JP2014192310A - Ｌｅｄ素子用リードフレームおよびｌｅｄ素子用リードフレーム基板 - Google Patents

Abstract

【課題】ＬＥＤ素子搭載部及び、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接続エリアを有する金属リード部に、可視光領域で高い反射率を有し、なおかつＬＥＤ素子の駆動熱の影響で変色しないＡｇめっきを施し、高い信頼性を有するＬＥＤ素子用リードフレーム基板を金や白金を使用せずに安価に提供することを課題とする。
【解決手段】ＬＥＤ素子搭載部２ａと、電気的にＬＥＤ素子１０と接続を行うためのリード部３ａとを備えているＬＥＤ素子用リードフレームであって、前記ＬＥＤ素子搭載部２ａと電気的にＬＥＤ素子１０と接続を行うための前記リード部３ａにＣｕめっき層１４とＡｇめっき層１３がこの順に形成されていることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム。
【選択図】図３

Description

本発明は、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）を担持、搭載するＬＥＤ素子用リードフレーム基板に関する。

一般的に、半導体集積回路やＬＥＤ素子などの電子素子を担持、搭載するためのリードフレームは、板状の鉄―ニッケル等の合金薄板、銅―ニッケル―錫等の合金薄板からなるリードフレーム用金属材料を、その片面又は両面から塩化第二鉄等のエッチャントを用いてフォトエッチング加工して製造され、半導体集積回路やＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部（アイランド部）と、該パッド部とは絶縁状態になっており、電子素子と電気的に接続が行われるインナーリード部およびアウターリード部を備えている。

上記リードフレームのパッド部は、その表面側に電子素子を載置するための搭載部（搭載面）と、その裏面側には、ＬＥＤ素子などの電子素子本体から発生する駆動熱や、電子素子周囲の環境条件による熱を放散させるための放熱部（放熱板）を備えたものがあり、電子素子に熱が蓄積されないように、パッド裏面側の放熱部から熱が放出されるようになっている。

ＬＥＤパッケージの構成としては、ＬＥＤ素子搭載用のパッド部、およびＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接合エリアを有するリード部を備えたベース基板と、ＬＥＤ素子からの発光を効率的に外部に放出するためのリフレクタからなる。リフレクタ部分は、下面から上面に向けて大径となるすり鉢状の形状となっている。リフレクタは、形成方法によってその構成が異なる。ＬＥＤ素子から発せられた光を外部に多く放出するべく、反射面に貴金属めっき、特にＡｇめっき加工が施されているものが多い。

上記のように金属製リードフレームと絶縁樹脂の複合体としてＬＥＤ素子用のリードフレームを構成する場合、エッチングまたはプレス加工によって形成したリードフレームに電解Ａｇめっき層を形成、樹脂成形を行いＬＥＤ素子用のリードフレーム基板が形成される。

上記のような、金属製リードフレームと絶縁樹脂の複合体としてＬＥＤ素子用のリードフレーム基板を構成する場合、ＬＥＤ素子の光を外部に効率よく放出するためには、構成する絶縁樹脂、ＬＥＤ素子搭載部及び、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接続エリアを有する金属リード部には高い反射率が必要となる。

上記ＬＥＤ素子用のリードフレームを構成する材料の反射率は、製品性能を左右する極めて重要な要素となり、可能な限り高い反射率が要求されている。具体的には可視光領域(４００ｎｍ〜７００ｎｍ)における高い反射率が必要とされており、ＬＥＤ素子搭載部、及びＬＥＤ素子と電気的接続を行うためのリード部には、Ａｇめっき層が形成されている。

Ａｇめっき層は下地Ｎｉめっき層を形成することで、Ａｇめっき層が平坦になり、
可視光領域(４００ｎｍ〜７００ｎｍ)では高い反射率を有し、ＬＥＤ素子の光を効率的に外部に放出することが可能となる。
しかしながら、長期の点灯によるＬＥＤ素子の駆動による発熱の影響により、Ａｇめっき層表面に変色が発生し、反射率低下が生じることでＬＥＤパッケージの光束が低下することが問題となっている。

