어서, 도 20과 동일한 부분은 생략하며 간략하게 설명하기로 한다.
도 21을 참조하면, 실시 예에 따른 발광 칩은 발광 구조물(310) 아래에 접촉층(321)이 형성되며, 상기 접촉층(321) 아래에 반사층(324)이 형성되며, 상기 반사층(324) 아래에 지지부재(325)가 형성되며, 상기 반사층(324)과 상기 발광 구조물(310)의 둘레에 보호층(323)이 형성될 수 있다.
이러한 발광 칩은 제2도전형 반도체층(315) 아래에 접촉층(321) 및 보호층(323), 반사층(324) 및 지지부재(325)를 형성한 다음, 성장 기판을 제거하여 형성될 수 있다.
상기 접촉층(321)은 발광 구조물(310)의 하층 예컨대 제2도전형 반도체층(315)에 오믹 접촉되며, 그 재료는 금속 산화물, 금속 질화물, 절연물질, 전도성 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질 중에서 형성될 수 있다. 또한 상기 금속 물질과 IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGTO, AZO, ATO 등의 투광성 전도성 물질을 이용하여 다층으로 형성할 수 있으며, 예컨대, IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni, AZO/Ag/Ni 등으로 적층할 수 있다. 상기 접촉층(321) 내부는 전극(316)과 대응되도록 전류를 블록킹하는 층이 더 형성될 수 있다.
상기 보호층(323)은 금속 산화물 또는 절연 물질 중에서 선택될 수 있으며, 예컨대 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), IZTO(indium zinc tin oxide), IAZO(indium aluminum zinc oxide), IGZO(indium gallium zinc oxide), IGTO(indium gallium tin oxide), AZO(aluminum zinc oxide), ATO(antimony tin oxide), GZO(gallium zinc oxide), SiO2, SiOx, SiOxNy, Si3N4, Al2O3, TiO2 에서 선택적으로 형성될 수 있다. 상기 보호층(323)은 스퍼터링 방법 또는 증착 방법 등을 이용하여 형성할 수 있으며, 반사층(324)과 같은 금속이 발광 구조물(310)의 층들을 쇼트시키는 것을 방지할 수 있다.
상기 반사층(324)은 금속 예컨대, Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf 및 이들의 선택적인 조합으로 구성된 물질로 형성될 수 있다. 상기 반사층(324)은 상기 발광 구조물(310)의 폭보다 크게 형성될 수 있으며, 이는 광 반사 효율을 개선시켜 줄 수 있다. 상기의 반사층(324)과 상기 지지부재(325) 사이에 접합을 위한 금속층과, 열 확산을 위한 금속층이 더 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 지지부재(325)는 베이스 기판으로서, 구리(Cu), 금(Au), 니켈(Ni), 몰리브데늄(Mo), 구리-텅스텐(Cu-W)와 같은 금속이거나 캐리어 웨이퍼(예: Si, Ge, GaAs, ZnO, SiC)으로 구현될 수 있다. 상기 지지부재(325)와 상기 반사층(324) 사이에는 접합층이 더 형성될 수 있으며, 상기 접합층은 두 층을 서로 접합시켜 줄 수 있다. 상기의 개시된 발광 칩은 일 예이며, 상기에 개시된 특징으로 한정하지는 않는다. 상기의 발광 칩은 상기의 발광 소자의 실시 예에 선택적으로 적용될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
<조명 시스템>
실시예에 따른 발광 소자는 조명 시스템에 적용될 수 있다. 상기 조명 시스템은 복수의 발광 소자가 어레이된 구조를 포함하며, 도 22 및 도 23에 도시된 표시 장치, 도 24에 도시된 조명 장치를 포함하고, 조명등, 신호등, 차량 전조등, 전광판 등이 포함될 수 있다.
도 22는 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치의 분해 사시도이다.
도 22를 참조하면, 실시예에 따른 표시 장치(1000)는 도광판(1041)과, 상기 도광판(1041)에 빛을 제공하는 광원 모듈(1031)와, 상기 도광판(1041) 아래에 반사 부재(1022)와, 상기 도광판(1041) 위에 광학 시트(1051)와, 상기 광학 시트(1051) 위에 표시 패널(1061)과, 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022)를 수납하는 바텀 커버(1011)를 포함할 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.
상기 바텀 커버(1011), 반사시트(1022), 도광판(1041), 광학 시트(1051)는 라이트 유닛(1050)으로 정의될 수 있다.
