CN109427952A - 引线框架、发光装置用封装体、发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的在于提供一种能够进一步提高光提取效率的发光装置用的引线框架和封装体等。所述引线框架含有由金属构成的母材和层叠于该母材上的2层以上的含Ag层，在该2层以上的含Ag层中，最上层的含Ag层含有硫，下层的含Ag层是不含硒或仅包含不可避免的杂质的层，所述封装体具备将该引线框架的最上层的含Ag层以露出的方式进行填埋的基材，所述发光装置具备所述封装体和发光元件，所述发光元件安装于该封装体的所露出的最上层的含Ag层的上表面。

Description

引线框架、发光装置用封装体、发光装置及其制造方法
技术领域
本公开涉及引线框架、发光装置用封装体、发光装置和发光装置的制造方法。
背景技术
在使用半导体发光元件(以下，也简称为“发光元件”)的发光装置中，大量采用在表面设置有对来自发光元件的光具有高反射率的银(Ag)的封装体(例如，专利文献1～4)。
这些发光装置中，通过利用局部或整体地层叠的镀银层或通过层叠结构进行镀银层的组成或光泽度等的调整等，实现光的提取效率的提高。现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2002－094130号公报
专利文献2：日本特开昭61－148883号公报
专利文献3：日本特开2010－199166号公报
专利文献4：日本特开2014－99496号公报
发明内容
然而现状是尚未达到能够满足的充分的光提取效率的提高。
鉴于这种状況，本公开的目的在于提供一种能够进一步提高光提取效率的发光装置用引线框架和封装体，并且提供一种这样的发光装置和发光装置的制造方法。
本申请发明包含以下发明。
(1)一种引线框架，含有：
由金属构成的母材，以及
层叠于该母材上的2层以上的含Ag层，
该2层以上的含Ag层中，最上层的含Ag层含有硫，
下层的含Ag层是不含硒或仅包含不可避免的杂质的层。
(2)一种封装体，其具备以本申请中的引线框架的最上层的含Ag层露出的方式填埋的基材。
(3)一种发光装置，其具备上述封装体和发光元件，
上述发光元件安装在该封装体的所露出的所述最上层的含Ag层的上表面。
(4)一种发光装置的制造方法，其包括如下工序：
准备母材，
在该母材上以镀覆形成底层金属，
在该底层金属上以镀覆形成由2层以上的叠层构成且在该2层以上的叠层的最上层含有硫的含Ag层，从而准备引线框架，
准备具备该引线框架的封装体，
将发光元件安装于该封装体。
根据本公开，可以提供能够进一步提高光提取效率的发光装置用的引线框架和封装体。
此外，通过使用这种引线框架或封装体，可以提供进一步提高了光提取效率的发光装置和发光装置的制造方法。
附图说明
图1A是用于说明引线框架的一个实施方式的简要局部放大截面图。
图1B是用于说明引线框架的另一个实施方式的简要局部放大截面图。
图2A是用于说明使用图1的引线框架的一个实施方式的发光装置的简要俯视图。
图2B是图2A的发光装置的II－II’线的简要截面图。
图3的A～D是用于说明图2A的发光装置的制造方法的简要截面工序图。
图4A是用于说明另一个实施方式的发光装置的简要立体图。
图4B是图4A的发光装置的III－III’线的简要截面图。
图5A是用于说明具有2层以上的含Ag层的引线框架的一个实施方式的卷对卷(reel-to-reel)镀覆装置的工序图。
图5B是用于说明具有2层以上的含Ag层的引线框架的一个实施方式的卷对卷镀覆装置的工序图。
图6是表示使用图1A的引线框架的发光装置的蓝色辐射通量的测定结果的坐标图。
图7是表示使用图1A的引线框架的发光装置的绿色辐射通量的测定结果的坐标图。
图8是表示使用图1A的引线框架的发光装置的红色辐射通量的测定结果的坐标图。
图9是表示使用图1A的引线框架的发光装置的白色的全光通量的测定结果的坐标图。
符号说明
1 光反射材料
1a 母材
1b 底层镀覆层
1c 中间镀覆层
1c1 第1中间镀覆层
1c2 第2中间镀覆层
1d 含Ag层
1d1 第1含Ag层
1d2 第2含Ag层
2 发光元件
3 基材(树脂成型体)
31 凹部
32 底面部
4 接合构件
5 密封构件
6 线
10、20 发光装置
100 引线框架镀覆前卷取卷
101A 碱性电解脱脂处理槽
101B 碱性电解脱脂液储备罐
102A 酸中和处理槽
102B 酸中和液体储备罐
103A 底层镀覆1b处理槽
103B 底层镀覆1b液体储备罐
104A 中间镀覆1c1处理槽
104B 中间镀覆1c1液体储备罐
105A 中间镀覆1c2处理槽
105B 中间镀覆1c2液体储备罐
106A Ag镀覆1d1处理槽
106B Ag镀覆1d1液体储备罐
106C Ag镀覆1d1液体储备罐
107A Ag镀覆1d2处理槽
107B Ag镀覆1d2液体储备罐
108 热风干燥处理装置
