TWI784400B

TWI784400B - 引線框架

Info

Publication number: TWI784400B
Application number: TW110102564A
Authority: TW
Inventors: 久保田覺史; 樹
Original assignee: 日商大口電材股份有限公司
Priority date: 2020-01-30
Filing date: 2021-01-22
Publication date: 2022-11-21
Also published as: JP2021120992A; TW202145458A; CN113270386A; JP7292776B2

Abstract

本發明提供一種引線框架，其能夠使半導體封裝製品側面的開口面積儘量增大，同時能夠防止由引線的強度降低引起的變形，前述側面能夠目視焊接部分，且將會形成為門形。

在由銅系金屬板形成的引線的第1區域，具有由一面側的深達金屬板的板厚的75~90%的凹陷形成的薄壁部，前述第1區域包含將會成為外部連接用端子的區域的一部分，且橫跨用於切斷成一個一個封裝件的切斷區域的邊界線，在薄壁部的表面，以金屬板的板厚的7.5%以上的厚度形成有凹形補強鍍覆層，在包含形成有補強鍍覆層的第1區域的第2區域的表面，形成有外部連接用鍍覆層，引線的切斷區域的邊界線的凹形底部位置處的外部連接用鍍覆層的表面位於距離金屬板的一面側深達金屬板的板厚的大致50%以上的位置處。

Description

引線框架

發明領域

本發明涉及一種用於製造半導體封裝件的引線框架，前述半導體封裝件是背面側的外部連接用端子與印刷基板等外部設備連接這種類型的。

發明背景

將半導體封裝件組裝到外部設備時，要求焊接部分可視化，以便能夠目視檢查半導體封裝件與外部設備的焊接狀態是良好還是不良。

以往，外周部未設外部引線的例如QFN(Quad-Flat No-leaded，方形扁平無引腳)型半導體封裝件的結構是，在半導體封裝件的背面側排列外部連接用端子，且將露出於半導體封裝件的背面側的多個外部連接用端子與印刷基板等外部設備連接，所以難以目視檢查兩者是否已焊接。

但是，如果不能目視檢查焊接部分，那麼就無法在焊接作業時發現內在的連接不良，從而需要額外付出作業成本，直至之後在通電檢查等中發現連接不良為止。另外，焊接部分也可以使用X射線裝置來透視檢查，但這樣會導致X射線裝置的設備成本增大。

因此，以往，作為能夠目視檢查QFN型半導體封裝件的焊接部分的焊接狀態是良好還是不良的技術，在專利文獻1中提出了：在引線框架的引線的一面側(背面側)的將會成為外部連接用端子的端子部的切斷位置處形成橫穿引線的槽，藉此在露出於已被切斷成一個一個的半導體封裝件背面的外部連接用端子處設置延伸到端緣部的空間部，並將焊料介置於空間部，從而能夠從露出於半導體封裝件的側面的外部連接用端子目視焊接部分。

另外，在專利文獻2中揭示了一種技術：在預定區域的內側設置凹部，對正面側進行樹脂密封後，在凹部的表面有可能露出的位置處實施切斷加工，藉此使外部連接用端子露出的側面成為門形，從而能夠從露出於半導體封裝件側面的外部連接用端子目視焊接部分，前述預定區域包含引線框架的其中一側的面(背面)的將會成為引線的外部連接用端子的區域，且橫跨切斷區域的邊界線。

[背景技術文獻]

[專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2000-294715號公報

[專利文獻2]日本專利特開2018-200994號公報

但是，在專利文獻1所記載的形成橫穿引線的槽的技術中，進行樹脂密封時樹脂會進入槽中，導致能夠用於目視焊接部分的空間部無法形成，從而半導體封裝製品的良率有可能變差。

關於這一點，雖然根據專利文獻2所記載的使外部連接用端子的側面形成為門形的技術，可以獲得能夠目視焊接部分的空間部，但近年來，人們希望能進一步擴大形成為門形的側面的開口面積，以便容易盡可能地目視焊接部分。

如果為了容易目視檢查焊接部分，而在結構如專利文獻2所述的引線框架中使外部連接用端子的將會形成為門形的側面的開口面積儘量增大，那麼會使得引線局部地變薄，因此強度不足，在半導體封裝件的組裝步驟中有可能發生變形。

本發明是鑒於上述以往的課題而完成的，目的在於提供一種引線框架，其能夠使半導體封裝製品側面的開口面積儘量增大，同時能夠防止由引線的強度降低引起的變形，前述側面是能夠目視焊接部分的部位，且將會形成為門形。

