JP6088004B2 - 発光素子 - Google Patents
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Description
気エネルギーを光に変換する半導体素子の一種であって、既存の蛍光灯、白熱灯に代えて
次世代の光源として脚光を浴びている。
成する白熱灯や、または高圧放電により生成された紫外線を蛍光体に衝突させて光を生成
する蛍光灯に比べて非常に低い電力だけを消耗する。
源に比べて寿命が長く、応答特性が速く、親環境的な特徴を有する。
り、発光ダイオードは室内外で使われる各種ランプ、液晶表示装置、電光板、街灯などの
照明装置の光源として使用が増加している。
、前記第1胴体の上に反射率より透過率が高い第2胴体とを含む発光素子を提供する。
する第1胴体を有する発光素子を提供する。
層が配置された発光素子を提供する。
体の上面より低い凹部の領域とリードフレームのリセス領域が垂直方向にオーバーラップ
される結合構造を有する発光素子を提供する。
体を有する発光素子及びこれを備えた照明装置を提供する。
ム、第2ボンディング領域を有する第2リードフレーム、前記第1及び第2リードフレー
ムの間に配置された間隙部、前記第1及び第2リードフレームの第1及び第2ボンディン
グ領域が露出したオープン領域を有し、前記第1及び第2リードフレームに結合された第
1胴体、前記第1胴体のオープン領域の上に配置された第1開口部を有し、前記第1胴体
の上に結合された第2胴体、前記第2リードフレームの第2ボンディング領域の上に配置
された発光チップ、及び前記第1胴体のオープン領域及び前記第2胴体の開口部に配置さ
れ、前記発光チップを囲む透光性樹脂層を含み、前記第1胴体は前記第2胴体の材質より
反射率がより高い材質を含み、前記第1胴体の上面は前記発光チップの上面より低く位置
し、前記第1胴体は前記オープン領域の周りに傾斜した内側部を含み、前記第1リードフ
レームには前記第1胴体の内側部の下に前記発光チップの下面面積より広い面積を有する
第1孔を含む。
ーム、第2ボンディング領域を有する第2リードフレーム、前記第1及び第2リードフレ
ームの間に配置された間隙部、前記第1及び第2リードフレームの第1及び第2ボンディ
ング領域が露出したオープン領域を有し、前記第1及び第2リードフレームに結合された
第1胴体、前記第1胴体のオープン領域の上に配置された第1開口部を有し、前記第1胴
体の上に結合された第2胴体、前記第2リードフレームの第2ボンディング領域の上に配
置された発光チップ、及び前記第1胴体のオープン領域及び前記第2胴体の開口部に配置
され、前記発光チップを囲む透光性樹脂層を含み、前記第1胴体の上面は前記発光チップ
の上面より低く位置し、前記第1胴体は前記オープン領域の周りに傾斜した内側部を含み
、前記第1リードフレームには前記第1胴体の内側部の下に前記発光チップの下面面積よ
り広い面積を有する第1孔を含み、前記第1胴体は前記発光チップから放出された光に対
して70%以上の反射率を有する材質で形成され、前記第2胴体は前記発光チップから放
出された光の70%以上を透過させる材質を含む。
とができる。
。
ができる。
なる。本発明を説明するに当たって、各層(膜)、領域、パターン、または構造物が、基
板、各層(膜)、領域、パッド、またはパターンの“上/の上(on)”に、または“下
/の下(under)”に形成されるものと記載される場合において、“上/の上(on
)”と“下/の下(under)”は、“直接(directly)”または“他の層を
介して(indirectly)”形成されるものを全て含む。また、各層の上/の上ま
たは下/の下に対する基準は、図面を基準として説明する。
された。また、各構成要素のサイズは実際のサイズを全的に反映するものではない。また
、同一な参照番号は図面の説明を通じて同一な要素を表す。
−A’側断面図であり、図3は図1の発光素子のB−B’側断面図であり、図4から図7
は図1の発光素子の第1から第4側面を示す図である。
リードフレーム121及び第2ボンディング領域30を有する第2リードフレーム131
を含む複数のリードフレーム121、131と、前記複数のリードフレーム121、13
1に結合された第1胴体141と、前記第1胴体141の上に前記第1胴体141と異な
る材質を有して第1開口部111を有する第2胴体151と、前記第1開口部111の内
に露出した前記第2リードフレーム131の第2ボンディング領域30の上に配置された
発光チップ161と、前記第1開口部111に形成され、前記発光チップ161を囲む透
光性樹脂層171を含む。
一であるか、相異することがある。前記第1及び第2方向(X、Y)は互いに直交する方
向になることができる。前記第1方向(X)の長さ(L1)は第1リードフレーム121
と第2リードフレーム131の両端の間の間隔を表し、第1胴体141または第2胴体1
51の第1方向(X)の幅よりは長く形成できる。前記第2方向(Y)の長さ(L2)は
前記第1または第2リードフレーム121、131の長さと同一であることがあり、前記
第1または第2胴体141、151の第2方向(Y)の幅と等しく形成できる。ここで、
前記発光チップ161の上面に対して垂直な方向は発光チップ161の法線方向(Z)と
して説明できる。
側面11より外側に突出することができ、前記第2リードフレーム131の外郭部は前記
第1または第2胴体141、151の第2側面12より外側に突出できる。これは、第1
及び第2リードフレーム121、131とソルダーペースト(Solder paste
)のような接合部材との接合を改善させることができる。
胴体141、151の第1側面11と第2側面12との間の間隔であり、前記胴体141
、151の長さ(L2)は前記第1または第2胴体141、151の第3側面13及び第
4側面14の間の間隔であり、第2方向(Y)の長さとなる。前記第1及び第2胴体14
1、151の幅は互いに同一であるか、第1胴体141がより広いことがある。また、前
記第1及び第2胴体141、151の長さ(L2)は互いに同一であるか、第1胴体14
1の長さがより長く形成できる。このような第1胴体141がカバーする面積により光反
射効率は改善できる。
41が結合され、前記第1胴体141の上には第2胴体151が結合される。
ドフレーム131と物理的に結合され、前記第1リードフレーム121と前記第2リード
フレーム131とを支持するようになる。前記第1胴体141の一部は、前記第1リード
フレーム121と前記第2リードフレーム131の下面と同一水平面に形成できる。図1
及び図2のように、前記第1胴体141はオープン領域112を具備し、前記オープン領
域112は前記第1及び第2リードフレーム121、131の第1及び第2ボンディング
領域20、30が露出する。
より高い物質、例えば、70%以上の反射率を有する材質で形成できる。前記第1胴体1