상기 도광판(1041)은 빛을 확산시켜 면광원화 시키는 역할을 한다. 상기 도광판(1041)은 투명한 재질로 이루어지며, 예를 들어, PMMA(polymethyl metaacrylate)와 같은 아크릴 수지 계열, PET(polyethylene terephthlate), PC(poly carbonate), COC(cycloolefin copolymer) 및 PEN(polyethylene naphthalate) 수지 중 하나를 포함할 수 있다.
상기 광원 모듈(1031)은 상기 도광판(1041)의 적어도 일 측면에 빛을 제공하며, 궁극적으로는 표시 장치의 광원으로써 작용하게 된다.
상기 광원 모듈(1031)은 적어도 하나를 포함하며, 상기 도광판(1041)의 일 측면에서 직접 또는 간접적으로 광을 제공할 수 있다. 상기 광원 모듈(1031)은 기판(1033)과 상기에 개시된 실시 예에 따른 발광 소자 또는 발광 소자(1035)를 포함하며, 상기 발광 소자 또는 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 소정 간격으로 어레이될 수 있다.
상기 기판(1033)은 회로패턴(미도시)을 포함하는 인쇄회로기판(PCB, Printed Circuit Board)일 수 있다. 다만, 상기 기판(1033)은 일반 PCB 뿐 아니라, 메탈 코어 PCB(MCPCB, Metal Core PCB), 연성 PCB(FPCB, Flexible PCB) 등을 포함할 수도 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 바텀 커버(1011)의 측면 또는 방열 플레이트 상에 탑재될 경우, 상기 기판(1033)은 제거될 수 있다. 여기서, 상기 방열 플레이트의 일부는 상기 바텀 커버(1011)의 상면에 접촉될 수 있다.
그리고, 상기 복수의 발광 소자(1035)는 상기 기판(1033) 상에 빛이 방출되는 출사면이 상기 도광판(1041)과 소정 거리 이격되도록 탑재될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 발광 소자(1035)는 상기 도광판(1041)의 일측 면인 입광부에 광을 직접 또는 간접적으로 제공할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 도광판(1041) 아래에는 상기 반사 부재(1022)가 배치될 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 도광판(1041)의 하면으로 입사된 빛을 반사시켜 위로 향하게 함으로써, 상기 라이트 유닛(1050)의 휘도를 향상시킬 수 있다. 상기 반사 부재(1022)는 예를 들어, PET, PC, PVC 레진 등으로 형성될 수 있으나, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 반사 부재(1022)는 상기 바텀 커버(1011)의 상면일 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 상기 도광판(1041), 광원 모듈(1031) 및 반사 부재(1022) 등을 수납할 수 있다. 이를 위해, 상기 바텀 커버(1011)는 상면이 개구된 박스(box) 형상을 갖는 수납부(1012)가 구비될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기 바텀 커버(1011)는 탑 커버와 결합될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 바텀 커버(1011)는 금속 재질 또는 수지 재질로 형성될 수 있으며, 프레스 성형 또는 압출 성형 등의 공정을 이용하여 제조될 수 있다. 또한 상기 바텀 커버(1011)는 열 전도성이 좋은 금속 또는 비 금속 재료를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 표시 패널(1061)은 예컨대, LCD 패널로서, 서로 대향되는 투명한 재질의 제 1 및 제 2기판, 그리고 제 1 및 제 2기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 표시 패널(1061)의 적어도 일면에는 편광판이 부착될 수 있으며, 이러한 편광판의 부착 구조로 한정하지는 않는다. 상기 표시 패널(1061)은 광학 시트(1051)를 통과한 광에 의해 정보를 표시하게 된다. 이러한 표시 장치(1000)는 각 종 휴대 단말기, 노트북 컴퓨터의 모니터, 랩탑 컴퓨터의 모니터, 텔레비젼 등에 적용될 수 있다.
상기 광학 시트(1051)는 상기 표시 패널(1061)과 상기 도광판(1041) 사이에 배치되며, 적어도 한 장의 투광성 시트를 포함한다. 상기 광학 시트(1051)는 예컨대 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등과 같은 시트 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 또는/및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다. 또한 상기 표시 패널(1061) 위에는 보호 시트가 배치될 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
여기서, 상기 광원 모듈(1031)의 광 경로 상에는 광학 부재로서, 상기 도광판(1041), 및 광학 시트(1051)를 포함할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다.