Ａｇめっき層が熱の影響で変色し、反射率が低下する問題に対しては、ＡｇにＡｕやＰｔを添加してＡｇめっき層の変色を防止する技術が開示されている（特許文献１参照）が、高価な貴金属を使用するため製造コストが増加する問題を避けることはできない。

特開２０１２−１２４３６４号公報

本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ素子搭載部及び、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接続エリアを有する金属リード部に、可視光領域で高い反射率を有し、なおかつＬＥＤ素子の駆動熱の影響で変色しないＡｇめっきを施し、高い信頼性を有するＬＥＤ素子用リードフレーム基板を金や白金を使用せず安価に提供することを課題とする。

上記の課題を解決する手段として、本発明の請求項１に記載の発明は、ＬＥＤ素子搭載部と電気的にＬＥＤ素子と接続を行うためのリード部とを備えているＬＥＤ素子用リードフレームであって、
前記ＬＥＤ素子搭載部と前記リード部にはＣｕめっき層とＡｇめっき層がこの順に形成されていることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレームである。

また、請求項２は、前記ＬＥＤ素子搭載部と前記リード部にはＣｕめっき層の下にＮｉめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ素子用リードフレームである。

また、請求項３は、請求項１または２に記載のＣｕめっき層の厚みが０．０３μｍ以上、Ａｇめっき層が２μｍ以上であることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレームである。

また、請求項４は、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＣｕめっき層の結晶粒径が、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から算出される結晶子のサイズとして評価した時に０．０５μｍ以上３μｍ以下の範囲にあることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレームである。

また、請求項５は、請求項１〜３のいずれか１項に記載のＡｇめっき層の結晶粒径が、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から算出される結晶子のサイズとして評価した時に０．１μｍ以上２０μｍ以下の範囲にあることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレームである。

また、請求項６は、請求項１〜５のいずれか１項に記載のＡｇめっき層が、波長４６０ｎｍで反射率が９２％以上、光沢度１．４０ＧＡＭ以上の光学的特性を有することを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレームである。

また、請求項７は、請求項１〜６のいずれか１項に記載のＬＥＤ素子用リードフレームと樹脂モールドにより形成されたリフレクタを備えていることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム基板である。

本発明のＬＥＤ素子用リードフレームまたはＬＥＤ素子用リードフレーム基板によれば、ＬＥＤ素子からの発熱によるＬＥＤ素子搭載部のめっき部の変色問題を解決することができる。

本発明におけるＬＥＤ素子用リードフレームを使用してＬＥＤ素子を実装した一例を示す上面図。 本発明におけるＬＥＤ素子用リードフレームを使用してＬＥＤ素子を実装した一例を示す下面図。 図１におけるＬＥＤ素子用リードフレームを使用してＬＥＤ素子を実装した例のＸ−Ｘ断面図。 図１におけるＬＥＤ素子用リードフレームを使用してＬＥＤ素子を実装した例のＹ−Ｙ断面図。 本発明で使用するＣｕ／Ａｇめっき層の一例を示す断面図。 本発明で使用するＮｉ／Ｃｕ／Ａｇめっき層の一例を示す断面図。 金型を用いた本発明のＬＥＤ素子用リードフレームへの樹脂モールドの一例を示す断面図。 本発明におけるＬＥＤ素子用リードフレームをタイバーにて連結した多面付け状態の一例を示す上面図。 本発明におけるＬＥＤ素子用リードフレームをタイバーにて連結した多面付けＬＥＤ素子用リードフレーム基板の一例を示す上面図。 本発明における多面付けＬＥＤ素子用リードフレーム基板の個片化後の状態の一例を示す上面図。