41は、反射率が70%以上の場合、不透光性の材質と定義できる。前記第1胴体141
は樹脂系列の絶縁物質、例えば、ポリフタルアミド(PPA:Polyphthalam
ide)のような樹脂材質で形成できる。前記第1胴体141は、シリコン、またはエポ
キシ樹脂、またはプラスチック材質を含む熱硬化性樹脂、または高耐熱性、高耐光性材質
で形成できる。上記のシリコンは白色系列の樹脂を含む。また、前記第1胴体141の内
には酸無水物、酸化防止剤、離型剤、光反射材、無機充填材、硬化触媒、光安定剤、潤滑
剤、二酸化チタンのうち、選択的に添加できる。前記第1胴体141は、エポキシ樹脂、
変性エポキシ樹脂、シリコン樹脂、変性シリコン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂から
なる群から選択される少なくとも1種により成形できる。例えば、トリグリシジルイソシ
アヌレート、水素化ビスフェノールAジグリシジルエーテルなどからなるエポキシ樹脂と
、ヘキサヒドロ無水フタル酸、3−メチルヘキサヒドロ無水フタル酸4−メチルヘキサヒ
ドロ無水フタル酸などからなる酸無水物を、エポキシ樹脂に硬化促進剤としてDBU(1
,8−Diazabicyclo(5,4,0)undecene−7)、助触媒として
エチレングリコール、酸化チタン顔料、ガラス繊維を添加し、加熱により部分的に硬化反
応させてBステージ化した固形状エポキシ樹脂組成物を使用することができ、これに対し
て限定するものではない。
せることができる。また、前記第1胴体141は所定の機能を有するようにするために、
熱硬化性樹脂に拡散剤、顔料、蛍光物質、反射性物質、遮光性物質、光安定剤、潤滑剤か
らなる群から選択される少なくとも1種を適切に混合してもよい。
れることができ、前記金属酸化物はTiO2、SiO2、Al2O3のうち、少なくとも
1つを含み、前記第1胴体141の内に5wt%以上の割合で添加できる。これによって
、前記第1胴体141は反射性材質で提供できる。
光性材質で形成されることができ、例えばシリコン系列またはエポキシ系列の樹脂材質で
形成できる。前記第2胴体151は、インジェクションモールディング(Injecti
on molding)方式またはエポキシモールディングコンパウンド(EMC)方式
により形成できる。前記第2胴体151は透明な材質、例えば、内部に不純物が添加され
ない透光性樹脂材質で形成されることができ、その透過率は70%以上の材質で形成でき
る。前記第2胴体151は、発光チップ161から放出された光や前記第1胴体141か
ら反射された光を効果的に透過させることができる。
形成されることができ、前記発光チップ161の上面より低く位置できる。したがって、
前記第1胴体141の上面方向に進行される光は前記第2胴体151に反射されることが
でき、光損失は減らすことができる。
141のオープン領域112と対応するか、前記第1胴体141のオープン領域112よ
り広い領域に形成できる。
に形成できる。前記第1開口部111の側面51は、前記第1開口部111の周りをカバ
ーするようになる。
第2リードフレーム131の第2ボンディング領域30が露出する。前記第1ボンディン
グ領域20と第2ボンディング領域30との間には間隙部142が配置され、前記間隙部
142は第1及び第2ボンディング領域20、30を物理的に分離させる。前記間隙部1
42は前記第1胴体141の材質で形成されて、漏洩される光を遮断することができる。
1側面11の方向に突出した第1延長部123が形成され、前記第1延長部123はトッ
プビュー形状が半球形状に形成できる。
面12の方向に突出した第2延長部133が形成され、前記第2延長部133はトップビ
ュー形状が半球形状に形成できる。前記第2延長部133は、前記第1延長部123と異
なるサイズであることがあり、その直径は前記発光チップ161のいずれか一辺の幅より
狭く形成できる。前記第1延長部123の曲率(R2)は前記第2延長部133の曲率と
等しいか小さいことがある。
れる側面が曲面に形成されることができ、前記曲面は第1及び第2延長部123、133
の半球形状の曲面と連結される。
載され、前記発光チップ161は前記第2ボンディング領域30の上に接着剤、例えば、
伝導性または絶縁性接着剤により接着できる。
、第2ワイヤー166により第2ボンディング領域30と連結される。前記第1ワイヤー
165の一部は前記第1ボンディング領域20の第1延長部123の内に配置され、前記
第2ワイヤー166の一部は前記第2ボンディング領域30の第2延長部133の内に配
置される。即ち、前記第1及び第2延長部123、133は前記第1及び第2ワイヤー1
65、166のボール(Ball)が置かれる領域となる。また、第1開口部111の面
積を増加させず、発光チップ161とワイヤー165、166がボンディングされる空間
を提供することができる。
ニウム(Ti)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、クロム(Cr)、タンタ
リウム(Ta)、白金(Pt)、すず(Sn)、銀(Ag)、燐(P)のうち、少なくと
も1つまたは2つ以上の合金を含み、また単層または互いに異なる金属層で形成されるこ
とができ、これに対して限定するものではない。前記第1及び第2リードフレーム121
、131は金属材質、例えば、チタニウム(Ti)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金
(Au)、クロム(Cr)、タンタリウム(Ta)、白金(Pt)、すず(Sn)、銀(
Ag)、燐(P)のうち、少なくとも1つまたは2つ物質の合金を含むことができる。前
記第1及び第2リードフレーム121、131は、ある一層が合金の場合、銅(Cu)と
少なくとも一種類の金属合金として、例えば銅−亜鉛合金、銅−鉄合金、銅−クロム合金
、銅−銀−鉄のような合金を含む。前記第1及び第2リードフレーム121、131の厚
さ(T1)は0.23mm〜1.5mmであることがあり、例えば0.25mm〜0.5
mm範囲を含む。
に説明する。図11及び図12は第1及び第2リードフレーム121、131の正面図及
び背面図であり、図13及び図14は図11のC−C’及びD−D’側断面図である。
を有する第1フレーム部125と、前記第1フレーム部125から離隔した第1リード部
129と、前記第1フレーム部125と前記第1リード部129との間に配置された第1
孔22と、前記第1フレーム部125と前記第1リード部129とを互いに連結してくれ
る第1連結部126及び第2連結部128を含む。前記第1孔22は前記第1フレーム部
125と第1リード部129との間に配置され、前記第1連結部126及び第2連結部1
28は前記第1孔22の外側部に配置される。前記第1連結部126及び前記第2連結部
128は第1フレーム部125及び第1リード部129の厚さより薄い厚さで形成される
ので、前記第1胴体141との接触面積が増加できる。
