JP2012033724A - 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】樹脂付リードフレーム10は、リードフレーム15と、リードフレーム15上に設けられた外側樹脂23とを備えている。リードフレーム15は、LED素子21を載置する載置面11aを有する本体部11と、本体部11上に設けられ、LED素子21からの光を反射するための反射層として機能するAgめっき層12とを含んでいる。Agめっき層12は、外側樹脂23に対応する外側樹脂対応部16と、封止樹脂24に対応する封止樹脂対応部17とからなっている。Agめっき層12の封止樹脂対応部17の光沢度は、外側樹脂対応部16の光沢度より高められている。
【選択図】図1
Description
まず、図1により、本実施の形態によるLED素子用の樹脂付リードフレームの概略について説明する。図1は、本実施の形態による樹脂付リードフレームを示す断面図である。
次に、図2および図3により、図1に示す樹脂付リードフレームを備えた半導体装置の一実施の形態について説明する。図2および図3は、本発明の一実施の形態による半導体装置(SONタイプ)を示す図である。
次に、図1に示す樹脂付リードフレーム10の製造方法について、図5乃至図8を用いて説明する。
次に、図2および図3に示す半導体装置20の製造方法について、図9(a)−(f)を用いて説明する。
次にこのような構成からなる本実施の形態の作用について、図10を用いて説明する。図10は、本実施の形態による半導体装置が配線基板上に配置されている状態を示す断面図である。
以下、本実施の形態による半導体装置の変形例について、図11を参照して説明する。図11は、半導体装置の変形例(SONタイプ)を示す断面図である。図11において、図2に示す実施の形態と同一部分には同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。
Agめっき層:電解めっきにてAgめっき層形成後、電解剥離により光沢度を付与
光沢度 :微小面分光色差計(日本電色工業株式会社性VSR300) にて測定
密着強度 :図13の測定方法にて測定
樹脂成型物 :底面直径3mm、高さ3mmの円錐台
使用樹脂:日東電工NT-800シリーズ
成型条件:トランスファーモールド150℃、180秒
キュア150℃、2時間
11 本体部
11a 載置面
12 Agめっき層
15 リードフレーム
16 外側樹脂対応部
17 封止樹脂対応部
20 半導体装置
21 LED素子
22 ボンディングワイヤ(導電部)
23 外側樹脂
23a 凹部
23b 樹脂バリ
24 封止樹脂
25 第1の部分
26 第2の部分
27 第1のアウターリード部
28 第2のアウターリード部
Claims (11)
- LED素子用の樹脂付リードフレームにおいて、
LED素子を載置するとともにLED素子を封止する封止樹脂が設けられるリードフレームと、
リードフレーム上に設けられ、LED素子を取り囲む外側樹脂とを備え、
リードフレームは、
LED素子を載置する載置面を有する本体部と、
本体部上に設けられ、LED素子からの光を反射するための反射層として機能するAgめっき層とを含み、
Agめっき層は、外側樹脂に対応する外側樹脂対応部と、封止樹脂に対応する封止樹脂対応部とからなり、
Agめっき層の封止樹脂対応部の光沢度は、外側樹脂対応部の光沢度より高いことを特徴とする樹脂付リードフレーム。 - 本体部は、銅、銅合金、または42合金からなることを特徴とする請求項1記載の樹脂付リードフレーム。
- Agめっき層の封止樹脂対応部は、リードフレームのAgめっき層に対して、外側樹脂をマスクとしてAgめっき層表面を電解剥離することにより得られたものであることを特徴とする請求項1または2記載の樹脂付リードフレーム。
- 半導体装置において、
LED素子を載置する載置面を有する本体部と、本体部上に設けられ、LED素子からの光を反射するための反射層として機能するAgめっき層とを含むリードフレームと、
リードフレームの本体部の載置面上に載置されたLED素子と、
リードフレームとLED素子とを電気的に接続する導電部と、
リードフレーム上に設けられ、LED素子を取り囲む外側樹脂と、
LED素子と導電部とを封止する封止樹脂とを備え、
リードフレームのAgめっき層は、外側樹脂に対応する外側樹脂対応部と、封止樹脂に対応する封止樹脂対応部とからなり、
Agめっき層の封止樹脂対応部の光沢度は、外側樹脂対応部の光沢度より高いことを特徴とする半導体装置。 - 本体部は、銅、銅合金、または42合金からなることを特徴とする請求項4記載の半導体装置。
- 封止樹脂はシリコーン樹脂からなることを特徴とする請求項4または5記載の半導体装置。
- 外側樹脂はLED素子を取り囲む凹部を有し、封止樹脂は、外側樹脂の凹部内に充填されていることを特徴とする請求項4乃至6のいずれか一項記載の半導体装置。
- LED素子を載置するとともにLED素子を封止する封止樹脂が設けられるリードフレームと、リードフレーム上に設けられ、LED素子を取り囲む外側樹脂とを有する樹脂付リードフレームを製造する、樹脂付リードフレームの製造方法において、
LED素子を載置する載置面を有する本体部を準備する工程と、
本体部上に、反射層として機能するAgめっき層を形成することによりリードフレームを作製する工程と、
リードフレームのAgめっき層上に、外側樹脂を形成する工程と、
リードフレームのAgめっき層に対して表面の電解剥離を行うことにより、Agめっき層に、外側樹脂に対応する外側樹脂対応部と、封止樹脂に対応する封止樹脂対応部とを形成する工程とを備え、
Agめっき層の封止樹脂対応部の光沢度は、外側樹脂対応部の光沢度より高いことを特徴とする樹脂付リードフレームの製造方法。 - Agめっき層の封止樹脂対応部は、リードフレームのAgめっき層に対して、外側樹脂をマスクとしてAgめっき層表面を電解剥離することにより得られたものであることを特徴とする請求項8記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
- 外側樹脂を形成する工程の後、リードフレームのAgめっき層上に生じた樹脂バリを除去する工程が設けられていることを特徴とする請求項8または9記載の樹脂付リードフレームの製造方法。
- 半導体装置の製造方法において、
請求項8乃至10のいずれか一項記載の樹脂付リードフレームの製造方法により樹脂付リードフレームを作製する工程と、
樹脂付リードフレームの本体部の載置面上にLED素子を搭載する工程と、
LED素子とリードフレームとを導電部により接続する工程と、
LED素子および導電部を封止樹脂により樹脂封止する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
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