本発明を一実施形態に基づいて以下に詳細に説明する。図１は、本発明に係わるＬＥＤ素子用リードフレームを用いてＬＥＤ素子を実装した実施の形態を示す上面図、図２は、その下面図である。また、図３は、図１のＸ−Ｘ線における断面図を、図４は図１のＹ−Ｙ線における断面図を各々示す。

本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム１は、金属合金製の板状の基材をフォトエッチング加工することにより形成され、図１、２、３に示すようにＬＥＤ素子１０を搭載するための１乃至複数箇所に形成されたパッド部２、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３によって構成されている。パッド部２はＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３を有するリード部３ａを兼備えている。

ＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａは、図１に示すようにリフレクタ５が形成され、リフレクタ５の内部にはＬＥＤ素子搭載部２ａとリード部３ａが露出しＬＥＤ素子の実装が行われる。ＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａは、ＬＥＤ素子用リードフレーム１を、充填樹脂を用いて樹脂モールドした状態を指す。リフレクタ５は、その充填樹脂によって樹脂モールドされる際に、リフレクタ５になる面を形成するのと同時にＬＥＤ素子用リードフレームに充填樹脂全体を固着するように形成される。なお、図３に示すＷはワイヤボンディングの一例を示したもので、ＬＥＤ素子搭載部２ａのＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３上のリード部３ａとの間を結線したワイヤーである。

ＬＥＤ素子用リードフレーム１には、図１、２、３に示すようにフォトエッチング加工によって貫通孔７が形成されている。この貫通孔７はテーパー形状または段差形状でもうけられ表裏面で面積が異なっている。これにより、充填樹脂４は、リードフレームからの脱落しないように保持することが可能となる。

また、ＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａでは、図１、２、３に示すように、リードフレーム連結を行うためのタイバー８が埋め込まれている。このタイバー８は、ハーフエッチングによって表裏面の面積が異なっており、これにより充填樹脂４はリードフレームから脱落しないように保持が可能となる。

前記のＬＥＤ素子搭載部２ａ及び電気的に接続を行うためのリード部３ａとリフレクタ５の境界面には、充填樹脂４からなる充填樹脂層６が、リードフレーム１にハーフエッチングで溝を設けることで形成されている。

前記ＬＥＤ素子用リードフレーム１にハーフエッチングによって設ける溝に充填される充填樹脂層６の深さｔ２は、充填樹脂４に用いられるフィラーの最大粒径の１．５倍以上と設定しており、ＬＥＤ素子用リードフレーム１の厚みｔ１以下の範囲であれば深さを適宜設定してもかまわない。

また、前記ＬＥＤ素子用リードフレーム１にハーフエッチングによって設ける溝に充填される充填樹脂層６の幅ｔ３に関しても、充填樹脂４に用いられるフィラーの最大粒径の１．５倍以上に設定しており、ＬＥＤ素子搭載部２ａにＬＥＤ素子１０が搭載可能であり、なおかつＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３を有するリード部３ａがワイヤボンディングによって電気的に接続可能な範囲でハーフエッチングによって設ける溝の範囲を適宜設定しても良い。

前記のＬＥＤ素子搭載部２ａ、電気的に接続を行うための電気的接続エリア３を有するリード部３ａとリフレクタ５の境界面に形成された充填樹脂層６は、その一部がリフレクタ５と一体成型されている。これにより充填樹脂層６がリードフレーム１から脱落しないように保持することが可能となる。

本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム１は、ＬＥＤ素子搭載部２ａ及び、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有する金属リード部３ａのめっき層の表面は、図５と図６に示すように銅めっき層１４とＡｇめっき層１３からなるＣｕ／Ａｇめっき層が形成される。

前記のＬＥＤ素子搭載部２ａ及び、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有するリード部３ａのめっき層に形成されたＣｕ／Ａｇめっき層は、めっき表面の平滑化のためにＮｉめっき層１５を形成してもかまわない。
また、Ｎｉめっき層１５の形成には添加剤を適宜使用しても構わない。