ム121の長さ(L2)を有し、前記第1及び第2連結部126、128に連結される。
前記第1フレーム部125の両端部には第1突起P1及び第2突起P2を含む。前記第1
突起P1は前記第1フレーム部125から前記第1連結部126より外側に突出し、図6
のように前記第1胴体141の第3側面13に露出する。前記第2突起P2は前記第1フ
レーム部125から前記第2連結部128より外側に突出し、図7のように前記第1胴体
141の第4側面14に露出する。前記第1及び第2突起P1、P2は前記第1リードフ
レーム121を前記第1胴体141の側面部に支持できる。
記第1ボンディング領域20の下にリセスされた領域21を含み、前記リセスされた領域
21は前記第1開口部111の幅より長く形成できる。前記リセスされた領域21には図
2及び図9のように間隙部142の一部が延びる。これによって、前記間隙部142は下
面幅が上面幅より広く形成できる。
出し、前記第1フレーム部125の中心部と前記第2リードフレーム131との間の間隔
は前記第1及び第2リードフレーム121、131の間の間隔(G1)より狭く形成でき
る。
の下面より低くリセスされた領域28A、28Bが配置されることができ、これに対して
限定するものではない。前記リセスされた領域28A、28Bの深さは前記第1リードフ
レーム121の厚さの50%以下、例えば、30−50%範囲で形成できる。前記リセス
された領域28A、28Bにより前記第2胴体151との接触面積が増加できる。
、前記第1リードフレーム121の長さ(L2)を有し、前記第1及び第2連結部126
、128に連結される。
された領域23を含み、前記リセスされた領域23の深さ(図9のT5)は前記第1リー
ドフレーム121の厚さの50%以下、例えば、30−50%範囲で形成できる。前記リ
セスされた領域23の長さは前記第1リード部129の長さまたは前記第1リードフレー
ム121の長さ(L2)に対応するように形成できる。前記第1リード部129にリセス
された領域23は前記第1及び第2連結部126、128の一部まで延長できる。
形態に形成され、前記第1胴体141が結合される。前記複数の結合孔29は前記第1孔
22の外側に離隔して配置されるので、第1胴体141を支持することができる。
27%〜40%範囲の幅(D2)を有し、前記第1リードフレーム121の長さ(L2)
の50%以上の長さ(L4)、例えば60%以上の長さ(L4)を有して形成できる。前
記第1孔22の面積は前記第1開口部111の底面積より広く形成され、また前記第1リ
ードフレーム121の上面面積の30%以上に形成できる。また、前記第1孔22の面積
は前記発光チップ161の下面面積より広く形成できる。
フレーム121の幅(D11)は2.25mm±0.5mm範囲を含む。
置され、前記第1リード部129のリセスされた領域23は前記第1孔22に連結されて
、前記第1孔22に結合された前記第1胴体141の一部43が延びる。ここで、図9の
ように前記第1孔22に隣接したリセスされた領域23の幅(D3)は前記第1リードフ
レーム121の厚さの50%以上になることができ、これに対して限定するものではない
。
記第2胴体151に比べて相対的に厚さの薄い第1胴体141の結合力を強化させること
ができる。
ム部125と第1リード部129とを互いに連結してくれる。前記第1連結部126の上
面には前記第1リードフレーム121の上面より低くリセスされた領域22Aを含み、前
記第2連結部128の上面には前記第1リードフレーム121の上面より低くリセスされ
た領域22Bを含む。前記リセスされた領域22A、22Bは第1フレーム部125の一
部まで延長できる。
35、前記第2フレーム部135から離隔した第2リード部139、前記第2フレーム部
135と前記第2リード部139との間に配置された第2及び第3孔32A、32B、前
記第2フレーム部135と前記第2リード部139とを連結してくれる第3から第5連結
部136、137、138を含む。前記第3から第5連結部136、137、138は、
前記第2リードフレーム131の上面より低くリセスされた領域であるか、第2フレーム
部135及び第2リード部139の厚さより薄い厚さを有することができる。
ム131の長さ(L2)を有して第3から第5連結部136、137、138に連結され
る。前記第2フレーム部135の両端部には第3突起P3及び第4突起P4を含む。前記
第3突起P3は前記第2フレーム部135から前記第3連結部136より外側に突出し、
図6のように前記第1胴体141の第3側面13に露出する。前記第4突起P4は前記第
2フレーム部135から前記第5連結部138より外側に突出し、図7のように前記第1
胴体141の第4側面14に露出する。前記第3及び第4突起P3、P4は前記第2リー
ドフレーム131を前記第1胴体141の側面部に支持できる。
構造30A、30Bが形成される。前記凹凸構造30A、30Bは前記第2及び第3孔3
2A、32Bの方向に突出し、その鉄構造の下面にはリセスされた領域33、34が形成
できる。前記リセスされた領域33、34には前記第1胴体141の一部46、47が結
合される。
リセス部31が形成され、前記第1リセス部31は前記第2ボンディング領域30の周り
をカバーする形態に形成され、前記第1リセス部31には前記第1胴体141の一部44
が結合される。前記第1リセス部31の一部は、図1、図2、図9、及び図10のように
前記第1開口部111の底に露出する。
方向に突出し、この際、図9及び図10のように前記第1リセス部31の幅(F1)は他
の領域の幅(F2)より狭く形成される。
の下面より低くリセスされた領域38A、38Bが配置されることができ、これに対して
限定するものではない。前記リセスされた領域38A、38Bの深さは前記第2リードフ
レーム131の厚さの50%以下、例えば、30−50%範囲で形成できる。
前記第2リードフレーム131の長さ(L2)を有し、前記第3から第5連結部136、
137、138に連結される。
された領域32E、32Fを含み、前記リセスされた領域23の深さは前記第1リードフ
レーム121の厚さの50%以下、例えば、30−50%範囲で形成できる。前記リセス
された領域32E、32Fは互いに離隔し、前記第2及び第3孔32A、32Bに連結さ
れる。前記第2リード部139にリセスされた領域32E、32Fは前記第3及び第5連
結部136、138の一部まで延長できる。
形態に形成され、前記第1胴体141が結合される。前記複数の結合孔39は前記第2及
び第3孔32A、33Bの外側に離隔して配置されるので、第1胴体141との結合を強
化させることができる。
%範囲で形成されることができ、前記第1孔22の幅(D2)より広く形成できる。また
、前記第2孔32A及び第3孔32Bの幅は前記第2リードフレーム131の幅(D12
)の15%以上の幅で形成できる。前記第2リードフレーム131の幅(D12)は3.