109 引线框架镀覆后卷取卷
110 引线框架
具体实施方式
以下一边参照附图一边说明用于实施本发明的方式。但是，以下所示的方式是将用于使本发明的技术思想具体化的引线框架、封装体、发光装置和发光装置的制造方法进行例示，并非是如下限定本发明。此外，实施方式所记载的构成部件的尺寸、材质、形状、其相对配置等只要没有特定的记载，则并不是将本发明的保护范围仅限定于其的意思，只是例示而已。应予说明，各附图示出的构件的大小、位置关系等有时为了明确地说明而进行放大。
实施方式1：引线框架
该实施方式的引线框架含有母材以及层叠于该母材上的2层以上的特定的含Ag层，即，最上层的含Ag层含有硫，下层含Ag层不含硒或仅包含不可避免的杂质的层而构成。
作为高效地制造含Ag层的方法，优选为电镀法，而在以电镀法制作含有硫的含Ag层时，在所使用的电镀液中，除了Ag金属络合物以外，为了使含Ag层的表面平滑而制成光反射率高的表面，还少量添加各种有机硫化合物。如此，从添加了有机硫化合物的Ag镀覆液电镀析出的含Ag层可得到反射率高、平滑的析出结晶粒子，但镀覆时含有微量有机硫成分。这里所说的硫为有机硫，与作为变黑的现象的原因的硫化银不同，已知Ag通常与空气中的硫化氢反应，生成硫化银(I)而发生变黑的现象。
H2S+Ag→Ag2S+H2
因此，即使在含Ag层中微量存在硫，也不会如同硫化银那样加速因黑色变色所致的反射率的下降。
应予说明，在对引线框架中的母材的表面实施有银的镀层时，若银变黑则反射率大幅降下降，因此通常将银载置于不进行硫化的环境。
通常，若提升引线框架等光反射构件表面的光泽度，则光的反射率提高，通过其反射光可以提高发光装置的亮度。但是，由于基于光泽度的提升的光反射为正反射，因此虽然发光装置的中央整面明亮，可得到强光，但在其周边部光变弱，成为指向性高、光分布性低的发光装置。这种发光装置适合作为聚光灯，但很难说适合于室外广告显示板、发光显示板、信号机等乃至一般照明等。这种发光装置中，若在光的射出部位配置光扩散材料，则可以实现发光装置的整面的出射光的均匀性。另一方面，因光扩散材料产生光吸收，导致光提取效率的下降，并且难以调整其分散形态和分量等，产生亮度或颜色偏差。
因此，如上所述，通过选择性地配置2层以上的特定的含Ag层，可以在不提高光泽度的情况下使亮度提高，即，可实现高的全光通量，可得到能够显著提高光的提取效率的引线框架以及发光装置。并且，通过选择性地组合这种特定的含Ag层，可以通过比较简便的制造装置、制造工序，在不增大制造成本的情况下实现能得到这种有利的特性的引线框架和发光装置等。因此，能够提供一种引线框架，其不使用难以调整其分散形态和分量等的光扩散材料就能够构成发光装置。
如下所述，引线框架除了这些母材、2层以上的含Ag层以外，还可以进一步含有1个以上的层，例如中间层、底层等。
具体而言，如图1A所示，引线框架1可以进一步具有层叠于母材1a上的底层1b和层叠于其上的中间层1c。中间层1c例如具有第1中间层1c1和第2中间层1c2等，2层以上的含Ag层1d的下层层叠于第2中间层1c2上。这些层只要层叠于母材1a的一面即可，但若考虑到这些层的形成方法，优选层叠于母材1a的整个表面，即，表面、背面和侧面的整面。
另外，本申请中引线框架反射来自发光元件和后述的波长转换构件的发光。引线框架1若为能够发挥这种反射功能的形态，则也可以以这样的形态应用。例如，可以设置于发光元件的下方，也可以设为环绕发光元件的反射器形状。此外，作为板状的引线框架，可以实现作为形成于绝缘性的基体上的配线图案，作为任意地利用线等与发光元件电连接的正负的导电构件的作用。而且，引线框架1也可以兼具作为载置发光元件的载置构件、进行放热的放热构件、与发光元件电连接的导电构件的功能。
(含Ag层1d)
含Ag层1d被层叠2层以上而设置于引线框架1的表面。
含Ag层1d由Ag单体、Ag与选自Au、Pt、Rh、Pd、Os、Ru、Sn、In、Zn和Te等中的1种以上的元素的合金形成。为Ag合金的情况下，银的比例优选为约70重量％～99重量％。
含Ag层1d的合计厚度优选为约0.05μm～约5.0μm。若含Ag层1d的合计厚度为0.05μm以上，则光反射率高，因此优选。此外，若含Ag层1d的合计厚度超过5.0μm，则昂贵的银的使用量增加，不经济，但尤其是作为发光装置没有缺点。从将材料成本的增加抑制在最小限度以及焊线性等安装可靠性的观点和防止硫化的观点出发，含Ag层1d的合计厚度优选为约0.1μm～约3.5μm。为了提高光反射率，更优选为约0.5μm～约3.5μm。而且，为了防止来自底层等的元素等的扩散，进一步优选为约0.5μm～约3.0μm。