前記のＮｉめっき層１５については、２μｍ以上形成することで、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有するリード部３ａに形成するＣｕ／Ａｇめっき層表面を平滑化することが可能となる。

また、ＬＥＤ素子搭載部２ａ及び、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有するリード部３ａに形成するＣｕ／Ａｇめっき層は、Ｃｕ層：０．０３μｍ以上、Ａｇ層：２μｍ以上とすることで、ＬＥＤ素子１０の駆動熱の影響で変色しないＡｇめっき層を得ることが可能となる。

ＬＥＤ素子搭載部２ａ及び、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有するリード部３ａに形成されるＣｕ層１４の結晶粒径は０．０５μｍ以上３μｍ以下の範囲、さらに望ましくは０．１μｍ程度に形成することで、Ａｇめっき層１３の表面を平滑化することが可能となる。なお、結晶粒径の評価方法として、めっき層のＸ線回折パターンを測定し、最も高い回折ピークの半値幅を使用してシェラーの式を用いて結晶子サイズを算出し、それを結晶粒径とした。

前記のＬＥＤ素子搭載部２ａ及び、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有するリード部３ａに形成されるＣｕ層１４は０．０５μｍ以上３μｍ以下の所望の結晶粒径を得るために、Ｓｅ系、Ｓ系の添加剤を適宜使用して形成することができる。

また、ＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａにおいて、ＬＥＤ素子搭載部２ａ及び、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有するリード部３ａのＣｕ層１４上に形成されるＡｇ皮膜１３の結晶粒径は０．１μｍ以上２０μｍ以下の範囲、さらに望ましくは１．５μｍ程度に形成することで、波長４６０ｎｍでの反射率が９２％以上、光沢度１．４ＧＡＭ以上のＡｇめっき層１３を得ることが可能となる。

上記のＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａにおいて、ＬＥＤ素子搭載部２ａ及び、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有するリード部３ａのＣｕ層１４上に形成されるＡｇ皮膜１３は０．１μｍ以上２０μｍ以下の所望の結晶粒径を得るために、Ｓｅ系、Ｓｂ系の添加剤を適宜使用して形成することができる。

本発明に用いた充填樹脂４は、例えば、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネイト樹脂、芳香族系ポリエステル樹脂(不飽和ポリエステル樹脂)などが挙げられ、これらの樹脂から１種の樹脂を用いたり、複数の樹脂を混合した混合樹脂を使用しても良い。

前記充填樹脂４に用いられる添加剤は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、酸化ジルコニウム、セラミック材、又は混合物などの微粒子が用いられており、添加剤の混合比率を設定することで、９０％〜９４％程度の高い反射特性を得ることができる。

ＬＥＤ素子搭載部２aより上面側、及びＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うためのリード部３ａより上面側には、ＬＥＤ素子１０を含めて、可視領域で透明な封止樹脂９が被覆されている。なお、図３では、封止樹脂９は層状としているが、ドーム状であってもよい。

本発明に係わるＬＥＤ素子用リードフレームは、リードフレーム用金属板の表裏面にフォトレジストを塗布し、フォトレジストへのパターン露光と現像処理をすることにより、レジストパターンを形成した後、その表裏両面から塩化第二鉄等のエッチャントをもちいて、レジスト非形成部をエッチング加工することにより、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部２は、ＬＥＤと電気的に接続を行うための電気的接続エリア３とを絶縁状態にして形成されている。