3mm±0.3mm範囲で形成されることができ、これに対して限定するものではない。
第2フレーム部135のコーナー領域に配置される。図8のように前記第2孔32A及び
第3孔32Bには第1胴体141が結合され、前記第1胴体141は第2リードフレーム
131との接触面積が増加することができ、前記第2胴体151に比べて相対的に厚さの
薄い第1胴体141の結合力を強化させることができる。
Bは第4及び第5連結部137、138の間に配置される。
前記第3及び第5連結部136、138の間に配置され、上面にリセスされた領域32が
配置される。前記第5連結部138は上面にリセスされた領域32Cを含む。前記第4連
結部137と第2及び第3孔32A、32Bに結合された第1胴体141は発光チップが
搭載される前記第2ボンディング領域30を支持してくれる。
第1孔22と多数のリセスされた領域21、23、22A、22B、28A、28B、前
記第2リードフレーム131の第2及び第3孔32A、32Bと多数のリセスされた領域
31、32C、32D、32E、32F、33、34、38A、38Bに結合される。
2倍範囲で形成されることができ、前記第1胴体141の上面のうち、高点の高さは前記
第1及び第2リードフレーム121、131の上面から前記第1及び第2リードフレーム
121、131の厚さ(T1)より低い高さ(T2−T1)に形成できる。例えば、前記
第1胴体141の高点の高さは前記第1及び第2リードフレーム121、131の上面か
ら0.2〜0.25mm範囲の厚さで形成できる。前記第1胴体141の外側部42は前
記第1及び第2リードフレーム121、131の厚さより薄い厚さを有し、前記内側部4
1より上に配置されたり、より厚く形成されたりし、前記発光チップ161の上面高さよ
り低い位置に配置される。前記第1胴体141の内側部41の上面面積は前記外側部42
の上面面積より広く形成できる。
ことができ、前記底点高さは前記内側面41Aの高さになることができる。前記内側面4
1Aの高さは前記第1リードフレーム121の上面から45μm−60μm範囲の厚さで
形成されることができ、このような厚さが薄過ぎる場合、前記第1胴体141の内側面4
1Aが部分が未成形されたり、破損されたりすることがあるので、上記の厚さ範囲で形成
できる。前記第1胴体141の内側面41Aの高さは前記発光チップ161の厚さより低
く、例えば、前記発光チップ161の厚さの50%以下に形成されることができ、これに
対して限定するものではない。また、前記第1胴体141の内側面41Aの高さが前記発
光チップ161の上面高さよりは低く形成されることによって、前記第1発光チップ16
1から側方向に放出される光を効果的に反射させることができる。前記内側面41Aの高
さは0.05mm±0.01mm範囲を含む。
前記第1胴体141の内側面41Aは前記第1リードフレーム121の上面から垂直また
は傾斜するように形成されることができ、これに対して限定するものではない。
び外側部42を含み、前記オープン領域112は前記第1開口部111の底面積と同一で
あるか、狭いことがある。前記オープン領域112の幅を見ると、第1方向(X)の幅(
E2)は第2方向(Y)の幅(E6)より広いことがある。前記オープン領域112の幅
(E2、E6)は互いに対応する内側面41Aの間の間隔になる。前記第1方向(X)の
幅(E2)は前記第2方向の幅(E6)に比べて1.2倍〜1.5倍範囲に広く形成でき
る。前記幅(E2)は1.91mm±0.2mm範囲を含み、前記幅(E6)は1.41
mm±0.2mm範囲を含む。
0.05mm範囲を含み、前記第1延長部123に連結される曲面の曲率(R1)は前記
曲率(R2)の3倍以上、例えば0.81±0.05mm範囲で形成できる。
上面に対して所定角度(θ1)、例えば5度以下に傾斜し、2度から5度の範囲に傾斜す
ることができる。前記第1胴体141の内側部41は前記外側部42より低い高さを有し
、傾斜するように形成されることによって、入射される光を効果的に反射させることがで
きる。前記第1胴体141の内側部41の外郭周りはトップビュー形状が円形状の輪郭線
で形成されることができ、これに対して限定するものではない。他の例として、前記第1
胴体141の内側部41の外郭周りを多角形状または非定形形状に形成することができ、
これに対して限定するものではない。
ードフレーム121の第1孔22に対応する領域の最小厚さ(T4)は0.05mm以上
、例えば、0.05〜0.08mm範囲で形成できる。このような厚さ(T4)は前記第
1孔22と第1胴体141の一部43との結合力が弱まることを防止することができる。
直線距離は前記内側面41Aと前記第1及び第2側面11、12の間の距離(E4、E5
)となり、前記距離(E4、E5)は互いに同一であるか、相異することがある。第2方
向(X)の直線距離は前記内側面41Aと前記第3側面及び第4側面13、14の間の距
離(E8)となる。
できる。前記凹部113の幅(E1)は前記第1胴体141の幅(L3)よりは狭く、前
記第1胴体141の幅(L3)の80%以上に形成できる。前記凹部113の幅(E1)
は前記発光素子の幅(D1)の75%以上に形成されることができ、例えば4.5mm以
上に形成できる。
その上面の高さは前記内側部41の高点高さより少なくても高く形成できる。また、前記
第1胴体141の外側部42の上面は、前記発光チップ161の上面高さより低い位置に
形成できる。前記第1胴体141の外側部42は、前記内側部41から所定の高さ(T3
)に形成されることができ、前記高さ(T3)は0.05mm±0.02mm範囲で形成
できる。
前記凹部113に最も隣接した領域は前記凹部113の曲率に従って外方に凸に突出する
ことができ、これに対して限定するものではない。
成され、前記第1及び第2リードフレーム121、131から離隔する。前記第2胴体1
51の厚さは前記第1胴体141の厚さ(T2)より厚く、例えば、1.5倍以上厚く形
成されるか、前記発光チップ161の厚さより厚く、図2のワイヤー166、167の高
点より高く形成されることができ、例えば250μm以上から550μm以下の厚さで形
成されることができ、これに対して限定するものではない。前記第2胴体151は、光が
抽出効率のために上記の厚さ範囲で形成できる。前記発光チップ161の厚さは80μm
〜400μm範囲、例えば、80μm〜150μm範囲で形成されることができ、これに
対して限定するものではない。
。前記第1胴体141の上面と前記第2胴体151の上面との間には互いに接着させるた
めの接着層が形成できる。
置され、第1リードフレーム121の第1延長部123と第1ワイヤー165により連結
され、第2リードフレーム131の第2延長部133と第2ワイヤー166により連結で
きる。前記発光チップ161は第1リードフレーム121と第2リードフレーム131か
ら電源の供給を受けて駆動するようになる。前記発光チップ161は、他の例として、第
2リードフレーム131の第2ボンディング領域30にダイボンディングされ、第1リー
ドフレーム121の第1延長部123と第1ワイヤー165により連結できる。前記発光
チップ161は、第1リードフレーム121と前記第2リードフレーム131にフリップ
方式によりボンディングできる。
violet)LEDチップ、青色LEDチップ、緑色LEDチップ、白色LEDチップ
、赤色LEDチップのうち、少なくとも1つを含むことができる。前記発光チップ161
は、3族−5族化合物半導体を含むことができ、内部の活性層は二重接合構造、単一井戸
構造、多重井戸構造、単一量子井戸、多重量子井戸(MQW)、量子線、量子点構造のう
ち、少なくとも1つで形成できる。前記活性層は、井戸層/障壁層が交互に配置され、前