為了達成上述目的，本發明的引線框架用於在其中一側的面以及側面露出外部連接用端子的半導體封裝件，且特徵在於：在由銅系材料所構成的金屬板形成的引線的第1區域，具有由一面側的深達前述金屬板的板厚的75~90%的凹陷形成的薄壁部，前述第1區域包含將會成為前述外部連接用端子的區域的一部分，且橫跨用於切斷成一個一個封裝件的切斷區域的邊界線，在前述薄壁部的表面，以前述金屬板的板厚的7.5%以上的厚度形成有凹形補強鍍覆層，在包含形成有前述補強鍍覆層的前述第1區域的第2區域的一面側的表面，形成有外部連接用鍍覆層，前述引線的前述切斷區域的邊界線的凹形底部的位置處的前述外部連接用鍍覆層的表面位於距離前述金屬板的一面側深達該金屬板的板厚的大致50%以上的位置處。

另外，本發明的引線框架宜為：前述補強鍍覆層是包含鎳的鍍覆層，積層有前述補強鍍覆層和前述外部連接用鍍覆層的部位的鍍覆層的厚度是前述金屬板的板厚的10%以上。具有可實現性的是，該厚度處於大約5~55μm的範圍內。

另外，本發明的引線框架宜為：前述引線的側面具有前述補強鍍覆層從前述金屬板露出的部位。

另外，本發明的引線框架宜為：在前述切斷區域的邊界線的位置處，前述引線的側面露出有前述補強鍍覆層。

根據本發明，可獲得一種引線框架，其能夠使半導體封裝製品的側面的開口面積儘量增大，同時能夠防止由引線的強度降低引起的變形，前述側面是能夠目視焊接部分的部位，且將會形成為門形。

1:引線框架

10:金屬板

11:引線

11-1:第1區域

11-1a:薄壁部

11-1b:凹部

11-2:第2區域

12:外部連接用鍍覆層

13:壩條

14:補強用鍍覆層

21:密封樹脂

31:蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩

32:鍍覆用抗蝕劑遮罩

33:蝕刻用抗蝕劑遮罩

40:半導體封裝件

80:外部設備

81:端子

90:焊料

m1:遮蔽膠帶

R1:第1抗蝕劑層

R2:第2抗蝕劑層

R3:第3抗蝕劑層

A-A,B-B,C-C:線

L:邊界線

圖1是表示本發明的第1實施形態的引線框架的主要部分構成的說明圖，且(a)是從一面側(與外部設備連接的一側)進行觀察的圖，(b)是從與(a)的相反側進行觀察的圖，(c)是(a)的引線框架中的成為外部連接用端子的區域的A-A剖視圖，(c')是(c)的局部放大圖，(d)是(a)的引線框架中的成為外部連接用端子的區域的B-B剖視圖，(e)是表示變形例的從與外部設備連接的一側進行觀察的圖，(f)是(e)的C-C剖視圖。

圖2是以圖1(a)的A-A剖面表示圖1的引線框架的製造順序的一例的說明圖。

圖3是以圖1(a)的B-B剖面表示圖1的引線框架的製造順序的一例的說明圖。

圖4是表示使用按照圖2及圖3的製造順序製造而成的引線框架的封裝件的製造順序的一例的說明圖。

圖5是表示將按照圖4的製造順序製造而成的半導體封裝件的外部連接用端子焊接在外部設備上的狀態的從與圖4(e)相同側進行觀察的側視圖。

用以實施發明之形態

以下，參照附圖對本發明的實施形態進行說明。

第1實施形態

如圖1所示，第1實施形態的引線框架1在第1區域11-1具有薄壁部11-1a，前述區域11-1包含由銅系材料所構成的金屬板形成的引線11的一面側的將會成為外部連接用端子的區域的一部分，且橫跨用於切斷成一個一個封裝件的切斷區域的邊界線L，並且與壩條13交叉。

