JP2012209367A

JP2012209367A - Ｌｅｄ素子用リードフレーム基板

Info

Publication number: JP2012209367A
Application number: JP2011072814A
Authority: JP
Inventors: Masashi Sawadaishi; 将士澤田石; Susumu Maniwa; 進馬庭; Junko Toda; 順子戸田; Takayuki Fukada; 隆之深田; Ryuji Ueda; 龍二上田
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2011-03-29
Filing date: 2011-03-29
Publication date: 2012-10-25

Abstract

【課題】ＬＥＤ素子の光を効率的に外部に放出する。
【解決手段】ＬＥＤ素子１０を搭載するためのパッド部２と、ＬＥＤ素子と電気的接続を行うための電気的接続エリア３とを有するリードフレームＡと、絶縁性樹脂でパッド部および電気的接続エリアを囲むように形成されたリフレクター部５とを備えたＬＥＤ素子用リードフレーム基板１は、パッド部及び電気的接続エリアに、厚さ２マイクロメートル以上の無光沢メッキ層と、無光沢メッキ層上に形成された厚さ１マイクロメートル以上の光沢メッキ層とからなるＮｉメッキ層と、光沢メッキ層上に形成された厚さ１ナノメートル以上のＡｕストライクメッキ層と、Ａｕストライクメッキ層上に形成されたＡｇメッキ層とを有するメッキ部１１が形成されており、パッド部及び電気的接続エリアにおいて、波長４６０ナノメートルの光の反射率が９２％以上、かつ光沢度が１．４０以上とされている。
【選択図】図２

Description

本発明は、ＬＥＤ（ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ、発光ダイオード）素子を担持、搭載するＬＥＤ素子用リードフレーム基板に関する。

従来、金属製のＬＥＤ素子用リードフレーム（以下、単に「リードフレーム」と称する。）と絶縁性樹脂との複合体からなるＬＥＤ素子用リードフレーム基板（以下、単に「リードフレーム基板」と称する。）が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
一般に、リードフレームは、板状の鉄―ニッケル等の合金薄板、銅―ニッケル―錫等の合金薄板からなる金属材料を、その片面又は両面から塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工して製造され、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部（アイランド部）と、パッド部とは絶縁状態になっており、ＬＥＤ素子と電気的に接続が行われるインナーリード部およびアウターリード部とを備えている。

パッド部は、その表面側にＬＥＤ素子を載置するための搭載部（搭載面）と、その裏面側には、ＬＥＤ素子から発生する駆動熱や、ＬＥＤ素子周囲の環境条件による熱を放散されるための放熱部（放熱板）を備えており、ＬＥＤ素子側に熱が蓄積されないように、放熱部から外界側に熱が放出されるようになっている。

一般に、リードフレーム基板は、上述のリードフレームに、絶縁性樹脂からなり、ＬＥＤ素子からの発光を効率的に外部に放出するためのリフレクター部が設けられて構成されている。通常リフレクター部は、下面から上面に向けて大径となるすり鉢状の形状を呈している。リフレクター部については、ＬＥＤ素子から発せられた光を外部により多く放出するための種々の工夫が提案されている。たとえば、リフレクター部の反射面にめっき加工を施すことや、高反射性を有するセラミックインクを塗布することなどが提案されている（例えば、特許文献１から３参照）。

特開２００３−８０７１号公報特開２００３−３４７６００号公報特開２００４−１７２１６０号公報

リードフレーム基板を構成する場合、ＬＥＤ素子の光を外部に効率よく放出するためには、リフレクター部を形成する絶縁性樹脂、およびリードフレームのパッド部及び、インナーリード部、アウターリード部等の電気的接続エリアが高い反射率を有することが必要である。

このため、リードフレームのパッド部及び、電気的接続エリアに高い反射率、高光沢度を有するメッキ処理を施すことも行われているが、このようなメッキは、メッキ液に光沢剤が添加されていることが多い。この場合、メッキ処理中に応力が蓄積され、熱工程などによりメッキ表面にクラックが生じることがあるという問題がある。