次に、本発明のＬＥＤ素子用リードフレームの製造方法を説明する。まず、鉄―ニッケル等の合金または、銅―ニッケル―錫等の金属合金製の板状のリードフレーム用金属材料の表面に、フォトレジストを塗布・乾燥して、フォトレジスト層を形成する。次いで、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部２は、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３を、所定のパターンを有するパターン露光用フォトマスクを使用してフォトレジスト層にパターンを露光、現像することで所望のエッチングマスクパターンを形成する。必要に応じてエッチングマスクパターンの硬膜処理を行う。これによりＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部２は、ＬＥＤと電気的に接続を行うための電気的接続エリア３となる部分を残してフォトレジストが除去され、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部２は、ＬＥＤと電気的に接続を行うための電気的接続エリア３を形成する部位にレジストパターンが形成される。

上記工程で、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部２には、ＬＥＤと電気的に接続を行うための電気的接続エリア３とリフレクタ５との境界面に所定の深度と幅を有する溝を形成するためのレジストパターンが形成される

次に該金属材料の裏面に、耐腐食用の樹脂フィルムを貼着し、該金属材料の表面側から表面のフォトレジスト非形成部を所定の深度（例えば、図３、図４における厚さｔ２）まで塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理（ハーフエッチング処理）した後、洗浄などを行い、その表面に耐腐食用の樹脂フィルムを貼着する。

次に、該金属材料の裏面の耐腐食用の樹脂フィルムを剥がし、該金属材料の裏面側から裏面のフォトレジスト非形成部を所定の深度まで、塩化第二鉄等のエッチャントを用いてエッチング加工処理を行う。これにより、表面、裏面に各々対応する、レジストパターンが形成されていない金属部位に貫通部が形成され、ＬＥＤ素子を搭載するためのパッド部２は、ＬＥＤと電気的に接続を行うための電気的接続エリア３とリフレクタ５の境界面に所定の深度と幅の溝を有するＬＥＤ素子用リードフレーム１が形成される。

上記工程において、エッチング加工処理によって形成された貫通部は、モールド時に充填される充填樹脂４を保持するためのテーパー状部に形成されたＬＥＤ素子用リードフレーム１が形成される。次いで、リードフレームに以下の例に記す一連の樹脂モールド加工を行う。

図７に示すように、ＬＥＤ素子用リードフレーム１を収める所定の内部形状とした凹部を予め有している金型の凹部内に、ＬＥＤ素子用リードフレーム１を装填する。なお、金型としては、図５に示すように、蓋となる板状の上金型４０と、溶融する充填樹脂４を注入する注入口４２と連通する多面付けＬＥＤ素子用リードフレームを装填可能な凹部４３を内部空間として形成した下金型４１との２枚構成とし、下金型４１と凹部４３に多面付けＬＥＤ素子用リードフレームを装填後に、上金型４０で下金型４１に蓋をして型締めするものが一般的である。

次いで、注入口４２から、凹部４３内に加熱溶融した充填樹脂４を注入して、装填された多面付けＬＥＤ素子用リードフレームに充填樹脂４が充填されて成型された多面付けＬＥＤ素子用リードフレーム基板ＭＬが得られる。成型後、冷却して上金型を外し、リードフレーム基板を下金型から取り外す。これにより、リフレクタ５とＬＥＤ素子用リードフレーム１が一体成型されたＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａが多面付けされた多面付けＬＥＤ素子用基板ＭＬが形成される。

なお、図１、図２中に示すタイバー８は、エッチング加工処理後に、パッド部２および電気的接続エリア３が金属材料から脱落するのを防止するために、必要な期間、パッド部２及び電気的接続エリア３を金属材料に連結保持しておくために形成しているもので、タイバー８を切断して、本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム基板が得られる。なお、図３、図４の断面図においては、タイバー８は充填樹脂４を保持するためにハーフエッチングによって充填樹脂４内に収まる構造となっている。タイバー８と金属材料との連結部を切断して、本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａが得られる。タイバー８の切断時期は、ＬＥＤ素子の搭載後、または、樹脂モールド後が挙げられるが、適宜設定してよい。また、上述した説明では、エッチング加工は、表裏の面に各々１回ずつ行っているが、表裏から同時に行う１回のエッチングで金属材料にエッチング加工を行ってもよい。