도 23은 실시 예에 따른 발광 소자를 갖는 표시 장치를 나타낸 도면이다.
도 23을 참조하면, 표시 장치(1100)는 바텀 커버(1152), 상기에 개시된 발광 소자(1124)가 어레이된 기판(1120), 광학 부재(1154), 및 표시 패널(1155)을 포함한다.
상기 기판(1120)과 상기 발광 소자(1124)는 광원 모듈(1160)로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152), 적어도 하나의 광원 모듈(1160), 광학 부재(1154)는 라이트 유닛(1150)으로 정의될 수 있다. 상기 바텀 커버(1152)에는 수납부(1153)를 구비할 수 있으며, 이에 대해 한정하지는 않는다. 상기의 광원 모듈(1160)은 기판(1120) 및 상기 기판(1120) 위에 배열된 복수의 발광 소자(1124)를 포함한다.
여기서, 상기 광학 부재(1154)는 렌즈, 도광판, 확산 시트, 수평 및 수직 프리즘 시트, 및 휘도 강화 시트 등에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 상기 도광판은 PC 재질 또는 PMMA(poly methyl methacrylate) 재질로 이루어질 수 있으며, 이러한 도광판은 제거될 수 있다. 상기 확산 시트는 입사되는 광을 확산시켜 주고, 상기 수평 및 수직 프리즘 시트는 입사되는 광을 표시 영역으로 집광시켜 주며, 상기 휘도 강화 시트는 손실되는 광을 재사용하여 휘도를 향상시켜 준다.
상기 광학 부재(1154)는 상기 광원 모듈(1060) 위에 배치되며, 상기 광원 모듈(1060)로부터 방출된 광을 면 광원하거나, 확산, 집광 등을 수행하게 된다.
도 24는 실시 예에 따른 발광소자를 갖는 조명장치의 분해 사시도이다.
도 24를 참조하면, 실시 예에 따른 조명 장치는 커버(2100), 광원 모듈(2200), 방열체(2400), 전원 제공부(2600), 내부 케이스(2700), 소켓(2800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(2300)와 홀더(2500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)은 실시 예에 따른 발광소자를 포함할 수 있다.
예컨대, 상기 커버(2100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상을 가지며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상으로 제공될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 광원 모듈(2200)과 광학적으로 결합되고, 상기 방열체(2400)와 결합될 수 있다. 상기 커버(2100)는 상기 방열체(2400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
상기 커버(2100)의 내면에는 확산재를 갖는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 이러한 유백색 재료를 이용하여 상기 광원 모듈(2200)로부터의 빛을 산란 및 확산되어 외부로 방출시킬 수 있다.
상기 커버(2100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 상기 커버(2100)는 외부에서 상기 광원 모듈(2200)이 보이도록 투명할 수 있고, 불투명할 수 있다. 상기 커버(2100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
상기 광원 모듈(2200)은 상기 방열체(2400)의 일 면에 배치될 수 있다. 따라서, 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열은 상기 방열체(2400)로 전도된다. 상기 광원 모듈(2200)은 발광 소자(2210), 연결 플레이트(2230), 커넥터(2250)를 포함할 수 있다.
상기 부재(2300)는 상기 방열체(2400)의 상면 위에 배치되고, 복수의 조명소자(2210)들과 커넥터(2250)이 삽입되는 가이드홈(2310)들을 갖는다. 상기 가이드홈(2310)은 상기 조명소자(2210)의 기판 및 커넥터(2250)와 대응된다.
상기 부재(2300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 상기 부재(2300)는 상기 커버(2100)의 내면에 반사되어 상기 광원 모듈(2200)측 방향으로 되돌아오는 빛을 다시 상기 커버(2100) 방향으로 반사한다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
상기 부재(2300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 상기 광원 모듈(2200)의 연결 플레이트(2230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 방열체(2400)와 상기 연결 플레이트(2230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 상기 부재(2300)는 절연 물질로 구성되어 상기 연결 플레이트(2230)와 상기 방열체(2400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 상기 방열체(2400)는 상기 광원 모듈(2200)로부터의 열과 상기 전원 제공부(2600)로부터의 열을 전달받아 방열한다.
상기 홀더(2500)는 내부 케이스(2700)의 절연부(2710)의 수납홈(2719)을 막는다. 따라서, 상기 내부 케이스(2700)의 상기 절연부(2710)에 수납되는 상기 전원 제공부(2600)는 밀폐된다. 상기 홀더(2500)는 가이드 돌출부(2510)를 갖는다. 상기 가이드 돌출부(2510)는 상기 전원 제공부(2600)의 돌출부(2610)가 관통하는 홀을 구비할 수 있다.