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ素子の光を効率的に外部に放出することができるＬＥＤ素子用リードフレーム基板を提供することを目的とする。

本発明は、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部と、前記ＬＥＤ素子と電気的接続を行うための電気的接続エリアを有するリードフレームと、絶縁性樹脂で前記パッド部および前記電気的接続エリアを囲むように形成されたリフレクター部とを備えたＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、前記パッド部及び前記電気的接続エリアには、厚さ２マイクロメートル以上の無光沢メッキ層と、前記無光沢メッキ層上に形成された厚さ１マイクロメートル以上の光沢メッキ層とからなるＮｉメッキ層と、前記光沢メッキ層上に形成された厚さ１ナノメートル以上のＡｕストライクメッキ層と、前記Ａｕストライクメッキ層上に形成されたＡｇメッキ層とを有するメッキ部が形成されており、前記パッド部及び前記電気的接続エリアにおいて、波長４６０ナノメートルの光の反射率が９２％以上、かつ光沢度が１．４０以上とされていることを特徴とする。

前記Ａｇメッキ層は、厚さが２マイクロメートル以上であってもよい。

本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム基板によれば、ＬＥＤ素子の光を効率的に外部に放出することができる。

本発明の一実施形態におけるＬＥＤ素子用リードフレーム基板を備えたＬＥＤパッケージを示す平面図である。図１のＸ―Ｘ線における断面図である。図１のＹ―Ｙ線における断面図である。同ＬＥＤ素子用リードフレーム基板のリードフレームがタイバーで連結された多面付け状態を示す平面図である。図４の同リードフレームに樹脂部が形成されたリードフレーム基板の多面付け状態を示す平面図である。図５の多面付け状態から１個ずつ切り離された同ＬＥＤ素子用リードフレーム基板を示す平面図である。

本発明の一実施形態について、図１から図６を参照して説明する。
図１は、本実施形態のリードフレーム基板１にＬＥＤ素子１０が実装されたＬＥＤパッケージを示す平面図である。また、図２は、図１のＸ−Ｘ線における断面図、図３は図１のＹ−Ｙ線における断面図である。

リードフレーム基板１は、リードフレームＡと、リードフレームＡに形成された絶縁性の樹脂部Ｂとを備えている。
リードフレームＡは、金属合金製の板状の基材をエッチング加工することにより形成されており、図１から３に示すようにＬＥＤ素子１０を搭載するためのパッド部２と、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３とを有する。本実施形態のパッド部２は、ＬＥＤ素子搭載用のスペースであるとともに、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリアとを兼備えている。

リードフレームＡには、エッチング加工によって複数の貫通穴７が形成されており、貫通穴７によってパッド部２と電気的接続エリア３とが離間されている。貫通穴７はテーパー形状または段差形状で形成されているため、厚さ方向の両面でリードフレームＡの面積が異なっている。これにより、樹脂部Ｂが、リードフレームから脱落しないように保持されている。パッド部２と電気的接続エリア３の外周にはハーフエッチングにより有底の溝６が設けられている。
さらに、リードフレームＡは、後述する多面付けの状態において複数のリードフレームどうしを連結するタイバー８を有する。

樹脂部Ｂは、図１に示すように、貫通穴７および溝６内に充填される充填部４と、平面視においてパッド部２および電気的接続エリア３を囲むように形成されたリフレクター部５とを有する。充填部４は、貫通穴７のテーパー形状または段差形状、およびタイバー８の形状により、リードフレームＡから脱落しないように保持されている。
リフレクター部５の内部にはパッド部２の上面２ａと電気的接続エリア３の上面３ａが露出しており、ＬＥＤ素子１０が実装される。なお、図３に示すＷは電気的接続法の一例としてのワイヤーボンディングを示し、上面２ａに配置されたＬＥＤ素子１０と上面３ａとの間を結線し、さらに、ＬＥＤ素子１０の別の所定の端子と上面２ａとの間を結線している。