如圖1(c)、圖1(c')所示，薄壁部11-1a是由一面側的深達金屬板10的板厚的75~90%的凹陷形成的。

另外，在薄壁部11-1a的表面(內表面)形成有由包含鎳的鍍覆層構成的凹形補強用鍍覆層14，前述補強用鍍覆層14具有金屬板10的板厚的7.5%以上的厚度。

另外，在第2區域11-2中的一面側的表面形成有外部連接用鍍覆層12，前述第2區域11-2包含形成有補強用鍍覆層14的第1區域11-1。

並且，積層有補強用鍍覆層14和外部連接用鍍覆層12的部位的鍍覆層的厚度具有金屬板10的板厚的10%以上。

另外，引線11的上述切斷區域的邊界線L的凹形底部的位置處的外部連接用鍍覆層12的表面位於距離金屬板10的一面側深達金屬板10的板厚的大致50%以上的位置處。

此外，外部連接用鍍覆層12宜由依次積層鎳、鈀、金而成的鍍覆層構成。

另外，如圖1(d)所示，薄壁部11-1a是像圖1(a)的B-B剖面形成為門形那樣的形成為凹形的結構，除此以外，如圖1(e)、圖1(f)所示，薄壁部11-1a也可以是僅在引線11的另一側形成，且補強用鍍覆層14在引線11的側面露出的結構。

接下來，使用圖2、圖3對圖1所示的本實施形態的引線框架的製造步驟的一例進行說明。

首先，準備銅系材料的金屬板10(參照圖2(a)、圖3(a))。

接著，藉由對金屬板10實施半蝕刻加工而形成凹部11-1b。

詳細而言，在金屬板10的兩面形成乾膜抗蝕劑等第1抗蝕劑層R1(參照圖2(b)、圖3(b))。接著，對金屬板10的另一面側的第1抗蝕劑層R1的整面進行曝光，並且使用被繪製有預定圖案的玻璃遮罩對金屬板10的一面側的第1抗蝕劑層R1進行曝光，並進行顯影，從而形成在與薄壁部11-1a對應的部位具有開口且覆蓋其他部位的蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31(參照圖2(c)、圖3(c))。接著，使用蝕刻液從金屬板10的一面側實施深度為金屬板10的板厚的75~90%的半蝕刻加工而在金屬板10的一面側形成凹部11-1b(參照圖2(d)、圖3(d))。該凹部11-1b的內表面的寬度是根據引線11的寬度而形成為引線11的寬度的50~100%的寬度。如果將凹部11-1b的內表面的寬度形成為引線11的100%(或100%以上)的寬度，那麼在後續步驟中形成引線框架形狀時，能夠使補強鍍覆層在引線11的側面露出。

接著，從金屬板10的一面側起對凹部11-1b的表面(內表面)實施厚度為金屬板10的板厚的7.5%以上的包含鎳或鎳合金的鍍覆，從而形成凹形補強用鍍覆層14(參照圖2(e)、3(e))。然後，將形成在金屬板10上的蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31去除(參照圖2(f)、圖3(f))。

接著，對於內部連接用鍍覆層和外部連接用鍍覆層的形成，簡單地說明3種步驟。

首先，如果是內部連接用鍍覆層和外部連接用鍍覆層需為相同材料的鍍覆層的引線框架，那麼在兩面形成供形成鍍覆層的部分已開口的抗蝕劑遮罩後進行鍍覆加工。例如按照鎳、鈀、金的順序實施鍍覆，然後去除兩面的抗蝕劑遮罩。

另外，如果是內部連接用鍍覆層和外部連接用鍍覆層需為不同材料的鍍覆層的引線框架，那麼在另一面側形成供形成內部連接用鍍覆層的部分已開口的抗蝕劑遮罩，在一面側形成覆蓋整面的抗蝕劑遮罩後進行鍍覆加工，例如實施鍍銀而形成內部連接用鍍覆層，然後去除兩面的抗蝕劑遮罩。接著，在另一面側形成覆蓋整面的抗蝕劑遮罩，在一面側形成供形成外部連接用鍍覆層的部分已開口的抗蝕劑遮罩後進行鍍覆加工，例如按照鎳、鈀、金的順序實施鍍覆，然後去除兩面的抗蝕劑遮罩。

另外，如果是不形成內部連接用鍍覆層而僅需要外部連接用鍍覆層的引線框架，那麼在另一面側形成覆蓋整面的抗蝕劑遮罩，在一面側形成供形成外部連接用鍍覆層的部分已開口的抗蝕劑遮罩後進行鍍覆加工，例如按照鎳、鈀、金的順序實施鍍覆，然後去除兩面的抗蝕劑遮罩。

在此，使用圖2、圖3再次對形成外部連接用鍍覆層的步驟進行說明。

在金屬板10的兩面形成乾膜抗蝕劑等第2抗蝕劑層R2(參照圖2(g)、圖3(g))。接著，對另一面側的第2抗蝕劑層R2的整面進行曝光，使用被繪製有預定圖案的玻璃遮罩對一面側的第2抗蝕劑層R2進行曝光、顯影，從而形成使與引線11的第2區域11-2對應的部位開口且覆蓋其他部位的鍍覆用抗蝕劑遮罩32(參照圖2(h)、圖3(h))。