如图1B所示，在2层以上的含Ag层1d中，含Ag层1d1是不含硒的层或不含不可避免的杂质以外的物的含Ag层。含Ag层1d1中的硒元素的浓度优选为0.01重量ppm～30重量ppm左右。此外，不可避免的杂质是指例如在以电镀法制作含Ag层时，从制作中使用的镀银液中的氰化盐、碳酸盐、磷酸盐等盐类、铜或铁杂质盐混入的碳、氮、氧、磷、铜等微量杂质、或含有它们的化合物。这些杂质是指由通常的经电镀的含Ag层通过高灵敏度质谱仪等的测定进行检测的元素。含Ag层1d1可以是单层，也可以是2层以上。优选不含硒是因为在以电镀法制作含Ag层时，在使用的Ag镀覆液中放入微量的硒添加剂而使用则由于难以精密地管理Se添加剂浓度，极难得到稳定的Ag镀覆外观。
如图1B所示，在2层以上的含Ag层1d中，最上层的含Ag层1d2含有硫。最上层的含Ag层中的硫元素的浓度优选为20重量ppm～250重量ppm，更优选为50重量ppm以上，进一步优选为200重量ppm以下。通过设为该范围，可得到充分的光反射率，提高光的提取效率。同时，可以在不使皮膜的纯度下降的情况下防止例如安装组装发光元件时的粘片(Die Bond)性，焊线(Wire Bond)性等的下降。
最上层的含Ag层1d2中的硫是因为在以电镀法制作时，由镀覆液中的有机硫成分构成的光泽剂的一部分混入含Ag层。由该有机硫成分构成的光泽剂例如可以作为将含硫的杂环化合物、硫醇化合物作为光泽剂的市售的镀覆液获得。
对于本实施方式所涉及的引线框架而言，相对于可见光区域的波长的光的反射率优选为70％以上，更优选为80％以上。由此，能够提高光提取效率。为了提高光反射率，如后所述，可举出使用平坦度高的母材1a。
此外，从光分布性的观点出发，优选为无光泽到半光泽。光泽度可举出0.3～1.4，优选为0.6～1.2。通过设为这种光泽度，可以防止光提取效率显著下降，并且可以防止入射到引线框架的光的正反射的增加所引起的光分布的变差。这里示出的光泽度是使用微小面色差计VSR 300A(日本电色工业制)以45°照射、垂直受光中得到的值。光泽度可以通过使含有硫成分的最上层的含Ag层与下层含Ag层的厚度的比产生变化而进行调整。
2层以上的含Ag层1d的、含有硫成分的最上层的含Ag层1d2与下层含Ag层1d1的厚度的比率优选为最上层的含Ag层1d2：下层含Ag层1d1＝1：1～99，例如，1：99～50：50。通过使含有硫成分的最上层的含Ag层1d2的厚度为含Ag层1d的合计厚度的1/99～50/50，可以在不降低光提取效率，此外，入射的光的正反射不过度增大的情况下，适当地调整光分布。
2层以上的含Ag层1d也可以不设置于引线框架1的整个表面。即，只要引线框架1的表面的至少一部分为含Ag层1d即可。
例如，在图2A和图3A所示的封装体中，未在作为基材3的树脂成型体的凹部的底面露出的部位，即，引线框架1中的埋设于树脂成型体的侧壁的内部的部位、露出到树脂成型体的外部的外部端子、露出到树脂成型体的底面侧的元件的安装部位的一部分或全部，也可以不设置含Ag层1d。
例如，如图1所示，含Ag层1d可以设置于引线框架1的表面和背面这两者，也可以仅设置于一面，不设置于另一面。此外，也可以仅设置于一面的一部分。此外，含Ag层1d可以在其全部上为同等的厚度，也可以具有不同的厚度。具体而言，含Ag层1d可以设置于引线框架1的表面和背面且一面的厚度比另一面厚。通过在使发光元件搭载的上表面、发光元件的附近的部分设置厚的含Ag层1d，可以实现光提取效率的提高。如此，通过使厚度不同，可以减少Ag等材料的量，有效地减少材料成本。
作为在引线框架1的一部分形成含Ag层1d的方法，可举出在将含Ag层1d成膜时用抗蚀剂或保护胶带等来将不形成含Ag层1d的部分以掩模进行保护的方法等。
(母材1a)
引线框架1具备母材1a而在其上层叠含Ag层1d。母材1a作为确定引线框架1的大致形状的材料被使用。
作为母材1a的材料，可举出Cu、Fe等金属和它们的合金或复层金属(例如Cu/FeNi/Cu的层叠体)等。尤其是除了放热性以外，还从机械特性、电特性、加工性等观点出发，优选为Cu及其合金。此外，由于复层金属可以较低地抑制线膨胀系数，因此可以提高发光装置等的可靠性。
母材1a的形状可以根据应用的形态而适当选择。例如，可以是板状、块状、膜状等形状，可以是在陶瓷等上以印刷等设置的配线图案或在这种图案上镀覆有Cu或其合金的配线图案的形状。
母材1a的厚度可以设定为作为引线框架等使用的厚度等。
为了提高引线框架1的光反射率，母材1a优选其平坦度高。例如，优选将母材1a的表面粗糙度Ra设为0.5μm以下。由此，可以提高母材1a上设置的底层1b、中间层1c和含Ag层1d的平坦度，即便使反射光的含Ag层1d的厚度设为非常薄的0.1μm～0.5μm，也可以提高引线框架1的光反射率。母材1a的平坦度可以通过进行轧制处理、物理研磨、化学研磨等处理来提高。
(底层1b)
如上所述，引线框架1可以在母材1a与含Ag层1d之间具有底层1b。
底层1b例如可以由Cu、Ni、NiCo、NiSn、NiP等形成。其中，优选使用能够容易地制造的Cu或Ni。就Cu而言，即使母材为Cu合金也具有减轻母材的加工划痕和凹凸的效果，除此以外，还可以在引线框架整体形成没有不均的均匀的含Ag层。在母材为铜或铜合金时，Ni或其合金层作为阻隔向含Ag层的扩散的层有效。