リードフレームＡに形成される溝６内における充填部４の厚みｔ２は、樹脂部Ｂを形成する樹脂に含まれるフィラーの最大粒径の１．５倍以上に設定されており、リードフレームの厚みｔ１以下の範囲で適宜変更することができる。
また、溝６の幅ｔ３もフィラーの最大粒径の１．５倍以上に設定されており、パッド部２におけるＬＥＤ素子１０の搭載や、電気的接続の妨げにならない範囲で適宜変更することができる。

溝６内に配置された充填部４は、リフレクター部５と一体成形され、連続した樹脂部Ｂとなるため、リードフレームＡから脱落することが防止される。また、パッド部２や電気的接続エリア３とリフレクター部５とが離間するため、後述するメッキ部の形成が容易となる。

樹脂部Ｂを形成する樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、芳香族系ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）などが挙げられる。これらの樹脂は、単独で用いても、複数の樹脂を混合して使用してもよい。また、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、酸化ジルコニウム、セラミック材、又はこれらの混合物などの微粒子を含む添加剤を樹脂材料に混合してもよく、混合比率を適宜設定することにより、９２〜９６％程度の高い反射特性を樹脂部Ｂに付与することができる。

パッド部２の上面２ａおよび電気的接続エリア３の上面３ａには、複数の層からなるメッキ部１１が設けられている。メッキ部１１は、リードフレームＡ上に形成された厚さ３マイクロメートル（μｍ）以上のＮｉメッキ層と、Ｎｉメッキ層上に形成された厚さ１ナノメートル（ｎｍ）以上のＡｕストライクメッキ層と、Ａｕストライクメッキ層上に形成された厚さ２μｍ以上のＡｇメッキ層とを備えている。さらに、Ｎｉメッキ層は、厚さ２μｍ以上の無光沢Ｎｉメッキ層と、厚さ１μｍ以上の光沢Ｎｉメッキ層とを有する。

下地となるＮｉメッキ層を無光沢Ｎｉメッキ層と光沢Ｎｉメッキ層とで構成することでＮｉメッキ層に対する応力を緩和することができる。また、Ｎｉメッキ層上にＡｕストライクメッキ層を設けることで、さらに上方に形成されるＡｇメッキ層の結晶粒子を緻密にすることが可能となる。その結果、波長４６０ｎｍの光の反射率が９２％以上、光沢度１．４以上の反射特性を実現している。なお、本発明における光沢度とは、ＧＡＭ（Graphic Arts Manufacturing）社製のdigital densitometer Model 144を用いて測定した光沢度の値を意味する。

リードフレーム基板１において、リフレクター部５に囲まれた空間には、図２および図３に示すように、透明樹脂９が充填されており、ＬＥＤ素子１０が封止されている。なお、図２や図３では、透明樹脂９の上面がリフレクター部５の上面と面一となっているが、これと異なる形状、例えばリフレクター部５の上面よりも盛り上がったドーム状であってもよい。

次に、リードフレーム基板１の製造方法について説明する。
まず、鉄―ニッケル等の合金または、銅―ニッケル―錫等の金属合金製の板状のリードフレーム用金属材料の表面に、フォトレジストを塗布して、フォトレジスト層を形成する。次いで、パッド部２および電気的接続エリア３に対応した所定のパターンを有するパターン露光用フォトマスクを介してフォトレジスト層にパターンを露光し、次いで、フォトレジスト層に現像、必要に応じて硬膜処理を行う。これによりパッド部２および電気的接続エリア３となる部分を残して概ねすべてのフォトレジストが現像除去され、パッド部２および電気的接続エリア３を形成するためのレジストパターンが形成される。

次に、上記金属材料の裏面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着し、金属材料の表面側から表面のフォトレジスト非形成部を所定の深度（例えば、図２、図３における溝６の深さ）まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理（ハーフエッチング処理）した後、洗浄などを行い、その表面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着する。