接著，對於從鍍覆用抗蝕劑遮罩32露出的部位，例如按照鎳、鈀、金的順序實施鍍覆(參照圖2(i)、圖3(i))。藉此，在包含形成有凹形補強用鍍覆層14的第1區域的第2區域11-2中的一側表面上形成外部連接用鍍覆層12。

此外，在形成外部連接用鍍覆層12時，以如下方式調整鍍覆厚度，即引線11的上述切斷區域的邊界線L的凹形底部的位置處的外部連接用鍍覆層12的表面位於距離金屬板10的一面側深達金屬板10的板厚的大致50%以上的位置處。

此時，宜為補強用鍍覆層14和外部連接用鍍覆層12的合計厚度具有金屬板10的板厚的10%以上。具有可實現性的是，該厚度處於大約5~55μm的範圍內。

另外，外部連接用鍍覆層12的表面也可以形成為粗糙面。在要形成粗糙面的情況下，例如可以藉由粗糙鍍覆來形成外部連接用鍍覆層12的鍍鎳層。另外，例如，也可以在形成平滑的鍍鎳層後，藉由蝕刻加工將鍍鎳層的表面形成為粗糙面。進而，也可以在形成有粗糙面的鍍鎳層上按照鈀、金的順序積層鍍覆層。

然後，去除兩面的鍍覆用抗蝕劑遮罩32(參照圖2(j)、圖3(j))。

接著，藉由對金屬板10實施蝕刻加工而形成引線框架形狀。

詳細而言，在金屬板10的兩面形成乾膜抗蝕劑等第3抗蝕劑層R3(參照圖 3(k))。接著，使用被繪製有為了獲得引線框架形狀而需要的預定圖案的玻璃遮罩對金屬板10的另一面側的第3抗蝕劑層R3和一面側的第3抗蝕劑層R3進行曝光、顯影，從而在金屬板10的兩面形成蝕刻用抗蝕劑遮罩33(參照圖3(l))。

接著，使用蝕刻液從金屬板10的兩面側實施蝕刻加工而形成一種引線框架，其是一個一個引線框架的區域與壩條13連結的多列型引線框架，且被切斷成一個一個半導體封裝件時的成為外部連接用端子的端子部的剖面形狀形成為門形(參照圖3(m))。

接著，去除蝕刻用抗蝕劑遮罩33(參照圖3(n))。

至此，本實施形態的引線框架1完成。

此外，在藉由實施蝕刻加工來形成引線框架1時，也可以對引線的中間部分或其他必要部位實施半蝕刻加工。

接下來，使用圖4、圖5來簡單地說明使用了本實施形態的引線框架的半導體封裝件的製造順序。

在本實施形態的引線框架的另一面側搭載半導體元件，並將半導體元件的電極和預定的內部連接用端子以打線接合法連接起來，或加以倒裝晶片安裝(省略圖示)。

接著，在一面側黏貼片狀遮蔽膠帶m1(參照圖4(a))，安置未圖示的模塑模具，並用密封樹脂21將半導體元件搭載側密封起來(參照圖4(b))，此時，由補強用鍍覆層14及外部連接用鍍覆層12積層而形成的凹形部分的一側端面與遮蔽膠帶m1密接，而形成內部密閉的狀態。因此，在形成密封樹脂時，密封樹脂21不會浸入到由補強用鍍覆層14以及外部連接用鍍覆層12積層而形成的凹形部分的內部。

接著，去除遮蔽膠帶m1(參照圖4(c))，並按預定的半導體封裝件40的尺寸進行切斷(參照圖4(d)、圖4(d'))。至此，使用了本實施形態的引線框架的半導體封裝件40完成(參照圖4(e))。

如果將這樣獲得的使用了本實施形態的引線框架1的半導體封裝件40的外部連接用端子焊接到外部設備80的端子81上，那麼面對焊料90，便能夠從露出於半導體封裝件40側面的外部連接用端子的門形開口目視確認焊接部分，從而形成為能夠目視檢查連接狀態是良好還是不良的狀態(參照圖5)。