記井戸層/障壁層の周期は、例えば、InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InG
aN/AlGaN、InGaN/InGaN、またはInAlGaN/InAlGaNの
積層構造を用いて2〜30周期に形成できる。また、前記活性層はZnS、ZnSe、S
iC、GaP、GaAlAs、AlN、InN、AlInGaPのような系列の半導体を
含むことができ、これに対して限定するものではない。前記活性層の発光波長は紫外線帯
域の光から可視光線帯域の光のうち、選択的に発光することができ、これに対して限定す
るものではない。
1の第1開口部111に詰められ、前記発光チップ161をカバーするようになる。前記
透光性樹脂層171は第1胴体141の内側面41Aに接触し、リセスされた領域31に
配置された第1胴体141の一部44と接触できる。
でき、前記発光チップから放出された波長(例:青色波長)に対して透過率が70%以上
、例えば、90%以上の材質で形成される。前記透光性樹脂層171の上面は平らに形成
されることができ、他の例として凹または凸に形成できる。
記透光性樹脂層171の屈折率と同一であるか、より低い屈折率で形成できる。また、前
記第2胴体151の屈折率は前記透光性樹脂層171の屈折率との差が±0.2程度であ
ることがあり、これに対して限定するものではない。
、少なくとも1つを含むことができる。前記透光性樹脂層171に混合される蛍光物質は
、前記発光チップ161から放出された光を吸収して互いに異なる波長の光に波長変換す
るようになる。前記蛍光物質は、黄色蛍光体、緑色蛍光体、青色蛍光体、赤色蛍光体のう
ち、少なくとも1つを含むことができ、例えば、Eu、Ceなどのランタノイド系元素に
より主に活性化される窒化物系蛍光体・酸窒化物系蛍光体・サイアロン系蛍光体、Euな
どのランタノイド系、Mnなどの遷移金属系の元素により主に活性化されるアルカリ土類
ハロゲンアパタイト蛍光体、アルカリ土類金属硼酸ハロゲン蛍光体、アルカリ土類金属ア
ルミン酸塩蛍光体、アルカリ土類珪酸塩、アルカリ土類黄化物、アルカリ土類チオガレー
ト、アルカリ土類窒化珪素、ゲルマニウム酸塩、または、Ceなどのランタノイド系元素
により主に活性化される希土類アルミン酸塩、希土類珪酸塩、またはEuなどのランタノ
イド系元素により主に活性化される有機及び有機錯体などから選択される少なくともいず
れか1つ以上であることがある。具体的な例として、上記の蛍光体を使用することができ
るが、これに限定されるものではない。
1の第1孔22と多数のリセスされた領域21、23、22A、22B、28A、28B
、前記第2リードフレーム131の第2及び第3孔32A、32Bと多数のリセスされた
領域31、32C、32D、32E、32F、33、34、38A、38Bに結合させる
ことができる。これによって、第1胴体141及び第2胴体151の積層構造を有する発
光素子で前記第1胴体141が浮き上がることを防止することができる。また、第1胴体
141と第1及び第2リードフレーム121、131の接着力が弱まることを防止するこ
とができ、湿気の侵入を効果的に抑制することができる。
説明するに当たって、第1実施形態と同一な部分は第1実施形態の説明を参照する。
ズ181が配置される。前記光学レンズ181は、シリコン、エポキシのような透光性の
樹脂材質、またはガラス材質でありうる。前記光学レンズ181の屈折率は前記透光性樹
脂層171の屈折率と等しいか低い屈折率で形成できる。前記透光性樹脂層171及び前
記第2胴体151の上部に接触できる。
は入射される光を反射させるようになる。前記全反射面182は前記発光チップ161の
上方に凹にリセスされ、前記透光性樹脂層171と離隔する。前記全反射面182は前記
発光チップ161と対応し、前記光学レンズ181の上面より発光チップ161の方向に
一層低い深さを有して凹な曲面に形成されることによって、入射された光を他の方向に屈
折させ、また一部の光は透過させる。上記の光学レンズ181は、前記第2胴体151を
透過する光に対してより広い光指向角分布で照射することができる。
シリコンまたはエポキシのような樹脂の内に金属酸化物が添加される。
状を含む。また、光出射面183は光の背光分布のために、半球形状に形成されることが
でき、上面視して、円形状または楕円形状に形成できる。
に接触することができ、これに対して限定するものではない。このために、前記第2胴体
151は前記第1胴体141の幅より狭い幅に形成されるか、前記第1胴体141の外側
部42の一部が露出できる。
1との結合力を強化させることができ、これに対して限定するものではない。前記光学レ
ンズ181は、前記第2胴体151の上に射出されるか、別途に製造された後に接着され
ることができ、これに対して限定するものではない。
説明するに当たって、第1実施形態と同一な部分は第1実施形態の説明を参照する。
から凹にリセスされ、前記全反射面182の深さの1/2地点の直径は透光性樹脂層17
1の上面幅より狭く、前記発光チップ161の幅より広く形成できる。前記全反射面18
2には反射物質185が詰められることができ、前記反射物質185はシリコンまたはエ
ポキシのような樹脂の内に金属酸化物が添加される。このような全反射面182は発光チ
ップ161から法線方向に進行する光を効果的に反射させることができる。
離隔できる。
説明するに当たって、第1実施形態と同一な部分は第1実施形態の説明を参照する。
前記光学レンズ181の外郭部184は前記第1胴体141の上面と同一平面上に配置さ
れたり、第1及び第2リードフレーム121、131の上面に接触されたりすることがで
きる。
光チップ161の上に突出する形状であって、前記発光チップ161をカバーする形状に
形成される。
でき、これに対して限定するものではない。
ップ161の上面に配置され、入射される光の波長を変換させる。
拡散された光は光学レンズ181の全反射面182により反射されるか、光出射面183
により放出できる。
、前記光学レンズ181を通じて抽出できる。
提供するようになる。
説明するに当たって、第1実施形態と同一な部分は第1実施形態の説明を参照する。
を含み、前記透光性樹脂層173の周りに第2胴体151が形成される。前記第2胴体1
51は光が透過される物質であって、前記透光性樹脂層173により透過されたり第1胴
体141により反射されたりした物質を効果的にガイドすることができる。
ができ、このような構造は前記透光性樹脂層173と前記第1胴体141との結合を改善
させることができる。
進行する光の抽出効率を改善させることができる。即ち、前記第2胴体151の外郭部5
5は光学レンズ181Bの光出射面183と連結されて、光出射面と同一な機能を遂行す
ることができる。
側面より外側に配置されることができ、これに対して限定するものではない。
説明するに当たって、第1実施形態と同一な部分は第1実施形態の説明を参照する。
脂層171、及び前記反射層155の周りに第2胴体151Aを含む。前記反射層155
は前記第1胴体141と同一な材質で形成されることができ、例えばエポキシまたはシリ
コンのような樹脂材質に金属酸化物が添加されることができ、前記金属酸化物はTiO2
、SiO2、Al2O3のうちの少なくとも1つを含み、前記胴体141の内に5wt%
以上の割合で添加できる。
161から放出された光を効果的に反射させることができる。このために、前記第1胴体
141の上面は前記反射層155から反射された光を反射させるためにラフな面に形成さ
れることができ、これに対して限定するものではない。
厚さの合計と同一な厚さであるか、より厚く形成されることができ、前記第2胴体151