上記工程において、エッチング加工処理によって形成されたリードフレームに樹脂モールド加工を施すことによってＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａが形成される。次いで、モールド加工によって、ＬＥＤ素子搭載部２a、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接合エリア３を有するリード部３aに生じた樹脂バリの除去を行う。

めっき層の形成は電解めっき法によって、所望のめっき層の形成を行う。ＬＥＤ素子搭載部２a、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３を有するリード部３ａ、リフレクタ５の境界面に設けた充填樹脂層６によって、ＬＥＤ素子搭載部２a、ＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うためのリード部３ａはめっき層の未着、膜厚のばらつきなく形成が可能となる。また、めっき層の形成は、エッチング工程後または樹脂モールド後があげられるが、適宜設定して構わない。

次に図８に多面付けＬＥＤ素子用リードフレーム基板ＭＬを示す。本発明におけるＬＥＤ素子用リードフレーム基板ＡのＬＥＤ素子搭載用のパッド部２およびＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うためのリード部３ａを含む電気的接続エリア３を、その表裏面を同一平面とする１単位フレームとしている。１単位フレームは、枚葉状あるいは帯状の金属材料に、複数の１単位フレームを互いに縦横方向に多面付け配列した多面付けリードフレームを用いて製造される。

図８に示すように、エッチング後にリードフレームが金属材料から脱離することを防止するためにタイバー８と呼称される、例えば格子状の枠部を形成している。１単位フレームは、枠部であるタイバー８の開口部の領域内にタイバー８と連結するように形成する。なお、１単位フレームとタイバー８との連結は、タイバー８を介して行っている

タイバー８は、エッチングにてＬＥＤ素子搭載用のパッド部２およびＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３を形成する際に、ＬＥＤ素子搭載用のパッド部２およびＬＥＤ素子１０と電気的に接続を行うための電気的接続エリア３を形成するのと同様の手法にて、タイバー８を形成する金属材料部位にもフォトレジストを形成して形成するもので、タイバー８の部位を切断、断裁し、金属材料から各１単位フレームを切り離す。

図９に示すように１単位のリードフレームの複数単位を多面づけしてフォトエッチングにて製造された平坦上のリードフレームは、前述したように、ＬＥＤ素子用リードフレーム製造用の金型内に装填し、充填樹脂４を金型内の凹部（内部空間）に注入、充填して形成する。これにより、図７に示すように本発明のＬＥＤ素子用リードフレーム基板Ａが多面付けされた状態で形成される。

多面付けされたＬＥＤ素子用リードフレームに樹脂モールド加工を行う際、凹部（内部空間）を有する金型内に充填樹脂４が注入される。充填樹脂４が注入される際、樹脂の注入口の近傍の１単位フレームから、注入口から離れた部位にある１単位フレームへと、順次に樹脂が流れていき、樹脂モールドされていく。

その後、多面付けされたＬＥＤ素子用リードフレーム基板ＭＬを切断し、切り離された１単位フレームが得られる(図１０参照)。なお、多面付けされたＬＥＤ素子用リードフレーム基板ＭＬの切断時期は、樹脂モールド後に限るものではなく、ＬＥＤ素子の搭載後、透明封止樹脂の形成後など、適宜設定して構わない。

次に本発明を、実施例を用いて更に具体的に説明する。
＜実施例１＞
エッチング処理後のＬＥＤ素子用リードフレームにシアン化第一銅３０（ｇ／Ｌ）、シ
アン化カリウム４５（ｇ／Ｌ）、炭酸カリウム３０（ｇ／Ｌ）、ロッシェル塩５０（ｇ／Ｌ）、添加剤５（ｇ／Ｌ）のシアンＣｕ浴で電流密度１（Ａ／ｄｍ^２）にて、電解銅めっき層を０．０３（μｍ）形成した。
その後、銅めっきを施したその基板に対して、Ａｇ濃度：７５（ｇ／Ｌ）、シアン濃度７５（ｇ／Ｌ）、光沢剤濃度：１０（ｃｃ／Ｌ）、電流密度３（Ａ／ｄｍ^２）とし６０秒間電解めっきを施し２μｍのＡｇめっきを形成し、白色樹脂充填、バリ取り処理を行い、サンプルを作製した。