根據本實施形態的引線框架1，在將半導體封裝件焊接到外部設備上時能夠從側面目視確認焊接部分，而且，藉由以金屬板10的板厚的7.5%以上的厚度形成補強用鍍覆層14，即使將門形開口面積形成得比以往大(寬廣)，引線11的強度也不會降低，從而能夠防止其在半導體封裝件的製造步驟中發生的變形。並且，利用刀片在切斷區域的邊界線L進行切斷加工時，因為成為半導體封裝件的側面的切斷面因門形開口面積變大而使得銅系材料變少，所以可使以往會產生的露出於半導體封裝件的側面的外部連接用端子上的銅系材料造成的毛刺變小。

另外，在將上文所述的藉由半蝕刻加工而形成的凹部11-1b的內表面的寬度形成為引線11的寬度(100%)的情況下，成為半導體封裝件的側面的切斷面中的引線11的側面的大部分成為補強鍍覆層和外部連接用鍍覆層，存在於側面的銅系材料明顯減少(成為銅系材料僅存在於另一面側的側面)，因此能夠進一步抑制銅系材料造成的毛刺的產生。

結果，利用刀片來切斷加工成一個一個半導體封裝件的步驟的生產率也會提高。

[實施例]

實施例1

首先，準備厚度為0.2mm的銅系材料作為金屬板10(參照圖2(a)、圖3(a))，並在兩面層壓乾膜抗蝕劑作為第1抗蝕劑層R1(參照圖2(b)、圖3(b))。

接著，進行曝光、顯影，在另一面側(正面側)形成覆蓋整面的蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31，在一面側(背面側)形成在與圖1所示的引線框架中的薄壁部11-1a對應的部位具有開口且覆蓋其他部位的蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31(參照圖2(c)、圖3(c))。

接著，使用蝕刻液進行半蝕刻加工，從而在金屬板10的一面側形成凹部11-1b(參照圖2(d)、圖3(d))。作為半蝕刻加工的條件，設定為：凹部11-1b在金屬板10的板厚的85%的深度處，且在(後面形成的)引線11的寬度的60%的寬度方向的兩側具備20%的寬度的銅系材料。

在金屬板10的一面側形成凹部11-1b後，使用相同的蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31進行鍍覆加工，在凹部11-1b(的內表面)實施設定厚度19μm的鍍鎳而形成一面側開口的凹形補強用鍍覆層14(參照圖2(e)、圖3(e))。

然後，去除兩面的蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31(參照圖2(f)、圖3(f))。

接著，在銅系金屬板10的兩面層壓乾膜抗蝕劑作為第2抗蝕劑層R2(參照圖2(g)、圖3(g))。

然後，使用被繪製有預定圖案的玻璃遮罩進行曝光、顯影，從而在另一面側形成使與成為內部連接用端子的區域(未圖示)對應的部位開口且覆蓋其他部位的鍍覆用抗蝕劑遮罩32，在一面側形成使與第2區域11-2對應的部位開口且覆蓋其他部位的鍍覆用抗蝕劑遮罩32，前述第2區域11-2包含形成有凹形補強用鍍覆層14的第1區域11-1(參照圖2(h)、圖3(h))。

接著，進行鍍覆加工，依次實施設定厚度為1μm的鍍鎳、設定厚度為0.01μm的鍍鈀、設定厚度為0.001μm的鍍金，從而在引線11的將會成為內部連接用端子的區域(未圖示)的表面形成內部連接用鍍覆層(未圖示)，並且在第2區域11-2的表面形成外部連接用鍍覆層12(參照圖2(i)、圖3(i))。藉由該鍍覆加工而形成的結構是，在先前形成的凹形補強用鍍覆層14上積層有外部連接用鍍覆層12。

然後，去除兩面的鍍覆用抗蝕劑遮罩32(參照圖2(j)、圖3(j))。

接著，在金屬板10的兩面層壓乾膜抗蝕劑作為第3抗蝕劑層R3(參照圖3(k))。

接著，進行曝光、顯影，在另一面側形成覆蓋將會成為預定的引線框架的部位及將會成為壩條的部位，且使其他部位露出的蝕刻用抗蝕劑遮罩33，前述將會成為預定的引線框架的部位包括將會成為內部連接用端子且依次積層鎳、鈀、金的鍍覆層而成的部分在內；在一面側形成覆蓋將會成為預定的引線框架的部位且使其他部位露出的蝕刻用抗蝕劑遮罩33，前述將會成為預定的引線框架的部位包括將會成為外部連接用端子且依次積層鎳、鈀、金的鍍覆層而成的部分在內(參照圖3(l))。