底层1b的厚度优选例如为约0.05μm～约10μm，更优选为约0.1μm～约5μm。通过将厚度设为该范围，可以减少母材1a的凹凸，有效地减少金属元素、例如铜向含Ag层的扩散。此外，可以减少原材料和制造成本。
(中间层1c)
引线框架1可以在母材1a与含Ag层1d之间，尤其是在底层1b与含Ag层1d之间具有中间层1c。中间层1c可以是单层结构，也可以是层叠结构。如图1所示，中间层1c优选具有第1中间层1c1和第2中间层1c2。
中间层1c例如可举出由选自Ni、NiP、Pd和Au中的至少1种金属或金属化合物构成的层。
设置在含Ag层1d的正下方的中间层1c，例如第2中间层1c2优选使用与Ag密合性高且与Ag相比难以与硫成分反应的金属。具体而言，优选为Au、Au合金，特别优选为Au。
设置在底层1b的正上方的中间层1c，例如第1中间层1c1优选为Pd、Pd合金等。
在以含有Cu的材料为母材1a时，优选在母材1a上设置作为Ni或NiP合金的底层1b，在其上依次层叠Pd或Pd合金的第1中间层1c1、Au的第2中间层1c2层。通过设为这种构成，可以抑制母材1a的Cu向含Ag层1d扩散，并且可以提高含Ag层1d的密合性和焊线性。
中间层1c可以制成兼具防止硫化和防止扩散这两者的层。由此，可以减少成本。例如，Au难以与硫成分反应，扩散防止的效果也高，因此可以优选使用。
(引线框架1的制造)
底层1b、中间层1c和含Ag层1d等层只要可以实现上述构成，则可以利用在该领域公知的成膜方法形成。但是，对于作为发光装置的反射构件使用的具备含Ag层的引线框架，搭载发光元件的部分和用于与安装基板等接合的外部端子即所谓的外部引线部分这两者通常具备含Ag层，因此对于条材形状，无论是整面或部分，都优选依次通过镀覆形成。
作为镀覆的方法，可使用电镀、非电解镀覆等中的任一者。其中，电镀由于层的形成速度快且可以提高量产性，因此优选。此外，更优选通过所谓的卷对卷方式连续地进行镀覆的方法。
首先，优选准备母材1a，对母材1a进行前处理。作为前处理，可举出稀硫酸、稀硝酸、稀盐酸等的酸处理、市售的脱脂剂等的碱处理等。可以将该处理进行1次或多次，可以组合进行相同或不同的处理。在进行多次前处理时，优选在各处理后使用纯水进行流水清洗。在母材1a由Cu或含有Cu的合金构成的金属板时，优选为稀硫酸，在由Fe或含有Fe的合金构成的金属板的情况下，优选为稀盐酸。
在母材1a上形成底层1b。底层1b由Ni或NiP合金形成时，可以使用NiP合金镀覆液形成。
中间层1c可以使用用于得到目标材料层的镀覆液形成。
在以电镀形成含Ag层1d时，通过并用不具有光泽剂的镀覆液和Se系光泽剂、Sb系光泽剂、S系光泽剂、有机系光泽剂等光泽剂，可以提高光泽度。若大量使用光泽剂，则有时这些光泽剂的成分混入到含Ag层1d中，成为使耐腐蚀性变差的主要原因，但通过在镀覆形成含Ag层1d之前形成底层1c，控制其膜质，从而可以减少光泽剂的使用的同时提高光泽度。其结果，可得到具有高的光泽度且耐腐蚀性也优异的引线框架1。
在连续镀覆的方法(卷对卷方式)中，例如，使引线框架通过用镀银液充满的1m左右长度的溢流的电解处理槽的多段。若该电解处理槽为超过1m的长度，则由于引线框架材料的电阻，无法从位于电解处理槽的两端的给电部向引线框架整体通电，无法进行正常的镀银，因此为了确保2μm～5μm左右的银镀层厚度，需要以多段通过电解处理槽。
将连续地镀覆时的镀覆装置的处理工序图的一个例子示于图5A和5B。镀覆前的带状的引线框架通过从图5的引线框架镀覆前卷取卷100连续地经各处理槽101A、102A、103A、104A、105A的处理而连续地生成镀覆层。在各处理槽间可以具有2段或3段的水洗槽。最后用热风干燥装置108干燥后，作为进行了Ag镀覆的引线框架，作为引线框架镀覆后卷取卷109，完成Ag镀覆引线框架。
引线框架镀覆前卷取卷100在碱性电解脱脂处理槽101A中除去油污等而制成洁净的母材1a。在碱性电解处理脱脂槽中，利用泵从碱性电解脱脂液储备罐101B供给碱性电解脱脂液，在溢流槽将引线框架处理后，再次返回至碱性电解脱脂储备罐101B。同样地可以在酸中和处理槽102A、底层镀覆1b处理槽103A、中间镀覆1c1处理槽104A、中间镀覆1c2处理槽105A、Ag镀覆1d1处理槽106A、Ag镀覆1d2处理槽107A依次进行镀覆处理而完成Ag镀覆引线框架。
通常的连续镀覆装置中，如图5A所示，在从1个储备罐106B对作为多段电解处理槽的2个Ag镀覆1d1处理槽和Ag镀覆1d2处理槽供给Ag镀覆液时，所得的镀银皮膜严格地说为层叠结构，但是，即使以FIB－SEM、SEM－EBSD等观察截面部，也难以观察用各镀覆处理槽镀覆的膜间的界面，一般被视为单层镀覆。
另一方面，一台连续镀覆装置中，也能够形成2种光泽度不同的镀银引线框架。为了形成本实施方式的层叠结构，有时也从各自独立的储备罐供给镀银液。