次に、金属材料の裏面の貼着した耐腐食用樹脂フィルムを剥がし、金属材料の裏面側から裏面のフォトレジスト非形成部を所定の深度まで、塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理を行う。これにより、金属材料の表面および裏面において、レジストパターンが配置されていない金属部位に貫通穴７が形成され、パッド部２、電気的接続エリア３、およびこれらとリフレクター部５との境界に形成された溝６を有するリードフレームＡが完成する。貫通穴７は、表面と裏面のレジストパターンの形状が異なることによるテーパー形状または段差部を内壁に有し、樹脂部Ｂが保持されやすくなっている。
図５には、１枚の金属材料にリードフレームＡを多数形成した、いわゆる多面付け状態のリードフレームの一例を示している。各リードフレームは、タイバー８により互いに接続されている。タイバー８は、ハーフエッチングによって形成され、本実施形態では樹脂部Ｂ内に埋没する寸法に設定されている。

次に、リードフレームＡに樹脂部Ｂを形成する。リードフレームＡ（または多面付けされた複数のリードフレームＡ）を収める所定の内部形状である凹部を予め有している金型の凹部内に、リードフレームＡを装填する。金型としては、蓋となる板状の上金型と、リードフレームＡを装填可能な凹部を内部空間として形成した下金型との２枚構成とし、凹部にリードフレームＡを装填後に、下金型と、溶融する樹脂部Ｂの樹脂材料を注入する注入口とを連通してから、上金型で下金型に蓋をして型締めするものが一般的である。

次いで、注入口から、凹部内に加熱溶融した樹脂材料を注入して、装填されたリードフレームＡにリフレクター部５を含む樹脂部Ｂを成形する。成型後、冷却して上金型および下金型を取り外すと、リードフレームＡと樹脂部Ｂとを備えたリードフレーム基板が得られる。
図６には、多面付け状態で樹脂部Ｂが形成されたリードフレームを示している。多面付けの場合は、金型の注入口に近いリードフレームから、離れた部位にあるリードフレームへと、順次に樹脂材料が流れていき、樹脂モールドされていく。

樹脂部Ｂの形成後、パッド部２の上面２ａおよび電気的接続エリア３の上面３ａに生じた樹脂バリを必要に応じて除去し、上面２ａおよび３ａ上にメッキ部１１を形成する。

まず、上面２ａおよび３ａにアルカリ脱脂、化学研磨剤を用いて脱脂、エッチング処理を行い、Ｎｉメッキ層を形成する。具体的には、ワット浴、スルファミン酸浴などの電解Ｎｉメッキ浴処理により、無光沢Ｎｉメッキ層を２μｍ以上の厚さで形成した後に、光沢Ｎｉメッキ層を１μｍ以上の厚さで形成する。

無光沢Ｎｉメッキ層と光沢Ｎｉメッキ層とは、同一種類のメッキ浴を用いて形成するのが好ましい。これは、例えば無光沢Ｎｉメッキ層をワット浴で形成した後に光沢Ｎｉメッキ層をスルファミン酸浴で形成すると、無光沢Ｎｉメッキ層と光沢Ｎｉメッキ層とで硬度や応力の入り方が異なってしまい、充分な応力抑制効果が得られないからである。同じ種類のメッキ浴であれば、スルファミン酸浴、ワット浴などめっき浴の種類は問わない。

続いて、Ｎｉメッキ層上に、厚さ１ｎｍ以上のＡｕストライクメッキ層を形成する。Ａｕストライクメッキ層をＮｉメッキ層とＡｇメッキ層との間に挟むことで、その上に形成するＡｇめっきの結晶粒子をより緻密にすることができる。

最後に、厚さ２μｍ以上のＡｇメッキ層を形成する。Ａｇメッキ層を形成するメッキ浴については、シアン濃度１３０ｇ／Ｌ以上の高シアン濃度に設定すると、樹脂部Ｂを構成する樹脂材料がシアンにより融解、変色が生じる恐れがある。そのため、シアン濃度は１３０ｇ／Ｌ未満とするのが好ましく、１３０ｇ／Ｌ未満の範囲内で適宜設定して構わない。