상기 전원 제공부(2600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 상기 광원 모듈(2200)로 제공한다. 상기 전원 제공부(2600)는 상기 내부 케이스(2700)의 수납홈(2719)에 수납되고, 상기 홀더(2500)에 의해 상기 내부 케이스(2700)의 내부에 밀폐된다.
상기 전원 제공부(2600)는 돌출부(2610), 가이드부(2630), 베이스(2650), 연장부(2670)를 포함할 수 있다.
상기 가이드부(2630)는 상기 베이스(2650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 가이드부(2630)는 상기 홀더(2500)에 삽입될 수 있다. 상기 베이스(2650)의 일 면 위에 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 직류변환장치, 상기 광원 모듈(2200)의 구동을 제어하는 구동칩, 상기 광원 모듈(2200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
상기 연장부(2670)는 상기 베이스(2650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 갖는다. 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750) 내부에 삽입되고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받는다. 예컨대, 상기 연장부(2670)는 상기 내부 케이스(2700)의 연결부(2750)의 폭과 같거나 작게 제공될 수 있다. 상기 연장부(2670)는 전선을 통해 소켓(2800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 내부 케이스(2700)는 내부에 상기 전원 제공부(2600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 상기 전원 제공부(2600)가 상기 내부 케이스(2700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
이상에서 실시예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
또한, 이상에서 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
20,30: 본딩 영역 22,32A,32B: 구멍
100: 발광 소자 121,131: 리드 프레임
123,133: 연장부 141: 제1몸체
151: 제2몸체 161: 발광 칩
171,172,173: 투광성 수지층 155: 반사층
181,181B: 광학 렌즈

Claims (22)

  1. 제1본딩 영역을 갖는 제1리드 프레임;
    상기 제1리드 프레임으로부터 이격되며 제2본딩 영역을 갖는 제2리드 프레임;
    상기 제1 및 제2리드 프레임의 제1 및 제2본딩 영역이 개방된 오픈 영역을 갖고, 상기 제1 및 제2리드 프레임의 상면 둘레에 배치되며 상기 제1 및 제2리드 프레임에 결합된 제1몸체;
    상기 제1몸체의 오픈 영역에 대응되는 제1개구부를 갖고, 상기 제1몸체 상에 배치된 제2몸체;
    상기 제2리드 프레임의 제2본딩 영역 위에 배치된 발광 칩; 및
    상기 제1몸체의 오픈 영역 및 상기 제2몸체의 제1개구부에 배치되며, 상기 발광 칩을 에워싸는 투광성 수지층을 포함하며,
    상기 제1몸체는 상기 제2몸체의 물질보다 반사율이 더 높은 물질을 포함하며,
    상기 제1몸체는 수지 재질로 형성되며,
    상기 제2몸체는 투광성 수지 재질로 형성되며,
    상기 제1몸체는 상기 오픈 영역의 둘레에 상기 발광 칩의 두께보다 낮은 높이를 갖는 내측부를 포함하며,
    상기 내측부의 상면은 상기 제1 및 제2리드 프레임의 상면에 대해 경사지며,
    상기 제1리드 프레임은 상기 제1몸체의 내측부 아래에 상기 발광 칩의 하면 면적보다 넓은 면적을 갖는 제1구멍을 포함하며,
    상기 제1구멍은 상기 제1 및 제2몸체와 수직 방향으로 중첩되는 발광 소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제1몸체의 내측부는 상기 제1 및 제2리드 프레임의 상면에 대해 2도 내지 5도 범위로 경사지며,
    상기 제1몸체의 내측부는 상기 제1 및 제2리드 프레임의 상면을 기준으로 상기 제1몸체의 오픈 영역에 인접한 영역의 두께가 상기 제1몸체의 외측부에 인접한 영역의 두께보다 얇은 발광 소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1몸체의 외측부의 상면은 상기 발광 칩의 상면 높이보다 낮은 높이로 배치되며,
    상기 제1몸체의 외측부는 상기 제2몸체의 외측부보다 더 외측에 배치되는 발광 소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제1구멍은 상기 제1리드 프레임의 최대 너비의 25% 이상의 너비를 갖는 발광 소자.