例如，如图5B所示，使用能够从相对于Ag镀覆处理槽106A和107A各自独立的Ag镀覆1d1液体储备罐106B和Ag镀覆1d2液体储备罐107B供给Ag镀覆液的装置，制作Ag镀覆引线框架。在使用该装置用同一连续镀覆装置制造光泽度0.8的Ag镀覆引线框架制品和光泽度1.2的Ag镀覆引线框架制品时，从对多个电解处理槽供给的Ag镀覆液的光泽剂浓度进行了改变的各个独立的储备罐供给Ag镀覆液。然后，例如，在制作光泽度0.8的Ag镀覆引线框架时，在得到光泽度0.8的Ag镀覆的Ag镀覆处理槽106A中进行1段镀覆后，在Ag镀覆处理槽107A停止泵而停止从Ag镀覆1d2液体储备罐107B向Ag镀覆处理槽107A的Ag镀覆液的供给，仅进行1段镀覆而完成。另一方面，在制作光泽度1.2的镀银引线框架时，在得到光泽度0.8的Ag镀覆处理槽106A的处理槽中进行1段镀覆后，在得到光泽度1.6的Ag镀覆处理槽107A的处理槽中进行第2段的镀覆，从而可以制作光泽度1.2的Ag镀覆引线框架。如此可以在由2段以上的多个段数构成的由改变了光泽剂的浓度、光泽剂的种类的各种Ag镀覆液得到的Ag镀覆处理槽中连续地镀覆，制作层叠Ag镀覆引线框架。应予说明，图5A和图5B的处理工序的镀覆装置仅为一个例子，各处理槽可以根据制造的引线框架的式样，对各处理工序设为多个或进行减少。此外，对于各处理工序的处理层的长度，可以根据制造的镀覆式样来调整处理槽的长度。
在这种连续镀覆装置中进行了深入研究的结果，例如，从含有硫光泽剂的Ag镀覆液得到的Ag镀覆层通常在1μm以上的镀层厚度时光泽度为1.5以上，在2μm以上的镀层厚度时光泽度超过1.8。在利用具备高光泽度的镀银层的引线框架的发光装置虽然成为所谓的全光通量高的发光装置，但由于镀银层接近镜面而成为正反射，因此对于一般照明用途需要使用光扩散材料进行光分布特性的调整。但是，在LED显示板等显示器等的用途中，若排列多个使用光扩散材料的发光装置，则由于各个发光装置内的光扩散材料的分散状态和/或分量的差异，排列的显示板的亮度和颜色产生偏差，无法成为实用的显示装置。
与此相对，该实施方式中，通过对最上层的含Ag层中使用由以硫为光泽剂的Ag镀覆液制成的层叠结构的含Ag层，即，通过使用在2层以上的含Ag层中在下层侧配置光泽度低的含银层且在最上层的含Ag层配置含有硫的含Ag层的引线框架，从而能提供尽管光泽度低但发光效率显著高的发光装置。
实施方式2：封装体
如图2A和2B所示，该实施方式的封装体例如具备上述引线框架1和作为基材3的树脂成型体。树脂成型体是用于支撑或保持引线框架1的构件。树脂成型体在上表面具有凹部31，以在凹部31的底面露出一对引线框架1的含Ag层的方式埋设有引线框架1。
引线框架1中，下层1b大多时比通常的金属层脆，因此若使具备下层1b的引线框架1弯曲，则有可能发生含Ag层1d被破坏或含Ag层1d产生裂纹。由此，有可能产生引线框架1的母材1a的氧化或硫化等，发光装置的可靠性下降。
但是，如图2A和2B所示，通过将上述引线框架1制成大致平板状且不具有弯曲部的形状，可以提高作为光反射材料的可靠性。
(基材3)
基材3是一体地保持一对引线框架1的构件。
基材3的俯视形状可以为如图2A所示的大致正方形。其中，可以制成横长的矩形、其它四角形多边形以及将它们组合的形状。
对于基材3的凹部31，其侧壁的内面可以相对于底面垂直，可以如图2A和2B所示那样倾斜，也可以具有高低面。凹部31的深度、开口部的形状等可以根据目的和用途而适当调整。优选在凹部31的内面设置光反射材料，除了在底面使引线框架1露出以外，也可以在侧壁的内面具备光反射材料。
基材3可以由热固性树脂、热塑性树脂形成。其中，优选使用热固性树脂。作为热固性树脂，优选为与用于后述的密封构件的树脂相比气体透过性低的树脂，具体而言，可举出环氧树脂组合物、有机硅树脂组合物、有机硅改性环氧树脂等改性环氧树脂组合物、环氧改性有机硅树脂等改性有机硅树脂组合物、聚酰亚胺树脂组合物、改性聚酰亚胺树脂组合物、聚氨酯树脂、改性聚氨酯树脂组合物等。
优选的是，基材3进一步含有TiO2、SiO2、Al2O3、MgO、MgCO3、CaCO3、Mg(OH)2、Ca(OH)2等微粒等作为填充材料(填料)，从而调整光的透射率，使来自发光元件的光的约60％以上反射，更优选使约90％反射。
基体3除了树脂以外，也可以由陶瓷、玻璃和金属等无机物形成。由此，可以制造劣化等少、可靠性高的发光装置。
实施方式3：封装体
如图4A和4B所示，该实施方式的封装体例如具备上述引线框架1和基材3。基材3在俯视时为横长，在其上表面具有横长的凹部31。以在凹部31的底面露出一对引线框架1的含Ag层的方式填埋有引线框架1。引线框架1在基材3的外侧突出一部分，根据基材3的形状，在与上表面对置的背面侧和与上表面邻接的下面侧弯曲而构成外部端子。
实施方式4：发光装置