Aの上面は平坦な面、または半球形状を有する曲面であることがあり、これに対して限定
するものではない。前記反射層155の上に光学レンズが接触または非接触するように結
合されることができ、これに対して限定するものではない。
の広い光指向角を有する発光素子を提供することができる。実施形態は、基板に搭載され
る発光素子の個数を減らすことができる。実施形態は、リードフレームと胴体との結合力
を強化させることができる。実施形態は、発光素子とこれを備えた照明装置の信頼性を改
善させることができる。
、第1電極316、及び第2電極317を含む。前記基板311は透光性または不透光性
材質の基板を含み、または伝導性または絶縁性基板を含む。
すようになり、窒化物半導体で形成できる。前記バッファ層312と前記発光構造物31
0との間にはドーパントがドーピングされない窒化物半導体層をさらに形成して結晶品質
を改善させることができる。
導体層315を含む。
化合物半導体で具現され、前記第1導電型半導体層313は、InxAlyGa1−x−
yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を含む。前記第1導電型半導
体層313は、例えば、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InAlG
aN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInPのよ
うな化合物半導体のうち、少なくとも1つを含む層の積層構造を含むことができる。前記
第1導電型半導体層313はn型半導体層であり、前記第1導電型ドーパントはn型ドー
パントとして、Si、Ge、Sn、Se、Teを含む。
る。前記第1クラッド層はGaN系半導体で形成されることができ、そのバンドギャップ
は前記活性層314のバンドギャップ以上に形成できる。このような第1クラッド層は第
1導電型に形成され、キャリアを拘束させる役割をする。
重量子井戸(MQW)、量子線(quantum wire)構造、または量子点(qu
antum dot)構造を選択的に含む。前記活性層314は井戸層と障壁層の周期を
含む。前記井戸層はInxAlyGa1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+
y≦1)の組成式を含み、前記障壁層はInxAlyGa1−x−yN(0x≦1、0≦
y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を含むことができる。前記井戸層/障壁層の周期は、
例えば、InGaN/GaN、GaN/AlGaN、InGaN/AlGaN、InGa
N/InGaN、InAlGaN/InAlGaNの積層構造を用いて1周期以上に形成
できる。前記障壁層は、前記井戸層のバンドギャップより高いバンドギャップを有する半
導体物質で形成できる。
体層315は、第2導電型ドーパントがドーピングされた半導体、例えば、InxAly
Ga1−x−yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)の組成式を含む。前記第
2導電型半導体層315は、GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、InA
lGaN、AlInN、AlGaAs、GaP、GaAs、GaAsP、AlGaInP
のような化合物半導体のうち、いずれか1つからなることができる。前記第2導電型半導
体層315がp型半導体層であり、前記第2導電型ドーパントはp型ドーパントとして、
Mg、Zn、Ca、Sr、Baを含むことができる。
aN/GaN超格子構造またはAlGaN/GaN超格子構造を含むことができる。前記
第2導電型半導体層315の超格子構造は非正常的に電圧に含まれた電流を拡散させ、活
性層314を保護することができる。
導体層313はP型半導体層、前記第2導電型半導体層315はn型半導体層で配置する
ことができる。前記第2導電型半導体層315の上には前記第2導電型と反対の極性を有
する第1導電型の半導体層がさらに配置されることもできる。
n−p接合構造のうち、いずれか一構造で具現することができる。ここで、前記pはp型
半導体層であり、前記nはn型半導体層であり、前記−はp型半導体層とn型半導体層が
直接接触するか、間接接触した構造を含む。以下、説明の便宜のために、発光構造物31
0の最上層は第2導電型半導体層315として説明する。
体層315の上には電流拡散層を有する第2電極317を含む。
するに当たって、図20と同一な部分は省略し、簡略に説明する。
1が形成され、前記接触層321の下に反射層324が形成され、前記反射層324の下
に支持部材325が形成され、前記反射層324と前記発光構造物310の周りに保護層
323が形成できる。
3、反射層324及び支持部材325を形成した後、成長基板を除去して形成できる。
ミック接触し、その材料は金属酸化物、金属窒化物、絶縁物質、伝導性物質のうちから選
択されることができ、例えばITO(indium tin oxide)、IZO(i
ndium zinc oxide)、IZTO(indium zinc tin o
xide)、IAZO(indium aluminum zinc oxide)、I
GZO(indium gallium zinc oxide)、IGTO(indi
um gallium tin oxide)、AZO(aluminum zinc
oxide)、ATO(antimony tin oxide)、GZO(galli
um zinc oxide)、Ag、Ni、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Z
n、Pt、Au、Hf、及びこれらの選択的な組合により構成された物質の中で形成でき
る。また、前記金属物質とIZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、
ATOなどの透光性伝導性物質を用いて多層に形成することができ、例えば、IZO/N
i、AZO/Ag、IZO/Ag/Ni、AZO/Ag/Niなどで積層することができ
る。前記接触層321の内部は電極316と対応するように電流をブロッキングする層が
さらに形成できる。
ITO(indium tin oxide)、IZO(indium zinc ox
ide)、IZTO(indium zinc tin oxide)、IAZO(in
dium aluminum zinc oxide)、IGZO(indium ga
llium zinc oxide)、IGTO(indium gallium ti
n oxide)、AZO(aluminum zinc oxide)、ATO(an
timony tin oxide)、GZO(gallium zinc oxide
)、SiO2、SiOx、SiOxNy、Si3N4、Al2O3、TiO2から選択的
に形成できる。前記保護層323はスパッタリング方法または蒸着方法などを用いて形成
することができ、反射層324のような金属が発光構造物310の層をショートさせるこ
とを防止することができる。
Zn、Pt、Au、Hf、及びこれらの選択的な組合により構成された物質で形成できる
。前記反射層324は、前記発光構造物310の幅より大きく形成されることができ、こ
れは光反射効率を改善させることができる。上記の反射層324と前記支持部材325と
の間に接合のための金属層と、熱拡散のための金属層がさらに配置されることができ、こ
れに対して限定するものではない。
モリブデニウム(Mo)、銅−タングステン(Cu−W)のような金属、またはキャリア