  5. 제4항에 있어서, 상기 제1구멍의 최대 길이는 상기 제1개구부의 최대 길이보다 큰 발광 소자.
  6. 제4항에 있어서, 상기 제1구멍은 상기 제1리드 프레임의 최대 길이의 60% 이상의 길이를 가지며,
    상기 제1몸체의 내측부는 상기 제1구멍과 수직 방향으로 중첩되는 발광 소자.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1리드 프레임은 상기 제1리드 프레임의 상면 및 하면 중에서 상기 제1구멍의 인접한 영역에 리세스된 복수의 영역을 포함하며,
    상기 제1리드 프레임에서 상기 복수의 영역의 깊이는 상기 제1리드 프레임의 두께보다 작은 발광 소자.
  8. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 및 제2몸체는 서로 반대측에 배치된 제1 및 제2측면을 포함하며,
    상기 제1리드 프레임은 상기 제1본딩 영역으로부터 상기 제1측면의 방향으로 돌출되며 반구형 형상을 갖는 제1연장부를 포함하며, 상기 제1연장부에는 상기 발광 칩에 연결된 와이어가 연결되며,
    상기 제2리드 프레임은 상기 제2본딩 영역으로부터 상기 제2측면의 방향으로 돌출되며 반구형 형상을 갖는 제2연장부를 포함하며,
    상기 제1 및 제2연장부는 상기 제1몸체의 오픈 영역 및 상기 제2몸체의 제1개구부에 노출되는 발광 소자.
  9. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2리드 프레임은 상기 제2본딩 영역의 둘레에 상기 제2리드 프레임의 상면 및 상기 제2본딩 영역의 상면보다 낮게 리세스된 영역을 포함하며,
    상기 제1몸체의 가장 낮은 하면과 상기 제1 및 제2리드 프레임의 가장 낮은 하면은 동일한 수평 면으로 배치되는 발광 소자.
  10. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1리드 프레임은 상기 제1본딩 영역을 갖는 제1프레임부; 상기 제1프레임부로부터 이격된 제1리드부; 및 상기 제1프레임부와 상기 제1리드부를 연결해 주는 제1 및 제2연결부를 포함하며,
    상기 제1구멍은 상기 제1프레임부와 상기 제1리드부 사이에 배치되며,
    상기 제1몸체의 하부는 상기 제1구멍에 배치되며,
    상기 제1몸체의 가장 낮은 하면과 상기 제1 및 제2리드 프레임의 가장 낮은 하면은 동일한 수평 면으로 배치되는 발광 소자.
  11. 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제2리드 프레임은 상기 제2본딩 영역을 갖는 제2프레임부; 상기 제2프레임부로부터 이격된 제2리드부; 상기 제2프레임부와 상기 제2리드부 사이를 연결하는 복수의 제3연결부; 및 상기 복수의 제3연결부 사이에 복수의 제2구멍을 포함하며,
    상기 제1몸체의 하부는 상기 복수의 제2구멍에 배치되며,
    상기 복수의 제2구멍은 상기 제1 및 제2몸체와 수직 방향으로 중첩되는 발광 소자.
  12. 제11항에 있어서, 상기 복수의 제2구멍 각각은 상기 제1구멍의 너비보다 적어도 넓은 너비를 갖는 발광 소자.
  13. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1개구부에는 상기 제2본딩 영역의 둘레에 배치된 상기 제1몸체의 일부가 노출되는 발광 소자.
  14. 제12항에 있어서, 상기 제2리드 프레임은 상기 제2본딩 영역의 둘레에 상기 복수의 제2구멍과 대응되는 요철 구조를 포함하는 발광 소자.
  15. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투광성 수지층 및 상기 제2몸체 상에 광학 렌즈를 포함하며,
    상기 광학 렌즈의 일부는 상기 제1몸체에 접촉되는 발광 소자.
  16. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1몸체는 상기 발광 칩으로부터 방출된 광에 대해 70% 이상의 반사율을 갖는 재질로 형성되며, 상기 제2몸체는 상기 발광 칩으로부터 방출된 광의 70% 이상을 투과시키는 재질을 포함하는 발광 소자.
  17. 제16항에 있어서, 상기 제1몸체와 상기 제2몸체는 서로 다른 재질인 발광 소자.
  18. 제16항에 있어서, 상기 제1몸체는 백색 수지 재질을 포함하며, 상기 제2몸체는 투광성의 실리콘 또는 에폭시 수지 재질을 포함하는 발광 소자.