如图2A和2B所示，该实施方式的发光装置10具备上述封装体和在俯视时为矩形的发光元件2。封装体在基材3的上表面具有凹部31，在凹部31的底面露出一对引线框架1的含Ag层，引线框架1的一部分填埋于基材3。发光元件2安装于所露出的含Ag层的上表面。所露出的含Ag层的上表面反射来自发光元件2和后述的波长转换构件的发光。在安装有发光元件2的凹部内密封有密封构件5。密封构件5由含有荧光体的透光性树脂形成。
这种发光装置中，与引线框架1的含Ag层1d的厚度无关地具有高的光反射率。因此，可以制成光提取效率高的发光装置。
即，在母材和底层上通过镀覆而设置的含Ag层等金属层通常受到母材和底层上的镀层结晶结构的影响。即，母材和底层具有结晶结构时，设置于其上的金属层受到其结晶结构的影响，进行所谓的外延生长。另一方面，确认到了从母材等继承的结晶结构对含Ag层、尤其是厚度为1μm以下的含Ag层的光反射率产生不良影响。因此，通过在母材1a与含Ag层1d之间设置能够减少母材等的结晶结构的影响的底层1b，从而可以减少或排除在母材1a上以镀覆设置的含Ag层1d受到母材1a的结晶结构的影响。其结果，可以形成致密且缺陷少的具有微细的Ag原来的结晶结构的，光反射率高的含Ag层1d。由此，即使减薄含Ag层1d的厚度，也可以得到光反射率高的引线框架1，可以构成光提取效率高的发光装置。
(发光元件2)
发光元件2被设置于从发光元件2射出的光反射到引线框架1的位置。例如，如图2A和2B所示，发光元件2设置于使引线框架1露出于底面的基材3的凹部内。即，发光元件2安装在引线框架1上。由此，可以提高发光装置10的光提取效率。
发光元件2可以选择任意的波长的半导体发光元件。例如，作为蓝色、绿色发光的发光元件2，可使用利用InGaN、GaN、AlGaN等氮化物系半导体、GaP的发光元件。此外，作为红色的发光元件，可使用GaAlAs、AlInGaP等。而且，也可以使用由其以外的材料构成的发光元件2。所使用的发光元件2的组成、发光颜色、大小、个数等可以根据目的而适当选择。
在发光装置10具备波长转换构件时，优选可举出能够高效地激发该波长转换构件的可发光短波长的氮化物半导体。可以根据半导体层的材料和其混合晶比选择各种各样的发光波长。此外，可制成不仅输出可见光区域的光，而且还能输出紫外线或红外线的发光元件2。
发光元件2具有正负的电极。这些正负的电极可以设置在一面侧，也可以设置在发光元件2的上下两面。发光元件2可以利用后述的接合构件4和线6，与引线框架1连接，也可以利用接合构件进行倒装式安装。
在引线框架1的含Ag层1d上安装发光元件2时，可以提高光提取效率，因此优选。
为了对发光元件2给电，除了以接合构件4作为导电性部件与发光元件2的电极接合以外，还可以使用线6。线6还能够以连接多个发光元件2之间的方式进行连接。此外，如图2A和2B所示，可以按各个发光元件2各自连接于引线框架1。
(接合构件4)
接合构件4是将发光元件2固定于引线框架1而进行安装的构件。优选为导电性的接合构件4，例如可举出银、金、钯等的导电性糊料，Au－Sn、Sn－Ag－Cu等共晶焊料材料，低熔点金属等的钎料，Cu、Ag、Au粒子或皮膜等。此外，也可以使用绝缘性的材料作为接合构件4。例如，可使用环氧树脂组合物、有机硅树脂组合物、聚酰亚胺树脂组合物、它们的改性树脂、混合树脂等。在使用这些树脂时，考虑到因来自发光元件2的光和热所致的劣化，优选在发光元件2的安装面设置Al膜或Ag膜等反射率高的金属层、电介质反射膜等。
(密封构件5)
发光装置10可以具备密封构件5。通过以被覆发光元件2、引线框架1、线6等的方式设置密封构件5，可以保护所被覆的构件免受尘埃、水分、外力等的影响，可以提高发光装置的可靠性。
密封构件5优选具有能够透过来自发光元件2的光的透光性以及不易因其劣化的耐光性。作为具体的材料，可举出有机硅树脂组合物、改性有机硅树脂组合物、改性环氧树脂组合物、氟树脂组合物等的具有能够透过来自发光元件的光的透光性的绝缘树脂组合物。其中，优选为含有至少1种以上的二甲基有机硅、苯基含量少的苯基有机硅、氟系有机硅树脂等具有硅氧烷骨架的树脂的混合树脂等。
在密封构件5为树脂时，作为密封构件5的形成方法可使用滴灌(滴下)法、压缩成型法、印刷法、传递模塑法、喷射点胶法、喷涂法等。在具有如图2A和2B的凹部31的基体3的情况下，优选为滴灌法，在使用平板状的基体3的情况下，优选为压缩成型法或传递模塑法。
如图2A和2B所示，密封构件5能够以填充基材3的凹部31内的方式设置。
对于密封构件5的外表面的形状，可以根据发光装置10所要求的光分布特性等进行各种选择。例如，通过使上表面为凸状透镜形状、凹状透镜形状、菲涅尔透镜形状、粗糙面等，可以调整发光装置的指向特性和光提取效率。
密封构件5也可以含有波长转换构件、着色剂、光扩散剂、光反射材料、各种填料等添加剂，从光吸收等观点出发，优选不含波长转换构件以外的添加剂。