Ａｇメッキ層が形成されるとメッキ部１１が完成し、リードフレーム基板１が完成する。
多面付けの場合は、図６に示すように、リードフレームどうしをつなぐタイバー８を切断して、リードフレーム基板１を１個ずつ切り離す。タイバー８を切断することにより、各リードフレーム基板１において、パッド部２と電気的接続エリア３とが絶縁される。リードフレーム基板１の切り離しのタイミングは、樹脂部の成形後に限られず、ＬＥＤ素子１０の実装後や、透明樹脂９の配置後等であってもよい。

本実施形態のリードフレーム基板１によれば、下地としてのＮｉメッキ層と、Ａｇメッキ層とを有するメッキ部１１がパッド部２および電気的接続エリアの上面に設けられているので、当該上面に、波長４６０ｎｍの光の反射率が９２％以上、かつ光沢度１．４以上といったすぐれた反射特性を付与することができる。

また、バリ取りを行ってからメッキ部を形成しているため、バリ等の影響を好適に排除して良好にメッキ部を形成することができる。

本発明のリードフレーム基板について、実施例および比較例を用いてさらに説明する。まず、検討した実施例および比較例のそれぞれの製造手順を示す。

（実施例１）
リードフレームＡに樹脂部Ｂを形成し、パッド部２および電気的接続エリア３のバリ取りを行った。その後に、スルファミン酸Ｎｉ：４００ｇ／Ｌ、塩化Ｎｉ：３０ｇ／Ｌ、ホウ酸：３６ｇ／Ｌのスルファミン酸Ｎｉ浴にリードフレーム基板を浸漬し、温度４０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で３６０秒間電解メッキを施して、厚さ２μｍの無光沢Ｎｉメッキ層を形成した。次に、スルファミン酸Ｎｉ：４００ｇ／Ｌ、塩化Ｎｉ：３０ｇ／Ｌ、ホウ酸：３６ｇ／Ｌ、一次光沢剤：３０ｃｃ／Ｌ、二次光沢剤：０.０３ｃｃ／Ｌのスルファミン酸Ｎｉ浴にリードフレーム基板を浸漬し、温度４０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で１２０秒間電解メッキを施して、無光沢Ｎｉメッキ層上に厚さ１μｍの光沢Ｎｉメッキ層を形成した。
さらに、シアン化金カリウム：３ｇ／Ｌ、クエン酸：５０ｇ／Ｌ、クエン酸ナトリウム：７０ｇ／Ｌ、温度４５℃、電流密度０.５Ａ／ｄｍ^２の条件で３０秒間電解めっきを施して、厚さ１ｎｍのＡｕストライクメッキ層を形成した。
最後に、銀：７５ｇ／Ｌ、シアン：７５ｇ／Ｌ、光沢剤：１０ｃｃ／Ｌ、温度２５℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で１２０秒間電解メッキを施して、厚さ２μｍのＡｇメッキ層を形成し、メッキ部１１を完成した。

（実施例２）
実施例１と同様にバリ取りを行った後に、硫酸Ｎｉ：３００ｇ／Ｌ、塩化Ｎｉ：３５ｇ／Ｌ、ホウ酸：３０ｇ／Ｌのワット浴にリードフレーム基板を浸漬し、温度４０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で３６０秒間電解メッキを施して、厚さ２μｍの無光沢Ｎｉメッキ層を形成した。次に、硫酸Ｎｉ：３００ｇ／Ｌ、塩化Ｎｉ：３５ｇ／Ｌ、ホウ酸：３０ｇ／Ｌ、一次光沢剤：２５ｃｃ／Ｌ、二次光沢剤：０.５ｃｃ／Ｌのワット浴にリードフレーム基板を浸漬し、温度４０℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で１２０秒間電解メッキを施して、厚さ１μｍの光沢Ｎｉメッキ層を形成した。
その後、実施例１と同一の条件でＡｕストライクメッキ層およびＡｇメッキ層を形成してメッキ部１１を完成した。