  19. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투광성 수지층은 반구형 형상을 포함하는 발광 소자.
  20. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 투광성 수지층 상에 상기 제1몸체와 동일한 재질의 반사층을 포함하는 발광 소자.
  21. 삭제
  22. 삭제
KR1020130003825A 2013-01-14 2013-01-14 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치 KR102029802B1 (ko)

Priority Applications (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130003825A KR102029802B1 (ko) 2013-01-14 2013-01-14 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
JP2014002825A JP5788539B2 (ja) 2013-01-14 2014-01-10 発光素子
US14/153,425 US9136452B2 (en) 2013-01-14 2014-01-13 Light emitting device and lighting apparatus having the same
EP14151065.1A EP2755246B1 (en) 2013-01-14 2014-01-14 Light emitting diode device
CN201410016572.9A CN103928596B (zh) 2013-01-14 2014-01-14 发光器件
JP2015149685A JP6088004B2 (ja) 2013-01-14 2015-07-29 発光素子
US14/819,952 US9564564B2 (en) 2013-01-14 2015-08-06 Light emitting device and lighting apparatus having the same

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130003825A KR102029802B1 (ko) 2013-01-14 2013-01-14 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140091857A KR20140091857A (ko) 2014-07-23
KR102029802B1 true KR102029802B1 (ko) 2019-10-08

Family

ID=49918612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130003825A KR102029802B1 (ko) 2013-01-14 2013-01-14 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치

Country Status (5)

Country Link
US (2) US9136452B2 (ko)
EP (1) EP2755246B1 (ko)
JP (2) JP5788539B2 (ko)
KR (1) KR102029802B1 (ko)
CN (1) CN103928596B (ko)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10439107B2 (en) * 2013-02-05 2019-10-08 Cree, Inc. Chip with integrated phosphor
KR20150025231A (ko) * 2013-08-28 2015-03-10 서울반도체 주식회사 광원 모듈 및 그 제조 방법, 및 백라이트 유닛
US10177292B2 (en) 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
TWI553264B (zh) 2014-05-23 2016-10-11 億光電子工業股份有限公司 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法
FR3024592B1 (fr) 2014-08-02 2018-06-15 Linxens Holding Procede de fabrication de circuits integres a diodes electro-luminescentes et circuits integres obtenus par ce procede
JP6532200B2 (ja) 2014-09-04 2019-06-19 日亜化学工業株式会社 パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2016100385A (ja) * 2014-11-19 2016-05-30 パイオニア株式会社 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法
KR102426874B1 (ko) * 2015-08-28 2022-07-29 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지
DE102015121074A1 (de) * 2015-12-03 2017-06-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauteil mit lichtleiterschicht
JP6790416B2 (ja) * 2016-03-31 2020-11-25 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2017179250A1 (ja) * 2016-04-15 2017-10-19 株式会社村田製作所 半導体パッケージの製造方法及びＣｕ合金の切断方法
TWI683452B (zh) * 2017-04-12 2020-01-21 聯京光電股份有限公司 光電封裝體
US10497846B2 (en) * 2017-07-11 2019-12-03 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device package
KR102433841B1 (ko) * 2017-10-20 2022-08-18 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광소자 패키지
JP6652117B2 (ja) 2017-11-29 2020-02-19 日亜化学工業株式会社 樹脂パッケージおよび発光装置
US20190259923A1 (en) * 2018-02-22 2019-08-22 Epistar Corporation Light-emitting device
CN108598059B (zh) * 2018-03-28 2019-12-27 宁波市鄞州路麦电子有限公司 一种引线框架
DE102018116327A1 (de) * 2018-07-05 2020-01-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauteil und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauteils
JP6975916B2 (ja) 2018-08-09 2021-12-01 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN109817785A (zh) * 2018-12-25 2019-05-28 广东晶科电子股份有限公司 一种发光二极管及其制作方法
JP2019087763A (ja) * 2019-03-01 2019-06-06 パイオニア株式会社 光半導体デバイスおよび光半導体デバイスの製造方法
KR20220122027A (ko) * 2021-02-26 2022-09-02 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 이를 구비한 조명 장치
DE102021119175A1 (de) * 2021-07-23 2023-01-26 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Hinterleuchtungseinheit mit seitenemittierendem halbleiterchip

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298117A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
US20070262328A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and a method for producing the same
WO2010095482A2 (ja) * 2009-02-20 2010-08-26 三洋電機株式会社 電子部品用基板、発光装置および電子部品用基板の製造方法