波长转换构件是使发光元件2的光进行波长转换的材料。来自发光元件2的发光为蓝色光时，作为波长转换构件，优选使用作为铝氧化物系荧光体的一种的钇·铝·石榴石系荧光体(以下，称为“YAG：Ce”)。YAG：Ce荧光体部分吸收来自发光元件的蓝色系的光而发出属于互补色的黄色系的光，因此可以比较简单地形成发出白色系的混色光的高输出功率的发光装置100。
作为着色剂，可举出炭黑等。
作为光扩散剂，可举出二氧化硅、二氧化钛、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、氧化铝、氧化铁、氧化铬、氧化锰、玻璃等。
作为光反射材料，可举出二氧化钛、二氧化硅、二氧化锆、钛酸钾、氧化铝、氮化铝、氮化硼、莫来石、氧化铌、硫酸钡、各种稀土类氧化物(例如，氧化钇、氧化钆)等。
作为填料，可举出玻璃纤维、硅灰石等纤维状填料、碳等无机填料等。
(线6)
线6是连接发光元件2与引线框架1等的构件。线6的材料优选使用Au、Al、Cu等金属和它们的合金。此外，可使用在芯的表面用与芯不同的材料设置被覆层而成的线，例如，在Cu的芯的表面设置Pd或PdAu合金等作为被覆层的线。其中，优选选自可靠性高的Au、Ag、Ag合金中的任一种。其中，优选使用光反射率高的Ag或Ag合金。此时，线6优选由保护膜被覆。由此，可以防止含有Ag的线的硫化和断线，提高发光装置的可靠性。
在引线框架1的母材1a为Cu、线6为Ag或Ag合金时，通过在其间具备底层1b、中间层1c，可以抑制Cu与Ag之间的局部电池的形成。由此，可以减少引线框架1或线6的劣化的可能性，制成可靠性高的发光装置。
(保护膜)
发光装置也可以进一步具备保护膜。保护膜是至少被覆设置于引线框架1的表面的含Ag层1d，主要抑制引线框架1的表面的含Ag层1d的变色或腐蚀的构件。二期，也可以任意地被覆发光元件2、接合构件4、线6、基材3(树脂成型体)等引线框架1以外的构件的表面、未设置含Ag层1d的引线框架1的表面。
保护膜优选通过原子层沉积法(也称为ALD)形成。根据ALD法，可以制膜非常均匀的保护膜，并且所形成的保护膜比通过其他成膜方法得到的保护膜致密，因此可以极其有效地防止含Ag层1d的硫化。
作为保护膜的材料，可举出Al2O3、SiO2、TiO2、ZrO2、ZnO、Nb2O5、MgO、In2O3、Ta2O5、HfO2、SeO、Y2O3、SnO2等氧化物、AlN、TiN、ZrN等氮化物、ZnF2、SrF2等氟化物。它们可以单独使用，也可以组合使用。保护膜可以是单层或层叠结构中的任一者。
发光装置10可以进一步具备各种构件。例如，也可以搭载齐纳二极管作为保护元件。
实施方式5：发光装置的制造方法
发光装置10是引线框架1不具有弯曲部的平板状。
这种发光装置10可以通过以下制造方法制造。
首先，如图3A所示，将作为母材1a的Cu的金属板进行冲压而形成多个一对引线。
接着，通过湿式蚀刻，在金属板的规定的位置形成高低差。在形成高低差后，通过镀覆法在母材1a的表面依次形成底层1b、中间层1c和含Ag层1d1和1d2，形成引线框架1。
如图3B所示，在如此得到的引线框架1上通过传递模塑法形成作为基材3的树脂成型体。如图3B所示，树脂成型体以一对引线分别在凹部31的底面露出的方式形成。
接着，如图3C所示，在形成有基材3的引线框架1的元件载置区域，介由接合构件载置发光元件2。利用线连接发光元件2和引线框架1。其后，在各个凹部31内形成密封构件5。
如图3D所示，将引线框架1和基材3使用切片机等切断，个片化为如图2A和2B所示的各个发光装置10。通过该切断，在发光装置10的外侧面露出引线框架1的截面。该截面中，露出有母材1a、非晶质层1b、底层1c和含Ag层1d。
通过这种制造方法，可以制造具有不具有弯曲部的平板状的引线框架1的发光装置10。
实施方式6：发光装置
如图4A和4B所示，该实施方式的发光装置20具备在俯视时为矩形的发光元件2；在表面具备含Ag层的一对板状的引线框架；以及，填埋有引线框架1的一部分的作为基材3的树脂成型体。
树脂成型体在俯视时为横长的形状，在其上表面具有横长的凹部31。在凹部31的底面，以一对引线框架1的含Ag层露出的方式填埋引线框架1。引线框架1在基材3的外侧一部分突出，根据基材3的形状，在与上表面对置的背面侧和与上表面邻接的下面侧弯曲，构成外部端子。
然后，以被覆这些构件的方式在树脂成型体的凹部31内填充密封构件5。
以下，详细地示出一对引线框架和使用它的发光装置的实施例。
实施例1
在Cu的母材的表面，通过电镀依次形成作为底层的厚度0.8μm的Cu层、在其上的作为下层含Ag层的由不含光泽剂的Ag镀覆液得到的无光泽含Ag层(厚度：0.1μm)、以及在其上的作为最上层含Ag层的由包含硫光泽剂的Ag镀覆液得到的含Ag层(厚度：3.0μm)，准备一对引线框架。
实施例2～4
与实施例1同样地通过电镀形成表1所示的各层，准备一对引线框架。
比较例1～4
与实施例1同样地，不形成下层含Ag层而通过电镀形成表1所示的各层，准备一对引线框架。