ウエーハ(例:Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC)で具現できる。前記支持部材3
25と前記反射層324との間には接合層がさらに形成されることができ、前記接合層は
2層を互いに接合させることができる。上記の開示された発光チップは一例であり、前記
に開示された特徴に限定するものではない。上記の発光チップは上記の発光素子の実施形
態に選択的に適用されることができ、これに対して限定するものではない。
実施形態による発光素子又は発光素子は、照明システムに適用される。前記照明システム
は、複数の発光素子がアレイされた構造を含み、図22及び図23に示されている表示装
置、図24に示されている照明装置とを含み、照明灯、信号灯、車両前照灯、電光板など
が含まれる。
すると、実施形態による表示装置1000は、導光板1041と、前記導光板1041に
光を提供する光源モジュール1031と、前記導光板1041の下に反射部材1022と
、前記導光板1041上に光学シート1051と、前記光学シート1051 上に表示パ
ネル1061と、前記導光板1041、光源モジュール1031、及び反射部材1022
を収納するボトムカバー1011とを含むが、ここに限定されない。
051とは、ライトユニット1050として定義される。
は、透明な材質からなり、例えば、PMMA(polymethylmetaacryl
ate)のようなアクリル樹脂系列、PET(polyethylene tereph
thlate)、PC(poly carbonate)、COC(cycloolef
in copolymer)、及びPEN(polyethylene naphtha
late)樹脂の1つを含むことができる。
窮極的には、表示装置の光源として作用するようになる。
直接又は間接的に光を提供することができる。前記光源モジュール1031は、基板10
33と前記に開示された実施形態による発光素子又は発光素子1035を含み、前記発光
素子又は発光素子1035は、前記基板1033上に所定間隔でアレイされる。
ed Circuit Board)である。但し、前記基板1033は、一般のPCB
のみならず、メタルコアPCB(MCPCB、Metal Core PCB)、軟性P
CB(FPCB、Flexible PCB)などを含み、これに対して限定しない。前
記発光素子1035は、前記ボトムカバー1011の側面又は放熱プレート上に搭載され
る場合、前記基板1033は、除去され得る。ここで、 前記放熱プレートの一部は、前
記ボトムカバー1011の上面に接触される。
、前記導光板1041と所定の距離離隔して搭載され、これに対して限定しない。前記発
光素子1035は、前記導光板1041の一側面である入光部に光を直接又は間接的に提
供することができ、これに対して限定しない。
2は、前記導光板1041の下面に入射した光を反射させて、上に向かわせることで、前
記ライトユニット1050の輝度を向上することができる。前記反射部材1022は、例
えば、PET、PC、PVCレジンなどで形成されるが、これに対して限定しない。前記
反射部材1022は、前記ボトムカバー1011の上面であり、これに対して限定しない
。
部材1022などを輸納することができる。このため、前記ボトムカバー1011は、上
面が開口したボックス(box)形状を有する収納部1012が備えられ、これに対して
限定しない。前記ボトムカバー1011は、トップカバーと結合され、これに対して限定
しない。
形などの工程を用いて製造されることができる。また、前記ボトムカバー1011は、熱
伝導性の良い金属又は非金属材料を含み、これに対して限定しない。
第1及び第2の基板、そして、第1及び第2の基板の間に介在した液晶層を含む。前記表
示パネル1061の少なくとも一面には、偏光版が取り付けられ、このような偏光版の取
付構造に限定しない。前記表示パネル1061は、光学シート1051を通過した光によ
り情報を表示することになる。このような表示装置1000は、各鐘の携帯端末機、ノー
トPCのモニタ、ラップトップコンピュータのモニタ、テレビなどに適用されることがで
きる。
され、少なくとも一枚の透光性シートを含む。前記光学シート1051は、例えば、拡散
シート、水平及び垂直プリズムシート、及び輝度強化シートなどのようなシートから少な
くとも1つを含む。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前記水平又は/及び垂
直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シートは、損失
される光を再使用して、輝度を向上させる。また、前記表示パネル1061上には、保護
シートが配置され、これに対して限定しない。
41、及び光学シート1051を含み、これに対して限定しない。
124がアレイされた基板1120と、光学部材1154と、表示パネル1155とを含
む。
前記ボトムカバー1152と、少なくとも1つの光源モジュール1160と、光学部材
1154とは、ライトユニット1150と定義される。前記ボトムカバー1152には、
収納部1153を具備することができ、これに対して限定しない。前記の光源モジュール
1160は、基板1120、及び前記基板1120上に配列した複数の発光素子又は発光
素子1124を含む。
シート、及び輝度強化シートなどから少なくとも1つを含む。前記導光板は、PC材質又
はPWMА(polymethyl methacrylate)材質からなり、このよ
うな導光板は除去されることができる。前記拡散シートは、入射される光を拡散させ、前
記水平及び垂直プリズムシートは、入射される光を表示領域に集光させ、前記輝度強化シ
ートは、損失される光を再使用して、輝度を向上させる。
ル1160から放出された光を面光源するか、拡散、集光などを行うようになる。
200と、放熱体2400と、電源提供部2600と、内部ケース2700と、ソケット
2800とを含む。また、実施形態による照明装置は、部材2300とホルダー2500
のいずれか1以上を更に含むことができる。前記光源モジュール2200は、実施形態
による発光素子、又は発光素子パッケージを含むことができる。
、一部分が開口した形状で提供される。前記カバー2100は、前記光源モジュール22
00と光学的に結合され、前記放熱体2400と結合されることができる。前記カバー2
100は、前記放熱体2400と結合する凹部を有することができる。
乳白色材料を用いて、前記光源モジュール2200からの光を散乱及び拡散して、外部に
放出させることができる。
チレン(PE)、ポリカーボネート(PC)などである。ここで、ポリカーボネートは、
耐光性、耐熱性、強度が優れている。前記カバー2100は、外部から前記光源モジュー
ル2200が見えるように透明であるか、不透明である。前記カバー2100は、ブロー
(blow)成形により、形成されることができる。
前記光源モジュール2200からの熱は、前記放熱体2400に伝導される。前記光源
モジュール2200は、発光素子2210と、連結プレート2230と、コネクター22
50とを含む。
と、コネクター2250が挿入されるガイド溝2310とを有する。前記ガイド溝231
0は、前記照明素子2210の基板、及びコネクター2250と対応される。
300は、前記カバー2100の内面に反射して、前記光源モジュール2200側方向に
戻って来る光を、再度前記カバー2100方向に反射する。したがって、実施形態による
照明装置の光効率を向上させる。
プレート2230は、電気伝導性の物質を含む。したがって、前記放熱体2400と前記
連結プレート2230との間に電気的な接触が行える。前記部材2300は、絶縁物質で