（比較例１）
実施例１と同様にバリ取りを行った後に、硫酸銅・五水和物：１１０ｇ／Ｌ、硫酸：１８０ｇ／Ｌ，塩素イオン：５０ｍｇ／Ｌの硫酸銅浴中にリードフレーム基板を浸漬し、温度２５℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で６０秒電解メッキを施して、厚さ０.５μｍの銅メッキ層を形成した。
次に、銀：７５ｇ／Ｌ、シアン：７５ｇ／Ｌ、光沢剤：１０ｃｃ／Ｌ、温度２５℃、電流密度２Ａ／ｄｍ^２の条件で２４０秒間電解めっきを施して厚さ４μｍのＡｇメッキ層を形成した。

（比較例２）
実施例１と同様にバリ取りを行った後に、スルファミン酸Ｎｉ：４００ｇ／Ｌ、塩化Ｎｉ：３０ｇ／Ｌ、ホウ酸：３６ｇ／Ｌ、一次光沢剤：３０ｃｃ／Ｌ、二次光沢剤：０.０３ｃｃ／Ｌのスルファミン酸Ｎｉ浴で５４０秒間電解めっきを施して、厚さ３μｍの光沢Ｎｉメッキ層を形成した。
その後、実施例１と同一の条件でＡｕストライクメッキ層およびＡｇメッキ層を形成してメッキ部を完成した。

評価項目および条件は下記の通りである。
１．反射率測定
装置：分光光度計比較波長４６０ｎｍ
前処理：なし
２．光沢度測定
装置：光沢度計
前処理：なし
３．リフロー試験
前処理：１８０℃ １０時間
リフロー条件：残留酸素濃度５００ｐｐｍ２８０℃ ３０秒１０パス
として、上述の条件で反射率測定および光沢度測定を行った。さらに、以下の項目を記載の方法で行った。
クラック：金属顕顕微鏡観察で、クラックを認めない：○、クラックを認める：×の２段階で評価した。
４．高温高湿試験
前処理：１８０℃ １０時間
条件：８５℃ ８５％１０００時間
として、上述の条件で反射率測定および光沢度測定を行い、クラックを評価した。
サンプル数は、各例５個とした。結果を表１に示す。

表１に示すように、実施例１および実施例２のメッキ部は、リフロー試験、高温高湿試験における反射率、光沢度の低下が少なく、メッキ部にクラックは発生しなかった。
比較例１においては、反射率や光沢度は、比較的良好であったが、リフロー試験および高温高湿試験においてメッキ層にクラックが発生した。また、比較例２では、クラックは発生しなかったものの、反射率や光沢度は、実施例に比べて大きく劣る結果であった。
本発明のリードフレーム基板のメッキ部は、環境によらず高反射率、高光沢度を維持しおており、高い信頼性を有していることが示された。

以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の技術範囲は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において各構成要素に種々の変更を加えたり、削除したりすることが可能である。

１ＬＥＤ素子用リードフレーム基板
２パッド部
３電気的接続エリア
５リフレクター部
１０ＬＥＤ素子
１１メッキ部
ＡＬＥＤ素子用リードフレーム

Claims

ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部と、前記ＬＥＤ素子と電気的接続を行うための電気的接続エリアを有するリードフレームと、絶縁性樹脂で前記パッド部および前記電気的接続エリアを囲むように形成されたリフレクター部とを備えたＬＥＤ素子用リードフレーム基板であって、
前記パッド部及び前記電気的接続エリアには、
厚さ２マイクロメートル以上の無光沢メッキ層と、前記無光沢メッキ層上に形成された厚さ１マイクロメートル以上の光沢メッキ層とからなるＮｉメッキ層と、
前記光沢メッキ層上に形成された厚さ１ナノメートル以上のＡｕストライクメッキ層と、
前記Ａｕストライクメッキ層上に形成されたＡｇメッキ層とを有するメッキ部が形成されており、
前記パッド部及び前記電気的接続エリアにおいて、波長４６０ナノメートルの光の反射率が９２％以上、かつ光沢度が１．４０以上とされていることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム基板。
前記Ａｇメッキ層は、厚さが２マイクロメートル以上であることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ素子用リードフレーム基板。