＜実施例２＞
エッチング処理後のＬＥＤ素子用リードフレームに、スルファミン酸Ｎｉ：４００（ｇ／Ｌ）、塩化Ｎｉ：１０（ｇ／Ｌ）、ホウ酸：３６（ｇ／Ｌ）、一次光沢剤：３０（ｃｃ／Ｌ）、二次光沢剤０.０３（ｃｃ／Ｌ）のスルファミン酸Ｎｉ浴にて、電流密度２（Ａ／ｄｍ^２）とし３００秒間基板に対して電解めっきを施すことにより、２（μｍ）のＮｉめっき層を形成した。なお、一次光沢剤として〜社製、〜を、二次光沢剤として〜社製、〜を使用した。
その後、シアン化第一銅３０（ｇ／Ｌ）、シアン化カリウム４５（ｇ／Ｌ）、炭酸カリウム３０（ｇ／Ｌ）、ロッシェル塩５０（ｇ／Ｌ）、添加剤５（ｇ／Ｌ）のシアン化銅浴で電流密度１（Ａ／ｄｍ^２）にて、電解銅めっき層を０．０３μｍ形成した。なお、添加剤には実施例１と同じものを使用した。
電解銅めっきを施したＬＥＤ素子用リードフレームに対して、Ａｇ濃度：７５（ｇ／Ｌ）、シアン濃度７５（ｇ／Ｌ）、光沢剤濃度：１０（ｃｃ／Ｌ）、電流密度３（Ａ／ｄｍ^２）とし６０秒間電解めっきを施し２（μｍ）のＡｇめっき層を形成し、白色樹脂充填、バリ取り処理を行い、サンプルを作製した。なお、光沢剤には実施例１と同じものを使用した。

＜比較例1＞
比較例１ではエッチング処理後のＬＥＤ素子用リードフレームにスルファミン酸Ｎｉ：４００（ｇ／Ｌ）、塩化Ｎｉ：１０（ｇ／Ｌ）、ホウ酸：３６（ｇ／Ｌ）、一次光沢剤：３０（ｃｃ／Ｌ）、二次光沢剤０.０３（ｃｃ／Ｌ）のスルファミン酸Ｎｉ浴にて、電流密度２（Ａ／ｄｍ^２）とし３００秒間基板に対して電解めっきを施すことにより、２（μｍ）のＮｉめっきを形成した。なお、一次光沢剤と二次光沢剤には実施例２と同じものを使用した。
その後、Ｎｉめっきを施した基板に対して、Ａｇ濃度：７５（ｇ／Ｌ）、シアン濃度７５（ｇ／Ｌ）、光沢剤濃度：１０（ｃｃ／Ｌ）、電流密度３（Ａ／ｄｍ^２）とし６０秒間電解めっきを施し２（μｍ）のＡｇめっきを形成し、白色樹脂充填、バリ取り処理を行い、サンプルを形成した。なお、光沢剤には実施例１と同じものを使用した。

（評価方法）
表１に示す評価結果は、以下の評価方法に従い測定した。
・ めっき光学特性評価(反射率、光沢度)
装置：日立製 分光光度計 Ｕ−４１００
・ 結晶粒径測定
装置：リガク製 Ｘ線回折装置 ＳｕｐｅｒＬａｂ
Ｘ線回折ピークの半値幅とシェラーの式から結晶子サイズを算出し、粒径とした。
・ ＬＥＤ点灯試験
試験環境：８５℃８５％ ２００ｍＡ
搭載ＬＥＤ素子：Ｇｅｎｅｌｉｔｅ製 Ｂ２４２４ＤＣ１０
光束測定：Ｌａｂｓｐｈｅｒｅ Ｉｎｃ．製 積分球ＬＭＳ−２００、分光器ＣＤＳ６１０
めっき変色については、発生の有無を○、×にて記載し光束については初期値を基準と
し記載。