接著，進行蝕刻加工而由金屬板10形成預定的引線框架、壩條形狀(參照圖3(m))。

然後，去除兩面的蝕刻用抗蝕劑遮罩33(參照圖3(n))。

這樣就獲得了實施例1的引線框架，其在另一面側具備內部連接用端子，在一面側具備外部連接用端子，與壩條13連接的引線11的橫跨用於切斷成一個一個封裝件的切斷區域的邊界線L的部位由金屬板10、補強用鍍覆層14以及外部連接用鍍覆層12所形成，且在一面側的外部連接用鍍覆層12的內側具備凹形開口。

關於所獲得的實施例1的引線框架，經確認可知具備凹形開口的引線11未變形。

實施例2

從金屬板10的準備到蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31的形成為止，與實施例1大致同樣地進行，將蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31以形成在金屬板10的一面側的凹部11-1b的內表面的寬度變得與引線11的寬度相同的方式進行開口，且以與實施例1相同的深度進行半蝕刻加工而在金屬板10的一面側形成凹部11-1b，藉由實施設定厚度為15μm的鍍鎳，從而形成一面側開口的凹形補強用鍍覆層14。

藉由與實施例1同樣地進行之後的步驟，而獲得實施例2的引線框架，其在另一面側具備內部連接用端子，在一面側具備外部連接用端子，與壩條13連接的引線11的橫跨用於切斷成一個一個封裝件的切斷區域的邊界線L的部位與實施例1相同地由金屬板10、補強用鍍覆層14以及外部連接用鍍覆層12所形成，且分別在另一面側露出金屬板10，在側面露出補強用鍍覆層14和另一面側的金屬板10的側面，在一面側露出外部連接用鍍覆層12。

關於所獲得的實施例2的引線框架，經確認可知具備凹形開口的引線11未變形。

比較例1

從金屬板10的準備到在金屬板10的一面側形成凹部11-1b為止，與實施例2同樣地進行，然後藉由實施設定厚度為11μm的鍍鎳，從而形成一面側開口的凹形補強用鍍覆層14。

藉由與實施例2同樣地進行之後的步驟，而獲得比較例1的引線框架，其在另一面側具備內部連接用端子，在一面側具備外部連接用端子，與壩條13連接的引線11的橫跨用於切斷成一個一個封裝件的切斷區域的邊界線L的部位與實施例1相同地由金屬板10、補強用鍍覆層14以及外部連接用鍍覆層12所形成，且分別在另一面側露出金屬板10，在側面露出補強用鍍覆層14和另一面側的金屬板10的側面，在一面側露出外部連接用鍍覆層12。

關於所獲得的比較例1的引線框架，最終經確認可知具備凹形開口的多根引線11發生了變形，因此認定如果補強用鍍覆層14的厚度為金屬板10的5.5%，那麼強度不足。

比較例2

與實施例1大致同樣地形成凹部11-1b，但作為半蝕刻加工的條件，設定為：將凹部11-1b在金屬板10的板厚的85%的深度處設為(後面形成的)引線11的寬度的70%的寬度，而在凹部11-1b的寬度方向的兩側具備15%寬度的銅系材料。

然後，在不形成補強用鍍覆層14的情況下去除蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31。

藉由與實施例1同樣地進行之後的步驟，而獲得比較例2的引線框架，其在另一面側具備內部連接用端子，在一面側具備外部連接用端子，與壩條13連接的引線11的橫跨用於切斷成一個一個封裝件的切斷區域的邊界線L的部位由金屬板10和外部連接用鍍覆層12所形成，且分別在另一面側和側面露出金屬板10，在一面側露出金屬板10和外部連接用鍍覆層12。

關於所獲得的比較例2的引線框架，最終經確認可知具備凹形開口的多根引線11發生了變形，因此認定強度不足。

比較例3

與實施例1同樣地形成凹部11-1b後，在不形成補強用鍍覆層14的情況下去除蝕刻-鍍覆兩用抗蝕劑遮罩31。

藉由與實施例1同樣地進行之後的步驟，而獲得比較例3的引線框架，其在另一面側具備內部連接用端子，在一面側具備外部連接用端子，與壩條13連接的引線11的橫跨用於切斷成一個一個封裝件的切斷區域的邊界線L的部位由金屬板10和外部連接用鍍覆層12所形成，且分別在另一面側和側面露出金屬板10，在一面側露出金屬板10和外部連接用鍍覆層12。

關於所獲得的比較例3的引線框架，最終經確認可知具備凹形開口的多根引線11發生了變形，因此認定強度不足。