【表1】
以如下方式进行实施例中的含Ag层的形成。
使用市售的碱性电解脱脂液将铜系的引线框架脱脂，其后，用10％硫酸水进行酸中和。接下来，用以下组成的镀铜液以液温60℃、电流密度4A/dm2进行镀层厚度0.8μm的镀铜。
镀铜液组成：
氰化铜钾＝200g/L
氰化钾＝25g/L
碳酸钾＝15g/L
其后，用以下组成的冲击镀银液在液温25℃、电流密度1.5A/dm2、镀覆时间15秒的条件下生产冲击镀银薄膜。
冲击镀银液组成：
氰化银钾＝1g/L
氰化钾＝120g/L
碳酸钾＝15g/L
接下来，在实施例1中，用以下组成的镀银液以液温50℃、电流密度4A/dm2进行镀层厚度2.5μm的下层的镀银。
氰化银钾＝70g/L
氰化钾＝120g/L
碳酸钾＝15g/L
接着，用以下组成的镀银液以液温25℃、电流密度4A/dm2进行最上层的镀银。
氰化银钾＝70g/L
氰化钾＝120g/L
碳酸钾＝15g/L
市售硫光泽剂＝20ml/L
在实施例2～3中，制成仅改变镀层厚度的例子。
氰化银钾＝70g/L
氰化钾＝120g/L
碳酸钾＝15g/L
氰化硒酸钾＝0.05mg/L
接着，用以下组成的镀银液以液温25℃、电流密度4A/dm2进行镀银。
氰化银钾＝70g/L
氰化钾＝120g/L
碳酸钾＝15g/L
有机硫光泽剂＝20ml/L
在比较例1～4中，生成实施例1的冲击镀银薄膜后，用以下组成的镀银液以液温25℃、电流密度4A/dm2进行镀层厚度2.5μm的最上层的镀银。
氰化银钾＝70g/L
氰化钾＝120g/L
碳酸钾＝15g/L
为了得到各个光泽度而进行氰化硒酸钾浓度调整。
使用实施例1～4和比较例1～4中得到的引线框架，分别制造与图4A和4B所示的发光装置20实质上同样的结构的发光装置。应予说明，相对于各实施例和比较例，分别搭载RGB的发光元件作为发光元件。此外，制造搭载了涂布有YAG荧光剂的蓝色的发光元件的白色发光装置。对如此制造的发光装置分别进行蓝色辐射通量、绿色辐射通量、红色辐射通量的测定。此外，对白色发光装置测定全光通量。
将其结果分别示于图6～9。
由图6～9可知，即使光泽度低，实施例1～4的发光装置也与含Ag层的厚度无关地，蓝色、绿色、红色的发光元件均示出高的辐射通量。而且，在白色发光装置中，示出高的全光通量。另一方面，在比较例的发光装置中，确认到了与镀银光泽度相同的实施例相比只能得到低的辐射通量或全光通量。
由此可知，上述实施例均为维持高的光分布性的同时得到高的光提取效率的发光装置。

Claims (13)

1.一种引线框架，其特征在于，含有：
由金属构成的母材，以及
层叠于该母材上的2层以上的含Ag层；
该2层以上的含Ag层中，最上层的含Ag层含有硫，
下层的含Ag层是不含硒或仅包含不可避免的杂质的层。
2.根据权利要求1所述的引线框架，其中，所述最上层的含Ag层的含硫量为20重量ppm～250重量ppm。
3.根据权利要求1或2所述的引线框架，其中，所述最上层的含Ag层的光泽度为0.3～1.4。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的引线框架，其中，所述2层以上的含Ag层的合计厚度为0.05～5μm，且所述最上层的含Ag层与所述下层的含Ag层的厚度的比为1：1～99。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的引线框架，其中，在所述含Ag层与所述母材之间具有底层。
6.根据权利要求5所述的引线框架，其中，所述底层是由选自Cu、Ni、Pd和Au中的至少1种金属构成的层。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的引线框架，其中，所述引线框架为平板状，不具有弯曲部。
8.一种封装体，其具备将权利要求1～7中任一项所述的引线框架的最上层的含Ag层以露出的方式进行填埋的基材。
9.一种发光装置，其具备权利要求8所述的封装体和发光元件，所述发光元件安装于该封装体的所露出的所述最上层的含Ag层的上面。
10.根据权利要求9所述的发光装置，其进一步具有连接所述发光元件与所述最上层的含Ag层的线，
该线由Au、Ag、Ag合金、铜、被覆有钯的铜芯线、被覆有钯和银的铜芯线中的任1种构成。
11.一种发光装置的制造方法，其包括如下工序：
准备母材，
在该母材上以镀覆形成底层金属，
该底层金属上以镀覆形成由2层以上的叠层构成且在该2层以上的叠层的最上层含有硫的含Ag层，从而准备引线框架，
准备具备该引线框架的封装体，
将发光元件安装于该封装体。
12.根据权利要求11所述的发光装置的制造方法，其中，以电镀形成所述含Ag层。
13.根据权利要求11或12所述的发光装置的制造方法，其中，以轧制形成所述母材。
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