（評価結果）
評価結果を表１にまとめる。

表１に示す評価結果より、本発明のＬＥＤ素子用のリードフレームにおいてＬＥＤ素子搭載用のパッド部及び、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接合エリアを有する金属リード部の表面にＣｕ／Ａｇめっき層を形成することで、波長４６０ｎｍでの９２％以上の反射率と光沢度１．４ＧＡＭ以上の光学特性を有している。また、ＬＥＤ点灯試験のめっき変色が確認されず、２０１８時間経過後でも８５％以上の光束を維持することが可能となる。

本発明によれば、ＬＥＤ素子用リードフレームにおいてＬＥＤ素子搭載用のパッド部及び、ＬＥＤ素子と電気的に接続を行うための電気的接合エリアを有する金属リード部にＣｕ／Ａｇめっき層を形成することで、可視光領域で高い反射率を有し、なおかつＬＥＤ素子の駆動熱の影響によるＡｇめっき面の変色の抑制が可能なことから、高い信頼性が必要な照明用途などの使用に適している。

１ ＬＥＤ素子用リードフレーム
２ パッド部
２a ＬＥＤ素子搭載部
２b 電極部
３ 電気的接続エリア
３a リード部
３b 電極部
４ 充填樹脂
５ リフレクタ
６ 充填樹脂層
７ 貫通孔
８ タイバー
９ 封止樹脂
１０ ＬＥＤ素子
１１ めっき層
１２ リードフレームと成形樹脂接続部
１３ Ａｇめっき層
１４ 銅めっき層
１５ Ｎｉめっき層
４０ 上金型
４１ 下金型
４２ 注入口
４３ 凹部
Ａ ＬＥＤ素子用リードフレーム基板
ＭＬ 多面付けＬＥＤ素子用リードフレーム基板
Ｗ ワイヤボンディング
ｔ１ リードフレームの厚み
ｔ２ 充填樹脂層６の深さ
ｔ３ 充填樹脂層６の幅

Claims (7)

1. ＬＥＤ素子搭載部と電気的にＬＥＤ素子と接続を行うためのリード部とを備えているＬＥＤ素子用リードフレームであって、
   前記ＬＥＤ素子搭載部と前記リード部にはＣｕめっき層とＡｇめっき層がこの順に形成されていることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム。
2. 前記ＬＥＤ素子搭載部と前記リード部にはＣｕめっき層の下にＮｉめっき層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ素子用リードフレーム。
3. 請求項１または２に記載のＣｕめっき層の厚みが０．０３μｍ以上、Ａｇめっき層が２μｍ以上であることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム。
4. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のＣｕめっき層の結晶粒径が、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から算出される結晶子のサイズとして評価した時に０．０５μｍ以上３μｍ以下の範囲にあることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム。
5. 請求項１〜３のいずれか１項に記載のＡｇめっき層の結晶粒径が、Ｘ線回折により得られる回折ピークの半値幅とシェラーの式から算出される結晶子のサイズとして評価した時に０．１μｍ以上２０μｍ以下の範囲にあることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム。
6. 請求項１〜５のいずれか１項に記載のＡｇめっき層が、波長４６０ｎｍで反射率が９２％以上、光沢度１．４０ＧＡＭ以上の光学的特性を有することを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム。
7. 請求項１〜６のいずれか１項に記載のＬＥＤ素子用リードフレームと樹脂モールドにより形成されたリフレクタを備えていることを特徴とするＬＥＤ素子用リードフレーム基板。

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