JP2015126169A - 発光装置用リードフレーム又は基板、並びにそれを備える発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
以下に、発明の実施の形態について説明する。但し、以下に説明する発光装置用リードフレーム又は基板、並びにそれを備える発光装置は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、特定的な記載がない限り、本発明を以下のものに限定しない。
スキャナ−径:20μm
走査周波数:1.0Hz
測定エリア:5μm×5μm角
XYデ−タ数:256×256
探針:SI−DF20(材質=シリコン、先端半径R=10nm、探針高さ=12.5μm)
Claims (6)
- 基体上に銀又は銀合金めっき層を有する、発光装置用リードフレーム又は基板であって、
前記銀又は銀合金めっき層は、光沢度が1.3以上であり、原子間力顕微鏡で測定される、算術平均粗さRaが2nm以上10nm以下であり、且つ粗さ曲線要素の平均長さRSmが300nm以上1000nm以下である、リードフレーム又は基板。
[請求項2]
前記銀又は銀合金めっき層は、厚さが0.05μm以上10μm以下である、請求項1に記載のリードフレーム又は基板。 - 前記基体と前記銀又は銀合金めっき層の間に、銅、ニッケル、パラジウム、白金、ロジウム、コバルト、亜鉛、金、チタン、タングステン、タンタル、インジウム、クロムの群から選ばれる1種以上の純金属又はこれらの合金の層を少なくとも1つ有する、請求項1又は2に記載のリードフレーム又は基板。
- 前記基体は、銅又は銅合金であって、
前記基体上に、銅めっき層と、前記銀又は銀合金めっき層と、をこの順に有する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のリードフレーム又は基板。 - 前記基体は、銅又は銅合金であって、
前記基体上に、ニッケルめっき層と、パラジウム又はパラジウム合金めっき層と、前記銀又は銀合金めっき層と、をこの順に有する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のリードフレーム又は基板。 - 前記基体は、銅又は銅合金であって、
前記基体上に、ニッケルめっき層と、パラジウム又はパラジウム合金めっき層と、金又は金合金めっき層と、前記銀又は銀合金めっき層と、をこの順に有する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載のリードフレーム又は基板。 - 前記銀合金は、銀金合金である、請求項1乃至6のいずれか一項に記載のリードフレーム又は基板。
[請求項8]
請求項1乃至7のいずれか一項に記載のリードフレーム又は基板と、前記リードフレーム又は基板に載置された発光素子と、を備える発光装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017183662A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材料およびその製造方法 |
JP2020181924A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
US11183619B2 (en) | 2018-11-30 | 2021-11-23 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4247372A (en) * | 1978-08-29 | 1981-01-27 | Learonal, Inc. | Silver plating |
JP2008091818A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法 |
JP2011134742A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2012033724A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2012151289A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置 |
JP2013026427A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
JP2013125859A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 |
JP2013201399A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体装置用リードフレーム用の基体、これを用いた光半導体装置用リードフレームとその製造方法、および光半導体装置 |
JP2013239540A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法 |
JP2013249514A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Nichia Corp | 光半導体装置用電解銀めっき液 |
-
2013
- 2013-12-27 JP JP2013271053A patent/JP6331388B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4247372A (en) * | 1978-08-29 | 1981-01-27 | Learonal, Inc. | Silver plating |
JP2008091818A (ja) * | 2006-10-05 | 2008-04-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置用リードフレームおよびこれを用いた光半導体装置、並びにこれらの製造方法 |
JP2011134742A (ja) * | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Nichia Corp | 発光装置の製造方法 |
JP2012033724A (ja) * | 2010-07-30 | 2012-02-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP2012151289A (ja) * | 2011-01-19 | 2012-08-09 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体実装用基板、その製造方法、及び光半導体装置 |
JP2013026427A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体装置用リードフレーム及びその製造方法 |
JP2013125859A (ja) * | 2011-12-14 | 2013-06-24 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体装置用リードフレーム、光半導体装置用リードフレームの製造方法、および光半導体装置 |
JP2013201399A (ja) * | 2012-03-26 | 2013-10-03 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 光半導体装置用リードフレーム用の基体、これを用いた光半導体装置用リードフレームとその製造方法、および光半導体装置 |
JP2013239540A (ja) * | 2012-05-14 | 2013-11-28 | Shin Etsu Chem Co Ltd | 光半導体装置用基板とその製造方法、及び光半導体装置とその製造方法 |
JP2013249514A (ja) * | 2012-05-31 | 2013-12-12 | Nichia Corp | 光半導体装置用電解銀めっき液 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017183662A (ja) * | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 古河電気工業株式会社 | リードフレーム材料およびその製造方法 |
US11183619B2 (en) | 2018-11-30 | 2021-11-23 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light emitting device |
JP2020181924A (ja) * | 2019-04-26 | 2020-11-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7256382B2 (ja) | 2019-04-26 | 2023-04-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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