構成され、前記連結プレート2230と前記放熱体2400との電気的短絡を遮断するこ
とができる。前記放熱体2400は、前記光源モジュール2200からの熱と、前記電源
提供部2600からの熱を伝達されて、放熱する。
.したがって、前記内部ケース2700の前記絶縁部2710に収納される前記電源提供
部2600は密閉される。前記ホルダー2500は、ガイド突出部2510を有する。前
記ガイド突出部2510は、前記電源提供部2600の突出部2610が貫通するホール
を具備することができる。
源モジュール2200に提供する。前記電源提供部2600は、前記内部ケース2700
の収納溝2719に収納され、前記ホルダー2500により、前記内部ケース2700の
内部に密閉される。
、延在部2670とを含む。
前記ガイド部2630は、前記ホルダー2500に挿入される。前記ベース2650の
一面の上に多数の部品が配置される。多数の部品は、例えば、直流変換装置、前記光源モ
ジュール2200の駆動を制御する駆動チップ、前記光源モジュール2200を保護する
ためのESD(ElectroStatic discharge)保護素子などを含む
が、これに対して限定しない。
。前記延在部2670は、前記内部ケース2700の連結部2750内に挿入され、外部
からの電気的信号を提供される。例えば、前記延在部2670は、前記内部ケース270
0の連結部2750の幅と同一であるか、小さく提供される。前記延在部2670は、電
線を通じて、ソケット2800に電気的に連結される。
むことができる。モールド部は、モールディング液体が固まった部分であって、前記電源
提供部2600が、前記内部ケース2700内に固定できるようにする。
態に含まれ、必ず1つの実施形態のみに限定されるものではない。延いては、各実施形態
で例示された特徴、構造、効果などは、実施形態が属する分野の通常の知識を有する者に
より他の実施形態に対しても組合または変形されて実施可能である。したがって、このよ
うな組合と変形に関連した内容は本発明の範囲に含まれることと解釈されるべきである。
を限定するのでない。本発明の本質的な特性を逸脱しない範囲内で、多様な変形及び応用
が可能であることが同業者にとって明らかである。例えば、実施形態に具体的に表れた各
構成要素は変形して実施することができ、このような変形及び応用にかかわる差異点も、
特許請求の範囲で規定する本発明の範囲に含まれるものと解釈されるべきである。
22、32A、32B 孔
100 発光素子
121、131 リードフレーム
123、133 延長部
141 第1胴体
151 第2胴体
161 発光チップ
171、172、173 透光性樹脂層
155 反射層
181、181B 光学レンズ
Claims (20)
- オープン領域、前記オープン領域の周りの内側部、及び前記内側部の周りの外側部を有する第1胴体と、
前記第1胴体の下に配置された複数のリードフレームと、
前記オープン領域内に配置され、前記複数のリードフレームと電気的に連結された発光チップと、
前記オープン領域の上に開口部を有し、前記第1胴体の上に配置された第2胴体と、
を含み、
前記複数のリードフレームは、前記第1胴体と結合され、
前記複数のリードフレームのうち少なくとも一つは、前記オープン領域の底部に前記発光チップが配置されたボンディング領域を含み、
前記第1胴体の内側部は、前記複数のリードフレームの上に前記外側部の厚さより薄い厚さを有し、
前記内側部の上面は、前記複数のリードフレームの上面を基準に、前記発光チップの上面の高さより低い高さを有し、
前記内側部の上面は、前記発光チップに隣接するほど徐々に低くなるように傾斜して配置される、発光素子。 - 前記複数のリードフレームは、相互分離した第1及び第2リードフレームを含み、
前記第1リードフレームは、前記オープン領域内に第1ボンディング領域を有し、
前記第2リードフレームは、前記オープン領域内に第2ボンディング領域を有し、
前記発光チップは、前記第1及び第2ボンディング領域のうち少なくとも一つの上に配置される、請求項1に記載の発光素子。 - 前記内側部の上面は、前記複数のリードフレームの上面に対して2度〜5度の範囲で傾斜した、請求項1又は2に記載の発光素子。
- 前記内側部の上面は、前記外側部の上面の面積より広い面積を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1胴体が結合されたリードフレームの上面から前記第1胴体の内側部の上端までの高さは前記発光チップの厚さの50%以下である、請求項1から4のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記外側部の上面は、平坦面または傾斜面を有し、前記第2胴体の下面に配置される、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記外側部の上面は、前記複数のリードフレームの上面を基準に、前記発光チップの上面より低い高さを有する、請求項1から5のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第2胴体は、前記第1胴体の厚さ及び前記発光チップの厚さより厚い厚さを有する、請求項1から6のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第2胴体の開口部の下に前記内側部の一部が配置される、請求項1から8のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記複数のリードフレームのうち少なくとも一つは、前記複数のリードフレームの上面より低く凹んだリセスを含み、
前記リセス内に前記第1胴体が配置される、請求項1から9のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記複数のリードフレームは孔を含み、
前記孔には、前記第1胴体が配置される、請求項10に記載の発光素子。 - 前記第1胴体のオープン領域及び前記第2胴体の開口部に配置された透光性樹脂層を含む、請求項1から11のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1胴体は、前記第2胴体の材質より反射率が高い材質を含む、請求項1から12のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第1胴体は、反射性樹脂材質を含み、
前記第2胴体は、透光性樹脂材質を含む、請求項1から13のいずれか一項に記載の発光素子。 - 前記第1胴体の内側部の上面は、前記発光チップから入射した光を前記第2胴体に反射する、請求項1から14のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記複数のリードフレームの下面は、前記第1胴体の下面と同一水平面に配置される、請求項1から15のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記複数のリードフレームの外郭部は、前記第1及び第2胴体の側面よりも外側に突出する、請求項1から16のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記第2胴体の上に配置された光学レンズを含む、請求項1から17のいずれか一項に記載の発光素子。
- 前記光学レンズは、前記第2胴体の上に配置された、請求項18に記載の発光素子。
- 前記第2胴体の開口部の側面は、前記発光チップの周りに傾斜するように配置される、請求項1から19のいずれか一項に記載の発光素子。
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