US20120037944A1 (en) * 2009-06-22 2012-02-16 Nichia Corporation Light emitting device

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10117889A1 (de) * 2001-04-10 2002-10-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leiterrahmen und Gehäuse für ein strahlungsemittierendes Bauelement, strahlungsemittierendes Bauelement sowie Verfahren zu dessen Herstellung
US6936855B1 (en) * 2002-01-16 2005-08-30 Shane Harrah Bendable high flux LED array
WO2004077580A2 (en) * 2003-02-26 2004-09-10 Cree, Inc. White light source using emitting diode and phosphor and method of fabrication
JP2006086178A (ja) * 2004-09-14 2006-03-30 Toshiba Corp 樹脂封止型光半導体装置
KR100629496B1 (ko) * 2005-08-08 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법
JP5091421B2 (ja) 2006-04-07 2012-12-05 株式会社東芝 半導体発光装置
KR100888236B1 (ko) 2008-11-18 2009-03-12 서울반도체 주식회사 발광 장치
JP2010238833A (ja) * 2009-03-31 2010-10-21 Panasonic Corp 光半導体装置用パッケージおよび光半導体装置
US20110062470A1 (en) * 2009-09-17 2011-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Reduced angular emission cone illumination leds
KR101028304B1 (ko) * 2009-10-15 2011-04-11 엘지이노텍 주식회사 발광 장치
KR101064090B1 (ko) 2009-11-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR101064084B1 (ko) * 2010-03-25 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US9240526B2 (en) * 2010-04-23 2016-01-19 Cree, Inc. Solid state light emitting diode packages with leadframes and ceramic material
JP2011253910A (ja) * 2010-06-01 2011-12-15 Toshiba Corp 発光装置
KR101114197B1 (ko) * 2010-08-09 2012-02-22 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
JP5707785B2 (ja) * 2010-08-31 2015-04-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP2012069885A (ja) * 2010-09-27 2012-04-05 Sanken Electric Co Ltd 発光ダイオードの製造方法、発光ダイオード
KR101825473B1 (ko) * 2011-02-16 2018-02-05 삼성전자 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2012209367A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Toppan Printing Co Ltd Ｌｅｄ素子用リードフレーム基板
JP2012216654A (ja) * 2011-03-31 2012-11-08 Sanken Electric Co Ltd 樹脂成形フレーム及び光半導体装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003298117A (ja) * 2002-04-05 2003-10-17 Toyoda Gosei Co Ltd 発光ダイオード
US20070262328A1 (en) * 2006-05-10 2007-11-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting device and a method for producing the same
WO2010095482A2 (ja) * 2009-02-20 2010-08-26 三洋電機株式会社 電子部品用基板、発光装置および電子部品用基板の製造方法
US20120037944A1 (en) * 2009-06-22 2012-02-16 Nichia Corporation Light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
US9564564B2 (en) 2017-02-07
US20140197438A1 (en) 2014-07-17
CN103928596B (zh) 2017-07-25
JP2014135489A (ja) 2014-07-24
JP2015222831A (ja) 2015-12-10
EP2755246B1 (en) 2019-06-12
US9136452B2 (en) 2015-09-15
EP2755246A2 (en) 2014-07-16
US20150340580A1 (en) 2015-11-26
EP2755246A3 (en) 2016-01-06
JP6088004B2 (ja) 2017-03-01
CN103928596A (zh) 2014-07-16
JP5788539B2 (ja) 2015-09-30
KR20140091857A (ko) 2014-07-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102029802B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
JP6104570B2 (ja) 発光素子及びこれを備えた照明装置
KR101997243B1 (ko) 발광 소자 및 조명 시스템
US9249957B2 (en) Light emitting device and lighting system including the same
KR102085888B1 (ko) 발광 소자
KR20140028793A (ko) 광학 렌즈, 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR102063482B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR101997257B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR102153082B1 (ko) 발광 장치
KR102098870B1 (ko) 발광 장치
KR102053287B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101976547B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR101953280B1 (ko) 발광소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102063508B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102086126B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR102142718B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 장치
KR102019498B1 (ko) 발광 소자 및 조명 시스템
KR102109139B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR102042271B1 (ko) 발광 소자 및 조명 시스템
KR102042197B1 (ko) 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20140046733A (ko) 발광 소자 및 조명 시스템

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant